KR20050117054A - Edge ring used for manufacturing semiconductor devices and dry etching apparatus using the same - Google Patents

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KR20050117054A
KR20050117054A KR1020040042229A KR20040042229A KR20050117054A KR 20050117054 A KR20050117054 A KR 20050117054A KR 1020040042229 A KR1020040042229 A KR 1020040042229A KR 20040042229 A KR20040042229 A KR 20040042229A KR 20050117054 A KR20050117054 A KR 20050117054A
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Abstract

본 발명은 반도체 소자의 제조에 이용되는 에지 링 및 이를 이용한 건식 식각 장치에 관한 것으로, 챔버 내의 정전척에 고정되는 웨이퍼의 가장자리에 구비되는 에지 링에 있어서, 상기 에지 링은 아킹이 일어나지 않는 사파이어를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 한다. 본 발명에 의하면, 사파이어로 에지 링을 구현함으로써 아킹(arching)이 발생하지 않게 된다. 따라서, 오염 입자의 발생이 줄어들어 수율이 향상되고, 에지 링의 수명이 증가하여 설비의 유지 및 보수비를 절감할 수 있는 효과가 있다.The present invention relates to an edge ring used in the manufacture of a semiconductor device and a dry etching apparatus using the same. In an edge ring provided at an edge of a wafer fixed to an electrostatic chuck in a chamber, the edge ring is formed of sapphire without arcing. It is characterized by comprising. According to the present invention, arcing does not occur by implementing the edge ring with sapphire. Therefore, the generation of contaminant particles is reduced, the yield is improved, and the life of the edge ring is increased, thereby reducing the maintenance and repair costs of the facility.

Description

반도체 소자의 제조에 이용되는 에지 링 및 이를 이용한 건식 식각 장치{EDGE RING USED FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICES AND DRY ETCHING APPARATUS USING THE SAME}EDGE RING USED FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICES AND DRY ETCHING APPARATUS USING THE SAME

본 발명은 반도체 소자의 제조에 이용되는 에지 링 및 이를 이용한 건식 식각 장치에 관한 것으로, 보다 상세하게는 아킹 발생을 방지하여 오염 발생이 방지되고 수명이 연장된 에지 링 및 이를 이용한 건식 식각 장치에 관한 것이다.The present invention relates to an edge ring used in the manufacture of a semiconductor device and a dry etching apparatus using the same, and more particularly, to an edge ring to prevent contamination from occurring and to prolong the life, and to a dry etching apparatus using the same. will be.

주지된 바와 같이, 반도체 소자의 미세 가공시 웨이퍼를 안착시킬 수 있도록 클램핑하기 위해선 척(chuck)을 사용하고 있다. 특히, 정전기를 이용하여 웨이퍼를 클램핑하는 척을 정전척(Electrical Static Chuck, 약칭하여 ESC)이라고 지칭된다. 이러한 정전척은 주로 플라즈마를 이용한 건식 식각 장치에서 사용되는데, 플라즈마가 웨이퍼에 집중되도록 하기 위해 사용하는 것이 에지 링(edge ring)이다. 에지 링은 통상 석영이나 세라믹으로 구성되고, 웨이퍼의 외주연을 감싸도록 배치된다.As is well known, a chuck is used to clamp the wafer so that the wafer can be seated during the microfabrication of the semiconductor device. In particular, the chuck that clamps the wafer using static electricity is called an electrostatic chuck (abbreviated as ESC). Such electrostatic chucks are mainly used in dry etching apparatus using plasma, which is used to concentrate the plasma on the wafer is an edge ring. The edge ring is usually composed of quartz or ceramic and is arranged to surround the outer circumference of the wafer.

그런데, 건식 식각 공정 진행 중 정전척과 에지 링 간에 아킹(arching)이 발생하게 되면 정전척 및/또는 에지 링에 오염원이 생성될 수 있다. 이 오염원은 건식 식각시 웨이퍼에 오염 입자로 작용하여 건식 식각 공정의 수율을 떨어뜨리고, 특히 에지 링을 식각하여 에지 링의 수명을 떨어뜨리는 문제점이 있었다.However, when arcing occurs between the electrostatic chuck and the edge ring during the dry etching process, a source of contamination may be generated in the electrostatic chuck and / or the edge ring. This pollutant source acts as a contaminant particle on the wafer during dry etching, thereby lowering the yield of the dry etching process, and in particular, etching the edge ring to reduce the life of the edge ring.

이에 본 발명은 상기한 종래 기술상의 문제점을 해결하기 위하여 안출된 것으로, 본 발명의 목적은 아킹 발생을 방지할 수 있는 반도체 소자의 제조에 이용되는 에지 링 및 이를 이용한 건식 식각 장치를 제공함에 있다.Accordingly, the present invention has been made to solve the above-mentioned problems in the prior art, an object of the present invention to provide an edge ring used in the manufacture of a semiconductor device that can prevent the occurrence of arcing and a dry etching apparatus using the same.

상기 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 반도체 소자의 제조에 이용되는 에지 링 및 이를 이용한 건식 식각 장치는 아킹 발생을 억제할 수 있는 사파이어(sapphire)로 구성된 에지 링을 사용하는 것을 특징으로 한다.Edge ring used in the manufacture of a semiconductor device according to the present invention for achieving the above object and a dry etching device using the same is characterized in that using the edge ring made of sapphire (sapphire) that can suppress the occurrence of arcing.

상기 특징을 구현할 수 있는 본 발명에 따른 반도체 소자의 제조에 이용되는 에지 링은, 챔버 내의 정전척에 고정되는 웨이퍼의 가장자리에 구비되는 에지 링에 있어서, 상기 에지 링은 아킹이 일어나지 않는 사파이어를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 한다.An edge ring for use in the manufacture of a semiconductor device according to the present invention that can implement the above features, the edge ring is provided on the edge of the wafer is fixed to the electrostatic chuck in the chamber, the edge ring comprises sapphire does not occur arcing Characterized in that made.

상기 본 발명에 따른 에지 링에 있어서, 상기 에지 링은 그 전체가 상기 사파이어로 이루어지거나, 또는 그 일부만이 사파이어로 이루어진다. 상기 에지 링은 내부 링과 외부 링을 포함할 수 있으며, 상기 내부 링은 사파이어로 이루어지고, 상기 외부 링은 석영으로 이루어질 수 있다.In the edge ring according to the present invention, the edge ring is made entirely of the sapphire, or only a portion thereof is made of sapphire. The edge ring may include an inner ring and an outer ring, the inner ring may be made of sapphire, and the outer ring may be made of quartz.

상기 특징을 구현할 수 있는 본 발명에 따른 건식 식각 장치는, 플라즈마를 이용하여 건식 식각 공정이 실제로 진행되는 반응 챔버; 상기 반응 챔버의 내부 상측에 배치된 상부 전극; 상기 상부 전극과는 상하로 대면하도록 상기 반응 챔버의 내부 하측에 배치된 정전척; 및 상기 정전척에 장착되는 웨이퍼의 가장자리 둘레에 마련되어 웨이퍼에 플라즈마를 집중시키며, 아킹이 방지되도록 사파이어를 포함하여 구성된 에지 링을 포함하는 것을 특징으로 한다.Dry etching apparatus according to the present invention that can implement the above features, the reaction chamber is actually a dry etching process using a plasma; An upper electrode disposed inside the reaction chamber; An electrostatic chuck disposed in the lower side of the reaction chamber so as to face up and down with the upper electrode; And an edge ring provided around the edge of the wafer mounted on the electrostatic chuck to concentrate the plasma on the wafer and include sapphire to prevent arcing.

상기 본 발명에 따른 건식 식각 장치에 있어서, 상기 에지 링은 그 전체가 상기 사파이어로 이루어지거나, 또는 그 일부만이 사파이어로 이루어진다. 상기 에지 링은 내부 링과 외부 링을 포함할 수 있으며, 상기 내부 링은 사파이어로 이루어지고, 상기 외부 링은 석영으로 이루어질 수 있다. 상기 반응 챔버 상부에는 상기 플라즈마를 발생시키는 식각 가스가 외부로부터 상기 반응 챔버 내부로 유입되도록 하는 식각 가스 유입구가 마련되고, 상기 반응 챔버 하부에는 식각 공정을 마친 부산물을 포함하는 가스가 상기 반응 챔버 내부로부터 외부로 배출시키는 배기구가 마련된다.In the dry etching apparatus according to the present invention, the edge ring is made entirely of the sapphire, or only a part thereof is made of sapphire. The edge ring may include an inner ring and an outer ring, the inner ring may be made of sapphire, and the outer ring may be made of quartz. An etching gas inlet port is provided at an upper portion of the reaction chamber to allow the etching gas for generating the plasma to flow into the reaction chamber from the outside, and a gas including a by-product that has been etched from the reaction chamber is provided at the lower portion of the reaction chamber. An exhaust port for discharging to the outside is provided.

본 발명에 의하면, 사파이어로 에지 링을 구현함으로써 아킹(arching)이 발생하지 않게 된다. 따라서, 오염 입자의 발생이 줄어들게 되고, 에지 링의 수명이 길어지게 된다.According to the present invention, arcing does not occur by implementing the edge ring with sapphire. Therefore, the generation of contaminant particles is reduced, and the life of the edge ring is long.

이하, 본 발명에 따른 반도체 소자의 제조에 이용되는 에지 링 및 이를 이용한 건식 식각 장치를 첨부한 도면을 참조하여 상세히 설명한다.Hereinafter, an edge ring used for manufacturing a semiconductor device according to the present invention and a dry etching apparatus using the same will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

종래 기술과 비교한 본 발명의 이점은 첨부된 도면을 참조한 상세한 설명과 특허청구범위를 통하여 명백하게 될 것이다. 특히, 본 발명은 특허청구범위에서 잘 지적되고 명백하게 청구된다. 그러나, 본 발명은 첨부된 도면과 관련해서 다음의 상세한 설명을 참조함으로써 가장 잘 이해될 수 있다. 도면에 있어서 동일한 참조부호는 다양한 도면을 통해서 동일한 구성요소를 나타낸다.Advantages of the present invention over prior art will become apparent from the detailed description and claims with reference to the accompanying drawings. In particular, the present invention is well pointed out and claimed in the claims. However, the present invention may be best understood by reference to the following detailed description in conjunction with the accompanying drawings. Like reference numerals in the drawings denote like elements throughout the various drawings.

도 1은 본 발명에 따른 반도체 소자의 제조에 이용되는 에지 링을 이용한 건식 식각 장치를 도시한 단면도이고, 도 2는 본 발명에 따른 반도체 소자의 제조에 이용되는 에지 링을 도시한 평면도이고, 도 3은 본 발명에 따른 반도체 소자의 제조에 이용되는 에지 링의 변형예를 도시한 평면도이다.1 is a cross-sectional view showing a dry etching apparatus using an edge ring used in the manufacture of a semiconductor device according to the present invention, Figure 2 is a plan view showing the edge ring used in the manufacture of a semiconductor device according to the present invention, 3 is a plan view showing a modification of the edge ring used in the manufacture of a semiconductor device according to the present invention.

(실시예)(Example)

도 1 및 도 2를 참조하면, 본 발명에 따른 건식 식각 장치(100)는 반응 챔버(150)의 하측에 웨이퍼(W)가 올려지는 정전척(130)을 구비하고, 정전척(130)과는 상하 대향하는 반응 챔버(150)의 상측에 상부 전극(110)을 구비한다.1 and 2, the dry etching apparatus 100 according to the present invention includes an electrostatic chuck 130 on which a wafer W is placed below the reaction chamber 150, and includes an electrostatic chuck 130. The upper electrode 110 is provided above the reaction chamber 150 that faces up and down.

반응 챔버(150)는 식각 공정이 실제 진행되는 밀폐된 공간으로서, 그 상하부 각각에는 식각 가스를 반응 챔버(150) 내부로 유도하는 유입구(120)와, 이미 반응한 가스를 외부로 배출시키는 배기구(140)가 배치된다.The reaction chamber 150 is an enclosed space in which an etching process is actually performed. Each of the upper and lower portions of the reaction chamber 150 has an inlet 120 for inducing an etching gas into the reaction chamber 150 and an exhaust port for discharging the already reacted gas to the outside. 140 is disposed.

상부 전극(110)은 캐소드 전극(Cathode Electrode)라고도 지칭되는 것으로, 예를 들어, 파티클이나 플라즈마 점화 등의 측면에서 탁월한 성능을 발휘하는 순수 실리콘 재질로 구성된다. 한편, 실리콘은 공정 조건에 따라 소모량이 크므로 상부 전극(110) 중에서 반응 챔버(150) 내에 직접적으로 노출되는 부분은 실리콘 재질로 구성되고, 장착을 위한 부분은 흑연(graphite) 재질로 구성될 수 있다.The upper electrode 110 is also referred to as a cathode electrode (Cathode Electrode), for example, is composed of a pure silicon material that exhibits excellent performance in terms of particles or plasma ignition. On the other hand, since silicon consumes a large amount depending on process conditions, a portion of the upper electrode 110 directly exposed in the reaction chamber 150 may be made of silicon, and a portion for mounting may be made of graphite. have.

정전척(130)은 아노드 전극(Anode Electrode) 내지는 하부 전극 역할을 하는 것으로, 웨이퍼(W)와 정전척(130) 사이에 발생된 전위차로써 정전기력을 발생시킴으로써 웨이퍼(W)를 클램핑한다.The electrostatic chuck 130 serves as an anode electrode or a lower electrode, and clamps the wafer W by generating an electrostatic force with a potential difference generated between the wafer W and the electrostatic chuck 130.

웨이퍼(W)가 일단 정전척(130)에 안착되면 유입구(120)를 통해 식각 가스가 반응 챔버(150) 내로 들어온다. 그리고, 정전척(130)과 상부 전극(110)에 고주파 파워를 인가하게 되면 정전척(130)과 상부 전극(110) 사이에서 반응가스가 플라즈마화되고, 플라즈마와 웨이퍼(W)와의 화학반응으로 웨이퍼(W) 막질이 선택적으로 제거되어 웨이퍼(W) 상에는 원하는 패턴이 형성된다.Once the wafer W is seated on the electrostatic chuck 130, the etching gas enters the reaction chamber 150 through the inlet 120. When the high frequency power is applied to the electrostatic chuck 130 and the upper electrode 110, the reaction gas is converted into plasma between the electrostatic chuck 130 and the upper electrode 110, and the chemical reaction between the plasma and the wafer W is performed. The film quality of the wafer (W) is selectively removed to form a desired pattern on the wafer (W).

이와 같은 건식 식각 공정시 정전척(130)의 둘레에는 플라즈마가 웨이퍼(W)에 집중적으로 공급되도록 안내하는 포커스 링 내지는 에지 링(160:Edge Ring)이 마련된다. 에지 링(160)은, 도 2에 도시된 바와 같이, 고리 모양을 지니며 그 내경은 웨이퍼(W)의 외경보다 크게 한다. 한편, 에지 링(160)의 안쪽 단면은 웨이퍼(W)가 하강하면서 정렬이 이루어질 수 있도록 하는 동시에 플라즈마가 웨이퍼(W)에 집중될 수 있도록 경사진 형태일 수 있다.In the dry etching process, a focus ring or edge ring 160 that guides the plasma to the wafer W is provided around the electrostatic chuck 130. As shown in FIG. 2, the edge ring 160 has an annular shape and its inner diameter is larger than the outer diameter of the wafer W. As shown in FIG. On the other hand, the inner cross-section of the edge ring 160 may be inclined so that the alignment can be made while the wafer W is lowered and at the same time the plasma can be concentrated on the wafer (W).

한편, 건식 식각 공정 진행 중 정전척(130)과 에지 링(160) 간에 아킹(arching)이 발생하게 되면 정전척(130) 및/또는 에지 링(160)에 오염원이 생성될 수 있다. 이 오염원은 건식 식각시 웨이퍼(W)에 오염 입자로 작용하여 건식 식각 공정의 수율을 떨어뜨리고, 특히 에지 링을 식각하게 된다. 따라서, 이러한 것을 원천적으로 방지하기 위하여 에지 링(160)은 아킹(arching)이 발생되지 않는 절연 재료, 가령 사파이어(Sapphire)로 구성된다. 사파이어는 매우 우수한 전기 절연체(약 1014Ω/m)이므로 전류 누설이나 커패시턴스가 방지되므로 에지 링(160)의 재질로 채택하는 것이 바람직하다.Meanwhile, when arcing occurs between the electrostatic chuck 130 and the edge ring 160 during the dry etching process, contamination sources may be generated in the electrostatic chuck 130 and / or the edge ring 160. The contaminant acts as contaminant particles on the wafer W during dry etching, lowering the yield of the dry etching process, and in particular, etching the edge ring. Thus, in order to prevent this at all, the edge ring 160 is made of an insulating material, for example, sapphire, in which arcing does not occur. Since sapphire is a very good electrical insulator (about 1014 Ω / m), current leakage or capacitance is prevented, so it is preferable to adopt sapphire as the material of the edge ring 160.

한편, 에지 링(160)은 설계에 따라 부분적으로 노치(notch)가 형성될 수 있다. 따라서, 에지 링(160) 전체를 사파이어로 구성할 수 있고, 아니면 아킹 발생 확률이 높은 노치 부분에만 사파이어로 구성될 수 있다.On the other hand, the edge ring 160 may be partially formed notches (notch) according to the design. Therefore, the entire edge ring 160 may be made of sapphire, or may be made of sapphire only in the notch having a high probability of arcing.

도 3을 참조하면, 에지 링(260)은 내부 링(260b)과 외부 링(260a)으로 이루어질 수 있다. 내부 링(260b)은 웨이퍼(W)의 정전척으로의 정확한 장착을 안내하는 역할을 하고, 외부 링(260a)은 플라즈마를 웨이퍼(W)에 집중시키는 역할을 각각 담당한다. 여기서, 내부 링(260b)과 외부 링(260a) 모두를 사파이어로 구성할 수 있고, 또는 이와 다르게 내부 링(260b)은 사파이어로 구성하고 바깥의 외부 링(260a)은 석영(Quartz)으로 구성할 수 있다. 웨이퍼(W)와 직접 대면하는 내부 링(260b)이 사파이어로 구성되어 있으면 아킹에 의해 발생되는 위험으로부터 웨이퍼(W)를 보호할 수 있게 된다.Referring to FIG. 3, the edge ring 260 may consist of an inner ring 260b and an outer ring 260a. The inner ring 260b serves to guide the correct mounting of the wafer W to the electrostatic chuck, and the outer ring 260a serves to concentrate the plasma on the wafer W, respectively. Here, both the inner ring 260b and the outer ring 260a may be made of sapphire, or alternatively, the inner ring 260b may be made of sapphire and the outer outer ring 260a may be made of quartz. Can be. If the inner ring 260b directly facing the wafer W is made of sapphire, the wafer W can be protected from the danger caused by arcing.

이상의 상세한 설명은 본 발명을 예시하는 것이다. 또한 전술한 내용은 본 발명의 바람직한 실시 형태를 나타내고 설명하는 것에 불과하며, 본 발명은 다양한 다른 조합, 변경 및 환경에서 사용할 수 있다. 그리고, 본 명세서에 개시된 발명의 개념의 범위, 저술한 개시 내용과 균등한 범위 및/또는 당업계의 기술 또는 지식의 범위 내에서 변경 또는 수정이 가능하다. 전술한 실시예들은 본 발명을 실시하는데 있어 최선의 상태를 설명하기 위한 것이며, 본 발명과 같은 다른 발명을 이용하는데 당업계에 알려진 다른 상태로의 실시, 그리고 발명의 구체적인 적용 분야 및 용도에서 요구되는 다양한 변경도 가능하다. 따라서, 이상의 발명의 상세한 설명은 개시된 실시 상태로 본 발명을 제한하려는 의도가 아니다. 또한 첨부된 청구범위는 다른 실시 상태도 포함하는 것으로 해석되어야 한다.The foregoing detailed description illustrates the present invention. In addition, the foregoing description merely shows and describes preferred embodiments of the present invention, and the present invention can be used in various other combinations, modifications, and environments. And, it is possible to change or modify within the scope of the concept of the invention disclosed in this specification, the scope equivalent to the written description, and / or the skill or knowledge in the art. The above-described embodiments are for explaining the best state in carrying out the present invention, the use of other inventions such as the present invention in other state known in the art, and the specific fields of application and uses of the present invention. Various changes are also possible. Accordingly, the detailed description of the invention is not intended to limit the invention to the disclosed embodiments. Also, the appended claims should be construed to include other embodiments.

이상에서 상세히 설명한 바와 같이, 본 발명에 의하면, 사파이어로 에지 링을 구현함으로써 아킹(arching)이 발생하지 않게 된다. 따라서, 오염 입자의 발생이 줄어들어 수율이 향상되고, 에지 링의 수명이 증가하여 설비의 유지 및 보수비를 절감할 수 있는 효과가 있다.As described in detail above, according to the present invention, arching does not occur by implementing the edge ring with sapphire. Therefore, the generation of contaminant particles is reduced, the yield is improved, and the life of the edge ring is increased, thereby reducing the maintenance and repair costs of the facility.

도 1은 본 발명에 따른 반도체 소자의 제조에 이용되는 에지 링을 이용한 건식 식각 장치를 도시한 단면도.1 is a cross-sectional view showing a dry etching apparatus using an edge ring used in the manufacture of a semiconductor device according to the present invention.

도 2는 본 발명에 따른 반도체 소자의 제조에 이용되는 에지 링을 도시한 평면도.2 is a plan view showing an edge ring used in the manufacture of a semiconductor device according to the present invention.

도 3은 본 발명에 따른 반도체 소자의 제조에 이용되는 에지 링의 변형예를 도시한 평면도.3 is a plan view showing a modification of the edge ring used in the manufacture of a semiconductor device according to the present invention.

< 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명 ><Description of Symbols for Major Parts of Drawings>

100 : 건식 식각 장치 110 : 상부 전극100: dry etching device 110: upper electrode

120 : 식각 가스 유입구 130 : 정전척120: etching gas inlet 130: electrostatic chuck

140 : 배기구 150 : 반응 챔버140: exhaust port 150: reaction chamber

160, 260 : 에지 링160, 260: edge ring

Claims (9)

챔버 내의 정전척에 고정되는 웨이퍼의 가장자리에 구비되는 에지 링에 있어서,In the edge ring provided at the edge of the wafer fixed to the electrostatic chuck in the chamber, 상기 에지 링은 아킹이 일어나지 않는 사파이어를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 에지 링.The edge ring is characterized in that the edge ring comprises a sapphire does not occur. 제1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 에지 링은 그 전체가 상기 사파이어로 이루어지거나, 또는 그 일부만이 사파이어로 이루어진 것을 특징으로 하는 에지 링.The edge ring is characterized in that the whole is made of sapphire, or only a portion thereof is made of sapphire. 제1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 에지 링은 내부 링과 외부 링을 포함하는 것을 특징으로 하는 에지 링.The edge ring comprises an inner ring and an outer ring. 제3항에 있어서,The method of claim 3, 상기 내부 링은 사파이어로 이루어지고, 상기 외부 링은 석영으로 이루어진 것을 특징으로 하는 에지 링.The inner ring is made of sapphire and the outer ring is made of quartz. 플라즈마를 이용하여 건식 식각 공정이 실제로 진행되는 반응 챔버;A reaction chamber in which the dry etching process is actually performed using the plasma; 상기 반응 챔버의 내부 상측에 배치된 상부 전극;An upper electrode disposed inside the reaction chamber; 상기 상부 전극과는 상하로 대면하도록 상기 반응 챔버의 내부 하측에 배치된 정전척; 및An electrostatic chuck disposed in the lower side of the reaction chamber so as to face up and down with the upper electrode; And 상기 정전척에 장착되는 웨이퍼의 가장자리 둘레에 마련되어 웨이퍼에 플라즈마를 집중시키며, 아킹이 방지되도록 사파이어를 포함하여 구성된 에지 링;An edge ring provided around the edge of the wafer mounted on the electrostatic chuck to concentrate the plasma on the wafer, the edge ring including sapphire to prevent arcing; 을 포함하는 것을 특징으로 하는 건식 식각 장치.Dry etching apparatus comprising a. 제5항에 있어서,The method of claim 5, 상기 에지 링은 그 전체가 상기 사파이어로 이루어지거나, 또는 그 일부만이 사파이어로 이루어진 것을 특징으로 하는 건식 식각 장치.And the edge ring is entirely made of sapphire, or only a part thereof is made of sapphire. 제5항에 있어서,The method of claim 5, 상기 에지 링은 내부 링과 외부 링을 포함하는 것을 특징으로 하는 건식 식각 장치.And the edge ring comprises an inner ring and an outer ring. 제7항에 있어서,The method of claim 7, wherein 상기 내부 링은 사파이어로 이루어지고, 상기 외부 링은 석영으로 이루어진 것을 특징으로 하는 건식 식각 장치.And the inner ring is made of sapphire and the outer ring is made of quartz. 제5항에 있어서,The method of claim 5, 상기 반응 챔버 상부에는 상기 플라즈마를 발생시키는 식각 가스가 외부로부터 상기 반응 챔버 내부로 유입되도록 하는 식각 가스 유입구가 마련되고, 상기 반응 챔버 하부에는 식각 공정을 마친 부산물을 포함하는 가스가 상기 반응 챔버 내부로부터 외부로 배출시키는 배기구가 마련된 것을 특징으로 하는 건식 식각 장치.An etching gas inlet port is provided at an upper portion of the reaction chamber to allow the etching gas for generating the plasma to flow into the reaction chamber from the outside, and a gas including a by-product that has been etched from the reaction chamber is provided at the lower portion of the reaction chamber. Dry etching apparatus characterized in that the exhaust port for discharging to the outside is provided.
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CN112466740A (en) * 2020-11-30 2021-03-09 上海诺硕电子科技有限公司 Carrier for plasma processing wafer and wafer processing equipment

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