KR20050113825A - Method for fabricating spacer - Google Patents
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Abstract
본 발명은 스페이서가 적용될 평판 표시소자의 특성에 맞게 다양한 형상의 스페이서를 용이하게 제조할 수 있는 스페이서 제조 방법에 관한 것으로서,The present invention relates to a spacer manufacturing method capable of easily manufacturing a spacer of various shapes according to the characteristics of the flat panel display device to which the spacer is applied,
본 발명에 의한 스페이서 제조 방법은,The spacer manufacturing method according to the present invention,
감광성 유리를 준비하여 그 일면에 제1 마스크 패턴을 형성하고; 제1 마스크 패턴을 통해 감광성 유리를 1차 노광하고; 제1 마스크 패턴을 제거한 후 감광성 유리의 일면에 제1 마스크 패턴과 형상이 상이한 제2 마스크 패턴을 형성하고; 제2 마스크 패턴을 통해 감광성 유리를 2차 노광하고; 감광성 유리를 소성하여 노광 부위와 비노광 부위간 조직적인 차이를 발생시키고; 노광 부위와 비노광 부위 중 하나를 선택적으로 제거하는 단계를 포함한다.Preparing a photosensitive glass to form a first mask pattern on one surface thereof; First exposing the photosensitive glass through the first mask pattern; Removing the first mask pattern and forming a second mask pattern different in shape from the first mask pattern on one surface of the photosensitive glass; Second exposure of the photosensitive glass through the second mask pattern; Firing the photosensitive glass to generate a systematic difference between the exposed and unexposed portions; Selectively removing one of the exposed and non-exposed areas.
Description
본 발명은 스페이서 제조 방법에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 스페이서가 적용될 평판 표시소자의 특성에 맞게 다양한 형상의 스페이서를 제조할 수 있는 스페이서 제조 방법에 관한 것이다.The present invention relates to a spacer manufacturing method, and more particularly to a spacer manufacturing method capable of manufacturing a spacer of various shapes according to the characteristics of the flat panel display device to which the spacer is applied.
일반적으로 평판 표시소자(Flat Panel Display; FPD)는 큰 부피와 고전압을 필요로 하는 음극선관과 달리, 두께가 얇고 저전압으로 구동하는 실질적으로 평탄한 표시소자를 통칭한다. 이러한 평판 표시소자로는 형광 표시관, FEA(Field Emitter Array)형 전자 방출 표시소자, 표면 전도형 전자 방출 표시소자 및 MIM(Metal-Insulator-Metal)형 전자 방출 표시소자 등이 알려져 있다. In general, a flat panel display (FPD) refers to a substantially flat display device having a thin thickness and driving at a low voltage, unlike a cathode ray tube requiring a large volume and a high voltage. As such a flat panel display device, a fluorescent display tube, a field emitter array (FEA) type electron emission display device, a surface conduction electron emission display device, a metal-insulator-metal (MIM) type electron emission display device, and the like are known.
이러한 평판 표시소자는 종류에 따라 세부적인 구조가 상이하지만, 통상적으로는 한쌍의 기판이 서로 마주보도록 접합된 후 내부 공간이 고진공으로 배기된 진공 용기와, 진공 용기 내부에 배치되는 스페이서를 포함한다. 스페이서는 양 기판을 일정한 간격으로 유지시키며, 용기 내외부의 압력차에 의해 진공 용기가 변형되거나 파손되는 것을 방지하는 역할을 한다.Although the detailed structure of the flat panel display device differs depending on the type, it typically includes a vacuum container in which an inner space is exhausted by high vacuum after a pair of substrates are bonded to face each other, and a spacer disposed inside the vacuum container. The spacers maintain both substrates at regular intervals and serve to prevent the vacuum vessel from being deformed or broken by the pressure difference inside and outside the vessel.
최근들어 평판 표시소자가 고해상도화함에 따라, 미세한 크기와 높은 지지력 및 높은 종횡비를 갖는 스페이서가 요구되고 있다. 여기에서 종횡비는 스페이서의 폭에 대한 높이의 비를 의미한다.Recently, as the flat panel display device becomes higher resolution, a spacer having a fine size, a high bearing capacity, and a high aspect ratio is required. Here, the aspect ratio means the ratio of the height to the width of the spacer.
이에 따라 감광성 유리로 스페이서를 제작하려는 노력이 진행되고 있으며, 감광성 유리를 이용한 통상의 스페이서 제조 방법은 ①감광성 유리 상측에 임의 패턴의 노광 마스크를 배치하는 단계, ②자외선을 조사하여 노광 마스크를 통해 감광성 유리를 선택적으로 노광시키는 단계, ③고온 열처리(소성)를 통해 노광된 부분을 결정화하는 단계, ④결정화된 부분을 에칭에 의해 제거하는 단계들로 이루어진다.Accordingly, efforts are being made to manufacture spacers using photosensitive glass, and a conventional spacer manufacturing method using photosensitive glass includes (1) arranging an exposure mask having an arbitrary pattern on top of the photosensitive glass, and (2) irradiating ultraviolet rays to photosensitive through an exposure mask. Selectively exposing the glass, (3) crystallizing the exposed portion through high temperature heat treatment (firing), and (4) removing the crystallized portion by etching.
그런데 전술한 방법으로 제작된 스페이서는 상하측이 동일한 형상으로 이루어지므로, 평판 표시소자의 특성에 맞는 다양한 형태의 스페이서를 제작하는데 어려움이 있다. 일례로 FEA형 전자 방출 표시소자에서는 스페이서와 하부 기판과의 접촉 면적을 늘려 충분한 지지력을 확보하는 한편, 스페이서와 상부 기판과의 접촉 면적은 줄여 형광체층으로 스페이서가 침투하는 것을 막는 노력이 필요하다. However, since the spacers manufactured by the above-described method are formed in the same shape in the upper and lower sides, it is difficult to manufacture various types of spacers suitable for the characteristics of the flat panel display device. For example, in the FEA type electron emission display device, it is necessary to increase the contact area between the spacer and the lower substrate to secure sufficient support, while reducing the contact area between the spacer and the upper substrate to prevent the spacer from penetrating into the phosphor layer.
이와 같이 평판 표시소자의 특성에 따라 상하측이 다른 형상 특성을 갖는 스페이서가 요구되고 있지만, 전술한 종래의 방법으로는 이러한 스페이서를 제작하기 어려운 한계가 있다.As described above, a spacer having a shape characteristic different in the upper and lower sides according to the characteristics of the flat panel display element is required, but there is a limit in which such a spacer is difficult to be manufactured by the conventional method described above.
따라서 본 발명은 상기한 문제점을 해소하기 위한 것으로서, 본 발명의 목적은 스페이서가 적용될 평판 표시소자의 특성에 맞게 다양한 형상의 스페이서를 제조할 수 있는 스페이서 제조 방법을 제공하는데 있다.Therefore, the present invention is to solve the above problems, an object of the present invention is to provide a spacer manufacturing method capable of manufacturing a spacer of various shapes according to the characteristics of the flat panel display device to which the spacer is applied.
상기의 목적을 달성하기 위하여 본 발명은,In order to achieve the above object, the present invention,
감광성 유리를 준비하여 그 일면에 제1 마스크 패턴을 형성하고, 제1 마스크 패턴을 통해 감광성 유리를 1차 노광하고, 제1 마스크 패턴을 제거한 후 감광성 유리의 일면에 제1 마스크 패턴과 형상이 상이한 제2 마스크 패턴을 형성하고, 제2 마스크 패턴을 통해 감광성 유리를 2차 노광하고, 감광성 유리를 소성하여 노광 부위와 비노광 부위간 조직적인 차이를 발생시키고, 노광 부위와 비노광 부위 중 하나를 선택적으로 제거하는 단계를 포함하는 스페이서 제조 방법을 제공한다.The photosensitive glass is prepared, a first mask pattern is formed on one surface thereof, the first photosensitive glass is first exposed through the first mask pattern, the first mask pattern is removed, and the shape of the first photosensitive glass is different from that of the first mask pattern. Forming a second mask pattern, secondarily exposing the photosensitive glass through the second mask pattern, and firing the photosensitive glass to generate a systematic difference between the exposed and non-exposed areas, and one of the exposed and non-exposed areas It provides a spacer manufacturing method comprising the step of selectively removing.
상기 제1 마스크 패턴과 제2 마스크 패턴을 형성할 때에는 감광성 유리의 일면에 금속막을 증착하고, 포토리소그래피 공정으로 금속막을 패터닝하는 단계를 포함할 수 있다.When forming the first mask pattern and the second mask pattern, a metal film may be deposited on one surface of the photosensitive glass, and the metal film may be patterned by a photolithography process.
상기 감광성 유리를 1차 노광할 때에는 노광 빛이 노광 반대면까지 충분히 도달하도록 하는 것이 바람직하다.In the first exposure of the photosensitive glass, it is preferable that the exposure light sufficiently reaches the opposite surface of the exposure.
상기 제2 마스크 패턴을 형성할 때에는 제2 마스크 패턴이 제1 마스크 패턴과 형성 위치가 겹치면서 제1 마스크 패턴보다 작은 면적을 갖도록 형성하는 것이 바람직하다.When forming the second mask pattern, it is preferable that the second mask pattern is formed to have an area smaller than the first mask pattern while the formation position of the second mask pattern overlaps with the first mask pattern.
예를 들어 제1 마스크 패턴을 십자형으로 형성하고, 제2 마스크 패턴을 일자형으로 형성할 수 있으며, 제1 마스크 패턴을 제1의 직경을 갖는 원형으로 형성하고, 제2 마스크 패턴을 제1의 직경보다 작은 제2의 직경을 갖는 원형으로 형성할 수 있다. 또한, 제1 마스크 패턴을 십자형으로 형성하고, 제2 마스크 패턴을 도트형으로 형성할 수 있다.For example, the first mask pattern may be formed in a cross shape, the second mask pattern may be formed in a straight line, the first mask pattern may be formed in a circle having a first diameter, and the second mask pattern may be formed in a first diameter. It can be formed into a circle having a smaller second diameter. In addition, the first mask pattern may be formed in a cross shape, and the second mask pattern may be formed in a dot shape.
이하, 첨부한 도면을 참고하여 본 발명의 바람직한 실시예를 보다 상세하게 설명하면 다음과 같다.Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.
도 1은 본 발명에 의한 스페이서 제조 방법을 나타낸 공정 블록도이다.1 is a process block diagram showing a spacer manufacturing method according to the present invention.
도면을 참고하면, 본 발명의 스페이서 제조 방법은 감광성 유리의 일면에 제1 마스크 패턴을 형성하는 1차 패턴 형성 단계와(S1), 제1 마스크 패턴을 통해 감광성 유리를 노광하는 1차 노광 단계와(S2), 제1 마스크 패턴을 제거하고 제1 마스크 패턴과 상이한 형상의 제2 마스크 패턴을 형성하는 2차 패턴 형성 단계와(S3), 제2 마스크 패턴을 통해 감광성 유리를 노광하는 2차 노광 단계와(S4), 감광성 유리를 소성하여 노광 부위와 비노광 부위간의 조직적인 차이를 발생시키는 결정화 단계와(S5), 노광 부위와 비노광 부위 중 하나를 제거하는 선택적 제거 단계(S6)를 포함한다.Referring to the drawings, the spacer manufacturing method of the present invention comprises a first pattern forming step of forming a first mask pattern on one surface of the photosensitive glass (S1), and a first exposure step of exposing the photosensitive glass through the first mask pattern and (S2), a second pattern forming step of removing the first mask pattern and forming a second mask pattern having a shape different from that of the first mask pattern (S3), and a second exposure for exposing the photosensitive glass through the second mask pattern A step (S4), a crystallization step of firing the photosensitive glass to generate a systematic difference between the exposed and non-exposed areas (S5), and an optional removal step (S6) for removing one of the exposed and non-exposed areas. do.
도 2∼도 6은 본 발명에 의한 스페이서 제조 방법을 설명하기 위해 도시한 각 단계에서의 개략도이다. 2 to 6 are schematic views at each step shown for explaining the spacer manufacturing method according to the present invention.
먼저, 도 2에 도시한 바와 같이 감광성 유리(2)를 준비한다. 감광성 유리(2)는 공지의 것으로서 노광 부위가 에칭에 의해 제거되는 포지티브(positive) 타입이 사용될 수 있다. 감광성 유리(2)는 예를 들어, 대략 75중량%의 LiO2, 대략 3중량%의 K2O, 대략 3중량%의 Al2O3, 대략 0.1중량%의 Ag2O, 및 대략 0.02중량%의 CeO2를 포함하는 조성으로 이루어질 수 있으며, 상기 조성 이외의 다른 조성을 포함하는 감광성 유리도 사용 가능하다.First, as shown in FIG. 2, the photosensitive glass 2 is prepared. As the photosensitive glass 2 is known, a positive type in which the exposed portion is removed by etching may be used. The photosensitive glass 2 is, for example, about 75% LiO 2 , about 3% K 2 O, about 3% Al 2 O 3 , about 0.1% Ag 2 O, and about 0.02 weight It may be made of a composition containing% CeO 2 , it is also possible to use a photosensitive glass containing a composition other than the above composition.
상기 감광성 유리(2)를 도시하지 않은 테이블 위에 배치하고, 감광성 유리(2) 윗면에 제1 마스크 패턴(4)을 형성한다. 제1 마스크 패턴(4)은 금속막, 예를 들어 크롬(Cr) 박막으로 형성할 수 있다. 즉, 감광성 유리(2)의 윗면 전체에 크롬을 증착하고, 포토레지스트 패턴을 이용한 공지의 포토리소그래피 공정을 이용하여 크롬 박막을 패터닝함으로써 제1 마스크 패턴(4)을 형성할 수 있다.The photosensitive glass 2 is disposed on a table (not shown), and a first mask pattern 4 is formed on the upper surface of the photosensitive glass 2. The first mask pattern 4 may be formed of a metal film, for example, a chromium (Cr) thin film. That is, the first mask pattern 4 can be formed by depositing chromium on the entire upper surface of the photosensitive glass 2 and patterning the chromium thin film using a known photolithography process using a photoresist pattern.
도면에서는 제1 마스크 패턴(4)이 십자형인 경우를 도시하였으나, 제1 마스크 패턴(4)의 형상은 십자형에 한정되지 않고 다양한 형태로 변형 가능하다.Although the first mask pattern 4 has a cross shape in the drawing, the shape of the first mask pattern 4 is not limited to the cross shape and may be modified in various forms.
이어서 도 3에 도시한 바와 같이 노광 램프(6)를 이용하여 감광성 유리(2)를 노광한다. 노광 램프(6)로는 수은 램프 또는 280∼320nm 범위의 파장을 갖는 자외선 램프를 사용할 수 있으며, 자외선 램프를 이용한 노광 작업은 실온에서 행해진다.Next, as shown in FIG. 3, the photosensitive glass 2 is exposed using the exposure lamp 6. As shown in FIG. As the exposure lamp 6, a mercury lamp or an ultraviolet lamp having a wavelength in the range of 280 to 320 nm can be used, and the exposure operation using the ultraviolet lamp is performed at room temperature.
이와 같이 제1 마스크 패턴(4)을 통해 감광성 유리(2)를 1차 노광할 때에는 충분한 시간 동안 노광을 실시하여 감광성 유리(2)의 노광 반대면, 즉 아랫면까지 충분히 노광시킨다. 이로써 감광성 유리(2)를 그 두께 방향을 따라 상부와 하부로 분리하면, 특히 감광성 유리(2)의 하부에서 제1 마스크 패턴(4)의 형상을 따라 노광 부위가 정확하게 결정되도록 한다. 예를 들어 감광성 유리가 1.1mm의 두께를 갖는 경우, 10∼30J/cm2의 노광량이 적용될 수 있다.As described above, when the photosensitive glass 2 is firstly exposed through the first mask pattern 4, the photosensitive glass 2 is exposed for a sufficient time to sufficiently expose the opposite side of the photosensitive glass 2, that is, the bottom surface thereof. As a result, when the photosensitive glass 2 is separated into upper and lower portions along its thickness direction, the exposed portion is determined accurately along the shape of the first mask pattern 4, particularly in the lower portion of the photosensitive glass 2. For example, when the photosensitive glass has a thickness of 1.1 mm, an exposure dose of 10 to 30 J / cm 2 may be applied.
다음으로 제1 마스크 패턴(4)을 제거하고, 도 4에 도시한 바와 같이 감광성 유리(2) 윗면에 제1 마스크 패턴(4)과 형상이 상이한 제2 마스크 패턴(8)을 형성한다. 이때 제2 마스크 패턴(8)은 제1 마스크 패턴(4)과 형성 위치가 겹치면서 제1 마스크 패턴(4)보다 작은 면적을 갖도록 형성하는데, 이는 스페이서의 상부가 스페이서의 하부와 다른 형상을 갖도록 하기 위한 것이다.Next, the first mask pattern 4 is removed, and as shown in FIG. 4, a second mask pattern 8 having a shape different from that of the first mask pattern 4 is formed on the upper surface of the photosensitive glass 2. At this time, the second mask pattern 8 is formed to have a smaller area than the first mask pattern 4 while overlapping the first mask pattern 4 with the formation position, so that the upper portion of the spacer has a different shape from the lower portion of the spacer. It is for.
상기 제2 마스크 패턴(8) 역시 금속막, 예를 들어 크롬 박막에 의해 형성할 수 있다. 즉, 감광성 유리(2)의 윗면 전체에 크롬을 증착하고, 공지의 포토리소그래피 공정을 이용하여 크롬 박막을 패터닝함으로써 제2 마스크 패턴(8)을 형성할 수 있다.The second mask pattern 8 may also be formed of a metal film, for example, a chromium thin film. That is, the second mask pattern 8 can be formed by depositing chromium on the entire upper surface of the photosensitive glass 2 and patterning the chromium thin film using a known photolithography process.
도면에서는 제2 마스크 패턴(8)이 일자형인 경우를 도시하였으나, 제2 마스크 패턴(8)의 형상은 일자형에 한정되지 않고 다양한 형태로 변형 가능하다.Although the second mask pattern 8 has a straight shape in the drawing, the shape of the second mask pattern 8 is not limited to a straight shape and may be modified in various forms.
이어서, 도 5에 도시한 바와 같이 노광 램프(6)를 이용하여 감광성 유리(2)를 노광한다. 이와 같이 제2 마스크 패턴(8)을 통해 감광성 유리(2)를 노광할 때에는 1차 노광 때보다 짧은 시간 동안 노광을 실시하여 감광성 유리(2)의 상부를 선택적으로 노광시킨다. 이로써 감광성 유리(2)의 상부에서 제2 마스크 패턴(8)의 형상을 따라 노광 부위가 정확하게 결정되도록 한다.Next, as shown in FIG. 5, the photosensitive glass 2 is exposed using the exposure lamp 6. As described above, when the photosensitive glass 2 is exposed through the second mask pattern 8, the exposure of the photosensitive glass 2 is performed for a shorter time than the first exposure, thereby selectively exposing the upper portion of the photosensitive glass 2. This allows the exposure site to be accurately determined along the shape of the second mask pattern 8 on the photosensitive glass 2.
2차 노광시 노광량은 1차 노광량의 1/5∼2/5배 정도가 바람직하며, 이 노광량으로 스페이서 하부에 남는 날개 형상 부위의 길이를 조정할 수 있다. 2차 노광량이 1차 노광량이 1/5배 미만이면 노광이 충분하게 이루어지지 않고, 2/5배를 초과하면 스페이서 하부에 날개 형상이 거의 남지 않는 문제가 발생한다.The exposure amount during the second exposure is preferably about 1/5 to 2/5 times the primary exposure amount, and the length of the wing-shaped portion remaining under the spacer can be adjusted by this exposure amount. If the secondary exposure amount is less than 1/5 times, the exposure is not sufficiently achieved. If the secondary exposure amount is more than 2/5 times, a problem arises in that a wing shape is hardly left under the spacer.
다음으로, 노광이 완료된 감광성 유리(2)를 열처리 장치(도시하지 않음)에 넣고, 감광성 유리(2)의 결정화 온도인 대략 600℃의 온도까지 열처리 장치의 내부 온도를 승온시킨 후, 이 온도를 대략 1시간 동안 유지하여 감광성 유리(2)를 소성한다.Next, the exposed photosensitive glass 2 is placed in a heat treatment apparatus (not shown), and the temperature of the heat treatment apparatus is raised to a temperature of approximately 600 ° C. which is the crystallization temperature of the photosensitive glass 2, and then the temperature is increased. Hold for about 1 hour to fire the photosensitive glass (2).
소성이 완료되면, 감광성 유리(2)가 포지티브 타입인 경우 감광성 유리(2)의 노광 부위가 결정화되어 비노광 부위와 조직적인 차이가 발생하며, 이후 불산(HF) 용액을 이용하여 노광 부위, 즉 결정화된 부분을 에칭으로 제거함으로써 도 6에 도시한 바와 같이 상, 하부 형상이 다른 스페이서(10)를 완성한다.When the firing is completed, when the photosensitive glass 2 is a positive type, the exposed portion of the photosensitive glass 2 is crystallized to cause a systematic difference with the non-exposed portion, and then the exposed portion, that is, by using a hydrofluoric acid (HF) solution. By removing the crystallized portion by etching, spacers 10 having different upper and lower shapes are completed as shown in FIG.
도 6을 참고하면, 본 발명의 제조 방법에 의해 제작된 스페이서(10)는 그 하부(10a)가 제1 마스크 패턴(4)의 형상을 따라 십자형을 이루고, 그 상부(10b)는 제2 마스크 패턴(8)의 형상을 따라 일자형을 이루고 있다. 이때 십자형 날개부위의 윗면(10c)은 2차 노광에 의해 임의의 경사면 혹은 곡률을 가지며 형성된다.Referring to FIG. 6, in the spacer 10 manufactured by the manufacturing method of the present invention, a lower portion 10a forms a cross shape along the shape of the first mask pattern 4, and an upper portion 10b of the spacer 10 is formed as a second mask. A straight line is formed along the shape of the pattern 8. At this time, the upper surface 10c of the cross wing portion is formed having an arbitrary inclined surface or curvature by secondary exposure.
한편, 스페이서의 형상은 제1 및 제2 마스크 패턴의 형상에 따라 다양하게 변형 가능한데, 예를 들어 제1 마스크 패턴이 제1의 직경을 갖는 원형이고, 제2 마스크 패턴이 제1의 직경보다 작은 제2의 직경을 갖는 원형인 경우, 본 발명의 제조 방법에 의해 제작된 스페이서(12)는 도 7에 도시한 형상으로 완성된다. 또한 제1 마스크 패턴이 십자형이고, 제2 마스크 패턴이 사각의 도트형인 경우, 본 발명의 제조 방법에 의해 제작된 스페이서(14)는 도 8에 도시한 형상으로 완성된다.On the other hand, the shape of the spacer can be variously modified according to the shape of the first and second mask pattern, for example, the first mask pattern is a circular shape having a first diameter, the second mask pattern is smaller than the first diameter In the case of a circular shape having a second diameter, the spacer 12 produced by the manufacturing method of the present invention is completed in the shape shown in FIG. In addition, when the first mask pattern is cross-shaped and the second mask pattern is rectangular dot-shaped, the spacer 14 produced by the manufacturing method of the present invention is completed in the shape shown in FIG.
상기와 같이 상부와 하부가 다른 형상을 갖는 스페이서, 특히 상부의 단면적이 하부의 단면적보다 작은 스페이서는, 예를 들어 FEA형 전자 방출 표시장치에 적용되었을 때, 스페이서와 하부 기판과의 접촉 면적을 늘려 충분한 지지력을 확보하면서 스페이서와 상부 기판과의 접촉 면적은 줄여 상부 기판에 제공된 형광체층으로 스페이서가 침투하는 것을 효과적으로 막을 수 있다.As described above, a spacer having a shape different from a top and a bottom, in particular, a spacer having a cross section of an upper portion smaller than a cross section of a lower portion, for example, when applied to an FEA type electron emission display device, increases the contact area between the spacer and the lower substrate. It is possible to effectively prevent the penetration of the spacer into the phosphor layer provided on the upper substrate by reducing the contact area between the spacer and the upper substrate while ensuring sufficient supporting force.
상기에서는 본 발명의 바람직한 실시예에 대하여 설명하였지만, 본 발명은 이에 한정되는 것이 아니고 특허청구범위와 발명의 상세한 설명 및 첨부한 도면의 범위 안에서 여러 가지로 변형하여 실시하는 것이 가능하고 이 또한 본 발명의 범위에 속하는 것은 당연하다.Although the preferred embodiments of the present invention have been described above, the present invention is not limited thereto, and various modifications and changes can be made within the scope of the claims and the detailed description of the invention and the accompanying drawings. Naturally, it belongs to the range of.
이와 같이 본 발명에 의한 스페이서 제조 방법은 스페이서가 적용될 평판 표시소자의 특성에 맞게 다양한 형태, 특히 상부와 하부가 다른 형상을 갖는 스페이서를 용이하게 제작할 수 있다.As described above, the spacer manufacturing method according to the present invention can easily manufacture spacers having various shapes, in particular, upper and lower portions, according to the characteristics of the flat panel display device to which the spacer is applied.
도 1은 본 발명에 의한 스페이서 제조 방법을 나타낸 공정 블록도이다.1 is a process block diagram showing a spacer manufacturing method according to the present invention.
도 2∼도 6은 본 발명에 의한 스페이서 제조 방법을 설명하기 위해 도시한 각 단계에서의 개략도이다.2 to 6 are schematic views at each step shown for explaining the spacer manufacturing method according to the present invention.
도 7과 도 8은 본 발명에 의한 스페이서 제조 방법에 의해 제작될 수 있는 스페이서들의 변형예를 나타낸 사시도이다.7 and 8 are perspective views showing a modification of the spacers that can be produced by the spacer manufacturing method according to the present invention.
Claims (9)
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020040038942A KR20050113825A (en) | 2004-05-31 | 2004-05-31 | Method for fabricating spacer |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020040038942A KR20050113825A (en) | 2004-05-31 | 2004-05-31 | Method for fabricating spacer |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20050113825A true KR20050113825A (en) | 2005-12-05 |
Family
ID=37288277
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020040038942A KR20050113825A (en) | 2004-05-31 | 2004-05-31 | Method for fabricating spacer |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
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Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100914269B1 (en) * | 2007-01-08 | 2009-08-27 | 타퉁 컴퍼니 리미티드 | Method for manufacturing spacer of field emitters and base material utilized for the spacer |
-
2004
- 2004-05-31 KR KR1020040038942A patent/KR20050113825A/en not_active Application Discontinuation
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100914269B1 (en) * | 2007-01-08 | 2009-08-27 | 타퉁 컴퍼니 리미티드 | Method for manufacturing spacer of field emitters and base material utilized for the spacer |
| NL1033912C2 (en) * | 2007-01-08 | 2010-01-28 | Tatung Co | Method for manufacturing spacer for field emitters and basic material used for the spacer. |
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