KR20050112825A - 플라즈마 디스플레이 패널 - Google Patents

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Abstract

본 발명의 플라즈마 디스플레이 패널에 관한 것이다.
본 발명에 따르면, 한 쌍의 방전유지전극들은 제1 기판에 어드레스전극과 교차하는 방향을 따라 연장되면서 각 방전셀에 한 쌍씩 대응되게 형성되는 버스전극과, 상기 버스전극으로부터 각 방전셀 내부에 각각 연장되어 한 쌍이 마주보도록 형성되는 돌출전극을 포함한다. 또한, 상기 한 쌍의 방전유지전극들은 서로 마주보는 돌출전극간에 서로 다른 크기를 갖는 제1 간격(G1)과 제2 간격(G2)이 형성되고, 상기 제1 간격(G1)보다 상기 제2 간격이 더 크게 형성된다. 여기서, 상기 제1 간력(G1)과 상기 제2 간격(G2)의 차이의 절반을 a라고 하고 할 때 2.8% ≤ a/G2 ≤ 16%의 관계를 갖도록 형성되며, 어드레스 기간에서 상기 주사 전극에 순차적으로 인가하는 스캔 로우 전압의 절대 값을 Vscanl 라고 할 때 0.0138㎛/V≤a/Vscanl≤0.173㎛/V 의 관계를 갖도록 형성되는 것이 바람직하다.

Description

플라즈마 디스플레이 패널{PLASMA DISPLAY PANEL}
본 발명은 플라즈마 디스플레이 패널 관한 것으로서, 특히 양 기판 사이의 각 방전셀에 대응되도록 배치되어 표시방전을 일으키는 한 방전유지전극이 한 쪽 기판에 형성되는 전극구조를 갖는 면방전형 플라즈마 디스플레이 패널에 관한 것이다.
일반적으로 플라즈마 디스플레이 패널(Plasma Display Panel, 이하 'PDP'라 한다.)은 기체방전으로 생성된 자외선으로 형광체를 여기시켜 소정의 영상을 구현하는 표시장치로서, 고해상도의 대화면 구성이 가능하여 차세대 박형 표시장치로 각광받고 있다.
도 1을 참조하면, 종래의 일반적인 PDP 구조는 배면기판(110) 상에 일방향(도면의 x축 방향)을 따라 어드레스전극(112)이 형성되고 이 어드레스전극(112)을 덮으면서 배면기판(110)의 전면에 유전층(113)이 형성된다. 이 유전층(113) 위로 각 어드레스전극(112) 사이에 배치되도록 스트라이프 패턴의 격벽(115)이 형성되며 각각의 격벽(115) 사이에 적(R), 녹(G), 청(B)색의 형광체층(117)이 형성된다.
그리고 배면기판(110)에 대향하는 전면기판(100)의 일면에는 어드레스전극(112)과 교차하는 방향(도면의 y축 방향)을 따라 한 쌍의 투명전극(102a, 103a)과 버스전극(102b, 103b)으로 구성되는 방전유지전극(102, 103)이 형성되고 이 방전유지전극을 덮으면서 전면기판(100) 전체에 유전층(106)과 MgO 보호막(108)이 형성된다.
상기 배면기판(110) 상의 어드레스전극(112)과 전면기판(100) 상의 방전유지전극(102, 103)이 교차하는 지점이 방전셀을 구성하는 부분이 된다.
어드레스전극(112)과 방전유지전극(102, 103) 사이에 어드레스전압(Va)을 인가하여 어드레스 방전을 행하고 다시 한 쌍의 방전유지전극(102, 103) 사이에 유지전압(Vs)을 인가하여 유지 방전시킨다. 이 때 발생하는 진공 자외선이 해당 형광체를 여기시켜 투명한 전면기판(100)을 통하여 가시광을 방출하면서 PDP의 화면을 구현하게 된다.
그러나 도 1에 도시된 바와 같은 형태의 방전유지전극(102, 103)과 스트라이프형의 격벽(115)을 갖는 PDP 구조에서는 격벽(115)을 사이에 두고 이웃하는 방전셀들 간에도 크로스토크(crosstalk)가 일어날 수 있으며, 또한 격벽(115)이 형성되는 방향을 따라 방전공간이 서로 연결되어 있기 때문에 이웃 방전셀들 간에 오방전이 일어날 가능성이 있다. 이를 방지하기 위하여 인접한 화소에 대응되는 방전유지전극(102, 103)간의 거리를 일정 수준 이상으로 확보해야 하는데, 이는 효율의 개선을 방해하게 된다.
이러한 문제를 해결하기 위하여 도 2에 도시된 바와 같은 개선된 전극 및 격벽구조를 갖는 PDP가 제안되었다.
즉, 도 2에 나타낸 PDP 구조는 방전유지전극(123)을 구성하는 투명전극(123a)이 각 방전셀마다 한 쌍씩 서로 마주보도록 버스전극(123b)으로부터 돌출되는 형상으로 이루어지며, 인접 방전셀간의 크로스토크를 감소시키고 형광체 도포면적을 넓혀 발광효율을 더 높게 할 목적으로 서로 직교하는 세로격벽(125a)과 가로격벽(125b)으로 이루어지는 매트릭스(matrix)형의 격벽(125)구조를 갖는다. 이와 관련된 선행기술로 일본국 특개평10-149771호에 개시된 PDP가 있다.
이와 같은 구조를 갖는 PDP에서도 실제 발광이 일어나는 유지 구간에서 플라즈마 방전이 서로 마주보는 한 쌍의 방전유지전극(123) 사이공간으로부터 시작되어 방전셀의 외곽부를 향해 확산된 후 소멸하는 과정을 거친다. 따라서 방전셀을 구성하는 부재들의 형상 특성이 유지 방전에 큰 영향을 미치며, 특히 방전셀의 형상을 결정하는 격벽(125)과, 유지 방전을 일으키는 방전유지전극(123)의 형상이 유지 방전에 큰 영향을 미친다.
그러나 상기한 방전유지전극(123) 형상에서는 방전갭에서 강한 초기 방전이 국부적으로 발생하는데, 이와 같이 초기 방전이 국부적으로 발생하면 방전셀 내에서 플라즈마 방전이 효율적으로 확산되지 못하여 방전 효율이 저하되는 단점이 있다.
본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제는 상기한 종래 기술의 문제점을 해결하기 위한 것으로 전극의 효과적인 배치 및 설계를 통해서 방전전압을 낮추고 중앙 국부방전을 개선하여 주방전이 방전셀의 넓은 지역에서 일어날 수 있도록 함으로써 발광효율을 극대화할 수 있는 플라즈마 디스플레이 패널을 제공하기 위한 것이다.
상기한 목적을 달성하기 위한 본 발명의 특징에 따른 플라즈마 디스플레이 패널은 서로 대향 배치되는 제1 기판과 제2 기판과; 상기 제2 기판에 형성되는 어드레스전극들과; 상기 제1 기판과 제2 기판의 사이공간에 배치되어 다수의 방전셀들을 구획하는 격벽과; 상기 각각의 방전셀 내에 형성되는 형광체층; 및 상기 제1 기판에 상기 어드레스전극과 교차하는 방향을 따라 연장되면서 상기 각 방전셀에 한 쌍씩 대응되게 형성되는 버스전극과, 상기 버스전극으로부터 각 방전셀 내부에 각각 연장되어 한 쌍이 서로 마주보도록 형성된 돌출전극을 포함하는 방전유지전극들을 포함하고, 상기 각 방전셀에 대응되는 한 쌍의 방전유지전극들은, 서로 마주보는 상기 돌출전극간에 서로 다른 크기를 갖는 제1 간격(G1)과 제2 간격(G2)이 형성되고, 상기 제1 간격(G1)보다 상기 제2 간격(G2)이 더 크게 형성된다.
상기 제1 간격(G1)과 상기 제2 간격(G2)의 차이의 절반을 a라고 하고 할 때,
2.8% ≤ a/G2 ≤ 16%
의 관계를 갖도록 형성되는 것이 바람직하다.
또한, 상기 돌출전극 각각은 상기 버스전극에 인접한 후단부가 상기 방전셀의 중심에서부터 멀어질수록 상기 버스전극 방향의 폭이 좁아지도록 형성된다.
여기서, 어드레스 기간에서 상기 주사 전극에 순차적으로 인가하는 스캔 로우 전압의 절대 값을 Vscanl 라고 할 때,
0.0138㎛/V≤a/Vscanl≤0.173㎛/V
의 관계를 갖는 형성되는 것이 바람직하다.
아래에서는 첨부한 도면을 참고로 하여 본 발명의 실시예에 대하여 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있도록 상세히 설명한다. 그러나 본 발명은 여러 가지 상이한 형태로 구현될 수 있으며 여기에서 설명하는 실시예에 한정되지 않는다.
도면에서 본 발명을 명확하게 설명하기 위해서 설명과 관계없는 부분은 생략하였다. 명세서 전체를 통하여 유사한 부분에 대해서는 동일한 도면 부호를 붙였다.
이제 본 발명의 실시예에 따른 플라즈마 디스플레이 패널에 대하여 도면을 참고로 하여 상세하게 설명한다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 플라즈마 디스플레이 패널을 도시한 부분 분해 사시도이고, 도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 플라즈마 디스플레이 패널을 도시한 부분 평면도이다.
도시된 바와 같이, 본 실시예에 따른 플라즈마 디스플레이 패널(이하 'PDP'라 한다)은 기본적으로 제1 기판(10)과 제2 기판(20)이 소정의 간격을 두고 서로 대향 배치되고, 양 기판(10, 20)의 사이공간에는 플라즈마 방전을 일으킬 수 있도록 다수의 방전셀(27R, 27G, 27B)들이 격벽에 의하여 구획되며, 상기 제1 기판(10)과 제2 기판(20)에는 방전유지전극(12, 13)과 어드레스전극(21)이 각각 배치된다.
구체적으로는 먼저 제2 기판(20) 중 제1 기판(10)과의 대향면 상에 이 제2 기판(20)의 일방향(도면의 x축 방향)을 따라 복수의 어드레스전극(21)이 형성된다. 어드레스전극(21)은 스트라이프형으로 이루어져 이웃하는 어드레스전극(21)과 소정의 간격을 유지하면서 서로 나란하게 형성된다. 어드레스전극(21)이 형성되는 제2 기판(20) 상에는 유전층(23)이 또한 형성된다. 유전층(23)은 어드레스전극(21)을 덮으면서 기판 전면(全面)에 형성될 수 있다. 본 실시예에서는 스트라이프형 어드레스전극(21)을 예로 들었으나 본 발명의 범위는 이에 국한되는 것이 아니며, 적용되는 어드레스전극의 형상은 다양하게 바뀔 수 있다.
제1 기판(10)과 제2 기판(20)의 사이공간에는 격벽(25)이 배치되어 복수의 방전셀(27R, 27G, 27B)과 비방전 영역(26)을 구획한다. 이러한 격벽(25)은 제2 기판(20)에 형성되는 유전체(23)의 상면에 형성되는 것이 바람직하다. 여기서 방전셀(27R, 27G, 27B)은 내부에 방전가스를 포함하고 있어서 어드레스 전압 또는 방전유지 전압이 인가되면서 내부에서 가스 방전이 일어나도록 예정된 공간이고, 비방전 영역(26)은 내부로 별도의 전압이 인가되지 않으며, 따라서 방전 또는 발광이 예정되지 않는 영역 또는 공간이다. 이러한 비방전 영역(26)은 적어도 상기 각 격벽(25)의 상단 폭보다는 더 큰 영역을 갖도록 형성된다.
상기 격벽(25)에 의해 구획되는 비방전 영역(26)은 상기 각 방전셀(27R, 27G, 27B)의 중심을 지나는 가상의 가로축(H)과 세로축(V)들에 의해 둘러싸인 영역 내에 배치된다. 특히 상기 각 방전셀(27R, 27G, 27B)의 중심을 각각 지나는 가로축(H)들과 세로축(V)들 사이를 지나는 선상에서, 이들 선들이 교차하는 부분에 배치되는 것이 바람직하다. 다시 말하면, 가로 세로로 이웃하는 두 쌍의 방전셀들의 사이에 공통된 비방전 영역(26)이 형성되는 것이다. 본 실시예에서 비방전 영역(26)은 상기 격벽(25)들에 의하여 각각 독립된 셀 구조를 갖도록 형성된다.
한편, 방전셀(27R, 27G, 27B)은 상기 방전유지전극(12, 13) 방향으로 이웃하고 있는 것끼리 적어도 하나의 격벽을 공유하도록 형성되며, 상기 어드레스전극(21) 방향(도면의 x축 방향)으로 위치하는 양쪽 끝단부의 (방전유지전극 방향, 즉 도면의 y축 방향의)폭이 각 방전셀(27R, 27G, 27B)의 중심으로부터 멀어질수록 좁아지게 형성된다. 즉, 도 1을 참조할 때, 방전셀(27R, 27G, 27B)의 중심부에서의 폭(Wc)이 끝단부에서의 폭(We)보다 더 크며, 이 끝단부에서의 폭(We)은 방전셀(27R, 27G, 27B)의 중심으로부터 멀어질수록 점차 좁아진다. 본 실시예에서 상기 방전셀(27R, 27G, 27B)의 어드레스전극(21) 방향으로 위치하는 양쪽 끝단부는 사다리꼴 형상을 가지며, 따라서 각 방전셀(27R, 27G, 27B)의 전체적인 평면 형상은 팔각형을 이루게 된다.
방전셀(27R, 27G, 27B)의 내부에는 각각 적(R), 녹(G), 청(B)색의 형광체가 도포되어 형광체층(29R, 29G, 29B)을 이루고 있다.
제1 기판(10)에 형성되는 방전유지전극(12, 13)은 상기 어드레스전극(21)과 교차하는 방향(도면의 y축 방향)을 따라 각각의 방전셀(27R, 27G, 27B)에 한 쌍씩 짝을 지어 대응되도록 배치되는 버스전극(12b, 13b)과 이 버스전극(12b, 13b)으로부터 상기 각 방전셀(27R, 27G, 27B)의 내부로 각각 연장되어 한 쌍이 대향되도록 형성되는 돌출전극(12a, 13a)을 포함하여 이루어진다. 돌출전극(12a, 13a)은 방전셀(27R, 27G, 27B) 내부에서 플라즈마 방전을 일으키는 역할을 하는 것으로 휘도 확보를 위해 투명전극인 ITO(Indium Tin Oxide)로 이루어지는 것이 바람직하지만, 반드시 이에 국한되는 것은 아니며 금속전극 등의 불투명전극으로 이루어질 수도 있다.
상기 각 방전셀(27R, 27G, 27B)에 대응되는 한 쌍의 방전유지전극들(12, 13)은, 서로 마주보는 돌출전극들(12a, 13a)간에 서로 다른 크기를 갖는 제1 간격(G1)과 제2 간격(G2)을 가지며, 이 때, 상기 제1 간격(G1)보다 제2 간격(G2)이 더 크게 형성된다.
즉, 상기 돌출전극(12a, 13a)은, 도 2에서 보는 바와 같이, 끝단 중심부에 오목부가 형성되고, 이 오목부의 양쪽으로 볼록부가 형성됨으로써, 마주보는 한 쌍의 돌출전극들(12a, 13a)에서 볼록부가 마주보는 부분에는 숏갭(short gap)인 제1 간격(G1)이 형성되고, 오목부가 마주보는 부분에는 롱갭(long gap)인 제2 간격(G2)이 형성된다. 주방전(main discharge)은 최초 제1 간격(G1)에서 시작되어 제2 간격(G2)으로 퍼져나가게 되면서 방전이 방전셀(27R, 27G, 27B) 전체로 확산된다.
상기 돌출전극(12a, 13a)의 제1 간격(G1)은 개구율을 크게 훼손하지 않으면서 서로 마주보는 돌출전극들(12a, 13a)의 끝단과의 거리를 가깝게 할 수 있어 방전에 소요되는 전압을 낮출 수 있는 효과가 있으며, 제2 간격(G2)은 방전을 가운데로 모아서 안정적인 방전이 이루어지도록 하는 역할을 한다.
한편, 상기 돌출전극(12a, 13a) 각각은 상기 버스전극(12b, 13b)에 인접한 후단부가 상기 방전셀(27R, 27G, 27B)의 중심으로부터 멀어질수록 상기 버스전극(12b, 13b) 방향(도면의 y축 방향)의 폭이 좁아지게 형성된다. 상기 돌출전극(12a, 13a)이 상기 버스전극(12b, 13b)과 연결되는 이 부분 또한 방전의 기여가 작은 부분으로 방전효율을 향상시키고 개구율을 확보하기 위하여 상기 끝단보다 폭을 좁게 형성할 수 있다.
최근에 방전 효율을 향상시키기 위해 고 제논(High Xe) 즉, 제논의 분압을 높이고 있다. 그러나, 방전 효율을 향상시키기 위해 제논(Xe)의 분압을 높이는 경우에는 방전 전압이 상승하는 문제가 발생한다. 이러한 방전 전압을 줄이기 위해서는 방전유지전극간의 갭을 줄임으로써 방전 전압을 낮출 수 있으며, 또한 어드레스 기간의 어드레스 방전을 더욱 잘 발생시키기 위해서는 어드레스 전압(Va)보다 스캔 로우 전압(Vscal)을 더욱 낮춤으로써 가능하다. 하지만, 방전 전압을 줄이기 위해 방전유지전극간의 갭을 줄이는 경우 어드레스 기간의 어드레스 방전에서 주사 전극과 유지 전극간에 먼저 방전이 발생하여 적절한 어드레스 방전이 수행되지 않는 문제가 발생한다. 특히, 본 발명의 실시예에 따른 플라즈마 디스플레이 패널에서는 방전유지전극간에 롱갭과 숍갭이 형성되어 있는데, 숍갭을 통해 낮은 방전 전압을 확보할 수 있으나 방전유지전극간의 갭을 줄이는 경우 상기에 언급한 바와 같이 어드레스 방전에서 오방전이 발생하는 할 수 있다. 여기서, 주사 전극과 유지 전극은 상기에서 언급한 방전유지전극에 해당하는 전극으로서 하나의 방전 셀에서 주사 전극과 유지 전극이 한쌍의 방전유지전극에 해당한다.
이하에서는 도 5를 참조하여 방전유지전극간의 갭을 줄이는 경우 어드레스 기간에서 오방전이 발생하는 문제에 대해서 알아본다.
도 5는 본 발명의 실시예에 따른 플라즈마 디스플레이 패널의 구동 파형도이다. 도 5에 나타낸 바와 같이 플라즈마 디스플레이 패널의 구동 방법은 리셋 기간, 어드레스 기간 및 유지 기간을 포함한다.
리셋 기간은 주사 전극에 Vset 전압까지 완만하게 상승하는 램프 파형과 Vnf 전압까지 완만하게 하강하는 램프 파형을 인가하여, 이전의 유지 방전을 상태를 소거시키며 다음의 어드레스 방전을 안정적으로 수행하기 위해 벽전하를 셋업(setup)한다. 여기서, 주사 전극에 완만하게 하강하는 램프 파형을 인가할 시에 유지 전극에 전압(Ve)을 바이어스한다.
다음으로, 어드레스 기간에서는 주사 전극에 순차적으로 스캔 로우 전압(Vscanl)을 인가하며 이때 켜고자하는 셀에 대응하는 어드레스 전극에 어드레스 전압(Va)을 인가하여 어드레스 방전을 발생시킴으로써, 선택하고자 하는 셀에 벽전하를 쌓아둔다.
유지 기간은 주사 전극과 유지 전극에 교대로 유지 방전 전압(Vs)을 인가하여, 어드레스 기간에서 어드레싱된 셀에 방전을 일으켜 실제로 화상을 표시한다.
한편, 일반적으로 어드레스 기간의 어드레스 방전은 주사 전극에 인가되는 스캔 로우 전압(Vscanl)과 어드레스 전극에 인가되는 어드레스 전압(Va)의 인가로 인해 주사 전극과 어드레스 전극간에 먼저 방전이 발생한다. 이때, 유지 전극에는 전압(Ve)을 바이어스 해줌으로 인해 어드레스 방전에서 발생하는 음(-)의 벽전하를 끌어당겨, 선택하고자 방전셀의 유지전극과 주사 전극에 각각 음(-)의 벽전하와 양(+)의 벽전하를 형성시킨다. 이러한 벽전하 상태에서 유지 기간에서 교대로 인가되는 유지 방전 전압(Vs)으로 인해 유지방전이 수행된다. 그러나, 방전유지전극(즉, 주사 전극과 유지전극)의 갭을 줄이는 경우에는 방전 전압이 줄어들어, 주사 전극과 어드레스 전극간에 어드레스 방전보다 주사 전극과 유지 전극 간(즉, 방전유지전극간)에 먼저 방전이 발생할 수 있다. 주사 전극과 유지 전극간에 먼저 방전이 발생하는 경우에는 원하고자 하는 벽전하가 형성되지 않으며, 어드레스 기간의 역할인 선택하고자 하는 셀에 벽전하를 적절하게 쌓아두는데 문제가 발생한다.
따라서, 상기와 같은 어드레스 방전의 오방전을 제거하기 위해, 방전유지전극(즉, 주사 전극과 유지 전극)의 갭의 간격(롱갭(G2)과 숏갭(G1)) 및 스캔 로우 전압(Vscanl)간에 최적의 설계치 범위를 설정하는 것이 요구된다.
이하에서는 도 6을 참조하여 최적의 전극 설계치 및 그에 따른 스캔 로우 전압(Vscanl)의 설정 범위에 대해서 알아본다.
도 6에 나타낸 바와 같이, 각각의 돌출전극(12a, 13a)에서 제1 간격(G1)을 형성하는 끝단부와 제2 간격(G2)을 형성하는 끝단부 간의 거리를 아래 위로 각각 a와 b로 정의한다. 일반적으로 a, b는 같은 거리를 가지므로 이하에서는 동일하다고 가정한다. 이때, a와 b는 제1 간격(G1)과 제2 간격(G2)의 차이의 절반에 해당한다.
방전특성에 영향을 미치는 요소인 제1 간격(G1), 제2 간격(G2) 및 스캔 로우 전압(Vscanl)을 6인치 테스트 패널을 기준으로 다양하게 변화시키면서 오방전이 발생하는 확률을 측정하여 표 1, 표2에 나타내었다. 여기서, 어드레스 기간에서 어드레스 전극에 인가되는 어드레스 전압(Va)은 70V, 유지 전극에 바이어스하는 전압(Ve)은 160V, 스캔 로우 전압(Vscanl)은 그라운드 대비 130V에서 180V까지 변화시키면서 오방전 확률을 측정하였다. 실제로 스캔 로우 전압은 음의 값이므로 상기 130V 내지 180V는 절대값을 의미한다. 표 1에서 G1, G2 및 a(또는 b)의 단위는 ㎛ 이며, 스캔 로우 전압(Vscanl)은 V(voltage)이다.
상기 표 1을 참조하면, 스캔 로우 전압이 130V에서 180V까지, 100㎛≤G2≤ 140㎛ 및 2.5㎛≤a(또는 b)≤22.5㎛에서 오방전 확률이 거의 0의 값으로 관측되었으며, 그 외의 구간에서는 오방전이 발생함을 알 수 있다. 즉, 스캔 로우 전압이 130V에서 180V 사이인 경우 적절한 숍갭의 거리(G1) 및 롱갭의 거리(G2)를 실험을 통해 구할 수 있다.
오방전 확률이 거의 0으로 관측되는 지점에서 a(또는 b)와 G2의 비((a 또는 b)/G2)는 2.5%(2.5/100)≤a/G2≤16%(22.5/140)의 범위가 된다. 또한, 오방전 확률이 거의 0으로 관측되는 지점에서 a(또는 b)와 스캔 로우 전압의 비(a/Vscanl)는 0.0138㎛/V(2.5㎛/180V)≤a/Vscanl≤0.173㎛/V(22.5㎛/130V)의 범위가 된다.
상기 표 2를 참조하면, 스캔 로우 전압이 130V에서 180V까지, 90㎛≤G2≤ 130㎛ 및 2.5㎛≤a(또는 b)≤22.5㎛에서 오방전 확률이 거의 0의 값으로 관측되었으며, 그 외의 구간에서는 오방전이 발생함을 알 수 있다. 즉, 스캔 로우 전압이 130V에서 180V 사이인 경우 적절한 숍갭의 거리(G1) 및 롱갭의 거리(G2)를 실험을 통해 구할 수 있다. 여기서, 오방전 확률이 거의 0으로 관측되는 지점에서 a(또는 b)와 G2의 비((a 또는 b)/G2)는 2.8%(2.5/90)≤a/G2≤17.3%(22.5/130)의 범위가 된다. 또한, 오방전 확률이 거의 0으로 관측되는 지점에서 a(또는 b)와 스캔 로우 전압의 비(a/Vscanl)는 표 1의 실험결과와 동일하게 0.0138㎛/V(2.5㎛/180V)≤a/Vscanl≤0.173㎛/V(22.5㎛/130V)의 범위가 된다.
여기서, 표 1실험의 조건에서의 실험결과는 a(또는)b와 롱갭인 거리 G2의 관계는 2.5%(2.5/100)≤a/G2≤16%(22.5/140)의 범위이며 표 2의 실험의 조건에서의 실험결과는 2.8%(2.5/90)≤a/G2≤17.3%(22.5/130)의 범위이므로, 이 둘의 공통적인 범위는 2.8%≤a/G2≤16%가 된다. 즉, 표 1과 표 2의 실험결과를 통해 최적의 a(또는)b와 롱갭인 거리 G2의 관계는 2.8%≤a/G2≤16%에서 오방전 확률이 거의 0으로 된다.
한편, 표 1과 표 2의 실험결과에서, a(또는 b)와 스캔 로우 전압의 비(a/Vscanl)는 동일하게 0.0138㎛/V(2.5㎛/180V)≤a/Vscanl≤0.173㎛/V(22.5㎛/130V)의 범위에서 오방전 확률이 거의 0으로 관측된다.
따라서, 표 1 및 표 2에서 공통적으로 도출할 수 있는 최적의 a(또는)b와 G2의 비는 2.8%≤a/G2≤16%의 범위이며, a(또는)b와 스캔 로우 전압의 비는 0.0138㎛/V≤a/Vscanl≤0.173㎛/V의 범위이다.
이상에서 본 발명의 바람직한 실시예에 대하여 상세하게 설명하였지만 본 발명의 권리범위는 이에 한정되는 것은 아니고 다음의 청구범위에서 정의하고 있는 본 발명의 기본 개념을 이용한 당업자의 여러 변형 및 개량 형태 또한 본 발명의 권리범위에 속하는 것이다.
이상에서 살펴본 바와 같이, 본 발명에 따르면 각 방전셀에 대응되는 한 쌍의 방전유지전극의 돌출전극들이 서로 다른 간격 G1, G2를 갖도록 형성하여 방전효율을 향상시키며, G1 및 G2의 거리를 스캔 로우 전압과의 관계에서 최적화하도록 설계함으로써 오방전을 막을 수 있다.
도 1은 종래의 일반적인 플라즈마 디스플레이 패널을 도시한 부분 분해 사시도이다.
도 2는 종래의 돌출전극과 매트릭스형 격벽구조를 갖는 플라즈마 디스플레이 패널을 도시한 평면도이다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 플라즈마 디스플레이 패널을 도시한 부분 분해 사시도이다.
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 플라즈마 디스플레이 패널을 도시한 부분 평면도이다.
도 5는 본 발명의 실시예에 따른 플라즈마 디스플레이 패널의 구동 파형도이다.
도 6은 본 발명의 일 실시예에 따른 플라즈마 디스플레이 패널의 단위 방전셀을 확대하여 도시한 평면도이다.

Claims (8)

  1. 서로 대향 배치되는 제1 기판과 제2 기판;
    상기 제2 기판에 형성되는 어드레스전극들;
    상기 제1 기판과 제2 기판의 사이공간에 배치되어 다수의 방전셀들을 구획하는 격벽;
    상기 각각의 방전셀 내에 형성되는 형광체층; 및
    상기 제1 기판에 상기 어드레스전극과 교차하는 방향을 따라 연장되면서 상기 각 방전셀에 한 쌍씩 대응되게 형성되는 버스전극과, 상기 버스전극으로부터 각 방전셀 내부에 각각 연장되어 한 쌍이 서로 마주보도록 형성된 돌출전극을 포함하는 방전유지전극들
    을 포함하고,
    상기 각 방전셀에 대응되는 한 쌍의 방전유지전극들은, 서로 마주보는 상기 돌출전극간에 서로 다른 크기를 갖는 제1 간격(G1)과 제2 간격(G2)이 형성되고, 상기 제1 간격(G1)보다 상기 제2 간격(G2)이 더 크게 형성되며,
    상기 제1 간격(G1)과 상기 제2 간격(G2)의 차이의 절반을 a라고 하고 할 때,
    2.8% ≤ a/G2 ≤ 16%
    의 관계를 갖도록 형성되는 플라즈마 디스플레이 패널.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 한 쌍의 방전유지전극들은 주사 전극과 유지 전극인 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널.
  3. 제2항에 있어서,
    어드레스 기간에서 상기 주사 전극에 순차적으로 인가하는 스캔 로우 전압의 절대 값을 Vscanl 라고 할 때,
    0.0138㎛/V≤a/Vscanl≤0.173㎛/V
    의 관계를 갖는 플라즈마 디스플레이 패널.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 돌출전극 각각은 상기 버스전극에 인접한 후단부가 상기 방전셀의 중심에서부터 멀어질수록 상기 버스전극 방향의 폭이 좁아지는 플라즈마 디스플레이 패널.
  5. 제1항 또는 제4항에 있어서,
    상기 돌출전극은 투명전극으로 이루어지는 플라즈마 디스플레이 패널.
  6. 서로 대향 배치되는 제1 기판과 제2 기판;
    상기 제2 기판에 형성되는 어드레스전극들;
    상기 제1 기판과 제2 기판의 사이공간에 배치되어 복수의 방전셀들과 비방전영역을 구획하는 격벽;
    상기 각각의 방전셀 내에 형성되는 형광체층; 및
    상기 제1 기판에 상기 어드레스전극과 교차하는 방향을 따라 연장되면서 상기 각 방전셀에 한 쌍씩 대응되게 형성되는 버스전극과, 상기 버스전극으로부터 각 방전셀 내부로 각각 연장되어 한 쌍이 서로 마주보도록 형성되는 돌출전극을 포함하는 방전유지전극들
    을 포함하고,
    상기 비방전영역은 상기 각 방전셀의 중심을 지나는 가로축과 세로축에 의해 둘러싸인 영역 내에 배치되며,
    상기 각 방전셀에 대응되는 한 쌍의 방전유지전극들, 서로 마주보는 상기 돌출전극들간에 제1 간격(G1)보다 더 큰 제2 간격(G2)이 형성되고,
    상기 제1 간격(G1)과 상기 제2 간격(G2)의 차이의 절반을 a라고 하고, 어드레스 기간에서 상기 주사 전극에 순차적으로 인가하는 스캔 로우 전압의 절대 값을 Vscanl 라고 할 때,
    0.0138㎛/V≤a/Vscanl≤0.173㎛/V
    의 관계를 갖도록 형성되는 플라즈마 디스플레이 패널.
  7. 제6항에 있어서,
    상기 비방전 영역은 상기 격벽에 의하여 각각 독립된 셀구조를 갖도록 형성되는 플라즈마 디스플레이 패널.
  8. 제6항에 있어서,
    상기 방전셀은 상기 어드레스전극 방향으로 위치하는 양쪽 끝단부의 폭이 상기 방전셀의 중심으로부터 멀어질수록 좁아지게 형성되는 플라즈마 디스플레이 패널.
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