KR100404849B1

KR100404849B1 - 플라즈마 디스플레이 패널

Info

Publication number: KR100404849B1
Application number: KR10-2001-0043542A
Authority: KR
Inventors: 민병국
Original assignee: 엘지전자 주식회사
Priority date: 2001-07-19
Filing date: 2001-07-19
Publication date: 2003-11-07
Also published as: KR20030008695A

Abstract

본 발명은 방전효율을 향상시키기 위한 전극구조를 가지는 플라즈마 디스플레이 패널에 관한 것이다.

본 발명에 따른 플라즈마 디스플레이 패널은 델타형 셀구조를 형성하는 격벽형상을 가지며, 금속버스전극 및 투명전극으로 이루어진 제1 및 제2 유지전극을 가지는 플라즈마 디스플레이 패널에 있어서, 상기 투명전극에서 셀 중앙으로 신장되어 원형 및 다각형 중 어느 한 모양으로 돌출되는 돌출부를 가지며, 상기 제1 및 제2 유지전극 중 어느 하나의 투명전극의 상기 돌출부는 다른 투명전극의 상기 돌출부의 내부에 형성된 것을 특징으로 한다.

이러한, 본 발명은 투명전극에서 셀 중앙으로 신장되는 원형, 사각형 및 육각형 중 어느 한 형태의 돌출부를 형성하고 하나의 돌출부를 다른 돌출부의 내부에 설치하여 방전공간에서 각 격벽에 도달하는 거리를 일정하게 하여 각 격벽의 형광체에서 발광되는 가시광의 양을 동일하게 함으로써 방전 시 형성된 하전입자가 격벽으로 확산되어 소멸되는 것을 최소화하여 방전효율을 향상시킬 수 있다.

Description

플라즈마 디스플레이 패널{Plasma Display Panel}

본 발명은 플라즈마 디스플레이 패널에 관한 것으로, 특히 방전효율을 향상시키기 위한 전극구조를 가지는 플라즈마 디스플레이 패널에 관한 것이다.

최근, 액정표시장치(Liquid Crystal Display; LCD), 전계방출 표시장치(Field Emission Display; FED) 및 플라즈마 표시장치(Plasma Display Panel; 이하 "PDP"라 한다)등의 평면 표시장치가 활발히 개발되고 있다. PDP는 He+Xe 또는 Ne+Xe 불활성 혼합가스의 방전시 발생하는 147㎚의 자외선에 의해 형광체를 발광시킴으로써 문자 또는 그래픽을 포함한 화상을 표시하게 된다. 이러한 PDP는 박막화와 대형화가 용이할 뿐만 아니라 구조가 단순해짐으로 제작이 용이해지고 아울러 다른 평면 표시장치에 비하여 휘도 및 발광효율이 높다는 이점을 가진다. 이러한 이점들로 인하여 PDP에 대한 연구가 활발히 진행되고 있다.

3전극 교류 면방전형 PDP는 방전시 표면에 벽전하가 축적되며 방전에 의해 발생되는 스퍼터링으로부터 전극들을 보호하기 때문에 저전압 구동과 장수명의 장점을 가진다.

도 1을 참조하면, 3전극 교류 면방전 PDP의 방전셀은 상부기판(10) 상에 형성되어진 스캔전극(Y) 및 공통서스테인전극(Z)과, 하부기판(18) 상에 형성되어진 어드레스전극(X)을 구비한다.

스캔전극(Y)과 공통서스테인전극(Z) 각각은 투명전극(12Y, 12Z)과, 투명전극(12Y,12Z)의 선폭보다 작은 선폭을 가지며 투명전극(12Y,12Z)의 일측 가장자리에 형성되는 금속버스전극(13Y,13Z)을 포함한다.

투명전극(12Y,12Z)은 투명전도성금속 예를 들면, 인듐틴옥사이드(Indium-Tin-Oxide : 이하 "ITO"라 한다)로 상부기판(10) 상에 형성된다. 금속버스전극(13Y,13Z)은 크롬(Cr) 등의 금속으로 투명전극(12Y,12Z) 상에 형성되어 저항이 높은 투명전극(12Y,12Z)에 의한 전압강하를 줄이는 역할을 한다.

스캔전극(Y)과 공통서스테인전극(Z)이 나란하게 형성된 상부기판(10)에는 상부 유전체층(14)과 보호막(16)이 적층된다. 상부 유전체층(14)은 플라즈마 방전시 발생된 벽전하가 축적된다. 보호막(16)은 플라즈마 방전시 발생된 스퍼터링에 의한 상부 유전체층(14)의 손상을 방지하고 아울러 2차 전자의 방출 효율을 높이게 한다. 보호막(16)으로는 통상 산화마그네슘(MgO)이 이용된다.

상부 유전체층(14)에는 플라즈마 방전시 발생된 벽전하가 축적된다. 보호막(16)은 플라즈마 방전시 발생된 스퍼터링에 의한 상부 유전체층(14)의 손상을 방지함과 아울러 2차 전자의 방출 효율을 높이게 된다. 보호막(16)으로는 통상 산화마그네슘(MgO)이 이용된다.

어드레스전극(X)은 스캔전극(Y) 및 공통서스테인전극(Z)과 직교하게 된다. 이 어드레스전극(X)이 형성된 하부기판(18) 상에는 하부 유전체층(22)과 격벽(24)이 형성된다. 격벽(24)은 어드레스전극(X)과 나란하게 형성되어 방전에 의해 생성된 자외선 및 가시광이 인접한 방전셀에 누설되는 것을 방지하게 된다. 하부 유전체층(22)과 격벽(24)의 표면에는 형광체층(20)이 도포된다. 형광체층(20)은 플라즈마 방전시 발생된 자외선에 의해 여기되어 적색, 녹색 또는 청색 중 어느 하나의 가시광선을 발생하게 된다.

상/하부기판(10,18)과 격벽(24) 사이에 마련된 방전셀의 방전공간에는 방전을 위한 He+Xe 또는 Ne+Xe 등의 불활성 혼합가스가 주입된다.

이러한 구조의 방전셀은 어드레스전극(X)과 스캔전극(Y) 간의 대향방전에 의해 선택된 후, 스캔전극(X) 및 공통서스테인전극(Z) 간의 면방전에 의해 방전을 유지하게 된다. 이러한 방전셀에서는 유지방전시 발생되는 자외선에 의해 형광체(20)가 발광함으로써 가시광이 셀 외부로 방출되게 된다. 이 결과, 방전셀들은 방전이 유지되는 기간을 조절하여 계조를 구현하게 되고, 그 방전셀들이 매트릭스 형태로 배열된 PDP는 화상을 표시하게 된다.

이러한 PDP의 격벽(24)은 도 2에 도시된 스트라입 형태와 도 3에 도시된 웰 형태의 격벽 구조로 나뉘어진다. 여기서, 스트라입 형태의 격벽(24)구조의 경우에는 배기는 용이하지만 형광체(20)의 도포 면적이 적은 단점을 갖고 있다. 웰 형태의 격벽(24)구조의 경우에는 형광체(20)의 도포 면적이 넓어 휘도를 증가시킬 수 있으나 배기가 잘되지 않는 문제점을 갖고 있다.

이러한 스트라입 형태 또는 웰 형태의 격벽들 간에는 일정한 폭의 방전셀이 형성된다. 이 방전셀은 적색(R), 녹색(G) 또는 청색(B)의 형광체의 방전전압과 발광특성이 서로 다르기 때문에 적색(R), 녹색(G) 또는 청색(B)을 구현하는 방전셀의 발광효율이 서로 다르게 된다. 특히, 녹색(G)을 구현하는 방전셀의 발광효율이 적색(R) 및 청색(B)을 구현하는 방전셀의 발광효율보다 높고, 적색(R)을 구현하는 방전셀의 발광효율의 청색(B)을 구현하는 방전셀의 발광효율보다 높은 특성을 가지고 있다.

이에 따라, 종래에는 가장 낮은 발광효율을 가지는 청색을 구현하는 방전셀에 조정점을 맞추어 화이트 밸런스(White Balance)를 조정하여 전체적으로 색균형을 이루게 하였으나 이 경우 PDP의 전체적인 휘도가 낮아지는 문제점이 있다.

도 4는 방전효율을 향상시키기 위한 델타형 격벽구조 및 전극 구조를 나타내는 평면도이다.

도 4 및 도 5를 참조하면, 델타형 격벽 구조를 지닌 PDP의 방전 셀은 상부기판(10) 상에 형성되어진 스캔전극(Y) 및 공통서스테인전극(Z)과, 하부기판(18) 상에 형성되어진 어드레스전극(X)을 구비한다.

스캔전극(Y)과 공통서스테인전극(Z) 각각은 투명전극(12Y,12Z)과, 투명전극(12Y,12Z)의 선폭보다 작은 선폭을 가지며 투명전극(12Y,12Z)의 중앙부에 형성되는 금속버스전극(13Y,13Z)을 포함한다.

투명전극(12Y,12Z)은 투명전도성금속 예를 들면, 인듐틴옥사이드(Indium-Tin-Oxide : 이하 "ITO"라 한다)로 상부기판(10) 상에 형성된다.금속버스전극(13Y,13Z)은 크롬(Cr) 등의 금속으로 투명전극(12Y,12Z) 상에 형성되어 저항이 높은 투명전극(12Y,12Z)에 의한 전압강하를 줄이는 역할을 한다.

어드레스전극(X)은 스캔전극(Y) 및 공통서스테인전극(Z)과 직교하게 된다. 이 어드레스전극(X)이 형성된 하부기판(18) 상에는 하부 유전체층(22)과 격벽(26)이 형성된다.

격벽(26)은 어드레스전극(X)과 나란하게 형성되어 방전에 의해 생성된 자외선 및 가시광이 인접한 방전셀에 누설되는 것을 방지하게 된다. 이러한, 격벽(26)은 하나의 셀이 육면으로 둘러싸여 좁은 채널(34)들로 연결된 구조로 되어있다. 이에 따라 도시하지 않은 형광체의 도포 면적이 넓어 휘도를 증가시킬 수 있으며, 좁은 채널(34)을 통해 배기가 잘 되는 장점이 있다.

하부 유전체층(22)과 격벽(26)의 표면에는 형광체가 도포된다. 이 형광체는플라즈마 방전시 발생된 자외선에 의해 여기되어 적색, 녹색 또는 청색 중 어느 하나의 가시광선을 발생하게 된다.

상/하부기판(10,18)과 격벽(26) 사이에 마련된 방전셀의 방전공간에는 방전을 위한 He+Xe 또는 Ne+Xe 등의 불활성 혼합가스가 주입된다.

이와 같은 델타형 전극구조는 스캔전극(Y) 및 공통서스테인전극(Y)이 모든 화소 셀에서 대칭적으로 위치하여야 하므로 다른 구조와는 달리 금속버스전극(13Y, 13Z)이 투명전극(12Y, 12Z)의 중앙에 위치하기 때문에 방전셀의 위와 아래부분의 빛이 금속버스전극(13Y, 13Z)에 의해 차단되어서 전극 방향으로 검은 줄이 생기게 되어 그 만큼 휘도를 감소시키게 된다.

더욱이 델타형 격벽구조는 방전형성이 위쪽 및 아래쪽 방향으로 형성되어 방전형성된 영역으로부터 각 격벽의 형광체 사이의 거리는 일정하지 않게 된다. 이에 따라 육면을 둘러싸고 있는 형광체에서 나오는 빛은 모두 동일한 세기의 빛을 내지 못하게 된다. 또한, 격벽 주위의 전극에서 발생되는 방전은 격벽으로의 하전입자 확산으로 인한 손실을 입게 되어 방전 효율이 떨어지는 단점이 있다.

따라서, 본 발명의 목적은 방전효율을 향상시키기 위한 전극구조를 가지는 플라즈마 디스플레이 패널을 제공하는데 있다.

도 1은 종래의 3전극 교류면 방전형 플라즈마 디스플레이 패널을 나타내는 단면도.

도 2는 종래 플라즈마 디스플레이 패널의 스트라입형 격벽을 나타내는 사시도.

도 3은 종래 플라즈마 디스플레이 패널의 웰형 격벽을 나타내는 사시도.

도 4는 델타형 격벽 구조를 갖는 종래 플라즈마 디스플레이 패널을 나타내는 사시도.

도 5는 도 4에 도시된 전극배치를 나타내는 평면도.

도 6은 본 발명에 따른 플라즈마 디스플레이 패널을 나타내는 사시도.

도 7 내지 도 10은 도 6에 도시된 본 발명의 실시예에 따른 전극배치를 나타내는 평면도.

〈도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명〉

10, 40 : 상부기판 12Y, 42Y : 투명전극

13Z, 43Z : 금속버스전극 14,22,44,50 : 유전체층

16, 36 : 보호막 18, 48 : 하부기판

20 : 형광체 24,26,46 : 격벽

X : 어드레스전극 Y : 스캔전극

Z : 공통서스테인전극

상기 목적을 달성하기 위하여, 본 발명에 따른 플라즈마 디스플레이 패널은 델타형 셀구조를 형성하는 격벽형상을 가지며, 금속버스전극 및 투명전극으로 이루어진 제1 및 제2 유지전극을 가지는 플라즈마 디스플레이 패널에 있어서, 상기 투명전극에서 셀 중앙으로 신장되어 원형 및 다각형 중 어느 한 모양으로 돌출되는 돌출부를 가지며, 상기 제1 및 제2 유지전극 중 어느 하나의 투명전극의 상기 돌출부는 다른 투명전극의 상기 돌출부의 내부에 형성된 것을 특징으로 한다.

상기 플라즈마 디스플레이 패널에서 스캔 및 유지방전시에 사용되는 상기 투명전극은 유지방전시에만 사용되는 상기 투명전극의 내부에 위치하는 것을 특징으로 한다.

상기 목적들 외에 본 발명의 다른 목적 및 특징들은 첨부한 도면들을 참조한 실시예에 대한 설명을 통하여 명백하게 드러나게 될 것이다.

이하, 도 6 내지 도 10을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예에 대하여 설명하기로 한다.

도 6 및 도 7을 참조하면, 본 발명의 제1 실시예에 따른 PDP의 방전 셀은 상부기판(40) 상에 형성되어진 스캔전극(Y) 및 공통서스테인전극(Z)과, 하부기판(48) 상에 형성되어진 어드레스전극(X)을 구비한다.

스캔전극(Y)과 공통서스테인전극(Z) 각각은 투명전극(42Y,42Z)과, 투명전극(42Y,42Z)의 선 폭보다 작은 선 폭을 가지며 투명전극(42Y,42Z)의 중앙부에 형성되는 금속버스전극(43Y,43Z)을 포함한다.

스캔전극(Y)과 공통서스테인전극(Z) 각각의 금속버스전극(43Y,43Z)은 어드레스전극(X)과 직교하게 형성된다. 스캔전극(Y)과 공통서스테인전극(Z) 각각의 투명전극(42Y,42Z)은 방전셀별로 분리되어 형성된다.

이를 상세히 하면, 스캔전극(Y)의 투명전극(42Y)은 소정의 폭을 가지며 방전셀의 안쪽으로 신장되고, 방전셀의 중앙부분에서는 원형(51) 형태로 형성된다. 공통서스테인전극(Z)의 투명전극(42Z)은 소정의 폭을 가지며 방전셀의 안쪽으로 신장되고, 스캔전극(Y)의 원형형태(51)의 투명전극(42Y)에 소정간격 이격되어 한쪽이 개구된 원형띠(53) 형태로 스캔전극(Y)의 투명전극(42Y)을 감싸게 된다.

투명전극(42Y,42Z)은 투명전도성금속 예를 들면, 인듐틴옥사이드(Indium-Tin-Oxide)로 상부기판(40) 상에 형성된다. 금속버스전극(43Y,43Z)은 크롬(Cr) 등의 금속으로 투명전극(42Y,42Z) 상에 형성되어 저항이 높은 투명전극(42Y,42Z)에 의한 전압강하를 줄이는 역할을 한다.

스캔전극(Y)과 공통서스테인전극(Z)이 나란하게 형성된 상부기판(40)에는 상부 유전체층(44)과 보호막(36)이 적층된다. 상부 유전체층(44)은 플라즈마 방전시 발생된 벽전하가 축적된다. 보호막(36)은 플라즈마 방전시 발생된 스퍼터링에 의한 상부 유전체층(44)의 손상을 방지하고 아울러 2차 전자의 방출 효율을 높이게 한다. 보호막(36)으로는 통상 산화마그네슘(MgO)이 이용된다.

상부 유전체층(44)에는 플라즈마 방전시 발생된 벽전하가 축적된다. 보호막(36)은 플라즈마 방전시 발생된 스퍼터링에 의한 상부 유전체층(44)의 손상을 방지함과 아울러 2차 전자의 방출 효율을 높이게 된다. 보호막(36)으로는 통상 산화마그네슘(MgO)이 이용된다.

어드레스전극(X)은 스캔전극(Y) 및 공통서스테인전극(Z)과 직교하게 된다. 이 어드레스전극(X)이 형성된 하부기판(48) 상에는 하부 유전체층(52)과 격벽(46)이 형성된다.

격벽(46)은 어드레스전극(X)과 나란하게 형성되어 방전에 의해 생성된 자외선 및 가시광이 인접한 방전셀에 누설되는 것을 방지하게 된다. 이러한, 격벽(46)은 하나의 셀이 육면으로 둘러싸여 좁은 채널(54)들로 연결된 구조로 되어있다. 이에 따라 형광체의 도포 면적이 넓어 휘도를 증가시킬 수 있으며, 좁은 채널(54)을 통해 배기가 잘 되는 장점이 있다.

하부 유전체층(52)과 격벽(46)의 표면에는 형광체이 도포된다. 형광체는 플라즈마 방전시 발생된 자외선에 의해 여기되어 적색, 녹색 또는 청색 중 어느 하나의 가시광선을 발생하게 된다.

상/하부기판(40,48)과 격벽(46) 사이에 마련된 방전셀의 방전공간에는 방전을 위한 He+Xe 또는 Ne+Xe 등의 불활성 혼합가스가 주입된다.

이와 같은 원형(51) 형태의 스캔전극(Y)과 공통서스테인전극(Z) 각각의 투명전극(42Y, 42Z)은 두 전극 중 어느 하나의 투명전극(42Y, 42Z)을 다른 투명전극(42Y, 42Z)의 내부에 설치하게 된다. 예를 들면, 스캔전극(Y)의 투명전극(42Y)이 공통서스테인전극(Z)의 투명전극(42Z)의 내부에 설치되거나, 이와 반대로 설치될 수 있다. 이 중 내부에 스캔전극(Y)의 투명전극(42Y)이 위치할 경우에는 어드레스전극(X)과 교차하는 면적이 넓기 때문에 쉽게 어드레스 방전을 일으킬 수 있다.

이 결과, 방전공간에서 격벽(46)에 도달하는 거리는 일정하게 된다. 이에 따라 각 격벽의 형광체에서 발광되는 가시광의 세기가 동일하게 발생하게 된다. 또한, 격벽(46)으로부터 방전공간을 분리시킴으로써, 방전시 형성되어진 하전입자가 격벽(46)으로 확산되는 하전입자의 소멸을 최소화하여 방전효율이 향상된다.

도 8을 참조하면, 본 발명의 제 2 실시예에 따른 PDP의 전극구조는 스캔전극(Y)과 공통서스테인전극(Z) 각각은 투명전극(42Y, 42Z)과, 투명전극(42Y,42Z)의 선 폭보다 작은 선 폭을 가지며 투명전극(42Y,42Z)의 중앙부에 형성되는 금속버스전극(43Y,43Z)을 포함한다.

스캔전극(Y)과 공통서스테인전극(Z) 각각의 금속버스전극(43Y,43Z)은 어드레스전극(X)과 직교하게 형성된다.

스캔전극(Y)과 공통서스테인전극(Z) 각각의 투명전극(42Y,42Z)은 방전셀별로 분리되어 형성된다. 이를 상세히 하면, 스캔전극(Y)의 투명전극(42Y)은 소정의 폭을 가지며 방전셀의 안쪽으로 신장되고, 방전셀의 중앙부분에서는 사각형(55)으로 형성된다. 공통서스테인전극(Z)의 투명전극(42Z)은 소정의 폭을 가지며 방전셀의 안쪽으로 신장되고, 스캔전극(Y)의 사각형(55) 형태의 투명전극(42Y)에 소정간격 이격되어 한쪽이 개구된 사각형띠(57) 형태로 스캔전극(Y)의 투명전극(42Y)을 감싸게 된다.

투명전극(42Y,42Z)은 투명전도성금속 예를 들면, 인듐틴옥사이드(ITO)로 상부기판(40) 상에 형성된다. 금속버스전극(43Y,43Z)은 크롬(Cr) 등의 금속으로 투명전극(42Y,42Z) 상에 형성되어 저항이 높은 투명전극(42Y,42Z)에 의한 전압강하를 줄이는 역할을 한다.

이와 같은 사각형(55, 57) 형태의 스캔전극(Y)과 공통서스테인전극(Z) 각각의 투명전극(42Y, 42Z)은 두 전극 중 어느 하나의 투명전극(42Y, 42Z)을 다른 투명전극(42Y, 42Z)의 내부에 설치하게 된다. 예를 들면, 스캔전극(Y)의 투명전극(42Y)이 공통서스테인전극(Z)의 투명전극(42Z)의 내부에 설치되거나, 이와 반대로 설치될 수 있다. 이 중 내부에 스캔전극(Y)의 투명전극(42Y)이 위치할 경우에는 어드레스전극(X)과 교차하는 면적이 넓기 때문에 쉽게 어드레스 방전을 일으킬 수 있다.

도 9를 참조하면, 본 발명의 제 3 실시예에 따른 PDP의 전극구조는 스캔전극(Y)과 공통서스테인전극(Z) 각각은 투명전극(42Y, 42Z)과, 투명전극(42Y,42Z)의 선 폭보다 작은 선 폭을 가지며 투명전극(42Y,42Z)의 중앙부에 형성되는 금속버스전극(43Y,43Z)을 포함한다.

스캔전극(Y)과 공통서스테인전극(Z) 각각의 투명전극(42Y,42Z)은 방전셀별로 분리되어 형성된다. 이를 상세히 하면, 스캔전극(Y)의 투명전극(42Y)은 소정의 폭을 가지며 방전셀의 안쪽으로 신장되고, 방전셀의 중앙부분에서는 육각형(59) 형태로 형성된다. 공통서스테인전극(Z)의 투명전극(42Z)은 소정의 폭을 가지며 방전셀의 안쪽으로 신장되고, 스캔전극(Y)의 육각형(59) 형태의 투명전극(42Y)에 소정간격 이격되어 한쪽이 개구된 육각형띠(61) 형태로 스캔전극(Y)의 투명전극(42Y)을 감싸게 된다.

이와 같은 육각형(59, 61) 형태의 스캔전극(Y)과 공통서스테인전극(Z) 각각의 투명전극(42Y, 42Z)은 두 전극 중 어느 하나의 투명전극(42Y, 42Z)을 다른 투명전극(42Y, 42Z)의 내부에 설치하게 된다. 예를 들면, 스캔전극(Y)의 투명전극(42Y)이 공통서스테인전극(Z)의 투명전극(42Z)의 내부에 설치되거나, 이와 반대로 설치될 수 있다. 이 중 내부에 스캔전극(Y)의 투명전극(42Y)이 위치할 경우에는 어드레스전극(X)과 교차하는 면적이 넓기 때문에 쉽게 어드레스 방전을 일으킬 수 있다.

도 10을 참조하면, 본 발명의 제 4 실시예에 따른 PDP의 전극구조는 스캔전극(Y)과 공통서스테인전극(Z) 각각은 투명전극(42Y, 42Z)과, 투명전극(42Y,42Z)의 선 폭보다 작은 선 폭을 가지며 투명전극(42Y,42Z)의 중앙부에 형성되는 금속버스전극(43Y,43Z)을 포함한다.

스캔전극(Y)과 공통서스테인전극(Z) 각각의 투명전극(42Y,42Z)은 방전셀별로분리되어 형성된다. 이를 상세히 하면, 스캔전극(Y)의 투명전극(42Y)은 소정의 폭을 가지며 방전셀의 안쪽으로 신장되고, 방전셀의 중앙부분에서는 원형(63)으로 형성된다. 공통서스테인전극(Z)의 투명전극(42Z)은 소정의 폭을 가지며 방전셀의 안쪽으로 신장되고, 스캔전극(Y)의 원형형태(63)의 투명전극(42Y)에 소정간격 이격되어 한쪽이 개구된 육각형띠(65) 형태로 스캔전극(Y)의 투명전극(42Y)을 감싸게 된다.

이와 같은 원형형태(63)인 스캔전극(Y)과 육각형띠(65) 형태의 공통서스테인전극(Z) 각각의 투명전극(42Y, 42Z)은 두 전극 중 어느 하나의 투명전극(42Y, 42Z)을 다른 투명전극(42Y, 42Z)의 내부에 설치하게 된다. 예를 들면, 스캔전극(Y)의 투명전극(42Y)이 공통서스테인전극(Z)의 투명전극(42Z)의 내부에 설치되거나, 이와 반대로 설치될 수 있다. 이 중 내부에 스캔전극(Y)의 투명전극(42Y)이 위치할 경우에는 어드레스전극(X)과 교차하는 면적이 넓기 때문에 쉽게 어드레스 방전을 일으킬 수 있다.

이와 같은 본 발명의 제1 내지 제4 실시예에서와 같이 스캔전극(Y) 및 공통서스테인전극(Z)에서 방전셀의 중앙부에 형성되는 형태는 원형, 사각형 및 다각형 이외의 형태로 형성될 수 있다.

상술한 바와 같이, 본 발명에 따른 플라즈마 디스플레이 패널은 투명전극에서 원형, 사각형 및 육각형 등의 중 어느 하나의 모양으로 돌출되는 돌출부를 형성하고, 하나의 돌출부를 다른 돌출부의 내부에 설치하여 방전공간에서 각 격벽에 도달하는 거리를 일정하게 하여 각 격벽의 형광체에서 발광되는 가시광의 양을 동일하게 함으로써 방전 시 형성된 하전입자가 격벽으로 확산되어 소멸되는 것을 최소화하여 방전효율을 향상시킬 수 있다.

이상 설명한 내용을 통해 당업자라면 본 발명의 기술사상을 일탈하지 아니하는 범위에서 다양한 변경 및 수정이 가능함을 알 수 있을 것이다. 따라서, 본 발명의 기술적 범위는 명세서의 상세한 설명에 기재된 내용으로 한정되는 것이 아니라 특허 청구의 범위에 의해 정하여 져야만 할 것이다.

Claims

델타형 셀구조를 형성하는 격벽형상을 가지며, 금속버스전극 및 투명전극으로 이루어진 제1 및 제2 유지전극을 가지는 플라즈마 디스플레이 패널에 있어서,

상기 투명전극에서 셀 중앙으로 신장되어 원형 및 다각형 중 어느 한 모양으로 돌출되는 돌출부를 가지며,

상기 제1 및 제2 유지전극 중 어느 하나의 투명전극의 상기 돌출부는 다른 투명전극의 상기 돌출부의 내부에 형성된 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널.
제 1 항에 있어서,

스캔 및 유지방전시에 사용되는 상기 투명전극은 유지방전시에만 사용되는 상기 투명전극의 내부에 위치하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널.
제 1 항에 있어서,

상기 제1 유지전극의 투명전극은 상기 셀 내의 중앙부가 원형이며, 상기 제2 유지전극의 투명전극은 상기 제1 유지전극의 투명전극을 감싸는 원형띠 형태인 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널.
제 1 항에 있어서,

상기 제1 유지전극의 투명전극은 상기 셀 내의 중앙부가 사각형이며, 상기제2 유지전극의 투명전극은 상기 제1 유지전극의 투명전극을 감싸는 사각형띠 형태인 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널.
제 1 항에 있어서,

상기 제1 유지전극의 투명전극은 상기 셀 내의 중앙부가 육각형이며, 상기 제2 유지전극의 투명전극은 상기 제1 유지전극의 투명전극을 감싸는 육각형띠 형태인 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널.
제 1 항에 있어서,

상기 제1 유지전극의 투명전극은 상기 셀 내의 중앙부가 원형이며, 상기 제2 유지전극의 투명전극은 상기 제1 유지전극의 투명전극을 감싸는 육각형띠 형태인 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널.
제 1 항에 있어서,

상기 제1 유지전극의 투명전극은 상기 셀 내의 중앙부가 다각형이며, 상기 제2 유지전극의 투명전극은 상기 제1 유지전극의 투명전극을 감싸는 다각형띠 형태인 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널.