KR20050111947A

KR20050111947A - Wafer back lapping apparatus having several chuck table

Info

Publication number: KR20050111947A
Application number: KR1020040036881A
Authority: KR
Inventors: 조봉수; 조성희
Original assignee: 삼성전자주식회사
Priority date: 2004-05-24
Filing date: 2004-05-24
Publication date: 2005-11-29

Abstract

본 발명은 다중 척 테이블을 구비하는 웨이퍼 후면 연마 장치에 관한 것으로, 웨이퍼 후면 연마 장치의 작업 효율을 개선하여 설비 생산성을 높이기 위한 것이다. 본 발명에 따른 웨이퍼 후면 연마 장치는 적어도 2개 이상의 척 테이블과 대구경 연마 휠로 구성된다. 척 테이블마다 웨이퍼를 탑재되고, 모든 웨이퍼의 반경을 한꺼번에 덮을 수 있도록 연마 휠의 구경을 증대시키면, 여러 장의 웨이퍼에 대한 후면 연마 공정을 동시에 진행할 수 있으므로 설비 생산성을 향상시킬 수 있다. 각각의 척 테이블은 연마 휠과 반대 방향 또는 같은 방향으로 회전할 수 있다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a wafer backside polishing apparatus having a multi-chuck table, and to improve the work efficiency of the wafer backside polishing apparatus to increase facility productivity. The wafer backside polishing apparatus according to the present invention comprises at least two chuck tables and a large diameter polishing wheel. If the wafer is mounted on each chuck table and the diameter of the polishing wheel is increased to cover the radius of all the wafers at once, the backside polishing process for several wafers can be performed at the same time, thereby improving the productivity of the facility. Each chuck table may rotate in the same direction as or opposite to the polishing wheel.

Description

Wafer back lapping apparatus having several chuck table

본 발명은 반도체 제조 설비에 관한 것으로서, 보다 구체적으로는 반도체 웨이퍼의 두께를 얇게 가공하기 위하여 사용되는 웨이퍼 후면 연마 장치에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a semiconductor manufacturing facility, and more particularly, to a wafer backside polishing apparatus used for thinly processing a semiconductor wafer.

일반적으로 소정의 제조 공정을 통하여 제조된 반도체 웨이퍼는 개별 칩으로 분리되기 전에 후면 연마(back lapping) 공정을 거친다. 웨이퍼 후면 연마는 최종 반도체 제품에서 필요로 하는 칩 두께를 실현하기 위하여, 또는 고객이 요구하는 두께를 충족시키기 위하여 실행되는 공정이다. 예컨대, 웨이퍼 제조 공정 직후의 웨이퍼는 8인치의 경우 약 730 내지 750㎛, 12인치의 경우 약 790 내지 800㎛의 두께를 가지는데, 웨이퍼 후면 연마는 이와 같은 웨이퍼 두께를 약 80 내지 450㎛의 두께로 가공하는 공정이다.In general, a semiconductor wafer manufactured through a predetermined manufacturing process undergoes a back lapping process before being separated into individual chips. Wafer backside polishing is a process performed to achieve the chip thickness required for the final semiconductor product or to meet the thickness required by the customer. For example, a wafer immediately after the wafer fabrication process has a thickness of about 730 to 750 μm for 8 inches and about 790 to 800 μm for 12 inches. Wafer backside polishing can provide such a wafer thickness of about 80 to 450 μm. Process.

웨이퍼의 후면을 연마하기 위해서는 도 1에 도시된 바와 같은 웨이퍼 후면 연마 장치를 사용한다. 도 1은 종래 기술에 따른 웨이퍼 후면 연마 장치(10)의 개략적인 구조를 나타내는 사시도이다.To polish the back side of the wafer, a wafer backside polishing apparatus as shown in FIG. 1 is used. 1 is a perspective view showing a schematic structure of a wafer backside polishing apparatus 10 according to the prior art.

도 1을 참조하면, 종래의 웨이퍼 후면 연마 장치(10)는 웨이퍼(20)가 탑재되는 척 테이블(11; chuck table)과 웨이퍼(20)의 후면을 연마하는 연마 휠(12; grind wheel)로 이루어진다. 척 테이블(11)은 진공 흡착 방식에 의하여 웨이퍼(20)를 고정하며 회전이 가능하다. 연마 휠(12)은 휠 축(13)에 연결되어 있으며 승강 이동과 회전이 가능하다.Referring to FIG. 1, a conventional wafer backside polishing apparatus 10 includes a chuck table 11 on which a wafer 20 is mounted, and a grind wheel 12 that polishes the backside of the wafer 20. Is done. The chuck table 11 is rotatable while fixing the wafer 20 by a vacuum suction method. The polishing wheel 12 is connected to the wheel shaft 13 and is capable of lifting and rotating.

웨이퍼 후면 연마 공정을 간략하면, 먼저 척 테이블(11) 위에 웨이퍼(20)를 탑재하여 고정시킨다. 이어서 회전하는 연마 휠(12)을 웨이퍼(20) 쪽으로 하강시키면서 웨이퍼(20)의 후면을 연마한다. 이 때, 척 테이블(11)도 연마 휠(12)과 반대 방향 또는 동일 방향으로 회전한다.To simplify the wafer backside polishing process, the wafer 20 is first mounted on the chuck table 11 to be fixed. Subsequently, the rear surface of the wafer 20 is polished while the rotating polishing wheel 12 is lowered toward the wafer 20. At this time, the chuck table 11 also rotates in the opposite direction or in the same direction as the polishing wheel 12.

도 2는 종래 기술에 따른 웨이퍼 후면 연마 장치에서 웨이퍼(20)와 연마 휠(12) 사이의 위치 관계를 나타내는 평면도이다. 도 2에 도시된 바와 같이, 연마 휠(12)은 웨이퍼(20)의 반경을 덮도록 배치된다. 그런 후, 서로 반대 방향 또는 동일 방향으로 척 테이블(11)과 연마 휠(12)을 동시에 회전시키면 웨이퍼(20)의 후면 전체에 대하여 연마 공정을 완료할 수 있다.2 is a plan view showing the positional relationship between the wafer 20 and the polishing wheel 12 in the wafer backside polishing apparatus according to the prior art. As shown in FIG. 2, the polishing wheel 12 is disposed to cover the radius of the wafer 20. Thereafter, when the chuck table 11 and the polishing wheel 12 are simultaneously rotated in opposite directions or in the same direction, the polishing process may be completed for the entire rear surface of the wafer 20.

그런데, 갈수록 반도체 제품이 소형화, 박형화되면서 칩 두께도 점점 얇아지고 있다. 그에 따라 웨이퍼 후면 연마량도 점점 증가하고 있는 추세이다. 그러나 종래의 웨이퍼 후면 연마 장치(10)는 연마 휠(12) 1개당 웨이퍼(20) 1매에 대한 작업이 이루어지는 방식이어서 설비 생산성이 매우 떨어진다.However, as semiconductor products become smaller and thinner, chip thickness is getting thinner. Accordingly, wafer backside polishing is also increasing. However, the conventional wafer backside polishing apparatus 10 is a method in which a work is performed on one wafer 20 per polishing wheel 12, and thus the facility productivity is very low.

따라서 본 발명의 목적은 웨이퍼 후면 연마 장치의 작업 효율을 개선하여 설비 생산성을 높이기 위한 것이다.Therefore, an object of the present invention is to improve the work efficiency of the wafer backside polishing apparatus to increase facility productivity.

이러한 목적을 달성하기 위하여, 본 발명은 웨이퍼 후면 연마 장치의 척 테이블을 여러 개로 늘리고 연마 휠의 구경을 크게 하여 동시에 여러 장의 웨이퍼에 대한 후면 연마 공정을 실시할 수 있도록 한다.In order to achieve this object, the present invention increases the number of chuck tables of the wafer backside polishing apparatus to several and increases the diameter of the polishing wheel so that the backside polishing process for several wafers can be performed at the same time.

본 발명의 실시예에 따른 웨이퍼 후면 연마 장치는, 각각 웨이퍼가 탑재되는 적어도 2개 이상의 척 테이블과; 상기 적어도 2개 이상의 웨이퍼의 반경을 한꺼번에 모두 덮을 수 있는 만큼의 구경을 가지며, 상기 웨이퍼에 대한 후면 연마 공정을 동시에 진행할 수 있는 연마 휠을 포함한다.According to an aspect of the present invention, there is provided a wafer backside polishing apparatus comprising: at least two chuck tables on which wafers are mounted; It includes a polishing wheel having a diameter that can cover the radius of the at least two or more wafers at once, and can perform a back polishing process for the wafer at the same time.

본 발명의 실시예에 따른 웨이퍼 후면 연마 장치에 있어서, 상기 척 테이블과 상기 연마 휠은 서로 반대 방향 또는 서로 같은 방향으로 회전할 수 있다.In the wafer polishing apparatus according to the embodiment of the present invention, the chuck table and the polishing wheel may rotate in opposite directions or in the same direction.

이하, 첨부 도면을 참조하여 본 발명의 실시예를 보다 상세하게 설명하고자 한다.Hereinafter, with reference to the accompanying drawings will be described in detail an embodiment of the present invention.

실시예를 설명함에 있어서 본 발명이 속하는 기술 분야에 익히 알려져 있고 본 발명과 직접적으로 관련이 없는 기술 내용에 대해서는 설명을 생략한다. 이는 불필요한 설명을 생략함으로써 본 발명의 요지를 흐리지 않고 보다 명확히 하기 위함이다. 마찬가지의 이유로 첨부 도면에 있어서 발명의 일부 구성요소는 다소 과장되거나 생략되거나 또는 개략적으로 도시되었으며, 각 구성요소들의 크기는 실제 크기를 전적으로 반영하는 것이 아니다.In describing the embodiments, descriptions of technical contents which are well known in the technical field to which the present invention belongs and are not directly related to the present invention will be omitted. This is to more clearly without obscure the subject matter of the present invention by omitting unnecessary description. For the same reason, some of the elements of the invention in the accompanying drawings are somewhat exaggerated, omitted, or schematically illustrated, and the size of each component does not fully reflect the actual size.

실시예Example

도 3은 본 발명의 실시예에 따른 웨이퍼 후면 연마 장치(30)의 개략적인 구조를 나타내는 평면도이다.3 is a plan view showing a schematic structure of a wafer backside polishing apparatus 30 according to an embodiment of the present invention.

도 3을 참조하면, 본 실시예의 웨이퍼 후면 연마 장치(30)는 웨이퍼(20)가 탑재되는 척 테이블(31)과, 웨이퍼(20)의 후면을 연마하는 연마 휠(32)로 구성된다. 특히, 척 테이블(31)은 모두 4개로 이루어지며, 연마 휠(32)의 구경은 종전보다 커진다.Referring to FIG. 3, the wafer backside polishing apparatus 30 of this embodiment is composed of a chuck table 31 on which the wafers 20 are mounted, and a polishing wheel 32 for polishing the backside of the wafer 20. In particular, the chuck table 31 consists of four pieces, and the diameter of the polishing wheel 32 becomes larger than before.

각각의 척 테이블(31)은 진공 흡착 방식에 의하여 웨이퍼(20)를 고정하며, 이를 위하여 진공을 인가할 수 있는 진공 홀(도시되지 않음)이 척 테이블(31)에 형성된다. 또한 각각의 척 테이블(31)마다 구동 모터(도시되지 않음)가 연결되어 있어서 척 테이블(31)의 회전이 가능하다. 연마 휠(32)은 휠 축(도시되지 않음)을 통하여 구동 모터(도시되지 않음)에 연결되어 있으며 승강 이동과 회전이 가능하다.Each chuck table 31 fixes the wafer 20 by a vacuum suction method, and for this purpose, a vacuum hole (not shown) for applying a vacuum is formed in the chuck table 31. In addition, a driving motor (not shown) is connected to each chuck table 31 to allow rotation of the chuck table 31. The abrasive wheel 32 is connected to a drive motor (not shown) via a wheel shaft (not shown) and is capable of lifting and rotating.

연마 휠(32)은 각각의 척 테이블(31)에 탑재되는 모든 웨이퍼(20)에 대하여 동시에 웨이퍼 반경(R)을 덮을 수 있을 만큼의 구경을 가진다. 따라서 척 테이블(31)마다 웨이퍼(20)를 탑재하고 대구경의 연마 휠(32)을 사용하면, 동시에 4개의 웨이퍼(20)에 대한 후면 연마 공정을 진행할 수 있다. 이 때, 각각의 척 테이블(31)은 연마 휠(32)과 반대 방향 또는 동일 방향으로 회전한다.The polishing wheel 32 has a diameter enough to cover the wafer radius R for all the wafers 20 mounted on each chuck table 31 at the same time. Therefore, when the wafer 20 is mounted on each chuck table 31 and the large-diameter polishing wheel 32 is used, the back surface polishing process for the four wafers 20 can be performed at the same time. At this time, each chuck table 31 rotates in the opposite direction or in the same direction as the polishing wheel 32.

이와 같이 본 발명에 따른 웨이퍼 후면 연마 장치(30)는 적어도 2개 이상의 척 테이블(31)을 다중으로 설치하고 각각의 웨이퍼(20) 반경을 한꺼번에 모두 덮을 수 있도록 연마 휠(32)의 구경을 증대시킨다. 따라서 본 발명의 웨이퍼 후면 장치(30)는 척 테이블(31)의 수만큼 여러 장의 웨이퍼(20)에 대하여 한번에 후면 연마 공정을 진행할 수 있다.As described above, the wafer backside polishing apparatus 30 according to the present invention increases the diameter of the polishing wheel 32 so that at least two or more chuck tables 31 may be installed in multiple numbers and the radius of each wafer 20 may be covered all at once. Let's do it. Therefore, the wafer backside device 30 of the present invention can perform the backside polishing process on several wafers 20 as many as the number of chuck tables 31.

이상 설명한 바와 같이, 본 발명에 의한 웨이퍼 후면 연마 장치는 1개의 연마 휠을 기준으로 여러 장의 웨이퍼에 대한 후면 연마 공정을 진행할 수 있으므로, 1개의 연마 휠에 대하여 웨이퍼 1장씩 공정을 진행하던 종래 기술에 비하여 훨씬 설비 생산성을 향상시킬 수 있다.As described above, the wafer backside polishing apparatus according to the present invention can perform the backside polishing process for several wafers on the basis of one polishing wheel. Compared with this, the productivity of the equipment can be improved much more.

본 명세서와 도면에는 본 발명의 바람직한 실시예에 대하여 개시하였으며, 비록 특정 용어들이 사용되었으나, 이는 단지 본 발명의 기술 내용을 쉽게 설명하고 발명의 이해를 돕기 위한 일반적인 의미에서 사용된 것이지, 본 발명의 범위를 한정하고자 하는 것은 아니다. 여기에 개시된 실시예 외에도 본 발명의 기술적 사상에 바탕을 둔 다른 변형예들이 실시 가능하다는 것은 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 자명한 것이다.In the present specification and drawings, preferred embodiments of the present invention have been disclosed, and although specific terms have been used, these are merely used in a general sense to easily explain the technical contents of the present invention and to help the understanding of the present invention. It is not intended to limit the scope. It will be apparent to those skilled in the art that other modifications based on the technical idea of the present invention can be carried out in addition to the embodiments disclosed herein.

도 1은 종래 기술에 따른 웨이퍼 후면 연마 장치의 개략적인 구조를 나타내는 사시도이다.1 is a perspective view showing a schematic structure of a wafer backside polishing apparatus according to the prior art.

도 2는 종래 기술에 따른 웨이퍼 후면 연마 장치에서 웨이퍼와 연마 휠 사이의 위치 관계를 나타내는 평면도이다.2 is a plan view showing a positional relationship between a wafer and a polishing wheel in the wafer backside polishing apparatus according to the prior art.

도 3은 본 발명의 실시예에 따른 웨이퍼 후면 연마 장치의 개략적인 구조를 나타내는 평면도이다.3 is a plan view showing a schematic structure of a wafer backside polishing apparatus according to an embodiment of the present invention.

<도면에 사용된 참조 번호의 설명><Description of Reference Number Used in Drawing>

10, 30: 웨이퍼 후면 연마 장치(wafer back lapping apparatus)10, 30: wafer back lapping apparatus

11, 31: 척 테이블(chuck table)11, 31: chuck table

12, 32: 연마 휠(grind wheel)12, 32: grinding wheel

13: 휠 축(wheel spindle)13: wheel spindle

20: 웨이퍼(wafer)20: wafer

Claims

At least two chuck tables, each having a wafer mounted thereon;

And a polishing wheel having a diameter sufficient to cover the radius of the at least two wafers at once, and capable of simultaneously performing a back polishing process for the wafer.

The apparatus of claim 1, wherein the chuck table and the polishing wheel rotate in opposite directions.

The apparatus of claim 1, wherein the chuck table and the polishing wheel rotate in the same direction.