KR20050105405A - 플라즈마 디스플레이 패널 - Google Patents

플라즈마 디스플레이 패널 Download PDF

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KR20050105405A
KR20050105405A KR1020040030834A KR20040030834A KR20050105405A KR 20050105405 A KR20050105405 A KR 20050105405A KR 1020040030834 A KR1020040030834 A KR 1020040030834A KR 20040030834 A KR20040030834 A KR 20040030834A KR 20050105405 A KR20050105405 A KR 20050105405A
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Abstract

본 발명에 따르면, 플라즈마 디스플레이 패널이 개시된다. 상기 플라즈마 디스플레이 패널은 제1기판, 제1기판과 대향되게 배치되어 방전공간을 한정하는 제2기판, 제1기판 및 제2기판 사이에 배치되고, 기저부, 및 적어도 상기 기저부의 상면에 형성되어 방전공간으로 노출된 CNT층을 포함하는 격벽, 상기 제1기판의 하측에 배치된 방전유지전극쌍들, 상기 방전유지전극쌍과 교차하도록 연장된 어드레스전극들, 상기 방전유지전극쌍들 및 어드레스전극들을 각각 덮는 제1유전체층 및 제2유전체층, 적어도 제2유전체층의 상측에 배치된 형광체층, 및 상기 방전공간에 봉입된 방전가스를 구비한다. 개시된 플라즈마 디스플레이 패널에 의하면, 구동효율 및 휘도특성이 향상되고, 형광체층의 열화가 방지되며, 콘트라스트 특성이 개선된다.

Description

플라즈마 디스플레이 패널 {Plasma display panel}
본 발명은 플라즈마 디스플레이 패널(Plasma Display Panel)에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 구동효율 및 휘도특성이 향상되고, 형광체층의 열화가 방지되며, 콘트라스트 특성이 개선된 플라즈마 디스플레이 패널에 관한 것이다.
플라즈마 디스플레이 패널은 가스방전현상을 이용하여 화상을 표시하는 평판 표시패널로서, 표시용량, 휘도, 콘트라스트, 잔상 및 시야각 등의 각종 표시능력이 우수하다. 또한, 박형이면서, 대화면 표시가 가능하여 CRT를 대체할 수 있는 차세대 평판표시패널로서 각광을 받고 있다.
도 1은 종래 플라즈마 디스플레이 패널의 단면구조를 보인 단면도이다. 설명의 편의를 위해, 제1패널(10)은 L-L선의 경계로 하여, 90도 회전된 상태로 도시되었다.
도면을 참조하면, 플라즈마 디스플레이 패널은 화상표시면인 제1패널(10) 및 상기 제1패널(10) 하측의 제2패널(10)을 포함한다.
상기 제1패널(10)에는 제1기판(11), 상기 제1기판(11)에 형성된 방전유지전극쌍(16), 상기 방전유지전극쌍(16)을 덮는 제1유전체층(14), 및 상기 제1유전체층(14) 하면에 형성된 보호층(15)을 구비한다.
상기 제2패널(20)은 제2기판(21), 상기 제2기판(21) 상에 형성된 어드레스전극(22), 상기 어드레스전극(22)을 매립하는 제2유전체층(23), 상기 제2유전체층(23)에 형성되는 격벽(24), 및 상기 제2유전체층(23) 상에서 격벽(24)에 걸쳐 형성된 형광체층(25)을 구비한다. 여기서, 상기 격벽(24)은 유리분말과, 바인더(binder), 비이클(vehicle) 등이 혼합된 격벽 페이스트를 스크린 인쇄하여 형성될 수 있다.
이러한 구조를 가진 플라즈마 디스플레이 패널에서 발광은 다음과 같이 이루어진다. 즉, 공통전극(12)과 주사전극(13)으로 이루어지는 한 쌍의 방전유지전극(16) 사이에서 실행되는 주방전에 의해 방전공간(30) 내에는 플라즈마에 의한 진공자외선(VUV)이 발생되고, 이러한 진공자외선(VUV)은 형광체층(25)에 의해 가시광(VL)으로 전환되어, 제1패널(10)을 통해 방사된다.
그런데, 종래 플라즈마 디스플레이 패널에 있어서는, 이러한 가시광(VL)외에도 외광이 패널면에 반사된 반사광(EL)이 시청자의 시각에 감지되어 콘트라스트가 저하되는 문제가 발생된다.
도 2는 일반적인 플라즈마 디스플레이 패널의 전극들에 인가되는 구동 신호들을 보여준다. 도 2에서 참조부호 SA은 어드레스전극(도 1의 22)에 인가되는 구동 신호를, SX는 공통전극(도 1의 12)에 인가되는 구동 신호를, 그리고 SY는 주사전극(도 1의 13)에 인가되는 구동 신호를 가리킨다.
상기 플라즈마 디스플레이 패널에 기본적으로 적용되는 구동방법에서는 리셋팅(resetting), 어드레싱(addressing), 및 방전유지(display-sustain) 단계들이 순차적으로 수행된다. 상기 리셋팅 단계에서는 방전공간의 전하상태가 균일해진다.
어드레싱 단계(A)에서는 소정의 벽전압이 생성된다. 도 2를 참조하여, 이를 보다 상세히 설명하면, 어드레스전극에 정극성 어드레스전압(VA)이 인가됨과 동시에 V SCAN 으로 바이어싱된 주사전극에 접지전압(VG)의 주사펄스가 인가된다. 이에 따라 어드레스전극과 주사전극사이에서는 어드레스 방전이 실행되는데, 이에 의해 벽전하가 형성되게 된다.
방전유지 단계(S)에서는 공통전극, 주사전극에 소정의 교류전압인 방전유지전압(VS)이 인가됨으로써, 어드레싱 단계에서 상기 벽전압이 형성된 발광셀이 유지방전을 일으킨다. 여기서, 어드레싱 단계에서 축적된 벽전하 및 방전유지단계에서 전극에 인가된 방전유지전압이 방전개시전압을 넘게 되면, 유지방전이 실행된다.
이러한 유지방전을 통해 플라즈마가 생성되고, 이로부터 방사되는 진공 자외선이 형광체층을 여기시켜, 가시광이 발생된다.
그런데, 종래 플라즈마 디스플레이 패널에 있어서는, 격벽이 단순히 유리재질로 이루어짐으로써, 방전공간으로의 전자방출이 충분하지 않고, 또한, 방전공간의 전계가 약화되는바, 고압의 방전개시전압 및 방전유지전압이 요구되고, 이로 인해 패널의 구동효율이 저하되는 문제점이 발생된다.
본 발명은 상기와 같은 문제점 및 그 밖의 다른 문제점을 해결하기 위하여 창출된 것으로서, 패널의 구동효율 및 휘도특성이 향상된 개선된 구조의 플라즈마 디스플레이 패널을 제공하는데 그 목적이 있다.
본 발명의 다른 목적은 콘트라스트 특성이 향상된 개선된 플라즈마 디스플레이 패널을 제공하는 것이다.
본 발명의 또 다른 목적은 내구성이 향상되고, 형광체층의 열화가 방지되는 개선된 플라즈마 디스플레이 패널을 제공하는 것이다.
상기와 같은 목적 및 기타 다른 목적을 달성하기 위하여, 본 발명의 플라즈마 디스플레이 패널은,
제1기판;
상기 제1기판과 대향되게 배치되어 방전공간을 한정하는 제2기판;
상기 제1기판 및 제2기판 사이에 배치되고, 기저부, 및 적어도 상기 기저부의 상면에 형성되어 방전공간으로 노출된 CNT층을 포함하는 격벽;
상기 제1기판의 하측에 배치된 방전유지전극쌍들;
상기 방전유지전극쌍과 교차하도록 연장된 어드레스전극들;
상기 방전유지전극쌍들 및 어드레스전극들을 각각 덮는 제1유전체층 및 제2유전체층;
적어도 제2유전체층의 상측에 배치된 형광체층; 및
상기 방전공간에 봉입된 방전가스;를 구비한다.
상기 CNT층에는 CNT가 0.5 내지 20 wt% 포함된 것이 바람직하다.
본 발명에 있어서, 바람직하게는, 상기 방전유지전극쌍은 상기 제1기판의 하면에 형성되고, 보호층(MgO)이 상기 제1유전체층을 덮도록 형성되며,
상기 어드레스전극은 상기 제2기판 상면에 형성되며, 상기 격벽은 상기 제2유전체층 상에 형성되며, 상기 형광체층은 적어도 제2유전체층 상에 배치된다.
상기 격벽의 기저부는 상기 CNT층의 재료와 동일한 재료로 형성될 수 있다.
또한, 상기 기저부의 측면에도 CNT층이 형성될 수 있다.
뿐만 아니라, 상기 형광체층과 제2유전체층 사이에도 CNT층이 형성될 수 있다.
한편, 상기 기저부 상면에 형성된 CNT층의 높이는 10μm 내지 30μm 인 것이 바람직하다.
이하에서는 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 플라즈마 디스플레이 패널에 대해 상세히 설명하기로 한다.
도 3은 본 발명의 제1실시예에 따른 플라즈마 디스플레이 패널의 분해사시도이다. 도 4는 도 3의 디스플레이 패널을 도시한 단면도인데, 설명의 편의를 위하여 제1패널(10)은 A-A에 따르는 단면으로, 제2패널(20)은 B-B에 따르는 단면으로 도시되었다.
도면들을 참조하면, 제1실시예에 따른 플라즈마 디스플레이 패널은 제1패널(10)과 제2패널(20)을 구비한다. 상기 제1패널은 제1기판(11), 상기 제1기판의 하측, 예를 들어 제1기판의 하면(11a) 상에 배치된 방전유지전극쌍(16)들, 및 상기 방전유지전극쌍(16)들을 덮고 있는 제1유전층(14)을 구비하고, 바람직하게는 상기 제1유전층(14)을 덮고 있는 MgO로 형성된 보호층(15)을 더 구비한다. 상기 제1기판(11)은 유리를 주재료로 한 투명한 재료로 형성되는 것이 일반적이다.
상기 제1기판(11)은 유리를 주재료로 한 투명한 재료로 형성되는 것이 일반적이다.
상기 방전유지전극쌍(16)이라 함은 주방전을 일으키기 위하여 제1기판(11)의 하면(11a)에 형성된 한 쌍의 방전유지전극들(12, 13)을 의미하고, 상기 제1기판(11)에는 이러한 방전유지전극쌍(16)이 소정의 간격으로 평행하게 배열되어 있다. 이 방전유지전극쌍(16) 중 일 방전유지전극은 주사전극(13)이고, 다른 방전유지전극은 공통전극(12)이다.
상기 공통전극(12) 및 주사전극(13)은 각각은 투명전극(12a, 13a) 및 버스전극(12b, 13b)을 구비하는 것이 일반적이나, 경우에 따라서 투명전극 없이 버스전극만으로 공통전극과 주사전극이 구성될 수도 있다.
상기 투명전극(12a, 13a)은 방전을 일으킬 수 있는 도전체이면서 형광체(25)로부터 방사되는 빛이 제1기판(11)을 투과하는 것을 방해하지 않는 투명한 재료로 형성되는데, 이와 같은 재료로서는 ITO(indium tin oxide) 등이 있다. 그러나, 상기 ITO 와 같은 투명한 도전체는 일반적으로 그 저항이 크고, 따라서, 투명전극으로만 방전유지전극을 형성하면 그 길이방향으로의 전압 강하가 커서 구동전력이 많이 소비되고, 응답속도가 늦어지는바, 이를 개선하기 위하여, 상기 투명전극(12a, 13a)의 외측단부에는 도전성 금속으로 형성되는 버스전극(12b, 13b)이 형성된다. 투명전극이 없는 경우에는 제1기판의 하면(11a) 상에 직접 버스전극이 형성된다.
상기 버스전극(12b, 13b)은 도전성이 좋은 금속으로 형성되어야 하는바, 현재 도전성이 좋은 금속으로 알려진 금속들은 빛에 대해 투명하지 않다. 투명하지 않은 금속으로 상기 버스전극을 형성하는 경우에 있어서, 플라즈마 디스플레이 패널의 콘트라스트와 휘도를 모두 우수하게 하기 위하여, 상기 버스전극을 두 개의 층으로 형성하되, 제1기판 측에 가까운 제1버스전극층은 외광을 흡수하는 암색(暗色)성분을 포함하는 재료로 형성하고, 형광체에 가까운 제2버스전극층은 형광체로부터 발산되는 가시광을 반사하는 명색(明色)성분을 포함하는 재료로 형성한다. 여기서 암색성분이라 함은 빛에 대한 흡수도가 높은 어두운 색의 성분을 의미하고, 명색성분이라 함은 빛에 대한 반사도가 높은 밝은 색의 성분을 의미한다. 이와 같은 조건을 만족시키는 암색성분으로서는 루세늄, 코발트 등이 있고, 명색성분으로서는 은, 알루미늄, 금 등이 있다.
상기 제1유전체층(14)은 주방전시 인접한 주사전극(13)과 공통전극(12) 간에 직접 통전되는 것과 양이온 또는 전자가 방전유지전극쌍(16)에 직접 충돌하여 방전유지전극쌍(16)을 손상시키는 것을 방지하면서도 전하를 유도하여 벽전하를 축적할 수 있고 또한 광투과성이 좋은 유전체로서 형성되는데, 이와 같은 유전체로서는 PbO, B2O3, SiO2 등이 있다.
상기 보호층(15)은, 방전시 양이온과 전자가 제1유전체층(14)에 충돌하여 제1유전체층(14)이 손상되는 것을 방지하며 광투과성이 좋고 방전시 2차전자를 많이 방출하는 재료로서 형성되는 것이 바람직한 바, 통상적으로는 MgO가 사용된다. 다만 이 보호층은 없을 수도 있는바, 예를 들면 상기 제1유전체층 자체가 MgO 로 형성되는 경우가 그 일 예라고 할 수 있다.
한편, 상기 제2패널(20)은 상기 제1기판(11)에 대면하도록 배치되어 방전공간을 한정하는 제2기판(21), 상기 제2기판(21)의 상측, 예를 들어 제2기판의 상면(21a) 상에 상기 방전유지전극쌍(16)과 교차하도록 형성된 어드레스전극(22)들, 상기 어드레스전극(22)들을 덮고 있는 제2유전체층(23), 상기 제2유전체층(23) 상에 형성된 격벽(100), 적어도 상기 제2유전체층 상에 배치된 형광체층(25)을 구비한다. 특히 본 실시예에서, 상기 격벽(100)은 기저부(100b), 및 상기 기저부(100b)의 적어도 상면에 형성되어 방전공간(30)으로 노출된 CNT층(100a)을 구비한다.
상기 제2기판(21)은 어드레스전극(22)들, 제2유전체층(23) 등을 지지하는 기능을 하며, 통상적으로는 유리를 주재료로하여 형성된다.
상기 어드레스전극(22)들은 상기 주사전극(13)과 공통전극(12) 간의 주방전을 보다 용이하게 하기 위한 어드레스방전을 일으키기 위한 것으로서, 보다 구체적으로는 주방전이 일어나기 위한 전압을 낮추는 역할을 한다. 상기 어드레스방전은 주사전극(13)과 어드레스전극(22) 간에 일어나는 방전으로서, 어드레스방전이 종료되면 주사전극(13) 측에 양이온이 축적되고 공통전극(12) 측에 전자가 축적되며, 이로써 주사전극(13)과 공통전극(12) 간의 주방전이 보다 용이하게 된다.
상기 제2유전체층(23)은 방전시 양이온 또는 전자가 어드레스전극(22)에 충돌하여 어드레스전극(22)을 손상시키는 것을 방지하면서도 전하를 유도할 수 있는 유전체로서 형성되는데, 이와 같은 유전체로서는 PbO, B2O3, SiO2 등이 있다.
상기 격벽(100)은 형광체층(25)이 배치되는 영역을 구획하고 방전공간(30)을 구획한다. 도 1에는 격벽(100)이 스트라이프(stripe) 형상으로 형성된 것으로 도시되었으나, 이에 한정되는 것은 아니고, 매트릭스(matrix) 형상, 벌집 형상 등으로 형성될 수도 있다.
도 4를 참조하면, 격벽(100)은 기저부(100b) 및 상기 기저부(100b)의 적어도 상면(100b`)에 형성되어 방전공간(30)에 노출된 CNT층(100a)으로 형성되는데, 도면에 도시되어 있는 제1실시예에서는 기저부(100b)도 CNT층(100a)과 동일한 재료로 형성된다. 상기 격벽(100)의 높이(Lw)는 대략 120~150μm 정도로 형성되는 것이 바람직하며, 이 경우, 방전공간(30)에 노출된 CNT층(100a) 높이(Le)는 대략 10~30μm 가 되는 것이 바람직하다.
CNT층(100a)은 CNT(Carbon NanoTube, 탄소나노튜브)를 포함한 층을 의미하고, CNT는 탄소원자들이 서로 결합하여 환형의 튜브형태를 이루고 있는 물질을 의미한다. 상기 CNT들은 전자방출특성 및 전계집중효과가 뛰어나므로, 방전유지전극쌍(16)에 저전압의 방전유지전압이 인가되더라도 유지방전이 실행될 수 있다.
또한 같은 이유로 인하여, 상기 CNT들은 주사전극(13)과 어드레스전극(22)간의 방전인 어드레스방전도 보다 적은 어드레스전압에 의하여 발생할 수 있도록 한다. 나아가 CNT층이 배치되지 않은 방전공간의 전극에 인가되는 전압과 동일한 어드레스전압 및 방전유지전압을 CNT층(100)이 배치된 방전공간(30)의 전극들에 인가하면, 발광휘도가 향상되는 효과가 있다.
CNT층(100a)은 직접 방전공간에 노출되어 있으므로, 이러한 전자방출특성 및 전계집중효과를 직접적으로 발휘하여 패널의 구동효율을 향상시킨다.
본 실시예에서는, 상기 기저부(100b)가 CNT층(100a)과 동일한 재료로 형성된다. 여기서, 이러한 기저부(100b)는 형광체층(25)에 덮여있으나, 형광체층(25)의 표면과 내부에 많은 미세한 구멍들이 형성되므로 기저부(100b)를 형성하는 CNT에 의한 전계집중효과 및 전자방출효과가 발휘될 수 있다. 즉, 격벽의 측면(100b``)을 통해서도, 전계집중 및 전자방출효과가 발휘될 수 있다.
상기 CNT층(100a)은 불투명하고 재질 자체로써, 광흡수율이 우수한 암색을 띠므로 플라즈마 디스플레이 패널의 외부로부터 입사되는 외광이 상기 CNT층(100a)에 흡수되고, 따라서 플라즈마 디스플레이 패널의 콘트라스트가 향상된다.
도 5를 참조하면, 이러한 격벽(100)은 제2유전체층(23) 상에 CNT 페이스트층(100`)을 적층하고, 격벽패턴과 동일한 패턴을 가진 연마방지용 마스크(26)를 CNT 페이스트층(100`) 상에 도포하고, 샌드블라스팅(P, Sand blasting)을 통해 마스크의 개구부에 대응되는 CNT 페이스트층(100`)을 제거함으로써, 형성될 수 있다. 여기서, CNT 페이스트는 CNT 파우더, 글라스 프릿(glass frit), 비히클(vehicle), 및 바인더 등의 기타 첨가제가 소정의 조성비로 혼합되어 제조될 수 있다. 본 실시예에서는, 격벽(100)의 기저부(100b) 및 CNT층(100a)이 동일한 재료로 형성되므로, 제조공정이 단순화되는 장점이 있다.
CNT층(100a)에 포함된 CNT의 함유량은 0.5 ~ 20wt% 로 제한되는 것이 바람직하다. 이는 CNT의 함유량이 0.5wt% 보다 적은 경우에는 전술한 전자방출특성을 달성하기 어렵기 때문이다. 즉, 도 6에서 볼 수 있듯이, CNT의 함유량이 감소함에 따라 2차전자발생계수는 점차 감소하게 되는데, CNT의 함유량이 0.5%보다 작아지는 경우에는 2차전자발생계수가 급격히 하락하게 되어, 전자방출에 의한 구동효율의 향상을 기대하기 어렵다.
한편, CNT의 함유량이 20wt% 보다 많은 경우는 CNT의 부피분율이 커지기 때문에 재료의 조성이 불안정해지고, 격벽강도가 약화되어 샌드블라스팅 공정에서 격벽이 파손될 우려가 있기 때문이다. 이를 보다 상세히 설명하면, 격벽 페이스트에는 CNT 파우더 등의 분말 상과 이들 분말 상에 혼합되어 있는 바인더를 포함하는데, 분말 상이 과다하게 혼합되면, 샌드블라스팅에서 격벽 강도 약화로 인해 격벽이 파손될 수 있다(도 5 참조).
적어도 제2유전체층(23) 상에는 형광체층(25)이 형성되는데, 보다 구체적으로, 형광체층(25)은 제2유전체층(23) 상에서 격벽(100)의 측면(100b``)에 걸쳐 형성된다. 이러한 형광체층(25)은 적색, 녹색, 청색의 삼색의 형광체층(25)을 포함한다.
상기 방전공간(30)의 내부, 즉 제1패널(10)과 제2패널(20) 사이는 방전가스(주로 Ne-Xe 혼합가스)로 충전되어 있다.
도 7에는 본 발명의 제2실시예가 도시되어 있다. 본 실시예에서도, 격벽(200)은 기저부(200b) 및 상기 기저부(200b)의 상면(200b`)에 형성되어 방전공간(30)에 노출된 CNT층(200a)을 구비한다. 그러나, 제1실시예와 상이하게, 상기 기저부(200b)는 CNT를 포함하지 않는 유리재질로 형성된다. 격벽 측면(200b``)을 통한 전자방출효과 및 전계집중효과는 제1실시예보다 다소 저하될 수 있으나, 상대적으로 고가인 CNT의 재료비 절감이 가능하다.
상기 격벽(200)의 높이(Lw)는 대략 120~150μm 정도로 형성되는 것이 바람직하며, 이 경우, CNT층(200a)의 높이(Le)는 대략 10~30μm 가 되는 것이 바람직하다.
이러한 격벽(200)은 제2유전체층(23) 상에 격벽 페이스트를 적층하고, 그 위에 CNT 페이스트를 적층하여 페이스트층을 형성한 후, 격벽패턴과 동일한 패턴을 가진 연마방지용 마스크를 페이스트층 상에 도포하고, 샌드블라스팅을 통해 마스크의 개구부에 대응되는 페이스트층을 제거함으로써, 형성될 수 있다. 여기서, CNT 페이스트는 CNT 파우더, 글라스 프릿(glass frit), 비히클(vehicle), 및 바인더 등의 기타 첨가제가 소정의 조성비로 혼합되어 구성될 수 있다.
CNT층(200a)에 포함된 CNT의 함유량은 0.5 ~ 20wt%로 제한되는 것이 바람직하다. 이는 CNT의 함유량이 0.5wt% 보다 적은 경우에는 전자방출특성 및 전계집중효과를 달성하기 어렵고, CNT의 함유량이 20wt% 보다 많은 경우는 CNT의 부피분율이 커지기 때문에 재료의 조성이 불안정해지고, 격벽강도가 약화되어 샌드블라스팅 공정에서 격벽이 파손될 우려가 있기 때문이다.
이밖에 다른 부분에 관한 사항은 제1실시예에서 설명된 사항과 사실상 동일하다.
도 8에는 본 발명의 제3실시예가 도시되어 있다. 본 실시예에서도, 격벽(300)은 기저부(300b) 및 적어도 기저부(300b)의 상면(300b`)에 형성되어 방전공간(30)에 노출된 CNT층(300a)을 구비한다. 그러나, 본 실시예에서는, CNT층(300a)이 기저부(300b)의 측면(300b``)에도 형성되어, 기저부(300b)를 덮도록 형성되며, 이러한 CNT층(100a)은 형광체층(25) 및 제2유전체층(23) 사이에 개재되도록 연장형성된다. 여기서, 격벽(300)의 높이(Lw)는 대략 120~150μm 정도로 형성되는 것이 바람직하며, 이 경우, 방전공간(30)에 노출된 CNT층(100a)의 높이(Le)는 대략 10~30μm 가 되는 것이 바람직하다.
이러한 구조는 다음과 같은 공정을 통해 형성될 수 있다. 우선, 제2유전체층 상에 격벽 페이스트를 적층하고, 샌드블라스팅을 통해 패턴을 형성한다. 다음에, 형성된 격벽패턴 및 제2유전체층 상에 스퍼터링을 통해 CNT층을 형성한다.
CNT층(300a)에 포함된 CNT의 함유량은 0.5 ~ 20wt%로 제한되는 것이 바람직하다. 이는 CNT의 함유량이 0.5wt% 보다 적은 경우에는 전자방출특성 및 전계집중효과를 달성하기 어렵고, CNT의 함유량이 20wt% 보다 많은 경우는 격벽의 강도가 약화되기 때문이다.
본 실시예에서는, 기저부(300b)를 둘러싸는 CNT층(300a)을 통해, 전계집중 및 전자방출효과가 달성될 수 있고, 형광체층(25) 및 제2유전체층(23) 사이에 개재된 CNT층(300a)을 통해서도, 상기 전계강화효과를 얻을 수 있다. 이러한 효과를 달성하면서도, 본 실시예에서는, CNT층(300a)이 전면도포됨으로써, CNT층(300a)을 패턴화시킬 필요가 없어 제조공정이 단순화될 수 있다.
또한, 알려진 바와 같이, CNT는 기계적인 강도가 매우 우수한 소재이므로, CNT층(100)이 형광체층(25) 및 제2유전체층(23) 사이에 개재되면, 이온 스퍼터링에 의한 형광체층(25)의 열화를 방지하여 명잔상이나 휘도저하를 방지할 수 있다.
본 발명의 플라즈마 디스플레이 패널에 의하면, 다음과 같은 효과가 달성될 수 있다.
첫째, CNT는 전자방출특성 및 전계집중효과가 우수한 소재이므로, 격벽의 전부 또는 일부를 CNT층으로 형성하면, 방전유지전압 및 어드레스전압을 저하시키는바, 플라즈마 디스플레이 패널의 구동효율이 향상되고, 휘도특성이 개선된다.
둘째, CNT는 재질 자체로써 저명도의 암색을 띠므로 플라즈마 디스플레이 패널의 외부로부터 입사되는 외광이 CNT층에 흡수되고, 따라서 패널의 콘트라스트가 향상된다.
셋째, CNT는 기계적인 강도가 매우 우수한 소재이므로, 격벽 강도가 향상되며, 특히, 이온 스퍼터링에 의한 형광체층의 열화를 방지하여 명잔상이나 휘도저하를 방지할 수 있다.
본 발명은 첨부된 도면에 도시된 실시예를 참고로 설명되었으나, 이는 예시적인 것에 불과하며, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 균등한 타 실시예가 가능하다는 점을 이해할 수 있을 것이다. 따라서 본 발명의 진정한 보호 범위는 첨부된 특허청구범위에 의해서 정해져야 할 것이다.
도 1은 종래 플라즈마 디스플레이 패널의 구조를 도시한 단면도.
도 2는 일반적인 플라즈마 디스플레이 패널의 구동신호를 도시한 도면.
도 3은 본 발명의 제1실시예에 따른 플라즈마 디스플레이 패널을 도시한 분해사시도.
도 4는 도 3의 플라즈마 디스플레이 패널을 도시한 단면도.
도 5는 도 4에 도시한 플라즈마 디스플레이 패널의 샌드블라스팅 공정을 개략적으로 보인 단면도.
도 6은 CNT의 함유량에 따른 2차전자발생계수의 프로파일을 도시한 도면.
도 7은 본 발명의 제2실시예에 따른 플라즈마 디스플레이 패널을 도시한 단면도.
도 8은 본 발명의 제3실시예에 따른 플라즈마 디스플레이 패널을 도시한 단면도.
<도면의 주요부분에 대한 부호의 설명>
10...제1패널 11...제1기판
12...주사전극 13...공통전극
12a,13a...투명전극 12b,13b...버스전극
14...제1유전체층 15...보호층
16...방전유지전극쌍 20...제2패널
21...제2기판 22...어드레스전극
23...제2유전체층 25...형광체층
100...격벽 100a,200a,300a...CNT층
100b,200b,300b...기저부

Claims (7)

  1. 제1기판;
    상기 제1기판과 대향되게 배치되어 방전공간을 한정하는 제2기판;
    상기 제1기판 및 제2기판 사이에 배치되고, 기저부, 및 적어도 상기 기저부의 상면에 형성되어 방전공간으로 노출된 CNT층을 포함하는 격벽;
    상기 제1기판의 하측에 배치된 방전유지전극쌍들;
    상기 방전유지전극쌍과 교차하도록 연장된 어드레스전극들;
    상기 방전유지전극쌍들 및 어드레스전극들을 각각 덮는 제1유전체층 및 제2유전체층;
    적어도 제2유전체층의 상측에 배치된 형광체층; 및
    상기 방전공간에 봉입된 방전가스;를 구비한 플라즈마 디스플레이 패널.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 CNT층에는 CNT가 0.5 내지 20 wt% 포함된 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널.
  3. 제1항에 있어서, 상기 방전유지전극쌍은 상기 제1기판의 하면에 형성되고, 보호층(MgO)이 상기 제1유전체층을 덮도록 형성되며,
    상기 어드레스전극은 상기 제2기판 상면에 형성되며, 상기 격벽은 상기 제2유전체층 상에 형성되며, 상기 형광체층은 적어도 제2유전체층 상에 배치된 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널.
  4. 제1항에 있어서, 상기 격벽의 기저부는 상기 CNT층의 재료와 동일한 재료로 형성된 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널.
  5. 제1항에 있어서, 상기 기저부의 측면에도 CNT층이 형성된 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널.
  6. 상기 형광체층과 제2유전체층 사이에도 CNT층이 형성된 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널.
  7. 제1항에 있어서, 상기 기저부 상면에 형성된 CNT층의 높이는 10μm 내지 30μm 인 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널.
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