KR20050104800A - Liquid crystal display panel and method for fabricating the same - Google Patents

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Abstract

본 발명의 액정표시패널 및 그 제조방법은 패드부의 어레이 기판에 광차단막을 형성함으로써 고휘도의 백라이트 광원에 의한 칩-온-글라스(chip on glass) 칩에 발생하는 광누설전류(photo leakage current)를 차단하기 위한 것으로, 화소부와 게이트패드부 및 데이터패드부로 구분되는 제 1 기판; 상기 제 1 기판의 화소부에 형성된 복수개의 박막 트랜지스터; 상기 각각의 게이트패드부 및 데이터패드부에 접속되는 칩-온-글라스 칩을 포함하는 구동회로부; 상기 각각의 게이트패드부 및 데이터패드부에 형성되어 하부의 백라이트 광원이 상기 칩-온-글라스 칩으로 조사되는 것을 차단하는 게이트패드부 광차단막 및 데이터패드부 광차단막; 및 상기 제 1 기판과 합착되는 제 2 기판을 포함한다.The liquid crystal display panel of the present invention and a method of manufacturing the same by forming a light blocking film on the array substrate of the pad portion to prevent photo leakage current (chip leakage) generated in the chip on glass (chip on glass) chip by a high brightness backlight light source A first substrate divided into a pixel portion, a gate pad portion, and a data pad portion; A plurality of thin film transistors formed in the pixel portion of the first substrate; A driving circuit unit including a chip-on-glass chip connected to each of the gate pad unit and the data pad unit; A gate pad light blocking film and a data pad light blocking film formed on each of the gate pad part and the data pad part to block a lower backlight light source from being irradiated onto the chip-on-glass chip; And a second substrate bonded to the first substrate.

Description

액정표시패널 및 그 제조방법{LIQUID CRYSTAL DISPLAY PANEL AND METHOD FOR FABRICATING THE SAME}Liquid crystal display panel and its manufacturing method {LIQUID CRYSTAL DISPLAY PANEL AND METHOD FOR FABRICATING THE SAME}

본 발명은 액정표시패널 및 그 제조방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 패드부의 어레이 기판에 광차단막을 형성하여 백라이트의 광원을 차단함으로써 광누설전류에 의한 칩-온-글라스(Chip On Glass; COG) 칩(chip) 회로의 오동작을 방지할 수 있는 액정표시패널 및 그 제조방법에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a liquid crystal display panel and a method of manufacturing the same, and more particularly, to form a light blocking film on an array substrate of a pad part to block a light source of a backlight, thereby providing a chip on glass (COG) by a light leakage current. The present invention relates to a liquid crystal display panel capable of preventing malfunction of a chip circuit and a method of manufacturing the same.

최근, 정보화 사회에서 디스플레이(display)는 시각정보 전달매체로서 그 중요성이 더 한층 강조되고 있으며, 향후 주요한 위치를 점하기 위해서는 저소비전력화, 박형화, 경량화, 고화질화 등의 요건을 충족시켜야 한다.Recently, the importance of the display (display) in the information society as a visual information transmission medium is further emphasized, and in order to occupy a major position in the future, it is necessary to meet the requirements of low power consumption, thinning, light weight, high quality.

일반적으로, 화상정보를 화면에 나타내는 화상표시장치들 중에서, 박막형 평판표시장치(Flat Panel Display; FPD)는 가볍고, 어느 장소에든지 쉽게 사용할 수 있다는 장점 때문에 근래에 집중적으로 개발되고 있다. 특히, 이러한 평판표시장치 중 액정표시장치(Liquid Crystal Display; LCD)는 액정의 광학적 이방성을 이용하여 이미지를 표현하는 장치로서, 해상도와 컬러표시 및 화질 등에서 우수하여 노트북이나 데스크탑 모니터 등에 활발하게 적용되고 있다.In general, among image display apparatuses displaying image information on a screen, a thin film flat panel display (FPD) has been developed intensively in recent years because of its advantages of being light and easily used in any place. In particular, the liquid crystal display (LCD) of the flat panel display device is an image representing the image using the optical anisotropy of the liquid crystal, is excellent in resolution, color display and image quality, and is actively applied to notebooks or desktop monitors have.

이하, 일반적인 액정표시장치에 대해서 자세히 살펴본다.Hereinafter, a general liquid crystal display device will be described in detail.

액정표시장치는 서로 대향하는 어레이(array) 기판과 컬러필터(color filter) 기판이 일정한 셀갭을 갖도록 합착되어 그 셀갭에 액정층이 형성된 액정표시패널(liquid crystal display panel)과 상기 액정표시패널을 구동시키기 위한 구동회로부 및 상기 패널에 광을 공급하기 위한 백라이트 유닛(backlight unit)으로 구성된다.The liquid crystal display device drives the liquid crystal display panel and the liquid crystal display panel where the array substrate and the color filter substrate facing each other are bonded to each other to have a constant cell gap, and a liquid crystal layer is formed in the cell gap. And a backlight unit for supplying light to the panel.

이때, 상기 컬러필터 기판 위에는 화소들의 위치(즉, 화소영역)에 색상을 구현하는 적색, 녹색, 청색의 컬러필터가 반복적으로 배치되어 있으며, 상기 컬러필터 사이에는 액정층을 투과하는 광을 차단하는 블랙매트릭스(black matrix)가 그물 모양으로 형성되어 있다. 그리고, 상기 컬러필터 위에는 상기 액정층에 전압을 인가하는 투명한 공통전극이 형성되어 있다.In this case, red, green, and blue color filters repeatedly implementing colors are disposed on the color filter substrates (that is, the pixel areas), and the light passing through the liquid crystal layer is blocked between the color filters. The black matrix is formed in a mesh shape. In addition, a transparent common electrode for applying a voltage to the liquid crystal layer is formed on the color filter.

또한, 상기 어레이 기판 위에는 복수개의 게이트라인과 데이터라인이 종횡으로 배열되어 복수개의 화소영역을 정의하며, 상기 각각의 화소영역에는 화소전극이 형성되어 있다. 또한, 상기 화소들의 일부 영역에는 상기 화소전극을 구동하기 위한 박막 트랜지스터(Thin Film Transistor; TFT)가 형성되어 있다.In addition, a plurality of gate lines and data lines are vertically and horizontally arranged on the array substrate to define a plurality of pixel regions, and pixel electrodes are formed in each pixel region. In addition, a thin film transistor (TFT) for driving the pixel electrode is formed in a portion of the pixels.

그리고, 상기 게이트라인들과 데이터라인들의 일측 끝단에는 게이트패드부와 데이터패드부가 형성되어 있다.A gate pad portion and a data pad portion are formed at one end of the gate lines and the data lines.

상기한 바와 같이 구성되는 액정표시패널을 구동시키기 위하여 구동회로부가 액정표시패널과 결합되는데, 상기 구동회로부는 게이트 구동회로부와 데이터 구동회로부로 구분된다.The driving circuit unit is combined with the liquid crystal display panel to drive the liquid crystal display panel configured as described above. The driving circuit unit is divided into a gate driving circuit unit and a data driving circuit unit.

상기 게이트 구동회로부는 다수개의 집적회로(Integrated Circuit; IC) 칩(chip)으로 구성되어 상기 게이트패드부에 주사신호를 인가하고, 상기 데이터 구동회로부도 마찬가지로 다수개의 집적회로 칩으로 구성되어 상기 데이터패드부에 화상정보를 인가한다.The gate driving circuit part is composed of a plurality of integrated circuit (IC) chips to apply a scan signal to the gate pad part, and the data driving circuit part is also composed of a plurality of integrated circuit chips. Image information is applied to the unit.

이하, 상기 구동 집적회로 칩들을 직접 패드부 상에 실장하는 칩-온-글라스방식의 액정표시패널을 첨부한 도면을 참조하여 상세히 설명한다.Hereinafter, a chip-on-glass type liquid crystal display panel in which the driving integrated circuit chips are directly mounted on a pad unit will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

도 1은 일반적인 칩-온-글라스방식의 액정표시패널의 일부를 개략적으로 나타내는 평면도이다.1 is a plan view schematically illustrating a part of a general chip-on-glass type liquid crystal display panel.

도면에 도시된 바와 같이, 서로 대향하는 어레이 기판(10)과 컬러필터 기판(20)은 일정한 셀갭을 갖도록 합착되고 상기 셀갭에 액정층(미도시)이 형성되어 액정표시패널을 이루고 있다. 이때, 상기 어레이 기판(10) 위에는 종횡으로 배열되어 복수개의 화상영역을 정의하는 복수개의 게이트라인(16)과 데이터라인(17)이 형성되어 있으며, 상기 어레이 기판(10)의 외곽영역에는 복수개의 구동(driving) 집적회로 칩(40, 41)이 실장되어 있다. 또한, 상기 구동 집적회로 칩(40, 41)들에 각종 제어신호, 구동전압 또는 화상정보를 공급하는 인쇄회로기판(Printed Circuit Board; PCB)(50)들이 상기 어레이 기판(10)의 구동 집적회로 칩(40, 41)들에 연결되어 있다.As shown in the drawing, the array substrate 10 and the color filter substrate 20 facing each other are bonded to have a constant cell gap, and a liquid crystal layer (not shown) is formed in the cell gap to form a liquid crystal display panel. In this case, a plurality of gate lines 16 and data lines 17 are formed on the array substrate 10 to be arranged laterally and horizontally to define a plurality of image regions, and a plurality of gate lines 16 and an outer region of the array substrate 10 are formed. Driving integrated circuit chips 40 and 41 are mounted. In addition, printed circuit boards (PCBs) 50 which supply various control signals, driving voltages, or image information to the driving integrated circuit chips 40 and 41 are driven integrated circuits of the array substrate 10. It is connected to the chips 40 and 41.

이때, 상기 어레이 기판(10)과 컬러필터 기판(20)이 합착할 때 상기 어레이 기판(10)의 외곽영역이 외부에 노출되는데, 상기 노출영역을 패드부(45)라 한다.In this case, when the array substrate 10 and the color filter substrate 20 are bonded together, an outer region of the array substrate 10 is exposed to the outside, and the exposed region is referred to as a pad portion 45.

한편, 상기 데이터라인(17)들은 패드부(45)에 실장된 데이터 구동 집적회로 칩(41)과 전기적으로 접속되며, 마찬가지로 상기 게이트라인(16)들은 패드부(45)에 실장된 게이트 구동 집적회로 칩(40)과 전기적으로 접속된다.On the other hand, the data lines 17 are electrically connected to the data driving integrated circuit chip 41 mounted on the pad part 45, and the gate lines 16 are similarly integrated with the gate driving integrated on the pad part 45. It is electrically connected to the circuit chip 40.

또한, 상기 액정표시패널의 외곽에 구비되는 인쇄회로기판(50)들은 연성회로기판(Flexible Printed Circuit: FPC)(55)을 통해 상기 데이터 구동 집적회로 칩(41) 및 게이트 구동 집적회로 칩(40)과 전기적으로 연결된다. 상기 인쇄회로기판(50)들은 커넥터(51)를 통해 외부 데이터를 공급받아 액정표시패널의 구동을 위한 신호들로 가공하여, 상기 데이터 구동 집적회로 칩(41)에 화상정보를 공급하고 상기 게이트 구동 집적회로 칩(40)에는 제어신호들 및 구동전압들을 공급한다.In addition, the printed circuit boards 50 provided on the outer side of the liquid crystal display panel are connected to the data driving integrated circuit chip 41 and the gate driving integrated circuit chip 40 through a flexible printed circuit (FPC) 55. ) Is electrically connected. The printed circuit boards 50 receive external data through the connector 51 and process the signals into signals for driving the liquid crystal display panel to supply image information to the data driver integrated circuit chip 41 and drive the gate. The integrated circuit chip 40 supplies control signals and driving voltages.

한편, 도면에는 도시하지 않았지만, 상기 게이트 구동 집적회로 칩(40) 및 데이터 구동 집적회로 칩(41)이 실장된 패드부(45)에는 입력패드 및 출력패드가 형성되어 상기 게이트 구동 집적회로 칩(40) 및 데이터 구동 집적회로 칩(41)의 입력단자 및 출력단자가 각각 대응하여 접속된다.Although not shown in the drawing, an input pad and an output pad are formed in the pad part 45 on which the gate driving integrated circuit chip 40 and the data driving integrated circuit chip 41 are mounted to form the gate driving integrated circuit chip ( 40 and the input terminal and the output terminal of the data driving integrated circuit chip 41 are respectively connected correspondingly.

이때, 각종 회로(미도시)가 존재하는 상기 패드부(45)의 게이트 구동 집적회로 칩(40) 및 데이터 구동 집적회로 칩(41) 하단부 표면에는 일반적으로 투명한 보호막(미도시)이 형성되어 있는데, 액정표시패널의 배면에 설치된 백라이트 유닛으로부터 방출된 광원이 상기 게이트 구동 집적회로 칩(40) 및 데이터 구동 집적회로 칩(41)의 회로부가 존재하는 하단부로 입사하게 되어 상기 회로부에 영향을 미치게 된다. 특히, 고휘도 백라이트를 사용하게 될 경우에는 이로 인해 광누설전류(photo leakage current)에 의한 구동 집적회로 칩(40, 41) 회로부의 오동작이 발생할 수 있는 문제점이 있다.In this case, a transparent protective film (not shown) is generally formed on the surfaces of the lower portion of the gate driving integrated circuit chip 40 and the data driving integrated circuit chip 41 of the pad part 45 where various circuits (not shown) exist. The light source emitted from the backlight unit provided on the rear surface of the liquid crystal display panel is incident on the lower end of the circuit portion of the gate driving integrated circuit chip 40 and the data driving integrated circuit chip 41, thereby affecting the circuit portion. . In particular, when a high brightness backlight is used, there is a problem that a malfunction of the circuit portion of the driving integrated circuit chips 40 and 41 due to photo leakage current may occur.

본 발명은 상기한 문제를 해결하기 위한 것으로, 고휘도 액정표시패널의 개발시 백라이트의 광세기가 증가함으로써 발생할 수 있는 광누설전류에 의한 집적회로 칩 자체의 오동작을 방지할 수 있는 액정표시패널 및 그 제조방법을 제공하는데 목적이 있다.SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made to solve the above problems, and the liquid crystal display panel which can prevent the malfunction of the integrated circuit chip itself due to the light leakage current which may occur due to the increase in the light intensity of the backlight in the development of the high brightness liquid crystal display panel and its It is an object to provide a manufacturing method.

본 발명의 다른 목적 및 특징들은 후술되는 발명의 구성 및 특허청구범위에서 설명될 것이다.Other objects and features of the present invention will be described in the configuration and claims of the invention described below.

상기한 목적을 달성하기 위하여, 본 발명의 액정표시패널은 화소부와 게이트패드부 및 데이터패드부로 구분되는 제 1 기판, 상기 제 1 기판의 화소부에 형성된 복수개의 박막 트랜지스터, 상기 각각의 게이트패드부 및 데이터패드부에 접속되는 칩-온-글라스 칩을 포함하는 구동회로부, 상기 각각의 게이트패드부 및 데이터패드부에 형성되어 하부의 백라이트 광원이 상기 칩-온-글라스 칩으로 조사되는 것을 차단하는 게이트패드부 광차단막 및 데이터패드부 광차단막 및 상기 제 1 기판과 합착되는 제 2 기판을 포함한다.In order to achieve the above object, a liquid crystal display panel according to the present invention includes a first substrate divided into a pixel portion, a gate pad portion, and a data pad portion, a plurality of thin film transistors formed on the pixel portion of the first substrate, and the respective gate pads. A driving circuit unit including a chip-on-glass chip connected to the unit and the data pad unit, and formed in each of the gate pad unit and the data pad unit to block a lower backlight light source from being irradiated to the chip-on-glass chip. And a gate pad part light blocking film, a data pad part light blocking film, and a second substrate bonded to the first substrate.

또한, 본 발명의 액정표시패널의 제조방법은 화소부와 게이트패드부 및 데이터패드부로 구분되는 제 1 기판을 제공하는 단계, 상기 제 1 기판의 화소부에 게이트전극 및 게이트라인을 형성하며, 상기 제 1 기판의 게이트패드부에 게이트패드 배선을 형성하고 데이터패드부에 데이터패드부 광차단막을 형성하는 단계, 상기 제 1 기판 위에 제 1 절연막을 형성하는 단계, 상기 제 1 기판의 화소부에 실리콘층 및 n+ 실리콘층으로 액티브패턴을 형성하는 단계, 상기 제 1 기판의 화소부에 데이터라인 및 소오스/드레인전극을 형성하며, 상기 제 1 기판의 게이트패드부에 게이트패드부 광차단막을 형성하고 데이터패드부에 데이터패드 배선을 형성하는 단계, 상기 제 1 기판 위에 상기 드레인전극의 일부를 노출시키는 화소부 콘택홀 및 상기 각각의 게이트패드 배선과 데이터패드 배선의 일부를 노출시키는 패드부 콘택홀이 형성되어 있는 제 2 절연막을 형성하는 단계, 상기 화소부 콘택홀을 통해 드레인전극과 접속하는 화소전극을 형성하며, 상기 각각의 패드부 콘택홀을 통해 게이트패드 배선에 접속하는 게이트패드전극을 형성하고 데이터패드 배선에 접속하는 데이터패드전극을 형성하는 단계, 상기 각각의 게이트패드부 및 데이트패드부에 칩-온-글라스방식의 집적회로 칩을 포함하여 게이트 구동회로부 및 데이터 구동회로부를 실장하는 단계 및 상기 제 1 기판과 컬러필터 기판인 제 2 기판을 합착하는 단계를 포함한다.In addition, the manufacturing method of the liquid crystal display panel of the present invention comprises the steps of providing a first substrate divided into a pixel portion, a gate pad portion and a data pad portion, forming a gate electrode and a gate line in the pixel portion of the first substrate, Forming a gate pad wiring on a gate pad of the first substrate and forming a light blocking film of the data pad on the data pad, forming a first insulating film on the first substrate, and forming silicon on the pixel of the first substrate. Forming an active pattern with a layer and an n + silicon layer, forming a data line and a source / drain electrode in a pixel portion of the first substrate, and forming a gate pad portion light blocking film in a gate pad portion of the first substrate and Forming a data pad line in a pad portion, a pixel portion contact hole exposing a portion of the drain electrode on the first substrate, and the gate pad Forming a second insulating film having a pad portion contact hole exposing a line and a portion of the data pad wiring, forming a pixel electrode connected to the drain electrode through the pixel portion contact hole, and forming each of the pad portion contact holes Forming a gate pad electrode to be connected to the gate pad wiring through the data and forming a data pad electrode to be connected to the data pad wiring; and forming a chip-on-glass integrated circuit chip in each of the gate pad portion and the data pad portion. And mounting the gate driving circuit part and the data driving circuit part, and bonding the first substrate and the second substrate which is a color filter substrate.

이때, 상기 각각의 게이트패드부 광차단막 및 데이터패드부 광차단막은 상부의 게이트 구동 집적회로 칩 및 데이터 구동 집적회로 칩보다 폭을 넓게 패터닝하여 형성할 수 있다.In this case, each of the gate pad part light blocking film and the data pad part light blocking film may be formed by patterning a width wider than an upper gate driving integrated circuit chip and a data driving integrated circuit chip.

또한, 상기 게이트패드부 광차단막 및 데이터패드부 광차단막은 불투명한 도전성 금속물질로 형성할 수 있다.The gate pad light blocking film and the data pad light blocking film may be formed of an opaque conductive metal material.

또한, 본 발명의 액정표시패널의 다른 제조방법은 화소부와 게이트패드부 및 데이터패드부로 구분되는 제 1 기판을 제공하는 단계, 상기 제 1 기판의 화소부에 박막 트랜지스터를 형성하는 단계, 상기 게이트패드부에 상기 화소부 박막 트랜지스터의 데이터 메탈층을 이용 패터닝하여 게이트패드부 광차단막을 형성하며, 상기 데이터패드부에 상기 화소부 박막 트랜지스터의 게이트 메탈층을 이용 패터닝하여 데이터패드부 광차단막을 형성하는 단계, 상기 각각의 게이트패드부 및 데이터패드부에 칩-온-글라스 칩을 포함하는 구동회로부를 실장하는 단계 및 상기 제 1 기판과 컬러필터 기판인 제 2 기판을 합착하는 단계를 포함한다.In addition, another method of manufacturing a liquid crystal display panel according to the present invention includes providing a first substrate divided into a pixel portion, a gate pad portion, and a data pad portion, forming a thin film transistor on the pixel portion of the first substrate, and the gate. A gate pad portion light blocking layer is formed by patterning the data metal layer of the pixel portion thin film transistor on the pad portion, and a data pad portion light blocking layer is formed by patterning the gate metal layer of the pixel portion thin film transistor on the data pad portion. And mounting a driving circuit unit including a chip-on-glass chip to each of the gate pad unit and the data pad unit, and bonding the first substrate to a second substrate, which is a color filter substrate.

이하, 첨부한 도면을 참조하여 본 발명에 따른 액정표시패널 및 그 제조방법의 바람직한 실시예를 자세히 설명한다. Hereinafter, exemplary embodiments of a liquid crystal display panel and a method of manufacturing the same according to the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

전술한 바와 같이 액정표시패널은 크게 구동회로부를 포함하는 어레이 기판과 컬러필터 기판 및 상기 어레이 기판과 컬러필터 기판 사이에 형성된 액정층으로 이루어져 있다.As described above, the liquid crystal display panel is largely composed of an array substrate and a color filter substrate including a driving circuit unit, and a liquid crystal layer formed between the array substrate and the color filter substrate.

이때, 상기 어레이 기판의 일측 장(長)변과 일측 단(短)변은 컬러필터 기판에 비해 돌출하여 액정표시패널을 구동시키기 위한 구동회로부가 위치하며, 특히 상기 어레이 기판의 돌출된 일측 단변에는 게이트패드부가 형성되고 돌출된 일측 장변에는 데이터패드부가 형성된다.In this case, one side of the long side and one side of the array substrate protrude relative to the color filter substrate so that a driving circuit unit for driving the liquid crystal display panel is located. Particularly, one side of the array substrate protrudes from one side of the array substrate. The gate pad part is formed and a data pad part is formed at one side of the protruding side.

또한, 상기 게이트패드부는 게이트 구동회로부로부터 공급되는 주사신호를 각 화소영역의 게이트라인에 공급하고, 상기 데이터패드부는 데이터 구동회로부로부터 공급되는 화상정보를 화소영역의 데이터라인에 공급한다.The gate pad unit supplies a scan signal supplied from the gate driver circuit unit to the gate line of each pixel region, and the data pad unit supplies image information supplied from the data driver circuit unit to the data line of the pixel region.

상기 게이트 구동회로부는 다수개의 집적회로 칩으로 구성되어 상기 게이트패드부에 주사신호를 인가하고, 상기 데이터 구동회로부도 마찬가지로 다수개의 집적회로 칩으로 구성되어 상기 데이터패드부에 화상정보를 인가한다.The gate driver circuit part is composed of a plurality of integrated circuit chips to apply a scan signal to the gate pad part, and the data driver circuit part is also composed of a plurality of integrated circuit chips to apply image information to the data pad part.

일반적으로, 상기 데이터 구동 집적회로 칩들과 게이트 구동 집적회로 칩들을 패드부에 연결하는 방법은 크게 두 가지로 구분되는데, 테이프 캐리어 패키지 상에 구동 집적회로 칩을 실장하여 상기 테이프 캐리어 패키지를 패드부에 접속하는 탭(Tape Automated Bonding; TAB)방식 및 상기 구동 집적회로 칩들을 직접 패드부 상에 실장하는 칩-온-글라스방식이 있다.In general, there are two methods for connecting the data driver integrated circuit chips and the gate driver integrated circuit chips to the pad unit. The tape carrier package may be mounted on the tape carrier package by mounting the driver integrated circuit chip on the pad unit. There is a tab automated bonding (TAB) method and a chip-on-glass method in which the driving integrated circuit chips are directly mounted on a pad part.

상기 탭방식과 칩-온-글라스 방식 중 칩-온-글라스방식은 상기 탭방식에서와 같은 테이프 캐리어 패키지를 필요로 하지 않고 직접 집적회로 칩을 패드부에 실장하게 되므로, 제조비용이 절감되는 동시에 부품의 수를 줄이게되어 액정표시패널을 더 가볍게 제작할 수 있다.Among the tap method and the chip-on-glass method, the chip-on-glass method does not require a tape carrier package as in the tap method, and directly mounts an integrated circuit chip to a pad part, thereby reducing manufacturing costs. By reducing the number of parts, the liquid crystal display panel can be made lighter.

한편, 본 발명은 상기와 같은 칩-온-글라스방식의 액정표시패널에서, 어레이 기판의 화소부에 박막 트랜지스터를 형성시 별도의 공정을 거치지 않고 데이터패드부에는 게이트 메탈층을 게이트패드부에는 데이터 메탈층을 이용 패터닝하여 광차단막을 형성함으로써 백라이트 광원이 상기 칩-온-글라스 칩 하단부에 조사되지 않게 하여 광누설전류에 따른 회로부 소자의 오동작을 방지할 수 있게된다.Meanwhile, in the chip-on-glass type liquid crystal display panel as described above, a gate metal layer is formed on the data pad portion and data is formed on the gate pad portion without a separate process when forming a thin film transistor on the pixel portion of the array substrate. By forming a light blocking film by patterning the metal layer, a backlight light source is not irradiated to the lower end of the chip-on-glass chip, thereby preventing malfunction of the circuit unit due to the light leakage current.

도 2a 및 도 2b는 본 발명의 실시예에 따른 액정표시패널의 게이트패드부 및 데이터패드부의 일부를 개략적으로 나타내는 단면도로써, 상기 패드부에 접속된 집적회로 칩의 일부와 함께 나타내고 있다.2A and 2B are cross-sectional views schematically illustrating a portion of a gate pad portion and a data pad portion of a liquid crystal display panel according to an exemplary embodiment of the present invention, together with a portion of an integrated circuit chip connected to the pad portion.

먼저, 도 2a는 게이트패드부와 이에 접속하는 게이트 구동회로 칩의 일부를 개략적으로 나타내는 단면도로써, 도면에 도시된 바와 같이, 게이트패드부의 각 게이트패드전극(121P)은 게이트 구동회로 칩(141)과 범프(bump)(142)를 통해 전기적으로 접속되게 된다.First, FIG. 2A is a cross-sectional view schematically illustrating a portion of a gate pad portion and a gate driving circuit chip connected thereto. As illustrated in the drawing, each gate pad electrode 121P of the gate pad portion is a gate driving circuit chip 141. And are electrically connected through a bump 142.

이때, 상기 게이트 구동회로 칩(141)의 범프(142)에 접속되는 게이트패드전극(121P)은 어레이 기판(110)에 형성된 게이트패드 배선(116P)과 패드부 콘택홀을 통해 전기적으로 접속되며, 상기 게이트패드전극(121P) 사이에는 하부 백라이트(미도시)로부터 입사되는 광원을 차단하기 위한 게이트패드부 광차단막(171)이 형성되어 있다.In this case, the gate pad electrode 121P connected to the bump 142 of the gate driving circuit chip 141 is electrically connected to the gate pad wiring 116P formed on the array substrate 110 through a pad contact hole. A gate pad portion light blocking layer 171 is formed between the gate pad electrodes 121P to block a light source incident from a lower backlight (not shown).

상기 게이트패드부 광차단막(171)은 어레이 기판(110)의 화소부에 박막 트랜지스터를 형성하는 과정에서 불투명한 게이트 메탈층을 패터닝하여 형성함으로써 추가적인 마스크공정이 필요 없으며, 상기 게이트 구동회로 칩(141)보다 크게 패터닝하여 형성함으로써 상기 게이트 구동회로 칩(141)의 하단부에 형성된 각종 회로(미도시)에 백라이트 광원이 조사되지 않도록 할 수 있다.The gate pad part light blocking layer 171 is formed by patterning an opaque gate metal layer in the process of forming a thin film transistor in the pixel portion of the array substrate 110, and thus does not require an additional mask process, and the gate driving circuit chip 141. By forming a pattern larger than), the backlight light source may not be irradiated to various circuits (not shown) formed at the lower end of the gate driving circuit chip 141.

또한, 도 2b는 데이터패드부와 이에 접속하는 데이터 구동회로 칩의 일부를 나타내는 단면도로써, 전술한 게이트패드부의 구성과 같이 데이터패드부의 각 데이터패드전극(122P)은 데이터 구동회로 칩(140)과 범프(142)를 통해 전기적으로 접속되게 된다.2B is a cross-sectional view illustrating a data pad part and a portion of a data driving circuit chip connected thereto. As shown in the gate pad part, each data pad electrode 122P of the data pad part includes a data driving circuit chip 140. It is electrically connected through the bump 142.

이때, 상기 데이터 구동회로 칩(140)의 범프(142)에 접속되는 데이터패드전극(122P)은 어레이 기판(110)에 형성된 데이터패드 배선(117P)과 패드부 콘택홀을 통해 전기적으로 접속되며, 상기 데이터패드 배선(117P) 하부에는 하부 백라이트로부터 입사되는 광원을 차단하기 위한 데이터패드부 광차단막(170)이 형성되어 있다.In this case, the data pad electrode 122P connected to the bump 142 of the data driving circuit chip 140 is electrically connected to the data pad wiring 117P formed on the array substrate 110 through a pad contact hole. The data pad part light blocking layer 170 is formed below the data pad line 117P to block a light source incident from the lower backlight.

상기 데이터패드부 광차단막(170)은 어레이 기판(110)의 화소부에 박막 트랜지스터를 형성하는 과정에서 불투명한 데이터 메탈층을 패터닝하여 형성함으로써 역시 추가적인 마스크공정이 필요 없으며, 상기 데이터 구동회로 칩(140) 하단부의 각종 회로(미도시)에 백라이트 광원이 조사되지 않도록 상기 데이터 구동회로 칩(140)보다 크게 패터닝하여 형성하게 된다.The data pad part light blocking film 170 is formed by patterning an opaque data metal layer in the process of forming a thin film transistor in the pixel portion of the array substrate 110, and thus does not require an additional mask process. 140 is formed by patterning larger than the data driving circuit chip 140 so that the backlight light source is not irradiated to the various circuits (not shown) of the lower end.

상기와 같이 패드부에 형성된 광차단막은 하부 백라이트 광원이 칩-온-글라스 칩 하단의 회로부로 직접 조사되는 것을 막음으로써 고휘도 백라이트 사용시 발생하는 광누설전류에 의한 칩-온-글라스 칩의 회로(回路)적 오동작을 방지할 수 있게 된다.As described above, the light blocking film formed on the pad part prevents the lower backlight light source from directly radiating to the circuit part under the chip-on-glass chip, thereby preventing the chip-on-glass chip from the circuit due to the light leakage current generated when the high brightness backlight is used. The malfunction can be prevented.

이하, 상기와 같이 구성되는 본 발명의 광차단막을 액정표시패널의 제조공정을 통해 상세히 설명한다.Hereinafter, the light blocking film of the present invention configured as described above will be described in detail through the manufacturing process of the liquid crystal display panel.

도 3a 내지 도 3f는 본 발명의 실시예에 따른 액정표시패널의 어레이 기판의 제조공정을 순차적으로 나타내는 단면도로써, 좌측에는 화소부의 어레이 기판을 제조하는 공정을 우측에는 게이트패드부와 데이터패드부의 어레이 기판을 제조하는 공정을 함께 나타내고 있다.3A through 3F are cross-sectional views sequentially illustrating a manufacturing process of an array substrate of a liquid crystal display panel according to an exemplary embodiment of the present invention, and a process of manufacturing an array substrate of a pixel unit on the left side and an array of a gate pad unit and a data pad unit on the right side. The process of manufacturing a board | substrate is shown together.

먼저, 도 3a에 도시된 바와 같이, 유리와 같은 투명한 절연물질로 이루어진 기판(110)의 화소부에 게이트전극(121)을 형성하는 동시에 게이트패드부에 게이트패드 배선(116P)을 형성하고 데이터패드부에 데이터패드부 광차단막(170)을 형성한다. 상기 게이트전극(121)과 게이트패드 배선(116P) 및 데이터패드부 광차단막(170)은 알루미늄(aluminium; Al), 알루미늄 합금, 텅스텐(tungsten; W), 구리(copper; Cu), 크롬(chromium; Cr), 몰리브덴(molybdenum; Mo) 등과 같은 불투명한 도전성 금속물질을 증착한 후, 포토리소그래피공정을 이용하여 상기 도전성 금속물질을 패터닝함으로써 형성할 수 있다.First, as shown in FIG. 3A, the gate electrode 121 is formed on the pixel portion of the substrate 110 made of a transparent insulating material such as glass, and the gate pad wiring 116P is formed on the gate pad portion. The data pad part light blocking film 170 is formed in the portion. The gate electrode 121, the gate pad wiring 116P, and the data pad part light blocking film 170 may include aluminum (Al), aluminum alloy, tungsten (W), copper (Cu), and chromium (chromium). It may be formed by depositing an opaque conductive metal material such as Cr), molybdenum (Mo) and the like, and then patterning the conductive metal material using a photolithography process.

한편, 상기 데이터패드부 광차단막(170)은 불투명한 게이트 배선(121, 116P)으로 구성되어 데이터 구동 집적회로(미도시) 칩의 하단부로 백라이트 광원이 조사되는 것을 방지하는 역할을 하게 된다.On the other hand, the data pad part light blocking film 170 is composed of opaque gate lines 121 and 116P to prevent the backlight light source from being irradiated to the lower end of the data driving integrated circuit (not shown) chip.

이때, 도면에는 도시하지 않았지만, 화소부의 어레이 기판(110)에 게이트전극(121)을 형성할 때 상기 게이트전극(121)에 연결되는 게이트라인도 형성하게 되며, 상기 게이트라인의 끝단은 상기 게이트패드 배선(116P)과 연결되어 외부의 구동회로로부터 주사신호를 인가 받게 된다.Although not shown in the drawing, when the gate electrode 121 is formed on the array substrate 110 of the pixel portion, a gate line connected to the gate electrode 121 is also formed, and an end of the gate line is formed at the gate pad. It is connected to the wiring 116P and receives a scan signal from an external driving circuit.

한편, 상기 유리기판(110) 위에 실리콘산화막(SiO2) 등으로 구성되는 버퍼막(buffer layer)을 형성한 후 전술한 게이트 배선(121, 116P) 및 데이터패드부 광차단막(170)을 형성할 수도 있다. 이때, 상기 버퍼막은 유리기판(110) 내에 존재하는 나트륨(natrium; Na) 등의 불순물이 공정 중에 상부층으로 침투하는 것을 차단하는 역할을 한다.Meanwhile, after forming a buffer layer including a silicon oxide film (SiO 2 ) on the glass substrate 110, the above-described gate wirings 121 and 116P and the data pad part light blocking film 170 may be formed. It may be. In this case, the buffer layer serves to block impurities such as sodium (natrium) from the glass substrate 110 from penetrating into the upper layer during the process.

다음으로, 도 3b에 도시된 바와 같이, 상기 게이트 배선(121, 116P) 및 데이터패드부 광차단막(170)이 형성된 기판(110) 전면에 게이트절연막인 제 1 절연막(115A)을 형성한다.Next, as shown in FIG. 3B, a first insulating film 115A, which is a gate insulating film, is formed on the entire surface of the substrate 110 on which the gate lines 121 and 116P and the data pad part light blocking film 170 are formed.

이후, 도 3c에 도시된 바와 같이, 화소부에 액티브패턴인 비정질 실리콘층(124) 및 n+ 비정질 실리콘층(125)을 패터닝하여 형성한다. 이때, 상기 비정질 실리콘층(124)은 박막 트랜지스터의 액티브층으로 사용되며, n+ 비정질 실리콘층(125)은 후술할 소오스/드레인전극과 상기 액티브층의 소정영역(즉, 소오스/드레인영역)간의 오믹-콘택을 위해 형성한다.Thereafter, as shown in FIG. 3C, the pixel layer is formed by patterning the amorphous silicon layer 124 and the n + amorphous silicon layer 125 which are active patterns. In this case, the amorphous silicon layer 124 is used as an active layer of a thin film transistor, and the n + amorphous silicon layer 125 is an ohmic between a source / drain electrode and a predetermined region (ie, source / drain region) of the active layer, which will be described later. -Formed for contact.

한편, 본 실시예에서는 액티브층으로 비정질 실리콘을 이용한 비정질 실리콘 박막 트랜지스터를 화소부에 형성하는 것을 예를 들어 설명하고 있으나, 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니며 화소부의 박막 트랜지스터의 구조에 관계없이 게이트패드부 및 데이터패드부에 광차단막을 형성하기만 하면 된다.Meanwhile, in the present embodiment, an example of forming an amorphous silicon thin film transistor using amorphous silicon as an active layer is described as an example. However, the present invention is not limited thereto, and the gate pad may be formed regardless of the structure of the thin film transistor of the pixel portion. The light shielding film need only be formed in the portion and the data pad portion.

다음으로, 도 3d에 도시된 바와 같이, 상기 기판(110) 전면에 불투명한 도전성 금속물질을 증착한 후 패터닝함으로써 화소부에 상기 게이트라인과 교차하여 화소영역을 정의하는 데이터라인(미도시) 및 상기 데이터라인과 연결되는 소오스전극(122)과 드레인전극(123)을 형성하며, 데이터패드부에 상기 데이터라인의 끝단에서 외부 구동회로와 접속하는 데이터패드 배선(117P)을 형성하고 게이트패드부에 게이트패드부 광차단막(171)을 형성한다. 이후, 상기 화소부의 소오스/드레인전극(122, 123)을 마스크로 사용하여 n+ 비정질 실리콘층(125)을 식각하여 게이트전극(121) 상부의 비정질 실리콘층(124)이 노출되게 한다.Next, as illustrated in FIG. 3D, a data line (not shown) defining a pixel region crossing the gate line in the pixel portion by depositing and patterning an opaque conductive metal material on the entire surface of the substrate 110, and A source electrode 122 and a drain electrode 123 are formed to be connected to the data line, and a data pad line 117P is formed at the end of the data line to connect an external driving circuit to the data pad part. The gate pad part light blocking film 171 is formed. After that, the n + amorphous silicon layer 125 is etched using the source / drain electrodes 122 and 123 as the mask to expose the amorphous silicon layer 124 on the gate electrode 121.

한편, 상기 게이트패드부 광차단막(171)은 불투명한 데이터 배선(122,123, 117P)으로 구성되어 게이트 구동 집적회로(미도시) 칩의 하단부로 백라이트 광원이 조사되는 것을 방지하는 역할을 하게 된다.On the other hand, the gate pad light blocking film 171 is composed of opaque data lines 122, 123, and 117P to prevent the backlight light source from being irradiated to the lower end of the gate driving integrated circuit (not shown) chip.

다음으로, 도 3e에 도시된 바와 같이, 상기 기판(110) 전면에 층간절연막인 제 2 절연막(115B)을 증착한 후 패터닝하여 화소부에 드레인전극(123)의 일부를 노출시키는 화소부 콘택홀(160)을 형성하며, 게이트패드부 및 데이터패드부에 각각 게이트패드 배선(116P)과 데이터패드 배선(117P)의 일부를 노출시키는 패드부 콘택홀(160P)을 형성한다.Next, as illustrated in FIG. 3E, a pixel contact contact hole exposing a part of the drain electrode 123 by depositing and patterning the second insulating film 115B, which is an interlayer insulating film, on the entire surface of the substrate 110. A pad portion contact hole 160P exposing a portion of the gate pad wiring 116P and the data pad wiring 117P is formed in the gate pad portion and the data pad portion, respectively.

이때, 상기 제 2 절연막(115B)은 실리콘산화막 또는 실리콘질화막(SiNx)과 같은 무기절연막으로 구성할 수 있으며, 상기 무기절연막 위에 고개구율을 구현하기 위해 유전율이 낮은 벤조사이클로부텐(benzocyclobutene; BCB)과 같은 유기절연막을 형성할 수도 있다.In this case, the second insulating film 115B may be formed of an inorganic insulating film such as a silicon oxide film or a silicon nitride film (SiN x ), and has a low dielectric constant benzocyclobutene (BCB) to realize a high opening ratio on the inorganic insulating film. It is also possible to form an organic insulating film.

이후, 도 3f에 도시된 바와 같이, 상기 기판(110) 전면에 인듐-틴-옥사이드(Indium-Tin-Oxide; ITO), 인듐-징크-옥사이드(Indium-Zinc-Oxide; IZO) 또는 인듐-틴-징크-옥사이드(Indium-Tin-Zinc-Oxide; ITZO)와 같은 투명한 도전성물질을 증착한 후 패터닝하여 상기 화소부의 콘택홀(160)을 통해 드레인전극(123)과 연결되는 화소전극(118)을 형성하며, 상기 각각의 게이트패드부 및 데이터패드부의 패드부 콘택홀(160P)을 통해 게이트패드 배선(116P)과 연결되는 게이트패드전극(121P) 및 데이터패드 배선(117P)과 연결되는 데이터패드전극(122P)을 형성한다.3F, Indium-Tin-Oxide (ITO), Indium-Zinc-Oxide (IZO), or Indium-Tin is formed on the entire surface of the substrate 110. Depositing and patterning a transparent conductive material such as indium-tin-zinc-oxide (ITZO) to form a pixel electrode 118 connected to the drain electrode 123 through the contact hole 160 of the pixel portion. And a gate pad electrode 121P connected to the gate pad wiring 116P and a data pad electrode connected to the data pad wiring 117P through the pad portion contact hole 160P of the gate pad portion and the data pad portion, respectively. To form 122P.

이때, 도면에는 도시하지 않았지만, 상기 게이트패드전극(121P)은 범프를 통해 게이트 구동 집적회로 칩과 전기적으로 접속하여 게이트 구동회로부로부터 주사신호를 인가 받게되며, 상기 데이터패드전극(122P) 역시 범프를 통해 데이터 구동 집적회로 칩과 전기적으로 접속하여 데이터 구동회로부로부터 화상정보를 인가 받게 된다.In this case, although not shown in the drawing, the gate pad electrode 121P is electrically connected to the gate driving integrated circuit chip through a bump to receive a scan signal from the gate driving circuit unit, and the data pad electrode 122P also bumps. Through the electrical connection with the data driving integrated circuit chip through the image information is received from the data driving circuit.

한편, 전술한 바와 같이 상기 게이트패드부에 형성된 게이트패드부 광차단막(171) 및 데이터패드부에 형성된 데이터패드부 광차단막(170)은 칩-온-글라스 칩의 하단부로 백라이트 광원이 조사되는 것을 차단함으로써 상기 칩의 회로부에 광누설전류의 발생을 최소화하여 회로부의 오동작을 방지할 수 있게 된다.Meanwhile, as described above, the gate pad part light blocking film 171 formed in the gate pad part and the data pad part light blocking film 170 formed in the data pad part are irradiated with the backlight light source to the lower end of the chip-on-glass chip. By interrupting the circuit, the occurrence of photo leakage current is minimized in the circuit portion of the chip, thereby preventing malfunction of the circuit portion.

상기한 설명에 많은 사항이 구체적으로 기재되어 있으나 이것은 발명의 범위를 한정하는 것이라기보다 바람직한 실시예의 예시로서 해석되어야 한다. 따라서 발명은 설명된 실시예에 의하여 정할 것이 아니고 특허청구범위와 특허청구범위에 균등한 것에 의하여 정하여져야 한다.Many details are set forth in the foregoing description but should be construed as illustrative of preferred embodiments rather than to limit the scope of the invention. Therefore, the invention should not be defined by the described embodiments, but should be defined by the claims and their equivalents.

상술한 바와 같이, 본 발명의 액정표시패널 및 그 제조방법은 별도의 공정을 추가하지 않고 패드부에 광차단막을 형성함으로써 고휘도를 위한 백라이트 광원 사용시 칩-온-글라스 칩의 회로적 오동작을 방지할 수 있는 효과를 제공한다.As described above, the liquid crystal display panel and the manufacturing method thereof of the present invention can prevent a circuit malfunction of the chip-on-glass chip when the backlight light source for high brightness is formed by forming a light blocking film on the pad portion without adding a separate process. It can be effective.

도 1은 일반적인 칩-온-글라스방식의 액정표시패널의 일부를 개략적으로 나타내는 평면도.1 is a plan view schematically illustrating a part of a typical chip-on-glass type liquid crystal display panel.

도 2a 및 도 2b는 본 발명의 실시예에 따른 액정표시패널의 게이트패드부 및 데이터패드부의 일부를 개략적으로 나타내는 단면도.2A and 2B are cross-sectional views schematically illustrating a portion of a gate pad portion and a data pad portion of a liquid crystal display panel according to an exemplary embodiment of the present invention.

도 3a 내지 도 3f는 본 발명의 실시예에 따른 액정표시패널의 어레이 기판의 제조공정을 순차적으로 나타내는 단면도.3A to 3F are cross-sectional views sequentially illustrating a manufacturing process of an array substrate of a liquid crystal display panel according to an exemplary embodiment of the present invention.

** 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명 **** Explanation of symbols for main parts of drawings **

110 : 어레이 기판 116P : 게이트패드 배선110: array substrate 116P: gate pad wiring

117P : 데이터패드 배선 118 : 화소전극117P: Data pad wiring 118: Pixel electrode

121P : 게이트패드전극 122P : 데이터패드전극121P: Gate pad electrode 122P: Data pad electrode

140,141 : 집적회로 칩 142 : 범프140,141: integrated circuit chip 142: bump

170,171 : 광차단막170,171: Light shielding film

Claims (8)

화소부와 게이트패드부 및 데이터패드부로 구분되는 제 1 기판;A first substrate divided into a pixel portion, a gate pad portion, and a data pad portion; 상기 제 1 기판의 화소부에 형성된 복수개의 박막 트랜지스터;A plurality of thin film transistors formed in the pixel portion of the first substrate; 상기 각각의 게이트패드부 및 데이터패드부에 접속되는 칩-온-글라스 칩을 포함하는 구동회로부;A driving circuit unit including a chip-on-glass chip connected to each of the gate pad unit and the data pad unit; 상기 각각의 게이트패드부 및 데이터패드부에 형성되어 하부의 백라이트 광원이 상기 칩-온-글라스 칩으로 조사되는 것을 차단하는 게이트패드부 광차단막 및 데이터패드부 광차단막; 및A gate pad light blocking film and a data pad light blocking film formed on each of the gate pad part and the data pad part to block a lower backlight light source from being irradiated onto the chip-on-glass chip; And 상기 제 1 기판과 합착되는 제 2 기판을 포함하는 액정표시패널.A liquid crystal display panel comprising a second substrate bonded to the first substrate. 제 1 항에 있어서, 상기 박막 트랜지스터는The thin film transistor of claim 1, wherein the thin film transistor 상기 제 1 기판 위에 형성된 게이트전극;A gate electrode formed on the first substrate; 상기 게이트전극 위에 형성된 제 1 절연막;A first insulating film formed on the gate electrode; 상기 게이트전극 위에 액티브패턴으로 패터닝되어 형성된 실리콘층 및 n+ 실리콘층;A silicon layer and an n + silicon layer formed by patterning an active pattern on the gate electrode; 상기 제 1 기판 위에 형성되며, 상기 n+ 실리콘층의 소오스/드레인영역과 각각 연결되는 소오스/드레인전극;A source / drain electrode formed on the first substrate and connected to the source / drain regions of the n + silicon layer, respectively; 상기 제 1 기판 위에 형성되며, 상기 드레인전극의 일부를 노출시키는 화소부 콘택홀이 형성된 제 2 절연막; 및A second insulating layer formed on the first substrate and having a pixel portion contact hole exposing a portion of the drain electrode; And 상기 화소부 콘택홀을 통해 상기 드레인전극과 접속하는 화소전극을 포함하는 것을 특징으로 하는 액정표시패널.And a pixel electrode connected to the drain electrode through the pixel portion contact hole. 제 2 항에 있어서, 상기 게이트패드부 광차단막은 상기 화소부 박막 트랜지스터의 소오스/드레인전극과 동일한 불투명 도전성 금속물질로 구성되는 것을 특징으로 하는 액정표시패널.The liquid crystal display panel of claim 2, wherein the light blocking layer of the gate pad part is made of an opaque conductive metal material that is the same as the source / drain electrodes of the pixel part thin film transistor. 제 2 항에 있어서, 상기 데이터패드부 광차단막은 상기 화소부 박막 트랜지스터의 게이트전극과 동일한 불투명 도전성 금속물질로 구성되는 것을 특징으로 하는 액정표시패널.The liquid crystal display panel of claim 2, wherein the data pad part light blocking layer is made of an opaque conductive metal material that is the same as the gate electrode of the pixel part thin film transistor. 화소부와 게이트패드부 및 데이터패드부로 구분되는 제 1 기판을 제공하는 단계;Providing a first substrate divided into a pixel portion, a gate pad portion, and a data pad portion; 상기 제 1 기판의 화소부에 게이트전극 및 게이트라인을 형성하며, 상기 제 1 기판의 게이트패드부에 게이트패드 배선을 형성하고 데이터패드부에 데이터패드부 광차단막을 형성하는 단계;Forming a gate electrode and a gate line on the pixel portion of the first substrate, forming a gate pad line on the gate pad portion of the first substrate, and forming a data pad portion light blocking film on the data pad portion; 상기 제 1 기판 위에 제 1 절연막을 형성하는 단계;Forming a first insulating film on the first substrate; 상기 제 1 기판의 화소부에 실리콘층 및 n+ 실리콘층으로 액티브패턴을 형성하는 단계;Forming an active pattern of a silicon layer and an n + silicon layer on the pixel portion of the first substrate; 상기 제 1 기판의 화소부에 데이터라인 및 소오스/드레인전극을 형성하며, 상기 제 1 기판의 게이트패드부에 게이트패드부 광차단막을 형성하고 데이터패드부에 데이터패드 배선을 형성하는 단계;Forming a data line and a source / drain electrode on a pixel portion of the first substrate, forming a gate pad portion light blocking layer on a gate pad portion of the first substrate, and forming a data pad line on a data pad portion; 상기 제 1 기판 위에 상기 드레인전극의 일부를 노출시키는 화소부 콘택홀 및 상기 각각의 게이트패드 배선과 데이터패드 배선의 일부를 노출시키는 패드부 콘택홀이 형성되어 있는 제 2 절연막을 형성하는 단계;Forming a second insulating layer having a pixel portion contact hole exposing a portion of the drain electrode and a pad portion contact hole exposing a portion of each of the gate pad wiring and the data pad wiring on the first substrate; 상기 화소부 콘택홀을 통해 드레인전극과 접속하는 화소전극을 형성하며, 상기 각각의 패드부 콘택홀을 통해 게이트패드 배선에 접속하는 게이트패드전극을 형성하고 데이터패드 배선에 접속하는 데이터패드전극을 형성하는 단계;A pixel electrode is formed to be connected to the drain electrode through the pixel portion contact hole. Making; 상기 각각의 게이트패드부 및 데이트패드부에 칩-온-글라스방식의 집적회로 칩을 포함하여 게이트 구동회로부 및 데이터 구동회로부를 실장하는 단계; 및Mounting a gate driving circuit unit and a data driving circuit unit to each of the gate pad unit and the data pad unit including a chip-on-glass integrated circuit chip; And 상기 제 1 기판과 컬러필터 기판인 제 2 기판을 합착하는 단계를 포함하는 액정표시패널의 제조방법.And bonding the first substrate and a second substrate, which is a color filter substrate, to each other. 제 5 항에 있어서, 상기 각각의 게이트패드부 광차단막 및 데이터패드부 광차단막은 상부의 게이트 구동 집적회로 칩 및 데이터 구동 집적회로 칩보다 폭을 넓게 패터닝하여 형성하는 것을 특징으로 하는 액정표시패널의 제조방법.6. The liquid crystal display panel of claim 5, wherein each of the gate pad part light blocking film and the data pad part light blocking film is formed by patterning a width wider than an upper gate driving integrated circuit chip and a data driving integrated circuit chip. Manufacturing method. 제 5 항에 있어서, 상기 게이트패드부 광차단막 및 데이터패드부 광차단막은 불투명한 도전성 금속물질로 형성하는 것을 특징으로 하는 액정표시패널의 제조방법.The method of claim 5, wherein the gate pad light blocking film and the data pad light blocking film are formed of an opaque conductive metal material. 화소부와 게이트패드부 및 데이터패드부로 구분되는 제 1 기판을 제공하는 단계;Providing a first substrate divided into a pixel portion, a gate pad portion, and a data pad portion; 상기 제 1 기판의 화소부에 박막 트랜지스터를 형성하는 단계;Forming a thin film transistor in a pixel portion of the first substrate; 상기 게이트패드부에 상기 화소부 박막 트랜지스터의 데이터 메탈층을 이용 패터닝하여 게이트패드부 광차단막을 형성하며, 상기 데이터패드부에 상기 화소부 박막 트랜지스터의 게이트 메탈층을 이용 패터닝하여 데이터패드부 광차단막을 형성하는 단계;The gate pad part is patterned using a data metal layer of the pixel part thin film transistor to form a gate pad part light blocking film, and the data pad part is patterned using a gate metal layer of the pixel part thin film transistor. Forming a; 상기 각각의 게이트패드부 및 데이터패드부에 칩-온-글라스 칩을 포함하는 구동회로부를 실장하는 단계; 및Mounting a driving circuit unit including a chip-on-glass chip in each of the gate pad unit and the data pad unit; And 상기 제 1 기판과 컬러필터 기판인 제 2 기판을 합착하는 단계를 포함하는 액정표시패널의 제조방법.A method of manufacturing a liquid crystal display panel comprising bonding the first substrate and a second substrate which is a color filter substrate.
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