KR20050095490A - Surface acoustic wave divice and thereof packaging method - Google Patents
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Abstract
본 발명은 웨이퍼에 쏘 필터 칩과 매칭회로가 구현된 실링캡을 각각 제작하고, 상기 제작된 실링캡의 하면의 비어영역과 캐비티 영역을 제외한 영역에 접착제를 도포하고, 상기 실링캡에 도포된 접착제를 이용하여 상기 제작된 칩과 상기 실링캡을 본딩하고, 상기 실링캡과 칩이 본딩된 웨이퍼 패키지를 개별의 패키지로 다이싱하고, 상기 다이싱된 각각의 패키지를 피씨비에 와이어본딩하고, 상기 피씨비와 와이어본딩된 패키지를 몰딩하는 것으로서, 쏘 필터 또는 칩 표면에 캐비티를 필요로하는 소자에 있어서 소형화를 구현할 수 있는 저가의 초소형 패키징 기술을 제공할 수 있다. According to the present invention, a sealing cap in which a saw filter chip and a matching circuit are implemented is manufactured on a wafer, and an adhesive is applied to a region excluding the via area and the cavity area of the lower surface of the manufactured sealing cap, and the adhesive applied to the sealing cap. Bonding the fabricated chip and the sealing cap, dicing the wafer package in which the sealing cap and the chip are bonded into individual packages, wire-bonding each of the diced packages to a PCB, and By molding a wire-bonded package, it is possible to provide an inexpensive and compact packaging technology that can realize miniaturization in a saw filter or a device requiring a cavity on the chip surface.
Description
본 발명은 실링캡상에 매칭 회로를 구현함은 물론이고, 고가의 LTCC를 사용하는 대신에 범용의 기판을 사용가능하게 하는 표면 탄성파 소자 및 패키징 방법에 관한 것이다. The present invention relates to a surface acoustic wave device and a packaging method for implementing a matching circuit on a sealing cap as well as enabling the use of a general-purpose substrate instead of using an expensive LTCC.
전자기기들의 경박 단소화 추세에 따라 그의 핵심 소자인 패키지의 고밀도, 고실장화가 중요한 요인으로 대두되고 있으며, 또한 컴퓨터의 경우 기억 용량의 증가에 따른 대용량의 램 및 플래쉬 메모리와 같이 칩의 크기는 자연적으로 증대되지만 패키지는 상기의 요건에 따라 소형화되는 경향으로 연구되고 있다.With the trend toward thinner and shorter electronic devices, high-density and high-mounted packages are becoming an important factor.In the case of computers, the size of chips such as large-capacity RAM and flash memory is increased due to increased memory capacity. Although increasing in size, packages are being studied in a tendency to be miniaturized according to the above requirements.
최근들어 이동통신 단말기의 복합 다기능화, 슬립화 및 저가격화와 더불어 적용되는 RF 부품 또한 소형화의 요구가 거세게 다가오고 있다. 그중에서도 핵심부품으로서 표면 탄성파 듀플렉서의 경우에도 소형화에 있어서는 예외가 아니다.Recently, RF components that are applied in addition to the multi-functionality, slip and low cost of mobile communication terminals are also demanding for miniaturization. Among them, the surface acoustic wave duplexer as a core component is no exception in miniaturization.
듀플렉서는 이동통신 단말기에 있어서 핵심부품으로서 송신과 수신을 동시에 가능하도록 해주는 여파기의 일종이다. 최근들어서 이동통신 단말기내 적용부품의 복합 다기능화와 소형화와 더불어 듀플렉서 또한 소형화로 급속히 진행되고 있는바 대부분의 이동통신 단말기에 있어서 종전의 유전체 모노블럭 듀플렉서로부터 쏘 듀플렉서로 전환 적용된 것이 현실이다. 듀플렉서는 송신시는 불요의 수신신호가 임피던스 무한대로 되어 완전 격리가 이루어져야하고, 반대로 수신시에는 불요의 송신 신호가 임피던스 무한대가 되어 완전 격리가 이루어져야 한다. 종래ㅢ 쏘 듀플렉서의 설계 기법에 따르면 필터의 설계 구조상 수신대역에서는 상기 조건이 만족이 되지만, 송신 주파수에서는 완전 격리가 이루어지지 힘들어서 수신필터의 안테나 단자측에 위상 천이기를 별도로 장착해주어야한다. The duplexer is a key component of a mobile communication terminal, and is a kind of filter that enables simultaneous transmission and reception. Recently, the duplexer has also been rapidly miniaturized as well as the multi-functionality and miniaturization of the components in the mobile communication terminal. In most mobile communication terminals, it has been converted from the conventional dielectric monoblock duplexer to the saw duplexer. The duplexer must be completely isolated because the unnecessary received signal becomes infinite impedance when transmitting, and on the contrary, when the received signal is received, the unnecessary transmitted signal becomes infinitely infinite and completely isolated. According to the conventional design method of the saw duplexer, the above condition is satisfied in the reception band due to the design structure of the filter, but it is difficult to completely isolate the transmission frequency, so a phase shifter must be separately installed on the antenna terminal side of the reception filter.
이러한 위상 천이기는 일반적으로 고주파 회로에 적합한 저온 동시 소성 세라믹 패키지내에 구현해서 만들어진다. Such phase shifters are typically made by implementing in low temperature cofired ceramic packages suitable for high frequency circuits.
일반적으로 LTCC는 고유의 물리적인 특성상 기계적 내구성이 취약하고 열충격에 약하므로 일반적인 쏘필터의 제조 공법을 적용하기는 곤란하다. 즉, 헤르메틱 실링(hermetic sealing)을 위한 용접 공정을 적용할 수 없고, 솔더 리플로우 공정에 의해 헤르메틱 실링을 해야 하므로 접착제로서 AuSn을 사용하게 됨에 따라 가격 상승을 초래한다.In general, LTCC is difficult to apply the general saw filter manufacturing method because of its inherent physical properties are weak mechanical durability and weak thermal shock. That is, the welding process for hermetic sealing cannot be applied, and since the hermetic sealing must be performed by the solder reflow process, the use of AuSn as an adhesive causes a price increase.
이하 도면을 참조하여 종래의 표면 탄성파 듀플렉서의 패키징 공법에 대하여 설명하기로 한다. Hereinafter, a packaging method of a conventional surface acoustic wave duplexer will be described with reference to the accompanying drawings.
도 1a 내지 도 1d는 종래의 표면 탄성파 듀플렉서의 패키징 공법을 나타낸 도면이다. 1A to 1D are diagrams illustrating a packaging method of a conventional surface acoustic wave duplexer.
먼저, 도 1a과 같이 웨이퍼에 쏘 필터 칩(100a, 100b,..., 100n, 이하 100이라 칭함)을 제작한다. 상기 웨이퍼에는 복수개의 칩이 제작된다.First, saw filter chips 100a, 100b, ..., 100n, hereinafter referred to as 100, are fabricated on a wafer as shown in FIG. 1A. A plurality of chips is fabricated on the wafer.
그런다음 상기 도 1a에 생성된 칩(100)을 도 1b와 같이 위상 천이기(125)가 내부에 배치된 LTCC 기판(120)에 도 1c와 같이 다이본딩시킨 후, 와이어 본딩(130)한다.Then, the chip 100 generated in FIG. 1A is die-bonded to the LTCC substrate 120 having the phase shifter 125 disposed therein as shown in FIG. 1B, as shown in FIG. 1C, and then wire bonded 130.
그러면, 상기 칩(100)과 LTCC 기판(120)은 다이본딩과 와이어본딩(130)에 의해서 전기적으로 연결된다.Then, the chip 100 and the LTCC substrate 120 are electrically connected by die bonding and wire bonding 130.
그런다음 상기 칩(100)이 순간적인 열충격이나 기계적인 충격에 의해 파손되는 것을 방지하기 위하여 도 1d와 같이 리드(140)를 이용하여 헤르메틱 실링을 수행한다. 상기 LTCC 기판(120)과 상기 리드(140)를 연결하기 위해서 상기 리드(140)의 하층에 AuSn을 도포한후, 리플로우 기법으로 상기 리드(140)를 접착시킨다.Then, in order to prevent the chip 100 from being damaged by a momentary thermal shock or a mechanical shock, the hermetic sealing is performed using the lead 140 as shown in FIG. 1D. After coating AuSn on the lower layer of the lead 140 to connect the LTCC substrate 120 and the lead 140, the lead 140 is bonded by a reflow technique.
그러나 상기와 같은 종래의 LTCC 패키지의 경우에는 근본적으로 가격이 고가이고 물리적인 특성상 기계적인 내구성이 취약하므로 일반적인 쏘 필터 제조 공정으로 제작되기는 곤란한 문제점이 있다. However, in the case of the conventional LTCC package as described above there is a problem that it is difficult to be manufactured in the general saw filter manufacturing process because the price is fundamentally high and mechanical durability is weak due to the physical characteristics.
또한, LTCC 패키지는 순간적인 열충격이나 기계적인 충격이 가해질 경우 파손의 우려가 있고, 헤르메틱 실링 공정용으로 널리 사용되는 리드의 경우 AuSn이 봉합 재료로 사용되므로 비용의 상승을 유발하고 지속적인 소형화 및 저가격화가 요구될 경우 적용이 어려운 문제점이 있다. In addition, the LTCC package may be damaged in case of instantaneous thermal shock or mechanical shock, and AuSn is used as a sealing material in the lead widely used for the hermetic sealing process, which leads to an increase in cost and continuous miniaturization and low price. If paint is required, there is a problem that is difficult to apply.
따라서, 본 발명의 목적은 쏘 필터 또는 칩 표면에 캐비티를 필요로하는 소자에 있어서 소형화를 구현할 수 있는 저가의 초소형 패키징 기술을 제공하는 표면 탄성파 소자 및 패키징 방법을 제공하는데 있다. Accordingly, an object of the present invention is to provide a surface acoustic wave device and a packaging method for providing a low-cost, compact packaging technology capable of miniaturization in a device that requires a cavity on a saw filter or chip surface.
본 발명의 다른 목적은 고가의 LTCC를 사용하는 대신에 범용의 PCB 또는 저가의 기판을 사용하게 하는 표면 탄성파 소자 및 패키징 방법을 제공하는데 있다. Another object of the present invention is to provide a surface acoustic wave device and a packaging method for using a general purpose PCB or a low cost substrate instead of using an expensive LTCC.
상기 목적들을 달성하기 위하여 본 발명의 일 측면에 따르면, 웨이퍼에 쏘 필터 칩과 매칭회로가 구현된 실링캡을 각각 제작하고, 상기 제작된 실링캡의 하면의 비어영역과 캐비티 영역을 제외한 영역에 접착제를 도포하고, 상기 실링캡에 도포된 접착제를 이용하여 상기 제작된 칩과 상기 실링캡을 본딩하고, 상기 실링캡과 칩이 본딩된 웨이퍼 패키지를 개별의 패키지로 다이싱하고, 상기 다이싱된 각각의 패키지를 피씨비에 와이어본딩하고, 상기 피씨비와 와이어본딩된 패키지를 몰딩하는 것을 특징으로 하는 표면 탄성파 소자 패키징 방법이 제공된다.According to an aspect of the present invention to achieve the above object, to produce a sealing cap in which the saw filter chip and the matching circuit is implemented on the wafer, respectively, adhesive on the area except the via area and the cavity area of the lower surface of the produced sealing cap And bond the fabricated chip and the sealing cap by using an adhesive applied to the sealing cap, dicing the wafer package in which the sealing cap and the chip are bonded into individual packages, and dicing each of the diced chips. The surface acoustic wave device packaging method of the present invention is wire-bonded to the PCB, and molding the wire-bonded package with the PCB.
상기 실링캡은 상기 칩과 여진이 일어나는 부위에 에어 캐비티가 형성되어 있고, 상기 칩과 전기적인 접속을 위하여 비어가 형성된 것이다. The sealing cap has an air cavity formed at a site where the chip and the aftershock occur, and a via is formed for electrical connection with the chip.
상기 에어 캐비티는 웨이퍼 하면에 에칭 공정을 이용해서 형성되고, 상기 웨이퍼는 Si, Glass이다.The air cavity is formed on the lower surface of the wafer using an etching process, and the wafer is Si or Glass.
상기 실링캡의 비어를 전극물질로 채우는 단계를 더 포함한다. The method further includes filling the via of the sealing cap with an electrode material.
상기 실링캡의 비어를 전극물질로 채우는 것에 의하여 실링캡상에 풋프린트가 형성된다. A footprint is formed on the sealing cap by filling the via of the sealing cap with an electrode material.
본 발명의 다른 측면에 따르면, 웨이퍼에 형성된 칩, 매칭회로가 구현되어 있고, 하면의 일정 영역에 에어 캐비티가 형성된 실링캡을 포함하고, 상기 실링캡과 칩 웨이퍼가 본딩되어 상기 칩은 상기 실링캡의 에어 캐비티영역에 존재하는 것을 특징으로 하는 표면 탄성파 소자가 제공된다. According to another aspect of the present invention, a chip formed on a wafer and a matching circuit are implemented, and includes a sealing cap in which an air cavity is formed in a predetermined region of a lower surface, and the sealing cap and the chip wafer are bonded so that the chip is the sealing cap. A surface acoustic wave device is provided, which is present in an air cavity region of the surface.
저가의 초소형 패키징 기술이란 웨이퍼 레벨의 공정이 가능하고 칩 개별 공정이 아닌 단체 공정이 가능함을 의미하며, 설비투자 비용이 최소인 가운데 작업성에 있어서 대량 생산이 가능함을 의미한다. Low-cost, ultra-small packaging technology means that wafer-level processing is possible, as well as individual processing rather than individual chip processing, and that mass production is possible in terms of workability while minimizing equipment investment costs.
이하 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 상세히 설명하기로 한다.Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.
도 2 내지 도 6은 본 발명의 바람직한 일 실시예에 따른 쏘 필터 패키징 공법을 나타낸 도면, 도 7a는 본 발명의 바람직한 일 실시예에 따른 실링캡의 단면을 나타낸 도면, 도 7b는 본 발명의 바람직한 일 실시예에 따른 실링캡의 저면을 나타낸 도면, 도 7c는 본 발명의 바람직한 일 실시예에 따른 실링캡의 상면을 나타낸 도면이다.2 to 6 is a view showing a saw filter packaging method according to an embodiment of the present invention, Figure 7a is a view showing a cross-section of the sealing cap according to an embodiment of the present invention, Figure 7b is a preferred embodiment of the present invention Figure 7 is a view showing the bottom surface of the sealing cap according to an embodiment, Figure 7c is a view showing the top surface of the sealing cap according to an embodiment of the present invention.
먼저, 도 2와 같은 웨이퍼에 쏘 필터 칩(200)을 제작하고, 도 3a 내지 도 3b와 같은 웨이퍼에 실링캡(300)을 제작한다. 상기 실링캡(300)에 대해서는 도 7a 내지 도 7c를 참조하기로 한다.First, the saw filter chip 200 is manufactured on the wafer as shown in FIG. 2, and the sealing cap 300 is manufactured to the wafer as shown in FIGS. 3A to 3B. The sealing cap 300 will be described with reference to FIGS. 7A to 7C.
도 7a를 참조하면, 상기 실링캡(300)은 웨이퍼 하면에 에어 캐비티(air cavity)(320)가 형성되어 있고, 상기 에어 캐비티 영역(320)을 제외한 부분에 비어(via)(310)가 형성되어 있다.Referring to FIG. 7A, an air cavity 320 is formed on a lower surface of the sealing cap 300, and vias 310 are formed in portions except the air cavity region 320. It is.
즉, 상기 실링캡(300)은 웨이퍼상에 에칭 공정을 이용해서 쏘 필터가 여진이 일어나는 부위에 에어 캐비티(air cavity)(320)를 형성한다. 그리고 쏘 칩(200)과 실링캡(300)간 전기적인 접속을 위해서 비어(310)를 형성시킨다. 여기서, 상기 웨이퍼는 Si, Glass일 수 있다. 그리고, 상기 실링캡(300)에는 위상 천이기 대신 반도체 기법으로 구현된 매칭회로(330)가 내장되어 있다. That is, the sealing cap 300 forms an air cavity 320 at the site where the saw filter is excited by using an etching process on the wafer. Then, the via 310 is formed for electrical connection between the saw chip 200 and the sealing cap 300. Here, the wafer may be Si, Glass. The sealing cap 300 has a matching circuit 330 implemented by a semiconductor technique instead of a phase shifter.
따라서 실링캡(300)의 저면에는 도 7b와 같이 에어 캐비티 영역(320)과 비어(310)가 형성되어 있고, 상기 실링캡(300)의 상면에는 도 7c와 같이 웨이퍼상에 비어와 매칭 회로(330)가 구현되어 있다. Therefore, the air cavity region 320 and the via 310 are formed on the bottom of the sealing cap 300 as shown in FIG. 7B, and the via and matching circuit on the wafer as shown in FIG. 7C on the top surface of the sealing cap 300. 330 is implemented.
상기 칩(200)과 실링캡(300)이 제작되면, 상기 실링캡 웨이퍼상에 도 4와 같이 접착제(302)를 도포한다. 즉, 상기 실링캡 웨이퍼 하면에 비어 영역(310)과 캐비티 영역(320)을 제외한 영역에 접착제(302)를 도포한다. 여기서, 상기 접착제(302)는 실링용 비전도성 접착제와 전기적인 접속용 전도성 접착제 또는 실링과 전기적인 접속을 동시에 진행할 수 있도록 이방성 접착제를 사용한다.When the chip 200 and the sealing cap 300 are manufactured, an adhesive 302 is coated on the sealing cap wafer as shown in FIG. 4. That is, the adhesive 302 is applied to a region of the sealing cap wafer except for the via region 310 and the cavity region 320. Here, the adhesive 302 uses an anisotropic adhesive so that the non-conductive adhesive for sealing and the conductive adhesive for electrical connection or the electrical connection with the sealing can be simultaneously performed.
그런다음 도 4와 같이 접착제(302)가 도포된 실링캡 웨이퍼(300)와 상기 도 2와 같은 칩 웨이퍼(200)를 도 5와 같이 본딩한다. 상기 칩 웨이퍼(200)는 상기 실링캡 웨이퍼(300)에 도포된 접착제(302)에 의해서 본딩된다.Then, the sealing cap wafer 300 coated with the adhesive 302 as shown in FIG. 4 and the chip wafer 200 as shown in FIG. 2 are bonded as shown in FIG. 5. The chip wafer 200 is bonded by an adhesive 302 applied to the sealing cap wafer 300.
그런다음 도 6과 같이 칩 다이싱 공정을 수행한다. 상기 칩 다이싱 공정에 의하여 개별의 칩이 생성된다. Then, a chip dicing process is performed as shown in FIG. 6. Individual chips are produced by the chip dicing process.
도 8a 내지 도 8f는 본 발명의 다른 실시예에 따른 쏘 필터 패키징 공법을 나타낸 도면이다. 8A to 8F are views illustrating a saw filter packaging method according to another embodiment of the present invention.
먼저, 도 2와 같은 웨이퍼에 쏘 필터 칩(200)을 제작하고, 도 3과 같은 웨이퍼에 실링캡(300)을 제작한다. First, the saw filter chip 200 is manufactured on the wafer as shown in FIG. 2, and the sealing cap 300 is manufactured to the wafer as shown in FIG. 3.
상기 제작된 실링캡(300)은 도 8a와 같다. .The produced sealing cap 300 is as shown in Figure 8a. .
그런다음 상기 제작된 실링캡(300)의 비어(310)를 도 8b와 같이 전극물질로 채우고 범프 볼(340)을 형성한다. 즉, 상기 실링캡(300)의 비어(310)에 전극물질을 채우면 상기 실링캡의 상면에는 범프볼(340)이 형성된다.Then, the via 310 of the manufactured sealing cap 300 is filled with an electrode material as shown in FIG. 8B to form a bump ball 340. That is, when the electrode material is filled in the via 310 of the sealing cap 300, the bump ball 340 is formed on the upper surface of the sealing cap.
그런다음 상기 전극이 형성된 실링캡(300)의 하면에 도 8c와 같이 접착제(350)를 부착한 후, 도 8d와 같이 칩(200)과 웨이퍼 본딩을 수행한후, 상기 웨이퍼 패키지를 다이싱하여 개별적인 패키지로 만든다. Then, the adhesive 350 is attached to the lower surface of the sealing cap 300 on which the electrode is formed, as illustrated in FIG. 8D, and wafer bonding with the chip 200 is performed as shown in FIG. 8D. Make it a separate package.
즉, 상기 전극이 형성된 실링캡(300)의 하면에 비어 영역(310)과 캐비티 영역(320)을 제외한 영역에 접착제(350)를 부착한다. 그런다음 상기 접착제(350)가 부착된 실링캡(300)과 칩(200)에 대해서 웨이퍼 본딩을 수행한다. That is, the adhesive 350 is attached to a region other than the via region 310 and the cavity region 320 on the lower surface of the sealing cap 300 on which the electrode is formed. Then, wafer bonding is performed on the sealing cap 300 and the chip 200 to which the adhesive 350 is attached.
그러면, 상기 웨이퍼 본딩으로 생성된 웨이퍼 패키지는 실링캡(300)상에 PCB(400)와 실장된 풋프린트가 형성되어 완제품으로 사용할 수 있고, 복합모듈의 부품으로서 사용될 수 있는데, SMT용 솔더링이외에도 경우에 따라 모듈 기판과 와이어 본딩에 의한 전기적인 접속이 가능하다. Then, the wafer package generated by the wafer bonding can be used as a finished product by forming a footprint mounted with the PCB 400 on the sealing cap 300, can be used as a component of the composite module, in addition to the soldering for SMT In this way, electrical connection by the module substrate and wire bonding is possible.
그런다음 상기 다이싱된 각각의 패키지를 도 8e와 같이 PCB(400)와 전기적인 접속을 위하여 다이본딩한 후, 와이어 본딩(360)을 수행한다.Then, each diced package is die-bonded for electrical connection with the PCB 400 as shown in FIG. 8E, and then wire bonding 360 is performed.
그런다음 도 8f와 같이 몰딩등의 공정으로 실링(500)을 수행한다. 그러면, 상기 각 패키지는 순간적인 열충격이나 기계적인 충격이 가해질 경우에도 파손의 위험이 적어진다. Then, the sealing 500 is performed by a molding process as shown in FIG. 8F. Then, each of the packages is less likely to break even in the event of instantaneous thermal shock or mechanical shock.
본 발명은 상기 실시예에 한정되지 않으며, 많은 변형이 본 발명의 사상 내에서 당 분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의하여 가능함은 물론이다. The present invention is not limited to the above embodiments, and many variations are possible by those skilled in the art within the spirit of the present invention.
상술한 바와 같이 본 발명에 따르면, 쏘 필터 또는 칩 표면에 캐비티를 필요로하는 소자에 있어서 소형화를 구현할 수 있는 저가의 초소형 패키징 기술을 제공하는 표면 탄성파 소자 및 패키징 방법을 제공할 수 있다. According to the present invention as described above, it is possible to provide a surface acoustic wave device and a packaging method for providing a low-cost ultra-small packaging technology that can be miniaturized in a device that requires a cavity on the saw filter or chip surface.
또한, 본 발명에 따르면, 고가의 LTCC를 사용하는 대신에 범용의 PCB 또는 저가의 기판을 사용가능하므로 제조 공정의 단순함, 재료비 절감 및 생산성 향상등을 실현할 수 있음으로 인해 저가격화, 소형화 및 그로 인한 복합화를 가능하게 할 수 있는 표면 탄성파 소자 및 패키징 방법을 제공할 수 있다. In addition, according to the present invention, it is possible to use a general-purpose PCB or a low-cost substrate instead of using an expensive LTCC, so that the simplicity of manufacturing process, material cost reduction, and productivity improvement can be realized, resulting in low cost, miniaturization, and the like. It is possible to provide a surface acoustic wave element and a packaging method capable of enabling compounding.
도 1a 내지 도 1d는 종래의 표면 탄성파 듀플렉서의 패키징 공법을 나타낸 도면. 1A to 1D are views showing a packaging method of a conventional surface acoustic wave duplexer.
도 2 내지 도 6은 본 발명의 바람직한 일 실시예에 따른 쏘 필터 패키징 공법을 나타낸 도면.2 to 6 is a view showing a saw filter packaging method according to an embodiment of the present invention.
도 7a는 본 발명의 바람직한 일 실시예에 따른 실링캡의 단면을 나타낸 도면.Figure 7a is a view showing a cross section of the sealing cap according to an embodiment of the present invention.
도 7b는 본 발명의 바람직한 일 실시예에 따른 실링캡의 저면을 나타낸 도면.Figure 7b is a view showing the bottom of the sealing cap according to an embodiment of the present invention.
도 7c는 본 발명의 바람직한 일 실시예에 따른 실링캡의 상면을 나타낸 도면.Figure 7c is a view showing the top surface of the sealing cap according to an embodiment of the present invention.
도 8a 내지 도 8f는 본 발명의 다른 실시예에 따른 쏘 필터 패키징 공법을 나타낸 도면. 8A to 8F illustrate a saw filter packaging method according to another embodiment of the present invention.
<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명><Explanation of symbols for main parts of the drawings>
100, 200 : 칩 300 : 실링캡100, 200: chip 300: sealing cap
310 : 비어 320 : 캐비티310: Beer 320: Cavity
330, 125 : 매칭회로 350 : 와이어330, 125: matching circuit 350: wire
400 : 기판 120 : LTCC 400: substrate 120: LTCC
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020040020924A KR20050095490A (en) | 2004-03-26 | 2004-03-26 | Surface acoustic wave divice and thereof packaging method |
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| KR (1) | KR20050095490A (en) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101410242B1 (en) * | 2013-10-18 | 2014-06-20 | (주)에이엠티솔루션 | Packaging method of high frequency filter |
-
2004
- 2004-03-26 KR KR1020040020924A patent/KR20050095490A/en not_active Application Discontinuation
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