KR20050089243A - Flexible printed board and the manufacturing method thereof - Google Patents

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고주은
김홍진
안병인
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Abstract

본 발명은 플렉시블 회로기판 및 그의 제조방법에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 동박; 상기 동박의 일면에 위치하여 선팽창계수가 10 × 10-6 내지 17 × 10-6 /K인 제1 폴리이미드 수지 층; 및 상기 제1 폴리이미드 수지 층과 동일한 성분으로 이루어지고, 상기 제1 폴리이미드 수지층의 일면에 위치하며, 선팽창계수가 17 × 10-6/K 내지 20 × 10-6/K인 제2 폴리이미드 수지 층을 포함하는 플렉시블 회로기판과 그 제조방법에 관한 것이다.The present invention relates to a flexible circuit board and a method for manufacturing the same, more specifically copper foil; A first polyimide resin layer positioned on one surface of the copper foil and having a linear expansion coefficient of 10 × 10 −6 to 17 × 10 −6 / K; And a second polyimide composed of the same component as the first polyimide resin layer, positioned on one surface of the first polyimide resin layer, and having a linear expansion coefficient of 17 × 10 −6 / K to 20 × 10 −6 / K. The present invention relates to a flexible circuit board including a mid resin layer and a method of manufacturing the same.

본 발명의 플렉시블 회로기판은 한 종류의 폴리아믹산 바니쉬로 선팽창계수가 다른 2층의 폴리이미드 층을 형성시킴으로써, 치수안정성, 에칭 후의 평면성 등에 있어서 우수한 신뢰성을 가지고, 회로 형성 등의 작업성이 우수하며, 특히, 한 종류의 폴리아믹산 바니쉬로써, 선팽창계수가 서로 다른 2층 구조의 폴리이미드 수지 층을 형성시킨 플렉시블 회로기판을 제조할 수 있도록 하여 바니쉬(varnish) 제작의 수고를 덜 수 있다는 장점이 있다. The flexible circuit board of the present invention is formed of two kinds of polyimide layers having different linear expansion coefficients by using one kind of polyamic acid varnish, which has excellent reliability in dimensional stability, planarity after etching, etc., and excellent workability in circuit formation. In particular, as one kind of polyamic acid varnish, it is possible to manufacture a flexible circuit board having a polyimide resin layer having a two-layer structure having a different linear expansion coefficient, thereby reducing the effort of varnish manufacturing. .

Description

플렉시블 회로기판 및 그의 제조방법{FLEXIBLE PRINTED BOARD AND THE MANUFACTURING METHOD THEREOF}Flexible circuit board and its manufacturing method {FLEXIBLE PRINTED BOARD AND THE MANUFACTURING METHOD THEREOF}

[산업상 이용분야][Industrial use]

본 발명은 플렉시블 회로기판 및 그의 제조방법에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 동박 위에 서로 다른 선팽창계수를 가지는 2개의 폴리이미드 수지 층을 형성시킨 2층 동장적층식 플렉시블 회로기판 및 그의 제조방법에 관한 것이다.The present invention relates to a flexible circuit board and a method of manufacturing the same, and more particularly, to a two-layer copper-clad flexible circuit board and a method of manufacturing the same, in which two polyimide resin layers having different linear expansion coefficients are formed on a copper foil. .

[종래기술][Private Technology]

전자기기가 복잡해짐에 따라 배선의 많은 부분이 회로기판으로 대체되었는데, 회로기판은 공간, 무게, 노동력을 절감할 수 있고 전선에 비해 신뢰성이 높은 것으로 알려져 있다. 또한 전자기기의 경박단소화(輕薄短小化)가 진행되면서 기존의 인쇄 회로기판(PCB)에서 플렉시블 인쇄 회로(FPC:flexible printed circuit)용 기판으로 많이 대체 되었다. 특히, 휴대폰, 노트북, 캠코더, 액정디스플레이(LCD)의 등장으로 FPC시장은 더욱 확대되고 있다. As electronic devices become more complex, much of the wiring has been replaced by circuit boards, which are known to save space, weight, labor and are more reliable than wires. In addition, as the light and short size of electronic devices has progressed, many of them have been replaced by flexible printed circuits (FPCs) from conventional printed circuit boards (PCBs). In particular, the FPC market is expanding with the advent of mobile phones, notebooks, camcorders, and liquid crystal displays (LCDs).

단면 플렉시블 회로기판은 크게 3층 동장적층식(3CCL:3-copper-clad-laminates)과 2층 동장적층식(2CCL:2-copper-clad-laminates)으로 크게 나눌 수 있다. 상기 3층 동장적층식은 동박과 폴리이미드 필름을 에폭시계나 아크릴계 접착제를 이용하여 열압착처리한 플렉시블 회로기판을 말하며, 상기 2층 동장적층식 플렉시블 회로기판은 접착제를 사용하지 않고 폴리이미드와 동박 만으로 이루어진 무접착제 타입의 플렉시블 회로기판을 말한다. Single-sided flexible circuit boards can be roughly divided into three-layer copper clad laminates (3CCL: 3-copper-clad-laminates) and two-layer copper clad laminates (2CCL: 2-copper-clad-laminates). The three-layer copper-clad laminate refers to a flexible circuit board obtained by thermally compressing a copper foil and a polyimide film using an epoxy or acrylic adhesive, and the two-layer copper-clad flexible circuit board is formed of only polyimide and copper foil without using an adhesive. Non-adhesive type flexible circuit board.

기존의 3층 동장적층식 플렉시블 회로기판은 접착제에 열압착 등의 열이력을 더하면서 냉각시 휨(curl)이 생기기도 하고, 접착제 층으로 인해 난연성이나 내열성이 저하하는 문제점이 있었다. Existing three-layer copper-clad flexible circuit boards have a problem in that curvature occurs during cooling while adding thermal history such as thermocompression to the adhesive, and the flame retardancy or heat resistance is degraded due to the adhesive layer.

이러한 문제점을 해결하기 위한 노력으로서, 접착제 층을 포함하지 않는 2층 동장적층식 플렉시블 회로기판에 대한 연구가 진행되어 왔다. In an effort to solve this problem, research has been conducted on a two-layer copper laminated flexible circuit board that does not include an adhesive layer.

2층 동장적층식 플렉시블 인쇄 기판을 만드는 방법에는 크게 두가지가 있다. 이 중 하나는 일단 형성된 폴리이미드(PI) 필름의 표면에 구리(Cu)를 증착해서 적층시키는 방법이고(스퍼터링(Sputtering)법), 다른 하나는 동박에 폴리이미드의 전구체인 폴리아믹산(polyamic acid) 바니쉬(varnish)를 도포하고 이를 건조한 후, 이를 열적으로(thermal imidization) 혹은 화학적으로(chemical imidization) 이미드화(경화)하여 적층체를 형성하는 방법이다(캐스팅(Casting)법). There are two ways to make a 2-layer copper clad flexible printed circuit board. One of them is a method of depositing and stacking copper (Cu) on the surface of a polyimide (PI) film once formed (sputtering method), and the other is polyamic acid, which is a precursor of polyimide to copper foil. After varnish is applied and dried, it is thermally imidized or chemically imidized (cured) to form a laminate (casting method).

일본 특허공개 특개평 8-250860호에는 캐스팅법으로 제작되는 2층 동장적층식 플렉시블 인쇄 기판에 3층 구조의 적층 폴리이미드 절연층을 형성하여 휨(curl)의 발생을 줄이는 것을 의도한 플렉시블 회로기판이 제안되어 있다. 상기 플렉시블 회로기판은 도체인 동박의 일면에 폴리아믹산 바니쉬를 도포하고, 이미드화하여 형성되는 선팽창계수 20×10-6/K이상의 제1 폴리이미드계 수지 층, 그 위에 같은 방법으로 형성된 선팽창계수 20×10-6/K미만의 제2 폴리이미드계 수지 층과 또 그 위에 같은 방법으로 코팅한 선팽창계수 20×10-6/K 이상의 제3 폴리이미드계 수지 층이 형성되어 있는 3층 구조의 폴리이미드계 수지 층을 포함한다. 상기 제1, 제2, 및 제3 폴리이미드계 수지 층의 선팽창계수를 각각 K1, K2, K3라고 할 때 K 3≥K1>K2를 만족시키고 있다.Japanese Patent Laid-Open No. 8-250860 discloses a flexible circuit board which is intended to reduce the occurrence of curl by forming a laminated polyimide insulating layer having a three-layer structure on a two-layer copper-clad flexible printed circuit board manufactured by a casting method. Is proposed. The flexible circuit board is formed by applying a polyamic acid varnish to one surface of a copper foil as a conductor and imidizing the first polyimide resin layer having a linear expansion coefficient of 20 × 10 −6 / K or more, and a linear expansion coefficient formed thereon by the same method. A polyolefin having a three-layer structure in which a second polyimide resin layer of less than 10 × 6 / K and a third polyimide resin layer having a linear expansion coefficient of 20 × 10 −6 / K or more coated thereon are formed. It includes a mid type resin layer. When the linear expansion coefficients of the first, second, and third polyimide resin layers are K 1 , K 2 , and K 3 , K 3 ≧ K 1 > K 2 is satisfied.

그러나, 상기 3층 구조의 폴리이미드계 수지 층을 가지는 플렉시블 회로기판에 있어서는 선팽창 계수가 다른 복수의 폴리이미드계 수지를 사용하기 때문에, 폴리이미드 전구체인 폴리아믹산 바니쉬를 세종류로 각각 합성하여 코팅하여야 하는 공정상의 문제점이 있다. However, in the flexible circuit board having the polyimide resin layer having the three-layer structure, since a plurality of polyimide resins having different linear expansion coefficients are used, three types of polyamic acid varnishes, which are polyimide precursors, must be synthesized and coated. There is a problem in the process.

본 발명은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위한 것으로서, 본 발명의 목적은 한 종류의 폴리아믹산 바니쉬로 선팽창계수가 다른 2층의 폴리이미드 층을 형성시킴으로써, 휨(curl)이 적고 작업성이 우수한 2층 동장적층식 플렉시블 회로기판 및 그의 제조방법을 제공하는 것이다. The present invention is to solve the above problems, an object of the present invention is to form a polyimide layer of two layers having different linear expansion coefficients with one kind of polyamic acid varnish, so that less bending and excellent workability 2 It is to provide a layer copper clad laminated flexible circuit board and a method of manufacturing the same.

본 발명은 상기 목적을 달성하기 위하여, 동박; 상기 동박의 일면에 위치하여 선팽창계수가 10 × 10-6 내지 17 × 10-6 /K인 제1 폴리이미드 수지 층; 및 상기 제1 폴리이미드 수지 층과 동일한 성분으로 이루어지고, 상기 제1 폴리이미드 수지층의 일면에 위치하며, 선팽창계수가 17 × 10-6/K 내지 20 × 10-6/K인 제2 폴리이미드 수지 층을 포함하는 플렉시블 회로기판을 제공한다.The present invention, in order to achieve the above object, copper foil; A first polyimide resin layer positioned on one surface of the copper foil and having a linear expansion coefficient of 10 × 10 −6 to 17 × 10 −6 / K; And a second polyimide composed of the same component as the first polyimide resin layer, positioned on one surface of the first polyimide resin layer, and having a linear expansion coefficient of 17 × 10 −6 / K to 20 × 10 −6 / K. Provided is a flexible circuit board including a mid resin layer.

본 발명은 또한, 동박의 일면에 폴리아믹산 바니쉬를 1차 코팅하는 단계; 상기 1차 코팅된 폴리아믹산 바니쉬를 100 내지 250℃의 온도 범위에서 두단계 이상의 온도로 건조시켜 제1 폴리아믹산 층을 형성시키는 단계; 상기 건조된 폴리아믹산 바니쉬 위에 다시 상기 1차 코팅된 폴리아믹산 바니쉬와 동일한 성분의 바니쉬를 2차 코팅하는 단계; 상기 2차 코팅된 폴리아믹산 바니쉬를 100 내지 200℃의 온도에서 건조시켜 제2 폴리아믹산 층을 형성시키는 단계; 상기 제1 폴리아믹산 층 및 제2 폴리아믹산 층을 200 내지 400℃의 온도에서 이미드화 반응시켜 제1 폴리이미드 수지 층과 제2 폴리이미드 수지 층을 형성시키는 단계; 및 상기 동박을 에칭하는 단계를 포함하는 플렉시블 회로기판의 제조방법을 제공한다.The present invention also comprises the steps of first coating a polyamic acid varnish on one surface of the copper foil; Drying the primary coated polyamic acid varnish to a temperature of two or more steps in a temperature range of 100 to 250 ° C. to form a first polyamic acid layer; Second coating on the dried polyamic acid varnish a varnish of the same component as the primary coated polyamic acid varnish again; Drying the secondary coated polyamic acid varnish at a temperature of 100 to 200 ° C. to form a second polyamic acid layer; Imidating the first polyamic acid layer and the second polyamic acid layer at a temperature of 200 to 400 ° C. to form a first polyimide resin layer and a second polyimide resin layer; And it provides a method of manufacturing a flexible circuit board comprising the step of etching the copper foil.

이하, 본 발명을 보다 상세하게 설명한다. Hereinafter, the present invention will be described in more detail.

본 발명자는 폴리이미드계 수지의 전구체인 폴리아믹산 바니쉬의 건조, 및 이미드화 조건에 따라 폴리이미드 수지의 선팽창계수가 달라지는 것에 착안하여, 한 종류의 폴리아믹산 바니쉬를 두번에 걸쳐 코팅하면서, 각 코팅 후의 건조 공정 조건을 조절함으로써, 플렉시블 회로기판의 휨(curl)을 방지할 수 있고, 또한 플렉시블 회로기판 제조의 작업성이 향상된다는 것을 발견하고, 본 발명을 완성하기에 이르렀다.MEANS TO SOLVE THE PROBLEM This inventor noticed that the linear expansion coefficient of a polyimide resin changes with drying of polyamic-acid varnish which is a precursor of polyimide-type resin, and imidation conditions, and coats one kind of polyamic-acid varnish twice, after each coating, By adjusting the drying process conditions, it has been found that the curvature of the flexible circuit board can be prevented and the workability of the flexible circuit board manufacture is improved, and the present invention has been completed.

플렉시블 회로기판의 제조에 있어서, 폴리아믹산 바니쉬를 코팅한 후, 상대적으로 높은 온도에서 건조하여 부분적으로 경화가 일어나게 하면, 이미드화 공정을 거쳐 형성된 폴리이미드는 상대적으로 낮은 선팽창계수 값을 갖게 된다. 반면에, 폴리아믹산 바니쉬를 코팅한 후, 상대적으로 낮은 온도에서 건조하여 건조 중에 경화가 일어나지 않도록 하면, 이미드화 공정을 거쳐 형성된 폴리이미드는 상대적으로 높은 선팽창계수 값을 갖게 된다. 이는 상대적으로 낮은 온도에서 건조할 때에는 폴리아믹산이 경화되기 전에 충분히 배열할만한 시간적 여유가 있기 때문에 체인이 일정하게 배열될 수 있으므로, 좀 더 큰 수치의 선팽창계수를 가지게 되는 것이다.In the manufacture of flexible circuit boards, if the polyamic acid varnish is coated and then dried at a relatively high temperature to partially cure, the polyimide formed through the imidization process has a relatively low coefficient of linear expansion. On the other hand, if the polyamic acid varnish is coated and then dried at a relatively low temperature to prevent hardening during drying, the polyimide formed through the imidization process has a relatively high coefficient of linear expansion. This means that when drying at a relatively low temperature, the chains can be constantly arranged because there is sufficient time to arrange enough before the polyamic acid is cured, so that the coefficient of linear expansion is larger.

편의상 동(Cu)박 측에 처음으로 코팅되는 폴리이미드 수지를 제1 폴리이미드 수지라 하고, 상기 제1 폴리이미드 수지 위에 두번째로 코팅되는 폴리이미드 수지를 제2 폴리이미드 수지라고 한다. For convenience, the polyimide resin first coated on the copper foil side is called a first polyimide resin, and the polyimide resin coated on the first polyimide resin for the second time is called a second polyimide resin.

동박의 선팽창계수 Kc는 통상 17 ×10-6 내지 19 ×10-6/K의 값을 갖는다. 플렉시블 회로기판의 제조 후에 발생하는 휨(curl)을 방지하기 위해서는, 우선 제1 폴리이미드 수지 층의 선팽창계수 K1이 바람직하게는 10 ×10-6 내지 17 ×10 -6/K의 값을 가져야 하며, 이와 동시에 제2 폴리이미드 수지 층의 선팽창계수 K2는 동박의 에칭 후에 발생하는 제1 폴리이미드 수지 층 자체의 휨(curl)을 억제하기 위해 제1 폴리이미드 수지 층의 선팽창계수 K1보다 커야 하고, 바람직하게는 17 ×10-6 내지 20 ×10-6/K의 값을 가져야 한다.The linear expansion coefficient K c of the copper foil usually has a value of 17 × 10 −6 to 19 × 10 −6 / K. In order to prevent curls occurring after the manufacture of the flexible circuit board, first, the linear expansion coefficient K 1 of the first polyimide resin layer should preferably have a value of 10 × 10 −6 to 17 × 10 −6 / K. At the same time, the linear expansion coefficient K 2 of the second polyimide resin layer is higher than the linear expansion coefficient K 1 of the first polyimide resin layer in order to suppress the curl of the first polyimide resin layer itself generated after etching the copper foil. It should be large and preferably have a value of 17 × 10 −6 to 20 × 10 −6 / K.

본 발명의 플렉시블 회로기판에 있어서, 상기 제1 폴리이미드 수지 층은 3 내지 30 ㎛의 두께로 형성되는 것이 바람직하고, 또한, 상기 제2 폴리이미드 수지 층은 5 내지 30 ㎛의 두께로 형성되는 것이 바람직하며, 상기 제1 폴리이미드 수지 층과 제2 폴리이미드 수지 층의 두께의 합은 10 내지 50 ㎛ 두께로 형성되는 것이 바람직하다. In the flexible circuit board of the present invention, it is preferable that the first polyimide resin layer is formed to have a thickness of 3 to 30 µm, and the second polyimide resin layer is formed to have a thickness of 5 to 30 µm. Preferably, the sum of the thicknesses of the first polyimide resin layer and the second polyimide resin layer is preferably formed in a thickness of 10 to 50 μm.

본 발명의 플렉시블 회로기판에 있어서, 상기 제1 폴리이미드 수지 층과 제2 폴리이미드 수지 층은 디안하이드라이드와 디아민의 이미드화 반응을 통하여 얻어지는 폴리아믹산 바니쉬를 동박 위에 도포하고, 건조한 후, 이미드화 반응하여 형성시키는 캐스팅법에 의해 제조될 수 있다. In the flexible circuit board of the present invention, the first polyimide resin layer and the second polyimide resin layer are coated with a polyamic acid varnish obtained through the imidization reaction between dianhydride and diamine on copper foil, and then dried. It can be manufactured by the casting method which reacts and forms.

상기 폴리아믹산의 제조에 사용되는 디안하이드라이드의 예로는 피로멜리틱 디안하이드라이드(PMDA:pyromellitic dianhydride), 3,3',4,4'-비페닐테트라카르복실릭 디안하이드라이드(BPDA:3,3',4,4'-biphenyltetracarboxylic dianhydride), 3,3'4,4'-벤조페논테트라카르복실릭 디안하이드라이드(BTDA:3,3',4,4'-benzophenonetetracarboxilic dianhydride), 4,4'-옥시디프탈릭 안하이드라이드(ODPA:4,4'-oxydiphthalic anhydride), 4,4'-(4,4'-이소프로필리덴디페녹시)-비스-(프탈릭 안하이드라이드)(BPADA:4,4'-(4,4'-isopropylidenediphenoxy)-bis(phthalic anhydride), 2,2'-비스-(3,4-디카르복시페닐)헥사플루오로프로판 디안하이드라이드(6FDA:2,2'-bis-(3,4-dicarboxyphenyl) hexafluoropropane dianhydride), 에틸렌글리콜 비스 (안하이드로-트리멜리테이트)(TMEG:ethylene glycol bis(anhydro-trimellitate)), 또는 3,4,3',4'-디페닐술폰 테트라카르복실릭 디안하이드라이드(DSDA:3,4,3',4'-diphenylsulfone tetracarboxylic dianhydride) 등의 디안하이드라이드 중에서 1종 이상을 선택하여 사용하는 것이 바람직하다. Examples of dianhydrides used in the preparation of the polyamic acid include pyromellitic dianhydride (PMDA), 3,3 ', 4,4'-biphenyltetracarboxylic dianhydride (BPDA: 3). , 3 ', 4,4'-biphenyltetracarboxylic dianhydride), 3,3'4,4'-benzophenonetetracarboxylic dianhydride (BTDA: 3,3', 4,4'-benzophenonetetracarboxilic dianhydride), 4, 4'-oxydiphthalic anhydride (ODPA: 4,4'-oxydiphthalic anhydride), 4,4 '-(4,4'-isopropylidenediphenoxy) -bis- (phthalic anhydride) ( BPADA: 4,4 '-(4,4'-isopropylidenediphenoxy) -bis (phthalic anhydride), 2,2'-bis- (3,4-dicarboxyphenyl) hexafluoropropane dianhydride (6FDA: 2, 2'-bis- (3,4-dicarboxyphenyl) hexafluoropropane dianhydride), ethylene glycol bis (anhydro-trimellitate), or 3,4,3 ', 4' -Diphenylsulfone tetracarboxylic dianhydra De (DSDA: 3,4,3 ', 4'-diphenylsulfone tetracarboxylic dianhydride) is preferably used by selecting one or more from the dianhydride and the like.

또한, 상기 폴리아믹산의 제조에 사용되는 디아민의 예로는 p-페닐렌 디아민(p-PDA:p-phenylene diamine), m-페닐렌 디아민(m-PDA:m-phenylene diamine), 4,4'-옥시디아닐린(4,4'-ODA:4,4'-oxydianiline), 3,4'-옥시디아닐린(3,4'-ODA:3,4'-oxydianiline), 2,2-비스(4-4[아미노페녹시]-페닐)프로판(BAPP:2,2-bis(4-[4-aminophenoxy]-phenyl)propane), 2,2'-디메틸-4,4'-디아미노 비페닐(m-TB-HG:2,2'-Dimethyl-4,4'-diamino biphenyl), 1,3-비스(4-아미노페녹시)벤젠(TPER:1,3-bis(4-aminophenoxy) benzene), 2,2-비스(4-[3-아미노페녹시]페닐)술폰(m-BAPS:2,2-bis(4-[3-aminophenoxy]phenyl) sulfone), 4,4'-디아미노 벤즈아닐라이드(DABA:4,4'-diamino benzanilide), 또는 4,4'-비스(4-아미노페녹시)비페닐(4,4'-bis(4-aminophenoxy)biphenyl) 등의 디아민 중에서 1종 이상을 선택하여 사용하는 것이 바람직하다. In addition, examples of the diamine used in the preparation of the polyamic acid are p-phenylene diamine (p-PDA: p-phenylene diamine), m-phenylene diamine (m-PDA: m-phenylene diamine), 4,4 ' -Oxydianiline (4,4'-ODA: 4,4'-oxydianiline), 3,4'-oxydianiline (3,4'-ODA: 3,4'-oxydianiline), 2,2-bis ( 4-4 [aminophenoxy] -phenyl) propane (BAPP: 2,2-bis (4- [4-aminophenoxy] -phenyl) propane), 2,2'-dimethyl-4,4'-diamino biphenyl (m-TB-HG: 2,2'-Dimethyl-4,4'-diamino biphenyl), 1,3-bis (4-aminophenoxy) benzene (TPER: 1,3-bis (4-aminophenoxy) benzene ), 2,2-bis (4- [3-aminophenoxy] phenyl) sulfone (m-BAPS: 2,2-bis (4- [3-aminophenoxy] phenyl) sulfone), 4,4'-diamino In diamines such as benzanilide (DABA: 4,4'-diamino benzanilide) or 4,4'-bis (4-aminophenoxy) biphenyl (4,4'-bis (4-aminophenoxy) biphenyl) It is preferable to select and use species or more.

본 발명의 플렉시블 회로기판은 동박의 일면에 폴리아믹산 바니쉬를 1차 코팅하는 단계; 상기 1차 코팅된 폴리아믹산 바니쉬를 100 내지 250℃의 온도 범위에서 두 단계 이상의 온도로 건조시켜 제1 폴리아믹산 층을 형성시키는 단계; 상기 건조된 제1 폴리아믹산 층 위에 다시 폴리아믹산 바니쉬를 2차 코팅하는 단계; 상기 2차 코팅된 폴리아믹산 바니쉬를 100 내지 200℃의 온도에서 건조시켜 제2 폴리아믹산 층을 형성시키는 단계; 상기 제1 폴리아믹산 층 및 제2 폴리아믹산 층을 200 내지 400 ℃의 온도에서 이미드화 반응시켜 제1 폴리이미드 수지 층과 제2 폴리이미드 수지 층을 형성시키는 단계; 및 상기 동박을 에칭하는 단계를 통하여 제조된다. Flexible circuit board of the present invention comprises the steps of first coating a polyamic acid varnish on one surface of the copper foil; Drying the primary coated polyamic acid varnish to a temperature of two or more steps in a temperature range of 100 to 250 ° C. to form a first polyamic acid layer; Second coating the polyamic acid varnish again on the dried first polyamic acid layer; Drying the secondary coated polyamic acid varnish at a temperature of 100 to 200 ° C. to form a second polyamic acid layer; Imidating the first polyamic acid layer and the second polyamic acid layer at a temperature of 200 to 400 ° C. to form a first polyimide resin layer and a second polyimide resin layer; And it is produced through the step of etching the copper foil.

우선, 동박의 일면에 코팅되는 폴리아믹산 바니쉬는 일정 용매의 존재 하에 피로멜리틱 디안하이드라이드(PMDA:pyromellitic dianhydride), 3,3',4,4'-비페닐테트라카르복실릭 디안하이드라이드(BPDA:3,3',4,4'-biphenyltetracarboxylic dianhydride), 3,3'4,4'-벤조페논테트라카르복실릭 디안하이드라이드(BTDA:3,3',4,4'-benzophenonetetracarboxilic dianhydride), 4,4'-옥시디프탈릭 안하이드라이드(ODPA:4,4'-oxydiphthalic anhydride), 4,4'-(4,4'-이소프로필리덴디페녹시)-비스-(프탈릭 안하이드라이드)(BPADA:4,4'-(4,4'-isopropylidenediphenoxy)-bis(phthalic anhydride), 2,2'-비스-(3,4-디카르복시페닐)헥사플루오로프로판 디안하이드라이드(6FDA:2,2'-bis-(3,4-dicarboxyphenyl) hexafluoropropane dianhydride), 에틸렌글리콜 비스 (안하이드로-트리멜리테이트)(TMEG:ethylene glycol bis(anhydro-trimellitate)), 또는 3,4,3',4'-디페닐술폰 테트라카르복실릭 디안하이드라이드(DSDA:3,4,3',4'-diphenylsulfone tetracarboxylic dianhydride) 등에서 선택되는 1종 이상의 디안하이드라이드와 p-페닐렌 디아민(p-PDA:p-phenylene diamine), m-페닐렌 디아민(m-PDA:m-phenylene diamine), 4,4'-옥시디아닐린(4,4'-ODA:4,4'-oxydianiline), 3,4'-옥시디아닐린(3,4'-ODA:3,4'-oxydianiline), 2,2-비스(4-4[아미노페녹시]-페닐)프로판(BAPP:2,2-bis(4-[4-aminophenoxy]-phenyl)propane), 2,2'-디메틸-4,4'-디아미노 비페닐(m-TB-HG:2,2'-Dimethyl-4,4'-diamino biphenyl), 1,3-비스(4-아미노페녹시)벤젠(TPER:1,3-bis(4-aminophenoxy) benzene), 2,2-비스(4-[3-아미노페녹시]페닐)술폰(m-BAPS:2,2-bis(4-[3-aminophenoxy]phenyl) sulfone), 4,4'-디아미노 벤즈아닐라이드(DABA:4,4'-diamino benzanilide), 또는 4,4'-비스(4-아미노페녹시)비페닐(4,4'-bis(4-aminophenoxy)biphenyl) 등에서 선택되는 1종 이상의 디아민을 이미드화 반응시킴으로써 제조될 수 있다. First, the polyamic acid varnish coated on one surface of copper foil is pyromellitic dianhydride (PMDA), 3,3 ', 4,4'-biphenyltetracarboxylic dianhydride (PMDA) in the presence of a solvent. BPDA: 3,3 ', 4,4'-biphenyltetracarboxylic dianhydride), 3,3'4,4'-benzophenonetetracarboxylic dianhydride (BTDA: 3,3', 4,4'-benzophenonetetracarboxilic dianhydride) , 4,4'-oxydiphthalic anhydride (ODPA: 4,4 '-(4,4'-isopropylidenediphenoxy) -bis- (phthalic anhydride) Ride) (BPADA: 4,4 '-(4,4'-isopropylidenediphenoxy) -bis (phthalic anhydride), 2,2'-bis- (3,4-dicarboxyphenyl) hexafluoropropane dianhydride (6FDA : 2,2'-bis- (3,4-dicarboxyphenyl) hexafluoropropane dianhydride), ethylene glycol bis (anhydro-trimellitate), or 3,4,3 ' , 4'-diphenylsulfone tetracarboxylic dian One or more dianhydrides selected from hydrides (DSDA: 3,4,3 ', 4'-diphenylsulfone tetracarboxylic dianhydride), p-phenylene diamine (p-PDA) and m-phenylene diamine (m-PDA: m-phenylene diamine), 4,4'-oxydianiline (4,4'-ODA: 4,4'-oxydianiline), 3,4'-oxydianiline (3,4'-ODA : 3,4'-oxydianiline), 2,2-bis (4-4 [aminophenoxy] -phenyl) propane (BAPP: 2,2-bis (4- [4-aminophenoxy] -phenyl) propane), 2 , 2'-dimethyl-4,4'-diamino biphenyl (m-TB-HG: 2,2'-Dimethyl-4,4'-diamino biphenyl), 1,3-bis (4-aminophenoxy) Benzene (TPER: 1,3-bis (4-aminophenoxy) benzene), 2,2-bis (4- [3-aminophenoxy] phenyl) sulfone (m-BAPS: 2,2-bis (4- [3 -aminophenoxy] phenyl) sulfone), 4,4'-diamino benzanilide (DABA: 4,4'-diamino benzanilide), or 4,4'-bis (4-aminophenoxy) biphenyl (4,4 It can be prepared by imidization of one or more diamines selected from '-bis (4-aminophenoxy) biphenyl) and the like.

상기 폴리아믹산 바니쉬의 제조에 사용될 수 있는 용매로는 N-메틸피롤리디논(NMP:N-methylpyrrolidinone), N,N-디메틸아세트아미드(DMAc:N,N-dimethylacetamide), 테트라하이드로퓨란(THF:tetrahydrofuran), N,N-디메틸포름아미드(DMF:N,N-dimethylformamide), 디메틸설폭시드(DMSO:dimethylsulfoxide), 시클로헥산(cyclohexane), 아세토니트릴(acetonitrile) 또는 이들의 혼합물이 바람직하다. 그러나, 상기 용매의 종류가 이에 한정되는 것은 아니다. 또한, 필요에 따라 상기의 화합물 이외의 다른 디안하이드라이드나 다른 디아민, 혹은 다른 화합물을 소량 첨가하는 것도 가능하다.Solvents that may be used to prepare the polyamic acid varnish include N-methylpyrrolidinone (NMP: N-methylpyrrolidinone), N, N-dimethylacetamide (DMAc: N, N-dimethylacetamide), and tetrahydrofuran (THF: tetrahydrofuran), N, N-dimethylformamide (DMF: N, N-dimethylformamide), dimethyl sulfoxide (DMSO: dimethylsulfoxide), cyclohexane, acetonitrile or a mixture thereof is preferred. However, the kind of the solvent is not limited thereto. Moreover, it is also possible to add a small amount of other dianhydride, another diamine, or another compound other than the said compound as needed.

상기 폴리아믹산 바니쉬는 2,000 내지 50,000 cps의 점도를 갖도록 제조되는 것이 바람직하다.The polyamic acid varnish is preferably prepared to have a viscosity of 2,000 to 50,000 cps.

상기와 같이 제조되는 폴리아믹산 바니쉬를 동박에 도포함에 있어서, 두께 5 내지 40 ㎛인 동박을 사용할 수 있다. 또한, 도포되는 폴리아믹산 바니쉬의 두께는 농도에 따라 달라질 수 있으나, 최종적으로 이미드화 반응이 끝난 후의 제1 폴리이미드 수지 층의 두께가 3 내지 30 ㎛가 되도록 조절하여 1차 도포한다. When apply | coating the polyamic-acid varnish manufactured as mentioned above to copper foil, copper foil with a thickness of 5-40 micrometers can be used. In addition, the thickness of the polyamic acid varnish to be applied may vary depending on the concentration, but finally, the first polyimide resin layer is adjusted to have a thickness of 3 to 30 μm after the imidization reaction is finished.

본 발명의 플렉시블 회로기판은 휨(curl)을 방지하기 위해서, 서로 다른 선팽창계수를 가지는 폴리이미드 수지 층을 2층으로 형성시킨다. 상기 폴리이미드 수지 층의 선팽창계수는 건조 조건에 의해 조절될 수 있으며, 제2 폴리이미드 수지 층의 선팽창계수가 제1 폴리이미드 수지 층의 선팽창계수보다 큰 것이 바람직하므로, 제1 폴리이미드 수지 층의 형성시에 폴리아믹산 바니쉬의 건조온도가 제2 폴리이미드 수지 층의 폴리아믹산 바니쉬 건조온도보다 높아야 한다. The flexible circuit board of the present invention is formed with two layers of polyimide resin layers having different linear expansion coefficients in order to prevent curl. The linear expansion coefficient of the polyimide resin layer may be adjusted by drying conditions, and the linear expansion coefficient of the second polyimide resin layer is preferably larger than the linear expansion coefficient of the first polyimide resin layer. At the time of formation, the drying temperature of the polyamic acid varnish must be higher than the polyamic acid varnish drying temperature of the second polyimide resin layer.

보다 상세하게는, 상기 1차 코팅된 폴리아믹산 바니쉬는 100 내지 250℃의 온도 범위에서 두 단계 이상의 온도로 건조되며, 이 과정에서 폴리아믹산의 반경화가 일어난다. 이 때, 상기 제1차 건조온도는 120 내지 180℃이고, 제2차 건조온도는 180 내지 250℃인 것이 바람직하다. 제1차 건조온도가 120℃미만이면, 건조가 충분히 일어나지 않아 와인딩 시에 코팅면과 동박면이 접착되는 문제점이 있을 수 있으며, 180℃를 초과하면, 코팅면이 불균일해지거나 동박면 쪽에 주름이 생기는 문제점이 발생할 수 있다. 또한, 제2차 건조온도가 180℃미만이면, 반경화가 충분히 일어나지 않아 선팽창 계수의 조절이 힘들고, 250℃를 초과하면, 경화가 과다하게 일어나 제2 폴리이미드 수지 층의 폴리아믹산 코팅 및 이미드화 반응시 제1 폴리이미드 수지층과의 박리가 일어나게 되어 바람직하지 않다. More specifically, the primary coated polyamic acid varnish is dried at a temperature of two or more stages in the temperature range of 100 to 250 ℃, in this process the semi-curing of the polyamic acid occurs. At this time, the first drying temperature is 120 to 180 ℃, the second drying temperature is preferably 180 to 250 ℃. If the primary drying temperature is less than 120 ℃, there may be a problem that the coating surface and the copper foil surface is adhered during winding due to insufficient drying does not occur, and if it exceeds 180 ℃, the coating surface becomes uneven or wrinkles on the copper foil side Problems may arise. In addition, when the secondary drying temperature is less than 180 ° C., the semi-curing does not occur sufficiently, so that the coefficient of linear expansion is difficult to control, and when it exceeds 250 ° C., the curing occurs excessively, so that the polyamic acid coating and imidization reaction of the second polyimide resin layer occurs. It is not preferable that peeling with the first polyimide resin layer occurs.

상기와 같이 제1 폴리이미드 수지 층을 적어도 두단계 이상의 온도범위에서 건조시킨 후, 그 위에 같은 종류의 폴리아믹산 바니쉬를 2차 도포한다. 이 때에도 마찬가지로 도포되는 제2 폴리아믹산 바니쉬 층의 두께는 농도에 따라 달라질 수 있으나, 최종적으로 이미드화 반응이 끝난 후의 제2 폴리이미드 수지 층의 두께가 5 내지 30 ㎛가 되도록 도포한다. 상기 2차 도포된 폴리아믹산 바니쉬는 100 내지 200℃의 온도에서 건조된다.As described above, the first polyimide resin layer is dried at a temperature range of at least two or more stages, and then the same kind of polyamic acid varnish is secondarily applied thereon. In this case as well, the thickness of the second polyamic acid varnish layer to be applied may vary depending on the concentration. However, the thickness of the second polyimide resin layer after the imidization reaction is finished is 5 to 30 μm. The second applied polyamic acid varnish is dried at a temperature of 100 to 200 ℃.

상기와 같이 제1 폴리이미드 수지 층의 폴리아믹산 바니쉬와 제2 폴리이미드 수지 층의 폴리아믹산 바니쉬가 건조과정을 거친 후에, 200 내지 400℃의 온도에서 이미드화 반응을 진행하여 제1 폴리이미드 수지 층과 제2 폴리이미드 수지 층을 형성시킨다. After the polyamic acid varnish of the first polyimide resin layer and the polyamic acid varnish of the second polyimide resin layer are dried, the imidation reaction is performed at a temperature of 200 to 400 ° C. to form the first polyimide resin layer. And a second polyimide resin layer are formed.

이상과 같이 제조된 플렉시블 회로기판에 있어서, 상기 형성된 제1 폴리이미드 수지 층의 선팽창계수는 10 × 10-6 내지 17 × 10-6 /K이고, 제2 폴리이미드 수지 층의 선팽창계수는 17 × 10-6 내지 20 × 10-6/K인 것이 바람직하다.In the flexible circuit board manufactured as described above, the linear expansion coefficient of the formed first polyimide resin layer is 10 × 10 −6 to 17 × 10 −6 / K, and the linear expansion coefficient of the second polyimide resin layer is 17 ×. is from 10 -6 to 20 × 10 -6 / K is preferable.

이하, 본 발명의 바람직한 실시예를 기재한다. 다만, 하기의 실시예는 본 발명의 바람직한 일 실시예일 뿐, 본 발명이 하기 실시예에 의해 한정되는 것은 아니다.Hereinafter, preferred embodiments of the present invention are described. However, the following examples are only preferred embodiments of the present invention, and the present invention is not limited to the following examples.

[실시예 1] Example 1

온도계, 교반기 및 질소흡입구와 분말투입구(powder dispensing funnel)를 설치한 1000 mL의 4구 둥근바닥 플라스크에 질소를 흘려 보내면서, 16.722 g의 p-페닐렌 디아민(p-PDA)(0.154 mol)와 13.272 g의 4,4'-옥시디아닐린(4,4'-ODA)(0.066 mol)에 500 mL의 N-메틸피롤리디논(NMP)을 더하고, 교반하여 완전히 용해시켰다. 상기 용액을 15℃이하로 냉각시키면서 65.006 g의 3,3',4,4'-비페닐테트라카르복실릭 디안하이드라이드(BPDA)(0.22 mol)를 서서히 가하고, 교반하면서 중합하여, 점도 15,000 cps의 폴리아믹산 바니쉬를 얻었다.16.722 g of p-phenylene diamine (p-PDA) (0.154 mol) and nitrogen were flown into a 1000 mL four-necked round bottom flask equipped with thermometer, stirrer and nitrogen inlet and powder dispensing funnel. 500 mL of N-methylpyrrolidinone (NMP) was added to 13.272 g of 4,4'-oxydianiline (4,4'-ODA) (0.066 mol) and stirred to dissolve completely. While cooling the solution below 15 ° C, 65.006 g of 3,3 ', 4,4'-biphenyltetracarboxylic dianhydride (BPDA) (0.22 mol) was slowly added and polymerized while stirring to give a viscosity of 15,000 cps. The polyamic acid varnish of was obtained.

닥터블레이드(doctor blade)를 이용하여 상기 제조된 폴리아믹산 바니쉬를 두께 18 ㎛의 압연동박(Japan energy 사)위에 코팅하였다. 이 때, 코팅된 두께는 경화과정이 끝난 후의 최종 폴리이미드 수지 층이 10 ㎛ 두께가 되도록 조절하였다. 상기 폴리아믹산 바니쉬의 코팅이 끝난 후에, 140℃에서 3분간 건조하고, 다시 200℃에서 5분간 건조하여 제1 폴리아믹산 층을 형성하였다. The prepared polyamic acid varnish was coated on a rolled copper foil (Japan energy) having a thickness of 18 μm using a doctor blade. At this time, the coating thickness was adjusted so that the final polyimide resin layer after the curing process was 10 μm thick. After the coating of the polyamic acid varnish was finished, it was dried for 3 minutes at 140 ℃, and then dried for 5 minutes at 200 ℃ to form a first polyamic acid layer.

상기 제1 폴리아믹산 층 위에 동일한 방법으로 경화과정이 끝난 후의 최종 폴리이미드 수지 층이 15 ㎛ 두께가 되도록 조절하여 코팅한 후에, 140℃에서 5분간 건조시켜 제2 폴리아믹산 층을 형성하였다. The final polyimide resin layer after the curing process was coated on the first polyamic acid layer in the same manner so as to have a thickness of 15 μm, and then dried at 140 ° C. for 5 minutes to form a second polyamic acid layer.

상기 제2 폴리아믹산 층이 형성된 후에 온도를 350℃까지 승온시켜 이미드화 반응을 진행한 후, 동박을 에칭하여 2층 동장적층식(2CCL) 플렉시블 회로기판을 제조하였다. After the second polyamic acid layer was formed, the temperature was raised to 350 ° C. to proceed with the imidization reaction, and copper foil was etched to prepare a two-layer copper clad laminate (2CCL) flexible circuit board.

이 때, 상기 제1 폴리이미드 수지 층과 제2 폴리이미드 수지 층을 포함하는 총폴리이미드수지 층의 두께는 25 ㎛였으며, 상기 제조된 플렉시블 회로기판은 거의 평평하였으며 에칭 후에도 휨(curl)이 거의 없었다. In this case, the thickness of the total polyimide resin layer including the first polyimide resin layer and the second polyimide resin layer was 25 μm, and the manufactured flexible circuit board was almost flat, and almost no curl after etching. There was no.

상기 에칭 후에 폴리이미드 수지층의 선팽창계수를 측정한 값은 18×10-6 /K였으며, 동박측에 가까운 제1 폴리이미드 수지층의 선팽창 계수는 16×10-6 /K, 제2 폴리이미드 수지층의 선팽창계수는 19×10-6 /K였다.The linear expansion coefficient of the polyimide resin layer after the etching was measured at 18 × 10 −6 / K, and the linear expansion coefficient of the first polyimide resin layer near the copper foil was 16 × 10 −6 / K and the second polyimide. The linear expansion coefficient of the resin layer was 19 × 10 −6 / K.

[실시예 2] Example 2

온도계, 교반기 및 질소흡입구와 분말투입구(powder dispensing funnel)를 설치한 1000 mL의 4구 둥근바닥 플라스크에 질소를 흘려 보내면서, 14.802 g의 p-PDA(0.137 mol)과 18.275 g의 4,4'-ODA(0.091 mol)에 500 mL의 NMP를 더하고 교반하여 완전히 용해시켰다. 14.802 g of p-PDA (0.137 mol) and 18.275 g of 4,4 'were flowed into a 1000 mL four-necked round bottom flask equipped with thermometer, stirrer, nitrogen inlet and powder dispensing funnel. 500 mL of NMP was added to -ODA (0.091 mol) and stirred to dissolve completely.

상기 용액을 15℃이하로 냉각시키면서 46.992 g의 BPDA(0.160 mol)및 14.930 g의 PMDA(0.069 mol)를 서서히 가하고, 교반하면서 중합하여 점도 17,000 cps의 폴리아믹산 바니쉬를 얻었다.46.992 g of BPDA (0.160 mol) and 14.930 g of PMDA (0.069 mol) were slowly added to the solution while cooling to 15 ° C. or lower, followed by polymerization while stirring to obtain a polyamic acid varnish having a viscosity of 17,000 cps.

두께 18 ㎛의 압연 동박 위에 최종 제1 폴리이미드 수지 층이 12 ㎛, 제2 폴리이미드 수지 층의 두께가 13 ㎛ 가 되도록 상기 폴리아믹산 바니쉬를 코팅한 것을 제외하고는 실시예 1과 동일한 방법으로 2층 동장적층식 플렉시블 회로기판을 제조하였다. 2 in the same manner as in Example 1, except that the polyamic acid varnish was coated on a rolled copper foil having a thickness of 18 μm so that the final first polyimide resin layer was 12 μm and the thickness of the second polyimide resin layer was 13 μm. A layer copper clad laminated flexible circuit board was manufactured.

제조된 플렉시블 회로기판에 있어서, 제1 폴리이미드 수지 층과 제2 폴리이미드 수지 층의 총 두께는 25 ㎛였으며, 얻어진 플렉시블 회로기판은 에칭 전과 에칭 후에 거의 평평하였다. 상기 에칭 후에 폴리이미드 수지층의 선팽창계수를 측정한 값은 17.5×10-6 /K였으며, 동박측에 가까운 제1 폴리이미드 수지층은 15×10-6 /K, 그 위의 제2 폴리이미드 수지층은 19.5×10-6 /K 였다.In the manufactured flexible circuit board, the total thickness of the first polyimide resin layer and the second polyimide resin layer was 25 µm, and the obtained flexible circuit board was almost flat before and after etching. The linear expansion coefficient of the polyimide resin layer after the etching was measured at 17.5 × 10 −6 / K, and the first polyimide resin layer near the copper foil was 15 × 10 −6 / K and the second polyimide thereon. The resin layer was 19.5 × 10 -6 / K.

[비교예 1]Comparative Example 1

두께 18 ㎛의 압연 동박 위에 최종 폴리이미드 수지 층의 두께가 25 ㎛가 되도록 폴리아믹산 바니쉬를 한 번에 코팅한 것을 제외하고는 실시예 1과 동일한 방법으로 플렉시블 회로기판을 제조하였다. 상기 에칭 후에 측정한 폴리이미드 수지 층의 선팽창계수는 16×10-6 /K였으며, 동박 에칭 전의 휨(curl)의 곡률반경은 동박 쪽으로 400 mm이고, 동박 에칭 후의 휨의 곡률반경은 동박 쪽으로 30 mm였다.A flexible circuit board was manufactured in the same manner as in Example 1, except that the polyamic acid varnish was coated at a time so that the final polyimide resin layer had a thickness of 25 μm on the rolled copper foil having a thickness of 18 μm. The coefficient of linear expansion of the polyimide resin layer measured after the etching was 16 × 10 −6 / K, the curvature radius of the curl before copper foil etching was 400 mm toward the copper foil, and the curvature radius of the curvature after copper foil etching was 30 toward the copper foil. mm.

[비교예 2] Comparative Example 2

두께 18 ㎛의 압연 동박 위에 최종 제1 폴리이미드 수지 층의 두께가 10 ㎛가 되도록 폴리아믹산 바니쉬를 코팅하여, 140℃에서 3분간 1차 건조하고, 다시 260℃에서 5분간 2차 건조하여 제1 폴리아믹산 층을 형성시킨 다음, 같은 방법으로 최종 제2 폴리이미드 수지 층의 두께가 15 ㎛가 되도록 폴리아믹산 바니쉬를 코팅하여 140℃에서 5분간 건조시킨 것을 제외하고는 실시예 1과 동일한 방법으로 플렉시블 회로기판을 제조하였다. The polyamic acid varnish was coated on a rolled copper foil having a thickness of 18 μm so that the thickness of the final first polyimide resin layer was 10 μm, and firstly dried at 140 ° C. for 3 minutes, and then secondarily dried at 260 ° C. for 5 minutes to obtain a first thickness. After forming the polyamic acid layer, the same method as in Example 1 was applied except that the polyamic acid varnish was coated and dried at 140 ° C. for 5 minutes so that the thickness of the final second polyimide resin layer was 15 μm. A circuit board was prepared.

제조된 플렉시블 회로기판에 있어서, 총 폴리이미드 수지 층의 두께는 25 ㎛였으나, 두 층 간에 박리가 일어나 2층 동장적층식 플렉시블 회로기판을 얻을 수 없었다. In the manufactured flexible circuit board, the total polyimide resin layer had a thickness of 25 μm, but peeling occurred between the two layers, so that a two-layer copper clad flexible circuit board could not be obtained.

하기 표 1에는 실시예 1, 2 및 비교예 1, 2에 의해 제조된 2층 동장적층식 플렉시블 회로기판의 제조 조건, 폴리이미드 수지 층의 두께, 선팽창계수, 및 휨(curl)의 정도를 기재하였다.Table 1 below describes the manufacturing conditions, the thickness of the polyimide resin layer, the coefficient of linear expansion, and the degree of curl of the two-layer copper-clad flexible circuit boards prepared by Examples 1 and 2 and Comparative Examples 1 and 2. It was.

[표 1]TABLE 1

실시예 1Example 1 실시예 2Example 2 비교예 1Comparative Example 1 비교예 2Comparative Example 2 제1폴리아믹산층의제1차건조온도(℃)Primary drying temperature (° C.) of the first polyamic acid layer 140140 140140 140140 140140 제1폴리아믹산층의제2차건조온도(℃)Secondary drying temperature (° C.) of the first polyamic acid layer 200200 200200 200200 260260 제2폴리아믹산층의건조온도(℃)Drying temperature of the second polyamic acid layer (℃) 140140 140140 -- 140140 제1폴리이미드층의 두께(㎛)Thickness of the First Polyimide Layer (µm) 1010 1212 2525 1010 제2폴리이미드층의 두께(㎛)Thickness of the Second Polyimide Layer (μm) 1515 1313 1515 제1폴리이미드층의 선팽창계수Coefficient of Linear Expansion of First Polyimide Layer 16×10-6/K16 × 10 -6 / K 15×10-6/K15 × 10 -6 / K 16×10-6/K16 × 10 -6 / K 박리발생으로 인해 측정 불가Unable to measure due to peeling 제2폴리이미드층의 선팽창계수Coefficient of Linear Expansion of Second Polyimide Layer 19×10-6/K19 × 10 -6 / K 19.5×10-6/K19.5 × 10 -6 / K 플렉시블 회로기판의 곡률반경Radius of curvature of the flexible circuit board 에칭전Before etching 평면plane 평면plane 동박쪽으로400 mm400 mm towards copper foil 에칭후After etching 평면plane 평면plane 동박쪽으로30 mm30 mm towards copper foil

상기 표 1에서 보는 바와 같이, 하나의 폴리이미드층 만을 형성시킨 비교예 1은 에칭 전, 후에 동박쪽으로 심하게 휨이 발생하고, 제1폴리아믹산 층의 2차 건조온도가 260℃인 비교예 2의 경우에는 층간의 박리가 발생하였으나, 본 발명의 실시예 1 및 2에 따라 제조된 플렉시블 회로기판은 에칭 전, 후에 휨이 발생하지 않는 평면상태인 것을 알 수 있다. As shown in Table 1, Comparative Example 1 in which only one polyimide layer was formed was severely warped before and after etching, and the second drying temperature of the first polyamic acid layer was 260 ° C. In this case, the delamination occurred, but it can be seen that the flexible circuit boards manufactured according to Examples 1 and 2 of the present invention are in a planar state in which warpage does not occur before and after etching.

본 발명의 플렉시블 회로기판은 한 종류의 폴리아믹산 바니쉬로 선팽창계수가 다른 2층의 폴리이미드 층을 형성시킴으로써, 치수안정성, 에칭 후의 평면성 등에 있어서 우수한 신뢰성을 가지고, 회로 형성 등의 작업성이 우수하며, 특히, 한 종류의 폴리아믹산 바니쉬로써, 선팽창계수가 서로 다른 2층 구조의 폴리이미드 수지 층을 형성시킨 플렉시블 회로기판을 제조할 수 있도록 하여 바니쉬(varnish) 제작의 수고를 덜 수 있다는 장점이 있다. The flexible circuit board of the present invention is formed of two kinds of polyimide layers having different linear expansion coefficients by using one kind of polyamic acid varnish, which has excellent reliability in dimensional stability, planarity after etching, etc., and excellent workability in circuit formation. In particular, as one kind of polyamic acid varnish, it is possible to manufacture a flexible circuit board having a polyimide resin layer having a two-layer structure having a different linear expansion coefficient, thereby reducing the effort of varnish manufacturing. .

Claims (9)

동박;Copper foil; 상기 동박의 일면에 위치하여 선팽창계수가 10 × 10-6 내지 17 × 10-6 /K인 제1 폴리이미드 수지 층;A first polyimide resin layer positioned on one surface of the copper foil and having a linear expansion coefficient of 10 × 10 −6 to 17 × 10 −6 / K; 및 상기 제1 폴리이미드 수지 층과 동일한 성분으로 이루어지고, 상기 제1 폴리이미드 수지층의 일면에 위치하며, 선팽창계수가 17 × 10-6/K 내지 20 × 10-6/K인 제2 폴리이미드 수지 층And a second polyimide composed of the same component as the first polyimide resin layer, positioned on one surface of the first polyimide resin layer, and having a linear expansion coefficient of 17 × 10 −6 / K to 20 × 10 −6 / K. Mid resin layer 을 포함하는 플렉시블 회로기판.Flexible circuit board comprising a. 제1항에 있어서, 상기 제1 폴리이미드 수지 층의 두께는 3 내지 30 ㎛이고, 제2 폴리이미드 수지 층의 두께는 5 내지 30㎛ 이며, 상기 제1 폴리이미드 수지 층과 제2 폴리이미드 수지 층의 두께의 합이 10 내지 50 ㎛인 플렉시블 회로기판.The thickness of the first polyimide resin layer is 3 to 30 ㎛, the thickness of the second polyimide resin layer is 5 to 30 ㎛, the first polyimide resin layer and the second polyimide resin A flexible circuit board having a sum of the thicknesses of the layers of 10 to 50 µm. 제1항에 있어서, 상기 동박의 두께는 5 내지 40 ㎛인 플렉시블 회로기판.The flexible circuit board of claim 1, wherein the copper foil has a thickness of 5 to 40 μm. 제1항에 있어서, 상기 제1 폴리이미드 수지 층 및 제2 폴리이미드 수지 층은 The method of claim 1, wherein the first polyimide resin layer and the second polyimide resin layer 피로멜리틱 디안하이드라이드(PMDA:pyromellitic dianhydride), 3,3',4,4'-비페닐테트라카르복실릭 디안하이드라이드(BPDA:3,3',4,4'-biphenyltetracarboxylic dianhydride), 3,3'4,4'-벤조페논테트라카르복실릭 디안하이드라이드(BTDA:3,3',4,4'-benzophenonetetracarboxilic dianhydride), 4,4'-옥시디프탈릭 안하이드라이드(ODPA:4,4'-oxydiphthalic anhydride), 4,4'-(4,4'-이소프로필리덴디페녹시)-비스-(프탈릭 안하이드라이드)(BPADA:4,4'-(4,4'-isopropylidenediphenoxy)-bis(phthalic anhydride), 2,2'-비스-(3,4-디카르복시페닐)헥사플루오로프로판 디안하이드라이드(6FDA:2,2'-bis-(3,4-dicarboxyphenyl) hexafluoropropane dianhydride), 에틸렌글리콜 비스 (안하이드로-트리멜리테이트)(TMEG:ethylene glycol bis(anhydro-trimellitate)), 및 3,4,3',4'-디페닐술폰 테트라카르복실릭 디안하이드라이드(DSDA:3,4,3',4'-diphenylsulfone tetracarboxylic dianhydride)로 이루어진 군에서 선택되는 1종 이상의 디안하이드라이드와 Pyromellitic dianhydride (PMDA), 3,3 ', 4,4'-biphenyltetracarboxylic dianhydride (BPDA: 3,3', 4,4'-biphenyltetracarboxylic dianhydride), 3 , 3'4,4'-benzophenonetetracarboxylic dianhydride (BTDA: 3,3 ', 4,4'-benzophenonetetracarboxilic dianhydride), 4,4'-oxydiphthalic anhydride (ODPA: 4, 4'-oxydiphthalic anhydride), 4,4 '-(4,4'-isopropylidenediphenoxy) -bis- (phthalic anhydride) (BPADA: 4,4'-(4,4'-isopropylidenediphenoxy) ) -bis (phthalic anhydride), 2,2'-bis- (3,4-dicarboxyphenyl) hexafluoropropane dianhydride (6FDA: 2,2'-bis- (3,4-dicarboxyphenyl) hexafluoropropane dianhydride ), Ethylene glycol bis (anhydro-trimellitate) (TMEG: ethylene glycol bis (anhydro-trimellitate)), and 3,4,3 ', 4'-diphenylsulfone tetracarboxylic dianhydride (DSDA: 3,4,3 ', 4'-diphenylsulfone tetracarboxylic dianhydride) One or more dianhydrides selected p-페닐렌 디아민(p-PDA:p-phenylene diamine), m-페닐렌 디아민(m-PDA:m-phenylene diamine), 4,4'-옥시디아닐린(4,4'-ODA:4,4'-oxydianiline), 3,4'-옥시디아닐린(3,4'-ODA:3,4'-oxydianiline), 2,2-비스(4-4[아미노페녹시]-페닐)프로판(BAPP:2,2-bis(4-[4-aminophenoxy]-phenyl)propane), 2,2'-디메틸-4,4'-디아미노 비페닐(m-TB-HG:2,2'-Dimethyl-4,4'-diamino biphenyl), 1,3-비스(4-아미노페녹시)벤젠(TPER:1,3-bis(4-aminophenoxy) benzene), 2,2-비스(4-[3-아미노페녹시]페닐)술폰(m-BAPS:2,2-bis(4-[3-aminophenoxy]phenyl) sulfone), 4,4'-디아미노 벤즈아닐라이드(DABA:4,4'-diamino benzanilide), 및 4,4'-비스(4-아미노페녹시)비페닐(4,4'-bis(4-aminophenoxy)biphenyl)로 이루어진 군에서 선택되는 1종 이상의 디아민p-phenylene diamine (p-PDA: p-phenylene diamine), m-phenylene diamine (m-PDA: m-phenylene diamine), 4,4'-oxydianiline (4,4'-ODA: 4, 4'-oxydianiline), 3,4'-oxydianiline (3,4'-ODA: 3,4'-oxydianiline), 2,2-bis (4-4 [aminophenoxy] -phenyl) propane (BAPP : 2,2-bis (4- [4-aminophenoxy] -phenyl) propane), 2,2'-dimethyl-4,4'-diamino biphenyl (m-TB-HG: 2,2'-Dimethyl- 4,4'-diamino biphenyl), 1,3-bis (4-aminophenoxy) benzene (TPER: 1,3-bis (4-aminophenoxy) benzene), 2,2-bis (4- [3-amino Phenoxy] phenyl) sulfone (m-BAPS: 2,2-bis (4- [3-aminophenoxy] phenyl) sulfone), 4,4'-diamino benzanilide (DABA: 4,4'-diamino benzanilide) And at least one diamine selected from the group consisting of 4,4'-bis (4-aminophenoxy) biphenyl (4,4'-bis (4-aminophenoxy) biphenyl) 으로부터 얻어지는 폴리아믹산 바니쉬(varnish)의 이미드화 반응 생성물인 플렉시블 회로기판.A flexible circuit board which is an imidation reaction product of a polyamic acid varnish obtained from the product. 동박의 일면에 폴리아믹산 바니쉬를 1차 코팅하는 단계;Firstly coating a polyamic acid varnish on one surface of the copper foil; 상기 1차 코팅된 폴리아믹산 바니쉬를 100 내지 250℃의 온도 범위에서 두단계 이상의 온도로 건조시켜 제1 폴리아믹산 층을 형성시키는 단계;Drying the primary coated polyamic acid varnish to a temperature of two or more steps in a temperature range of 100 to 250 ° C. to form a first polyamic acid layer; 상기 건조된 폴리아믹산 바니쉬 위에 다시 상기 1차 코팅된 폴리아믹산 바니쉬와 동일한 성분의 바니쉬를 2차 코팅하는 단계;Second coating on the dried polyamic acid varnish a varnish of the same component as the primary coated polyamic acid varnish again; 상기 2차 코팅된 폴리아믹산 바니쉬를 100 내지 200℃의 온도에서 건조시켜 제2 폴리아믹산 층을 형성시키는 단계;Drying the secondary coated polyamic acid varnish at a temperature of 100 to 200 ° C. to form a second polyamic acid layer; 상기 제1 폴리아믹산 층 및 제2 폴리아믹산 층을 200 내지 400℃의 온도에서 이미드화 반응시켜 제1 폴리이미드 수지 층과 제2 폴리이미드 수지 층을 형성시키는 단계; 및 Imidating the first polyamic acid layer and the second polyamic acid layer at a temperature of 200 to 400 ° C. to form a first polyimide resin layer and a second polyimide resin layer; And 상기 동박을 에칭하는 단계Etching the copper foil 를 포함하는 플렉시블 회로기판의 제조방법.Method of manufacturing a flexible circuit board comprising a. 제5항에 있어서, 상기 제1 폴리이미드 수지 층의 두께는 3 내지 30 ㎛이고, 제2 폴리이미드 수지 층의 두께는 5 내지 30㎛ 이며, 상기 제1 폴리이미드 수지 층과 제2 폴리이미드 수지 층의 두께의 합이 10 내지 50 ㎛인 플렉시블 회로기판의 제조방법.The method of claim 5, wherein the thickness of the first polyimide resin layer is 3 to 30 ㎛, the thickness of the second polyimide resin layer is 5 to 30 ㎛, the first polyimide resin layer and the second polyimide resin A method of manufacturing a flexible circuit board in which the sum of the thicknesses of the layers is 10 to 50 µm. 제5항에 있어서, 상기 동박의 두께는 5 내지 40 ㎛인 플렉시블 회로기판의 제조방법.The method of claim 5, wherein the copper foil has a thickness of 5 to 40 μm. 제5항에 있어서, 상기 제1 폴리이미드 수지 층의 선팽창계수는 10 × 10-6 내지 17 × 10-6 /K이고, 상기 제2 폴리이미드 수지 층의 선팽창계수는 17 × 10-6 내지 20 × 10-6/K인 플렉시블 회로기판의 제조방법.The linear expansion coefficient of the first polyimide resin layer is 10 × 10 -6 to 17 × 10 -6 / K, and the linear expansion coefficient of the second polyimide resin layer is 17 × 10 -6 to 20 Method for producing a flexible circuit board of 10 × 6 / K. 제5항에 있어서, 상기 폴리아믹산 바니쉬(varnish)는 The method of claim 5, wherein the polyamic acid varnish (varnish) 피로멜리틱 디안하이드라이드(PMDA:pyromellitic dianhydride), 3,3',4,4'-비페닐테트라카르복실릭 디안하이드라이드(BPDA:3,3',4,4'-biphenyltetracarboxylic dianhydride), 3,3'4,4'-벤조페논테트라카르복실릭 디안하이드라이드(BTDA:3,3',4,4'-benzophenonetetracarboxilic dianhydride), 4,4'-옥시디프탈릭 안하이드라이드(ODPA:4,4'-oxydiphthalic anhydride), 4,4'-(4,4'-이소프로필리덴디페녹시)-비스-(프탈릭 안하이드라이드)(BPADA:4,4'-(4,4'-isopropylidenediphenoxy)-bis(phthalic anhydride), 2,2'-비스-(3,4-디카르복시페닐)헥사플루오로프로판 디안하이드라이드(6FDA:2,2'-bis-(3,4-dicarboxyphenyl) hexafluoropropane dianhydride), 에틸렌글리콜 비스 (안하이드로-트리멜리테이트)(TMEG:ethylene glycol bis(anhydro-trimellitate)), 및 3,4,3',4'-디페닐술폰 테트라카르복실릭 디안하이드라이드(DSDA:3,4,3',4'-diphenylsulfone tetracarboxylic dianhydride)로 이루어진 군에서 선택되는 1종 이상의 디안하이드라이드와 Pyromellitic dianhydride (PMDA), 3,3 ', 4,4'-biphenyltetracarboxylic dianhydride (BPDA: 3,3', 4,4'-biphenyltetracarboxylic dianhydride), 3 , 3'4,4'-benzophenonetetracarboxylic dianhydride (BTDA: 3,3 ', 4,4'-benzophenonetetracarboxilic dianhydride), 4,4'-oxydiphthalic anhydride (ODPA: 4, 4'-oxydiphthalic anhydride), 4,4 '-(4,4'-isopropylidenediphenoxy) -bis- (phthalic anhydride) (BPADA: 4,4'-(4,4'-isopropylidenediphenoxy) ) -bis (phthalic anhydride), 2,2'-bis- (3,4-dicarboxyphenyl) hexafluoropropane dianhydride (6FDA: 2,2'-bis- (3,4-dicarboxyphenyl) hexafluoropropane dianhydride ), Ethylene glycol bis (anhydro-trimellitate) (TMEG: ethylene glycol bis (anhydro-trimellitate)), and 3,4,3 ', 4'-diphenylsulfone tetracarboxylic dianhydride (DSDA: 3,4,3 ', 4'-diphenylsulfone tetracarboxylic dianhydride) One or more dianhydrides selected p-페닐렌 디아민(p-PDA:p-phenylene diamine), m-페닐렌 디아민(m-PDA:m-phenylene diamine), 4,4'-옥시디아닐린(4,4'-ODA:4,4'-oxydianiline), 3,4'-옥시디아닐린(3,4'-ODA:3,4'-oxydianiline), 2,2-비스(4-4[아미노페녹시]-페닐)프로판(BAPP:2,2-bis(4-[4-aminophenoxy]-phenyl)propane), 2,2'-디메틸-4,4'-디아미노 비페닐(m-TB-HG:2,2'-Dimethyl-4,4'-diamino biphenyl), 1,3-비스(4-아미노페녹시)벤젠(TPER:1,3-bis(4-aminophenoxy) benzene), 2,2-비스(4-[3-아미노페녹시]페닐)술폰(m-BAPS:2,2-bis(4-[3-aminophenoxy]phenyl) sulfone), 4,4'-디아미노 벤즈아닐라이드(DABA:4,4'-diamino benzanilide), 및 4,4'-비스(4-아미노페녹시)비페닐(4,4'-bis(4-aminophenoxy)biphenyl)로 이루어진 군에서 선택되는 1종 이상의 디아민p-phenylene diamine (p-PDA: p-phenylene diamine), m-phenylene diamine (m-PDA: m-phenylene diamine), 4,4'-oxydianiline (4,4'-ODA: 4, 4'-oxydianiline), 3,4'-oxydianiline (3,4'-ODA: 3,4'-oxydianiline), 2,2-bis (4-4 [aminophenoxy] -phenyl) propane (BAPP : 2,2-bis (4- [4-aminophenoxy] -phenyl) propane), 2,2'-dimethyl-4,4'-diamino biphenyl (m-TB-HG: 2,2'-Dimethyl- 4,4'-diamino biphenyl), 1,3-bis (4-aminophenoxy) benzene (TPER: 1,3-bis (4-aminophenoxy) benzene), 2,2-bis (4- [3-amino Phenoxy] phenyl) sulfone (m-BAPS: 2,2-bis (4- [3-aminophenoxy] phenyl) sulfone), 4,4'-diamino benzanilide (DABA: 4,4'-diamino benzanilide) And at least one diamine selected from the group consisting of 4,4'-bis (4-aminophenoxy) biphenyl (4,4'-bis (4-aminophenoxy) biphenyl) 으로부터 얻어지는 것인 플렉시블 회로기판의 제조방법.Method for producing a flexible circuit board obtained from.
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