KR20050089223A - 배기 가스 처리 시스템 - Google Patents

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Abstract

반도체 소자 제조 공정 중 발생하는 배기 가스를 배출하기 위한 배기 가스 처리 시스템이 개시되어 있다. 상기 배기 가스 처리 시스템은 다수의 공정 챔버와 각각 연결되는 주 배기 라인과 상기 주 배기 라인들로부터 분기되는 보조 배기 라인을 포함한다. 상기 주 배기 라인의 단부는 각각 메인 펌프와 연결되고, 상기 보조 배기 라인의 단부는 보조 펌프와 동시에 연결된다. 상기 주 배기 라인으로부터 보조 배기 라인이 분기되는 부위에는 각각 3방향 밸브가 구비된다. 제어부는 상기 3방향 밸브들의 동작을 제어한다. 따라서 상기 메인 펌프의 고장이 발생하더라도 상기 보조 펌프를 이용하여 상기 배기 가스를 지속적으로 배출할 수 있다.

Description

배기 가스 처리 시스템{System for treating exhaust gas}
본 발명은 반도체 장치를 제조하기 위한 가공 장치에 관한 것으로, 보다 상세하게는 상기 제조 공정 중에 발생하는 배기 가스를 외부로 배출하기 위한 배기 가스 처리 시스템에 관한 것이다.
근래에 정보 통신 분야의 급속한 발달과 컴퓨터와 같은 정보 매체가 널리 보급에 따라 반도체 장치도 비약적으로 발전하고 있다. 그 기능적인 면에 있어서, 상기 반도체 장치는 고속으로 동작하는 동시에 대용량의 저장 능력을 가질 것이 요구된다. 이에 따라, 상기 반도체 장치는 집적도, 신뢰도 및 응답 속도 등을 향상시키는 방향으로 제조 기술이 발전되고 있다.
상기 반도체 장치는 일반적으로 막 형성, 패턴 형성, 금속 배선 형성 등을 위한 일련의 단위 공정들을 순차적으로 수행함으로서 제조된다. 상기 단위 공정들의 수행에서는 상기 단위 공정들의 공정 조건에 적합한 제조 장치가 사용된다.
상기 공정들은 반도체 장치의 품질 및 수율 향상을 위해 압력 및 온도 등 공정 분위기의 정밀한 제어가 필수적인 요구 조건으로 대두되고 있다.
일반적으로, 반도체 장치를 제조하기 위한 반도체 기판의 가공 공정들은 다양한 공정 가스들을 사용하고, 반도체 기판이 공기와 반응하지 않도록 하기 위해 대기압에 비해 매우 낮은 진공 상태에서 수행된다.
상기 공정들이 시작될 때 공정 챔버로 공정 가스들이 투입되면, 상기 공정 챔버의 내부는 일시적으로 압력이 상승된다. 따라서 상승된 상기 압력을 공정 조건으로 유지하기 위해 공정이 진행되는 동안 계속해서 펌프 시스템이 가동되어야 하고, 공정이 진행되는 동안 발생하는 미반응 가스 및 반응 부산물의 배출도 펌프 시스템에 의해 이루어진다.
상기 펌프 시스템은 공정 장치들에 따라 다양한 방식이 있으며, 진공 라인 등에는 다양한 밸브들이 장착되어 공정 조건을 제어한다.
종형로를 이용한 저압 화학 기상 증착 장치나 건식 식각 장치에서는 드라이 펌프를 이용하여 소정의 공정이 종료된후 상기 공정 챔버 내부에 잔류하는 공정 가스가 배출한다.
도 1은 종형로의 종래 기술에 따른 배기 가스 처리 시스템을 설명하기 위한 개략적인 구성도이다.
도 1을 참조하면, 배기 가스 처리 시스템은 공정 챔버(10)와 연결되는 진공 라인(20), 진공 라인(20) 중에 설치되는 메인 밸브(40) 및 진공 라인(20)을 통해 공정 챔버(10)와 연결되는 드라이 펌프(30)를 포함한다.
드라이 펌프(30)가 정상적으로 작동하는 경우에는 메인 밸브(40)가 개방되어 공정 챔버(10) 내의 압력이 일정하게 유지되도록 조절된다. 그러나 드라이 펌프(30)에 이상이 발생하여 작동이 정지되는 경우에는 메인 밸브(40)가 닫히면서 공정 챔버(10) 내부의 미반응 가스나 배기 가스 등이 외부로 배출되지 못하게 된다. 상기 미반응 가스나 배기 가스는 진공 라인(20)을 역류하여 공정 챔버(10) 내부에 남아 파티클의 발생 원인이 되거나, 가스 누출 사고를 일으켜 폭발, 화재 및 인체 흡입으로 인한 인명사고 등의 심각한 사태로 이어질 수 있다.
상기와 같은 문제점을 해결하기 위한 본 발명의 목적은 상기 공정 챔버 내부의 상기 미반응 가스 및 상기 반응 부산물을 상기 배기 라인을 통하여 외부로 배기하며, 상기 배기 라인 내부의 상기 반응 부산물의 역류를 방지하기 위한 배기 가스 처리 시스템을 제공하는데 있다.
상기 본 발명의 목적을 달성하기 위하여 본 발명은 다수의 공정 챔버와 각각 연결되고, 상기 공정 챔버들에서 공정 중 발생하는 배기 가스를 배출하기 위한 다수의 주 배기 라인과, 상기 주 배기 라인들과 각각 연결되고, 상기 주 배기 라인들에 진공력을 제공하기 위한 다수의 메인 펌프와, 상기 주 배기 라인들로부터 각각 분기되는 다수의 보조 배기 라인과, 상기 보조 배기 라인들과 연결되고, 상기 메인 펌프의 작동 불량시 상기 배기 라인들에 진공력을 제공하기 위한 보조 펌프 및 상기 주 배기 라인들로부터 상기 보조 배기 라인들이 분기되는 부위들에 각각 구비되고, 상기 메인 펌프들의 정상적으로 작동하는 경우에는 상기 배기 가스가 상기 주 배기 라인들을 통해 배출되도록 상기 공정 챔버들과 메인 펌프들을 연결하도록 동작되며, 상기 메인 펌프들 중 적어도 하나의 작동 불량이 발생되는 경우에는 상기 작동 불량이 발생된 메인 펌프와 연결된 공정 챔버로부터 상기 보조 배기 라인을 통해 배기 가스가 배출되도록 동작되는 다수의 3방향 밸브를 포함하는 것을 특징으로 하는 배기 가스 처리 시스템을 제공한다.
상기 배기 가스 처리 시스템은 상기 메인 펌프의 작동 여부에 따라 상기 3방향 밸브의 동작을 제어하기 위한 제어부를 더 구비한다.
상기 메인 펌프 및 보조 펌프는 드라이 펌프로 구성되고, 상기 메인 펌프는 작동 불량시 경보 신호를 발생시킨다.
이와 같이 구성된 본 발명에 따른 상기 배기 가스 처리 시스템은 메인 펌프의 작동이 정지되면, 상기 3방향 밸브의 동작에 의해 주 배기 라인이 닫히고 보조 배기 라인이 개방되며, 상기 보조 펌프의 동작에 의해 상기 미반응 가스 및 상기 반응 부산물 등의 배기 가스가 배출된다. 따라서 상기 배기 가스가 역류하는 현상을 방지할 수 있다.
이하, 첨부한 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 배기 가스 처리 시스템에 대해 상세히 설명한다.
도 2는 본 발명의 바람직한 일실시예에 따른 종형 확산 설비의 배기 가스 처리 시스템을 설명하기 위한 개략적인 구성도이다.
도 2를 참조하면, 배기 가스 처리 시스템은 주 배기 라인(120), 메인 펌프(130), 보조 배기 라인(150), 보조 펌프(160), 3방향 밸브(140) 및 제어부(170)를 포함한다.
상기에서 3방향 밸브(140) 및 제어부(170)를 제외한 구성요소는 공정 챔버(110)의 수에 따라 그 수가 결정되고, 공정 챔버(110)는 둘 이상인 것이 바람직하다. 상세한 설명에서는 공정 챔버(110)가 네 개인 경우로 한정에서 설명한다.
주 배기 라인(120)은 네 개의 공정 챔버(110)와 각각 연결되고, 공정 챔버(120)들에서 공정 중 발생하는 배기 가스를 배출하기 위한 통로를 제공한다. 공정 챔버(110)가 네 개 구비되므로 주 배기 라인(120)도 네 개 구비된다.
공정 챔버(110)는 우선 종형 확산로 및 건식 식각 장치 등과 같이 내부가 저압을 유지한 상태에서 소정의 반도체 소자 제조 공정이 진행된다. 상기 배기 가스로는 여러 가지 화학기상증착(CVD: Chemical Vapor Deposition) 및 건식식각 공정에서 포스핀(PH3), 실란(SiH4), 디클로로 실란(SiH2Cl2), 암모니아(NH 3) 및 산화질소(N2O) 등의 가스를 사용되고, 상기 가스는 공정 챔버(110) 내에서 서로 혼합되어 공정에 사용된 후 잔류하는 형태로 남아 있는 잔류 가스이다.
메인 펌프(130)는 공정 챔버(110)와 연결된 주 배기 라인(120)의 단부에 각각 연결된다. 메인 펌프(130)는 네 개의 주 배기 라인(120) 각각에 연결되므로 네 개 구비된다. 메인 펌프(130)는 각각의 주 배기 라인(120)에 진공력을 제공하여 주 배기 라인(120)을 통해 배기 가스를 배출한다. 메인 펌프(130)로는 드라이 펌프가 사용된다. 상기 드라이 펌프는 오일 및 물을 사용하는 습식 펌프와 달리 펌프 내에 오일의 공급없이 구동되는 진공펌프로서 오일미스트가 발생되지 않는다. 따라서 상기 드라이 펌프는 배기가스로 인한 오염발생이 없고, 반도체 소자 제조 공정과 같은 쾌적한 환경을 요하는 곳에서 사용하기 적합한 펌프이다. 또한 상기 드라이 펌프는 마찰이 동반되지 않으므로 보다 폭넓은 압력범위를 요하는 진공성형 장비에서도 유용하게 사용할 수 있다. 상기 드라이 펌프는 저진공 펌프로서 로타리 베인 펌프(rotary vane pump)가 사용된다.
메인 펌프(130)는 사용 중 갑작스런 작동 불량이 발생하는 경우 경보 신호를 발생시킨다.
보조 배기 라인(150)은 주 배기 라인(120)으로부터 각각 분기된다. 보조 배기 라인(150)은 주 배기 라인(120)을 사용하여 배기 가스를 배출할 수 없는 경우에 상기 배기 가스를 배출하기 위한 통로로 사용된다. 보조 배기 라인(150)도 각각의 주 배기 라인(120)으로부터 각각 분기되므로 네 개가 구비된다.
보조 펌프(160)는 보조 배기 라인(150)과 연결된다. 보조 펌프(160)는 각각의 주 배기 라인(120)으로부터 분기되는 배기 라인(150)들과 동시에 연결된다. 보조 펌프(160)는 메인 펌프(130)의 작동 불량 시에 보조 배기 라인(150)에 진공력을 제공하여 보조 배기 라인(150)을 통해 배기 가스를 배출한다. 보조 펌프(160)로는 드라이 펌프가 사용된다. 보조 펌프(160)는 메인 펌프(130)의 갑작스런 작동 불량을 대비하여 항상 작동 상태를 유지한다. 즉 보조 펌프(160)는 펌핑에 의해 보조 펌프(160)와 연결된 각각의 보조 배기 라인(150)이 공정 챔버(110)의 공정 조건과 동일한 상태를 유지하거나, 상기 배기 가스를 배출할 수 있는 상태를 유지하도록 한다.
보조 펌프(160)는 메인 펌프(130)와 마찬가지로 작동 불량시 자체적으로 경보 신호를 발생하여 작업자가 보조 펌프의 이상을 알 수 있도록 한다.
3방향 밸브(140)는 주 배기 라인(120)에서 보조 배기 라인(150)이 분기되는 부위에 구비된다. 3방향 밸브(140)는 메인 펌프(130)가 정상적으로 작동하는 경우에는 보조 배기 라인(150)을 폐쇄하고 주 배기 라인(120)을 개방하여 주 배기 라인(120)을 통하여 상기 배기 가스가 배출되도록 작동된다. 즉 3방향 밸브(140)는 공정 챔버(110)와 메인 펌프(130)를 연결시키도록 작동된다.
3방향 밸브(140)는 메인 펌프(130)의 작동 이상 시 주 배기 라인(120)을 폐쇄하고 보조 배기 라인(150)을 개방하여 보조 배기 라인(150)을 통하여 상기 배기 가스가 배출되도록 작동된다. 즉 3방향 밸브(140)는 공정 챔버(110)와 보조 펌프(160)를 연결시키도록 작동된다.
제어부(170)는 3방향 밸브(140)의 동작을 제어한다. 제어부(170)는 메인 펌프(130)가 정상 상태일 경우에는 상기 배기 가스가 주 배기 라인(120)을 통하여 배출되도록 3방향 밸브(140)의 동작을 제어한다. 제어부(170)는 메인 펌프(130)의 작동 불량인 경우에는 메인 펌프(130)에서 발생하는 경보 신호를 감지하여 보조 라인(150)을 통하여 상기 배기 가스가 배출되도록 3방향 밸브(140)의 동작을 제어한다.
상기에서 상기 배기 가스 처리 시스템은 공정 챔버(110)의 수가 다수인 경우에 대해서만 설명되었지만, 공정 챔버(110)가 하나인 경우, 즉 주 배기 라인(120), 메인 펌프(130), 3방향 밸브(140) 및 보조 배기 라인(150)이 각각 하나인 경우에도 사용 가능하다.
도 3은 도 2에 도시된 배기 가스 처리 시스템에서 배기 가스의 흐름을 설명하기 위한 개략적인 구성도이다.
도 2 및 도 3을 참조하여 상기 배기 가스 처리 시스템의 작동을 살펴보자.
우선 공정 챔버(110)에서 소정의 반도체 소자 제조 공정이 진행 중 공정 챔버(110)로 공정 가스들이 투입되면, 공정 챔버(110)의 내부는 일시적으로 압력이 상승된다. 따라서 상기 공정이 진행되는 동안 상승된 공정 챔버(110)의 압력을 공정 조건으로 유지하고, 상기 공정이 진행되는 동안 발생하는 미반응 가스 및 반응 부산물의 배출을 위해서 메인 펌프(130)가 작동된다. 이 때 제어부(170)는 3방향 밸브(140)의 동작을 제어하여 보조 펌프(160)와 연결되는 보조 배기 라인(150)을 패쇄하고 메인 펌프(130)와 연결되는 주 배기 라인(120)을 개방한다. 즉 미반응 가스 및 반응 부산물 등을 포함하는 배기 가스는 제1 배기 경로(180)를 따라 배출된다.
주 배기 라인(120)을 통해 상기 배기 가스가 배출되는 상태이더라도 보조 펌프(160)는 공정 챔버(110)를 공정 압력으로 유지하거나 상기 배기 가스를 배출하기 위해 작동 상태를 유지한다.
메인 펌프(130)가 작동 중 갑작스럽게 작동 불량이 발생하면 메인 펌프(130)는 경보 신호를 발생시킨다. 제어부(170)는 메인 펌프(130)의 경보 신호를 감지함과 동시에 3방향 밸브(140)의 동작을 제어하여 메인 펌프(130)와 연결되는 주 배기 라인(120)을 폐쇄하고, 작동 상태에 있는 보조 펌프(160)와 연결된 보조 배기 라인(150)을 개방한다. 즉 상기 배기 가스는 도 3에 도시된 제2 배기 경로(182)를 따라 배출된다.
따라서 보조 펌프(130)의 펌핑에 의해 공정 챔버(110) 내부의 압력을 공정 조건으로 유지하거나 주 배기 라인(120)을 통해 배출되던 상기 배기 가스가 역류하는 것을 방지한다. 특히 상기 배기 가스가 공정 챔버(110)의 내부로 역류하여 파티클 발생의 원인이 되는 것을 방지한다.
상술한 바와 같이, 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 배기 가스 처리 시스템은 다수의 주 배기 라인으로부터 각각 분기되는 보조 배기 라인들을 구비하고, 상기 보조 배기 라인들이 동시에 연결되는 보조 펌프를 구비한다. 각각의 주 배기 라인에 연결된 메인 펌프가 작동 불량인 경우 상기 주 배기 라인을 폐쇄하고 상기 보조 배기 라인을 통해 배기 가스를 배출할 수 있다. 따라서 상기 메인 펌프의 작동이 멈추더라도 상기 배기 가스가 공정 챔버로 역류하는 현상을 방지하고, 상기 배기 가스가 반도체 기판의 파티클로 작용하는 것을 방지할 수 있다.
배기 가스 처리 시스템을 이용하여 상기 메인 펌프가 작동 불량이 되더라도 반도체 소자 제조 공정을 이상없이 진행할 수 있으므로, 생산성을 향상시킬 수 있다.
상기에서는 본 발명의 바람직한 실시예를 참조하여 설명하였지만, 해당 기술 분야의 숙련된 당업자는 하기의 특허 청구 범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.
도 1은 종형 확산 설비의 종래 기술에 따른 배기 가스 처리 시스템을 설명하기 위한 개략적인 구성도이다.
도 2는 본 발명의 바람직한 일실시예에 따른 종형 확산 설비의 배기 가스 처리 시스템을 설명하기 위한 개략적인 구성도이다.
도 3은 도 2에 도시된 배기 가스 처리 시스템에서 배기 가스의 흐름을 설명하기 위한 개략적인 구성도이다.
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명 *
110 : 챔버 120 : 주 배기 라인
130 : 메인 펌프 140 : 3방향 밸브
150 : 보조 배기 라인 160 : 보조 펌프
170 : 제어부 180 : 제1 배기 경로
182 : 제2 배기 경로

Claims (4)

  1. 다수의 공정 챔버와 각각 연결되고, 상기 공정 챔버들에서 공정 중 발생하는 배기 가스를 배출하기 위한 다수의 주 배기 라인;
    상기 주 배기 라인들과 각각 연결되고, 상기 주 배기 라인들에 진공력을 제공하기 위한 다수의 메인 펌프;
    상기 주 배기 라인들로부터 각각 분기되는 다수의 보조 배기 라인;
    상기 보조 배기 라인들과 연결되고, 상기 메인 펌프의 작동 불량시 상기 배기 라인들에 진공력을 제공하기 위한 보조 펌프; 및
    상기 주 배기 라인들로부터 상기 보조 배기 라인들이 분기되는 부위들에 각각 구비되고, 상기 메인 펌프들의 정상적으로 작동하는 경우에는 상기 배기 가스가 상기 주 배기 라인들을 통해 배출되도록 상기 공정 챔버들과 메인 펌프들을 연결하도록 동작되며, 상기 메인 펌프들 중 적어도 하나의 작동 불량이 발생되는 경우에는 상기 작동 불량이 발생된 메인 펌프와 연결된 공정 챔버로부터 상기 보조 배기 라인을 통해 배기 가스가 배출되도록 동작되는 다수의 3방향 밸브를 포함하는 것을 특징으로 하는 배기 가스 처리 시스템.
  2. 제1항에 있어서, 상기 메인 펌프의 작동 여부에 따라 상기 3방향 밸브의 동작을 제어하기 위한 제어부를 더 구비하는 것을 특징으로 하는 배기 가스 처리 시스템.
  3. 제1항에 있어서, 상기 메인 펌프 및 보조 펌프는 드라이 펌프인 것을 특징으로 하는 배기 가스 처리 시스템.
  4. 제1항에 있어서, 상기 메인 펌프는 작동 불량시 경보 신호를 발생시키는 것을 특징으로 하는 배기 가스 처리 시스템.
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