KR20050081738A - 듀플렉서 및 듀플렉서 패키지 - Google Patents

듀플렉서 및 듀플렉서 패키지 Download PDF

Info

Publication number
KR20050081738A
KR20050081738A KR1020040010108A KR20040010108A KR20050081738A KR 20050081738 A KR20050081738 A KR 20050081738A KR 1020040010108 A KR1020040010108 A KR 1020040010108A KR 20040010108 A KR20040010108 A KR 20040010108A KR 20050081738 A KR20050081738 A KR 20050081738A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
resonator
filter
duplexer
package
antenna terminal
Prior art date
Application number
KR1020040010108A
Other languages
English (en)
Inventor
이만형
Original Assignee
엘지이노텍 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 엘지이노텍 주식회사 filed Critical 엘지이노텍 주식회사
Priority to KR1020040010108A priority Critical patent/KR20050081738A/ko
Publication of KR20050081738A publication Critical patent/KR20050081738A/ko

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/46—Filters
    • H03H9/64—Filters using surface acoustic waves
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01P—WAVEGUIDES; RESONATORS, LINES, OR OTHER DEVICES OF THE WAVEGUIDE TYPE
    • H01P1/00—Auxiliary devices
    • H01P1/20—Frequency-selective devices, e.g. filters
    • H01P1/201—Filters for transverse electromagnetic waves
    • H01P1/203—Strip line filters
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/15—Constructional features of resonators consisting of piezoelectric or electrostrictive material
    • H03H9/17—Constructional features of resonators consisting of piezoelectric or electrostrictive material having a single resonator
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/25—Constructional features of resonators using surface acoustic waves
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/70—Multiple-port networks for connecting several sources or loads, working on different frequencies or frequency bands, to a common load or source
    • H03H9/72—Networks using surface acoustic waves

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Acoustics & Sound (AREA)
  • Surface Acoustic Wave Elements And Circuit Networks Thereof (AREA)

Abstract

본 발명은 송신필터와 수신필터가 구비된 듀플렉서에 있어서, 상기 송신 필터 및 수신 필터를 안테나단과 매칭하기 위하여 상기 안테나단에 인덕터를 병렬로 실장하여 형성된 매칭부로 구성된 것으로서, 위상 천이기가 필요없게 됨으로써 HTCC 패키지의 사용이 가능해지고 별도의 외부 매칭 회로가 불필요함으로 인한 사용의 간편성, HTCC 자체의 고강도성으로 인해 내구성이 강해지게 되고, 그로인해 심실링을 사용할 수 있다.

Description

듀플렉서 및 듀플렉서 패키지{Duplex and Duplex Package}
본 발명은 듀플렉서의 안테나 매칭에 있어서 본딩 와이어 인덕턴스나 패키지내 연결선, 비어홀등을 이용해서 인덕터를 구현하는 듀플렉서 및 듀플렉서 패키지에 관한 것이다.
최근들어 이동통신 단말기의 복합 다기능화, 슬림화 및 저가격화와 더불어 적용되는 RF 부품 또한 소형화의 요구가 거세게 다가오고 있다.
통신 기기의 소형화와 고성능화와 더불어 신호를 송수신할때, 신호의 일정 대역 주파수만을 필터하여 송신하거나 수신할때 일정한 주파수 대역의 신호만을 수신할 수 있도록 하는 쏘 필터를 채택하는 경우가 많아지고 있는데, 그중에서도 RF 필터의 경우에는 신호 처리 효율이 좋은 쏘 공진자 필터를 널리 사용하고 있다.
쏘 듀플렉서는 휴대전화기로 대표되는 이동 통신 기기에 있어서, 신호의 송신과 수신이 동시에 이루어지도록 상호간의 간섭을 최소화하는 필터로 사용되는데. 송신용 필터와 수신용 필터로 구성되어 있으며, 각각의 필터는 등과 같은 압전체 상에 전기적인 입력 신호를 기계적인 진동을 변화시키는 입력 변환기와 이와 대립 형성되어 있으며 기계적인 진동을 전기적인 신호로 변환하여 부하로 출력시키는 출력 변환기가 형성되어 있고, 상기 입력 변환기와 출력 변환기에는 빗살 형태의 알루미늄 전극이 서로 소정거리 이격 형성되어 있다.
그리고 상기와 같은 쏘 듀플렉서는 고주파 성능이 우수한 저온 동시 소성 세라믹(LTCC)라고 하는 기술에 의하여 세라믹 적층 기판상에 형성된 회로 소자들과 일체의 패키지 형태로 제조되고 있다.
쏘 필터의 패키징에 사용된 일반적인 패키지는 알루미나 세라믹과 전극 재료로서 W, Mo를 사용하여 고온에서 제작하는 HTCC패키지 인데, 전극 재료의 전기 전도율 저하로 인해 쏘 필터를 내장한 듀플렉서나 FEM과 같은 복합화된 소자의 경우 회로용 수동 소자를 패키지 내부에 패턴의 형태로 구현할 수 없기 때문에 집적화와 소형화에 어려움이 있다.
따라서, 상기 LTCC를 사용하면 전기 전도도가 우수한 전극 재료를 사용할 수 있고, 저온에서 금속과 그 세라믹 기판이 동시에 만들어지는 코파이어 공정기술이기 때문에 집적화와 소형화를 이룰수 있다.
쏘 듀플렉서의 경우 사용자의 저가격화의 요구에 따라 부품의 저가격화도 지속적으로 이루어지고 있다. 듀플렉서는 송신시는 불요의 수신신호가 임피던스 무한대로 되어 완전 격리가 이루어져야하고 반대로 수신시에는 불요의 송신신호가 임피던스 무한대가 되어 완전 격리가 이루어져야한다.
종래의 쏘 듀플렉서의 설계기법에 따른 경우는 필터의 설계 구조상 수신 대역에서는 송신필터의 임피던스가 거의 무한대에 있기 때문에 상기 조건에 만족되지만, 송신 대역에서는 수신 필터의 임피던스가 단락에 가까울 정도로 낮게 형성되어 있기 때문에 칩에 있어서 설계적으로 완전 격리가 이루어지기 힘들어서 수신 필터의 안테나 단자측에 위상천이기를 별도로 장착해주어야했다.
위상 천이기는 송신대역에서의 수신필터의 임피던스를 거의 무한대로 이동시켜줌으로써 듀플렉서의 양방향 통신을 가능하게 해주는 핵심 요소 역할을 수행하게 된다.
이러한 위상 천이기는 일반적으로 고주파 회로에 전극의 방사저항 손실을 최소로 할 수 있는 저온 동시 소성 세라믹 패키지 내에 스트립 라인 형태로 내장시켜 구현하게 된다. 스트립 라인의 길이는 주파수와 사용되는 LTCC소재의 유전률에 의해 결정이 되는데 일반적으로 800MHz대 제품에 적용된 일반적인 소재의 LTCC 패키지의 경우 스트립 라인의 길이가 약 30mm정도로서 상당히 길이가 길어지는바, 제품의 경박 단소화를 구현하는데 있어서 사이즈면에서 제약이 따르며 또한, LTCC 자체의 특성상 기계적인 내구성이 취약하고 저가격화하기가 힘든 소재이므로 듀플렉서의 저가격화에 장애 요인으로 작용하고 있다.
이하 도면을 참조하여 종래의 LTCC를 이용한 듀플렉서에 대하여 설명하기로 한다.
도 1은 종래의 LTCC를 이용한 듀플렉서의 구성을 개략적으로 나타낸 블럭도, 도 2는 종래의 송신 필터를 나타낸 도면, 도 3은 종래의 수신필터를 나타낸 도면이다.
도 1을 참조하면, LTCC를 이용한 듀플렉서는 송신 필터(104), 수신 필터(108), 위상 천이기(110)로 구성된다.
상기 송신필터(104)는 송신단으로부터 전송된 신호를 안테나단으로 전송하는 역할을 하고, 상기 수신필터(108)는 안테나단을 통하여 전송된 신호를 수신하는 역할을 한다. 상기 송신 필터(104)와 수신필터(108)는 1포트 공진기를 직렬과 병렬로 접속한 래더형일 수 있다.
상기 송신 필터(104)에 대하여 도 2를 참조하고, 상기 수신필터(108)에 대하여 도 3을 참조하여 설명하기로 한다.
도 2를 참조하면, 상기 송신필터(104)는 수신대역에서 무한대 임피던스를 갖도록 하기 위해서 안테나단에 처음으로 배치되는 공진기를 직렬 공진기(200a)로 설계한다.
상기 송신필터(104)에 대하여 좀더 상세히 살펴보면, 제1 공진기(200f)는 송신 입력단에 직렬로 연결되고, 제2 공진기(200e)는 상기 제1 공진기(200f)의 출력과 병렬로 연결된다. 이때, 상기 제2 공진기(200e)는 상기 제1 공진기(200f)의 출력과 접지 사이에 형성된다.
또한, 제3 공진기(200d)와 제4 공진기(200c)는 상기 제1 공진기(200f)의 출력에 직렬로 연결되고, 상기 제5 공진기(200b)는 상기 제4 공진기(200c)의 출력과 병렬로 연결된다. 이때, 상기 제5공진기(200b)는 상기 제4 공진기(200c)의 출력과 접지 사이에 형성된다.
제 6공진기(200a)는 상기 제4 공진기(200c)와 직렬로 연결되어 상기 안테나단과 직렬로 연결된다.
도 3을 참조하면, 상기 수신필터(108)는 위상 천이기(110)의 길이를 최소화하기 위해서 안테나단에 처음으로 배치되는 공진기를 병렬 공진기(300a)가 되도록 설계한다.
상기 수신 필터(108)에 대하여 좀더 상세히 살펴하면, 제1 공진기(300a)는 상기 안테나단에 병렬로 연결되고, 제2 공진기(300b)는 상기 안테나단에 직렬로 연결된다. 이때, 상기 제1 공진기(300a)는 상기 안테나단과 접지 사이에 형성된다.
제3 공진기(300c)는 상기 제2 공진기(300b)의 출력에 병렬로 연결되고, 상기 제4 공진기(300d)는 상기 제2 공진기(300b)의 출력에 직렬로 연결된다.
제5 공진기(300e)는 상기 제4 공진기(300d)의 출력에 병렬로 연결되고, 상기 제6 공진기(300f)는 상기 제4공진기(300d)의 출력에 직렬로 연결된다.
제7 공진기(300g)는 상기 제6 공진기(300f)의 출력과 수신 출력단사이에 병렬로 연결되는데, 상기 제7공진기(300g)는 접지로 연결된다.
상기 위상 천이기(110)는 세라믹층부내에 스트립라인 형태로 구성된다. 즉, 상기 위상 천이기(110)는 세라믹층부의 상부·하부 그라운드 패턴과 신호패턴 즉, 트레이스를 포함하여 구성된다.
상기 위상 천이기(110)는 송신시는 불요의 수신신호가 임피던스 무한대로 되어 완전 격리가 이루어지게 하고, 수신시에는 불요의 송신신호가 임피던스 무한대가 되어 완전 격리를 이루기 위해서 설치된다.
도 4는 종래의 쏘 듀플렉서 패키지의 단면을 나타낸 도면이다.
도 4를 참조하면, 쏘 듀플렉서 패키지는 필터 역할을 하는 칩(400), 세라믹층부(410), 칩(400)과 세라믹층부(410)를 연결하는 와이어(420), 리드(Lid)(430)로 구성된다.
상기 세라믹층부(410)는 하측, 즉 풋패드(411)에 그라운드 단자와 신호 단자 및 하부 그라운드 패턴이 형성되고, 상측에는 신호 패턴을 형성하여 적층하는 제1 유전체(412), 상기 신호 패턴이 형성된 제1 유전체(412)위에 상부 그라운드 패턴을 상층에 형성하여 적층하는 제2 유전체(413), 상기 제2 유전체(413)위에 적층되고, 상기 칩(400)과 와이어(420)를 통해 연결되는 본딩패드(418)을 포함하는 제3 유전체(114), 상기 제3 유전체(114)위에 적층되고 상측에 그라운드 패턴이 형성된 제4 유전체(415), 상기 유전체들의 외측에 형성되고 상기 제4 유전체(415)의 그라운드 패턴과 상기 풋패드(411)의 그라운드 및 신호 단자 사이에 각각 형성된 캐스틸레이션(416)을 포함한다.
여기서, 상기 신호 패턴은 스트립라인으로 구현되고, 위상 천이기는 상기 상부·하부 그라운드 패턴과 상기 신호패턴, 즉, 트레이스(417)를 포함하여 구성된다.
상기 상부·하부 그라운드 패턴은 상기 트레이스(417)범위를 포함할 수 있게 넓게 구성함으로써 신호 손실을 방지한다.
상기 캐스틸레이션(416)은 세라믹층부(410)의 맨위층 그라운드 패턴과 하부 풋패드(411)의 단자 사이에 형성되어 그라운드 패턴내 전극 패턴과 다수의 단자(그라운드/신호)를 필요에 따라 전기적으로 연결하는 역할을 한다.
상기 리드(430)는 세라믹층부(410)의 캐비티(cavity)에 있는 칩을 외부 환경으로부터 보호해 주는 기능을 하는 한편, 와이어(420)간의 기생 결합을 그라운드로 뽑아 제거해주는 기능을 한다.
따라서, 상기 리드(430)는 세라믹층부(410)의 맨 위층 그라운드 패턴에 전기적으로 연결되어 있고, 이 맨 위층 그라운드 패턴과 풋패드(411)의 그라운드 패턴 사이의 연결은 캐스틸레이션(416)을 통해 이루어진다.
즉, 세라믹층부(410)의 맨위층 그라운드 전극과 풋패드(411)의 그라운드 전극을 연결하기 위한 수단으로서 캐스틸레이션(416)이 사용된다.
그러나 상기와 같은 종래의 LTCC 패키지의 경우에는 길이가 약 30mm로서 상당히 길어서 경박 단소화를 목표로 하는 사용자의 요구를 만족시키기에는 많은 제약 사항이 있는 문제점이 있다.
또한, LTCC는 근본적으로 외부 충격에 대한 내구성이 취약하고 그로인해 일반적인 쏘 필터의 제조공법으로 제작하기는 곤란하여 접착제로서 고가의 AuSn이 도포된 리드를 사용해서 리플로우 솔더링 공법을 적용해야하는 불편함이 있다.
또한, LTCC제조 공정에 따라 제조되는 쏘 듀플렉서 패키지는 칩을 제외하고 위상 천이기를 포함한 회로 소자들 모두를 LTCC재료에 의하여 제조하므로 제조 단가가 높은 단점이 있다.
따라서, 본 발명의 목적은 HTCC를 사용하고 그로 인해 심실링을 사용할 수 있게 하는 듀플렉서 및 듀플렉서 패키지를 제공하는데 있다.
본 발명의 다른 목적은 리드 재료비의 격감 및 공정을 단순하게하여 원가를 절감할 수 있는 듀플렉서 및 듀플렉서 패키지를 제공할 수 있다.
상기 목적들을 달성하기 위하여 본 발명의 일 측면에 따르면, 송신필터와 수신필터가 구비된 듀플렉서에 있어서, 상기 송신 필터 및 수신 필터를 안테나단과 매칭하기 위하여 상기 안테나단에 인덕터를 병렬로 실장하여 형성된 매칭부를 포함하는 것을 특징으로 하는 듀플렉서가 제공된다.
상기 송신 필터는 안테나 단자측에 위치한 첫번째 공진기를 병렬 공진기로한 래더형 필터이고, 상기 수신 필터는 안테나 단자측에 위치한 첫번째 공진기를 직렬 공진기로한 래더형 필터이다.
본 발명의 다른 측면에 따르면, 필터역할을 하는 칩, 상기 칩을 외부 환경으로부터 보호하는 리드, 유전체층이 형성된 세라믹층부, 상기 칩과 상기 세라믹층부를 연결하는 제1 연결수단, 안테나단과 접지로 연결될 솔더 패드에 연결되어 있는 본딩패드를 연결하는 제2 연결수단을 포함하는 것을 특징으로 하는 듀플렉서 패키지가 제공된다.
상기 리드는 심실링 방식에 의해 상기 세라믹층부에 연결된다.
상기 제1 또는 제2 연결수단은 와이어이고, 상기 제2 연결수단은 송신 필터 및 수신 필터를 안테나단과 매칭하기 위한 매칭부이다.
상기 매칭부는 인덕터이고, 상기 인덕터는 상기 안테나단과 본딩 패드를 연결하는 와이어에 의한 인덕턴스, 상기 본딩패드와 상기 세라믹층부 하부에 포함된 풋패드간 연결 경로상에 존재하는 비어홀과 캐스틸레이션에서 발생하는 인덕턴스, 솔더패드에서 발생하는 인덕턴스의 합으로 구성된다.
이하 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 상세히 설명하기로 한다.
도 5는 본 발명의 바람직한 일 실시예에 따른 듀플렉서의 구성을 개략적으로 나타낸 도면, 도 6은 본 발명의 바람직한 일 실시예에 따른 송신필터의 구성을 개략적으로 나타낸 도면, 도 7은 본 발명의 바람직한 일 실시예에 따른 수신필터의 구성을 개략적으로 나타낸 도면이다.
도 5를 참조하면, 듀플렉서는 송신 필터(504), 수신 필터(508), 매칭부(510)로 구성된다.
상기 송신필터(504)는 송신단으로부터 전송된 신호를 안테나단으로 전송하는 역할을 하고, 상기 수신필터(508)는 안테나단을 통하여 전송된 신호를 수신하는 역할을 한다. 상기 송신 필터(504)와 수신필터(508)는 1포트 공진기를 직렬과 병렬로 접속한 래더형일 수 있다.
상기 송신 필터(504)에 대하여 도 6을 참조하고, 상기 수신필터(508)에 대하여 도 7을 참조하여 설명하기로 한다.
도 6을 참조하면, 송신필터(504)는 수신대역에서 무한대 임피던스를 갖도록 하기 위해서 안테나단에 처음으로 배치되는 공진기를 병렬 공진기(600a)로 한 래더형 필터를 사용한다.
상기 송신필터(504)에 대하여 좀더 상세히 살펴보면, 제1 공진기(600g)는 송신 입력단에 직렬로 연결되고, 제2 공진기(600f)는 상기 제1 공진기(600g)의 출력과 병렬로 연결된다. 이때, 상기 제2 공진기(600f)는 상기 제1 공진기(600g)의 출력과 접지 사이에 형성된다.
또한, 제3 공진기(600e)와 제4 공진기(600d)는 상기 제1 공진기(600g)의 출력에 직렬로 연결되고, 상기 제5 공진기(600c)는 상기 제4 공진기(600d)의 출력과 병렬로 연결된다. 이때, 상기 제5공진기(600c)는 상기 제4 공진기(600d)의 출력과 접지 사이에 형성된다.
제 6공진기(600b)는 상기 제4 공진기(600d)의 출력과 직렬로 연결되고, 제7 공진기(600a)는 상기 제6 공진기(600b)의 출력에 병렬로 연결되어, 안테나단에 병렬로 연결되고, 접지로 연결된다.
도 7을 참조하면, 상기 수신필터(508)는 송신대역에서 무한대 임피던스를 갖도록 하기 위해서 안테나단에 처음으로 배치되는 공진기를 직렬 공진기(700a)로한 래더형 필터를 사용한다.
상기 수신 필터(508)에 대하여 좀더 상세히 살펴하면, 제1 공진기(700a)는 안테나단에 직렬로 연결되고, 제2 공진기(700b)는 상기 제1 공진기(700a)의 출력에 병렬로 연결된다. 이때, 상기 제2 공진기(700b)는 상기 제1 공진기(700a)의 출력과 접지 사이에 형성된다.
제3 공진기(700c)는 상기 제1 공진기(700a)의 출력에 직렬로 연결되고, 제4 공진기(700d)는 상기 제3 공진기(700c)의 출력에 병렬로 연결된다. 이때, 상기 제4 공진기(700d)는 상기 제3 공진기(700c)의 출력과 접지 사이에 형성된다.
제5 공진기(700e)는 상기 제3 공진기(700c)의 출력에 직렬로 연결되고, 제6 공진기(700f)는 상기 제5 공진기(700e)의 출력에 병렬로 연결된다. 이때, 상기 제6 공진기(700f)는 상기 제5 공진기(700e)의 출력과 접지 사이에 형성된다.
제7 공진기(700g)는 상기 제5 공진기(700e)의 출력에 직렬로 연결되어, 상기 제5 공진기(700e)의 출력과 수신 출력단 사이에 형성된다.
상기와 같은 구조를 갖는 송신필터(504)와 수신필터(508)를 사용하면, 위상 천이기가 필요없어지고, LTCC를 사용할 필요없이 HTCC 세라믹 패키지의 사용이 가능해진다.
상기 매칭부(510)는 안테나단에 전력을 최대로 전달하기 위한 것으로서, 안테나단자에 인덕터를 병렬로 실장한 형태이다. 여기서, 상기 인덕터는 본딩와이어와 패키지내 연결선로를 통해서 구현한다.
즉, 상기 인덕터의 인덕턴스는 안테나 단자에서 외부 PCB에 실장되어 접지로 연결될 솔더패드에 연결되어 있는 본딩패드와 와이어 본딩이 이루어짐으로써 발생하는 본딩 와이어 인덕턴스, 본딩패드와 풋패드간 연결 경로상에 존재하는 비어홀과 캐스틸레이션에서 발생하는 인덕턴스의 합으로 구해진다.
도 8은 본 발명의 바람직한 일 실시예에 따른 HTCC를 이용한 듀플렉서 패키지의 단면을 나타낸 도면이다.
도 8을 참조하면, HTCC를 이용한 듀플렉서 패키지는 필터 역할을 하는 칩(800), 세라믹층부(810), 칩(800)과 세라믹층부(810)를 연결하는 와이어(820), 리드(Lid)(830), 안테나 단자와 본딩패드를 연결하는 와이어(840)로 구성된다. 여기서, 상기 본딩 패드는 외부 PCB에 실장되어 접지로 연결될 솔더 패드에 연결되어 있는 것을 말한다.
상기 세라믹층부(810)는 하측, 즉 풋패드(811)에 그라운드 단자와 신호 단자 및 하부 그라운드 패턴이 형성되는 제1 유전체(813), 상기 제1 유전체(813)위에 상부 그라운드 패턴을 상층에 형성하여 적층하는 제2 유전체(814), 상기 제2 유전체(814)위에 적층되고, 상기 칩(800)과 와이어(820)를 통해 연결되는 본딩패드(817)를 포함하는 제3 유전체(815), 상기 제3 유전체(815)위에 적층되고 상측에 그라운드 패턴이 형성된 제4 유전체(816), 상기 유전체들의 외측에 형성되고 상기 제4 유전체(816)의 그라운드 패턴과 상기 풋패드(811)의 그라운드 및 신호 단자 사이에 각각 형성된 캐스틸레이션(818)을 포함한다.
상기 제3 유전체에 형성되는 본딩패드간에는 와이어 본딩되어 인덕턴스를 발생한다. 상기 발생된 인덕턴스에 의해서 매칭부가 구현된다.
즉, 안테나단자와 외부 PCB에 실장되어 접지로 연결될 솔더패드에 연결되어 있는 본딩패드가 와이어 본딩이 이루어져서 본딩 와이어 인덕턴스가 발생하고, 상기 본딩패드와 풋패드(811)경로상에 존재하는 비어홀과 캐스틸레이션(818)인덕턴스가 발생하는데, 상기 발생된 인덕턴스에 의해서 매칭부가 구현된다.
상기 매칭부에 대하여 도 9를 참조하여 상세히 설명하기로한다.
상기 캐스틸레이션(818)은 세라믹층부(810) 맨위층 그라운드 패턴과 풋패드(811)의 단자 사이에 형성되어 그라운드 패턴내 전극 패턴과 다수의 단자(그라운드/신호)를 필요에 따라 전기적으로 연결하는 역할을 한다.
리드(830)는 세라믹층부(810)의 캐비티에 있는 칩(800)을 외부 환경으로부터 보호해 주는 기능을 하는 한편, 와이어(820)간의 기생 결합을 그라운드로 뽑아 제거해주는 기능을 한다.
상기 리드(830)는 심실링 방식에 의해 세라믹층부(810)의 제4유전체(816)층에 부착된다.
상기 리드(830)징하기 전의 듀플렉서 패키지에 대하여 도 9를 참조하여 설명하기로 한다.
도 9는 본 발명의 바람직한 일 실시예에 따른 리드를 브레이징하기 전의 듀플렉서 패키지의 상면을 나타낸 도면이다.
도 9를 참조하면, 듀플렉서 패키지의 상면을 살펴보면, 외부로부터 차례로 제4유전체(816), 제3유전체(815), 제2유전체(814), 칩(800)이 존재한다.
즉, 패키지 내부에 쏘 필터 칩(800)이 실장되고, 상기 칩(800)은 제3유전체(815)의 안테나단(900), 송신단(910), 수신단(920)과 와이어 본딩이 되어 있다. 상기 와이어 본딩에 의해 안테나 단자간, 송신단자간, 수신단자간에 전기적으로 접속이 이루어진다.
또한, 안테나단(900)과 그라운드단과는 와이어 본딩(950)이 이루어진다. 상기 안테나단(900)에서 외부 PCB에 실장되어 접지로 연결될 솔더패드(940)에 연결되어 있는 본딩패드와 와이어 본딩이 이루어짐으로써 발생하는 본딩 와이어 인덕턴스, 본딩패드와 풋패드간 연결 경로상에 존재하는 비어홀과 캐스틸레이션에서 발생하는 인덕턴스의 합에 의해서 인턱터값이 구해진다.
따라서, 상기 인덕터는 안테나단자(900)에서 외부 PCB에 실장되어 접지로 연결될 솔더패드(940)에 캐스틸레이션 전극을 통해 연결되어 있다. 이때, 상기 솔더 패드(940)는 반드시 외부에서 접지로 연결되어야한다.
도 10은 본 발명의 바람직한 일 실시예에 따른 듀플렉스 패키지의 저면을 나타낸 도면이다.
도 10을 참조하면, 듀플렉서 패키지의 저면은 세라믹층부의 하부 면적과 동일하게 대략 사각형으로 형성되고 각 면에는 그라운드 전극 및 신호 전극(1000)이 일정 간격으로 배열되어 있고, 중앙부(1010)에는 접지 패드가 형성된다.
상기 접지 패드는 소형화에 따른 접지 면적의 감소를 보상함은 물론이고, 열에 대한 외부 방출 통로 역할을 한다.
도 11은 본 발명의 바람직한 일 실시예에 따른 듀플렉서 패키지의 외면을 나타낸 도면이다.
도 11을 참조하면, 듀플렉서 패키지를 외부에서 보면, 캐스틸레이션부(818), 세라믹부를 포함한다.
상기 캐스틸레이션부(818)는 세라믹층부의 맨위층 그라운드 패턴과 하부 풋패드의 단자 사이에 형성되어 그라운드 패턴내 전극 패턴과 다수의 단자(그라운드/신호)를 필요에 따라 전기적으로 연결하는 것으로서, 전도체이다.
상기 캐스틸레이션부(818)는 송신 신호부와 수신 신호부, 안테나신호부를 제외한 쏘 듀플렉서 전체 주위에 일정 간격으로 분포한다.
상기 세라믹부는 쏘 듀플렉서 패키지의 부분으로서, 부도체이다.
본 발명은 상기 실시예에 한정되지 않으며, 많은 변형이 본 발명의 사상 내에서 당 분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의하여 가능함은 물론이다.
상술한 바와 같이 본 발명에 따르면, 위상 천이기가 필요없게 됨으로써 HTCC 패키지의 사용이 가능해지고 별도의 외부 매칭 회로가 불필요함으로 인한 사용의 간편성, HTCC 자체의 고강도성으로 인해 내구성이 강해지게 되고, 그로인해 심실링을 사용할 수 있게 되는 듀플렉서 및 듀플렉서 패키지를 제공할 수 있다.
또한, 본 발명에 따르면, 리드 재료비의 격감 및 공정이 단순함으로 인한 원가 절감 효과가 있는 듀플렉서 및 듀플렉서 패키지를 제공할 수 있다.
도 1은 종래의 LTCC를 이용한 듀플렉서의 구성을 개략적으로 나타낸 블럭도.
도 2는 종래의 송신 필터를 나타낸 도면.
도 3은 종래의 수신필터를 나타낸 도면.
도 4는 종래의 쏘 듀플렉서 패키지의 단면을 나타낸 도면.
도 5는 본 발명의 바람직한 일 실시예에 따른 듀플렉서의 구성을 개략적으로 나타낸 도면.
도 6은 본 발명의 바람직한 일 실시예에 따른 송신필터의 구성을 개략적으로 나타낸 도면.
도 7은 본 발명의 바람직한 일 실시예에 따른 수신필터의 구성을 개략적으로 나타낸 도면.
도 8은 본 발명의 바람직한 일 실시예에 따른 HTCC를 이용한 듀플렉서 패키지의 단면을 나타낸 도면.
도 9는 본 발명의 바람직한 일 실시예에 따른 리드를 브레이징하기 전의 듀플렉서 패키지의 상면을 나타낸 도면.
도 10은 본 발명의 바람직한 일 실시예에 따른 듀플렉스 패키지의 저면을 나타낸 도면.
도 11은 본 발명의 바람직한 일 실시예에 따른 듀플렉서 패키지의 외면을 나타낸 도면.
<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명>
504 : 송신필터 508 : 수신필터
510, 840 : 매칭부 800 : 칩
810 : 세라믹층부 820, 840 : 와이어
830 : 리드

Claims (9)

  1. 송신필터와 수신필터가 구비된 듀플렉서에 있어서,
    상기 송신 필터 및 수신 필터를 안테나단과 매칭하기 위하여 상기 안테나단에 인덕터를 병렬로 실장하여 형성된 매칭부
    를 포함하는 것을 특징으로 하는 듀플렉서.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 송신 필터는 안테나 단자측에 위치한 첫번째 공진기를 병렬 공진기로한 래더형 필터인 것을 특징으로 하는 듀플렉서.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 수신 필터는 안테나 단자측에 위치한 첫번째 공진기를 직렬 공진기로한 래더형 필터인 것을 특징으로 하는 듀플렉서.
  4. 필터역할을 하는 칩;
    상기 칩을 외부 환경으로부터 보호하는 리드;
    유전체층이 형성된 세라믹층부;
    상기 칩과 상기 세라믹층부를 연결하는 제1 연결수단;
    안테나단과 접지로 연결될 솔더 패드에 연결되어 있는 본딩패드를 연결하는 제2 연결수단
    을 포함하는 것을 특징으로 하는 듀플렉서 패키지.
  5. 제4항에 있어서,
    상기 리드는 심실링 방식에 의해 상기 세라믹층부에 연결되는 것을 특징으로 하는 듀플렉서 패키지.
  6. 제4항에 있어서,
    상기 제1 또는 제2 연결수단은 와이어인 것을 특징으로 하는 듀플렉서 패키지.
  7. 제4항에 있어서,
    상기 제2 연결수단은 송신 필터 및 수신 필터를 안테나단과 매칭하기 위한 매칭부인 것을 특징으로 하는 듀플렉서 패키지.
  8. 제7항에 있어서,
    상기 매칭부는 인덕터인 것을 특징으로 하는 듀플렉서
  9. 제8항에 있어서,
    상기 인덕터는 상기 안테나단과 본딩 패드를 연결하는 와이어에 의한 인덕턴스, 상기 본딩패드와 상기 세라믹층부 하부에 포함된 풋패드간 연결 경로상에 존재하는 비어홀과 캐스틸레이션에서 발생하는 인덕턴스, 솔더패드에서 발생하는 인덕턴스의 합으로 구성되는 것을 특징으로 하는 듀플렉서.
KR1020040010108A 2004-02-16 2004-02-16 듀플렉서 및 듀플렉서 패키지 KR20050081738A (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020040010108A KR20050081738A (ko) 2004-02-16 2004-02-16 듀플렉서 및 듀플렉서 패키지

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020040010108A KR20050081738A (ko) 2004-02-16 2004-02-16 듀플렉서 및 듀플렉서 패키지

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20050081738A true KR20050081738A (ko) 2005-08-19

Family

ID=37268293

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020040010108A KR20050081738A (ko) 2004-02-16 2004-02-16 듀플렉서 및 듀플렉서 패키지

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR20050081738A (ko)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100742911B1 (ko) * 2004-12-22 2007-07-25 후지쓰 메디아 데바이스 가부시키가이샤 분파기
US9812628B2 (en) 2011-08-26 2017-11-07 Lg Innotek Co., Ltd Light emitting device package

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100742911B1 (ko) * 2004-12-22 2007-07-25 후지쓰 메디아 데바이스 가부시키가이샤 분파기
US9812628B2 (en) 2011-08-26 2017-11-07 Lg Innotek Co., Ltd Light emitting device package

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US11476226B2 (en) Radio-frequency module and communication device
JP4532825B2 (ja) 高周波スイッチモジュール
US7084718B2 (en) Band elimination filter, filter device, antenna duplexer and communication apparatus
JP5230270B2 (ja) 分波器および無線通信機器
US20070046395A1 (en) Duplexer having matching circuit
US20050230812A1 (en) Electronic component comprising a multilayer substrate and corresponding method of production
CN100511989C (zh) 滤波装置以及使用它的多波段滤波器、分频器及通信装置
JP2003332885A (ja) 弾性表面波分波器およびそれを有する通信装置
US8170629B2 (en) Filter having impedance matching circuits
JP2003198325A (ja) 分波器、通信装置
JP3967289B2 (ja) 分波器及び電子装置
US7688159B2 (en) SAW duplexer having a bridging inductor in a multilayer package
US9070963B2 (en) Duplexer
JP2005268878A (ja) アンテナ共用器
US9160301B2 (en) Acoustic wave device
US6882250B2 (en) High-frequency device and communication apparatus
WO2020111257A1 (ja) 配線基板、電子部品搭載用パッケージおよび電子装置
KR20050081738A (ko) 듀플렉서 및 듀플렉서 패키지
KR100820556B1 (ko) 듀플렉서 제조방법
KR20050053831A (ko) 듀플렉서 및 듀플렉서 패키지
KR20050081737A (ko) 듀플렉서
KR100844773B1 (ko) 듀플렉서 및 그 제조방법
KR100986470B1 (ko) 세라믹 패키지
KR20050081740A (ko) 듀플렉서
KR100550539B1 (ko) 표면탄성파 듀플렉서 및 그 제조 방법

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E601 Decision to refuse application