KR20050080249A

KR20050080249A - 냉각수 공급 장치를 구비하는 반도체 기판 가공 설비

Info

Publication number: KR20050080249A
Application number: KR1020040008271A
Authority: KR
Inventors: 김성환
Original assignee: 삼성전자주식회사
Priority date: 2004-02-09
Filing date: 2004-02-09
Publication date: 2005-08-12

Abstract

반도체 기판 가공 설비는, 반도체 기판에 대한 소정의 가공 공정을 수행하기 위한 프로세스 챔버, 냉각수를 수용하기 위한 저장조, 저장조로부터 냉각수를 제공받아 프로세스 챔버로 순환시키기 위한 순환 라인, 저장조 내의 냉각수 수위를 감지하기 위하여 저장조 내부에 수직방향으로 배치된 복수개의 레벨 센서들을 갖는 센서부, 및 센서부로부터 신호를 제공받아 냉각수 감소율을 산출하고, 산출된 감소율과 기 설정된 감소율과의 비교 결과에 따라 반도체 기판에 대한 가공 공정을 제어하기 위한 제어부를 포함한다. 산출된 감소율이 기 설정된 감소율의 오차범위를 초과 시 순환 라인 상에 심각한 누수 현상이 발생한 것으로 판단하고 반도체 기판 가공 공정을 중지한다.

Description

냉각수 공급 장치를 구비하는 반도체 기판 가공 설비{EQUIPMENT FOR MANUFACTURING A SEMICONDUCTOR SUBSTRATE HAVING AN COOLING WATER SUPPLY APPARATUS}

본 발명은 냉각수 공급 장치를 구비하는 반도체 기판 가공 설비에 관한 것이다. 보다 상세하게는, 반도체 기판에 대한 소정의 공정이 수행되는 프로세스 챔버에 냉각수를 공급하여 최적의 공정 환경을 조성하는 반도체 기판 가공 설비에 관한 것이다.

일반적으로, 반도체 장치는 반도체 기판 상에 전기적 특성을 갖는 패턴을 형성하기 위하여 증착, 식각, 확산, 불순물 주입, 배선 등의 수많은 단위 공정들을 반복적으로 수행하여 제조된다. 최근에는 고성능 및 고집적의 반도체 장치를 제조하기 위하여 상기 각각의 단위 공정에서 요구하는 공정 조건들이 매우 까다로워졌다. 이는, 반도체 기판 상에 초미세화 간격으로 미세 구조물들을 형성하고, 상기 미세 구조물들을 서로 연결해주기 위해서 90 나노 이하 공정 기술의 부가 조건으로서 필요하다.

상술한 바와 같이, 고성능 및 고집적 반도체 장치를 제조하기 위한 공정 고전의 하나로서 일정한 공정 온도 유지하는 매우 중요하다. 일반적으로 공정 온도를 유지하기 위해서 냉각수 또는 냉각 가스를 이용하는 것이 일반적이다.

도 1은 종래 기술의 냉각수 공급 장치를 설명하기 위한 개략적인 단면도이다.

도 1을 참조하면, 냉각수를 저장하기 위한 냉각수 저장조(10)에는 냉각수를 순환하기 위한 순환 라인(31)이 연결된다. 순환 라인(31)에는 냉각수를 신속 및 용이하게 순환시키기 위한 냉각수 순환 펌프(33)가 설치된다. 또한, 냉각수 저장조(10)의 상부에는 냉각수를 공급하기 위한 냉각수 공급 라인(60)이 배치된다.

현재의 일반적인 냉각수 저장조(10)에서 냉각수의 용량을 확인하기 위해서는 냉각수 저장조(10) 상부에 결합된 캡(11)을 개방하여 작업자가 직접 육안으로 확인하고 있는 실정이다. 육안을 통한 확인 방법은 부정확하며, 작업자의 숙련 정도에 따라 측정 신뢰도가 변화되는 문제점이 있다.

전술한 바와 같은 문제를 상술한 이를 개선하고자 냉각수 저장조(10) 내부에 레벨 센서(41, 49)를 배치하여 냉각수가 최고 수위를 초과하거나 최저 수위 이하로 감소하는 것을 방지한 기술이 개발되었다.

냉각수 저장조(10) 내부에서 냉각수의 최고 수위 지점에 제1 레벨 센서(41)를 설치하고, 냉각수의 최저 수위 지점에 제2 레벨 센서(42)를 설치한다. 냉각수 저장조(10)에 냉각수가 과 충전되면 제1 레벨 센서(41)를 이를 감지하여 더 이상의 냉각수 공급을 제한한다. 이와 반대로 냉각수 저장조(10)에 냉각수가 과 방출되면 제2 레벨 센서(42)를 이를 감지하여 냉각수를 보충한다.

하지만, 상술한 바와 같이 냉각수를 보충하거나 냉각수의 공급을 제한하는 것은 정상적인 가공 공정 중에 냉각수가 증발하여 손실되는 것을 보충하기 위함이다. 보다 자세하게 설명하면, 정상적인 가공 공정 중에도 증발이나 미세한 누수 현상으로 인하여 저장조(10)의 냉각수는 조금씩 감소한다. 냉각수가 감소하여 최저 수위에 도달 시 제2 레벨 센서(42)가 이를 감지하여 냉각수를 보충한다.

하지만, 순환 라인(33)이 파손되거나 순환 라인(33)들의 연결부위(32)에서 심각한 누수 현상이 발생할 경우, 냉각수 저장조(10)의 냉각수는 정상적인 감소율보다 훨씬 빠른 속도로 감소한다. 따라서 제2 레벨 센서(42)가 냉각수의 부족을 감지한 후 냉각수 저장조(10)에 냉각수를 보충하기 전에 이미 냉각수 저장조(10)의 냉각수는 고갈된다. 따라서 적절한 냉각수 순환이 이루어지지 않으며 이로 인하여 매우 심각한 공정 에러가 발생한다. 또한, 심각한 누수 현상이 발생하더라도 아무런 경고 장치가 없어 장시간 상기 누수 현상이 방치될 수도 있다.

현재 반도체 장치는 고집적, 고성능화되는 추세에 따라 그 가격이 급증하고 있으며, 상기 반도체 장치를 제조하기 위한 웨이퍼의 직경도 과거 6인치에서 12인치로 증가하는 등 대부분의 장치 및 부품들이 고가화되는 추세이다. 이러한 추세에 비추어볼 때 냉각수 부족으로 인하여 발생된 공정 에러의 피해는 매우 심각할 수 있으며 이에 대한 대처 방안이 긴급히 요구되는 실정이다.

본 발명은 전술한 종래 기술의 문제점을 해결하고자 안출된 것으로서, 본 발명의 목적은 저장조 내의 냉각수 수위가 감소하는 비율을 산출하여 누수정도를 예측하고, 예측 결과에 따라 반도체 기판 가공 공정을 제어함으로써 냉각수 부족으로 유발되는 공정 에러를 방지할 수 반도체 기판 가공 설비를 제공하는 것이다.

상술한 본 발명의 목적을 달성하기 위하여, 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 반도체 기판 가공 설비는, 반도체 기판에 대한 소정의 가공 공정을 수행하기 위한 프로세스 챔버, 냉각수를 수용하기 위한 저장조, 저장조로부터 냉각수를 제공받아 프로세스 챔버로 순환시키기 위한 순환 라인, 저장조 내의 수위를 감지하기 위하여 저장조 내측벽에 배치된 복수개의 레벨 센서들을 포함하는 센서부, 및 저장조 내의 냉각수의 감소율을 산출하여 상기 가공 공정을 제어하기 위한 제어부를 포함한다. 제어부는 레벨 센서들로부터 감지된 냉각수의 감소율이 기 설정된 감소 속도를 초과 시, 순환 라인 상에 심각한 누수 현상이 발생된 것으로 예측하고 프로세스 챔버에서 수행되는 공정의 진행 여부를 제어한다. 프로세스 챔버에서 반도체 기판에 대한 가공 공정이 진행 중에 누수현상이 발생할 경우, 제어부는 해당 가공 공정은 완료할 수 있도록 저장조에 냉각수를 긴급 공급한다.

본 발명에 따르면, 저장조 내의 냉각수가 기 설정된 속도보다 빨리 감소할 경우, 심각한 누수 현상이 발생한 것으로 판단하고 반도체 기판에 대한 가공 공정을 제어함으로써 냉각수 부족으로 인하여 발생하는 공정 에러를 방지한다. 또한, 제어부는 반도체 기판 가공 공정이 진행 중에 누수 현상이 발생할 경우 진행 중이던 공정까지는 완료하도록 냉각수를 긴급 보충하고, 차후 공정부터 가공 공정을 제어함으로써, 가공 공정 중단으로 인한 피해를 최소화할 수 있다.

이하, 첨부된 도면들을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 반도체 기판 가공 설비를 상세하게 설명하지만, 본 발명이 하기 실시예들에 의해 제한되거나 한정되는 것은 아니다.

도 2는 본 발명의 바람직한 일실시예에 따른 반도체 기판 가공 설비를 설명하기 위한 개략적인 구성도이다.

도 2를 참조하면, 냉각수 공급 장치를 구비하는 반도체 기판 가공 설비(100)는 프로세스 챔버(110), 저장조(120), 순환 라인(131), 센서 유닛(140), 및 제어 유닛(150)을 포함한다.

프로세스 챔버(110)에서는 반도체 기판에 대한 소정의 가공 공정이 수행된다. 예를 들어 프로세스 챔버(110)에서 증착, 식각, 확산 또는 이온주입과 같은 다양한 가공 공정 등이 수행될 수 있다.

전술한 가공 공정을 수행할 경우, 프로세스 챔버(110)의 내부 또는 외부에서 열이 발생한다. 일예로, 증착 공정을 수행 시 프로세스 챔버(110)의 내부는 약 600 ℃ 이상으로 가열된다. 하지만, 공정 효율을 극대화하기 위해서 프로세스 챔버(110) 내부에 배치된 부재들을 각기 다른 온도로 가열할 필요가 있다. 이 경우, 냉각수 공급 장치가 이용된다. 냉각수 공급 장치는 냉각수를 해당 부재에 제공하여 열교환 방식으로 해당 부재의 온도를 조절한다.

냉각수는 순환 라인(131)을 통하여 프로세스 챔버(110)에 제공된다. 순환 라인(131)은 냉각수 저장조(120)와 프로세스 챔버(110)를 매개한다. 순환 라인(131)은 냉각수 저장조(120)로부터 분기되어 프로세스 챔버(110)의 내부 또는 외부를 거쳐서 다시 냉각수 저장조(120)로 귀환하는 폐쇄형 구조를 갖는다. 냉각수는 순환 라인(131)을 따라 이동하면서 프로세스 챔버(110)의 해당 부재를 냉각한다.

프로세스 챔버(110)에 대한 순환 라인(131)의 배치는 다양하게 선택될 수 있다. 일예로, 순환 라인(131)은 프로세스 챔버(110)의 외벽을 따라 코일형으로 배치되거나, 프로세스 챔버(110) 내부의 척(도시되지않음)에 내장되도록 배치될 수도 있다. 순환 라인(131)은 프로세스 챔버(110) 중 냉각이 요구되는 위치에 배치 가능하다.

전술한 바와 같이, 냉각이 필요한 부재에 냉각수 순환 라인(131)을 배치하여 해당 장비를 냉각시키는 기술은 널리 공지된 기술이므로 더 이상 상세한 설명은 생략한다.

냉각수의 용이한 순환을 위하여 순환 펌프(133)가 이용된다. 순환 펌프(133)는 순환 라인(131) 상에 설치된다. 순환 펌프(133)는 저장조(120)로부터 냉각수를 제공받아 프로세스 챔버(110)로 강제 순환시킨다.

저장조(120)는 소정의 용적을 갖는 드럼(drum) 형상으로 제작된다. 저장조(120)에는 냉각수가 수용된다. 저장조(120)에는 공정 조건에 따라 다양한 냉각수가 수용될 수 있다. 일반적으로 냉각수로서 탈이온수(deionized water)가 이용되지만, 경우에 따라서 케이컬(chemical) 용액이나 물이 수용될 수 있다.

저장조(120)의 하부에는 순환 라인(131)의 일단이 연결되고, 저장조(120)의 상부에는 순환 라인(131)의 타단이 연결된다. 순환 라인(131)은 저장조(120)의 하부로부터 분기되어 프로세스 챔버(110)를 경유한 후 저장조(120)의 상부로 귀환한다.

저장조(120)의 상부에는 냉각수가 공급되는 냉각수 공급 라인(161)이 더 연결된다. 공급 라인(161)은 저장조(120)에 냉각수를 공급 및 보충하기 위한 저장 탱크(165)와 저장조(120)를 매개한다.

냉각수는 최초 공급 라인(161)을 통하여 저장조(120)에 공급된 후, 가공 공정을 수행함에 따라 소실되는 양만큼 저장 탱크(165)로부터 보충된다. 적절한 시점에서 냉각수를 보충하기 위하여 센서부(140)가 이용된다.

센서부(140)는 복수개의 레벨 센서(141, 142, 143, 144, 145, 146)들을 포함한다. 레벨 센서(141, 142, 143, 144, 145, 146)들은 저장조(120)의 내측벽에 수직방향으로 나란하게 배치되는 것이 바람직하다. 하지만, 레벨 센서(141, 142, 143, 144, 145, 146)들이 반드시 저장조(120)의 내측벽에 배치되어야 하는 것은 아니다. 최소, 레벨 센서(141, 142, 143, 144, 145, 146)들이 저장조(120)의 내측벽으로부터 이격되어 저장조(120) 내부에 수직방향으로 배치되더라고 냉각수 수위를 감지할 수 있다.

모든 레벨 센서(141, 142, 143, 144, 145, 146)들은 제어 유닛(150)에 연결되어 저장조(120) 내에 잔류하는 냉각수에 대한 정보를 제공한다. 일반적으로 레벨 센서의 종류는 다양하며, 본 발명에 이용할 수 있는 레벨 센서의 종류도 다양하다. 일예로, 광, 초음파, 마이크로파, 진동, 압력, 또는 열전도 방식을 이용한 레벨 센서가 이용될 수 있다. 본 실시예에서는 광을 이용한 레벨 센서에 대해서만 설명하지만 이것이 본 발명을 제한하거나 한정하는 것은 아니다. 각각의 레벨 센서(141, 142, 143, 144, 145, 146)들은 구조 및 기능적 측면에서 실질적으로 동일하며, 사용목적의 측면에서 크게 두 가지로 구분된다.

저장조(120) 내의 최상부에 배치된 제1 레벨 센서(141) 및 저장조(120) 내의 최하부에 배치된 제6 레벨 센서(146)는 냉각수의 과도 및 부족을 감지하기 위하여 이용된다. 그리고 제1 레벨 센서(141)와 제6 레벨 센서(146) 사이에 배치된 제2, 제3, 제4, 및 제5 레벨 센서(142, 143, 144, 145)들은 냉각수의 감소율을 산출하기 위하여 측정하기 이용된다.

제1 내지 제 6 레벨 센서(141, 142, 143, 144, 145, 146)는 모두 해당 레벨 센서의 위치에서 냉각수의 존재 여부를 감지하는 것은 동일하다. 하지만 각가의 레벨 센서(141, 142, 143, 144, 145, 146)들은 그 이용분야에서 소정의 차이가 있다.

제1 레벨 센서(141)는 냉각수가 저장조(120)에 과 충전되어 범람하는 것을 방지하기 위하여 이용되며, 제6 레벨 센서(146)는 냉각수가 저장조(120)로부터 과 방출되어 고갈되는 것을 방지하기 위하여 이용된다.

제1 레벨 센서(141)는 저장조(120) 내부의 냉각수 최고 한계 수위 지점에 설치된다. 냉각수가 저장조(120)의 최고 한계 수위 이상으로 과 충전되면 제1 레벨 센서(141)는 이를 감지하여 제어 유닛(150)에 신호를 전달한다. 제어 유닛(150)은 냉각수 공급 라인(161)상에 설치된 제어 밸브(167)를 작동시켜 공급 라인(161)을 폐쇄한다. 부가적으로는 제어 유닛(150)이 저장조(120) 하부에 설치된 배출라인(171)을 개방하여 냉각수의 적절 수위를 조절할 수 있다.

제6 레벨 센서(146)는 저장조(120) 내부에서 냉각수의 최저 한계 수위 지점에 설치된다. 냉각수가 저장조(120)의 최저 한계 수위 이하로 과 방출되면 제6 레벨 센서(146)는 이를 감지하여 제어 유닛(150)에 신호를 전달한다. 제어 유닛(150)은 냉각수 공급 라인(161)상에 설치된 제어 밸브(167)를 개방하여 냉각수를 즉시 공급한다. 부가적으로는 배출라인(171)이 개방되어 있는 경우, 제어 유닛(150)은 배출라인(171)을 폐쇄할 수도 있다.

제2 내지 제5 레벨 센서(142, 143, 144, 145)는 저장조(120) 내부에서 냉각수가 감소하는 속도를 측정하기 위하여 이용된다. 제2 내지 제5 레벨 센서(142, 143, 144, 145)는 등간격으로 저장조(120) 내측벽에 수직방향으로 나란하게 설치되는 것이 바람직하다. 순환 라인(131)에서 심각한 누수 현상이 발생할 경우, 저장조(120)의 냉각수는 빠른 속도로 감소한다. 제어 유닛(150)은 냉각수의 수위가 제2 레벨 센서(142)가 배치된 지점으로부터 제3 레벨 센서(143)가 배치된 지점까지 줄어드는데 걸리는 제1 시간(t1)을 측정한다. 또한, 제어 유닛(150)에는 제2 레벨 센서(142)와 제3 레벨 센서(143) 사이의 용적이 기 설정되어있다. 제어 유닛(150)은 기 설정된 상기 용적을 제1 시간(t1)으로 나누어 제1 감소율을 산출한다. 이후, 제어 유닛(150)은 냉각수의 수위가 제3 레벨 센서(143)가 배치된 지점으로부터 제4 레벨 센서(144)가 배치된 지점까지 줄어드는데 걸리는 제2 시간(t2)을 측정하고, 동일한 방법으로 냉각수의 제2 감소율을 산출한다. 또한, 제어 유닛(150)은 냉각수의 수위가 제4 레벨 센서(144)가 배치된 지점으로부터 제5 레벨 센서(145)가 배치된 지점까지 줄어드는데 걸리는 제3 시간(t3)을 측정하고, 동일한 방법으로 냉각수의 제3 감소율을 산출한다.

제어 유닛(150)에는 정상적인 순환 공정이 진행 시 냉각수의 바람직한 감소율이 기 설정되어있다. 제어 유닛(150)은 상기 바람직한 감소율을 산출된 제1 내지 제3 감소율과 비교한다. 순환 라인(131)의 파손과 같이 심각한 누수 현상이 발생 시 제1 내지 제3 감소율은 상기 바람직한 감소율보다 크다. 제어 유닛(150)은 산출된 제1 내지 제3 감소율이 상기 바람직한 감소율의 오차 범위를 초과 시 심각한 누수 현상이 발생된 것으로 판단하고 긴급 조치를 수행한다.

제어 유닛(150)이 수행하는 긴급 초치는 다양하다. 일단 경고음 또는 경고광과 같은 경고 사인을 발생하고 반도체 기판 가공 공정을 중지한다. 하지만 제어 유닛(150)이 모든 공정을 바로 중지시키는 것을 아니다. 일예로, 프로세스 챔버(110) 내에서 반도체 기판에 대한 가공 공정이 진행 중에 누수 현상을 감지한 경우, 제어 유닛(150)은 공급 라인(161)상에 설치된 제어 밸브(167)를 개방하여 냉각수를 즉시 보충한다. 이 경우, 제어 유닛(150)은 산출한 누수율과 동일하거나 보다 빠른 속도로 냉각수를 보충하는 것이 바람직하다. 따라서 저장조(120)의 냉각수는 최저 한계 수위 이상으로 유지된다. 프로세스 챔버(110)에서 해당 가공 공정이 완료되면 제어 유닛(150)은 공급 라인(161)을 폐쇄함과 동시에 모든 가공 공정을 중지시킨다.

증발이나 미약한 누수 현상과 같이 정상적인 가공 공정 중에서도 냉각수가 손실될 수 있다. 따라서 비록 감소 속도는 매우 작겠지만 저장조(120)의 냉각수가 계속 감소한다. 종래에는 최저 수위 감지 센서인 제6 센서(146)로부터 냉각수의 고갈 경고를 제공받았지만, 본 실시예에 따른 제어 유닛(150)은 냉각수가 최저 수위에 도달하기 전에 냉각수를 보충하여 최적의 공정 조건을 유지한다. 보다 자세하게 설명하면 다음과 같다.

제어 유닛(150)은 반도체 기판에 대한 가공 공정을 제어하기 위한 제1 제어부(도시되지않음)와 제어 밸브(167)의 개방 정도를 조절하기 위한 제2 제어부(도시되지않음)를 포함한다. 제어 유닛(150)의 제2 제어부는 산출한 제1 내지 제3 감소율 중에서 일 감소율을 선택하고, 선택한 감소율과 같거나 더 빠른 비율로 냉각수를 보충한다. 제어 유닛(150)의 제2 제어부는 제어 밸브(167)의 개방 정도를 변경하여 냉각수 보충 속도를 제어한다. 따라서 저장조(110)의 냉각수 수위는 자동으로 일정하게 유지된다.

상술한 바와 같이, 본 실시예에서는 제어 유닛(150)의 중요한 두 기능을 설명하기 위하여 제1 및 제2 제어부로 구분하였지만, 제1 및 제2 제어부는 실질적으로 하나의 제어 유닛(150)으로 생각하여도 무관한다.

상술한 바와 같이, 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 반도체 기판 가공 설비는 최고 수위를 감지하기 위한 센서와 최저 수위를 감지하기 위한 센서 사이에 복수개의 레벨 센서들을 설치하여 냉각수가 비정상적으로 감소하는 것을 미리 예측하고, 예측 결과에 따라 냉각수 공급 장치 및 프로세스 챔버를 제어하여 냉각수 부족으로 인한 공정 피해를 최소화시킨다. 또한 저장조의 냉각수 수위를 자동으로 유지함으로써 냉각수 수위를 조절하기 위한 인력 손실도 줄일 수 있다.

상기에서는 본 발명의 바람직한 실시예를 참조하여 설명하였지만, 해당 기술 분야의 숙련된 당업자는 하기의 특허 청구 범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.

< 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명 >

100 : 반도체 기판 가공 설비 110 : 프로세스 챔버

120 : 냉각수 저장조 131 : 순환 라인

133 : 순환 펌프 140 : 센서 유닛

141 : 제1 레벨 센서 142 : 제2 레벨 센서

143 : 제3 레벨 센서 144 : 제4 레벨 센서

145 : 제5 레벨 센서 146 : 제6 레벨 센서

150 : 제어 유닛 161 : 공급 라인

165 : 저장 탱크 167 : 제어 밸브

171 : 배출 라인

Claims

반도체 기판에 대한 소정의 가공 공정을 수행하기 위한 프로세스 챔버;

냉각수를 수용하고, 상기 냉각수를 상기 프로세스 챔버로 순환시키기 위한 순환 라인이 연결된 저장조;

상기 저장조 내의 냉각수 수위를 감지하기 위하여 상기 저장조 내에 수직방향으로 배치된 복수개의 레벨 센서들을 갖는 센서부; 및

상기 센서부로부터 신호를 제공받아 냉각수 감소율을 산출하고, 산출된 감소율과 기 설정된 값과의 비교 결과에 따라 상기 가공 공정의 수행여부를 판단하기 위한 제어부를 구비하는 것을 특징으로 하는 반도체 기판 가공 설비.
제 1 항에 있어서, 상기 저장조 내로 냉각수를 공급하기 위한 공급 라인을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 기판 가공 설비.
제 2 항에 있어서, 상기 저장조 내의 냉각수를 기 설정된 수위 이상으로 유지하기 위하여 상기 산출된 감소율에 따라 상기 공급 라인의 개폐 정도를 조절하는 제2 제어부를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 기판 가공 설비.
제 1 항에 있어서, 상기 레벨 센서들은 초음파 센서, 광 센서 또는 수압 센서로 이루어진 그룹 중에서 선택된 적어도 하나의 센서를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 기판 가공 설비
제 1 항에 있어서, 상기 냉각수는 탈이온수(deionized water)를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 기판 가공 설비.