KR20050079694A - 이온 주입 장치의 로드락 챔버 - Google Patents

이온 주입 장치의 로드락 챔버 Download PDF

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KR20050079694A KR1020040007769A KR20040007769A KR20050079694A KR 20050079694 A KR20050079694 A KR 20050079694A KR 1020040007769 A KR1020040007769 A KR 1020040007769A KR 20040007769 A KR20040007769 A KR 20040007769A KR 20050079694 A KR20050079694 A KR 20050079694A
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Abstract

이온 주입 장치에서 웨이퍼의 플랫 존을 정렬할 수 있는 로드락 챔버가 개시되어 있다. 이온 주입 장치의 로드락 챔버는 상단이 개방되는 챔버를 구비한다. 웨이퍼 지지부는 상기 챔버의 하면 일측에 형성된 관통홀을 따라 상하 이동하고 상기 챔버를 밀폐하며 다수의 웨이퍼를 지지한다. 롤러는 상기 상기 챔버의 내측면에 상기 웨이퍼의 측면과 면접하도록 구비되며, 회전 구동에 의해 상기 웨이퍼 지지부에 적재된 웨이퍼의 플랫존을 정렬한다. 웨이퍼 고정부는 상기 롤러에 의해 정렬된 웨이퍼의 플랫존을 확인하여 고정한다. 따라서 다수의 웨이퍼의 플랫 존을 동시에 정렬할 수 있다.

Description

이온 주입 장치의 로드락 챔버{Load lock chamber of ion implanter}
본 발명은 이온 주입 장치의 로드락 챔버에 관한 것으로, 보다 상세하게는 이온 주입 공정이 진행되는 엔드 스테이션과 웨이퍼가 수납되는 웨이퍼 카세트 사이에서 다수의 웨이퍼를 장착하여 진공 상태로 프로세스 챔버로 이송시키기 위한 이온 주입 장치의 로드락 챔버에 관한 것이다.
일반적으로 반도체 장치는 반도체 기판으로 사용되는 실리콘웨이퍼 상에 전기적인 회로를 형성하는 팹(Fab) 공정과, 상기 팹 공정에서 형성된 반도체 장치들의 전기적인 특성을 검사하는 공정과, 상기 반도체 장치들을 각각 에폭시 수지로 봉지하고 개별화시키기 위한 패키지 조립 공정을 통해 제조된다.
상기 팹 공정은 반도체 기판 상에 막을 형성하기 위한 증착 공정과, 상기 막을 평탄화하기 위한 화학적 기계적 연마 공정과, 상기 막 상에 포토레지스트 패턴을 형성하기 위한 포토리소그래피 공정과, 상기 포토레지스트 패턴을 이용하여 상기 막을 전기적인 특성을 갖는 패턴으로 형성하기 위한 식각 공정과, 반도체 기판의 소정 영역에 특정 이온을 주입하기 위한 이온 주입 공정과, 반도체 기판 상의 불순물을 제거하기 위한 세정 공정과, 상기 막 또는 패턴이 형성된 반도체 기판의 표면을 검사하기 위한 검사 공정 등을 포함한다.
상기 이온 주입 공정은 웨이퍼 표면에 이온화된 불순물을 주입하는 공정으로 반도체 장치의 전기적 소자들을 형성하기 위한 주요한 공정 중 하나이다. 상기 이온 주입 공정은 종래의 열확산 공정에 비하여 이온의 주입량 및 주입 깊이 조절이 용이하다는 장점을 갖는다. 상기 이온 주입 공정을 수행하는 장치의 일 예로서, 미합중국 특허 제5,343,047호(issued to Ono, et al.) 및 제5,641,969호(Cooke, et al.)에는 이온 주입 장치와 이온 주입 시스템이 개시되어 있다.
상기 이온 주입 장치는 소스 가스를 이온화하기 위한 이온 발생기와, 상기 이온 발생기로부터 제공된 이온들을 추출하기 위한 이온 추출기와, 상기 이온들 중에서 특정 이온을 선별하기 위한 질량 분석기와, 선별된 이온을 기 설정된 에너지로 가속하여 이온빔으로 형성하기 위한 가속기와, 이온빔의 진행 방향을 조절하여 상기 이온빔이 이온 주입 챔버에 배치된 웨이퍼의 표면을 스캔하도록 하기 위한 이온 편향기, 상기 웨이퍼를 지지하기 위한 웨이퍼 홀더 등을 포함한다.
또한 상기 이온 주입 장치에는 다수의 웨이퍼를 장착하여 진공상태로 상기 이온 주입 챔버로 이송시키기 위해 로드락 챔버가 구비된다.
종래의 이온 주입 장치에 구비되는 로드락 챔버를 첨부된 도면을 이용하여 설명하면 다음과 같다.
도 1은 종래 기술에 따른 이온 주입 장치의 로드락 챔버를 설명하기 위한 평면 단면도이고, 도 2는 도 1에 도시된 이온 주입 장치의 로드락 챔버를 설명하기 위한 측면 단면도이다.
도 1 및 도 2에 도시된 바와 같이, 종래의 이온 주입 장비에서 이온 주입 챔버(미도시)로 다수의 웨이퍼(W)를 진공상태로 이송시키는 로드락 챔버는 챔버(10)와, 다수의 웨이퍼(W)가 장착됨과 아울러 챔버(10) 내로 삽입되어 챔버(10)를 밀폐시키는 웨이퍼 지지부(20)와, 웨이퍼 지지부(20)를 챔버(10) 내로 로딩/언로딩시키는 이송부(30)를 포함한다.
챔버(10)는 상단이 개방되고, 하면 일측에 관통홀이 형성되며, 내부를 진공 상태로 형성하기 위한 진공 라인(40)이 연결된다.
진공 라인(40) 상에는 진공의 공급을 개폐하도록 진공 개폐 밸브(42)가 설치된다.
웨이퍼 지지부(20)는 상기 관통홀을 따라 지지대(22)가 수직상태로 슬라이딩 가능하도록 결합된다. 지지대(22)의 상단 일측에 챔버(10)의 상단과 착탈가능하게 결합되는 밀폐커버(24)가 결합되며, 지지대(22)의 상부 일측에 일정 간격으로 다수의 지지플레이트(26)가 결합된다. 이송부(30)는 지지대(22)의 하단에 결합되며 지지대(22)를 상하로 구동시킨다.
이와 같은 구조로 이루어진 종래의 이온주입장비의 로드락 챔버의 동작은 다음과 같이 이루어진다.
웨이퍼(W)의 플랫 존이 미리 얼라인 된 상태에서 상기 웨이퍼 이송암에 의해 웨이퍼 지지부(20)의 지지플레이트(24)상에 웨이퍼(W)가 안착된다. 웨이퍼 지지부(20)에 일정 개수의 웨이퍼(W)가 장착되면 이송부(30)의 구동에 의해 웨이퍼 지지부(20)는 수직 하방으로 이동된다.
웨이퍼 지지부(20)는 하강하여 챔버(10) 내측에 삽입되고, 밀폐커버(26)가 챔버(10)의 상단에 결합됨으로써 챔버(10) 내부는 밀폐된다. 챔버(10) 내부가 밀폐되면 이송부(30)는 구동이 정지된다. 이 상태에서 진공 개폐 밸브(42)가 개방되어 진공 라인(40)을 통해 진공이 공급되므로 챔버(10) 내부는 진공상태가 된다.
챔버(10) 내부에 웨이퍼 지지부(20)가 로딩되어 진공을 유지한 상태에서 로드락 챔버는 90도로 기울어진 상태에서 이온주입공정을 실시하기 위해 이송로봇(미도시)에 의해 이온 주입 챔버(미도시)로 이동된다.
웨이퍼(W)에 대한 이온 주입 공정이 종료되면 상기의 반대 순서에 따라 웨이퍼 이송암(미도시)에 의해 로드락 챔버로부터 웨이퍼가 후속공정을 실시하기 위해 이송된다.
웨이퍼(W)가 로드락 챔버로 이송되기 전에 하나씩 플랫 존이 얼라인되므로 웨이퍼(W)의 플랫 존을 얼라인하는데 많은 시간이 소요되는 문제점이 발생한다. 또한 플랫 존이 얼라인된 웨이퍼(W)를 로드락 챔버로 로딩하는데도 많은 시간이 소요된다.
상기와 같은 문제점을 해결하기 위한 본 발명의 목적은 다수의 웨이퍼를 수납한 상태에서 웨이퍼의 플랫 존을 얼라인 할 수 있는 이온 주입 장치의 로드락 챔버를 제공하는데 있다.
상기 본 발명의 목적을 달성하기 위하여 본 발명은 상단이 개방되고, 하면 일측에 관통홀이 형성되는 챔버와, 상기 관통홀을 따라 수직방향으로 이동 가능하도록 구비되는 지지축, 상기 지지축의 상단 일측에 상기 챔버의 상단과 맞물려 상기 챔버를 밀폐하기 위한 밀폐커버 및 상기 지지축의 상부 일측에 웨이퍼를 지지하기 위해 일정 간격으로 구비되는 다수의 지지플레이트를 포함하는 웨이퍼 지지부와, 상기 챔버의 내측면에 상기 웨이퍼 지지부에 적재된 웨이퍼의 측면과 면접하도록 구비되며, 회전 구동에 의해 상기 웨이퍼 지지부에 적재된 웨이퍼의 플랫존을 정렬하기 위한 롤러 및 상기 챔버의 내측면으로부터 돌출되며, 상기 롤러에 의해 정렬된 웨이퍼의 플랫존을 확인하여 고정하기 위한 웨이퍼 고정부를 포함하는 것을 특징으로 하는 이온 주입 장치의 로드락 챔버를 제공한다.
상기 이온 주입 장치의 로드락 챔버는 상기 롤러와 연결되고, 상기 롤러를 회전 구동시키기 위한 롤러 구동부 및 상기 웨이퍼 지지부와 연결되고, 상기 웨이퍼 지지부를 상하 이동시키기 위한 이송부를 더 포함한다.
상기 이온 주입 장치의 로드락 챔버는 상기 챔버가 90회 회전하여 상기 웨이퍼 지지부에 적재된 웨이퍼가 수직한 상태에서 웨이퍼의 플랫 존 정렬이 이루어진다.
이와 같이 구성된 본 발명에 따른 이온 주입 장치의 로드락 챔버는 상기 웨이퍼 지지부에 다수의 웨이퍼를 적재한 상태에서 상기 롤러를 이용하여 상기 다수의 웨이퍼들의 플랫 존을 정렬한다. 따라서 상기 웨이퍼의 플랫 존 얼라인 시간과 웨이퍼 로딩 시간을 줄일 수 있고, 나아가 생산성을 향상시킬 수 있다.
이하, 첨부한 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 이온 주입 장치의 로드락 챔버에 대해 상세히 설명한다.
도 3은 본 발명의 바람직한 일실시예에 따른 이온 주입 장치의 로드락 챔버를 설명하기 위한 평면도이고, 도 4는 도 3에 도시된 이온 주입 장치의 로드락 챔버를 설명하기 위한 일측면의 단면도이며, 도 5는 도 3에 도시된 이온 주입 장치의 로드락 챔버를 설명하기 위한 다른 일측면의 단면도이다.
도 3 내지 도 5를 참조하면, 이온 주입 장치의 로드락 챔버는 크게 챔버(110), 웨이퍼 지지부(120), 롤러(150) 및 웨이퍼 지지부(160)로 구성된다.
챔버(110)는 웨이퍼(W)에 이온을 주입하기 위한 공정이 진행되는 이온 주입 챔버의 일측에 구비된다. 챔버(110)는 상단이 개방되고 내부가 비어있는 상태로 웨이퍼(W)가 로딩되기 위한 공간을 제공한다. 챔버(110)의 하면 일측에는 하면을 관통하는 관통홀이 형성된다. 챔버(110)는 자체적으로 90도 만큼 회전이 가능하다.
챔버(110)의 하면 일측에는 내부를 진공 상태로 만들기 위한 진공 라인(40)이 연결된다. 진공 라인(40)은 도시되지는 않았지만 진공 펌프와 연결된다. 진공 라인(40) 상에는 진공의 공급을 개폐하도록 진공 개폐 밸브(42)가 구비된다.
웨이퍼 지지부(120)는 다수의 웨이퍼(W)를 장착한 상태에서 챔버(110) 내로 삽입되어 챔버(110)를 밀폐시킨다. 웨이퍼 지지부(120)는 지지축(122), 밀폐 커버(124) 및 지지 플레이트(126)로 구성된다.
지지축(122)은 도 5에 도시된 바와 같이 긴 막대 형태로 챔버(110)의 하면 일측에 형성된 관통홀을 따라 수직 방향으로 상하 이동 가능하도록 구비된다.
밀폐 커버(124)는 지지축(122)의 상단에 지지축(122)의 길이 방향과 수직한 방향으로 결합된다. 밀폐 커버(124)는 개방된 챔버(110)의 상단과 착탈 가능하며, 챔버(110)와 결합된 상태에서 챔버(110)를 밀폐시킨다.
지지 플레이트(126)는 원형의 얇은 판 형태로, 지지축(122)의 상부 일측에 서로 일정한 간격을 가지도록 다수개 구비된다. 지지 플레이트(126)는 25매를 수납할 수 있는 웨이퍼 카세트의 웨이퍼(W)를 2번에 걸쳐 처리할 수 있도록 13개 정도 구비되는 것이 바람직하다. 지지 플레이트(126)의 크기는 웨이퍼(W)의 크기보다 약간 작도록 형성되는 것이 바람직하다.
도시되지는 않았지만 지지 플레이트(126) 각각의 상면에 웨이퍼(W) 하면을 탄성 지지하는 세 개 이상의 탄성편이 각각 설치되는 것이 바람직하다. 상기 탄성편은 웨이퍼 지지부(120)가 승하강시 웨이퍼(W)의 흔들림과 충격을 방지하기 위해 실리콘(silicon)과 같은 탄성을 가지는 재질로 형성된다.
이송부(130)는 웨이퍼 지지부(120)를 수직 방향으로 상하 이동시키기 위한 구동력을 제공한다. 웨이퍼 지지부(120)의 직선 왕복 운동을 위해 볼 스크류나 LM 가이드가 사용될 수 있다.
롤러(150)는 챔버(110)의 내측면에 수직 방향으로 길게 구비되어 웨이퍼 지지부(120)에 적재된 웨이퍼(W)의 측면과 면접한다. 롤러(150)는 적어도 2개 이상 구비되어야 하고, 세 개정도 구비되는 것이 바람직하다. 롤러(150)는 회전하면서 웨이퍼 지지부(120)에 적재된 웨이퍼(W)의 플랫 존을 정렬한다.
구동부(170)는 세 개의 롤러(150) 중 하나에 연결되어 롤러(150)를 회전시키기 위한 회전 구동력을 제공한다. 회전하는 롤러(150)가 웨이퍼 지지부(120)에 적재된 웨이퍼(W)를 면접한 상태에서 회전시키면 웨이퍼(W)의 회전에 의해 나머지 두 개의 롤러(150)는 회전하게 된다.
웨이퍼 고정부(160)는 구동부(170)에 의해 회전하는 롤러(150)와 인접하게 챔버(110)의 측면에 구비된다. 웨이퍼 고정부(160)는 챔버(110)의 내측면에 수직한 방향으로 돌출되어 웨이퍼(W)의 플랫 존을 각각 확인하고 고정한다.
도 6은 본 발명의 바람직한 일실시예에 따른 로드락 챔버를 포함하는 이온 주입 장치를 설명하기 위한 개략적인 구성도이다.
도 6을 참조하면, 이온 주입 장치(200)는 이온으로 이루어진 이온빔을 제공하기 위한 이온 공급원(202)과, 이온 주입 공정을 수행하기 위한 이온 주입 챔버(204)를 포함한다.
이온 공급원(202)은, 소스 가스로부터 이온을 발생시키는 이온 발생기(210), 이온 발생기(210)로부터 이온빔을 추출하는 이온 추출기(220), 이온 추출기(220)로부터 제공되는 이온빔의 극성을 정에서 부로 변환시키는 극성 변환기(230), 부의 이온빔으로부터 특정 이온을 선별하는 질량 분석기(240), 이온빔을 가속시키며 극성을 변환시키기 위한 가속기(250), 이온빔의 초점을 조절하기 위한 포커싱 마그네트(미도시)와 이온빔의 진행 방향을 조절하기 위한 이온 편향계(260), 이온빔의 이온 전류를 측정하기 위한 이온 전류 측정부(미도시) 등을 포함한다.
이온 발생기(210)는 아크 챔버와 필라멘트 등을 포함하는 아크 방전형이며, 필라멘트로부터 제공되는 열전자와 소스 가스의 충돌을 이용하여 이온을 발생시킨다. 이밖에도, 고주파(radio frequency)형 이중플라즈마트론(duoplasmatron), 냉음극(cold cathode)형, 스퍼터(sputter)형, 페닝(penning ionization)형 등의 이온 발생기가 사용될 수 있다.
극성 변환기(230)는 전자공여물질로 사용되는 고체 마그네슘과 히터를 포함한다. 히터로부터 450℃ 정도의 고열이 고체 마그네슘으로 제공되고, 고체 마그네슘으로부터 기상의 마그네슘 분자가 방출되어 추출된 이온빔과 충돌된다. 마그네슘 분자와 이온빔의 충돌에 의해 이온빔은 마그네슘 분자로부터 전자를 얻어서 부의 성질을 갖는 이온빔으로 변환된다.
상기와 같이 부의 성질을 갖는 이온빔은 질량 분석기(240)에서 특정 이온만이 선별되어 가속기로 제공된다.
상세히 도시되지는 않았으나, 가속기(250)는 제1가속부와 제2가속부를 포함한다. 제1가속부 및 제2가속부 사이에는 부의 이온빔을 정의 이온빔으로 변환시키기 위한 스트리퍼(stripper)가 구비된다. 즉, 제1가속부에 의해 가속된 부의 이온빔은 스트리퍼에 의해 정의 이온빔으로 변환되고, 제2가속부에서 재차 가속된다. 스트리퍼에는 수 천 내지 수 메가 볼트의 고전압이 인가되며, 극성을 변환시키기 위한 스트리핑 가스로는 질소 또는 아르곤 가스가 사용될 수 있다.
가속기(250)를 통해 가속된 정의 이온빔은 포커싱 마그네트를 통해 초점이 조절되고, 이온 편향계(260)에 의해 진행 방향이 조절되어 반도체 기판(10)으로 제공된다. 이때, 이온 편향계(260)는 이온빔이 반도체 기판(10)을 스캐닝하도록 이온빔의 진행 방향을 조절한다.
스트리퍼에 의해 정의 이온빔으로 변환될 때 정의 이온빔은 다양한 에너지 준위를 갖는 이온들을 포함한다. 이온 공급원은 정의 이온빔에 포함된 다양한 에너지 준위를 갖는 이온들 중에서 특정 에너지를 갖는 이온을 선별하기 위한 이온 필터(미도시)를 더 포함한다.
도시되지는 않았으나, 이온전류 측정부는, 질량 분석기와 가속기 사이에 배치되며 부의 이온빔의 이온 전류를 측정하기 위한 제1패러데이 시스템과, 가속기와 이온 주입 챔버 사이에 배치되며 정의 이온빔의 이온 전류를 측정하기 위한 제2패러데이 시스템을 포함한다.
이온 주입 챔버(204)의 내부에는 웨이퍼(W)를 지지하기 위한 디스크(270)가 배치되고, 도시되지는 않았지만 디스크(270)의 회전 및 이동을 위한 구동 장치가 배치된다. 디스크(270)는 원반 형상을 갖고, 상부면에 웨이퍼(W)를 지지한다.
로드락 챔버는 이온 주입 챔버(204)의 일측에 구비되어 이온 주입 챔버의 진공 및 대기 상태를 조절하여 웨이퍼의 로딩과 언로딩을 원활하게 한다.
이와 같은 구조로 이루어진 이온 주입 장치(200)의 로드락 챔버의 동작은 다음과 같이 이루어진다.
웨이퍼(W)가 수납된 웨이퍼 카세트(180)가 받침대(182)에 놓여진다. 웨이퍼 이송암(190)에 의해 웨이퍼 지지부(120)의 지지플레이트(124) 상에 웨이퍼(W)가 안착된다. 웨이퍼 지지부(120)에 일정 개수의 웨이퍼(W)가 장착되면 이송부(130)의 구동에 의해 웨이퍼 지지부(20)는 수직 하방으로 이동된다.
웨이퍼 지지부(120)는 하강하여 챔버(110) 내측에 삽입되고, 밀폐커버(126)가 챔버(110)의 상단에 결합됨으로써 챔버(110) 내부는 밀폐된다. 챔버(110) 내부가 밀폐되면 이송부(130)는 구동이 정지된다. 이 상태에서 진공 개폐 밸브(142)가 개방되어 진공 라인(140)을 통해 진공이 공급되므로 챔버(110) 내부는 진공상태가 된다.
챔버(110) 내부에 웨이퍼 지지부(120)가 로딩되어 진공을 유지한 상태에서 로드락 챔버는 90도 회전되고, 챔버(110) 내부의 웨이퍼(W)들이 수직한 방향으로 세워진 상태에서 롤러(150)의 구동에 의해 웨이퍼(W)들의 플랫 존이 한 번에 정렬된다.
플랫 존이 정렬된 웨이퍼(W)들은 이온 주입 공정을 실시하기 위해 이송로봇(미도시)에 의해 이온 주입 챔버(204)의 디스크(270)로 이동된다.
이온화된 도펀츠(dopants)를 고속으로 가속시켜서 웨이퍼(W)로 주입시키는 이온 주입 공정이 종료되면 상기의 반대 순서에 따라 웨이퍼 이송암(190)에 의해 로드락 챔버로부터 웨이퍼(W)가 후속공정을 실시하기 위해 이송된다.
상술한 바와 같이, 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 이온 주입 장치의 로드락 챔버는 내부에 수납된 웨이퍼들의 플랫 존을 한꺼번에 정렬한다. 따라서 웨이퍼의 플랫 존 정렬 시간을 단축시킬 수 있고, 웨이퍼를 로드락 챔버로 로딩하는데 걸리는 시간도 줄일 수 있다. 그리고 공정 시간을 단축시키므로 생산성을 향상시킬 수 있다.
상기에서는 본 발명의 바람직한 실시예를 참조하여 설명하였지만, 해당 기술 분야의 숙련된 당업자는 하기의 특허 청구 범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.
도 1은 종래 기술에 따른 이온 주입 장치의 로드락 챔버를 설명하기 위한 평면 단면도이다.
도 2는 도 1에 도시된 이온 주입 장치의 로드락 챔버를 설명하기 위한 측면 단면도이다.
도 3은 본 발명의 바람직한 일실시예에 따른 이온 주입 장치의 로드락 챔버를 설명하기 위한 평면도이다.
도 4는 도 3에 도시된 이온 주입 장치의 로드락 챔버를 설명하기 위한 일측면의 단면도이다.
도 5는 도 3에 도시된 이온 주입 장치의 로드락 챔버를 설명하기 위한 다른 일측면의 단면도이다.
도 6은 본 발명의 바람직한 일실시예에 따른 로드락 챔버를 포함하는 이온 주입 장치를 설명하기 위한 개략적인 구성도이다.
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명 *
110 : 챔버 120 : 웨이퍼 지지부
122 : 지지축 124 : 밀폐 커버
126 : 지지 플레이트 130 : 이송부
140 : 진공 라인 142 : 밸브
150 : 롤러 160 : 웨이퍼 고정부
170 : 롤러 구동부 180 : 웨이퍼 카세트
182 : 받침대 190 : 이송암
200 : 이온 주입 장치 202 : 이온 공급원
204 : 이온 주입 챔버 210 : 이온 발생기
220 : 이온 추출기 230 : 극성 변환기
240 : 질량 분석기 250 : 가속기
260 : 이온 편향계 270 : 디스크

Claims (4)

  1. 상단이 개방되고, 하면 일측에 관통홀이 형성된 챔버;
    상기 관통홀을 따라 수직방향으로 이동 가능하도록 구비되는 지지축, 상기 지지축의 상단 일측에 상기 챔버의 상단과 맞물려 상기 챔버를 밀폐하기 위한 밀폐커버 및 상기 지지축의 상부 일측에 웨이퍼를 지지하기 위해 일정 간격으로 구비되는 다수의 지지플레이트를 포함하는 웨이퍼 지지부;
    상기 챔버의 내측면에 상기 웨이퍼 지지부에 적재된 웨이퍼의 측면과 면접하도록 구비되며, 회전 구동에 의해 상기 웨이퍼 지지부에 적재된 웨이퍼의 플랫존을 정렬하기 위한 롤러; 및
    상기 챔버의 내측면으로부터 돌출되며, 상기 롤러에 의해 정렬된 웨이퍼의 플랫존을 확인하여 고정하기 위한 웨이퍼 고정부를 포함하는 것을 특징으로 하는 이온 주입 장치의 로드락 챔버.
  2. 제1항에 있어서, 상기 롤러와 연결되고, 상기 롤러를 회전 구동시키기 위한 롤러 구동부를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 이온 주입 장치의 로드락 챔버.
  3. 제1항에 있어서, 상기 웨이퍼 지지부와 연결되고, 상기 웨이퍼 지지부를 상하 이동시키기 위한 이송부를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 이온 주입 장치의 로드락 챔버.
  4. 제1항에 있어서, 상기 챔버가 90도 회전하여 상기 챔버 내부의 웨이퍼가 수직 방향으로 세워진 상태에서 상기 웨이퍼의 플랫 존 정렬이 이루어지는 것을 특징으로 하는 이온 주입 장치의 로드락 챔버.
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