KR20050078719A - 웨이퍼 홀더 및 이를 포함하는 이온 주입 장치 - Google Patents

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Abstract

웨이퍼 홀더와 이를 갖는 이온 주입 장치가 개시되어 있다. 상기 웨이퍼 홀더는 원반부 및 상기 원반부의 가장자리로부터 일정한 곡률 반지름을 가지도록 경사 연장되고 다수의 웨이퍼가 장착되기 위한 곡면부를 포함하는 척, 그리고 하부면이 상기 곡면부와 밀착되도록 구비되고, 상부면에 상기 곡면부와 동일한 곡률 중심을 가지도록 상기 웨이퍼들을 지지하기 위한 패드를 포함한다. 상기 웨이퍼가 상기 곡면부와 동일한 곡률 중심을 가지므로 상기 웨이퍼에 조사되는 이온빔은 항상 상기 웨이퍼 표면에 일정한 각도로 입사된다.

Description

웨이퍼 홀더 및 이를 포함하는 이온 주입 장치{Wafer holer and ion implanter having the same}
본 발명은 웨이퍼 홀더 및 이를 포함하는 이온 주입 장치에 관한 것으로, 보다 상세하게는 척의 곡면부에 장착되는 웨이퍼에 입사되는 이온빔의 입사각을 상기 척의 회전과 무관하게 일정하게 유지할 수 있는 웨이퍼 홀더 및 이를 포함하는 이온 주입 장치에 관한 것이다.
일반적으로 반도체 장치는 반도체 기판으로 사용되는 실리콘웨이퍼 상에 전기적인 회로를 형성하는 팹(Fab) 공정과, 상기 팹 공정에서 형성된 반도체 장치들의 전기적인 특성을 검사하는 공정과, 상기 반도체 장치들을 각각 에폭시 수지로 봉지하고 개별화시키기 위한 패키지 조립 공정을 통해 제조된다.
상기 팹 공정은 반도체 기판 상에 막을 형성하기 위한 증착 공정과, 상기 막을 평탄화하기 위한 화학적 기계적 연마 공정과, 상기 막 상에 포토레지스트 패턴을 형성하기 위한 포토리소그래피 공정과, 상기 포토레지스트 패턴을 이용하여 상기 막을 전기적인 특성을 갖는 패턴으로 형성하기 위한 식각 공정과, 반도체 기판의 소정 영역에 특정 이온을 주입하기 위한 이온 주입 공정과, 반도체 기판 상의 불순물을 제거하기 위한 세정 공정과, 상기 막 또는 패턴이 형성된 반도체 기판의 표면을 검사하기 위한 검사 공정 등을 포함한다.
상기 이온 주입 공정은 웨이퍼 표면에 이온화된 불순물을 주입하는 공정으로 반도체 장치의 전기적 소자들을 형성하기 위한 주요한 공정 중 하나이다. 상기 이온 주입 공정은 종래의 열확산 공정에 비하여 이온의 주입량 및 주입 깊이 조절이 용이하다는 장점을 갖는다. 상기 이온 주입 공정을 수행하는 장치의 일 예로서, 미합중국 특허 제5,343,047호(issued to Ono, et al.) 및 제5,641,969호(Cooke, et al.)에는 이온 주입 장치와 이온 주입 시스템이 개시되어 있다.
상기 이온 주입 장치는 소스 가스를 이온화하기 위한 이온 발생기와, 상기 이온 발생기로부터 제공된 이온들을 추출하기 위한 이온 추출기와, 상기 이온들 중에서 특정 이온을 선별하기 위한 질량 분석기와, 선별된 이온을 기 설정된 에너지로 가속하여 이온빔으로 형성하기 위한 가속기와, 이온빔의 진행 방향을 조절하여 상기 이온빔이 이온 주입 챔버에 배치된 웨이퍼의 표면을 스캔하도록 하기 위한 이온 편향기, 상기 웨이퍼를 지지하기 위한 웨이퍼 홀더 등을 포함한다.
도 1은 종래 기술에 따른 이온 주입 챔버의 웨이퍼 홀더를 설명하기 위한 개략적인 사시도이다.
도 1을 참조하면, 웨이퍼 홀더는 원반 형태의 원반부와 상기 원반부의 가장자리로부터 연장되는 경사진 곡면부를 갖는 접시 형태의 척(10)과, 상기 경사진 곡면부의 내면에 구비되며 웨이퍼(W)를 지지하기 위한 패드(20)를 포함한다.
상기 웨이퍼 홀더는 상기 원반부의 중심을 관통하는 축을 기준으로 회전한다.
도 2는 도 1에 도시된 웨이퍼 홀더를 A 방향에서 바라본 측면도이다.
도 2를 참조하면 패드(20)는 중심 부위가 척(10)의 경사진 곡면부와 이격되어 있다. 웨이퍼(W)는 패드(20) 상에 밀착되어 있다. 따라서 웨이퍼(W)는 척(10)의 경사진 곡면부에 평평한 형태로 구비된다.
상기 축을 기준으로 상기 웨이퍼 홀더가 회전하는 경우 웨이퍼(W)에 이온을 주입하기 위해 입사되는 이온빔의 입사 각도가 웨이퍼(W)의 부위에 따라 달라진다.
도 3a 내지 도 3c는 이온빔의 입사 위치에 따른 이온빔의 입사각을 설명하기 위한 개략적인 측면도이다.
도 3a 내지 도 3c를 참조하면, 상기 웨이퍼 홀더가 반시계 방향으로 회전하는 경우 웨이퍼(W)로 입사하는 이온빔의 입사각이 웨이퍼(W)의 위치에 따라 달라진다. 도 3a, 도 3b 및 도 3c에서 웨이퍼(W) 표면으로의 상기 이온빔 입사 각도를 각각 θ1, θ2, θ3라고 하자. 도 3a 및 도 3c에서 상기 이온빔의 입사 위치가 웨이퍼(W) 가장자리로부터 동일한 거리일 경우 θ1 과 θ3은 동일하다. 도 3b에서와 같이 상기 이온빔의 입사 위치가 웨이퍼(W) 중앙 부위일 경우 θ2는 θ1 또는 θ3과 다르다. 즉 웨이퍼(W) 표면에 입사되는 이온빔의 위치에 따라 이온빔 입사각은 달라진다.
상기와 같이 상기 이온빔의 입사 위치에 따라 이온빔의 입사각이 달라지는 이유는 기하학적 왜곡으로 인하여 이온빔과 웨이퍼(W) 표면과의 각도가 일정하지 않고 척(10)의 회전 각도에 따라 달라지는 콘 앵클 효과(cone angle effect) 때문이다.
반도체 소자의 디자인 룰이 더욱 작아지면서 상기 이온빔의 입사 각도의 정확도가 요구되는데 상기와 같은 콘 앵글 효과로 인해 이온빔이 웨이퍼(W) 표면에 원하는 각도로 주입되지 못하는 문제점이 발생한다.
상기와 같은 문제점을 해결하기 위한 본 발명의 제1 목적은 이온빔이 웨이퍼 표면에 일정한 각도로 균일하게 주입되기 위한 이온 주입 장치의 웨이퍼 홀더를 제공하는데 있다.
본 발명의 제2 목적은 이온빔이 웨이퍼 표면에 일정한 각도로 균일하게 주입되기 위한 이온 주입 장치를 제공하는데 있다.
상기 본 발명의 제1 목적을 달성하기 위하여 본 발명은 원반부 및 상기 원반부의 가장자리로부터 일정한 곡률 반지름을 가지도록 경사 연장되는 곡면부를 포함하는 척 및 하부면이 상기 곡면부와 밀착되도록 구비되고, 상부면에 상기 곡면부와 동일한 곡률 중심을 가지도록 웨이퍼를 지지하기 위한 패드를 포함하는 것을 특징으로 하는 이온 주입 장치의 웨이퍼 홀더를 제공한다.
상기 이온 주입 장치의 웨이퍼 홀더는 상기 척과 연결되고, 상기 원반부의 중심축을 기준으로 상기 척을 회전시키기 위한 구동부를 더 포함한다. 상기 척은 정전기력을 이용하여 상기 웨이퍼를 지지하여 고정한다. 상기 척의 상기 곡면부는 상기 원반부를 포함하는 평면으로부터 7도 경사지도록 구비된다.
상기 본 발명의 제2 목적을 달성하기 위하여 본 발명은 이온빔을 제공하기 위한 이온 공급원과, 상기 이온 공급원과 연결되며, 웨이퍼의 이온 주입 공정을 수행하기 위한 이온 주입 챔버 및 상기 이온 주입 챔버 내부에 구비되고, 원반부와 상기 원반부의 가장자리로부터 일정한 곡률 반지름을 가지도록 경사 연장되는 곡면부를 포함하는 척 그리고 하부면이 상기 곡면부와 밀착되도록 구비되고, 상부면에 상기 곡면부와 동일한 곡률 중심을 가지도록 상기 웨이퍼를 지지하기 위한 패드를 포함하는 것을 특징으로 하는 이온 주입 장치를 제공한다.
상기 이온 주입 장치는 상기 척과 연결되고, 상기 원반부의 중심축을 기준으로 상기 척을 회전시키기 위한 구동부를 더 포함한다.
상기 척은 정전기력을 이용하여 상기 웨이퍼를 지지하여 고정한다.
이와 같이 구성된 본 발명에 따르면 상기 웨이퍼가 상기 척의 곡면부와 동일한 곡률 중심을 가지도록 웨이퍼 홀더에 지지 고정되므로 상기 웨이퍼 표면에 입사되는 이온빔은 입사 위치에 관계없이 일정한 입사각을 가진다.
이하, 첨부한 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 웨이퍼 홀더 및 이온 주입 장치에 대해 상세히 설명한다.
도 4는 본 발명의 바람직한 일실시예에 따른 웨이퍼 홀더를 포함하는 이온 주입 장치를 설명하기 위한 개략적인 구성도이고, 도 5는 도 4에 도시된 웨이퍼 홀더를 확대한 도면이다.
도 4 및 도 5를 참조하면, 이온 주입 장치(100)는 이온으로 이루어진 이온빔을 제공하기 위한 이온 공급원(102)과, 이온 주입 공정을 수행하기 위한 이온 주입 챔버(104)를 포함한다. 웨이퍼(W)를 고정하기 위한 웨이퍼 홀더(110)는 이온 주입 챔버(104) 내부에 구비되고, 원반부(112a)와 원반부(112a)의 가장자리로부터 일정한 곡률 반지름을 가지도록 경사 연장되고 다수의 웨이퍼(W)가 장착되기 위한 곡면부(112b)를 포함하는 척(112)과, 하부면이 곡면부(112b)와 밀착되도록 구비되고, 상부면에 곡면부(112b)와 동일한 곡률 중심을 가지도록 상기 웨이퍼(W)들을 지지하기 위한 패드(114) 및 척(112)과 연결되고, 원반부(112a)의 중심축을 기준으로 척(112)을 회전시키기 위한 구동부(116)를 포함한다.
이온 공급원(102)은, 소스 가스로부터 이온을 발생시키는 이온 발생기(140), 이온 발생기(140)로부터 이온빔을 추출하는 이온 추출기(142), 이온 추출기(142)로부터 제공되는 이온빔의 극성을 정에서 부로 변환시키는 극성 변환기(144), 부의 이온빔으로부터 특정 이온을 선별하는 질량 분석기(146), 이온빔을 가속시키며 극성을 변환시키기 위한 가속기(148), 이온빔의 초점을 조절하기 위한 포커싱 마그네트(미도시)와 이온빔의 진행 방향을 조절하기 위한 이온 편향계(150), 이온빔의 이온 전류를 측정하기 위한 이온 전류 측정부(미도시) 등을 포함한다.
이온 발생기(140)는 아크 챔버와 필라멘트 등을 포함하는 아크 방전형이며, 필라멘트로부터 제공되는 열전자와 소스 가스의 충돌을 이용하여 이온을 발생시킨다. 이밖에도, 고주파(radio frequency)형 이중플라즈마트론(duoplasmatron), 냉음극(cold cathode)형, 스퍼터(sputter)형, 페닝(penning ionization)형 등의 이온 발생기가 사용될 수 있다.
극성 변환기(144)는 전자공여물질로 사용되는 고체 마그네슘과 히터를 포함한다. 히터로부터 450℃ 정도의 고열이 고체 마그네슘으로 제공되고, 고체 마그네슘으로부터 기상의 마그네슘 분자가 방출되어 추출된 이온빔과 충돌된다. 마그네슘 분자와 이온빔의 충돌에 의해 이온빔은 마그네슘 분자로부터 전자를 얻어서 부의 성질을 갖는 이온빔으로 변환된다.
상기와 같이 부의 성질을 갖는 이온빔은 질량 분석기(146)에서 특정 이온만이 선별되어 가속기로 제공된다.
상세히 도시되지는 않았으나, 가속기(148)는 제1가속부와 제2가속부를 포함한다. 제1가속부 및 제2가속부 사이에는 부의 이온빔을 정의 이온빔으로 변환시키기 위한 스트리퍼(stripper)가 구비된다. 즉, 제1가속부에 의해 가속된 부의 이온빔은 스트리퍼에 의해 정의 이온빔으로 변환되고, 제2가속부에서 재차 가속된다. 스트리퍼에는 수 천 내지 수 메가 볼트의 고전압이 인가되며, 극성을 변환시키기 위한 스트리핑 가스로는 질소 또는 아르곤 가스가 사용될 수 있다.
가속기(148)를 통해 가속된 정의 이온빔은 포커싱 마그네트를 통해 초점이 조절되고, 이온 편향계(150)에 의해 진행 방향이 조절되어 반도체 기판(10)으로 제공된다. 이때, 이온 편향계(150)는 이온빔이 반도체 기판(10)을 스캐닝하도록 이온빔의 진행 방향을 조절한다.
스트리퍼에 의해 정의 이온빔으로 변환될 때 정의 이온빔은 다양한 에너지 준위를 갖는 이온들을 포함한다. 이온 공급원은 정의 이온빔에 포함된 다양한 에너지 준위를 갖는 이온들 중에서 특정 에너지를 갖는 이온을 선별하기 위한 이온 필터(미도시)를 더 포함한다.
도시되지는 않았으나, 이온전류 측정부는, 질량 분석기와 가속기 사이에 배치되며 부의 이온빔의 이온 전류를 측정하기 위한 제1패러데이 시스템과, 가속기와 이온 주입 챔버 사이에 배치되며 정의 이온빔의 이온 전류를 측정하기 위한 제2패러데이 시스템을 포함한다.
도 4에 도시된 바와 같이 이온빔의 진행 방향은 수평 방향이며, 이때 웨이퍼(W)는 이온빔의 진행 방향에 대하여 소정의 경사각을 갖는다. 웨이퍼(W)는 도 5에 도시된 바와 같이 원반부(112a)를 포함하는 평면에 대하여 약 7°정도의 경사각을 가지며, 이온빔의 입사각은 약 83°정도이다. 이온빔의 단면 형상이 웨이퍼(W)의 면적에 비하여 상당히 작은 원형일 경우 이온빔은 이온 편향계에 의해 수평 방향으로 웨이퍼(W)를 스캐닝하며, 웨이퍼(W)는 이온빔의 스캐닝에 따라 수직 방향으로 이동한다. 이온빔의 단면 형상이 수평 방향의 리본 형상인 경우, 웨이퍼(W)가 수직 방향으로 이동함으로서 리본 이온빔이 웨이퍼(W)를 스캐닝한다. 이와 대조적으로, 리본 이온빔이 이온 편향계에 의해 수직 방향으로 웨이퍼(W)를 스캐닝하는 것도 가능하다. 이밖에도, 다양한 스캐닝 방법이 사용될 수 있다.
도 6은 도 4에 도시된 웨이퍼 홀더를 설명하기 위한 개략적인 사시도이다.
도 5 및 도 6을 참조하면, 웨이퍼 홀더(110)는 웨이퍼(W)가 일정한 경사를 가지도록 지지하기 위한 것으로, 이온 주입 챔버(104) 내부에 구비되고, 원반부(112a)와 원반부(112a)의 가장자리로부터 일정한 곡률 반지름을 가지도록 경사 연장되고 정전기력을 이용하여 다수의 웨이퍼(W)를 장착하기 위한 곡면부(112b)를 포함하는 척(112)과, 하부면이 곡면부(112b)와 밀착되도록 구비되고, 상부면에 곡면부(112b)와 동일한 곡률 중심(C)을 가지도록 상기 웨이퍼(W)들을 지지하기 위한 패드(114) 및 척(112)과 연결되고, 원반부(112a)의 중심축을 기준으로 척(112)을 회전시키기 위한 구동부(116)를 포함한다.
도 7은 도 6에 도시된 웨이퍼 홀더를 B 방향에서 바라본 측면도이다.
상기 도 5 및 도 6을 참조하면, 척(112)은 소정의 지름을 갖는 원반 형태의 원반부(112a) 및 원반부(112a)의 가장자리로부터 원반부(112a)를 포함하는 평면과 7도 정도 경사지도록 연장되는 곡면부(112b)로 구성된다. 척(112)은 전체적으로 접시 형태를 갖는다. 척(112)이 상기와 같이 접시 형태를 가지는 이유는 웨이퍼(W)가 놓여지는 경사 곡면부(112b)를 원반부(112a)의 중심축을 기준으로 외측으로 경사지도록 하여 회전 관성을 줄임으로써 회전에 의한 웨이퍼(W)의 이탈을 방지하기 위해서이다.
척(112)은 상기 원반 형태의 원반부(112a)의 중심을 관통하는 축을 기준으로 회전한다. 경사진 곡면부(112b)는 상기 중심축으로부터 83도, 원반부(112a)를 포함하는 평면으로부터는 7도 정도의 경사를 갖는다. 척(112)은 웨이퍼(W)의 이탈을 방지하기 위해 정전기력을 이용하여 다수의 웨이퍼(W)를 지지하며 고정한다.
패드(114)는 일정한 두께를 가지며, 척(112)의 상부의 경사 곡면부(112b)에 부착된다. 패드(114)는 웨이퍼(W)의 크기보다 크게 구비되어 각각 하나의 웨이퍼(W)를 충분히 지지한다. 패드(114)의 하부면은 척(112)의 상부의 경사 곡면부(112b)에 밀착되어 부착된다. 패드(114)의 상부면에는 척(112)의 정전기력에 의해 웨이퍼(W)가 휘면서 밀착된다. 웨이퍼(W)의 표면에 입사되는 이온빔은 원반부(112a)의 중심축과 평행하게 입사되므로 웨이퍼(W)와 83도의 각도를 가지도록 입사된다.
평평한 형태의 웨이퍼(W)가 패드(114)에 밀착되기 위해서는 휘게된다. 척(112)의 경사 곡면부(112b)의 곡률 반지름이 웨이퍼(W)의 지름에 비해 매우 크므로, 웨이퍼(W)는 지름에 비해 휘는 정도가 상대적으로 작아 웨이퍼(W)의 휨에 의한 스트레스는 크지 않게 된다.
따라서 척(112)의 경사 곡면부(112b), 패드(114) 및 웨이퍼(W)는 곡률 반지름은 서로 다르지만 동일한 곡률 중심(C)을 갖는다.
상기 도면에서 각각의 패드(114)들은 하나의 웨이퍼(W)를 지지하는 것으로 도시되었지만, 패드(114)는 척(112)의 경사 곡면부(112b) 상부 전체를 덮도록 부착될 수 도 있다.
도 8a 내지 도 8c는 이온빔의 입사 위치에 따른 이온빔의 입사각을 설명하기 위한 개략적인 측면도이다.
도 8a 내지 도 8c를 참조하면, 웨이퍼(W)가 척(112)의 경사 곡면부(112b)와 동일한 곡률 중심을 가지므로 척(112)이 원반부(112a)의 중심축을 중심으로 회전하더라도 웨이퍼(W)의 위치와 상관없이 웨이퍼(W) 표면으로 입사되는 이온빔의 입사각은 균일하다.
도 8a, 도 8b 및 도 8c에서 웨이퍼(W) 표면으로의 상기 이온빔 입사 각도를 각각 θ1, θ2, θ3라고 하자. 도 8a 및 도 8c와 같이 웨이퍼(W)의 가장자리 부위에 상기 이온빔이 입사되는 경우의 입사각 θ1, θ3과 도 8b에서와 같이 웨이퍼(W)의 중앙 부위에 상기 이온빔이 입사되는 경우의 입사각 θ2는 동일하다. 즉 척(112)의 경사 곡면부(112b)에 위치한 웨이퍼(W)의 경사 각도가 회전 각도에 관계없이 동일하므로 상기 이온빔이 원하는 각도로 웨이퍼(W)에 주입된다.
구동부(320)는 척(112)의 하부에 연결되며, 원반부(112a)의 중심축을 회전축으로 하여 척(112)을 회전시킨다. 구동부(320)는 일정한 속도로 척(112)을 회전시키기 위해 스텝 모터가 사용되는 것이 바람직하다.
상술한 바와 같이, 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 웨이퍼 홀더 및 이온 주입 장치는 척의 경사 곡면부와 동일한 곡률 중심을 가지도록 웨이퍼를 지지하여 고정한다. 척의 회전에 따라 웨이퍼의 각도가 달라지더라도 상기 웨이퍼에 입사되는 이온빔의 입사각은 입사 위치에 관계없이 동일하다. 따라서 상기 이온빔을 웨이퍼 표면에 원하는 각도로 입사시킬 수 있다.
상기에서는 본 발명의 바람직한 실시예를 참조하여 설명하였지만, 해당 기술 분야의 숙련된 당업자는 하기의 특허 청구 범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.
도 1은 종래 기술에 따른 웨이퍼 홀더를 설명하기 위한 개략적인 사시도이다.
도 2는 도 1에 도시된 웨이퍼 홀더를 A 방향에서 바라본 측면도이다.
도 3a 내지 도 3c는 이온빔의 입사 위치에 따른 이온빔의 입사각을 설명하기 위한 개략적인 측면도이다.
도 4는 본 발명의 바람직한 일실시예에 따른 웨이퍼 홀더를 포함하는 이온 주입 장치를 설명하기 위한 개략적인 구성도이다.
도 5는 도 4에 도시된 웨이퍼 홀더를 확대한 도면이다.
도 6은 도 4에 도시된 웨이퍼 홀더를 설명하기 위한 개략적인 사시도이다.
도 7은 도 6에 도시된 웨이퍼 홀더를 B 방향에서 바라본 측면도이다.
도 8a 내지 도 8c는 이온빔의 입사 위치에 따른 이온빔의 입사각을 설명하기 위한 개략적인 측면도이다.
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명 *
100 : 이온 주입 장치 102 : 이온 공급원
104 : 이온 주입 챔버 110 : 웨이퍼 홀더
112 : 척 114 : 패드
116 : 구동부 140 : 이온 발생기
142 : 이온 추출기 144 : 극성 변환기
146 : 질량 분석기 148 : 가속기
150 : 이온 편향계 C : 곡률 중심

Claims (7)

  1. 원반부 및 상기 원반부의 가장자리로부터 일정한 곡률 반지름을 가지도록 경사 연장되는 곡면부를 포함하는 척; 및
    하부면이 상기 곡면부와 밀착되도록 구비되고, 상부면에 상기 곡면부와 동일한 곡률 중심을 가지도록 웨이퍼를 지지하기 위한 패드를 포함하는 것을 특징으로 하는 이온 주입 장치의 웨이퍼 홀더.
  2. 제1항에 있어서, 상기 척과 연결되고, 상기 원반부의 중심축을 기준으로 상기 척을 회전시키기 위한 구동부를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 이온 주입 장치의 웨이퍼 홀더.
  3. 제1항에 있어서, 상기 척은 정전기력을 이용하여 상기 웨이퍼를 지지하여 고정하는 것을 특징으로 하는 이온 주입 장치의 웨이퍼 홀더.
  4. 제1항에 있어서, 상기 곡면부는 상기 원반부를 포함하는 평면으로부터 7도 경사진 것을 특징으로 하는 이온 주입 장치의 웨이퍼 홀더.
  5. 이온빔을 제공하기 위한 이온 공급원;
    상기 이온 공급원과 연결되며, 웨이퍼의 이온 주입 공정을 수행하기 위한 이온 주입 챔버; 및
    상기 이온 주입 챔버 내부에 구비되고, 원반부와 상기 원반부의 가장자리로부터 일정한 곡률 반지름을 가지도록 경사 연장되는 곡면부를 포함하는 척 그리고 하부면이 상기 곡면부와 밀착되도록 구비되고, 상부면에 상기 곡면부와 동일한 곡률 중심을 가지도록 상기 웨이퍼를 지지하기 위한 패드를 포함하는 것을 특징으로 하는 이온 주입 장치.
  6. 제1항에 있어서, 상기 척과 연결되고, 상기 원반부의 중심축을 기준으로 상기 척을 회전시키기 위한 구동부를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 이온 주입 장치.
  7. 제1항에 있어서, 상기 척은 정전기력을 이용하여 상기 웨이퍼를 지지하여 고정하는 것을 특징으로 하는 이온 주입 장치의 웨이퍼 홀더.
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