KR20050079631A - 분리가능한 슬릭 입자를 가지는 연마 패드 - Google Patents

분리가능한 슬릭 입자를 가지는 연마 패드 Download PDF

Info

Publication number
KR20050079631A
KR20050079631A KR1020050007131A KR20050007131A KR20050079631A KR 20050079631 A KR20050079631 A KR 20050079631A KR 1020050007131 A KR1020050007131 A KR 1020050007131A KR 20050007131 A KR20050007131 A KR 20050007131A KR 20050079631 A KR20050079631 A KR 20050079631A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
polishing
particles
polishing pad
coated
pad
Prior art date
Application number
KR1020050007131A
Other languages
English (en)
Inventor
두옹차우에이치.
Original Assignee
롬 앤드 하스 일렉트로닉 머티리얼스 씨엠피 홀딩스 인코포레이티드
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 롬 앤드 하스 일렉트로닉 머티리얼스 씨엠피 홀딩스 인코포레이티드 filed Critical 롬 앤드 하스 일렉트로닉 머티리얼스 씨엠피 홀딩스 인코포레이티드
Publication of KR20050079631A publication Critical patent/KR20050079631A/ko

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/304—Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24—GRINDING; POLISHING
    • B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B37/00—Lapping machines or devices; Accessories
    • B24B37/11—Lapping tools
    • B24B37/20—Lapping pads for working plane surfaces
    • B24B37/24—Lapping pads for working plane surfaces characterised by the composition or properties of the pad materials
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24—GRINDING; POLISHING
    • B24D—TOOLS FOR GRINDING, BUFFING OR SHARPENING
    • B24D3/00—Physical features of abrasive bodies, or sheets, e.g. abrasive surfaces of special nature; Abrasive bodies or sheets characterised by their constituents
    • B24D3/34—Physical features of abrasive bodies, or sheets, e.g. abrasive surfaces of special nature; Abrasive bodies or sheets characterised by their constituents characterised by additives enhancing special physical properties, e.g. wear resistance, electric conductivity, self-cleaning properties
    • B24D3/346—Physical features of abrasive bodies, or sheets, e.g. abrasive surfaces of special nature; Abrasive bodies or sheets characterised by their constituents characterised by additives enhancing special physical properties, e.g. wear resistance, electric conductivity, self-cleaning properties utilised during polishing, or grinding operation

Abstract

본 발명은 반도체 기판을 연마하기에 유용한 연마 패드를 제공하며, 이 연마 패드는 연마면을 가지는 연마층을 포함하고, 연마층은 폴리머릭 매트릭스(polymeric matrix)내에 배치된 입자를 포함하며, 입자는 50 dynes/cm미만의 표면 장력을 가지는 재료로 코팅되고, 코팅된 입자는 연마 동안 연마면으로부터 분리될 수 있다.

Description

분리가능한 슬릭 입자를 가지는 연마 패드{POLISHING PAD WITH RELEASABLE SLICK PARTICLES}
본 발명은 화학 기계 연마(CMP)를 위한 연마 패드에 관련하며, 특히 분리가능한 슬릭(slick) 입자를 가지는 연마 패드에 관련한다.
집적 회로 및 기타 전자 장치의 제조시에, 도전성, 반도전성 및 유전성 재료의 다수의 층이 반도체 웨이퍼의 표면상에 증착 또는 그로부터 제거된다. 도전성, 반도전성 및 유전성 재료의 얇은 층은 다수의 증착 기술에 의해 증착될 수 있다. 현대의 가공에서, 일반적인 증착 기술은 스퍼터링(sputtering)이라고도 알려진 물리 기상 증착(PVD), 화학 기상 증착(CVD), 플라즈마-강화 화학 기상 증착(PECVD) 및 전자화학 도금(ECP)을 포함한다.
재료의 층이 순차적으로 증착 및 제거될 때, 웨이퍼의 최상부 표면(uppermost surface)은 불평탄해진다. 후속 반도체 처리(예로서, 금속화)가 웨이퍼가 평탄한 표면을 가지는 것을 필요로 하기 때문에, 웨이퍼는 평탄화될 필요가 있다. 평탄화는 조면(rough surface), 응집 재료, 결정 격자 손상, 긁힘 및 오염된 층 또는 재료 같은 표면 결함 및 바람직하지 못한 표면 형상부를 제거하는데 유용하다.
화학 기계 평탄화 또는 화학 기계 연마(CMP)는 반도체 웨이퍼 같은 기판을 평탄화하기 위해 사용되는 일반적 기술이다. 종래의 CMP에서, 웨이퍼 캐리어(wafer carrier)는 웨이퍼 조립체상에 장착되고, CMP 장치내의 연마 패드와 접촉 배치된다. 캐리어 조립체는 웨이퍼에 대한 제어가능한 압력을 제공하여, 이를 연마 패드에 대해 가압한다. 패드는 선택적으로 외부적 구동력에 의해 웨이퍼에 대해 이동(예로서, 회전)될 수 있다. 그와 동시에, 화학적 조성물("슬러리") 또는 기타 유체 매체가 연마 패드 상으로, 그리고, 웨이퍼와 연마 패드 사이의 간극내로 유입된다. 따라서, 패드 표면 및 슬러리의 화학적 및 기계적 작용에 의해, 웨이퍼 표면이 연마되고, 평탄해진다.
중요한 것은, 재료 제거율이 사전결정된 값으로 강하하고 나면, 연마 패드는 그 완전한 기능성을 위해 상태조절되어야만 한다는 것이 중요하다. 패드 상태조절은 화학적 첨가제를 갖거나 갖지 않는 음향적으로 교반된 유체 스트림에 연마 패드를 노출시킴으로서 수행되거나, 매립된 파편을 제거하고 연마 패드 표면에 대한 원하는 조면도 및 다공성을 복원하도록 연마 패드에 대하여 경질 연마면을 문지름으로써 상태조절이 수행될 수 있다. 패드 상태조절기는 예로서, 공업용 다이아몬드가 그 표면에 고착되어 있는 금속판일 수 있다. 전형적인 CMP 작업에서, 연마 패드는 단지 몇몇 웨이퍼를 연마한 이후 상태조절되어야 할 수 있으며, 제조 프로세스 동안 부가적인 임계적 경과 시간을 소비하고, 반도체 제조 라인의 전체 생산성에 부정적인 영향을 미친다.
미국 특허 제6,069,080호에서, 제임스(James) 등은 상태조절을 최소화하기 위해, 여러 시도 중 한 시도에서 연마 입자를 함유하는 고착 연마제 연마 패드를 개시한다. 불행히, 연마 입자는 연마 대상 표면과 부정적으로 상호작용할 수 있다. 달리 말해서, 연마 입자는 바람직하지 못한 파괴 또는 긁힘을 유발할 수 있다.
그러므로, 최소의 상태조절을 필요로 하면서, 개선된 평탄화를 제공하는 연마 패드가 필요하다. 특히, 평활한, 긁힘이 없는 피연마면을 제공하면서, 최소의 상태조절을 필요로 하는 연마 패드가 필요하다.
본 발명의 제1 양태에서, 반도체 기판을 연마하기 위해 유용한 연마 패드가 제공되며, 이 연마 패드는 연마면을 가지는 연마층을 포함하고, 이 연마층은 폴리머릭 매트릭스내에 배치된 입자를 포함하고, 이 입자는 50dynes/cm 미만의 표면 장력을 가지는 재료로 코팅되며, 이 코팅된 입자는 연마 동안 연마면으로부터 분리될 수 있다.
본 발명의 제2 양태에서, 반도체 기판을 연마하기 위해 유용한 연마 패드가 제공되며, 이 연마 패드는 칼슘 카보네이트 입자가 내부에 배치되어 있는 폴리머릭 매트릭스를 포함하고, 입자는 테트라플루오로에틸렌으로 코팅되며, 코팅된 입자는 연마 동안 연마 패드로부터 분리될 수 있다.
본 발명의 제3 양태에서, 반도체 기판을 연마하기 위해 유용한 연마 패드가 제공되며, 연마 패드는 연마면을 가지는 연마층을 포함하고, 이 연마층은 폴리머릭 매트릭스내에 배치된 비연마 입자를 포함하며, 이 비연마 입자는 50dynes/cm 미만의 표면 장력을 가지고, 이 비연마 입자는 연마 동안 연마면으로부터 분리될 수 있다.
본 발명의 제4 양태에서, 반도체 기판을 화학 기계 연마하는 방법이 제공되며, 이는 기판과 연마 패드 사이에 연마액을 제공하는 단계 및 기판과 연마 패드 사이에 상대 운동 및 압력을 제공하는 단계를 포함하고, 연마 패드는 연마면을 가지는 연마층을 가지며, 이 연마층은 폴리머릭 매트릭스내에 배치된 입자를 포함하고, 이 입자는 50dynes/cm 미만의 표면 장력을 가지는 재료로 코팅되며, 이 코팅된 입자는 연마 동안 연마면으로부터 분리될 수 있다.
이제 도면을 참조하면, 도 1은 연마층(1)을 가지고, 매트릭스 재료(6)내에 매설된 복수의 슬릭 입자(4)를 가지는 연마 패드를 개시한다. 연마 패드(2)는 연마 패드(2)의 마모 상태에 무관하게 웨이퍼 연마 작업을 달성하기 위해 양호한 조면도 및 다공성을 가진다. 슬릭 입자(4)는 매트릭스 재료(6)내의 연마 패드(2)의 두께(T) 전반에 걸쳐 연속적으로 분포된다. 매트릭스 재료(6)는 열가소성 재료, 예로서, 열가소성 폴리우레탄, 폴리염화비닐, 에틸렌 비닐 아세테이트, 폴리올레핀, 폴리에스테르, 폴리부타디엔, 에틸렌-프로필렌 테트라폴리머, 폴리카보네이트 및 폴리에틸렌 테레프탈레이트 및 그 혼합물을 포함할 수 있다. 부가적으로, 매트릭스 재료(6)는 열경화성 재료, 예로서, 교차결합 폴리우레탄, 에폭시, 폴리에스테르, 폴리이미드, 폴리올레핀, 폴리부타디엔 및 그 혼합물을 포함할 수 있다. 매트릭스 재료(6)는 선택된 슬릭 입자(4)와 연계하여 사전결정된 연마 및 마모 성능을 제공하기 위해, 양호한 탄성도, 다공성, 밀도, 경도 등을 가지도록 선택될 수 있다.
T가 감소될 때, 서로 다른 밀집도의 슬릭 입자(4)가 연마면(8)에 노출되게 된다. 비록, 도 1에 2차원으로 예시되어 있지만, 매트릭스 재료(6)는 슬릭 입자(4)의 3차원 어레이를 지지하기 위한 3차원 마이크로-격자 또는 매시를 형성한다는 것을 인지할 수 있을 것이다. 슬릭 입자(4)는 패드(2)의 두께(T)를 가로질러 일정한 연마 특성을 제공하기 위해, 매트릭스 재료(6) 전반에 걸쳐 균등하게 또는 임의적으로 분포될 수 있다. 대안적으로, 두께(T)를 통해 또는 연마면(8)의 직경을 가로질러 가능한 슬릭 입자(4)의 분포의 변화를 가지는 코팅된 입자(4)의 조직적 어레이가 바람직할 수 있다. 다른 실시예에서, 패드 깊이(T)의 함수로서 매트릭스 재료(6)의 단위 체적당 보다 많은 슬릭 입자(4)가 존재할 수 있다. 단위 체적당 슬릭 입자(4)의 수는 특정 응용분야의 원하는 재료 제거 성능을 달성하기 위해 다른 패드 특성의 재원과 연계하여 선택될 수 있다.
연마면(8)이 하나 이상의 반도체 웨이퍼를 연마하기 위해 사용될 때, 연마층(1)의 상단부는 소모되고, 상부 슬릭 입자(4)가 분리되며, 그에 의해, 보이드(12)를 생성하며, 연마면(8)에 대한 조면도 및 다공성을 회복한다. 이 방식으로, 연마면(8)은 있다 해도, 최소의 상태조절을 필요로 한다. 또한, 실제로, 분리된 입자(10)는 소비된 슬러리와 함께 단순히 세정 제거될 수 있다.
연마 패드(2)는 20 내지 90중량% 슬릭 입자(4)를 포함하는 것이 바람직하다. 이 범위 이내에서, 슬릭 입자(4)가 50중량% 이상의 양으로 존재하게 하는 것이 바람직하다. 또한, 이 범위내에서, 80중량% 이하의 양인 것이 바람직하다. 본 발명의 양호한 실시예에서, 슬릭 입자(4)는 0.5 내지 400μ(micron)의 평균 입자 크기를 갖는다. 10 내지 50μ사이의 평균 입자 크기를 가지는 슬릭 입자(4)를 사용하는 것이 보다 바람직하다.
이제, 도 2를 참조하면, 슬릭 입자(4)는 입자(16)를 봉입 또는 코팅하는 재료(14)를 포함한다. 본 발명의 예시적 실시예에서, 재료(14)는 50dynes/cm 미만의 표면 장력을 가지는 것이 바람직하다. 재료(14)는 코팅된 슬릭 입자(4)의 표면 장력의 중대한 결정요인이라는 것을 주의하여야 한다. 따라서, 본 명세서의 목적을 위해, 슬릭 입자(4)의 표면 장력은 재료(14)의 것과 같아지는 것으로 간주된다. 제공된 표면 장력은 슬릭 입자(4)가 윤활되게 하고, 연마 프로세스와 간섭하지 않게 한다. 달리 말해서, 코팅된 입자(4)는 비연마성이며, 있다 해도, 무시할만한 파괴 및 긁힘을 유발한다. 본 발명의 양호한 실시예에서, 재료(14)는 스테아릭산, 칼슘 스테아레이트, 실리콘 테트라하이드리드, 테트라플루오로에틸렌, 아연 스테아레이트 및 그 혼합물을 포함할 수 있다. 재료(14)는 테트라플루오로에틸렌인 것이 바람직하다. 재료(14)는 다양한 기술, 예로서, 스프레이 코팅 또는 스프레이 건조에 의해 입자(16)상에 제공될 수 있다.
입자(16)는 무기 산화물, 무기 수산화물, 무기 수산화 산화물, 유기 산화물, 유기 수산화물, 유기 수산화 산화물, 금속 붕화물, 금속 탄화물, 금속 질화물, 폴리머 입자 및 상술한 바 중 적어도 하나를 포함하는 혼합물을 포함할 수 있다. 적절한 무기 산화물은 예로서, 실리카(SiO2), 알루미나(Al2O3), 지르코니아(ZrO 2), 세리아(CeO2), 망간 산화물(MnO2), 티타늄 산화물(TiO2) 또는 상기 산화물 중 적어도 하나를 포함하는 조합체를 포함한다. 적절한 무기 수산화물은 예로서, 알루미늄 수산화 산화물("보에마이트")을 포함한다. 적절한 금속 탄화물, 붕화물 및 질화물은 예로서, 실리콘 탄화물, 실리콘 질화물, 실리콘 카보질화물(SiCN), 붕소 탄화물, 텅스텐 탄화물, 지르코늄 탄화물, 알루미늄 붕화물, 탄탈륨 탄화물, 티타늄 탄화물 또는 상술한 금속 탄화물, 붕화물 및 질화물 중 적어도 하나를 포함하는 조합체를 포함한다. 입자(16)는 칼슘 카보네이트인 것이 바람직하다.
본 발명의 다른 실시예에서, 도 3은 전적으로 재료(14)로 구성된 슬릭 입자(4)를 예시한다. 본 실시예에서, 재료(14) 및 입자(16)(도 2의)는 동일하다. 달리 말해서, 재료(14)는 입자를 코팅(도 2에서와 같이)하지 않으며, 대신, 재료(14)가 슬릭 입자(4)이다. 본 발명의 양호한 실시예에서, 도 2에서와 같이, 재료(14)는 스테아릭산, 칼슘 스테아레이트, 실리콘 테트라하이드리드, 테트라플루오로에틸렌, 아연 스테아레이트 및 그 혼합물을 포함할 수 있다. 본 발명의 예시적 실시예에서, 재료(14)는 50dynes/cm 미만의 표면 장력을 가지는 것이 바람직하다. 재료(14)는 30dynes/cm 미만의 표면 장력을 가지는 것이 바람직하다. 상술한 바와 같이, 본 명세서의 목적상, 슬릭 입자(4)의 표면 장력은 재료(14)의 표면 장력과 같은 것으로 간주된다. 또한, 제공되는 표면 장력은 슬릭 입자(4)가 윤활될 수 있게 하며, 연마 프로세스와 간섭하지 않게 한다. 달리 말해서, 슬릭 입자는 비연마성이며, 있다 해도, 무시할만한 파괴 또는 긁힘을 유발한다.
그러므로, 반도체 기판을 연마하기 위해 유용한 연마 패드가 제공되며, 이는 있다 해도 최소의 상태조절을 필요로 하고, 활용이 비용 효율적이다. 본 발명의 일 실시예에서, 연마 패드는 적어도 50dynes/cm 미만의 표면 장력을 가지는 재료로 코팅되는, 폴리머릭 매트릭스내에 배치된 입자를 포함한다. 코팅된 입자는 연마 동안 연마층의 연마면으로부터 분리될 수 있다. 이 방식으로, 연마층의 상단부가 소비될 때, 연마층내의 최상부 슬릭 입자가 분리되고, 그에 의해, 보이드를 생성하며, 연마 대상 표면을 마모 또는 긁히게 하지 않고 연마면에 대한 조면도 및 다공성을 회복한다.
이제, 도 4를 참조하면, 본 발명의 연마 패드(2)를 사용하는 화학 기계 연마(CMP) 시스템(3)이 예시되어 있다. CMP 시스템(3)은 반도체 웨이퍼(7) 같은 반도체 기판 또는 무엇보다도 유리, 실리콘 웨이퍼 및 자기 정보 저장 디스크 같은 기타 작업편의 연마 동안, 연마 패드(2)에 인가된 슬러리(43) 또는 기타 액체 연마 매체의 활용을 향상시키도록 구성 및 배열된 복수의 홈(5)(미도시)을 포함하는 연마층(1)을 가지는 연마 패드(2)를 포함한다. 편의상, 용어 "웨이퍼"가 하기의 설명에서 사용된다. 그러나, 본 기술의 숙련자는 웨이퍼 이외의 작업편이 본 발명의 범주에 든다는 것을 인지할 것이다.
CMP 시스템(3)은 플래튼 드라이버(platen driver)(11)에 의해 축(41) 둘레에서 회전할 수 잇는 연마 플래튼(9)을 포함할 수 있다. 플래튼(9)은 연마 패드(2)가 장착되는 상부면(13)을 가질 수 있다. 축(17) 둘레에서 회전할 수 있는 웨이퍼 캐리어(15)가 연마층(1) 위에 지지될 수 있다. 웨이퍼 캐리어(15)는 웨이퍼(7)와 결합하는 하부면(19)을 가질 수 있다. 웨이퍼(7)는 연마층(1)에 대면하면서 연마 동안 평탄화되는 표면(21)을 가진다. 웨이퍼 캐리어(15)는 웨이퍼(7)를 회전시키도록 적용되는 캐리어 지지조립체(23)에 의해 지지될 수 있으며, 연마 동안 원하는 압력이 웨이퍼 표면(21)과 연마층(1) 사이에 존재하도록 연마층(1)에 대하여 웨이퍼 표면(21)을 가압하기 위해 하향력(F)을 제공한다.
CMP 시스템(3)은 또한, 연마층(1)에 슬러리(43)를 공급하기 위한 슬러리 공급 시스템(25)을 포함할 수 있다. 슬러리 공급 시스템(25)은 슬러리(43)를 유지하는 저장조(27), 예로서, 온도 제어식 저장조를 포함할 수 있다. 도관(29)이 저장조(27)로부터 슬러리가 연마층(1)상으로 분배되는 연마 패드(2)에 인접한 위치로 슬러리(43)를 운반할 수 있다. 유동 제어 밸브(31)가 패드(2)상으로의 슬러리(43)의 분배를 제어하기 위해 사용될 수 있다.
CMP 시스템(3)은 무엇보다도, 탑재, 연마 및 하역 작업 동안, 슬러리 공급 시스템(25)의 유동 제어 밸브(31), 플래튼 드라이버(11) 및 캐리어 지지조립체(23) 같은 시스템의 다양한 구성요소를 제어하기 위한 시스템 제어기(33)를 구비할 수 있다. 예시적 실시예에서, 시스템 제어기(33)는 프로세서(35), 프로세서에 연결된 메모리(37) 및 프로세서, 메모리 및 시스템 제어기의 기타 구성요소의 동작을 지원하기 위한 지원 회로(39)를 포함한다.
연마 작업 동안, 시스템 제어기(33)는 플래튼(9) 및 연마 패드(2)가 회전하는 연마 패드(2)상에 슬러리(43)를 분배하도록 슬러리 공급 시스템(25)을 회전 및 작동시킨다. 슬러리는 연마 패드(2)의 회전으로 인해 웨이퍼(7)와 연마 패드(2) 사이의 간격을 포함하는 연마층(1) 위로 분산된다. 또한, 시스템 제어기(33)는 웨이퍼 캐리어(15)가 선택된 속도, 예로서, 0rpm 내지 150rpm으로 회전하게 하며, 그래서, 웨이퍼 표면(21)이 연마층(1)에 대하여 이동한다. 시스템 제어기(33)는 웨이퍼(7)와 연마 패드(2) 사이에 원하는 압력, 예로서, 0psi 내지 15psi를 유도하도록 하향력(F)을 제공하기 위해 웨이퍼 캐리어(15)를 추가로 제어할 수 있다. 시스템 제어기(33)는 통상적으로 0 내지 150rpm의 속도로 회전하는 연마 플래튼(9)의 회전 속도를 추가로 제어한다.
상술한 바와 같이, 본 발명에 따라서, 최소의 상태조절을 필요로 하면서 개선된 평탄화를 제공하는 연마 패드가 제공되며, 특히 평활하고 긁힘이 없는 피연마면을 제공하면서 최소의 상태조절을 필요로 하는 연마 패드가 제공된다.
도 1은 본 발명의 연마 패드의 부분 단면도.
도 2는 본 발명의 슬릭(slick) 입자의 분해도.
도 3은 본 발명의 슬릭 입자의 다른 실시예의 분해도.
도 4는 본 발명의 연마 패드를 사용하는 화학 기계 연마(CMP) 시스템의 부분 개략도 및 부분 사시도.

Claims (10)

  1. 반도체 기판을 연마하기에 유용한 연마 패드에 있어서,
    상기 연마패드는 연마면을 가지는 연마층을 포함하고,
    상기 연마층은 폴리머릭 매트릭스내에 배치된 입자를 포함하며,
    상기 입자는 50dynes/cm 미만의 표면 장력을 가지는 재료로 코팅되고,
    상기 코팅된 입자는 연마 동안 상기 연마면으로부터 분리될 수 있는 연마 패드.
  2. 제 1 항에 있어서, 상기 연마 패드는 20 내지 90 중량%의 코팅된 입자를 포함하는 연마 패드.
  3. 제 1 항에 있어서, 상기 코팅된 입자는 0.5 내지 400μ(micron)의 평균 입자 크기를 가지는 연마 패드.
  4. 제 1 항에 있어서, 상기 재료는 30dynes/cm 미만의 표면 장력을 가지는 연마 패드.
  5. 제 1 항에 있어서, 상기 재료는 스테아릭산, 칼슘 스테아레이트, 실리콘 테트라하이드리드, 테트라플루오로에틸렌 및 아연 스테아레이트 및 그 혼합물을 포함하는 그룹으로부터 선택되는 연마 패드.
  6. 제 1 항에 있어서, 상기 폴리머릭 매트릭스는 열가소성 및 열경화성 재료를 포함하는 그룹으로부터 선택되는 연마 패드.
  7. 제 1 항에 있어서, 상기 입자는 무기 산화물, 무기 수산화물, 무기 수산화 산화물, 유기 산화물, 유기 수산화물, 유기 수산화 산화물, 금속 붕화물, 금속 탄화물, 금속 질화물, 폴리머 입자 및 그 혼합물을 포함하는 그룹으로부터 선택되는 연마 패드.
  8. 반도체 기판을 연마하기에 유용한 연마 패드에 있어서,
    칼슘 카보네이트 입자가 내부에 배치된 폴리머릭 매트릭스를 포함하고,
    상기 입자는 테트라플루오로에틸렌으로 코팅되고, 상기 코팅된 입자는 연마 동안 상기 연마 패드로부터 분리될 수 있는 연마 패드.
  9. 반도체 기판을 연마하기에 유용한 연마 패드에 있어서,
    상기 연마 패드는 연마면을 가지는 연마층을 포함하고, 상기 연마층은 폴리머릭 매트릭스내에 배치된 비연마 입자를 포함하며,
    상기 비연마 입자는 50dynes/cm 미만의 표면 장력을 가지고,
    상기 비연마 입자는 연마 동안 상기 연마면으로부터 분리될 수 있는 연마 패드.
  10. 반도체 기판을 화학 기계 연마하는 방법에 있어서,
    상기 기판과 연마 패드 사이에 연마액을 제공하는 단계, 및
    상기 기판과 상기 연마 패드 사이에 상대 운동 및 압력을 제공하는 단계를 포함하고,
    상기 연마 패드는 연마면을 가지는 연마층을 포함하고, 상기 연마층은 폴리머릭 매트릭스내에 배치된 입자를 포함하고, 상기 입자는 50dynes/cm 미만의 표면 장력을 가지는 재료로 코팅되며, 상기 코팅된 입자는 연마 동안 연마면으로부터 분리될 수 있는 화학 기계 연마 방법.
KR1020050007131A 2004-02-05 2005-01-26 분리가능한 슬릭 입자를 가지는 연마 패드 KR20050079631A (ko)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US10/774,656 US20050176251A1 (en) 2004-02-05 2004-02-05 Polishing pad with releasable slick particles
US10/774,656 2004-02-05

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20050079631A true KR20050079631A (ko) 2005-08-10

Family

ID=34827018

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020050007131A KR20050079631A (ko) 2004-02-05 2005-01-26 분리가능한 슬릭 입자를 가지는 연마 패드

Country Status (5)

Country Link
US (1) US20050176251A1 (ko)
JP (1) JP2005244215A (ko)
KR (1) KR20050079631A (ko)
CN (1) CN1652306A (ko)
TW (1) TW200529977A (ko)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9050697B2 (en) 2012-03-20 2015-06-09 Jh Rhodes Company, Inc. Self-conditioning polishing pad and a method of making the same

Families Citing this family (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101080572B1 (ko) 2009-09-29 2011-11-04 삼성전자주식회사 연마 패드 및 그 제조방법
US8257152B2 (en) * 2010-11-12 2012-09-04 Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. Silicate composite polishing pad
KR101783406B1 (ko) * 2016-12-07 2017-10-10 엠.씨.케이 (주) 연마 패드 및 이의 제조방법
CN109894930B (zh) * 2019-03-22 2021-06-25 湖南科技大学 一种缓释型柔性磨具及抛光方法
US11491605B2 (en) 2019-06-10 2022-11-08 Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. Fluopolymer composite CMP polishing method
US11577360B2 (en) 2019-06-10 2023-02-14 Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. Cationic fluoropolymer composite polishing method
US11285577B2 (en) 2019-06-10 2022-03-29 Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. Thin film fluoropolymer composite CMP polishing method
US11712777B2 (en) 2019-06-10 2023-08-01 Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. Cationic fluoropolymer composite polishing pad
US11638978B2 (en) 2019-06-10 2023-05-02 Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. Low-debris fluopolymer composite CMP polishing pad
US20230076804A1 (en) * 2021-09-02 2023-03-09 Cmc Materials, Inc. Textured cmp pad comprising polymer particles

Family Cites Families (28)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3793179A (en) * 1971-07-19 1974-02-19 L Sablev Apparatus for metal evaporation coating
US4448659A (en) * 1983-09-12 1984-05-15 Vac-Tec Systems, Inc. Method and apparatus for evaporation arc stabilization including initial target cleaning
US4673477A (en) * 1984-03-02 1987-06-16 Regents Of The University Of Minnesota Controlled vacuum arc material deposition, method and apparatus
US4724058A (en) * 1984-08-13 1988-02-09 Vac-Tec Systems, Inc. Method and apparatus for arc evaporating large area targets
ATE87522T1 (de) * 1986-10-21 1993-04-15 Hegenscheidt Gmbh Wilhelm Verfahren und maschine zum drehraeumen von rotationssymmetrischen werkstuecken.
US5215640A (en) * 1987-02-03 1993-06-01 Balzers Ag Method and arrangement for stabilizing an arc between an anode and a cathode particularly for vacuum coating devices
US5298136A (en) * 1987-08-18 1994-03-29 Regents Of The University Of Minnesota Steered arc coating with thick targets
US5578098A (en) * 1990-10-09 1996-11-26 Minnesota Mining And Manufacturing Company Coated abrasive containing erodible agglomerates
US5316812A (en) * 1991-12-20 1994-05-31 Minnesota Mining And Manufacturing Company Coated abrasive backing
US6022264A (en) * 1997-02-10 2000-02-08 Rodel Inc. Polishing pad and methods relating thereto
US6099394A (en) * 1998-02-10 2000-08-08 Rodel Holdings, Inc. Polishing system having a multi-phase polishing substrate and methods relating thereto
US5435900A (en) * 1992-11-04 1995-07-25 Gorokhovsky; Vladimir I. Apparatus for application of coatings in vacuum
US5380421A (en) * 1992-11-04 1995-01-10 Gorokhovsky; Vladimir I. Vacuum-arc plasma source
US5468363A (en) * 1994-04-25 1995-11-21 Regents Of The University Of California Magnetic-cusp, cathodic-arc source
US5480527A (en) * 1994-04-25 1996-01-02 Vapor Technologies, Inc. Rectangular vacuum-arc plasma source
JP2894209B2 (ja) * 1994-06-03 1999-05-24 信越半導体株式会社 シリコンウェーハ研磨用パッド及び研磨方法
US5587207A (en) * 1994-11-14 1996-12-24 Gorokhovsky; Vladimir I. Arc assisted CVD coating and sintering method
US5958794A (en) * 1995-09-22 1999-09-28 Minnesota Mining And Manufacturing Company Method of modifying an exposed surface of a semiconductor wafer
JPH10280315A (ja) * 1997-03-31 1998-10-20 Nippon Fureki Sangyo Kk 乾式の路面加工装置
US5997705A (en) * 1999-04-14 1999-12-07 Vapor Technologies, Inc. Rectangular filtered arc plasma source
US20020077037A1 (en) * 1999-05-03 2002-06-20 Tietz James V. Fixed abrasive articles
US6679769B2 (en) * 2000-09-19 2004-01-20 Rodel Holdings, Inc Polishing pad having an advantageous micro-texture and methods relating thereto
US6659864B2 (en) * 2000-10-12 2003-12-09 Igt Gaming device having an unveiling award mechanical secondary display
US6659846B2 (en) * 2001-09-17 2003-12-09 Agere Systems, Inc. Pad for chemical mechanical polishing
US6685540B2 (en) * 2001-11-27 2004-02-03 Cabot Microelectronics Corporation Polishing pad comprising particles with a solid core and polymeric shell
US6641632B1 (en) * 2002-11-18 2003-11-04 International Business Machines Corporation Polishing compositions and use thereof
US20050042976A1 (en) * 2003-08-22 2005-02-24 International Business Machines Corporation Low friction planarizing/polishing pads and use thereof
US7264641B2 (en) * 2003-11-10 2007-09-04 Cabot Microelectronics Corporation Polishing pad comprising biodegradable polymer

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9050697B2 (en) 2012-03-20 2015-06-09 Jh Rhodes Company, Inc. Self-conditioning polishing pad and a method of making the same
KR101532896B1 (ko) * 2012-03-20 2015-06-30 제이에이치 로드스 컴퍼니, 인크 자가-컨디셔닝 연마 패드 및 이를 제조하는 방법

Also Published As

Publication number Publication date
US20050176251A1 (en) 2005-08-11
JP2005244215A (ja) 2005-09-08
TW200529977A (en) 2005-09-16
CN1652306A (zh) 2005-08-10

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR20050079631A (ko) 분리가능한 슬릭 입자를 가지는 연마 패드
US8485863B2 (en) Polishing liquids for activating and/or conditioning fixed abrasive polishing pads, and associated systems and methods
US8133096B2 (en) Multi-phase polishing pad
US6168508B1 (en) Polishing pad surface for improved process control
US6955587B2 (en) Grooved polishing pad and method
US6398627B1 (en) Slurry dispenser having multiple adjustable nozzles
US6659846B2 (en) Pad for chemical mechanical polishing
US6394886B1 (en) Conformal disk holder for CMP pad conditioner
JP2004243518A (ja) 研摩装置
US20020119733A1 (en) See attached list (k. yasui et al)
US6386963B1 (en) Conditioning disk for conditioning a polishing pad
JP2005014128A (ja) 基板保持装置及び研磨装置
JP2000349056A (ja) 固定研磨部材のコンディショニング
JP3788810B2 (ja) 研磨装置
US6315651B1 (en) Easy on/off cover for a pad conditioning assembly
US20200130139A1 (en) Device for conditioning chemical mechanical polishing
US7189156B2 (en) Stacked polyurethane polishing pad and method of producing the same
US20050118937A1 (en) Polishing apparatus, polishing method, and semiconductor device fabrication method
US6857942B1 (en) Apparatus and method for pre-conditioning a conditioning disc
US6686284B2 (en) Chemical mechanical polisher equipped with chilled retaining ring and method of using
US20020194790A1 (en) Method for fabricating diamond conditioning disc and disc fabricated
KR100576822B1 (ko) 화학적ㆍ기계적 연마장치
US6832948B1 (en) Thermal preconditioning fixed abrasive articles
KR20210119896A (ko) 지지체 상에 폴리싱 요소를 갖는 cmp 폴리싱 패드
TW202302738A (zh) 具有提高的速率的cmp拋光墊

Legal Events

Date Code Title Description
WITN Application deemed withdrawn, e.g. because no request for examination was filed or no examination fee was paid