KR20050078447A - 디스플레이 장치용 감광성 도전 조성물 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 디스플레이 장치용 감광성 도전 조성물에 관한 것으로서, 이 조성물은 도전성 분말; 유리 프릿; 바인더, 가교제 및 개시제를 포함하는 비히클(vehicle); 및 3차 아민 화합물을 포함한다.
본 발명의 감광성 도전 조성물은 집적회로(IC), 고밀도 집적회로(LSI), 또는 플라즈마 디스플레이 패널(PDP) 등의 제조에 있어 기판상에서의 전극 패턴 형성에 사용되는 것으로, 3차 아민 화합물을 더욱 포함함에 따라 유리 프릿과 바이더의 카르복실기 성분이 반응하기 전에 3차 아민 화합물이 바이더의 카르복실기와 먼저 이온성 결합을 하여 유리 프릿과 바인더의 카르복실기와의 반응을 방지하여 장기 보존성이 우수하다.

Description

디스플레이 장치용 감광성 도전 조성물{PHOTOSENSITIVE CONDUCTIVE COMPOSITION FOR DISPLAY DEVICE}
[산업상 이용 분야]
본 발명은 디스플레이 장치용 감광성 도전 조성물에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 겔화가 일어나지 않고 저장 안정성이 우수한 디스플레이 장치용 감광성 도전 조성물에 관한 것이다.
[종래 기술]
일반적으로 플라즈마 디스플레이 패널 등의 디스플레이 패널이나 집적 회로(IC) 등의 기판 표면에는 전극 등으로 사용되는 소정의 도전 막 패턴이 형성되어 있다. 종전에는 이러한 패턴된 도전막을 형성하기 위해 스크린 인쇄법이 일반적으로 사용되었지만, 이를 이용한 제품들의 고성능화 및 소형화가 진행되면서 도전 막 패턴의 미세화 및 후막화가 요구되었고, 이에 따라 스크린 인쇄법으로는 해상도를 따라 갖지 못하는 문제점이 발생하여, 최근에는 감광성 도전 페이스트를 이용한 포토리소그래피법에 의해 미세하고 막 두께가 두꺼운 도전 막을 형성하고 있다.
상기 포토리소그래피법은 감광성 도전 페이스트를 플라즈마 디스플레이 패널 등의 유리 기판에 전면 인쇄한 후 소정의 건조 공정을 거치고 나서 포토마스크가 부착된 자외선 노광 장치를 이용하여 노광시킨 다음, 포토마스크로 차광되어 미 경화된 부분을 소정의 현상액으로 현상하여 제거한다. 이후 경화되어 남아있는 경화막을 소정의 온도로 소성하는 것에 의해 패턴화된 도전막을 형성하게 된다.
최근 감광성 도전 페이스트를 사용한 포토리소그래피법에 있어서는, 환경 문제를 고려하여 유기 용제가 아닌 물 또는 알칼리 수용액에 현상 가능한 것이 요망되고 있으며, 이 때문에 페이스트의 구성 성분 중의 하나인 바인더는 산성 관능기를 갖는 카르복실기를 포함하는 것을 사용하고 있다. 그러나 이와 같은 카르복실기를 갖는 바인더를 사용할 경우, 페이스트 성분 중의 하나인 유리 프릿과 바인더의 카르복실기가 반응해서 이온 가교에 의한 3차원 네트워크가 형성되면서 겔(gel)화가 발생된다. 감광성 도전 페이스트가 겔화되면 점도가 급격히 상승하여 인쇄를 할 수가 없고, 인쇄가 된다 하더라도 현상이 되지 않는 문제점이 발생한다.
이러한 겔화 현상을 방지하기 위한 다양한 연구가 진행되었다. 예를 들면, 대한민국 특허 공개 제 2002-88208 호에는 유리 프릿을 케톤류의 용액과 저분자의 유기산으로 표면처리하는 방법이 기재되어 있고, 대한민국 특허 공개 제 2003-35828 호에는 4가 이상의 다가 알콜을 포함하는 도전성 페이스트가 기술되어 있다. 또한, 일본 특허 공개 평 9-218508 호에는 아졸조를 갖는 화합물을 포함하는 도전성 페이스트가 기술되어 있고, 일본 특허 공개 평 9-218509 호에는 인 화합물을 포함하는 도전성 페이스트가 기술되어 있으며, 일본 특허 공개 평 9-222723 호에는 카르복실기를 갖는 유기 화합물을 포함하는 도전성 페이스트가 기술되어 있다. 또한, 미국 특허 제 6,315,927 호에는 끓는 점이 178℃ 이상의 모노 또는 디-올(mono or di-ol) 화합물을 포함하는 도전성 페이스트 사용에 대하여 기술되어 있 다.
그러나 이러한 방법들은 감광성 도전 페이스트가 겔화하는 시간을 연장해줄 수는 있었지만, 겔화 반응을 근본적으로 방지하지는 못한다.
본 발명은 상술한 문제점을 해결하기 위한 것으로서, 본 발명의 목적은 도전성 조성물의 겔화를 근본적으로 방지할 수 있으며 보존 안정성이 우수한 감광성 도전 조성물을 제공하는 것이다.
상기 목적을 달성하기 위하여, 본 발명은 도전성 분말; 유리 프릿; 바인더, 가교제 및 개시제를 포함하는 비히클(vehicle); 및 3차 아민 화합물을 포함하는 디스플레이 장치용 감광성 도전 조성물을 제공한다.
이하 본 발명을 보다 상세하게 설명한다.
본 발명은 겔화 반응이 일어나지 않는 보존 안정성이 우수한 디스플레이 장치용 감광성 도전 조성물에 관한 것으로서, 본 발명의 감광성 도전 조성물은 도전성 분말을 40 내지 80 중량%, 유리 프릿을 0.1 내지 5.0 중량%, 바인더 및 기타 유기물로 구성된 비히클이 15 내지 60 중량%, 그리고 3차 아민 화합물을 0.1 내지 10.0 중량% 포함한다.
본 발명의 감광성 도전 조성물에서 상기 3차 아민 화합물이 조성물의 겔화를 방지하여 저장 안정성을 부여하는 역할을 하는 물질이다. 상기 3차 아민 화합물이 겔화를 방지할 수 있는 원리는 유리 프릿과 바이더의 카르복실기가 반응하기 전에 3차 아민 화합물이 바이더의 카르복실기와 먼저 이온성 결합을 하여 유리 프릿이 바인더의 카르복실기와 반응하는 것을 방지하기 때문이다. 이러한 반응은 3차 아민 화합물에서만 일어나는 현상으로서, 1차 또는 2차 아민 화합물의 경우에는 반응성이 강하여 인쇄 후 건조 공정에서 카르복실기와 화학 반응을 일으킬 수 있기 때문에 사용할 수 없다.
또한 상기 3차 아민 화합물은 지방족 또는 방향족 모두 사용 가능하나, 아민기가 방향족 고리에 직접 붙어 있거나 입체 장애가 심하여 염기도가 낮은 경우에는 바인더의 카르복실기와 결합하는 능력이 떨어짐으로 사용하는데 바람직하지 않다.
이러한 상기 조건을 만족하는 3차 아민 화합물로는 트리에틸아민, 트리프로필아민, N,N-디메틸부틸아민, N-메틸부틸아민, 트리부틸아민, N,N-디메틸헥실아민, N,N-디메틸옥틸아민, N,N-디메틸운데실아민, N,N-디메틸도데실아민 등의 지방족 화합물들과 N,N-디메틸벤질아민, N-메틸디펜에틸아민, 트리벤질아민, 3-(디벤질아미노)-1-프로판올, N-에틸-3,3'-디페닐디프로필아민, N,N-디메틸아미노 에틸 벤조에이트 등의 방향족 화합물이 있다. 또한, 이들 3차 아민 화합물들은 단독 또는 2종 이상 혼합하여 사용할 수 있다.
본 발명의 감광성 도전 조성물에서 상기 3차 아민 화합물의 함량은 조성물 내 함유된 바인더의 카르복실기의 당량 및 3차 아민의 염기도 등을 고려해야하는데, 일반적으로 감광성 도전 조성물 전체 중량 대비 0.1 내지 10.0 중량%를 사용하는 것이 바람직하고, 0.5 내지 5.0 중량%가 보다 바람직하다. 감광성 도전 조성물 전체 중량 대비 0.1 중량% 미만이 되면 카르복실기와 3차 아민 화합물과의 이온성 결합이 불충분해서 저장안정성이 확보되기 어렵고, 10.0 중량%를 초과하면 현상성이 나빠지는 원인이 된다.
본 발명의 감광성 도전 조성물에서 사용되는 도전성 분말은 패턴화된 소성 막에 도전성을 부여하기 위한 것으로, 바람직한 도전성 분말은 은, 금, 동, 알루미늄 또는 이들의 합금을 들 수 있다. 상기 도전성 분말 입자의 외형은 특별히 한정되지 않지만, 충진율이나 자외선 투과 등을 고려할 때 구형이 바람직하며, 표면적이 0.3 내지 2.0 ㎡/g인 것이 적합하다. 또한, 평균 입경은 0.1 내지 5.0 ㎛인 것이 적합하다. 표면적이 0.3 ㎡/g 미만 또는 평균 입경이 5.0 ㎛를 초과하게 되면 소성 막 패턴의 직진성이 불량하고 또한 소성 막의 저항이 높게 되는 단점이 나타나며, 표면적이 2.0 ㎡/g을 초과하거나 평균 입경이 0.1 ㎛ 미만이 되면 페이스트의 분산성 및 노광 감도가 불량해지는 문제가 나타난다.
상기 도전성 분말의 함량은 40 내지 80 중량%가 바람직하다. 도전성 분말의 함량이 40 중량% 미만이 되면 소성 시에 도전 막의 선폭 수축이 심하고 단선이 일어날 수 있으며, 80 중량%를 초과하면 인쇄성 불량 및 광 투과의 저하에 의한 불충분한 가교 반응에 의해 원하는 패턴을 얻을 수 없다.
상기 유리 프릿은 소성 공정에서 연화됨으로써, 도전성 분말과 유리 기판 사이에 접착력을 주는 것으로, 본 발명에서 사용 가능한 유리 프릿으로는 PbO-SiO2계, PbO-B2O3-SiO2계, ZnO-SiO2계, ZnO-B2O3-SiO 2계, Bi2O3-SiO2계, Bi2O3-B2 O3-SiO2계 등이 있다. 또한, 이들 유리 프릿 성분들은 단독 또는 2종 이상 혼합하여 사용할 수 있다. 유리 프릿의 입자 외형은 특별히 한정되지 않으며, 단지 최대 입자 크기가 5.0㎛ 이하인 것이 적합하다. 입자 크기가 5.0㎛ 이상이 되면 소성 막이 불균일하고 직진성이 나빠지는 원인이 된다.
상기 유리 프릿의 열팽창 계수는 50 내지 100×10-7이 바람직하다. 열팽창 계수가 50×10-7 미만인 경우 소성 막 밑 부분 외에 소성 막 주변에까지 넓게 펴져 있게 됨으로써 실질적으로 소성 막과 유리 기판 사이의 접착력 저하의 원인이 될 수 있고, 유리 기판의 열팽창 계수가 100×10-7을 초과하는 경우에는 유리 프릿이 소성 막 중심부에 몰리게 됨으로써 소성 막 양쪽 끝 부분이 말려 올라가는 현상(소위 에지-컬(edge-curl))이 발생한다.
본 발명의 감광성 도전 조성물에서 유리 프릿의 함량은 0.5 내지 5.0 중량%가 적합하며, 0.5 중량% 미만이 되면 도전 막과 유리 기판 사이의 접착력이 저하되어 후 공정을 거치는 과정에서 도전 막이 떨어지는 문제점이 발생하고, 유리 프릿이 5.0 중량%을 초과하게 되면 도전 막의 저항이 증가하는 문제점이 발생한다.
감광성 도전 조성물의 유기 성분인 비히클은 바인더, 가교제, 광개시제 및 용제로 구성되며, 필요에 따라 첨가제를 더욱 포함할 수도 있다.
상기 바인더로는 감광성 도전 조성물이 알카리 수용액에 현상이 되게 하기 위해 산성기를 갖는, 즉 카르복실기를 갖는 모노머와 다른 1개 이상의 모노머들과의 공중합체가 일반적으로 사용된다. 카르복실기를 갖는 모노머로는, 아크릴산, 메타크릴산, 푸마르산, 말레인산, 비닐초산 및 이들의 무수물을 들 수 있고, 이들 모노머들과 공중합시키는 다른 모노머들로는 메틸 아크릴레이트, 메틸 메타크릴레이트, 에틸 아크릴레이트, 에틸 메타크릴레이트, n-부틸 아크릴레이트, n-부틸 메타크릴레이트, 이소부틸 아크릴레이트, 이소부틸 메타크릴레이트, 2-히드록실 에틸 아크릴레이트, 2-히드록실 에틸 메타크릴레이트, 에틸렌 글리콜 모노메틸 에테르 아크릴레이트, 에틸렌 글리콜 모노메틸 에테르 메타크릴레이트 등이 있다.
상기 바인더로 이용되는 공중합체의 분자량은 5,000 내지 100,000g/mol이 적합하며, 산가는 20 내지 100 mgKOH/g이 적합하다. 공중합체의 분자량이 5,000g/mol 미만이 되면 페이스트의 인쇄성이 떨어지고, 분자량이 100,000g/mol을 초과하게 되면 현상성이 나빠지는 원인이 된다. 공중합체의 산가의 경우 20 mgKOH/g 미만이 되면 현상성이 나빠지고, 100 mgKOH/g을 초과하게 되면 노광된 부분까지 현상되는 문제점을 갖는다.
또한, 바인더로는 상기 중합체의 카르복실기와 에틸렌성 불포화 화합물을 반응시켜, 결과적으로 바인더 내에 가교 반응을 일으킬 성분이 부가된 것을 이용할 수도 있다. 이러한 에틸렌성 불포화 화합물로는 클리시딜메타크릴레이드, 3,4-에폭시시클로헥실메틸메타크릴레이트, 3,4-에폭시시클로헥실메틸아크릴레이트 등이 있다.
또한, 바인더로 막 레벨링이나 요변 특성(搖變, thixotropy) 향상 등의 목적으로 셀룰로오즈, 히드록시 메틸 셀룰로오즈, 히드록시 에틸 셀룰로오즈, 카르복시 메틸 셀룰로오즈, 카르복시 에틸 셀룰로오즈, 카르복시 에틸 메틸 셀룰로오즈 등의 셀룰로오즈 유도체를 혼합하여 사용할 수도 있다.
감광성 도전 조성물 내 바인더의 함량은 5 내지 15 중량%가 적합하다. 바인더 함량이 5 중량% 미만이 되면 인쇄성이 떨어지고, 15 중량%를 초과하게 되면 현상성 불량 및 소성 막 주변에 잔사(residue)가 발생되는 문제가 있다.
가교제는 다 관능 모노머가 이용되는데, 예를 들면 에틸렌 글리콜 디아크릴레이트, 에틸렌 글리콜 디아크릴레이트, 트리메틸올프로판 트리아크릴레이트, 트리메틸올프로판 트리메타크릴레이트, 테트라메틸올프로판 테트라아크릴레이트, 테트라메틸올프로판 테트라메타크릴레이트, 펜타에리스리톨 트리 아크릴레이트, 펜타에리스리톨 트리 메타크릴레이트, 펜타에리스리톨 테트라 아크릴레이트, 펜타에리스리톨 테트라 메타크릴레이트 등을 들 수 있다. 이들 가교제 성분들은 단독 또는 2종 이상 혼합하여 사용할 수 있다. 가교제 함량은 바인더 100 중량부에 대하여 20 내지 100 중량부가 적합하다. 가교제 함량이 바인더 대비 20 중량부 미만이 되면 노광 감도가 떨어지거나, 현상 공정 시 패턴에 흠이 생기는 경향이 있으며, 가교제 함량이 바인더 함량 대비 100 중량부를 초과하게 되면 현상 후 선폭이 커지면서 패턴 모양이 깨끗하지 않고, 이것은 소성 후 잔사(residue)를 발생시키게 된다.
광개시제의 구체적인 예로서 벤조페논, o-벤조일벤조산 메틸, 4,4-비스(디메틸아민)벤조페논, 4,4-비스(디에틸아미노)벤조페논, 2,2-디에톡시아세토페논, 2,2-디메톡시-2-페닐-2-페닐아세토페논, 2-메틸-[4-(메틸티오)페닐]-2-모르폴리노프로파-1-온, 2-벤질-2-디메틸아미노-1-(4-모르폴리노페닐)-1-부타논, 비스(2,6-디메톡시벤조일)-2,4,4-트리메틸펜틸포스핀옥사이드, 비스(2,4,6-트리메틸벤조일)페닐포스핀옥사이드 등을 들 수 있다. 본 발명에서는 이것들을 1종 또는 2종이상 혼합하여 사용할 수 있다. 광개시제는 가교제 100 중량부에 대하여 1 내지 50 중량부가 바람직하며, 광개시제의 성분이 가교제 100 중량부에 대하여 1.0 중량부 미만이면 페이스트의 노광 감도가 떨어지고, 50 중량부를 초과하게 되면 노광부의 선폭이 작게 나오는 문제가 발생한다.
감광성 도전 조성물에 사용되는 첨가제는 감도를 향상시키는 증감제, 페이스트의 보존성을 향상시키는 중합 금지제 및 산화방지제, 해상도를 향상시키는 자외선 흡광제, 페이스트 내의 기포를 줄여 주는 소포제, 분상성을 향상시켜 주는 분산제, 인쇄 시 막의 평탄성을 향상시키는 레벨링제, 요변 특성을 주는 가소제 등이 있다. 이들 첨가제는 반드시 사용되는 것은 아니고 필요에 따라 사용되며, 첨가 시에는 일반적으로 알려진 양을 적절하게 조절하여 사용하면 된다.
감광성 도전 조성물에 사용되는 용제로는 특별히 제한을 두지 않으며, 단지, 바인더 및 광개시제를 녹일 수 있고, 가교제 및 기타 첨가제와 잘 섞이면서 끓는점이 150℃ 이상이면 된다. 끓는점이 150℃ 미만이 되면 조성물, 특히 페이스트 제조 과정, 특히 3-롤 밀 공정에서 휘발되어 날아가는 경향이 크므로 문제가 되며, 또한 인쇄 시 용제가 너무 빨리 휘발되어 인쇄 상태가 나쁘게 되는 결과를 초래한다. 상기 조건을 만족하는 바람직한 용제로는, 에틸 카비톨, 부틸카비토르 에틸 카비톨 아세테이트, 부틸카비톨 아세테이트, 텍사놀, 테르핀유, 디프로필렌글리콜 메틸 에테르, 디프로필렌글리콜 에틸 에테르, 디프로필렌글리콜 모노메틸 에테르 아세테이트, γ-부티로락톤, 셀로솔브 아세테이트, 부틸셀로솔브 아세테이트, 트리프로필렌 글리콜 등이 있다. 이들 용제는 단독으로 사용하거나 2종 이상 혼합하여 사용할 수 있다.
본 발명의 감광성 도전 조성물은 플라즈마 디스플레이, 집적 회로(IC), 고밀도 집적 회로(LSI) 등의 전극 패턴을 형성하는데 사용할 수 있다. 이하, 본 발명의 감광성 도전 조성물을 사용하여 패턴 가공을 실시하는 일 예를 설명하나, 패턴 가공을 실시하는 방법이 이에 한정되지 않음은 물론이다.
유리 기판 또는 세라믹스 기판 위에 본 발명의 감광성 도전 조성물을 전면 도포 또는 부분적으로 도포한다. 도포 방법으로는 스크린 인쇄, 바 코터, 롤 코터 등의 공지된 어떠한 방법을 사용하여도 무방하다. 이어서 이를 포토마스크를 사용하여 노광 공정을 실시하고, 현상 공정을 실시한다. 이후, 소성로에서 소성을 실시한다. 이때 소성 온도는 사용되는 기판에 따라 조절할 수 있으며, 예를 들어 유리 기판을 사용하는 경우에는 400 내지 600℃가 바람직하고 세라믹스 기판을 사용하는 경우에는 400 내지 1000℃가 바람직하다. 소성 온도가 400℃ 미만이 되면 소성 시 유기물 분해가 완전하게 일어나지 않아 유기물이 잔류하는 문제 및 유리 프릿의 연화가 일어나지 않고 전도성 입자의 융착도 불완전하게 일어나는 문제가 나타날 수 있으며, 소성온도가 600℃ 또는 1000℃를 초과하면 유리 기판을 사용하는 경우 유리기판이 휘는 문제가 발생한다.
이하, 실시예 및 비교예를 사용하여 본 발명에 대해 구체적으로 설명하고자 한다. 단, 본 발명은 이에 한정되지 않는다.
(실시예 1-3, 참고예 1 및 비교예 1-3)
표 1에 나타낸 조성비로 배합하고, 교반기에 의해 교반 후, 3-롤 밀을 이용하여 반죽해서 감광성 도전 페이스트를 제조하였다. 배합 시 비이클을 먼저 조합한 다음 유리 프릿과 도전성 분말을 첨가하였다. 표 1 내에 나타낸 숫자는 중량%를 나타낸다. 하기 표 1에서, 바인더 중량은 바인더로 사용되는 공중합체를 형성하는데 사용된 용매(에틸 카비톨 아세테이트)가 포함된 양으로서, 이 중에서 실제 바인더 중량은 8 중량%이다. 사용된 바인더의 자세한 조성은 표 2에 나타내었다.
성분 참고예 1 실시예 1 실시예 2 실시예 3 비교예 1 비교예 2 비교예 3
도전성 분말 65.0 65.0 65.0 65.0 65.0 65.0 65.0
유리 프릿 3.0 3.0 3.0 3.0 3.0 3.0 3.0
바인더 16.0 16.0 16.0 16.0 16.0 16.0 16.0
가교제 A 4.0 4.0 4.0 4.0 4.0 4.0 4.0
가교제 B 2.0 2.0 2.0 2.0 2.0 2.0 2.0
광개시제 A 0.8 0.8 0.8 0.8 0.8 0.8 0.8
광개시제 B 0.7 0.7 0.7 0.7 0.7 0.7 0.7
용제 6.95 5.0 6.0 1.0 6.0 6.0 6.0
가소제 1.0 1.0 1.0 1.0 1.0 1.0 1.0
분산제 0.5 0.5 0.5 0.5 0.5 0.5 0.5
3차 아민 A 0.05 2.0 - 6.0 - - -
3차 아민 B - - 1.0 - - - -
비교 첨가제 1 - - - - 1.0 - -
비교 첨가제 2 - - - - - 1.0 -
비교 첨가제 3 - - - - - - 1.0
상기 표 1의 성분을 표 2에 설명하였다.
성분 내용
도전성 분말 Ag 분말, 구형, 표면적 : 0.65 ㎡/g, 평균 입자 크기 : 1.7㎛
유리 프릿 PbO-SiO2계, 무정형, 최대 크기 : 3.4㎛
바인더 중합체(폴리(MMA-co-MAA), 분자량 15,000g/mol, 산가 55mgKOH/g) + 용매(에틸 카비톨 아세테이트)(5 : 5 중량비)
가교제 A 트리메틸올프로판 트리메타크릴레이트
가교제 B 펜타에리스리톨 테트라 메타크릴레이트
광개시제 A 2,2-디메톡시-2-페닐-2-페닐아세토페논
광개시제 B 2-벤질-2-디메틸아미노-1-(4-모르폴리노페닐)-1-부타논
용제 에틸 카비톨 아세테이트
가소제 디옥틸프탈레이트
분산제 비실리콘계 분산제, 상품명 Disperbyk 164
3차 아민 A N,N-디메틸아미노 에틸 벤조에이트
3차 아민 B N,N-디메틸부틸아민
비교 첨가제 1 소비톨(sorbitol)
비교 첨가제 2 벤죠트리아졸
비교 첨가제 3 인산 에테르
상기 표 2에 나타낸 성분을 사용하여 상기 표 1의 조성으로 페이스트를 제조한 후, 각 페이스트를 이용하여 다음과 같은 방법으로 저장안정성을 평가하였다.
(1) 점도측정 : 점도계를 이용하여 페이스트의 점도를 측정함.
(2) 인쇄 : 20㎝×20㎝ 유리 기판상에 스크린 인쇄법으로 인쇄함.
(3) 건조 : 드라이 오븐에서 100℃에서 15분간 건조시킴.
(4) 노광 : 고압 수은 램프가 장착된 자외선 노광 장치를 이용하여 300 mJ/㎠로 조사함.
(5) 현상 : 0.4% 탄산나트륨 수용액을 노즐압력 1.5kgf/㎠ 분사하여 현상시킴.
(6) 소성 : 전기 소성로를 이용하여 580℃에서 12분간 소성함.
(7) 평가 : 3차원 측정장비 및 전자광학현미경(SEM)을 이용하여 소성막의 해상도 및 막특성을 평가함.
(8) 저장안정성을 평가하기 위해 페이스트 조합일로부터 1일 후, 3일 후, 7일 후, 15일 후에 상기 (1)에서 (7)과정을 반복하였다. 그 결과를 하기 표 3에 나타내었다.
특성 참고예 1 실시예 1 실시예 2 실시예 3 비교예 1 비교예 2 비교예 3
해상도 당일 ◎ ◎ ◎ ○ △ ◎ ◎
1일 후 ○ ◎ ◎ ○ △ ○ ○
3일 후 △ ◎ ◎ ○ △ △ △
7일 후 × ◎ ◎ ○ △ × △
15일 후 - ◎ ◎ ○ △ × ×
30일 후 - ○ ○ ○ × - -
저장안정성 당일 ◎ ◎ ◎ ◎ ◎ ◎ ◎
1일 후 ○ ◎ ◎ ◎ ◎ ◎ ◎
3일 후 △ ◎ ◎ ◎ ◎ △ ○
7일 후 × ◎ ◎ ◎ ◎ × △
15일 후 - ◎ ◎ ◎ ○ - ×
30일 후 - ○ ○ ◎ △ - -
◎ : 양호, ○ : 보통, △ : 나쁨, × : 평가 불가
상기 표 3에 나타낸 바와 같이 3차 아민 화합물인 N,N-디메틸아미노 에틸 벤조에이트가 적게 첨가된 참고예 1의 경우, 페이스트 제조 후 3일 후부터 점도가 증가하면서 해상도가 떨어지는 결과를 나타내었고, N,N-디메틸아미노 에틸 벤조에이트가 페이스트 대비 2.0 중량% 첨가된 실시예 1과 N,N-디메틸부틸아민이 페이스트 대비 1.0 중량% 첨가된 실시예 2의 경우 저장안정성이 뛰어난 결과를 보였다. N,N-디메틸아미노 에틸 벤조에이트가 페이스트 대비 6.0 중량%로 실시예 1과 2보다는 다소 과량 첨가된 경우에는 저장안정성은 뛰어났으나 현상 특성이 다소 저하되어 해상도가 다소 저하되는 결과를 나타내었다
한편, 비교예의 경우, 저장안정제로 다가 알콜인 소비톨을 첨가한 비교예 1의 경우에는 저장안정성 면에서는 다소 좋은 결과를 보였으나, 비이클에 대한 소비톨 성분의 용해성이 나빠, 결과적으로 해상도가 좋지 않은 결과를 나타냈다. 저장안정제로 벤죠트리아졸을 첨가한 비교예 2와 인산에테르를 첨가한 비교예 3의 경우에는 페이스트 제조 후 며칠간은 안정하였으나, 결국 겔화가 되어 저장안정성이 떨어지는 결과를 나타냈다.
상술한 바와 같이, 본 발명의 감광성 도전 조성물은 집적회로(IC), 고밀도 집적회로(LSI), 또는 플라즈마 디스플레이 페널(PDP) 등의 제조에 있어 기판상에서의 전극 패턴 형성에 사용되는 것으로, 3차 아민 화합물을 더욱 포함함에 따라 유리 프릿과 바이더의 카르복실기 성분이 반응하기 전에 3차 아민 화합물이 바이더의 카르복실기와 먼저 이온성 결합을 하여 유리 프릿과 바인더의 카르복실기와의 반응을 방지하여 장기 보존성이 우수하다.

Claims (8)

  1. 도전성 분말;
    유리 프릿;
    바인더, 가교제 및 개시제를 포함하는 비히클(vehicle); 및
    3차 아민 화합물을 포함하는 디스플레이 장치용 감광성 도전 조성물.
  2. 제 1 항에 있어서, 상기 감광성 도전성 조성물은 상기 3차 아민 화합물을 0.1 내지 10.0 중량% 포함하는 것인 디스플레이 장치용 감광성 도전 조성물.
  3. 제 2 항에 있어서, 상기 감광성 도전성 조성물은 상기 3차 아민 화합물을 0.5 내지 5.0 중량% 포함하는 것인 디스플레이 장치용 감광성 도전 조성물.
  4. 제 1 항에 있어서, 상기 3차 아민 화합물은 트리에틸아민, 트리프로필아민, N,N-디메틸부틸아민, N-메틸부틸아민, 트리부틸아민, N,N-디메틸헥실아민, N,N-디메틸옥틸아민, N,N-디메틸운데실아민 및 N,N-디메틸도데실아민으로 이루어진 군에서 선택되는 지방족 아민 화합물 또는 N,N-디메틸벤질아민, N=메틸디펜에틸아민, 트리벤질아민, 3-(디벤질아미노)-1-프로판올 및 N-에틸-3,3'-디페닐디프로필아민, N,N-디메틸아미노에틸벤조에이트로 이루어진 군에서 선택되는 방향족 아민 화합물인 디스플레이용 감광성 도전 조성물.
  5. 제 1 항에 있어서, 상기 감광성 도전성 조성물은 도전성 분말을 40 내지 80 중량% 포함하는 것인 디스플레이 장치용 감광성 도전 조성물.
  6. 제 1 항에 있어서, 상기 감광성 도전성 조성물은 상기 유리 프릿을 0.1 내지 5.0 중량% 포함하는 것인 디스플레이 장치용 감광성 도전 조성물.
  7. 제 1 항에 있어서, 상기 감광성 도전성 조성물은 상기 비히클을 15 내지 60 중량% 포함하는 것인 디스플레이 장치용 감광성 도전 조성물.
  8. 제 1 항에 있어서, 상기 감광성 도전성 조성물은 플라즈마 디스플레이 패널, 집적 회로 및 고밀도 집적 회로의 전극 형성용 감광성 도전성 조성물인 디스플레이 장치용 감광성 도전 조성물.
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