KR20050077204A - Organic electro luminescence display device - Google Patents
Organic electro luminescence display device Download PDFInfo
- Publication number
- KR20050077204A KR20050077204A KR1020040005156A KR20040005156A KR20050077204A KR 20050077204 A KR20050077204 A KR 20050077204A KR 1020040005156 A KR1020040005156 A KR 1020040005156A KR 20040005156 A KR20040005156 A KR 20040005156A KR 20050077204 A KR20050077204 A KR 20050077204A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- layer
- light emitting
- organic light
- display device
- organic
- Prior art date
Links
Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B62—LAND VEHICLES FOR TRAVELLING OTHERWISE THAN ON RAILS
- B62B—HAND-PROPELLED VEHICLES, e.g. HAND CARTS OR PERAMBULATORS; SLEDGES
- B62B9/00—Accessories or details specially adapted for children's carriages or perambulators
- B62B9/10—Perambulator bodies; Equipment therefor
- B62B9/14—Equipment protecting from environmental influences, e.g. Hoods; Weather screens; Cat nets
- B62B9/142—Equipment protecting from environmental influences, e.g. Hoods; Weather screens; Cat nets by flexible canopies, covers or nets
Abstract
본 발명은 유기발광소자의 하부전극인 화소전극이 하부에 형성된 요철부를 갖는 유기막을 감싸도록 형성하여 불순물에 의한 오염방지 및 화소전극의 가장자리에서의 접촉불량을 방지할 수 있는 유기전계발광 표시장치에 관한 것이다.The present invention provides an organic light emitting display device in which a pixel electrode, which is a lower electrode of an organic light emitting element, is formed to surround an organic layer having an uneven portion formed therein, thereby preventing contamination by impurities and contact failure at the edge of the pixel electrode. It is about.
본 발명의 유기전계발광 표시장치는 스위칭소자가 형성되고, 화소영역이 정의된 절연기판과; 상기 절연기판상에 형성되고, 비어홀을 갖는 하부막과; 상기 화소영역상에 형성되고 요철부를 갖는 상부막과; 상기 상부막을 포함한 절연기판상에 형성되어 상기 비어홀을 통해 TFT소자에 전기적으로 연결되는 하부전극을 포함하며; 상기 하부전극은 상기 상부막을 감싸도록 형성되어, 그 가장자리가 상기 하부막과 접촉한다.An organic light emitting display device according to the present invention comprises: an insulating substrate having a switching element formed thereon, and a pixel region defined therein; A lower layer formed on the insulating substrate and having a via hole; An upper film formed on the pixel region and having an uneven portion; A lower electrode formed on an insulating substrate including the upper layer and electrically connected to a TFT device through the via hole; The lower electrode is formed to surround the upper layer, and an edge thereof contacts the lower layer.
Description
본 발명은 평판표시장치에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 유기발광소자의 하부전극인 화소전극이 하부에 형성된 요철부를 갖는 유기막을 감싸도록 형성하여 불순물에 의한 오염방지 및 화소전극의 가장자리에서의 접촉불량을 방지할 수 있는 유기전계발광 표시장치에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a flat panel display device, and more particularly, a pixel electrode, which is a lower electrode of an organic light emitting diode, is formed to surround an organic layer having an uneven portion formed therein, thereby preventing contamination by impurities and poor contact at the edge of the pixel electrode. The present invention relates to an organic light emitting display device capable of preventing the same.
도 1a은 종래의 유기전계 발광표시장치의 단면구조를 도시한 도면이고, 도 1b는 종래의 유기전계발광 표시장치의 요철부를 갖는 유기막과 화소전극의 일부분을 나타내는 확대사진도이다.FIG. 1A illustrates a cross-sectional structure of a conventional organic light emitting display device, and FIG. 1B is an enlarged photograph showing a portion of an organic film and a pixel electrode having an uneven portion of a conventional organic light emitting display device.
도 1a 및 1b를 참조하면, TFT와 캐패시터가 형성될 제1영역(101)과 유기 EL소자가 형성될 제2영역(102)을 구비한 투명한 절연기판(100)상에 버퍼층(110)이 형성된다. 제1영역(101)에는 n형 또는 p형 소오스/드레인 영역(121, 122)이 구비된 반도체층(120)이 형성되고, 게이트 절연막(130)상에는 게이트전극(131)이 형성되고 이와 동시에 캐패시터의 제1전극(132)이 형성된다. 층간 절연막(140)상에는 콘택홀(136, 137)을 통해 상기 소오스/드레인 영역(121, 122)에 각각 연결되는 소오스/드레인 전극(151, 152)이 형성되고, 이와 동시에 상기 소오스/드레인 전극(151, 152)중 하나, 예를 들면 소오스전극(151)과 연결되는 캐패시터의 제2전극(155)이 형성된다.1A and 1B, a buffer layer 110 is formed on a transparent insulating substrate 100 having a first region 101 on which a TFT and a capacitor are to be formed and a second region 102 on which an organic EL element is to be formed. do. In the first region 101, a semiconductor layer 120 having n-type or p-type source / drain regions 121 and 122 is formed, and a gate electrode 131 is formed on the gate insulating layer 130. The first electrode 132 is formed. Source / drain electrodes 151 and 152 connected to the source / drain regions 121 and 122, respectively, are formed on the interlayer insulating layer 140 through contact holes 136 and 137, and at the same time, the source / drain electrodes ( One of 151 and 152, for example, a second electrode 155 of a capacitor connected to the source electrode 151 is formed.
상기 소오스/드레인 전극(151, 152)을 형성한 후, 상기 절연 기판(100) 전체에 CVD 방법을 이용하여 하부 보호막인 무기막(171)을 형성한다. 상기 무기막(171)으로는 SiNx, SiO2 등과 같은 물질을 증착하여 형성하는 것이 바람직하다. 또한, 상기 무기막(171)은 3000Å 이하의 두께로 형성하는 것이 바람직하다. After forming the source / drain electrodes 151 and 152, an inorganic layer 171, which is a lower protective layer, is formed on the entire insulating substrate 100 by using a CVD method. The inorganic layer 171 may be formed by depositing a material such as SiNx, SiO2, or the like. In addition, the inorganic film 171 is preferably formed to a thickness of less than 3000 kPa.
상기 무기막(171)을 형성한 후, 열처리를 실시한다. 상기 열처리는 TFT 제조 공정에서 발생하는 손상을 큐어링(curing)하여 TFT의 특성을 개선하기 위한 것이다. After the inorganic film 171 is formed, heat treatment is performed. The heat treatment is to cure damage generated in the TFT manufacturing process to improve the characteristics of the TFT.
상기 열처리 공정을 수행한 다음, 상기 무기막(171) 상에 상부 보호막인 유기막(173)을 증착하여, 무기막(171)과 유기막(173)으로 이루어지는 이중막 구조의 보호막을 형성한다. After performing the heat treatment, an organic layer 173, which is an upper protective layer, is deposited on the inorganic layer 171, thereby forming a protective layer having a double layer structure including the inorganic layer 171 and the organic layer 173.
여기서, 상기 유기막(173)은 유기EL소자가 형성되는 제2영역(102), 즉 개구부(185)에 대응하는 부분에서 요철부(165)를 갖도록 패터닝된다. 상기 유기막(173)을 형성한 후, 상기 무기막(171)과 유기막(173)으로 이루어지는 이중막 구조의 보호막에 드레인 전극(152)의 일부를 노출시키는 비어홀(161)을 형성한다. 상기 절연 기판(100)의 전면에 걸쳐 상기 이중 보호막의 상부에 ITO와 같은 전도성 물질을 증착한 후, 사진 식각하여 비어홀(161)을 통해 드레인 전극(152)에 전기적으로 연결되는 화소전극(170)을 형성한다. The organic layer 173 is patterned to have the uneven portion 165 at a portion corresponding to the second region 102 where the organic EL element is formed, that is, the opening 185. After the organic film 173 is formed, a via hole 161 exposing a part of the drain electrode 152 is formed in a protective film having a double film structure composed of the inorganic film 171 and the organic film 173. The pixel electrode 170 is electrically connected to the drain electrode 152 through the via hole 161 by depositing a conductive material such as ITO on the upper portion of the double passivation layer over the entire surface of the insulating substrate 100. To form.
이후에는, 도면상에 도시하지 않았으나, 화소전극(170) 상에 유기 발광층을 형성하고, 기판 전면에 캐소드 전극을 형성한다. 상기 유기막(173)의 요철부에 의해 상기 화소전극(170)과 유기발광층(도면에 도시되지 않음)이 굴곡지게 형성되어진다. Subsequently, although not shown in the drawing, an organic emission layer is formed on the pixel electrode 170 and a cathode is formed on the entire surface of the substrate. The pixel electrode 170 and the organic light emitting layer (not shown) are formed to be bent by the uneven portion of the organic layer 173.
종래의 유기전계발광 표시장치는 유기발광층(도면에 도시되지 않음)에서 발광된 광을 라운딩형태의 굴곡에 의해 기판의 전면으로 반사시켜 줌으로써 발광효율을 향상시키게 된다. Conventional organic light emitting display devices improve light emission efficiency by reflecting light emitted from an organic light emitting layer (not shown) to the entire surface of the substrate by rounding bending.
그러나, 도 1a 및 1b에 도시된 바와 같이 종래의 유기전계발광 표시장치는ITO와 같은 투명도전막으로 화소전극(170)이 유기막(173)의 일부분에만 형성되어 유기막(173)의 일부가 외부로 노출되는 구조를 가지고 있다. However, as shown in FIGS. 1A and 1B, a conventional organic light emitting display device is a transparent conductive film such as ITO, and the pixel electrode 170 is formed only on a portion of the organic layer 173 so that a part of the organic layer 173 is external. It has a structure exposed to.
상기 유기막(173)은 그 분자구조특성상 불순물이 많이 함유되어 있으므로 상기와 같이 유기막(173)이 외부로 노출된 경우 유기EL의 발광시 상기 유기막(173)에 포함된 불순물에 의해 유기EL의 수명이 저하될 수 있다. 또한, 유기막(173) 상부에 형성되는 ITO와 같은 전도성물질은 식각공정에서 상기 유기막(173)과 부착력이 좋지 못하여 가장자리가 과식각(overetching) 되는 문제와 이로 인해 접촉불량이 발생하는 문제점이 있다.Since the organic layer 173 contains a large amount of impurities due to its molecular structure, when the organic layer 173 is exposed to the outside as described above, the organic layer 173 is formed by impurities contained in the organic layer 173 when the organic EL is emitted. The lifetime of the can be lowered. In addition, a conductive material such as ITO formed on the organic layer 173 may have poor adhesion with the organic layer 173 in the etching process, resulting in overetching of the edges, resulting in poor contact. have.
따라서, 본 발명은 상기한 바와 같은 종래기술의 문제점을 해결하기 위한 것으로서, 유기발광소자의 하부전극인 화소전극이 하부에 형성된 요철부를 갖는 유기막을 감싸도록 형성하여 불순물에 의한 오염방지 및 화소전극의 가장자리에서의 접촉불량을 방지할 수 있는 유기전계발광 표시장치를 제공하는 데 그 목적이 있다.Accordingly, the present invention is to solve the problems of the prior art as described above, the pixel electrode which is a lower electrode of the organic light emitting device is formed to surround the organic film having the uneven portion formed on the bottom to prevent contamination by impurities and the pixel electrode An object of the present invention is to provide an organic light emitting display device capable of preventing contact failure at the edge.
본 발명의 다른 목적은 화소전극에 요철을 형성하여 휘도를 개선할 수 있는 유기전계발광 표시장치를 제공하는데 그 목적이 있다.Another object of the present invention is to provide an organic light emitting display device capable of improving luminance by forming irregularities on a pixel electrode.
상기한 바와 같은 목적을 달성하기 위하여, 본 발명은 스위칭소자가 형성되고, 화소영역이 정의된 절연기판과; 상기 절연기판상에 형성되고, 비어홀을 갖는 하부막과; 상기 화소영역상에 형성되고 요철부를 갖는 상부막과; 상기 상부막을 포함한 절연기판상에 형성되어 상기 비어홀을 통해 TFT소자에 전기적으로 연결되는 하부전극을 포함하며; 상기 하부전극은 상기 상부막을 감싸도록 형성되어, 그 가장자리가 상기 하부막과 접촉하는 것을 특징으로 하는 유기전계발광 표시장치를 제공하는 것을 특징으로 한다.In order to achieve the above object, the present invention provides an insulating substrate including a switching element and a pixel region defined therein; A lower layer formed on the insulating substrate and having a via hole; An upper film formed on the pixel region and having an uneven portion; A lower electrode formed on an insulating substrate including the upper layer and electrically connected to a TFT device through the via hole; The lower electrode may be formed to surround the upper layer, and an edge thereof may contact the lower layer, to provide an organic light emitting display device.
상기 하부막은 무기막으로 하고, 상기 하부막은 SiNx 또는 SiO2로 이루어 진다. 상기 상부막은 유기막으로 하고, 상기 상부막은 아크릴, BCB, PA 또는 PI로 이루어 진다. 또한, 상기 화소전극은 ITO 또는 IZO로 이루어 지며, 상기 화소영역상에 형성되는 요철부는 라운딩된 구조를 갖거나 각이진 구조를 가진다.The lower layer is made of an inorganic layer, and the lower layer is made of SiNx or SiO 2 . The upper layer is an organic layer, and the upper layer is made of acrylic, BCB, PA, or PI. In addition, the pixel electrode is made of ITO or IZO, and the uneven portion formed on the pixel region has a rounded structure or an angular structure.
상기 화소전극 중 상기 요철부에 대응하는 부분을 노출시키는 화소분리막과; 기판상에 형성된 유기발광층과; 상기 유기발광층상에 형성된 상부전극을 더 포함한다.A pixel separation layer exposing a portion of the pixel electrode corresponding to the uneven portion; An organic light emitting layer formed on the substrate; Further comprising an upper electrode formed on the organic light emitting layer.
이하 첨부된 도면을 참조하여, 본 발명의 실시예를 설명한다.Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the accompanying drawings.
도 2a은 본 발명의 실시예에 따른 유기전계 발광표시장치의 단면구조를 도시한 도면이고, 도 2b는 본 발명의 실시예에 따른 유기전계발광 표시장치의 요철부를 갖는 유기막과 화소전극의 일부분을 나타내는 확대사진도이다.FIG. 2A illustrates a cross-sectional structure of an organic light emitting display device according to an embodiment of the present invention, and FIG. 2B illustrates a portion of an organic film and a pixel electrode having an uneven portion of the organic light emitting display device according to an embodiment of the present invention. The enlarged photograph is shown.
도 2a 및 2b를 참조하면, 절연 기판(200)으로 사용되는 유리 기판 상에 상기 유리 기판으로부터 금속 이온 등의 불순물이 확산되어 활성층(다결정 실리콘)에 침투하는 것을 막기 위한 버퍼층(210, buffer layer; diffusion barrier)을 PECVD, LPCVD, 스퍼터링(sputtering) 등의 방법을 통해 증착한다. 2A and 2B, a buffer layer 210 for preventing impurities such as metal ions from diffusing from the glass substrate and penetrating into the active layer (polycrystalline silicon) on the glass substrate used as the insulating substrate 200; The diffusion barrier is deposited by PECVD, LPCVD, sputtering, or the like.
그런 다음, 상기 버퍼층(210) 상에 PECVD, LPCVD, 스퍼터링 등의 방법을 이용하여 비정질 실리콘막(amorphous Si)을 증착한다. 그리고, 진공 로(furnace)에서 탈수소 공정을 실시한다. 상기 비정질 실리콘막을 LPCVD나 스퍼터링으로 증착한 경우 탈수소하지 않을 수도 있다. Then, an amorphous Si film is deposited on the buffer layer 210 using a method such as PECVD, LPCVD, sputtering, or the like. And a dehydrogenation process is performed in a vacuum furnace. When the amorphous silicon film is deposited by LPCVD or sputtering, it may not be dehydrogenated.
상기 비정질 실리콘막에 고에너지를 조사하는 비정질 실리콘의 결정화 공정을 통해 비정질 실리콘을 결정화하여 다결정 실리콘막(poly-Si)을 형성한다. 바람직하게는 상기 결정화 공정으로 ELA, MIC, MILC, SLS, SPC 등의 결정화 공정이 사용된다. The amorphous silicon is crystallized through a crystallization process of amorphous silicon that irradiates the amorphous silicon film with high energy to form a polycrystalline silicon film (poly-Si). Preferably, a crystallization process such as ELA, MIC, MILC, SLS, SPC is used as the crystallization process.
상기 다결정 실리콘막을 형성한 후, 상기 다결정 실리콘막 상에 활성층을 형성하기 위한 포토레지스트를 형성하고, 상기 포토레지스트를 마스크로 하여 상기 다결정 실리콘막을 패터닝하여 활성층(220, active layer)을 형성한다. After the polycrystalline silicon film is formed, a photoresist for forming an active layer is formed on the polycrystalline silicon film, and the polycrystalline silicon film is patterned using the photoresist as a mask to form an active layer 220.
상기 활성층(220) 상에 게이트 절연막(230)을 증착하고, 상기 게이트 절연막(230) 상에 게이트 메탈을 증착한 후, 상기 게이트 메탈을 패터닝하여 게이트 전극(231) 및 캐패시터 제 1전극(232)을 형성한다. After the gate insulating film 230 is deposited on the active layer 220, the gate metal is deposited on the gate insulating film 230, the gate metal is patterned to form the gate electrode 231 and the capacitor first electrode 232. To form.
상기 게이트 전극(231)을 형성한 후, 게이트 전극(231)을 마스크로 이용하여 상기 활성층(220)에 소정의 도전형을 갖는 불순물을 도핑하여 소오스/드레인 영역(221, 222)을 형성한다. 상기 활성층 중 소오스/드레인 영역(221, 222) 사이의 영역은 TFT의 채널 영역으로 작용한다. After the gate electrode 231 is formed, source / drain regions 221 and 222 are formed by doping an impurity having a predetermined conductivity in the active layer 220 using the gate electrode 231 as a mask. A region between the source / drain regions 221 and 222 of the active layer serves as a channel region of the TFT.
상기 활성층(220)에 불순물을 도핑하여 소오스/드레인 영역(221, 222)을 형성한 후, 상기 절연 기판(200) 전면에 걸쳐 층간 절연막(240)을 형성하고, 패터닝하여 소오스 영역(221)과 드레인 영역(222)의 일부를 노출시키는 콘택홀(236, 237)을 형성한다. After the source / drain regions 221 and 222 are formed by doping impurities into the active layer 220, an interlayer insulating layer 240 is formed on the entire surface of the insulating substrate 200, and patterned to form a source / drain region 221. Contact holes 236 and 237 exposing a portion of the drain region 222 are formed.
그런 다음, 상기 절연 기판(200)의 전면에 소정의 도전막을 증착하고, 사진 식각하여 상기 소오스/드레인 영역(221, 222)과 콘택 홀(236, 237)을 통하여 전기적으로 연결되는 소오스/드레인 전극(251, 252)과 캐패시터 제 2 전극(255)을 형성한다. Then, a predetermined conductive film is deposited on the entire surface of the insulating substrate 200 and photo-etched so as to electrically connect the source / drain regions 221 and 222 to the source / drain electrodes through the contact holes 236 and 237. 251 and 252 and a capacitor second electrode 255 are formed.
상기 소오스/드레인 전극(251, 252)을 형성한 후, 상기 절연 기판(200) 전체에 CVD 방법을 이용하여 보호막의 역할을 하는 하부막인 무기막(271)을 형성한다. 이 때, 상기 무기막(271)은 하부 구조에 등각(conformal)하게 형성된다. 상기 무기막(271)으로는 SiNx, SiO2 등과 같은 물질을 증착하여 형성하는 것이 바람직하다. 또한, 상기 무기막(271)은 3000Å 이하의 두께로 형성하는 것이 바람직하다. After forming the source / drain electrodes 251 and 252, an inorganic layer 271, which is a lower layer serving as a protective layer, is formed on the entire insulating substrate 200 by a CVD method. In this case, the inorganic layer 271 is formed conformally to the lower structure. The inorganic layer 271 is preferably formed by depositing a material such as SiNx, SiO2, or the like. The inorganic film 271 is preferably formed to a thickness of 3000 kPa or less.
상기 무기막(271)을 형성한 후, 열처리를 실시한다. 상기 열처리는 TFT 제조 공정에서 발생하는 활성층의 손상과 상기 활성층에 도핑한 도펀트의 원할한 활성화(activation)를 위해 큐어링(curing)하여 TFT의 특성을 개선하기 위한 것이다. After the inorganic film 271 is formed, heat treatment is performed. The heat treatment is to improve the characteristics of the TFT by curing for damage to the active layer generated in the TFT manufacturing process and smooth activation of the dopant doped into the active layer.
상기 열처리 공정을 수행한 다음, 상기 무기막(271) 상에 요철부를 가진 상부막인 유기막(373)을 증착하며, 상기 유기막(273)으로는 아크릴(Acryl), PI(Polyimide), PA(Polyamide) 또는 BCB(Benzocyclobutene) 등과 같이 유동성이 있어 TFT의 굴곡을 완화시켜 평탄화시킬 수 있는 물질을 사용하는 것이 바람직하며, 유기막(273)으로 사용되는 물질 중 BCB은 다른 물질에 비하여 유전율이 낮으므로, 상대적으로 다른 유기 물질에 비하여 기생 캐패시턴스가 작아 좀 더 얇게 증착할 수 있다. After performing the heat treatment, an organic layer 373, which is an upper layer having uneven portions, is deposited on the inorganic layer 271, and the organic layer 273 includes acrylic, PI, and PA. (Polyamide) or BCB (Benzocyclobutene), etc., it is preferable to use a material that can be flattened by reducing the bending of the TFT, BCB of the material used as the organic film 273 has a lower dielectric constant than other materials Therefore, the parasitic capacitance is smaller than that of other organic materials, so that the deposition can be made thinner.
종래에는 유기막이 EL소자가 형성되는 제 2 영역뿐만 아니라 TFT가 형성되는 제 1 영역에도 형성되었으나, 본 발명에서는 상기 유기막(273)은 유기EL소자가 형성된 제2영역(202), 즉 개구부(285)에 대응하는 부분에만 요철부(265)를 갖도록 패터닝하며, 상기 요철부(265)는 라운딩된 구조를 갖는다.Conventionally, the organic film is formed not only in the second region in which the EL element is formed, but also in the first region in which the TFT is formed. In the present invention, the organic film 273 includes the second region 202 in which the organic EL element is formed, that is, the opening ( 285 is patterned to have only the uneven portion 265, and the uneven portion 265 has a rounded structure.
상기 유기막(273)을 형성한 후, 상기 무기막(271)에 드레인 전극(352)의 일부를 노출시키는 비어홀(261)을 형성한다. 상기 절연 기판(200)의 전면에 걸쳐 상기 유기막(273)의 상부에 ITO 또는 IZO와 같은 전도성 물질을 증착한 후, 사진 식각하여 비어홀(261)을 통해 드레인 전극(252)에 전기적으로 연결되는 하부전극인 화소전극(270)을 형성한다.After forming the organic layer 273, a via hole 261 exposing a portion of the drain electrode 352 is formed in the inorganic layer 271. After depositing a conductive material such as ITO or IZO on the organic layer 273 over the entire surface of the insulating substrate 200, the photo is etched and electrically connected to the drain electrode 252 through the via hole 261. A pixel electrode 270 that is a lower electrode is formed.
여기서, 도 2a 및 도 2b에 도시된 바와 같이, 상기 요철부를 가진 유기막(273)은 제 2 영역(202)의 발광영역에만 형성되며, 상기 화소전극(270)은 상기의 유기막(273)을 감싸도록 형성된다. 상기 화소전극(270)의 가장자리는 무기막(271)과 접촉하게 된다. 2A and 2B, the organic layer 273 having the uneven portion is formed only in the emission region of the second region 202, and the pixel electrode 270 is formed of the organic layer 273. It is formed to surround. An edge of the pixel electrode 270 is in contact with the inorganic layer 271.
그러므로, 상기 유기막(273)에 포함된 불순물이 외부로 방출되는 것을 차단하며, 상기 화소전극(270)의 가장자리가 무기막(271)과 접촉되므로 유기막(273)과의 접촉시 발생하는 가장자리의 접촉불량도 방지할 수 있다. Therefore, the impurity contained in the organic layer 273 is prevented from being discharged to the outside, and the edge of the pixel electrode 270 is in contact with the inorganic layer 271, so that the edge generated when the organic layer 273 is in contact with the organic layer 273. It can also prevent poor contact.
이후에는, 상기 화소전극(270)을 포함하는 기판전면에 화소분리막(PDL, 295)을 형성하고, 상기 화소분리막 중 상기 요철부를 갖는 화소전극(270)이 노출되도록 상기 화소분리막(295)에 개구부(285)를 형성한다. 상기 개구부(285)를 포함한 화소분리막(295)상에는 도면상에 도시하지 않았으나, 유기 발광층을 형성하고, 그 상부에는 캐소드 전극을 형성한다. Subsequently, a pixel separation layer (PDL) 295 is formed on the front surface of the substrate including the pixel electrode 270, and an opening is formed in the pixel separation layer 295 so that the pixel electrode 270 having the uneven portion of the pixel separation layer is exposed. (285). Although not shown in the drawing on the pixel isolation layer 295 including the opening 285, an organic light emitting layer is formed, and a cathode is formed thereon.
본 발명의 실시예에서는 유기막(270)의 요철부분이 라운딩된 구조에 대해서 설명하였으나 각이진 구조도 가능하며 발광효율을 향상시키기 위한 어떤 형태의 요철모양도 가능하다.In the exemplary embodiment of the present invention, the structure in which the uneven portion of the organic layer 270 is rounded has been described, but the angular structure is also possible, and any shape of the uneven shape for improving the luminous efficiency is possible.
또한, 본 발명에서는 무기막과 유기막의 이중막 구조인 경우를 설명하였으나 유기막(270)만 있는 단일막 구조인 경우도 동일하게 적용할 수 있다.In addition, the present invention has been described in the case of the double-layer structure of the inorganic film and the organic film, but the same applies to the case of a single film structure having only the organic film 270.
상기한 바와 같은 본 발명에 따르면, 유기발광소자의 하부전극인 화소전극이 하부에 형성된 요철부를 갖는 유기막을 감싸도록 형성하여 유기막에 포함된 불순물이 외부로 방출되는 것을 막아 유기발광소자의 수명이 단축되는 것을 방지할 수 있는 이점이 있다.According to the present invention as described above, the pixel electrode which is the lower electrode of the organic light emitting device is formed to surround the organic film having the uneven portion formed in the lower portion to prevent the impurities contained in the organic film is released to the outside to extend the life of the organic light emitting device. There is an advantage that can be prevented from being shortened.
또한, 화소전극의 가장자리가 무기막에 접촉되므로, 가장자리가 유기막과 접촉시 발생하는 접촉불량을 방지할 수 있는 이점이 있다.In addition, since the edge of the pixel electrode is in contact with the inorganic film, there is an advantage that the contact failure caused when the edge is in contact with the organic film.
상기에서는 본 발명의 바람직한 실시예를 참조하여 설명하였지만, 해당 기술분야의 숙련된 당업자는 하기의 특허 청구범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다. While the above has been described with reference to the preferred embodiments of the present invention, those skilled in the art will be able to variously modify and change the present invention without departing from the spirit and scope of the invention as set forth in the claims below. It will be appreciated.
도 1a은 종래의 유기전계 발광표시장치의 단면구조도,1A is a cross-sectional structure diagram of a conventional organic light emitting display device;
도 1b는 종래의 유기전계발광 표시장치의 요철부를 갖는 유기막과 화소전극의 일부분을 나타내는 확대사진도,1B is an enlarged photograph showing a portion of an organic film and a pixel electrode having an uneven portion of a conventional organic light emitting display device;
도 2a은 본 발명의 실시예에 따른 유기전계 발광표시장치의 단면구조도, 2A is a cross-sectional structure diagram of an organic light emitting display device according to an embodiment of the present invention;
도 2b는 본 발명의 실시예에 따른 유기전계발광 표시장치의 요철부를 갖는 유기막과 화소전극의 일부분을 나타내는 확대사진도,2B is an enlarged photograph showing a portion of an organic layer and a pixel electrode having an uneven portion of an organic light emitting display device according to an exemplary embodiment of the present invention;
*도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명** Description of the symbols for the main parts of the drawings
200 : 절연기판 210 : 버퍼층200: insulating substrate 210: buffer layer
230 : 게이트 절연막 221, 222 : 소오스/드레인 영역 230: gate insulating film 221, 222: source / drain regions
231 : 게이트 232 : 캐패시터 제 1 전극231: gate 232: capacitor first electrode
251, 252 : 소스/드레인 전극 261 : 비어홀251, 252: source / drain electrodes 261: via holes
265 : 요철부 270 : 화소전극265: uneven portion 270: pixel electrode
271 : 무기막 273 : 유기막271: inorganic film 273: organic film
Claims (8)
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020040005156A KR100635062B1 (en) | 2004-01-27 | 2004-01-27 | Organic Electro Luminescence Display device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020040005156A KR100635062B1 (en) | 2004-01-27 | 2004-01-27 | Organic Electro Luminescence Display device |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20050077204A true KR20050077204A (en) | 2005-08-01 |
| KR100635062B1 KR100635062B1 (en) | 2006-10-16 |
Family
ID=37264769
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020040005156A KR100635062B1 (en) | 2004-01-27 | 2004-01-27 | Organic Electro Luminescence Display device |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR100635062B1 (en) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100744634B1 (en) * | 2005-11-30 | 2007-08-01 | (재)대구경북과학기술연구원 | Organic light-emitting display apparatus and surface light source apparatus |
| US8466459B2 (en) | 2010-01-19 | 2013-06-18 | Samsung Display Co., Ltd. | Organic light emitting display device and method of manufacturing the same |
| KR20160116159A (en) * | 2015-03-26 | 2016-10-07 | 삼성디스플레이 주식회사 | Organic light emitting display apparatus and manufacturing method thereof |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101822012B1 (en) | 2010-12-07 | 2018-01-26 | 삼성디스플레이 주식회사 | Organic light emitting display device and method for manufacturing the same |
| KR102151754B1 (en) | 2013-11-20 | 2020-09-04 | 삼성디스플레이 주식회사 | Organic light emitting display apparatus and method for manufacturing the same |
-
2004
- 2004-01-27 KR KR1020040005156A patent/KR100635062B1/en active IP Right Grant
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100744634B1 (en) * | 2005-11-30 | 2007-08-01 | (재)대구경북과학기술연구원 | Organic light-emitting display apparatus and surface light source apparatus |
| US8466459B2 (en) | 2010-01-19 | 2013-06-18 | Samsung Display Co., Ltd. | Organic light emitting display device and method of manufacturing the same |
| KR20160116159A (en) * | 2015-03-26 | 2016-10-07 | 삼성디스플레이 주식회사 | Organic light emitting display apparatus and manufacturing method thereof |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR100635062B1 (en) | 2006-10-16 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN108054192B (en) | Flexible AMOLED substrate and manufacturing method thereof | |
| CN100595943C (en) | Top-emission organic light-emitting display device and method of fabricating the same | |
| WO2018107524A1 (en) | Tft backplane and method for manufacturing same | |
| KR100579182B1 (en) | Methode of fabricating OELDOrganic Electro Luminescence Display | |
| US20070257253A1 (en) | Organic light emitting display device and method of fabricating the same | |
| WO2015096375A1 (en) | Double-sided display oled array substrate and manufacturing method thereof and display device | |
| CN101043047A (en) | Display apparatus and method of manufacturing thereof | |
| JP2005222068A (en) | Organic electric field light-emitting display device and the method of fabrication thereof | |
| KR100731753B1 (en) | Both-sides emitting organic electroluminescence display device and fabricating Method of the same | |
| WO2015123915A1 (en) | Active matrix organic light-emitting diode array substrate, manufacturing method and display device | |
| US20170186879A1 (en) | Thin Film Transistor, Array Substrate and Manufacturing Processes of Them | |
| US20170352711A1 (en) | Manufacturing method of tft backplane and tft backplane | |
| KR100752378B1 (en) | Organic electroluminescence device and Method for fabricating the same | |
| KR100635062B1 (en) | Organic Electro Luminescence Display device | |
| KR100796592B1 (en) | Thin film transistor and method for fabricating the same | |
| KR100611155B1 (en) | Organic Electro Luminescence Display and method of fabricating the same | |
| CN101388402B (en) | Organic light emitting display and method of manufacturing the same | |
| WO2019165824A1 (en) | Thin film transistor and manufacturing method therefor, array substrate, and electronic device | |
| US10347666B2 (en) | Method for fabricating a TFT backplane and TFT backplane | |
| WO2020037850A1 (en) | Array substrate and manufacturing method therefor, and display panel | |
| KR20080109384A (en) | Organic light emitting display and method for manufacturing the same | |
| KR20140083150A (en) | Organic electro luminescent device and method of fabricating the same | |
| KR100531292B1 (en) | method for fabricating of organic electroluminescence display panel | |
| CN104538433A (en) | Active-matrix organic light emission display substrate and manufacturing method thereof | |
| KR100579196B1 (en) | Organic electroluminescence device and method fabricating thereof |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A201 | Request for examination | ||
| E902 | Notification of reason for refusal | ||
| E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
| GRNT | Written decision to grant | ||
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20120928 Year of fee payment: 7 |
|
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20130930 Year of fee payment: 8 |
|
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20141001 Year of fee payment: 9 |
|
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20170928 Year of fee payment: 12 |
|
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20181001 Year of fee payment: 13 |
|
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20191001 Year of fee payment: 14 |