KR100752378B1 - Organic electroluminescence device and Method for fabricating the same - Google Patents

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KR100752378B1 KR20050097163A KR20050097163A KR100752378B1 KR 100752378 B1 KR100752378 B1 KR 100752378B1 KR 20050097163 A KR20050097163 A KR 20050097163A KR 20050097163 A KR20050097163 A KR 20050097163A KR 100752378 B1 KR100752378 B1 KR 100752378B1
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김은아
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Abstract

본 발명은 유기 전계 발광 장치에 사용자가 보는 각도와 비슷한 각도로 외광이 입사되는 경우, 반사광에 의해 콘트라스트 비가 현격하게 낮아지는 문제점을 해결하기 위해 반사막을 적어도 15도 이상의 테이퍼 각을 갖는 테이퍼 에지면을 형성하여 반사광을 산란시켜 상기의 문제를 해결하는 유기 전계 발광 장치 및 그 제조 방법에 관한 것이다. The present invention is a tapered edge surface with a case where the user and the external light incident at a similar angle as the viewing angle, taper at least 15 degrees or more of the reflective film in order to solve the problem that the contrast ratio is significantly reduced by the reflected light, each organic electroluminescent device formed is by scattering the light reflected on the organic electroluminescence device and a manufacturing method for solving the above problems.
외광, 반사광, 콘트라스트 비 External light, the reflected light, the contrast ratio

Description

유기 전계 발광 장치 및 그 제조 방법{Organic electroluminescence device and Method for fabricating the same} The organic light emitting device and a method of manufacturing {Organic electroluminescence device and Method for fabricating the same}

도 1은 종래의 유기 전계 발광 장치의 문제점을 설명하기 위한 모식도이다. 1 is a schematic diagram for explaining the problems of the conventional organic light emitting device.

도 2는 본 발명의 일실시 예에 따른 유기 전계 발광 장치의 외부광을 난반사시키는 원리를 설명한 단면도이다. 2 is a cross-sectional view for explaining the principle of diffuse reflection of external light of an OLED device according to an embodiment of the present invention.

도 3은 본 발명의 일실 시예에 따른 유기 전계 발광 장치를 제조하는 공정의 단면도이다. Figure 3 is a cross-sectional view of a process for producing an organic electroluminescent device according to the LOST exemplary embodiment of the present invention.

<도면의 주요부분에 대한 부호의 설명> <Description of the Related Art>

310 : 반도체층 315 : 게이트 절연막 310: semiconductor layer 315: a gate insulating film

320 : 게이트 전극 325 : 층간절연막 320: gate electrode 325: the interlayer insulating film

335 : 소오스/드레인 전극 340 : 소오스/드레인 전극 패턴 335: source / drain electrode 340: source / drain electrode pattern

342 : 테이퍼 각 344 : 테이퍼 에지면 342: taper angle 344: tapered edge surface

350 : 반사막 360 : 제1전극 350: reflective layer 360: first electrode

370 : 유기막층 375 : 제2전극 370: organic layer 375: second electrode

본 발명은 유기 전계 발광 장치 및 그 제조 방법에 대한 것으로 더욱 자세하게는 외광 입사 및 이로 인한 반사광에 의해 유기 전계 발광 장치의 콘트라스트 비가 감소하는 것을 방지하기 위해 적어도 15도 이상의 테이퍼 각을 갖는 테이퍼 에지면을 포함하는 반사막을 형성하여 반사광을 산란시켜 표시 능력을 향상시킨 유기 전계 발광 장치 및 그 제조 방법에 관한 것이다. The present invention is a tapered edge surface having a more particularly, the external light is incident and which at least 15 degrees more than the taper angle for by the reflected light to prevent a reduction ratio of contrast of the organic light-emitting device due to for an organic electroluminescence device and a method of manufacturing the same to form a reflective film including organic light was scattered by the reflected light improves the display capacity light emitting device and to a method of manufacturing the same.

최근에 음극선관(cathode ray tube)과 같이 무겁고, 크기가 크다는 종래의 표시 소자의 단점을 해결하는 액정 표시 장치(liquid crystal display device), 유기 전계 발광 장치(organic electroluminescence device) 또는 PDP(plasma display plane) 등과 같은 평판형 표시 장치(flat panel display device)가 주목 받고 있다. Recently, CRT (cathode ray tube) and, as a heavy, liquid crystal display device (liquid crystal display device), an organic electroluminescence device (organic electroluminescence device) or a PDP (plasma display plane to size solve the disadvantages of the large conventional display device ) the plate-like display device (flat panel display device), such as the has received attention.

이때, 상기 액정 표시 장치는 자체 발광 소자가 아니라 수광 소자이기 때문에 밝기, 콘트라스트, 시야각 및 대면적화 등에 한계가 있고, 상기 PDP는 자체 발광 소자이기는 하지만, 다른 평판형 표시 장치에 비해 무게가 무겁고, 소비 전력이 높을 뿐만 아니라 제조 방법이 복잡하다는 문제점이 있는 반면, 상기 유기 전계 발광 장치는 자체 발광 소자이기 때문에 시야각, 콘트라스트 등이 우수하고, 백라이트가 필요하지 않기 때문에 경량박형이 가능하고, 소비 전력 측면에서도 유리하다. In this case, the liquid crystal display device includes a brightness because the light-receiving element as a self light emitting device, the contrast, the limits and the like field of view and large area, the PDP is to win the light emitting device itself, but a weight heavier than the other flat plate type display device, the consumption whereas only high power, but there is a problem that production process is complex, the organic light emitting device is a self light emitting element is due to the viewing angle, contrast, etc. is excellent, since no backlight is needed lightweight, thin is possible, and power consumption side in It is advantageous.

그리고, 직류 저전압 구동이 가능하고 응답속도가 빠르며 전부 고체이기 때 문에 외부 충격에 강하고 사용 온도 범위도 넓을 뿐만 아니라 제조 방법이 단순하고 저렴하다는 장점을 가지고 있다.. And, a direct current low voltage driving is possible, and has the advantage of a strong temperature to external impact to the door when it is a response speed faster all solid even wider range, as well as that the method is simple and inexpensive.

도 1은 종래의 유기 전계 발광 장치의 문제점을 설명하기 위한 모식도이다. 1 is a schematic diagram for explaining the problems of the conventional organic light emitting device.

도 1을 참조하여 설명하면, 유기 전계 발광 장치(100)와 같은 표시 장치를 이용하는 사용자(110)는, 일반적으로 상기 유기 전계 발광 장치(100)의 평면의 수직에 대해 소정의 각도 이내에서 유기 전계 발광 장치(100)의 화면를 보게 된다. Referring to FIG 1, a user 110 using a display device such as an organic light emitting device 100 is, in general organic light within a predetermined angle relative to the plane normal of the organic light emitting device 100 hwamyeonreul sees the light-emitting device 100.

이때, 도 1에는 사용자(110)가 유기 전계 발광 장치(100)의 화면에 수직하는 방향(120)에서 보고 있는 것을 도시하였다. At this time, 1 has been shown that the user 110 is looking at the direction 120 perpendicular to the screen of the organic light emitting device 100. The 그리고, 상기 사용자(110)가 보는 소정 각도는 상기 수직하는 방향(120)에서 위쪽(130a)으로 15도, 아래쪽(130b)으로 15도 범위 이내이다. Then, the predetermined angle by the user 110 to see is the vertical within the range of 15 degrees upward (130a) by 15 °, the bottom (130b) in the direction (120).

이때, 외부광(140)(태양광이나 형광등 등과 같이 외부에서 발생하여 유기 전계 발광 장치(100)에 입사되는 빛)이 상기의 소정 각도(즉, 상기 유기 전계 발광 장치(100)의 평면에 수직에서 위쪽(130a)과 아래쪽(130b)의 각각 15도씩 30도) 이내로 입사하게 되면 반사되어 반사광으로 동일한 각으로 반사됨으로 사용자(110)가 반사광을 보게 된다. At this point, perpendicular to the plane of the external light 140 (generated from the outside, such as sunlight or fluorescent light that is incident to the organic light emitting device 100) (that is the predetermined angle described above, the organic light emitting device 100 If in the top (130a) and made incident within 15 degrees to 30 degrees), respectively, at the bottom (130b) is reflected at the same angle as the reflection light reflected doemeuro user 110 will see the reflected light.

이로 인해, 상기 사용자(110)는 상기 유기 전계 발광 장치(100)에서 생성되는 빛뿐만 아니라 외부광의 반사광까지 눈으로 보게 되고, 이로 인해 상기 유기 전계 발광 장치(100)에서 발생하는 빛의 콘트라스트 비는 현격하게 낮아지게 된다. Accordingly, the user 110 contrast ratio of the light as well as light generated in the organic light emitting device 100 and seeing the eyes to reflected light of external light, thereby generating from the organic light emitting device 100 is It becomes significantly lower.

즉, 종래의 유기 전계 발광 장치(100)는 사용자(110)가 일반적으로 유기 전계 발광 장치(100)의 화면을 보는 각도(위쪽(130a)과 아래쪽(130b)의 각각 15도씩 30도)로 외부광이 입사하는 경우, 상기 외부광의 반사하여 발생하는 반사광 역시 상기 30도 이내에서 진행하게 된다. That is, in conventional organic light emitting device 100 includes a user 110 has generally (15 degrees to 30 degrees, each of the top (130a) and bottom (130b)), an organic light emitting device the viewing angle the screen 100 outside when the light enters, the reflection light caused by the reflection of external light is also conducted within the Figure 30. 결과적으로 사용자(110)는 상기 유기 전계 발광 장치(100)에서 발생하는 빛과 반사광을 동시에 보게 됨으로써, 유기 전계 발광 장치(100)의 콘트라스트 비가 감소한 것처럼 보이게 되는 단점이 있다. As a result, the user 110 by being brought to light, and reflection light generated in the organic light emitting device 100 at the same time, there is a disadvantage that look like the contrast ratio of the OLED device 100 down.

따라서, 본 발명은 상기와 같은 종래 기술의 제반 단점과 문제점을 해결하기 위한 것으로, 15도 이상의 테이퍼 각을 갖는 테이퍼 에지면을 포함하는 반사막을 형성하여 반사광을 산란시켜 표시 능력을 향상시킨 유기 전계 표시 장치 및 그 제조 방법을 제공함에 본 발명의 목적이 있다. Accordingly, the present invention displays organic light was intended to solve various shortcomings and problems of the prior art, to form a reflective film including a tapered edge surface 15 degrees or more with a taper angle by scattering the reflected light improves the display capability, such as the the purpose of the present invention to provide an apparatus and a method of manufacturing the same.

본 발명의 상기 목적은 복수 개의 단위 화소로 이루어진 화소 영역을 포함하는 기판; The object of the present invention to provide a substrate including a pixel region including a plurality of unit pixels; 상기 단위 화소 상에 위치하고, 하기의 수학식을 만족하는 테이퍼 각을 갖는 테이퍼 에지면을 적어도 하나 이상 포함하는 반사막; A reflective film of a tapered edge surface having a taper angle which is located on the unit pixel, satisfies the equations to include at least one; 및 상기 반사막 상에 위치하고, 제1전극, 적어도 유기발광층을 포함하는 유기막층 및 제2전극로 이루어진 유기 전계 발광 장치에 의해 달성된다. And located on said reflective film, a first electrode, are achieved by an organic light emitting device comprising an organic layer and a second electrode comprising at least an organic emission layer.

이때, 상기 수학식은 제1각도(a)>1/2(제2각도(b)+제3각도(c))이다. At this time a, the equation first angle (a)> 1/2 (the second angle (b) + the third angle (c)).

또한, 본 발명의 상기 목적은 기판을 준비하는 단계; Further, the object of the present invention includes the steps of: preparing a substrate; 상기 기판상에 반도체층, 게이트 절연막, 게이트 전극, 층간절연막 및 소오스/드레인 전극을 형성하되, 상기 반도체층, 게이트 전극 또는 소오스/드레인 전극 중 어느 하나를 형성할 때, 상기 기판의 화소 영역 상에 테이퍼 각이 하기의 수학식을 만족하는 반도체층 패턴, 게이트 전극 패턴 또는 소오스/드레인 전극 중 어느 하나 이상을 형성하는 단계; When forming a semiconductor layer on the substrate, a gate insulating film, a gate electrode, an interlayer insulating film and, but form a source / drain electrode, the semiconductor layer, a gate electrode or any one of the source / drain electrodes, on the pixel region of the substrate forming a taper angle of the semiconductor layer pattern which satisfies the equation below, the gate electrode pattern, or any one or more of the source / drain electrodes; 상기 기판상에 평탄화층을 형성하는 단계; Forming a planarization layer on the substrate; 상기 평탄화층상에 반사막을 형성하는 단계; Forming a reflective film on the planarization layer; 및 상기 반사막상에 제1전극, 적어도 유기 발광층을 포함하는 유기막층 및 제2전극을 형성하는 단계로 이루어진 유기 전계 발광 장치에 의해서도 달성된다. And it is achieved by an organic light emitting device comprising forming a first electrode, at least an organic layer and a second electrode including an organic light-emitting layer to the reflective film.

이때, 상기 수학식은 제1각도(a)>1/2(제2각도(b)+제3각도(c))이다. At this time a, the equation first angle (a)> 1/2 (the second angle (b) + the third angle (c)).

본 발명의 상기 목적과 기술적 구성 및 그에 따른 작용효과에 관한 자세한 사항은 본 발명의 바람직한 실시예를 도시하고 있는 도면을 참조한 이하 상세한 설명에 의해 보다 명확하게 이해될 것이다. For details on the purpose, technical configuration, and operational effects thereof according to the present invention it will be clearly understood by the following detailed description with reference to the drawing illustrating a preferred embodiment of the present invention. 또한 도면들에 있어서, 층 및 영역의 길이, 두께등은 편의를 위하여 과장되어 표현될 수도 있다. Further, in the drawings, the length of the layer and the area, thickness and the like may be exaggerated for convenience. 명세서 전체에 걸쳐서 동일한 참조번호들은 동일한 구성요소들을 나타낸다. The same reference numerals throughout the specification denote like elements.

도 2는 본 발명의 일실시 예에 따른 유기 전계 발광 장치의 외부광을 난반사시키는 원리를 설명한 단면도이다. 2 is a cross-sectional view for explaining the principle of diffuse reflection of external light of an OLED device according to an embodiment of the present invention.

도 2를 참조하여 설명하면, 유기 전계 발광 장치(200)의 단위 화소의 화소 영역상의 반사막(210)이 제1각도(a)를 갖는 테이퍼 에지면(215)을 포함하도록 형성되어 있다. Referring to FIG. 2, and is formed to include a tapered edge surface 215, a reflective film 210 on the pixel region of a unit pixel having a first angle (a) of the organic electroluminescent device 200.

상기 제1각도(a)를 갖는 테이퍼 에지면(215)을 포함하는 반사막(210)이 형성된 유기 전계 발광 장치(200)를 사용자(220)가 상기 유기 전계 발광 장치(200)의 주평면에 대해 수직하는 방향(230)에 대해 위쪽으로 또는 아래쪽으로 각각 제2각도 이내에서 상기 유기 전계 발광 장치(200)을 본다고 가정한다. Relative to the main plane of said first angle (a) a tapered edge surface a 215, the organic light emitting device 200, a reflective film 210 is formed that includes the user 220, the organic electroluminescent device 200 having a in each within a second angle up or down with respect to the vertical direction 230 and suppose that the organic electroluminescent device 200. 이때, 상기 도 2에서는 아래쪽으로 보는 제2각도(b)만을 도시하였다. At this time, according to FIG. 2, it is shown only the second angle (b) looking downward.

그리고 외부광(230)이 상기 주평면에 대해 수직하는 방향(230)에서 상기 사용자(220)가 보는 각도인 제2각도(b) 보다 작은 각도인 제3각도(c)로 입사되고, 입사된 외부광(230)은 상기 주평면에 대해 수직하는 방향에서 제4각도(d)로 반사광(235)이 진행한다. And the external light 230 is incident in the direction 230, the user of the third angle (c) an angle smaller than the angle of a second angle (b) (220) is shown in the vertical relative to the main plane, the incident external light 230 is a reflected light 235 advances to the fourth angle (d) in a direction perpendicular to said main plane.

이때, 상기 반사광(235)의 반사 각도인 제4각도(d)는 '2×제1각도(a)-제3각도(c)'로 계산될 수 있다. At this time, the fourth angle (d) the reflection angle of the reflected light 235 is '2 × first angle (a) - a third angle (c)' can be calculated as. 이때, 상기 반사광(235)의 반사 각도인 제4각도(d)는 최소한 사용자(220)가 보는 각도인 제2각도(b) 보다는 커야함으로, 아래와 같은 [수학식 1]을 만족해야 한다. At this time, the reflection angle of a fourth angle of the reflected light (235) (d) is greater than at least by the user 220, the viewing angle in a second angle (b), must satisfy the Equation 1 as below.

2×제1각도(a)-제3각도(c)>제2각도(b) 2 × the first angle (a) - a third angle (c)> a second angle (b)

그리고, 상기 [수학식 1]을 상기 테이퍼 에지면(215)의 제1각도(a)에 대한 수식으로 정리하면 아래와 같은 [수학식 2]로 정리될 수 있다. Then, when the clean up the Equation 1 by a formula for the first angle (a) of the tapered edge surface 215 may be organized in Equation (2) below.

제1각도(a)>1/2(제2각도(b)+제3각도(c)) A first angle (a)> 1/2 (the second angle (b) + the third angle (c))

따라서, 본 발명의 테이퍼 에지면(215)과 유기 전계 발광 장치의 주평면이 이루는 각도는 제2각도(b)와 제3각도(c)의 이분의 일보다는 큰 각도로 형성되어져야 반사광에 의한 유기 전계 발광 장치의 콘트라스트 비가 감소하는 것과 같은 문제점이 발생하지 않는 것을 알 수 있다. Thus, the angle between the main plane of the tapered edge surface 215 and the organic light emitting device of the present invention forms is be formed in a greater angle than a half of the second angle (b) and the third angle (c) of the reflected light it can be seen that a problem such as a reduction in contrast ratio of the organic light emitting device does not occur.

이때, 사용자(220)가 보는 각도인 제2각도(b)을 15도로 가정한다면, 입사되는 외부광(230) 중 제3각도(c)가 15도 보다 작은 것에 콘트라스트 비가 감소하는 등의 문제을 일으키게 된다. In this case, the user causes munjeeul, such as 220 to see if the angle of a second angle (b) assumes 15 degrees, the third angle (c) of the incident external light 230 decreases the contrast ratio being less than 15 ° do.

따라서, 상기 [수학식 2]에 상기의 제2각도(b) 및 제3각도(c)의 각도를 입력하고 계산하면, 제1각도(a), 즉, 테이퍼진 에지면(215)의 테이퍼 각도는 15도 이상이 되어야 하는 것을 알 수 있다. Thus, the taper of the Equation (2) to the second angle (b) and the third angle (c), if the input angle, and calculates a first angle (a), that is, the tapered edge surface 215 angle may be seen that more than 15 degrees.

도 3은 본 발명의 일실 시예에 따른 유기 전계 발광 장치를 제조하는 공정의 단면도이다. Figure 3 is a cross-sectional view of a process for producing an organic electroluminescent device according to the LOST exemplary embodiment of the present invention.

도 3을 참조하여 설명하면, 유리 또는 플라스틱과 같은 투명한 절연 기판(300)상에 버퍼층(305)을 형성하고, 상기 버퍼층상에 비정질 실리콘층을 형성한 후, 상기 비정질 실리콘층을 결정화하여 다결정 또는 단결정 실리콘층을 형성하고, 패터닝하여 반도체층(310)을 형성한다. Referring to Figure 3, after forming the buffer layer 305 on a transparent insulating substrate 300 such as glass or plastic, and forming an amorphous silicon layer on the buffer layer, and crystallizing the amorphous silicon layer polycrystalline or to form a single crystal silicon layer, and patterned to form the semiconductor layer 310.

이때 상기 버퍼층(305)은 하부 기판에서 발생하는 수분 또는 불순물의 확산을 방지하거나, 결정화시 열의 전달의 속도를 조절함으로서, 반도체층(310)의 결정화가 잘 이루어질 수 있도록 하는 역할을 한다. At this time, and it serves to buffer layer 305 by preventing diffusion of moisture or impurities generated from the lower substrate, or adjust the rate of transfer of heat during crystallization, so that the crystallization of the semiconductor layer 310 can be made well.

이때 상기 비정질 실리콘은 화학적 기상 증착법(Chemical Vapor Deposition) 또는 물리적 기상 증착법(Physical Vapor Deposition)을 이용할 수 있다. In this case, the amorphous silicon may be used a chemical vapor deposition method (Chemical Vapor Deposition) or a physical vapor deposition method (Physical Vapor Deposition). 또한 상기 비정질 실리콘을 형성할 때 또는 형성한 후에 탈수소처리하여 수소의 농도를 낮추는 공정을 진행할 수 있다. It can also proceed with the process to lower the concentration of hydrogen in the dehydrogenation process or after the formation time of forming the amorphous silicon. 상기 결정화법은 RTA(Rapid Thermal Annealing) 공정, SPC법(Solid Phase Crystallization), MIC법(Metal Induced Crystallization), MILC법(Metal Induced Lateral Crystallization), SGS법(Super Grain Silicon), ELA법(Excimer Laser Crystallization) 또는 SLS법(Sequential Lateral Solidification) 중 어느 하나 이상을 이용할 수 있다. The crystallization method is RTA (Rapid Thermal Annealing) process, SPC method (Solid Phase Crystallization), MIC method (Metal Induced Crystallization), MILC method (Metal Induced Lateral Crystallization), SGS method (Super Grain Silicon), ELA method (Excimer Laser at least one of Crystallization) method or SLS (Sequential Lateral solidification) may be used.

이어서, 상기 반도체층(310)이 형성된 기판 전면에 게이트 절연막(315)을 형성하고, 상기 게이트 절연막(315) 상에 게이트 전극 형성 물질을 형성한 후, 패터닝하여 게이트 전극(320)을 형성한다. Then, after forming the gate insulating film 315 on the substrate surface is formed, the semiconductor layer 310 to form a gate electrode forming material on the gate insulating film 315 and then patterned to form the gate electrode 320. 상기 게이트 전극(320)을 형성한 후, 상기 게이트 전극(320)을 마스크로 이용하여 불순물 이온 주입 공정을 진행하여 상기 반도체층(320)에 소오스/드레인 및 채널 영역을 정의하는 공정을 진행할 수 있다. After forming the gate electrode 320, it is possible by using the gate electrode 320 as a mask, going to impurity ion implantation process proceed to the step of defining a source / drain and channel regions in the semiconductor layer 320 .

이어서, 상기 기판 전면에 층간절연막(325)을 형성하는데, 상기 층간절연막(325)은 하부에 형성된 소자들을 보호하는 역할 또는 전기적 절연을 위해 형성된다. Then, to form the interlayer insulating film 325 on the front substrate, the interlayer insulating film 325 is formed to act or electrical insulation to protect the devices formed on the lower portion. 이때, 상기 버퍼층(305), 게이트 절연막(315) 및 층간절연막(325)은 실리콘 산화막 또는 실리콘 질화막과 같은 산화막 또는 질화막을 이용하여 형성한다. In this case, the buffer layer 305, gate insulating film 315 and the interlayer insulating film 325 is formed using an oxide film or a nitride film such as silicon oxide film or a silicon nitride film.

이어서, 상기 층간절연막(325)이 형성된 기판상에 상기 반도체층(310)(에 형성된 소오스/드레인 영역이 노출되도록 콘택홀(330)을 형성하고, 기판 전면에 소오스/드레인 전극 물질을 증착한 후, 패터닝하여 소오스/드레인 전극(335)을 형성한 다. Next, after the substrate wherein the interlayer insulating film 325 is formed to form a contact hole 330 to expose the source / drain regions formed in the semiconductor layer (310, depositing a source / drain electrode material over the entire surface of the substrate , and is patterned to form a source / drain electrode 335.

이때, 상기 소오스/드레인 전극 물질을 패터닝하여 소오스/드레인 전극(335)을 형성할 때, 화소 영역(P) 상의 층간절연막(325)상에 소오스/드레인 전극 패턴(340)을 형성한다. In this case, an interlayer insulating film a source / drain electrode pattern 340 on the (325) on a time by patterning the source / drain electrode material to form the source / drain electrodes 335, the pixel regions (P).

이때, 상기 소오스/드레인 전극 패턴(340)은 상기 층간절연막(325)의 평면을 기준으로 상기 도 2에서 상술한 [수학식 2]의 공식을 따를 테이퍼 각(342)을 갖는 테이퍼 에지면(344)을 포함하도록 형성된다. At this time, the source / drain electrode pattern 340 has a tapered edge surface (344, having a respective (342) tapered to follow the formula of Equation (2) described above in connection with FIG. 2 relative to the plane of the interlayer insulating film 325, ) it is formed to include.

또한, 도 3에서 도시하지 않았지만, 상기 반도체층(310) 또는 게이트 전극(320)을 형성할 때, 상기 소오스/드레인 전극 패턴(340)과 동일한 방법으로 버퍼층(305) 및 게이트 절연막(315) 상에 각각 반도체층 패턴 또는 게이트 전극 패턴을 형성할 수 있다. Further, FIG. Although not shown in 3, the semiconductor layer 310 or to form the gate electrode 320, a buffer layer in the same manner as in the source / drain electrode pattern 340, 305 and the gate insulating film 315 each can form a semiconductor layer pattern or gate electrode pattern.

이어서, 상기 기판 전면에 걸쳐 평탄화층(345)을 형성한다. Then, the forming the planarization layer 345 over the substrate.

이어서, 상기 화소 영역(P) 상에 반사막(350)을 형성한다. Then, to form a reflective film 350 on the pixel regions (P).

이때, 상기 평탄화층(345)은 하부의 소오스/드레인 전극 패턴(340)의 모폴로지를 따라 형성되고, 상기 평탄화층(345)상에 형성된 반사막(350)도 마찬가지이다. In this case, the planarization layer 345 is formed according to the morphology of the underlying source / drain electrode pattern 340, a reflection film 350 is formed on the planarization layer 345. The same is true. 따라서, 상기 평탄화층(345)상에 형성된 반사막(350)은 상기 [수학식 2]을 따르는 테이퍼 각을 갖게 된다. Thus, the reflection film 350 is formed on the planarization layer 345 comes to have a taper angle according to the above Equation (2).

이어서, 상기 평탄화층(345)의 일부를 식각하여 상기 소오스/드레인 전극(335)의 일부를 노출시키는 비아홀(355)을 형성한다. Then, to form a via hole 355 for etching a portion of the planarization layer 345 to expose a part of the source / drain electrodes 335.

이어서, 상기 기판 전면에 걸쳐 ITO(Indium-Tin Oxide) 또는 IZO(Indium Zinc Oxide)와 같은 투명한 전도체를 증착한 후, 이를 패터닝하여 제1전극(360)을 형성한다. Then, a first electrode 360 ​​and then depositing a transparent conductor such as ITO (Indium-Tin Oxide) or IZO (Indium Zinc Oxide), and patterning it over the substrate.

이어서, 상기 제1전극(360)의 소정 영역을 노출시키는 화소정의막(365)을 상기 제1전극(360)이 형성된 기판상에 형성한다. Then, a pixel defining layer 365 exposing a predetermined region of the first electrode 360 ​​on a substrate is formed, the first electrode (360).

이어서, 상기 제1전극(360) 상에 적어도 유기발광층을 포함하는 유기막층(370)을 형성한다. Then, to form an organic layer 370 including at least an organic emission layer on the first electrode (360). 이때, 상기 유기막층은 정공주입층, 정공수송층, 전자수송층 및 전자주입층을 더 포함하는 것이 바람직하다. At this time, the organic layer preferably further includes a hole injection layer, a hole transport layer, an electron transport layer and an electron injection layer.

이어서, 상기 유기막층(370) 상에 제2전극(375)을 형성한다. Then, a second electrode 375 on the organic layer 370.

따라서, 본 발명의 실시 예에 따라 제조된 유기 전계 발광 장치는 반도체층, 게이트 전극 및 소오소/드레인 전극을 포함하는 박막트랜지스터를 형성할 때, 즉, 상기 반도체층, 게이트 전극 및/또는 소오스/드레인 전극의 형성 물질을 패터닝할 때, 화소 영역 상에 반도체층 패턴, 게이트 전극 패턴 및/또는 소오스/드레인 전극 패턴을 형성하되, 상기 [수학식 2]의 수학식을 만족하는 테이퍼 각을 각는 패턴들을 형성한다. Accordingly, the organic light emitting device prepared according to an embodiment of the present invention includes a semiconductor layer, a gate electrode and a predetermined time of forming a thin film transistor including the ortho / drain electrodes, that is, the semiconductor layer, the gate electrode and / or the source / when patterning the formed material of the drain electrode, but the semiconductor layer pattern on the pixel region, a gate electrode pattern and / or source / drain electrode pattern, the equation (2) gakneun pattern a taper angle satisfying the equation to form. 또한, 상기 패턴들 상부에 위치하는 반사막이 하부의 패턴들의 모폴로지의 영향을 받아 상기 [수학식 2]의 수학식을 만족하는 테이퍼 각을 갖는 테이퍼 에지면을 포함하는 반사막을 형성하고, 이로 인해 도 2에서 상술한 바와 같은 원리로 외부광을 산란시켜 사용자에게 반사광이 영향을 미치지 못하도록 함으로써, 외부광에 노출된 유기 전계 발광 장치의 콘트라스트 비가 감소하지 않게 된다. In addition, the reflective film which is located in the pattern of the upper receiving the morphology effects of of the lower pattern to form a reflective film including a tapered edge surface having a taper angle satisfying the equation of the Equation (2), also because of this by scattering the external light on the same principle as described above in 2 is not the reflected light to the user by preventing effect, it does not decrease the contrast of the organic light emitting device exposed to external light rain.

본 발명은 이상에서 살펴본 바와 같이 바람직한 실시예를 들어 도시하고 설명하였으나, 상기한 실시 예에 한정되지 아니하며 본 발명의 정신을 벗어나지 않는 범위 내에서 당해 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 다양한 변경과 수정이 가능할 것이다. A person present invention with a preferred embodiment example of skill in the belonging to this but shown and described, the art at without departing from the spirit of the invention shall not be limited to the above-described embodiment the range invention art As described above various changes and modifications will be possible by.

따라서, 본 발명의 유기 전계 발광 장치 및 그 제조 방법은 15도 이상의 테이퍼 각을 갖는 테이퍼 에지면을 포함하는 반사막을 형성하여 입사되는 외부광에 의한 반사광을 산란시켜 표시 능력을 향상시킨 유기 전계 발광 장치를 제공할 수 있는 효과가 있다. Therefore, the organic electroluminescence device of the present invention and its manufacturing method is 15 degrees or more tapered tapered edge surface to form a reflective film which is incident to the scattering the reflected light by the outside light improves the display capacity is an organic light emitting device including having each there is an effect that can be provided.

Claims (8)

  1. 복수 개의 단위 화소로 이루어진 화소 영역을 포함하는 기판; A substrate including a pixel region including a plurality of unit pixels;
    상기 단위 화소 상에 위치하고, 하기의 수학식을 만족하는 테이퍼 각을 갖는 테이퍼 에지면을 1 또는 다수개 포함하는 반사막; Reflective films comprising the unit located on the pixel, to a tapered edge surface 1 or a plurality of having a taper angle satisfying the equation; And
    상기 반사막 상에 위치하고, 제1전극, 유기발광층을 포함하는 유기막층 및 제2전극 Located on the reflective layer, a first electrode, an organic layer and a second electrode including an organic emission layer
    을 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 장치. An organic electroluminescence device comprising a.
    [수학식] 제1각도(a)>1/2(제2각도(b)+제3각도(c)) [Equation] first angle (a)> 1/2 (the second angle (b) + the third angle (c))
    (이때, 상기 제1각도(a)는 테이퍼 에지면의 테이퍼각, 제2각도(b)는 사용자가 유기 전계 발광 장치를 보는 각도 중 아래쪽의 각도, 제3각도(c)는 유기 전계 발광 장치의 주평면과 수직 방향과 이루는 외부광의 각도) (In this case, the first angle (a) is a tapered surface tapered edge angle, the second angle (b) is the user and the angle of the bottom of the viewing angle of the organic electroluminescent device, the third angle (c) is an organic electroluminescence device ambient light forming an angle with the main plane and the vertical direction)
  2. 제 1 항에 있어서, According to claim 1,
    상기 반사막의 하부에는 반도체층 패턴, 게이트 전극 패턴 또는 소오스/드레인 전극 패턴 중 1 또는 다수개를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 장치. A lower portion of the reflective film, the organic electroluminescence device according to claim 1, further including one or more pieces of the semiconductor layer pattern, a gate electrode pattern, or the source / drain electrode pattern.
  3. 제 2 항에 있어서, 3. The method of claim 2,
    상기 반도체층 패턴, 게이트 전극 패턴 및 소오스/드레인 전극 패턴은 소정의 테이퍼 각을 갖는 테이퍼 에지면을 포함하고 있는 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 장치. The organic electroluminescent device, characterized in that the semiconductor layer pattern, a gate electrode pattern and source / drain electrode pattern, which includes a tapered edge surface having a predetermined taper angle.
  4. 제 3 항에 있어서, 4. The method of claim 3,
    상기 소정의 테이퍼 각은 15도 이상인 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 장치. Taper angle of the specific organic electroluminescent device, characterized in that not less than 15 degrees.
  5. 제 1 항에 있어서, According to claim 1,
    상기 유기 전계 발광 장치는 상기 단위 화소 내에 반도체층, 게이트 절연막, 게이트 전극, 층간절연막 및 소오스/드레인 전극을 포함하는 박막트랜지스터 및 상기 박막트랜지스터 상에 위치한 평탄화층을 더 포함하고 있는 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 장치. The organic electroluminescent device is an organic, characterized in that further comprising: a planarization layer disposed on the thin film transistor and the thin film transistor including a semiconductor layer, a gate insulating film, a gate electrode, an interlayer insulating film and the source / drain electrodes in the unit pixel electroluminescent device.
  6. 제 1 항에 있어서, According to claim 1,
    상기 테이퍼 에지면의 테이퍼 각은 15도 이상인 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 장치. Taper angle of said tapered edge surface of the organic electroluminescent device, characterized in that not less than 15 degrees.
  7. 제 1 항에 있어서, According to claim 1,
    상기 제1전극은 투명한 전도체인 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 장치. The organic electroluminescent device, characterized in that the first electrode is a transparent conductor.
  8. 기판을 준비하는 단계; Preparing a substrate;
    상기 기판상에 반도체층, 게이트 절연막, 게이트 전극, 층간절연막 및 소오스/드레인 전극을 형성하되, 상기 반도체층, 게이트 전극 또는 소오스/드레인 전극 중 어느 하나를 형성할 때, 상기 기판의 화소 영역 상에 테이퍼 각이 하기의 수학식을 만족하는 반도체층 패턴, 게이트 전극 패턴 또는 소오스/드레인 전극 중 1 또는 다수개를 형성하는 단계; When forming a semiconductor layer on the substrate, a gate insulating film, a gate electrode, an interlayer insulating film and, but form a source / drain electrode, the semiconductor layer, a gate electrode or any one of the source / drain electrodes, on the pixel region of the substrate the step of forming a taper angle of the one or plurality of the semiconductor layer pattern, a gate electrode pattern, or the source / drain electrodes satisfying the equations below;
    상기 기판상에 평탄화층을 형성하는 단계; Forming a planarization layer on the substrate;
    상기 평탄화층상에 반사막을 형성하는 단계; Forming a reflective film on the planarization layer; And
    상기 반사막상에 제1전극, 유기 발광층을 포함하는 유기막층 및 제2전극을 형성하는 단계 A first electrode on said reflective film, forming an organic layer and a second electrode including an organic emission layer
    를 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 장치 제조 방법. Method for producing an organic electroluminescence device, comprising a step of including.
    [수학식] 제1각도(a)>1/2(제2각도(b)+제3각도(c)) [Equation] first angle (a)> 1/2 (the second angle (b) + the third angle (c))
    (이때, 상기 제1각도(a)는 테이퍼 에지면의 테이퍼각, 제2각도(b)는 사용자가 유기 전계 발광 장치를 보는 각도 중 아래쪽의 각도, 제3각도(c)는 유기 전계 발광 장치의 주평면과 수직 방향과 이루는 외부광의 각도). (In this case, the first angle (a) is a tapered surface tapered edge angle, the second angle (b) is the user and the angle of the bottom of the viewing angle of the organic electroluminescent device, the third angle (c) is an organic electroluminescence device ambient light forming an angle with the main plane and the vertical direction).
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