KR20050076873A - 멀티챔버 프로세스장치 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 반도체 제조 시 멀티챔버를 사용하여 공정을 진행하면서 특정챔버만을 분해할 수 있는 멀티챔버 프로세스장치에 관한 것이다.
본 발명의 멀티챔버 프로세스장치는, 로드락챔버 및 이송챔버 사이와 상기 이송챔버 및 프로세스챔버간에 이너게이트를 이중으로 형성한다.
또한 본 발명은 반도체 제조용 설비에서 로드락챔버와 이송챔버사이와 이송챔버와 프로세스챔버간에 이너게이트를 이중으로 형성하여 런진행을 중단시키지 않고 특정 프로세스 챔버를 크리닝하도록 하여 생산성을 향상시킨다.

Description

멀티챔버 프로세스장치{PROCESS EQUIPMENT HAVING MULTI CHAMBER}
본 발명은 반도체 제조설비에 관한 것으로, 특히 반도체 제조 시 멀티챔버를 사용하여 공정을 진행하면서 특정챔버만을 분해할 수 있는 멀티챔버 프로세스장치에 관한 것이다.
근년에, IC패턴의 미세화에 따라 프로세스의 고정밀도화, 복잡화, 웨이퍼의 대구경화 등 다양성이 요구되고 있다. 이와 같은 배경에 있어서, 복합프로세스의 증가나, 매엽식화(枚葉式化)에 수반되는 스루풋의 향상이라는 관점에서 멀티챔버 프로세스장치가 주목되고 있다.
이렇게 매엽방식의 멀티 프로세스 챔버장치는 일본국 특허공개번호 소 61-55926호에 개시되어 있으며, 매엽처리하는 복수의 진공챔버와, 웨이퍼 반송용 진공챔버로 이루어지며, 게이트 밸브를 통하여 진공실과 반송 진공실이 접속된 멀티챔버 프로세스 장치가 개시되어 있다.
또 다른 종래의 멀티챔버 프로세스장치로는 대한민국 공개특허공보 공개번호 2001-25633호에 개시되어 있다. 대한민국 공개특허공보 공개번호 2001-25633호의 멀티챔버 프로세스장치는 도 1에 도시되어 있다.
도 1을 참조하면, 웨이퍼를 적재하고 있는 제1 및 제2로드 포트(LOAD PORT)(10, 12)와, 대기상태에서 오염이 되지 않은 공간내에서 상기 제1 및 제2 로드포트(10, 12)에 적재된 웨이퍼를 이송하기 위한 ATM로봇트(22)와, 상기 ATM로봇트(22)에 의해 이송된 웨이퍼의 포지션을 정렬하기 위한 ATM얼라이너(ALIGNER)(24)를 구비하는 프론트엔드 시스템(FRONT END SYSTEM)(20)과, 시스템 메인 프레임의 중앙에 위치하여 쉘프(SHELF)를 구비하고 있으며, 상기 ATM로봇트(22)가 상기 제1 및 제2 로드포트(10, 12)에 있는 웨이퍼를 모두 이송할 때 까지 상기 쉘프에 적재하고 있는 제1 및 제2 로드락쳄버(LOAD LOCK CHAMBER)(30, 32)와 웨이퍼를 프로세스 쳄버로 이송하고, 프로세스 진행이 완료된 웨이퍼를 상기 제1 및 제2 로드락 쳄버(30, 32)로 이송하기 위한 버큠로봇트(42)가 설치된 버큠이송모듈(40)과, 이송된 웨이퍼에 대한 프로세스(PROCESS)를 진행하기 위해 포지션별로 2개로 구분되어 제1 내지 제2 프로세스 모듈(50, 52)로 구성되어 있다.
제1 로드포트(10)나 제2 로드포트(12)에 적재되어 있는 웨이퍼를 ATM로봇트(22)가 이송하여 ATM얼라이너(24)에 얹어 놓으면 ATM얼라이너(24)는 이송한 웨이퍼를 제1 내지 제2 프로세스 모듈(52, 54)에 정확하게 놓이도록 위치를 정렬한다. 이때 ATM로봇트(22)는 제1 및 제2 로드락 쳄버(30, 32)의 쉘프로 웨이퍼를 하나씩 이송하여 적재한다. 이렇게 제1 로드포트(10)나 제2 로드포트(12)에 적재되어 있는 웨이퍼가 모두 제1 로드락 쳄버(30)나 제2 로드락 쳄버(32)로 이송이 완료되면 제1 및 제2 로드락 쳄버(30, 32)는 도어를 닫고 불순물이 들어가지 않도록 압력을 뽑아 내어 진공상태로 만든다. 그런 후 베큠이송모듈(40)의 베큠로봇트(42)는 제1 로드락 쳄버(30)나 제2 로드락 쳄버(32)의 쉘프에 적재된 웨이퍼를 제1 내지 제2 프로세스 모듈(50,52)로 공급하여 해당 프로세스를 진행한다. 이렇게 웨이퍼의 프로세스 진행이 완료되면 프로세스 진행이 완료된 웨이퍼는 베큠로봇트(42)에 의해 다시 제1 로드락 쳄버(30)나 제2 로드락 쳄버(32)의 쉘프로 이송된다. 제1 로드락 쳄버(30)나 제2 로드락 쳄버(32)의 쉘프로 이송되면 제1 로드락 쳄버(30)나 제2 로드락 쳄버(32)가 상압으로 벤트(VENT)한다.
이렇게 한 후 제1 및 제2 로드락 쳄버(30, 32)는 제1 로드포트(10)나 제2 로드포트(12)로 웨이퍼를 이송할 준비를 하게 되어 제1 및 제2 로드락 쳄버(30, 32)의 도어를 열리도록 한다. 그러면 ATM로봇트(22)는 제1 로드락 쳄버(30)나 제2 로드락 쳄버(32)의 쉘프에 적재된 웨이퍼를 제1 로드포트(10)나 제2 로드포트(12)로 이송시킨다. 이러한 동작을 반복수행하여 다수의 웨이퍼를 가공하도록 한다.
종래의 또 다른 멀티챔버 프로세스장치가 도 2에 도시되어 있다.
도 2를 참조하면, 웨이퍼를 쉘프에 적재하고 있는 제1 및 제2 로드락쳄버(LOAD LOCK CHAMBER)(60, 62)와, 웨이퍼를 프로세스 쳄버로 이송하고, 프로세스 진행이 완료된 웨이퍼를 상기 제1 및 제2 로드락 쳄버(60, 62)로 이송하기 위한 이송챔버(TRANSFER CHAMBER)(70)와, 이송된 웨이퍼에 대한 프로세스(PROCESS)를 진행하기 위해 포지션별로 3개로 구분되어 제1 내지 제3 프로세스 챔버(80, 82, 84)와, 상기 제1 및 제2 로드락챔버(60, 62)와 상기 이송챔버(70) 사이에 설치되어 상기 제1 및 제2 로드락챔버(60, 62)와 상기 이송챔버(70) 간을 분리하기 위한 제1 및 제2 이너게이트(64, 66)와, 상기 이송챔버(70)와 상기 제1 내지 제3 프로세스챔버(80, 82, 84) 사이에 설치되어 상기 제1 내지 제2 프로세스챔버(80, 82, 84)와 상기 이송챔버(70) 간을 분리하기 위한 제4 내지 제6 이너게이트(72, 74, 76)로 구성되어 있다.
웨이퍼가 제1 로드락 쳄버(60)나 제2 로드락 쳄버(62)로 이송이 완료되면 도시하지 않은 제1 또는 제2 로드락 쳄버(60, 62)는 도어를 닫고 불순물이 들어가지 않도록 압력을 뽑아 내어 진공상태로 만든다. 여기서 예를 들어 제1 로드락챔버(60)에 적재된 웨이퍼를 제1 프로세스챔버(80)로 공급하여 프로세스를 진행하는 동작을 설명한다. 도시하지 않은 콘트롤러는 제1 이너게이트(60)와 제3이너게이트(80)를 오픈한다. 그런 후 이송챔버(70)의 이송로봇트은 제1 로드락 쳄버(60)의 쉘프에 적재된 웨이퍼를 제1 프로세스챔버(80)로 공급한다. 그리고 도시하지 않은 콘트롤러는 제1 이너게이트(72)를 닫고 제1 프로세스챔버(80)에서 해당 프로세스를 진행하도록 제어한다. 이렇게 웨이퍼의 프로세스 진행이 완료되면 콘트롤러는 제1이너게이트(72)를 오픈하고, 프로세스 진행이 완료된 웨이퍼가 이송챔버(70)의 이송로봇트에 의해 다시 제1 로드락 쳄버(60)의 쉘프로 이송되도록 한다. 이러한 동작을 반복수행하여 다수의 웨이퍼를 가공하도록 한다. 여기서 제1 로드락챔버(80)과 제1 프로세스챔버(80)만을 예를 들어 설명하였으나 제2로드락챔버(62) 및 제2 및 제3 프로세스챔버(82, 84)도 전술한 동작과 동일한 동작을 하여 웨이퍼를 가공하도록 한다
이와 같은 종래의 멀티챔버 프로세스장치는 하나의 프로세스 챔버를 수리 또는 세정하기 위해 시스템 전체의 가동을 중지하여야 한다. 예를 들어 하나의 챔버에 문제가 발생하거나 막이 반복적으로 퇴적하여 입자레벨이 열화되어 기계적으로 청결하게 세정하여야 할 경우 문제가 발생한 프로세스 챔버를 이송챔버로부터 분리하여 분해검사를 행한다. 이때 이송챔버는 분리된 프로세스 챔버에 대응하는 개방포트가 개방된다. 따라서 하나의 프로세스 챔버를 분리시킴으로써 이송챔버를 사용할 수 없게 된다. 이에 따라 이송챔버를 사용할 수 없게 되면 나머지 다른 프로세스 챔버들은 동작이 불가능하므로, 여러 개의 프로세스 챔버 중에 어느 하나에 문제가 발생할 경우 전체 시스템의 가동을 중지시키게 되어 생산성이 떨어지는 문제가 있었다.
따라서 본 발명의 목적은 상기와 같은 문제를 해결하기 위해 멀티챔버를 사용하는 반도체 제조설비에서 전체 시스템의 가동을 중단시키지 않고 특정 프로세스 챔버를 수리 또는 세정할 수 있는 멀티챔버 프로세스장치를 제공함에 있다.
상기 목적을 달성하기 위한 본 발명의 멀티챔버 프로세스장치는, 로드락챔버 및 이송챔버 사이와 상기 이송챔버 및 프로세스챔버간에 이너게이트를 이중으로 형성하는 것을 특징으로 한다.
상기 이중으로 형성한 이너게이트는, 상기 이송챔버 측에 하나의 이너게이트가 설치되어, 런 진행 중에 크로스되어 런진행을 중단시키지 않고 적어도 하나 이상의 프로세스챔버를 분리할 수 있도록 하는 것이 바람직하다.
상기 이중으로 형성한 이너게이트는, 상기 이송챔버 측에 하나의 이너게이트가 설치되어, 런 진행 중에 크로스되어 런진행을 중단시키지 않고 적어도 하나 이상의 로드락챔버를 분리할 수 있도록 하는 것이 바람직하다.
웨이퍼를 쉘프에 적재하고 있는 적어도 하나 이상의 로드락쳄버와, 웨이퍼를 프로세스 쳄버로 이송하고, 프로세스 진행이 완료된 웨이퍼를 상기 로드락 쳄버로 이송하기 위한 이송챔버와, 이송된 웨이퍼에 대한 프로세스를 진행하기 위해 포지션별로 구분되진 적어도 하나 이상의 프로세스 챔버와, 상기 로드락챔버와 상기 이송챔버 사이에 설치되어 상기 로드락챔버와 상기 이송챔버 간을 분리하기 위한 적어도 하나 이상의 이너게이트 어셈블리와, 상기 이송챔버와 상기 프로세스챔버 사이에 설치되어 상기 프로세스챔버와 상기 이송챔버 간을 분리하기 위해 한 쌍의 이너게이트를 갖는 다수의 이너게이트 어셈블리를 포함함을 특징으로 한다.
상기 이너게이트 어셈블리는, 상기 로드락챔버와 상기 이송챔버를 연결하거나 상기 프로세스챔버와 상기 이송챔버을 연결하는 통로를 갖는 적어도 하나 이상의 연결부와, 상기 연결부 내부로 관통되도록 상기 로드락챔버의 출구와 상기 이송챔버의 입구에 각각 설치되어, 웨이퍼가 입출되는 상기 이송챔버의 입구 및 상기 로드락챔버의 출구를 개폐하는 한 쌍의 이너게이트를 적어도 하나 이상 구비함을 특징으로 한다.
상기 연결부는 외부가 알루미늄 재질로 되어 있고, 내부의 좌우측면 및 윗면이 석영재질로 형성되어 있는 것을 특징으로 한다.
이하 본 발명에 따른 바람직한 실시 예를 첨부한 도면을 참조하여 상세히 설명한다. 그리고 본 발명을 설명함에 있어서, 관련된 공지 기능 혹은 구성에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단되는 경우 그 상세한 설명을 생략한다.
도 3은 본 발명의 실시 예에 따른 멀티챔버 프로세스장치의 구성도이다.
웨이퍼를 쉘프에 적재하고 있는 제1 및 제2 로드락쳄버(LOAD LOCK CHAMBER)(100, 102)와, 웨이퍼를 프로세스 쳄버로 이송하고, 프로세스 진행이 완료된 웨이퍼를 상기 제1 및 제2 로드락 쳄버(100, 102)로 이송하기 위한 이송챔버(TRANSFER CHAMBER)(300)와, 이송된 웨이퍼에 대한 프로세스(PROCESS)를 진행하기 위해 포지션별로 3개로 구분되어 제1 내지 제3 프로세스 챔버(500, 502, 504)와, 상기 제1 및 제2 로드락챔버(100, 102)와 상기 이송챔버(300) 사이에 설치되어 상기 제1 및 제2 로드락챔버(100, 102)와 상기 이송챔버(300) 간을 분리하기 위한 제1 및 제2 이너게이트 어셈블리(200, 202)와, 상기 이송챔버(300)와 상기 제1 내지 제3 프로세스챔버(500, 502, 504) 사이에 설치되어 상기 제1 내지 제2 프로세스챔버(500, 502, 504)와 상기 이송챔버(300) 간을 분리하기 위한 제4 내지 제6 이너게이트어 셈블리(400, 402, 404)로 구성되어 있다. 상기 제1 이너게이트 어셈블리(200)는 제1 및 제2 이너게이트(204, 206)와 연결부(212)로 구성된다. 상기 제2 이너게이트 어셈블리(202)는 제3 및 제4 이너게이트(208, 210)와 연결부(214)로 구성된다. 상기 제3 이너게이트 어셈블리(400)는 제5 및 제6 이너게이트(406, 408)와 연결부(420)로 구성된다. 상기 제4 이너게이트 어셈블리(402)는 제7 및 제8 이너게이트(410, 412)와 연결부(422)로 구성된다. 상기 제5 이너게이트 어셈블리(404)는 제9 및 제10 이너게이트(414, 416)와 연결부(424)로 구성된다.
제1 및 제2 이너게이트(204, 206)는 연결부(212) 내부로 관통되도록 제1 로드락챔버(100)의 출구와 상기 이송챔버(300)의 입구에 각각 설치되어, 웨이퍼가 입출되는 이송챔버(300) 및 제1 로드락챔버(100)의 입출구를 개폐한다. 제3 및 제4 이너게이트(208, 210)는 연결부(214) 내부로 관통되도록 제2 로드락챔버(102)의 출구와 상기 이송챔버(300)의 입구에 각각 설치되어, 웨이퍼가 입출되는 이송챔버(300) 및 제1 로드락챔버(100)의 입출구를 개폐한다. 제5 및 제6 이너게이트(406, 408)는 연결부(420) 내부로 관통되도록 이송챔버(300)의 출구와 상기 제1 프로세스챔버(500)의 입구에 각각 설치되어, 웨이퍼가 입출되는 이송챔버(300) 및 제1 프로세스챔버(500)의 입출구를 개폐한다. 제7 및 제8 이너게이트(410, 412)는 연결부(422) 내부로 관통되도록 이송챔버(300)의 출구와 상기 제2 프로세스챔버(502)의 입구에 각각 설치되어, 웨이퍼가 입출되는 이송챔버(300) 및 제2 프로세스챔버(502)의 입출구를 개폐한다. 제9 및 제10 이너게이트(414, 418)는 연결부(424) 부로 관통되도록 이송챔버(300)의 출구와 상기 제3 프로세스챔버(504)의 입구에 각각 설치되어, 웨이퍼가 입출되는 이송챔버(300) 및 제3 프로세스챔버(504)의 입출구를 개폐한다.
연결부(212, 214, 420, 422, 424)는 제1 및 제2 로드락챔버(100, 102)와 이송챔버(300)을 연결하거나 제1 내지 제3 프로세스챔버(500, 502, 504)와 이송챔버(300)을 연결하는 통로로서, 일반적으로 연결부(212, 214, 420, 422, 424)의 외부는 알루미늄 재질로 되어 있고, 내부의 좌우측면 및 윗면은 석영재질로 되어있다.
상술한 도 3을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시 예의 동작을 상세히 설명한다.
웨이퍼가 제1 로드락 쳄버(100)나 제2 로드락 쳄버(102)로 이송이 완료되면 도시하지 않은 콘트롤러는 제1 또는 제2 로드락 쳄버(100, 102)의 도어를 닫고 불순물이 들어가지 않도록 압력을 뽑아 내어 진공상태로 만든다. 여기서 예를 들어 제1 로드락챔버(100)에 적재된 웨이퍼를 제1 프로세스챔버(500)로 공급하여 프로세스를 진행하는 동작을 설명한다. 도시하지 않은 콘트롤러는 제1 로드락챔버(100)가 진공상태가 되면 제1 및 제2 이너게이트(204, 206)와 제5 및 제6이너게이트(406, 408)를 오픈한다. 그런 후 이송챔버(300)의 이송로봇트은 제1 로드락 쳄버(100)의 쉘프에 적재된 웨이퍼를 제1 프로세스챔버(500)로 공급한다. 그리고 도시하지 않은 콘트롤러는 제5 및 제6이너게이트(406, 408)를 닫고 제1 프로세스챔버(500)에서 해당 프로세스를 진행하도록 제어한다. 이렇게 웨이퍼의 프로세스 진행이 완료되면 콘트롤러는 제5 및 제6 이너게이트(406, 408)를 오픈하고, 프로세스 진행이 완료된 웨이퍼가 이송챔버(300)의 이송로봇트에 의해 다시 제1 로드락 쳄버(100)의 쉘프로 이송되도록 한다. 이러한 동작을 반복수행하여 다수의 웨이퍼를 가공하도록 한다. 여기서 제1 로드락챔버(100)과 제1 프로세스챔버(500)만을 예를 들어 설명하였으나 제2로드락챔버(102) 및 제2 내지 제3 프로세스챔버(502, 504)도 전술한 동작과 동일한 동작을 하여 웨이퍼를 가공하도록 한다.
이와 같이 프로세스를 진행하는 도중에 예를 들어 제2 프로세스 챔버(502)에 연결된 제8 이너게이트(412)에 폴리머가 부착되어 크리닝을 진행하여야 할 경우 도시하지 않은 콘트롤러는 제7 이너게이트(410)를 크로스(Close)되도록 하고 제8 이너게이트(412)를 오픈(OPEN)되도록 한다. 그런 후 작업자는 제8 이너게이트(412)를 분해하여 크리링을 한다. 따라서 제2 프로세스챔버(502)에 연결된 제8 이너게이트(412)를 크리닝하더라도 제1 및 제3 프로세스챔버(500, 504)에서는 런(RUN)을 진행할 수 있다.
또한 제1 로드락챔버(100)에 결함이 발생할 경우 제1 이너게이트(204)는 오픈시키고 제2 이너게이트(206)는 크로스하고 제1 로드락챔버(100)를 분리하여 수리할 수 있도록 하므로 런진행을 중단시키지 않고 결함이 발생하는 제1 로드락챔버(100)를 수리할 수 있다. 제2 로드락챔버(102)에 결함이 발생할 경우 제1 이너게이트(204)는 크로스하고 제2 이너게이트(206)는 오픈시켜 제2 로드락챔버(102)를 분리하여 수리할 수 있도록 하므로 런진행을 중단시키지 않고 결함이 발생한 제2 로드락챔버(102)를 수리할 수 있다.
상술한 바와 같이 본 발명은 반도체 제조용 설비에서 로드락챔버와 이송챔버사이와 이송챔버와 프로세스챔버간에 이너게이트를 이중으로 형성하여 런 진행중에 특정 프로세스 챔버를 크리닝하도록 하여 생산성을 향상시킬 수 있는 이점이 있다.
도 1은 종래의 멀티챔버 프로세스장치의 구성도
도 2는 종래의 또 다른 멀티챔버 프로세스장치의 구성도
도 3은 본 발명의 실시 예에 따른 멀티챔버 프로세스장치의 구성도
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명 *
100,102:제1 및 제2 로드락챔버 200,202:제1 및 제2 이너게이트 어셈블리
204, 206: 제1 및 제2 이너게이트 208,210: 제3 및 제4 이너게이트
300:이송챔버
400,402,404: 제2 내지 제5 이너게이트 어셈블리
406,408: 제5 및 제6 이너게이트 410,412: 제7 및 제8 이너게이트
414,416: 제9 및 제10 이너게이트 500,502,504: 제1 내지 제3 프로세스챔버

Claims (6)

  1. 멀티챔버 프로세스장치에 있어서,
    로드락챔버 및 이송챔버 사이와 상기 이송챔버 및 프로세스챔버간에 이너게이트를 이중으로 형성하는 것을 특징으로 하는 멀티챔버 프로세스장치.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 이중으로 형성한 이너게이트는, 상기 이송챔버 측에 하나의 이너게이트가 설치되어, 런 진행 중에 크로스되어 런진행을 중단시키지 않고 적어도 하나 이상의 프로세스챔버를 분리할 수 있도록 하는 것을 특징으로 하는 멀티챔버 프로세스장치.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 이중으로 형성한 이너게이트는, 상기 이송챔버 측에 하나의 이너게이트가 설치되어, 런 진행 중에 크로스되어 런진행을 중단시키지 않고 적어도 하나 이상의 로드락챔버를 분리할 수 있도록 하는 것을 특징으로 하는 멀티챔버 프로세스장치.
  4. 웨이퍼를 쉘프에 적재하고 있는 적어도 하나 이상의 로드락쳄버와, 웨이퍼를 프로세스 쳄버로 이송하고, 프로세스 진행이 완료된 웨이퍼를 상기 로드락 쳄버로 이송하기 위한 이송챔버와, 이송된 웨이퍼에 대한 프로세스를 진행하기 위해 포지션별로 구분되진 적어도 하나 이상의 프로세스 챔버와, 상기 로드락챔버와 상기 이송챔버 사이에 설치되어 상기 로드락챔버와 상기 이송챔버 간을 분리하기 위한 적어도 하나 이상의 이너게이트 어셈블리와, 상기 이송챔버와 상기 프로세스챔버 사이에 설치되어 상기 프로세스챔버와 상기 이송챔버 간을 분리하기 위해 한 쌍의 이너게이트를 갖는 다수의 이너게이트 어셈블리를 포함함을 특징으로 하는 멀티챔버 프로세스장치.
  5. 제4항에 있어서, 상기 이너게이트 어셈블리는,
    상기 로드락챔버와 상기 이송챔버를 연결하거나 상기 프로세스챔버와 상기 이송챔버을 연결하는 통로를 갖는 적어도 하나 이상의 연결부와,
    상기 연결부 내부로 관통되도록 상기 로드락챔버의 출구와 상기 이송챔버의 입구에 각각 설치되어, 웨이퍼가 입출되는 상기 이송챔버의 입구 및 상기 로드락챔버의 출구를 개폐하는 한 쌍의 이너게이트를 적어도 하나 이상 구비함을 특징으로 하는 멀티챔버 프로세스장치.
  6. 제5항에 있어서,
    상기 연결부는 외부가 알루미늄 재질로 되어 있고, 내부의 좌우측면 및 윗면이 석영재질로 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 멀티챔버 프로세스장치.
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100916141B1 (ko) * 2007-11-16 2009-09-08 세메스 주식회사 얼라이너 챔버 및 그것을 구비한 멀티 챔버형 기판 처리 설비

Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0936198A (ja) * 1995-07-19 1997-02-07 Hitachi Ltd 真空処理装置およびそれを用いた半導体製造ライン
TWI278416B (en) * 2004-12-09 2007-04-11 Au Optronics Corp Cassette stocker
WO2006134863A1 (ja) * 2005-06-15 2006-12-21 Ulvac, Inc. 封止装置及び封止方法
CN104094394A (zh) * 2012-02-08 2014-10-08 应用材料公司 用于分散的基板的具有蜂巢式结构的动态负载锁定
US11933416B2 (en) * 2021-07-16 2024-03-19 Changxin Memory Technologies, Inc. Gate valve device, cleaning method and mechanical apparatus

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW295677B (ko) * 1994-08-19 1997-01-11 Tokyo Electron Co Ltd
JP3947761B2 (ja) * 1996-09-26 2007-07-25 株式会社日立国際電気 基板処理装置、基板搬送機および基板処理方法
JP3901265B2 (ja) * 1996-11-26 2007-04-04 大陽日酸株式会社 薄板状基体の搬送方法及び搬送装置
JP4275769B2 (ja) * 1998-06-19 2009-06-10 株式会社渡辺商行 基体の移載装置
FR2787235B1 (fr) * 1998-12-11 2001-01-19 Becton Dickinson France Dispositif de liaison de portes entre deux enceintes isolees du milieu exterieur

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100916141B1 (ko) * 2007-11-16 2009-09-08 세메스 주식회사 얼라이너 챔버 및 그것을 구비한 멀티 챔버형 기판 처리 설비

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