KR20050074515A - 음원 전달체를 가지는 기판 처리 탱크 및 상기 기판의 처리방법 - Google Patents

Abstract

본 발명은 세정 또는 포토레지스트 박리 등의 기판 처리를 하는 동안 유체를 처리하도록 음향 에너지를 전달함에 있어서의 효율 및 유효성을 개선하기 위한 장치 및 방법에 관한 것이다. 본 발명은 재료의 층상 스택을 이용하여 음향 에너지를 음향 에너지원으로부터 처리 유체로 전달한다. 각 층의 재료는 스택의 연속하는 층들 사이의 음향 임피던스의 차이를 줄이도록 선택되어, 음향 에너지가 소스로부터 처리 유체로 전달될 때 음향 임피던스가 보다 점진적으로 변하도록 한다. 일 실시예에서, 본 발명은 처리 유체를 수납하기 위한 처리실과, 음향 에너지원과, 음향 에너지원으로부터 처리실 내의 처리 유체로의 음향 에너지 경로를 형성하는 제1 전달층과 제2 전달층을 가지며 음향 스택을 포함하는 장치이다.

Description

음원 전달체를 가지는 기판 처리 탱크 및 상기 기판의 처리 방법 {SUBSTRATE PROCESS TANK WITH ACOUSTICAL SOURCE TRANSMISSION AND METHOD OF PROCESSING SUBSTRATES}

본 출원은 2002년 11월 1일 출원된 미국 가특허 출원 제60/423,263호를 우선권 주장한다.

본 발명은 통상적으로 기판 제조 분야에 관한 것으로서, 구체적으로는 집적 회로 처리 중에 음향 에너지원으로부터 처리 유체까지의 음향 에너지 전달체를 개선하기 위한 방법 및 시스템에 관한 것이다.

반도체 제조에 있어서, 반도체 장치는 얇은 디스크형 기판 상에서 생산된다. 통상적으로 각각의 기판은 복수개의 반도체 장치를 포함한다. 임의의 단일 기판 상에서 생산될 수 있는 반도체 장치의 정확한 개수는 기판의 크기와 상기 기판 상에서 제조되는 반도체 장치의 크기에 달려 있다. 그러나, 반도체 장치는 더욱더 소형화되고 있는 추세다. 이러한 소형화의 결과로서, 증가된 개수의 반도체 장치가 임의의 영역에서 생산될 수 있으므로, 각각의 기판의 표면 영역을 더욱더 값비싸게 한다.

반도체 장치 생산에 있어서, 기판은 실행 가능한 최종 제품에 생산되기 전에 많은 처리 단계를 거친다. 상기 처리 단계는 화학 에칭 단계, 웨이퍼 연마 단계, 포토레지스트 스트립핑 및 마스킹 단계를 포함한다. 상기 단계들은 통상적으로 처리 탱크에서 수행되며, 장치를 오염시키거나 고장을 유발할 가능성이 있는 입자들이 기판으로부터 제거되도록 각각의 기판은 처리 중에 세척 단계, 린스 단계, 및 건조 단계와 같은 많은 싸이클을 거친다.

반도체 장치의 제조에서 기판 표면 세척의 중요성은 상당한 기간 동안 인지되어왔다. VLSI 및 ULSI 실리콘 회로 기술의 발전은 세척 처리를 제조 처리 중에 특히 중요한 단계로 만들었다. 또한, 반도체 장치의 수요와 노동 비용이 증가함에 따라, 감소된 생산 시간은 반도 제조 산업에서 주요 고려 사항이 되었다. 그러나, 감소된 생산 시간은 최종 제품의 질을 떨어뜨리거나 기판마다 부적절한 기능을 하는 장치 없이 달성되어야만 한다.

이러한 두 가지 목적을 달성하기 위해, 수많은 처리 단계 중에 음향 에너지(즉, 메가소닉 에너지)의 사용은 본 산업에서 일반적으로 되었다. “메가소닉 에너지” 및 “음향 에너지”는 여기서 호환적으로 사용되었다. 메가소닉 에너지 적용이 특히 유용한 두 가지 처리 단계는 세척 단계와 스트립핑 단계이다. 세척 단계 중에 음향 에너지의 적용은 기판으로부터 입자를 보다 효과적으로 제거하도록 돕는 한편, 스트립핑 단계 중에 메가소닉 에너지의 사용은 스트립핑 속도를 증가시킨다.

기판을 세척하기 위한 메가소닉(megasonic) 에너지를 이용하는 현재의 공정에서, 처리 탱크(process tank)는 표준 세척 1(SC-1), 표준 세척 2(SC-2), 탈이온수, 또는 앞에서 언급한 희석된 다양한 화학제로 먼저 채워진다. SC-1은 1 NH₄OH: 1 H₂O₂: 5 H₂O로 이루어진다. SC-2는 6 H₂O: 1 H₂O₂: 1 HCl로 이루어진다. 일단 처리 탱크가 선택된 유체로 채워지고 기판이 그 안에 잠기게 되면, 메가소닉 에너지의 공급원은 유체를 통하고 기판의 표면을 가로질러 음속 에너지를 생성하거나 유도하기 위한 유체에 접촉된다. 메가소닉 세척 동안, 변환기는 음의 위치와 양의 위치 사이의 메가소닉율에서 진동되고, 유체 내에 부압 및 정압을 생성한다. 메가소닉 에너지가 진동함에 따라, 공동 기포는 유체 내에서 부압 시에 형성되고, 정압 시에 붕괴된다. 기판의 세척은 (1) 공동(미소한 내파) 및 (2) 스트리밍(유체를 따라 움직이는 파면)의 두 가지 주요한 사건으로부터 기인한다.

유사하게, 메가소닉 에너지는 기판 제조 시에 스트립율을 증가시키는데 또한 이용된다. 메가소닉 스트립 공정 시에, 기판은 액상 오존처리된 탈("DI")이온수 또는 오존 가스 분위기에서 오존 처리된 DI수의 안개 등의 유체의 존재에서 처리 탱크 내에 위치된다. 그런 다음, 메가소닉 에너지는 상기한 바와 같이, 유체에 가해진다.

메가소닉 에너지가 생성되는 표준 수단은 압전기의 결정 변환기를 갖는다. 압전기 결정은 양측이 금속화된 세라믹의 조각들이다.

기판을 처리하고 있는 유체로 메가소닉 에너지를 전달하기 위해서, 현재의 시스템은 변환기를 탱크에 연결하기 위해 다양한 유형의 강성 플레이트를 사용한다. 그러나, 이는 변환기에서 유체로의 메가소닉 에너지 전달의 효율 및 유효성에 대해서는 부족한 설정이다. 변환기는 강성 플레이트의 일 측부에 직접 접합된다. 종종, 이런 강성 플레이트로의 접합은 이상적인 성능보다 작은 성능을 달성한다. 그런 다음, 강성 플레이트는 처리 탱크에 결합되어, 거기에 고정된 변환기를 갖지 않는 강성 플레이트의 측부는 처리 유체에 노출된다. 하나의 이런 종래 기술 시스템은 도1에 도시된 미국 특허 제4,804,007호에 설명되어 있다. 도1을 참조하면, 압전기 결정(5)은 강성 플레이트(6)에 직접 접합된다. 압전기 결정(5)은 에폭시 접합에 의해 강성 플레이트에 접합된다. 강성 플레이트(6)는 처리 탱크에 연결되어, 거기에 접합된 결정을 갖지 않는 강성 플레이트의 측부는 기판이 위치 설정되는 처리 유체(7)에 접촉된다. 이런 시스템의 사용에서, 고주파수 에너지원은 압전기 결정(5)을 가로질러 인가되어, 결정이 메가소닉 에너지를 생성하는 결정하도록 한다. 이런 메가소닉 에너지는 강성 플레이트(6)를 통해 결정(5)으로부터, 그리고 처리 탱크 내의 처리 유체(7) 내로 전달된다. 결정(5)에서 처리 유체로 이동한 메가소닉 에너지가 연속되는 물질[즉, 결정(5)과 강성 플레이트(6); 및 강성 플레이트(6)와 처리 유체]의 음향 임피던스값("Za")이 크게 다름으로 인해 상당히 저해된다는 것이 밝혀졌다. 에폭시가 결정(5)을 강성 플레이트(6)에 접합하기 위해 존재하는 반면, 에폭시 층은 음향 임피던스 상의 효과는 무시할만큼 얇다.

물질의 Za는 그 물질의 밀도의 생성이 그 물질의 음속보다 배수가 도미에 따라 정의된다. Za의 단위는 Mrayl 또는 (kg/m²s×10⁶)이다. 종래 기술 시스템의 비효율적인 메가소닉 에너지 전달은 메가소닉 에너지가 통과해야 하는 물질의 Za에서의 차이의 일부로 인한 것이라는 것이 밝혀졌다. 보다 상세하게는, 메가소닉 에너지가 통과해야 하는 연속적인 물질들 사이의 Za의 큰 차이는 메가소닉 에너지의 임피던스를 증가시키고 처리 유체로 비효율적인 에너지를 전달한다.

메가소닉 에너지 전달을 이용하는 처리 탱크에서 일반적으로 사용되는 압전기 결정의 일반적인 음향 임피던스는 Za=34 Mrayl 이고, 물의 음향 임피던스는 Za=1.5 Mrayl 이다. 따라서, 이러한 시스템에서, 기판 처리 동안 메가소닉 에너지가 압전기 결정에서 물로 통과되게 하기 위해, 메가소닉 에너지는 약 32.5 Mrayl의 음향 임피던스 전이를 거쳐야 한다. 종래 기술의 시스템의 강성 플레이트는 일반적으로 결정의 Za와 처리 유체의 Za(예를 들어, 석영은 Za=12-15 Mrayl 이다) 사이에 있는 Za 값을 갖지만, 강성 플레이트와 유체 사이의 Za의 차이 및/또는 강성 플레이트와 결정의 Za의 차이는 여전히 중요하다. 이는 메가소닉 에너지가 다른 재료들 사이를 통과할 때 바람직하지 않은 에너지 손실로 이어진다. 또한, 종래 기술의 장치는 트랜스듀서(즉, 결정)를 탱크에 연결할 때 그리고 유체로부터 트랜스듀서를 보호할 때만 강성 플레이트를 사용한다. 강성 플레이트는 압전기 결정과 처리 유체 사이의 음향 임피던스의 전이의 차이를 원활하게 하도록 의도되거나 설계되지 않는다.

따라서, 웨이퍼를 처리하기 위해 도1에 도시된 것과 같은 시스템을 사용할 때, 트랜스듀서(5)에 의해 생성된 메가소닉 에너지의 상당 부분은 처리 유체(7)로 전달되지 않고, 유체(7)로 들어가는 것이 방지된다. 적용에 따라, 이러한 에너지 손실은 최적 세척 속도 및/또는 최적 스트리핑 속도보다 적게 되게 한다. 따라서, 기판을 처리하기 위해 메가소닉 에너지를 사용하는 기존의 시스템은 최적보다 적어서 에너지 전달 손실로 이어지고, 에너지 사용이 증가되고 그리고/또는 최적의 스트리핑 및/또는 세척 성능보다 적게 된다.

도1은 종래 메가소닉(megasonic) 장치의 개략적인 도면이다.

도2는 본 발명의 제1 실시예에 따르는 음향 스택의 개략적인 도면이다.

도3은 기판 처리실에 결합된 도2의 음향 스택의 개략적인 도면이다.

도4는 본 발명의 제2 실시예에 따르는 음향 스택의 개략적인 도면이다.

도5는 본 발명의 제3 실시예에 따르는 음향 스택의 개략적인 도면이다.

따라서, 본 발명의 목적은 기판을 처리하기 위해 처리 탱크에서 유체를 처리하기 위해 메가소닉 에너지를 전달하기 위한 개선된 방법 및 시스템을 제공하는 것이다.

다른 목적은 음향 에너지의 양을 감소시켜 음향 에너지가 처리 유체로 들어가는 것이 방지되도록 처리 탱크 내의 처리 유체로 음향 에너지를 전달하기 위한 방법 및 시스템을 제공하는 것이다.

다른 목적은 기판을 세척하기 위한 개선된 방법 및 시스템을 제공하는 것이다.

또 다른 목적은 기판을 스트리핑하기 위한 개선된 방법 및 시스템을 제공하는 것이다.

본 발명은 기판이 더 효과적이고 효율적인 방법으로 침지되도록 트랜스듀서에 의해 발생된 메가소닉 에너지가 처리 유체 내로 어떻게 들어가는 지에 대해 초점을 맞추고 있다. 본 발명은 상세히 기술되지만, 본 발명의 기술사상 및 범위로부터 벗어남이 없이 당업자에 의해 다양한 변경 및 수정이 이루어질 수 있음은 명백하다. 특히, 본 발명이 세척 및 스트리핑 공정 동안 메가소닉 에너지를 전달하는 것에 대해 기술되지만, 본 발명은 이에 제한되지 않고 메가소닉 에너지가 유체로 전달되는 임의의 공정에서 사용될 수 있다. 또한, 메가소닉 에너지가 전달되는 유체도 제한되지 않는다. 마지막으로, 본 발명은 단일-기판 처리 탱크 또는 한 번에 복수의 기판을 처리하도록 구성된 처리 탱크에서 사용된다.

상기의 목적 및 다른 목적들은 본 발명에 의해 충족된다. 본 발명은 압전기 결정과 강성 플레이트 사이 및/또는 강성 플레이트와 유체 사이에 하나 이상의 전달층(들)을 추가하여, “음향 스택”을 형성한다. 여분의 전달층의 추가는 재료의 연속층 사이의 Za 차이를 감소시킴으로써 트랜스듀서 결정에서 최종 매체로 에너지 전달의 효율을 향상시키는 것을 돕는다. 전달층(들)은 “음향 스택”의 임의의 위치에 있을 수 있다. 본 발명은 바람직하게는 압전기 결정으로부터 처리 유체까지 변화되는 재료들 사이의 Za의 점진적인 전이를 제공하도록 중간층을 사용한다.

전달층들의 정확한 Za 값은 사용되는 처리 유체의 정체, 강성 플레이트의 존재 유무 및 음향 스택 내의 전달층의 위치에 따라 좌우될 것이다. 전달층은 양 측면 상의 재료들 사이의 음향 임피던스의 중간 변화를 도입하는 한도내에서는 임의의 재료로 제조될 수 있다.

일 태양에 있어서, 본 발명은 처리 유체를 수납하기 위한 처리실과, 음향 에너지원과, 제1 전달층과 제2 전달층을 가지며 음향 에너지원으로부터 처리실 내의 처리 유체로 음향 에너지를 전달하기 위한 음향 스택을 포함하는 적어도 하나의 기판을 처리하기 위한 장치이며, 제1 전달층은 제1 음향 임피던스 값을 가지며 음향 에너지원과 제2 전달층 사이에 위치하고, 제2 전달층은 제1 음향 임피던스 값보다 작은 제2 음향 임피던스 값을 가지며 제1 전달층과 처리실 내의 처리 유체 사이에 위치하는 장치이다.

다른 태양에 있어서, 본 발명은 처리 유체로 적어도 부분적으로 채워진 처리실과, 음향 에너지원과, 음향 에너지원으로부터 처리실 내의 처리 유체로의 음향 에너지 경로를 구성하며 제1 전달층과 제2 전달층을 갖는 음향 스택을 포함하며, 제1 전달층은 제1 음향 임피던스 값을 가지며 음향 에너지원과 제2 전달층 사이에 위치하고, 제2 전달층은 제1 음향 임피던스 값보다 작은 제2 음향 임피던스 값을 가지며 제1 전달층과 처리실 내의 처리 유체 사이에 위치하는 장치를 제공하는 단계와, 처리 유체 안으로 기판을 가라앉히는 단계와, 음향 에너지원으로 음향 에너지를 생성하는 단계와, 음향 스택을 통해 음향 에너지를 처리 유체에 전달하는 단계를 포함하는 기판 처리 방법이다.

다음의 상세한 실시예는 단지 예시일 뿐이지 제한하려는 것은 아니다.

도2 및 도3을 참조하면, 본 발명의 제1 실시예에 따른 음향 스택(10)이 개략적으로 도시된다. 음향 스택(10)은 두 개의 압전기 결정(11), 강성 플레이트(12) 및 전달층(13)을 포함한다. 전달층(13)은 압전기 결정(11)과 강성 플레이트(12) 사이에 위치된다. 압전기 결정(11)은 전달층(13)의 일 측면에 결합되는 반면 강성 플레이트(12)는 전달층(13)의 다른 측면에 결합된다. 결합은 에폭시와 같은 결합제를 통해 형성된다. 일단 음향 스택(10)이 조립되면, 음향 스택(10)은 처리실(20)에 결합되어 전달층(13)에 결합되지 않는 강성 플레이트(12)의 측면은 처리실(20)을 충전하는 처리 유체(21)에 직접적으로 접촉된다. 결정(11)이 음향 에너지를 생성하도록 작동될 때, 음향 스택(10)은 결정(11)에서 처리 유체(21)로 음향 에너지 경로로서 기능할 것이다. 기판(22)이 처리를 위해 처리 유체(21) 내에 침수될 때, 음향 에너지는 처리 유체(21)를 통해 기판(22)의 표면을 가로 질러 진행할 것이다.

처리 기판(22)에 사용되는 처리 유체(21), 강성 플레이트(12)가 구성된 재료 및 압전기 결정(11)의 Za의 정확한 동일성에 따라, 전달층의 Za가 압전기 결정(11)의 Za보다는 작고 강성 플레이트(12)의 Za보다 크다면, 음향 스택(10)의 전달층(13)은 임의의 재료로 구성될 수 있다. 예를 들면, 압전기 결정(11)이 Za_결정=X이고 강성 플레이트(12)가 Za강성 플레이트=Y라고 가정한다면, 전달층(13)은 X>Za전달층>Y가 되도록 설계된다. 강성 플레이트의 음향 임피던스는 대체로 0.8 내지 2.5 Mrayl의 범위에 있는 처리 유체(21)의 음향 임피던스보다 크다고 가정된다. 따라서, 사실상 음향 스택(10)은 Za_결정>Za_전달층>Za_{강성플레이트}>Za_처리유체가 되도록 설계된다.

강성 플레이트(12)는 바람직하게는 결정판이다. 결정(11)은 바람직하게는 압전기 결정이다. 전달 재료(13)는 바람직하게는 알루미늄, 티탄 또는 베릴륨이다. 다르게는, 에폭시의 두꺼운 층은 전달 재료(13)로서 사용될 수 있다. 기판상에 수행되는 처리에 따라, 처리 유체는 DI수(DI water), 오조네이티드 DI수(ozonated DI water) 또는 오존 미스트(ozone mist)가 될 수 있다.

사용될 수 있고 본 발명의 범위 내에 있는 전달층의 수는 제한되지 않는다. 단지 요구 조건은 각 전달층의 Za는 그 주위 층 사이의 Za 차이를 감소시키는 것이다. 게다가, 전달층은 총 성능 또는 주파수 범위를 넘는 특성 또는 임계 주파수를 변화시키기 위해 사용될 수 있다. 또한, 상기 요구 조건이 충족되는 한, "강성 플레이트"란 용어가 "전달층"이라는 용어로 간단히 대체되는 것이 가능하다. 이러한 개요에서, 조립체는 전달층의 스택이 된다.

도4를 참조하면, 음향 스택(40)이 본 발명의 제2 실시예를 따라 도시되었다. 음향 스택(40)은 결정(crystal)(11)과 강성 플레이트(rigid plate)(12) 사이에 위치한 제1 전달층("TL1")을 포함한다. 음향 스택(40)은 강성 플레이트(12)의 타측에 위치한 제2 전달층("TL2")도 가진다. 음향 스택(40)이 처리 실에 결합될 때, 음향 스택(10)을 위한 도3에 도시된 결합과 유사하게 음향 스택(40)의 제2 전달층(42)은 처리 유체(process fluid)와 접촉하게 된다. 본 실시예에서, 결정(11)과 처리 유체 사이에서 좀더 점진적으로 전이(Za)하도록 제1 전달층(41) 및 제2 전달층(42)이 사용된다. 시스템은 Za_결정 > Za_TL1 > Za_{강성플레이트} > Za_TL2 > Za_처리유체가 되도록 설계된다. 본 실시예에서, 양호하게 결정(11)은 압전기 결정이며, 제1 전달층(41)은 알루미늄, 티타늄 또는 베릴륨으로 만들어지고, 강성 플레이트(12)는 석영 플레이틀 만들어지며, 제2 전달층(42)은 폴리클로로트리플루오로에틸렌("PCTFE"), 에틸렌에클로어에트리플루오레틸렌("ECTFE"), 테트라플로에틸렌-퍼플루오프로필렌("FEP"), 퍼플루오로알콕시("PFA"), 폴리비닐리덴 플루오라이드("PVDF"), 폴리클로로트리플루오로에틸렌("PCTFE"), 테를론, 또는 다른 플루오로카본계 폴리머 또는 열가소성 수지 폴리머로 제작될 수 있다.

도5를 참조하면, 음향 스택(50)이 본 발명의 제3 실시예를 따라 도시된다. 음향 스택(50)은 강성 플레이트(12)의 일측에 결합된 단일 전달층(51)을 포함한다. 처리 실에 결합될 때, 전달층(transmission layer)(51)은 강성 플레이트(12)와 처리 유체 사이에 있게 된다. 본 실시예에서, 강성 플레이트(12)와 처리 유체 사이에서 좀더 점진적으로 전이(Za)되도록 단일 전달층(51)이 사용된다. 음향 스택(50)은 Za_결정 < Za_강성판 > Za_전달층 > Za_처리유체가 되도록 설계된다. 본 실시예에서, 결정(11)은 압전기 결정일 수 있으며, 강성 플레이트(12)는 스테인레스 스틸로 만들어질 수 있고, 전달층(51)은 PCTFE, ECTFE, FEP, PFA, 테플론 또는 다른 플루오로카본계 폴리머 또는 열가소성 수지 폴리머로 제작될 수 있다. 본 실시예는 Za 하강(step down) 법칙을 100% 따르지 않지만, 전달층은 여전히 스테인리스 스틸 플레이트로부터 처리 유체까지 개선된 전달을 제공한다.

음향 스택의 모든 실시예에서, 층을 연속으로 부착하기 위해 통상적으로 에폭시 같은 접착제가 사용된다. 또한, 에폭시의 매우 얇은 층은 그 자체로 전달재로서 사용될 수 있다. 본원에 사용된 "유체(fluid)"라는 용어는 액체와 기체를 모두 포함한다.

다양한 대안, 변경 및 개조는 본 발명의 범위 내에서 당해 분야의 숙련자들에게 명확하다. 음향 스택의 상기 실시예들은 다양한 기판 처리 단계에 사용될 수 있지만, 세척이나 박리 등에 제안되지는 않는다.

Claims (26)

1. 적어도 하나의 기판을 처리하는 시스템이며,

   처리 유체를 수용하는 처리실과,

   음향 에너지원과,

   음향 에너지원으로부터 처리실 내의 처리 유체로 음향 에너지를 전달하고, 제1 전달층 및 제2 전달층을 갖는 음향 스택을 포함하며,

   제1 전달층은 음향 에너지원과 제2 전달층 사이에 위치되고, 제1 음향 임피던스 값을 갖고,

   제2 전달층은 제1 전달층과 처리 유체 사이에 위치되고, 제1 음향 임피던스 값보다 작은 제2 음향 임피던스 값을 갖는 시스템.
2. 제1항에 있어서, 제2 전달층은 처리실에 음향 스택을 장착하기 위한 강성 플레이트인 시스템.
3. 제2항에 있어서, 제1 전달층은 알루미늄, 티타늄 또는 베릴륨으로 제조되고, 제2 전달층은 석영으로 제조되며, 음향 에너지원은 압전기 결정을 포함하는 시스템.
4. 제1항에 있어서, 제1 전달층은 처리실에 음향 스택을 장착하기 위한 강성 플레이트인 시스템.
5. 제4항에 있어서, 제1 전달층은 스테인레스 강으로 제조되고, 제2 전달층은 PCTFE, ECTFE, PVDF, FEP, PFA 또는 테플론으로 제조되며, 음향 에너지원은 압전기 결정을 포함하는 시스템.
6. 제1항에 있어서, 제3 전달층은 제2 전달층과 처리실 내의 처리 유체 사이에 위치되고, 제2 음향 임피던스보다 작은 제3 임피던스 값을 갖는 시스템.
7. 제6항에 있어서, 제2 전달층은 처리실에 음향 스택을 장착하기 위한 강성 플레이트인 시스템.
8. 제7항에 있어서, 제1 전달층은 알루미늄, 티타늄 또는 베릴륨으로 제조되고, 제2 전달층은 석영으로 제조되며, 제3 전달층은 PCTFE, ECTFE, PVDF, FEP, PFA로 제조되고, 음향 에너지원은 압전기 결정을 포함하는 시스템.
9. 제1항에 있어서, 처리실 내의 처리 유체를 추가로 포함하고, 처리 유체는 제3 음향 임피던스 값보다 작은 음향 임피던스 값을 갖는 시스템.
10. 제9항에 있어서, 처리 유체의 음향 임피던스 값은 대략 0.8 내지 2.5 Mrayl의 범위인 시스템.
11. 제1항에 있어서, 음향 에너지원은 제1 음향 임피던스 값보다 작은 음향 임피던스 값을 갖는 시스템.
12. 제1항에 있어서, 음향 에너지원은 제1 음향 임피던스 값보다 큰 음향 임피던스 값을 갖는 시스템.
13. 기판 처리 방법이며,

    적어도 부분적으로 처리 유체로 충전된 처리실과, 음향 에너지원과, 제1 전달층 및 제2 전달층을 구비하고 음향 에너지원으로부터 처리실의 처리 유체로의 음향 에너지 경로를 형성하는 음향 스택을 포함하는 시스템을 제공하며, 제1 전달층은 음향 에너지원과 제2 전달층 사이에 위치되고 제1 음향 임피던스 값을 가지며, 제2 전달층은 제1 전달층과 처리실의 처리 유체 사이에 위치되고 제1 음향 임피던스 값보다 작은 제2 음향 임피던스 값을 갖는 상기 시스템을 제공하는 단계와,

    처리 유체에 기판을 잠그는 단계와,

    음향 에너지원에 의해 음향 에너지를 생성하는 단계와,

    음향 에너지를 처리 유체로 음향 스택을 통해 전달하는 단계를 포함하는 방법.
14. 제13항에 있어서, 제2 전달층은 처리실에 음향 스택을 장착하기 위한 강성 플레이트인 방법.
15. 제14항에 있어서, 제1 전달층은 알루미늄, 티타늄 또는 베릴륨으로 제작되고, 제2 전달층은 석영으로 제작되며, 음향 에너지원은 압전기 결정을 포함하는 방법.
16. 제13항에 있어서, 제1 전달층은 처리실에 음향 스택을 장착하기 위한 강성 플레이트인 방법.
17. 제16항에 있어서, 제1 전달층은 스테인레스 강철로 제작되고, 제2 전달층은 PCTFE, ECTFE, PVDF, FEP, PFA 또는 테플론으로 제작되며, 음향 에너지원은 압전기 결정을 포함하는 방법.
18. 제13항에 있어서, 제2 전달층과 처리실의 처리 유체 사이에 위치되고, 제2 음향 임피던스 값보다 작은 제3 음향 임피던스 값을 갖는 제3 전달층을 더 포함하는 방법,
19. 제18항에 있어서, 제2 전달층은 처리실에 음향 스택을 장착하기 위한 강성 플레이트인 방법.
20. 제19항에 있어서, 제1 전달층은 알루미늄, 티타늄 또는 베릴륨으로 제작되고, 제2 전달층은 석영으로 제작되며, 제3 전달층은 PCTFE, ECTFE, PVDF 또는 PFA로 제작되며, 음향 에너지원은 압전기 결정을 포함하는 방법.
21. 제20항에 있어서, 처리 유체는 제3 음향 임피던스 값보다 작은 음향 임피던스 값을 갖는 방법.
22. 제21항에 있어서, 처리 유체의 음향 임피던스 값은 대략 0.8 내지 2.5 Mrayl 범위인 방법.
23. 제13항에 있어서, 처리 유체는 DI-물을 포함하며, 기판으로부터 오염물을 제거하는 단계를 더 포함하는 방법.
24. 제13항에 있어서, 처리 유체는 오존을 포함하며, 기판으로부터 포토레지스트를 제거하는 단계를 더 포함하는 방법.
25. 제13항에 있어서, 음향 에너지원은 제1 음향 임피던스 값보다 작은 음향 임피던스 값을 갖는 방법.
26. 제13항에 있어서, 음향 에너지원은 제1 음향 임피던스 값보다 작은 음향 임피던스 값을 갖는 방법.