KR20050071198A - 정전용량 정밀 측정용 척 노이즈 제거방법 - Google Patents
정전용량 정밀 측정용 척 노이즈 제거방법 Download PDFInfo
- Publication number
- KR20050071198A KR20050071198A KR1020030102168A KR20030102168A KR20050071198A KR 20050071198 A KR20050071198 A KR 20050071198A KR 1020030102168 A KR1020030102168 A KR 1020030102168A KR 20030102168 A KR20030102168 A KR 20030102168A KR 20050071198 A KR20050071198 A KR 20050071198A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- chuck
- noise
- measurement
- capacitance
- capacitance measurement
- Prior art date
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
- G01R27/00—Arrangements for measuring resistance, reactance, impedance, or electric characteristics derived therefrom
- G01R27/02—Measuring real or complex resistance, reactance, impedance, or other two-pole characteristics derived therefrom, e.g. time constant
- G01R27/26—Measuring inductance or capacitance; Measuring quality factor, e.g. by using the resonance method; Measuring loss factor; Measuring dielectric constants ; Measuring impedance or related variables
- G01R27/2605—Measuring capacitance
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Testing Of Individual Semiconductor Devices (AREA)
- Measurement Of Resistance Or Impedance (AREA)
Abstract
본 발명은 정전용량 측정시 노이즈 제거방법에 관한 발명이며, 정전용량 측정시 측정장비와 연결된 스테이션내의 척(chuck)을 외부적으로 접지시킴으로써 엔모스(NMOS)소자의 정전용량 측정중 측정 에러 및 노이즈를 방지하기 위한 것이다.
정전용량 정밀 측정용 척 노이즈 및 불필요한 포텐셜 성분을 제거하기 위한 방법에 있어서,정전용량 측정전 노이즈 및 불필요한 포텐셜 성분을 제거하기 위하여 척에 도선을 연결하는 단계, 상기 도선을을 충분한 표면적을 가지는 접지된 금속성 철판 및 파이프 등에 접촉시키는 단계, 척과 스테이션 내에 걸린 정전기를 방전시키는 단계, 및 정전기를 방전시킨 이후 정전용량을 측정하는 단계로 구성되는 것을 특징으로 하며, 에러성분으로 작용하는 노이즈성 전하 및 포텐셜 성분을 완전 제거하여 더욱 정확한 정전용량 값을 얻을 수 있는 동시에 누설에 의해 간헐적으로 발생하는 측정에러를 방지할 수 있는 효과가 있다.
Description
본 발명은 정전용량 측정시 노이즈 제거방법에 관한 발명이며, 정전용량 측정시 측정장비와 연결된 스테이션내의 척(chuck)을 외부적으로 접지시킴으로써 엔모스(NMOS)소자의 정전용량 측정중 측정 에러 및 노이즈를 방지하기 위한 것이다.
종래의 기술에 의한 정전용량 측정은 정전용량 측정중 측정장비와 연결된 스테이션내의 척을 통하여 주변기기와 스테이션간 누설(leakage), 정전기등의 유입 또는 기대하지않은 포텐셜 성분이 척에 내포하게 됨으로써 측정 에러를 유발시키게 된다.
도1에 나타낸 바와 같이 특히 반도체 N-MOS소자에서 P-well과 P-substrate로 이어지는 척의 접합구조가 직류구조가 됨으로써 이를 통한 노이즈 및 포텐셜성분이 측정중 캐패시턴스값에 영향을 미치게 되어 스테이션내 척이 접지상태가 되지 않으면 외부적 환경에 의한 정전기등이 척으로부터 소자내까지 전기적영향을 미치게 된다.
도2에는 이러한 외부적 환경이 P-MOS와 N-MOS에 미치게 되는 노이즈의 영향을 나타낸 것이다. 여기에서 반도체 N-MOS소자는 상기 도1의 설명에서와 같이 전기적인 영향을 받게되나, P-MOS의 경우에는 N-well과 P-substrate사이에 자생적으로 다이오드가 생성되어 P-MOS 소자에서는 척으로부터의 노이즈영향을 받지 않는다.
따라서, N-MOS의 경우 정전용량 측정시에 외부적인 환경에 의해 발생되는 정전기 등에 의한 노이즈 성분을 제거하기 위한 척 노이즈를 제거하는 방법이 요구되고 있다.
이를 위해, 본 발명은 상술한 종래의 기술이 갖는 문제점을 해결하기 위한 것으로서, 정전용량 측정중에 노이즈 성분을 제거하기 위하여 척에 발생하게 되는 노이즈 성분 및 불필요한 포텐셜 성분을 제거하기 위한 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.
상기의 목적을 달성하기 위하여, 정전용량 정밀 측정용 척 노이즈 및 불필요한 포텐셜 성분을 제거하기 위한 방법에 있어서,정전용량 측정전 노이즈 및 불필요한 포텐셜 성분을 제거하기 위하여 척에 도선을 연결하는 단계, 상기 도선을을 충분한 표면적을 가지는 접지된 금속성 철판 및 파이프 등에 접촉시키는 단계, 척과 스테이션 내에 걸린 정전기를 방전시키는 단계, 및 정전기를 방전시킨 이후 정전용량을 측정하는 단계로 구성되는 것을 특징으로 한다.
이하 도면을 참조하여 본 발명을 설명한다.
본 발명의 상기 목적과 기술적 구성 및 그에 따른 작용효과에 관한 자세한 사항은 본 발명의 바람직한 실시예를 도시하고 있는 도면을 참조한 이하 상세한 설명에 의해 보다 명확하게 이해될 것이다.
도3은 N-MOS 소자의 정전용량 측정중에 츠거정 에러 및 노이즈를 제거하기 위한 것으로서, 측정 대상물인 웨이퍼(10)을 프루브 스테이션(Probe station, 21)에 장착하고, 프루브 스테이션(21)에 도선을 연결한다.
프루브 스테이션(21)에 연결된 도선은 충분한 표면적을 가지는 금속제 책상 및 파이프 등에 접촉시키므로써 외부 접지환경을 조성하도록 하여, 정전용량을 측정하는 경우 주변기기와 스테이션간 누설, 정전기 유입 또는 기대하지 않은 포텐셜 성분이 척에 내포되는 것을 방지한다.
이후 프루브 니들(22)를 웨이퍼에 접촉시켜 웨이퍼의 정전용량을 측정함으로서, N-MOS의 정전용량 측정시 발생할 수 있는 측정에러 및 노이즈를 방지하여 더욱 정확한 정전용량값을 얻는 것이 가능하다.
상세히 설명된 본 발명에 의하여 본 발명의 특징부를 포함하는 변화들 및 변형들이 당해 기술 분야에서 숙련된 보통의 사람들에게 명백히 쉬워질 것임이 자명하다. 본 발명의 그러한 변형들의 범위는 본 발명의 특징부를 포함하는 당해 기술 분야에 숙련된 통상의 지식을 가진 자들의 범위 내에 있으며, 그러한 변형들은 본 발명의 청구항의 범위 내에 있는 것으로 간주된다.
이상과 같이 본 발명에 의한 정전용량 정밀측정용 척 노이즈 제거방법에 의해 정전용량 측정전 스테이션 척을 장비영역에서 벗어난 외부 접지환경에 접속시킴으로써 에러성분으로 작용하는 노이즈성 전하 및 포텐셜 성분을 완전 제거하여 더욱 정확한 정전용량 값을 얻을 수 있는 동시에 누설에 의해 간헐적으로 발생하는 측정에러를 방지할 수 있는 효과가 있다.
도1은 종래의 측정방법에 의한 정전용량 측정 노이즈 발생도
도2는 N-MOS 및 P-MOS의 노이즈 발생의 차이를 나타낸 도면
도3은 본 발명에 의한 N-MOS의 척 노이즈 제거방법
Claims (1)
- 정전용량 정밀 측정용 척 노이즈 및 불필요한 포텐셜 성분을 제거하기 위한 방법에 있어서,정전용량 측정전 노이즈 및 불필요한 포텐셜 성분을 제거하기 위하여 척에 도선을 연결하는 단계;상기 도선을을 충분한 표면적을 가지는 접지된 금속성 철판 및 파이프 등에 접촉시키는 단계;척과 스테이션 내에 걸린 정전기를 방전시키는 단계; 및상기 정전기를 방전시킨 이후 정전용량을 측정하는 단계로 구성되는 것을 특징으로 하는 정전용량 정밀 측정용 척 노이즈 제거방법.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020030102168A KR100549271B1 (ko) | 2003-12-31 | 2003-12-31 | 정전용량 정밀 측정용 척 노이즈 제거방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020030102168A KR100549271B1 (ko) | 2003-12-31 | 2003-12-31 | 정전용량 정밀 측정용 척 노이즈 제거방법 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20050071198A true KR20050071198A (ko) | 2005-07-07 |
| KR100549271B1 KR100549271B1 (ko) | 2006-02-03 |
Family
ID=37261174
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020030102168A KR100549271B1 (ko) | 2003-12-31 | 2003-12-31 | 정전용량 정밀 측정용 척 노이즈 제거방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR100549271B1 (ko) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100707585B1 (ko) * | 2005-12-29 | 2007-04-13 | 동부일렉트로닉스 주식회사 | Ｍｏｓ 트랜지스터 소자의 정전용량-전압 특성을 이용한캐리어 농도 분포 측정 자동화 시스템 및 방법 |
-
2003
- 2003-12-31 KR KR1020030102168A patent/KR100549271B1/ko not_active IP Right Cessation
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100707585B1 (ko) * | 2005-12-29 | 2007-04-13 | 동부일렉트로닉스 주식회사 | Ｍｏｓ 트랜지스터 소자의 정전용량-전압 특성을 이용한캐리어 농도 분포 측정 자동화 시스템 및 방법 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR100549271B1 (ko) | 2006-02-03 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR100889708B1 (ko) | 플라즈마 충전 전압의 실시간 측정 방법 | |
| US5410254A (en) | Method for optimizing the structure of a transistor to withstand electrostatic discharge | |
| US5781445A (en) | Plasma damage monitor | |
| US7138804B2 (en) | Automatic transmission line pulse system | |
| KR20010015449A (ko) | 웨이퍼의 ｄｃ 바이어스 전압 측정용 용량성 프로브 | |
| US8193824B2 (en) | Monitoring plasma induced damage during semiconductor wafer processes | |
| JP2009059880A (ja) | プラズマモニタリング方法及びプラズマモニタリングシステム | |
| CN1989609A (zh) | 半导体装置 | |
| KR20190066193A (ko) | Rf 노이즈 방지가 가능한 웨이퍼 센서 | |
| CN207338299U (zh) | 下电极滤波盒与静电卡盘的连接装置及等离子设备 | |
| KR100549271B1 (ko) | 정전용량 정밀 측정용 척 노이즈 제거방법 | |
| CN102142429A (zh) | 等离子体损伤检测结构及其制作方法 | |
| JP2006344662A (ja) | プローブカード、およびこれを用いた直流特性測定方法、および半導体装置 | |
| Shubham et al. | Estimating parasitic capacitances in mems microphones using finite element modeling | |
| JP2008311285A (ja) | 半導体装置、テスト回路およびそれを用いた評価方法 | |
| US20020101252A1 (en) | Structure for capacitance measurement | |
| US9888325B2 (en) | Doped substrate regions in MEMS microphones | |
| KR20020002020A (ko) | 전원부의 ｃｄｍ 및 ｅｍｉ 필터 회로 | |
| US20050122645A1 (en) | ESD protection design against charge-device model ESD events | |
| US6677608B2 (en) | Semiconductor device for detecting gate defects | |
| JPH036661B2 (ko) | ||
| US6421278B1 (en) | Method of improving an electrostatic discharge characteristic in a flash memory device | |
| Rasmussen et al. | Batch processing of CMOS compatible feedthroughs | |
| TW574506B (en) | Transmission line pulse method to measure the electrostatic discharge potential | |
| TW440985B (en) | Method for recognizing metal plasma effect |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A201 | Request for examination | ||
| E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
| GRNT | Written decision to grant | ||
| LAPS | Lapse due to unpaid annual fee |