KR20050070436A - Method for removing particle in semiconductor reticle - Google Patents
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Abstract
본 발명은 반도체 레티클의 이물질 제거방법에 관한 것으로, 반도체 웨이퍼에 일정한 패턴을 형성하기 위한 노광공정을 진행하기 전에 상기 노광공정에 마스크로 사용되는 레티클과 이를 보호하기 위한 펠리클에 부착된 이물질을 제거함에 있어서, 종래 사용되었던 질소 건에 의한 방법을 개선하여, 종래의 방법에서 레티클이나 펠리클에 손상을 유발시켰던 문제를 해소함과 동시에 종래의 방법에 비해 보다 효과적으로 이물질을 제거할 수 있는 효과가 있다. The present invention relates to a method for removing foreign substances from a semiconductor reticle, and to removing foreign substances attached to a reticle used as a mask in the exposure process and a pellicle for protecting the same before the exposure process for forming a predetermined pattern on the semiconductor wafer. Thus, by improving the method by using a nitrogen gun used in the prior art, it is possible to solve the problem of causing damage to the reticle or pellicle in the conventional method and at the same time there is an effect that can remove the foreign matter more effectively than the conventional method.
이를 위한 본 발명은, 반도체 노광공정에 사용되는 레티클에 이물질이 부착되었는지 여부를 검사하는 단계, 상기 단계에서 이물질이 발견된 경우 진공으로 이를 흡착하여 제거하는 단계, 상기 단계에서 이물질이 정상적으로 제거되었는지 여부를 확인하는 단계, 상기 단계에서 이물질이 제거되었음이 확인된 경우 상기 레티클을 노광장치로 이송하여 노광공정을 진행하는 단계로 이루어지는 것을 특징으로 한다. The present invention for this purpose, the step of inspecting whether the foreign matter is attached to the reticle used in the semiconductor exposure process, if the foreign matter is found in the step of removing by adsorbing it with a vacuum, whether the foreign matter is normally removed in the step Checking step, if it is confirmed that the foreign material is removed in the step characterized in that the step consisting of transferring the reticle to the exposure apparatus to proceed with the exposure process.
Description
본 발명은 반도체 레티클의 이물질 제거방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 반도체 웨이퍼에 일정한 패턴을 형성하기 위한 노광공정에 있어서, 상기 노광공정에서 웨이퍼에 형성되는 패턴 정보가 담겨진 레티클과 상기 레티클을 보호하기 위한 펠리클에 부착된 이물질을 노광공정에 앞서 제거하는 방법에 관한 것이다. The present invention relates to a method for removing foreign matter from a semiconductor reticle, and more particularly, in an exposure process for forming a predetermined pattern on a semiconductor wafer, protecting the reticle and the reticle containing the pattern information formed on the wafer in the exposure process. It relates to a method for removing foreign matter attached to the pellicle for prior to the exposure process.
현대 사회에는 라디오, 컴퓨터, 텔레비젼 등의 각종 전자 제품이 매우 다양하게 사용되고 있으며, 상기 전자 제품에는 필수적으로 다이오우드, 트랜지스터, 사이리스터등의 반도체 소자가 포함된다. 위와 같이 현대 사회의 필수품인 반도체 소자는, 산화실리콘(모래)에서 고순도의 실리콘을 추출한 것을 단결정으로 성장시키고 이를 원판 모양으로 잘라서 웨이퍼를 만드는 과정, 상기 웨이퍼의 전체 표면에 막을 형성하고 필요한 부분을 제거하여 일정한 패턴을 형성하는 과정, 형성된 패턴에 따라 불순물 이온을 도핑하고 금속배선을 통하여 최초 설계된 회로를 구현하며 필요한 소자로 만들기 위한 패키지 공정등이 포함된 일련의 웨이퍼 가공 과정을 통하여 제조된다. In the modern society, various electronic products such as radios, computers, and televisions are used in various ways, and the electronic products include semiconductor devices such as diodes, transistors, and thyristors. As described above, the semiconductor device, which is a necessity of the modern society, grows a single crystal of silicon oxide (sand) extracted from high purity into a single crystal, cuts it into a disk shape, forms a wafer, forms a film on the entire surface of the wafer, and removes necessary portions. It is manufactured through a series of wafer processing processes that include a process of forming a predetermined pattern, doping impurity ions according to the formed pattern, implementing a circuit originally designed through metallization, and a package process for making a required device.
위와 같은 제조 과정에 있어서, 통상 '노광공정'이라 불리는 공정은 웨이퍼 표면에 일정한 패턴을 형성하는 과정과 관련된 것이다. 즉, 노광공정은 사진 기술과 화학적 부식법을 병용한 것으로, 웨이퍼 상에 감광제(photoresist)를 도포한 후, 상기 웨이퍼를 원하는 방향의 빛만 통과시키도록 패턴 정보가 담겨져 있는 마스크(mask)를 투과한 빛에 노출시키면, 상기 감광제는 마스크에 담겨진 패턴에 따라 원하는 영역에서만 감광하게 되므로, 감광된 영역의 감광제를 제거함으로써 웨이퍼 표면에 원하는 패턴이 형성될 수 있는 것이다. In the manufacturing process as described above, a process commonly referred to as 'exposure process' is related to the process of forming a predetermined pattern on the wafer surface. In other words, the exposure process is a combination of photographic techniques and chemical corrosion methods. After applying a photoresist on a wafer, the exposure process passes through a mask containing pattern information so that only the light in a desired direction is passed through the wafer. When exposed to light, the photosensitive agent is only exposed to the desired area according to the pattern contained in the mask, the desired pattern can be formed on the wafer surface by removing the photosensitive agent in the photosensitive area.
위와 같은 노광공정을 수행하는 노광장치는, 도 1에 도시된 바와 같이, 광원(10), 투영렌즈(20), 웨이퍼스테이지(30)를 포함한다. 상기 광원(10)은 불화크립톤(KrF)광원이 주로 사용되고 있으며, 광원(10)에서 조사된 빛은 마스크(40)로 입사된다. 마스크(40)에 입사된 빛은 마스크(40)의 회절 격자를 통과하면서 0차광, 1차광, 2차광, 3차광 등으로 회절되어 마스크(40)에 담겨진 패턴에 따른 빛 이미지를 형성하고, 이러한 빛 이미지는 투영렌즈(20)에서 축소된 후 웨이퍼(1) 위에 형성된 감광막에 입사된다. 이 때 웨이퍼(1)가 고정될 수 있도록 웨이퍼척(미도시)이 설치되는 웨이퍼스테이지(30)는, 웨이퍼(1)를 가로, 세로 방향으로 일정한 간격으로 이송시켜 웨이퍼(1) 위에 형성된 감광막에 전체적으로 마스크(40)의 패턴이 형성될 수 있도록 한다. An exposure apparatus performing the above exposure process, as shown in FIG. 1, includes a light source 10, a projection lens 20, and a wafer stage 30. The fluoride krypton (KrF) light source is mainly used as the light source 10, and the light emitted from the light source 10 is incident on the mask 40. Light incident on the mask 40 passes through the diffraction grating of the mask 40 and is diffracted into 0th order light, 1st order light, 2nd order light, 3rd order light, etc. to form a light image according to the pattern contained in the mask 40. The light image is reduced in the projection lens 20 and then incident on the photosensitive film formed on the wafer 1. At this time, the wafer stage 30 on which the wafer chuck (not shown) is installed to fix the wafer 1 is transferred to the photosensitive film formed on the wafer 1 by transferring the wafer 1 at regular intervals in the horizontal and vertical directions. The pattern of the mask 40 can be formed as a whole.
위와 같은 노광공정에 있어서, 패턴이 담겨진 마스크로 사용되는 것이 레티클(reticle)이며, 상기 레티클을 보호해주기 위하여 레티클에 형성되는 얇은 막이 펠리클(pellicle)이다. 일반적으로 레티클은 노광공정에 사용되기 전에 최종적으로 레티클이나 펠리클에 부착된 이물질을 제거하는 과정을 거치게 된다. In the above exposure process, a reticle is used as a mask containing a pattern, and a thin film formed on the reticle to protect the reticle is a pellicle. In general, the reticle undergoes a process of finally removing foreign matter adhering to the reticle or pellicle before being used in the exposure process.
도 2는 종래 기술에 의해서, 레티클 등에 부착된 이물질을 제거하는 방법을 도시한 도면이다. 도면을 참조하면, 레티클(100)은 크롬으로 패턴(101)이 그려진 글래스면(102)과 상기 크롬으로 된 패턴(101)을 보호하기 위한 얇은 막인 펠리클(110)로 이루어지며, 상기 펠리클(110)은 프레임(102)을 통하여 레티클(100)의 패턴(101)이 형성된 측으로 설치된다. 한편 상기 레티클(100)의 글래스면(102)이나 펠리클(110)에 이물질(200)이 부착된 경우, 도면에 도시된 바와 같이, 이물질(200)을 향하여 질소 건(300)에 의한 질소를 분사하여 이를 제거하였다. 그러나, 이러한 방식은 얇은 막인 펠리클(110)에 손상을 가져올 수 있으며, 또한 이물질(200)이 종종 제거되지 않는 경우가 있어 그 제거 효율도 떨어지는 문제점이 있었다. 2 is a view showing a method for removing foreign matter attached to a reticle or the like according to the prior art. Referring to the drawings, the reticle 100 is composed of a glass surface 102 on which the pattern 101 is drawn in chrome and a pellicle 110 which is a thin film for protecting the pattern 101 in chromium. ) Is installed to the side where the pattern 101 of the reticle 100 is formed through the frame 102. On the other hand, when the foreign matter 200 is attached to the glass surface 102 or the pellicle 110 of the reticle 100, as shown in the figure, nitrogen is injected by the nitrogen gun 300 toward the foreign matter 200 It was removed. However, this method may cause damage to the pellicle 110, which is a thin film, and there is a problem in that the foreign matter 200 is not often removed, so that the removal efficiency thereof is also lowered.
본 발명은 상기와 같은 사정을 감안하여 발명된 것으로, 반도체 노광공정을 진행하기 전에 노광공정에 사용되는 레티클 등에 부착된 이물질을 제거함에 있어서, 종래 사용되었던 질소 건에 의한 방법을 개선한 반도체 레티클의 이물질 제거방법을 제공하고자 함에 그 목적이 있다. The present invention has been made in view of the above circumstances, and in order to remove foreign substances adhering to a reticle or the like used in the exposure process before proceeding with the semiconductor exposure process, the semiconductor reticle has been improved. The purpose is to provide a method for removing foreign substances.
상기와 같은 목적을 달성하기 위한 본 발명 반도체 레티클의 이물질 제거방법은, 반도체 노광공정에 사용되는 레티클에 이물질이 부착되었는지 여부를 검사하는 단계, 상기 단계에서 이물질이 발견된 경우 진공으로 이를 흡착하여 제거하는 단계, 상기 단계에서 이물질이 정상적으로 제거되었는지 여부를 확인하는 단계, 상기 단계에서 이물질이 제거되었음이 확인된 경우 상기 레티클을 노광장치로 이송하여 노광공정을 진행하는 단계로 이루어지는 것을 특징으로 한다. The foreign material removal method of the semiconductor reticle of the present invention for achieving the above object, the step of inspecting whether the foreign matter is attached to the reticle used in the semiconductor exposure process, if the foreign matter is found in the step by removing it by vacuum adsorption The step of checking whether or not the foreign matter is normally removed in the step, and if it is confirmed that the foreign material has been removed in the step characterized in that it comprises the step of transferring the reticle to the exposure apparatus to proceed with the exposure process.
이하 본 발명의 실시예에 따른 구성 및 작용을 예시도면에 의거하여 상세히 설명한다. Hereinafter, the configuration and operation according to the embodiment of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.
도 3은 본 발명 반도체 레티클의 이물질 제거방법에 따른 절차의 흐름도이고, 도 4는 본 발명의 작용원리를 나타내는 도면이다. 도면을 참조하여, 본 발명에 의하여 이물질이 제거되는 과정을 살펴본다. 3 is a flowchart illustrating a procedure according to a method for removing foreign substances from a semiconductor reticle of the present invention, and FIG. 4 is a view showing the principle of operation of the present invention. With reference to the drawings, looks at the process of removing foreign matter by the present invention.
먼저, 제 1단계에서는 레티클(100)에 이물질(200)이 부착되었는지 여부를 검사한다. 노광장치에서 레티클(100)을 교체하거나 레티클(100)을 해당 장치로 이송하는 경우 레티클(100)에는 이물질(200)이 부착될 수 있으며, 특히 레티클(100)의 패턴(101)이 그려져 글래스면(102)과 레티클(100)을 보호하기 위한 펠리클(110)에 부착되는 이물질(200)은 노광공정에서 광원에서 조사된 빛을 산란시켜 공정에 악영향을 미치게 되므로 노광공정이 진행되기 전에 반드시 제거되야 한다. 상기 이물질(200)은 비교적 큰 것은 육안으로도 확인가능하며, 또는 투광기 등을 이용해서 검사할 수 있다. First, in the first step, it is checked whether the foreign matter 200 is attached to the reticle 100. When the reticle 100 is replaced in the exposure apparatus or the reticle 100 is transferred to the apparatus, a foreign material 200 may be attached to the reticle 100, and in particular, the pattern 101 of the reticle 100 is drawn on the glass surface. The foreign material 200 attached to the pellicle 110 to protect the 102 and the reticle 100 scatters the light irradiated from the light source in the exposure process and thus adversely affects the process, so it must be removed before the exposure process proceeds. do. The foreign matter 200 is relatively large can be confirmed with the naked eye, or can be inspected using a light emitter or the like.
제 2단계에서는, 제 1단계에서 발견된 이물질(200)을 제거하는데, 종래 질소 건을 사용했던 것을 개선하여 상기 이물질(200)을 진공으로 흡착할 수 있는 장치(400)를 사용하여 제거하는 방법을 사용한다. 질소 건은 타켓이 되는 레티클(100) 이나 펠리클(110)에 질소를 분사하므로, 질소의 유동에 따른 강한 압력이 그대로 얇은 막질인 펠리클(110)에 전달되어 펠리클(110)의 손상을 유발할 수 있으며, 또한 질소에 의해 외부로 밀려나가는 이물질(200)이 레티클(100)이나 펠리클(110)면과 계속적으로 접촉하면서 밀려나가게 되므로 레티클(100)이나 펠리클(110)면을 손상시킬 수 있다. 아울러 상기 이물질(200)은 최초 부착된 위치에서 질소 건에서 분사되는 질소에 의해서 어느 정도만 밀려나간 후 레티클(100) 등의 가장자리에 그대로 남아있어 완전히 제거되지 않을 수도 있다. 그러나, 본 발명에 의하면, 이물질(200)을 진공으로 흡착하는 방법을 이용하므로, 타켓에 가해지는 힘이 상대적으로 적고 이물질(200)이 최초 부착된 위치에서 바로 제거되므로 레티클(100)등의 면과 접촉될 필요가 없으며 제거 효율도 높아진다. In the second step, to remove the foreign matter 200 found in the first step, a method for removing the foreign matter 200 using an apparatus 400 capable of adsorbing the foreign matter 200 in a vacuum by improving the conventional nitrogen gun. Use Since the nitrogen gun injects nitrogen to the reticle 100 or the pellicle 110, which is a target, a strong pressure due to the flow of nitrogen is transmitted to the pellicle 110, which is a thin film, as it is, and may cause damage to the pellicle 110. Also, since the foreign matter 200 pushed out by the nitrogen is pushed out while continuously contacting the surface of the reticle 100 or the pellicle 110, the surface of the reticle 100 or the pellicle 110 may be damaged. In addition, the foreign material 200 may be pushed to some extent by the nitrogen injected from the nitrogen gun at the first attached position, and then remain at the edge of the reticle 100 and the like, and may not be completely removed. However, according to the present invention, since a method of adsorbing the foreign matter 200 in a vacuum is used, the force applied to the target is relatively small and the foreign matter 200 is immediately removed from the position where the foreign matter 200 is initially attached, such as the surface of the reticle 100. It does not need to be in contact with, resulting in higher removal efficiency.
제 3단계에서는, 이물질(200)이 제거되었는지 여부를 재차 검사한다. 앞서 살펴 본 대로, 레티클(100)에 부착된 이물질(200)은 공정에 악영향을 미치므로, 이에 대한 검사는 철저하게 이루어져야 한다. In the third step, it is again checked whether the foreign substance 200 has been removed. As described above, the foreign matter 200 attached to the reticle 100 adversely affects the process, so the inspection for this should be made thoroughly.
제 4단계에서는, 이물질(200)이 완전히 제거되었음을 확인하고, 레티클(100)을 노광장치로 이송하여 해당 공정을 진행한다. 이물질(200)이 완전히 제거된 상태에서는, 최초 설계된 대로의 패턴이 웨이퍼상에 구현될 수 있다. In the fourth step, it is confirmed that the foreign substance 200 is completely removed, and the reticle 100 is transferred to the exposure apparatus to proceed with the corresponding process. With the foreign material 200 completely removed, the pattern as originally designed can be implemented on the wafer.
본 발명은, 반도체 노광공정에 사용되는 레티클과 이를 보호하기 위한 펠리클에 있어서의 이물질을 제거하는 방법에 관한 것이지만, 종래 이물질을 제거하기 위해서 가스등을 분사하는 방법을 사용하였으나 그에 따른 여러가지 문제점을 유발하였던 기타 다른 공정에 있어서도, 해당 분야의 통상의 지식을 가진 업자에 의해 다양하게 적용될 수 있음은 자명한 것이다. The present invention relates to a method of removing foreign matters from a reticle used in a semiconductor exposure process and a pellicle for protecting the same. However, although a conventional method of spraying a gas or the like to remove foreign matters has caused various problems. It is obvious that other processes can be applied in various ways by those skilled in the art.
이상에서 살펴 본 바와 같이, 본 발명 반도체 레티클의 이물질 제거방법에 의하면, 노광공정에 사용되는 레티클 또는 펠리클에 부착된 이물질을 제거함에 있어서, 종래 사용되었던 질소 건에 의한 방법을 진공 흡착 방법으로 개선함으로써, 종래의 방법에서 레티클이나 펠리클에 손상을 유발시켰던 문제를 해소함과 동시에 종래의 방법에 비해 보다 효과적으로 이물질을 제거할 수 있고, 그에 따라 반도체 소자 제조에 있어서 수율을 크게 향상시킬 수 있는 효과가 있다. As described above, according to the method for removing foreign matters of the semiconductor reticle of the present invention, in removing foreign matters attached to the reticle or pellicle used in the exposure process, by improving the conventional method using a nitrogen gun by vacuum adsorption method In addition, the problem of causing damage to the reticle or pellicle in the conventional method can be solved, and foreign matter can be removed more effectively than the conventional method, and thus, the yield of the semiconductor device can be greatly improved.
도 1은 일반적인 노광장치의 개략적인 도면,1 is a schematic view of a general exposure apparatus,
도 2는 종래 기술에 의해서, 레티클 등에 부착된 이물질을 제거하는 방법을 도시한 도면,2 is a view showing a method for removing foreign matter attached to a reticle or the like according to the prior art;
도 3은 본 발명 반도체 레티클의 이물질 제거방법에 따른 절차의 흐름도,3 is a flow chart of a procedure according to a method for removing foreign matter from a semiconductor reticle of the present invention;
도 4는 본 발명의 작용원리를 나타내는 도면이다. 4 is a view showing the principle of operation of the present invention.
<도면의 주요부분에 대한 부호의 설명><Description of the symbols for the main parts of the drawings>
1 : 웨이퍼 10 : 광원1: wafer 10: light source
20 : 투영렌즈 30 : 웨이퍼스테이지20: projection lens 30: wafer stage
40 : 마스크 100: 레티클40: mask 100: reticle
101: 패턴 102: 글래스면101: Pattern 102: Glass surface
103: 프레임 110: 펠리클103: frame 110: pellicle
200: 이물질 300: 질소 건200: foreign matter 300: nitrogen gun
400: 진공 흡착 장치 400: vacuum adsorption device
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100906046B1 (en) * | 2007-09-06 | 2009-07-03 | 주식회사 동부하이텍 | Apparatus for loading and unloading reticle and method thereof |
| US9703186B2 (en) | 2014-11-14 | 2017-07-11 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Mask including pellicle, pellicle repairing apparatus, and substrate manufacturing equipment |
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- 2003-12-30 KR KR1020030099961A patent/KR20050070436A/en not_active Application Discontinuation
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| US9703186B2 (en) | 2014-11-14 | 2017-07-11 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Mask including pellicle, pellicle repairing apparatus, and substrate manufacturing equipment |
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|---|---|---|---|
| WITN | Withdrawal due to no request for examination |