KR20050067752A

KR20050067752A - Slurry supplying apparatus for use in a cemical-mechanical polisher and method thereof

Info

Publication number: KR20050067752A
Application number: KR1020030098766A
Authority: KR
Inventors: 김정민
Original assignee: 동부아남반도체 주식회사
Priority date: 2003-12-29
Filing date: 2003-12-29
Publication date: 2005-07-05

Abstract

본 발명의 화학적 기계적 연마 장치의 슬러리 공급장치 및 방법은 폴리싱 헤드의 폴리싱 하우징(410)의 상부에 있는 캐리어 헤드 커버(420)에는 회전축(411)이 관통하고 있다. 이 회전축(411)의 주위를 둘러싸도록 형성된 슬러리 공급 배관(500)은 상기 캐리어 헤드 커버(420)와 폴리싱 하우징(410)의 하부에 있는 캐리어(430)의 내부의 중공부에 삽입된 상부판(432)사이를 수평으로 뻗은 다음, 폴리싱 하우징(410)의 하부의 캐리어(430)를 수직으로 개재해서 캐리어(430)의 바닥에 형성된 리테이너 링(440)과 연통되어 있다.In the slurry feeding apparatus and method of the chemical mechanical polishing apparatus of the present invention, the rotating shaft 411 penetrates the carrier head cover 420 on the upper part of the polishing housing 410 of the polishing head. The slurry supply pipe 500 formed to surround the rotary shaft 411 has an upper plate inserted into a hollow part of the carrier 430 inside the carrier head cover 420 and the polishing housing 410. 432 extends horizontally, and then communicates with a retainer ring 440 formed at the bottom of the carrier 430 via the carrier 430 at the bottom of the polishing housing 410 vertically.

본 발명의 슬러리 공급장치 및 방법에 의하면, 폴리싱 헤드의 리테이너 링을 통해 슬러리가 공급되도록 변경하여 웨이퍼 폴리싱시 웨이퍼의 중앙부분에 직접 슬러리가 공급되므로 버려지는 슬러리의 양이 줄어들게 되어 비용이 절감되며, 불필요한 공간도 제거되며 웨이퍼의 생산성이 향상되는 효과를 가진다.According to the slurry supply apparatus and method of the present invention, the slurry is supplied through the retainer ring of the polishing head so that the slurry is directly supplied to the center portion of the wafer during wafer polishing, thereby reducing the amount of slurry discarded, thereby reducing costs. Unnecessary space is also removed and the productivity of the wafer is improved.

Description

SLURRY SUPPLYING APPARATUS FOR USE IN A CEMICAL-MECHANICAL POLISHER AND METHOD THEREOF

본 발명은 반도체 제조장비의 화학적 기계적 연마장치 및 방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 폴리싱 헤드의 내부에 슬러리 공급라인을 설치하고 헤드에 부착된 리테이너 링을 통해 슬러리를 공급하여 효율적으로 웨이퍼를 연마할 수 있는 화학적 기계적 연마 장치의 슬러리 공급장치 및 방법에 관한 것이다.The present invention relates to a chemical mechanical polishing apparatus and method of a semiconductor manufacturing equipment, and more particularly, by installing a slurry supply line inside a polishing head and supplying a slurry through a retainer ring attached to the head to efficiently polish a wafer. And a slurry feeder and method for chemical mechanical polishing apparatus.

잘 알려진 바와 같이, 반도체 제조 장비에 있어서, 웨이퍼가 대구경화됨에 따라 웨이퍼의 넓어진 면을 평탄화하기 위해서 화학적인 제거가공과 기계적인 제거가공을 하나의 가공방법으로 혼합한 화학적 기계적 연마(Oxide-Chemical-Mechanical Polishing; 이하 "CMP"라 한다) 장비가 이용되고 있다. 이러한 CMP 장비를 사용하는 CMP공정이란 단차를 가진 웨이퍼 표면을 폴리싱 패드위에 밀착시킨후, 연마제와 화학물질이 포함된 슬러리(slurry)를 웨이퍼와 폴리싱 패드사이에 주입시켜 웨이퍼의 표면을 평탄화시키는 방식이다.As is well known, in semiconductor manufacturing equipment, chemical mechanical polishing and chemical removal processing are combined in one processing method in order to planarize the widened surface of the wafer as the wafer is large-sized (Oxide-Chemical- Mechanical Polishing (hereinafter referred to as "CMP") equipment is used. CMP process using this CMP equipment is a method of flattening the surface of the wafer by injecting a slurry with a polishing agent and chemicals between the wafer and the polishing pad after the wafer surface with the step is in close contact with the polishing pad. .

종래의 웨이퍼 표면을 평탄화시키는 CMP 장치를 첨부한 도면을 이용하여 설명하면 다음과 같다.A conventional CMP apparatus for planarizing a wafer surface is described below with reference to the accompanying drawings.

도 1은 종래의 CMP 장치를 도시하는 도면으로, 도시된 바와 같이, 상부면에 웨이퍼(W)가 연마되는 폴리싱 패드(Polishing pad; 110)가 부착된 폴리싱 플래튼(platen; 100)이 미도시된 본체의 상측에 회전가능하게 설치되고, 하측에 웨이퍼(W)를 장착하여 폴리싱 패드(110) 상부면에 웨이퍼(W)를 일정한 압력으로 밀착시켜서 회전시키는 폴리싱 헤드(Polishign head; 200)가 폴리싱 플래튼(100)의 상측에 설치된다. 또한, 폴리싱 패드(110)의 표면을 미소절삭하여 새로운 미공들이 표면에 나오도록 하는 컨디셔너(300)가 장착된다.1 is a view illustrating a conventional CMP apparatus, and as illustrated, a polishing platen 100 having a polishing pad 110 on which a wafer W is polished is attached to an upper surface thereof. The polishing head 200 is rotatably installed on the upper side of the main body, and the wafer W is mounted on the lower side, and the polishing head 200 is rotated by closely attaching the wafer W to the upper surface of the polishing pad 110 at a constant pressure. It is installed on the upper side of the platen 100. In addition, the conditioner 300 is mounted to micro-cut the surface of the polishing pad 110 so that new pores appear on the surface.

플래튼(100)은 상면에 웨이퍼(W)가 연마되어 지는 폴리싱 패드(110)를 부착하며, 하면에 미도시된 구동수단과 연결된 회전축(120)을 형성하여 구동수단에 의해 단순한 회전운동을 한다.The platen 100 attaches a polishing pad 110 on which the wafer W is polished to an upper surface, and forms a rotation shaft 120 connected to a driving means not shown on the lower surface to perform a simple rotational movement by the driving means. .

폴리싱 헤드(200)는 플래튼(100)의 폴리싱 패드(110)의 상면에 위치하며 웨이퍼(W)가 장착된 폴리싱 하우징(210)과, 이 폴리싱 하우징(210)의 상측에 결합되는 회전축(211)을 형성하며 폴리싱 하우징(210)을 회전시킴과 아울러 일정 장소로 이송시키는 폴리싱 아암(220)으로 구성된다.The polishing head 200 is positioned on an upper surface of the polishing pad 110 of the platen 100 and has a polishing housing 210 on which a wafer W is mounted, and a rotating shaft 211 coupled to an upper side of the polishing housing 210. And a polishing arm 220 which rotates the polishing housing 210 and transfers it to a predetermined place.

컨디셔너(300)는 폴리싱 패드(110)의 상면에 위치하여 폴리싱 패드(110)의 표면에 슬러리를 담아두는 역할을 하는 수많은 발포 미공들이 막히지 않도록 폴리싱 패드(110)의 표면을 미소절삭하여 폴리싱 패드(110)의 표면에 미공들을 형성하는 것으로서, 폴리싱 패드(110)의 표면에 접하여 회전함으로서 폴리싱 패드(110)의 표면에 새로운 미공들을 형성하는 컨디셔너 엔드이펙터(310)와, 엔드이펙터(310)의 상측에 연결되는 회전축(321)이 하방으로 형성되고 내측에 회전력을 제공하는 모터(미도시) 및 기어박스(미도시)가 장착되는 컨디셔너 하우징(320)으로 구성된다.The conditioner 300 is located on the upper surface of the polishing pad 110 and micro-cuts the surface of the polishing pad 110 so as not to block a large number of foamed pores that serve to contain slurry on the surface of the polishing pad 110. Forming pores on the surface of the 110, the conditioner end effector 310 and the upper side of the end effector 310 to form new pores on the surface of the polishing pad 110 by rotating in contact with the surface of the polishing pad 110 Rotating shaft 321 connected to the lower portion is formed of a conditioner housing 320 is mounted to a motor (not shown) and a gear box (not shown) that provides a rotational force inside.

이상과 같은 CMP 장비를 사용하는 공정으로서, w-cmp, oxide-cmp 공정이 있으며, oxide-cmp 공정은 STI(Shallow Trench Isolation) 공정과, IMD(Inter Metal Dielectric) 및 PMD(Pre Metal Dielectric)으로 구분되며, 각각의 공정 특성에 맞게 조건을 조정하여 사용하고 있다.As a process using the above CMP equipment, there are w-cmp, oxide-cmp process, oxide-cmp process is STI (Shallow Trench Isolation) process, IMD (Inter Metal Dielectric) and PMD (Pre Metal Dielectric) The conditions are adjusted and used according to the characteristics of each process.

도 2는 종래의 폴리싱 헤드의 구조를 나타내고 있다. 도시된 바와 같이, 종래의 폴리싱 헤드(200)의 폴리싱 하우징(210)은 상부의 캐리어 헤드 커버(220)와 하부의 캐리어(230)로 구성된다.2 shows the structure of a conventional polishing head. As shown, the polishing housing 210 of the conventional polishing head 200 is composed of an upper carrier head cover 220 and a lower carrier 230.

한편, 상부의 캐리어 헤드 커버(220)는 그 내부에 T-바아(222)가 삽입되어 폴리싱 헤드(200)의 균형을 유지하고, 그 일측에는 나사(224)가 장착되어 T-바아(222)와 폴리싱 헤드(200)의 균형을 유지한다. 캐리어(230)는 그 내부에 중공부가 형성되고, 이 중공부에 서스(SUS)재질의 상부판(232)이 삽입되어 메인 헤드부와 공기의 공간을 만들어 주고, 캐리어(230)의 바닥에는 구멍이 형성되어 이 구멍을 통해 공기의 흐름을 전달한다. 캐리어(230)의 바닥에는 리테이너링(240)이 부착되어 그 사이에 위치되는 웨이퍼(W)를 가이드 한다. 웨이퍼(W)의 상부에는 멤브레인형태의 캐리어 필름(242)이 부착되어 웨이퍼의 이면을 부드럽게 밀어준다.On the other hand, the upper carrier head cover 220 is a T-bar 222 is inserted therein to maintain the balance of the polishing head 200, one side of the screw 224 is mounted T-bar 222 And the polishing head 200 to maintain balance. The carrier 230 has a hollow portion formed therein, and a top plate 232 made of sus material is inserted into the hollow portion to create a space between the main head portion and air, and a hole in the bottom of the carrier 230. It is formed to convey the flow of air through this hole. A retainer ring 240 is attached to the bottom of the carrier 230 to guide the wafer W positioned therebetween. A carrier film 242 in the form of a membrane is attached to the upper portion of the wafer W to gently push the back surface of the wafer.

웨이퍼(W)의 폴리싱시, 회전축(211)을 통해 공기가 공급되어 웨이퍼(W)의 상부에 있는 캐리어 필름(242)을 가압하여 웨이퍼(W)가 폴리싱 패드(110)에 밀착되도록 한다.When polishing the wafer W, air is supplied through the rotating shaft 211 to press the carrier film 242 on the wafer W so that the wafer W is in close contact with the polishing pad 110.

하지만, 이와 같이 구성된 종래의 CMP 장치는 플래튼(100)과 폴리싱 헤드(200)가 회전할 때, 폴리싱 헤드(200)와 떨어져 있는 별도의 슬러리 디스펜스 아암(400)을 통해 슬러리가 공급되어, 웨이퍼의 폴리싱시, 웨이퍼의 에지부분에서 웨이퍼의 중앙부분으로 슬러리가 공급되었다. 그러므로, 별도의 공급장치로 인하여 불필요한 설치공간을 필요로 하며, 결과적으로 웨이퍼의 중앙에 비해 에지부분이 상대적으로 제거율(Removal Rate)과, 불균일성(Non Uniformity)등 프로세스 데이터에 차이가 발생되어 웨이퍼의 수율에 악영향을 미치게 된다. 더구나, 헤드 부분보다 플래튼(100)부분이 넓기 때문에 웨이퍼에 공급되는 슬러리양보다 플래튼에서 버려지는 양이 많으므로, 비용면에서 좋지 않은 문제가 있었다.However, in the conventional CMP apparatus configured as described above, when the platen 100 and the polishing head 200 rotate, the slurry is supplied through a separate slurry dispense arm 400 which is separated from the polishing head 200, and thus, the wafer. During polishing, slurry was fed from the edge of the wafer to the center of the wafer. Therefore, a separate supply device requires unnecessary installation space. As a result, the edge portion is relatively different from the center of the wafer, resulting in differences in process data such as removal rate and non-uniformity. It will adversely affect the yield. Moreover, since the portion of the platen 100 is wider than the head portion, the amount of discarded from the platen is larger than the amount of slurry supplied to the wafer, and thus there is a problem in terms of cost.

따라서, 본 발명은 이에 따라 안출된 것으로, 그 목적은 폴리싱 헤드의 리테이너 링을 통해 슬러리가 공급되도록 변경하여 웨이퍼 폴리싱시 웨이퍼의 중앙부분에 직접 슬러리가 공급될 수 있는 CMP 장치의 슬러리 공급장치를 제공하는 것이다.Accordingly, the present invention has been devised accordingly, and an object thereof is to provide a slurry supply apparatus of a CMP apparatus in which the slurry is supplied to the center portion of the wafer during wafer polishing by changing the slurry to be supplied through the retainer ring of the polishing head. It is.

이러한 목적을 달성하기 위한 수단으로서, 본 발명의 화학적 기계적 연마 장치의 슬러리 공급장치는 회전축이 관통하는 상부의 캐리어 헤드 커버와, 하부의 캐리어 및 상기 캐리어 내부의 중공부에 삽입된 상부판으로 구성된 폴리싱 하우징를 포함하는 폴리싱 헤드와, 상기 회전축의 주위를 둘러싸도록 형성되어, 상기 캐리어 헤드 커버와 상부판사이를 수평으로 뻗은 다음, 하부의 캐리어를 수직으로 관통하여 상기 캐리어의 바닥에 부착된 리테이너 링을 개재해서 연통된 슬러리 공급관을 포함하여, 상기 리테이너 링사이에 부착된 웨이퍼에 슬러리를 공급한다.As a means for achieving the above object, the slurry supply apparatus of the chemical mechanical polishing apparatus of the present invention is a polishing consisting of an upper carrier head cover through which the rotating shaft penetrates, a lower carrier and a top plate inserted into the hollow part inside the carrier. A polishing head including a housing and formed to surround the rotational shaft, extending horizontally between the carrier head cover and the upper plate, and vertically penetrating the lower carrier, through a retainer ring attached to the bottom of the carrier. A slurry is supplied to the wafer attached between the retainer rings, including a connected slurry supply pipe.

또한, 회전축이 관통하는 상부의 캐리어 헤드 커버와, 하부의 캐리어 및 상기 캐리어 내부의 중공부에 삽입된 상부판으로 구성된 폴리싱 하우징을 포함하는 폴리싱 헤드와, 상기 캐리어를 수직으로 관통하여 상기 캐리어의 바닥에 부착된 리테이너 링을 개재해서 연통된 슬러리 공급관을 포함하여, 상기 리테이너 링사이에 부착된 웨이퍼에 슬러리를 공급하는 화학적 기계적 연마장치의 슬러리 공급방법을 제공한다.In addition, a polishing head comprising a polishing housing including an upper carrier head cover through which a rotating shaft penetrates, a lower carrier and an upper plate inserted into a hollow part inside the carrier, and a bottom of the carrier vertically penetrating the carrier. Provided is a slurry supplying method of a chemical mechanical polishing apparatus for supplying a slurry to a wafer attached between the retainer rings, including a slurry supply pipe connected via a retainer ring attached to the retainer ring.

본 발명에 의하면, 폴리싱 헤드의 리테이너 링을 통해 슬러리가 공급되도록 변경하여 웨이퍼 폴리싱시 웨이퍼의 중앙부분에 직접 슬러리가 공급되므로 버려지는 슬러리의 양이 줄어들게 되어 비용이 절감되며, 불필요한 공간도 제거되며 웨이퍼의 생산성이 향상되는 효과를 가진다.According to the present invention, the slurry is supplied through the retainer ring of the polishing head so that the slurry is directly supplied to the center portion of the wafer during polishing of the wafer, thereby reducing the amount of slurry discarded, thereby reducing costs and eliminating unnecessary space. Has the effect of improving the productivity.

이하, 첨부된 도면을 참조로 하여 본 발명의 바람직한 일실시예에 따른 화학적 기계적 연마 장치의 슬러리 공급장치를 상세히 설명한다. 도 1 및 도 2에 도시된 구성요소와 동일한 구성요소에는 참조부호 (400)을 부가하여 병기하고 그 상세한 설명은 생략하였다.Hereinafter, with reference to the accompanying drawings will be described in detail a slurry supply apparatus of a chemical mechanical polishing apparatus according to an embodiment of the present invention. The same components as those shown in FIGS. 1 and 2 are denoted by the reference numeral 400 and the detailed description thereof is omitted.

도 3은 본 발명의 바람직한 일실시예에 따른 화학적 기계적 연마 장치의 슬러리 공급장치를 도시하는 것으로, 도시된 바와 같이, 본 발명의 슬러리 공급장치는 폴리싱 헤드의 폴리싱 하우징(410)의 상부에 있는 캐리어 헤드 커버(420)에는 회전축(411)이 관통하고 있다. 이 회전축(411)의 주위를 둘러싸도록 형성된 슬러리 공급 배관(500)은 상기 캐리어 헤드 커버(420)와 폴리싱 하우징(410)의 하부에 있는 캐리어(430)의 내부의 중공부에 삽입된 상부판(432)사이를 수평으로 뻗은 다음, 폴리싱 하우징(410)의 하부의 캐리어(430)를 수직으로 개재해서 캐리어(430)의 바닥에 형성된 리테이너 링(440)과 연통되어 있다.Figure 3 shows a slurry feeder of a chemical mechanical polishing apparatus according to a preferred embodiment of the present invention, as shown, the slurry feeder of the present invention is a carrier on top of the polishing housing 410 of the polishing head The rotating shaft 411 penetrates the head cover 420. The slurry supply pipe 500 formed to surround the rotary shaft 411 has an upper plate inserted into a hollow part of the carrier 430 inside the carrier head cover 420 and the polishing housing 410. 432 extends horizontally, and then communicates with a retainer ring 440 formed at the bottom of the carrier 430 via the carrier 430 at the bottom of the polishing housing 410 vertically.

본원발명의 특징적 구성으로서, 화학적 기계적 연마장치의 슬러리 공급장치는 회전축(411)이 관통하는 상부의 캐리어 헤드 커버(420)와, 하부의 캐리어(430) 및 상기 캐리어(430) 내부의 중공부에 삽입된 상부판(432)으로 구성된 폴리싱 하우징(410)을 포함하는 폴리싱 헤드와, 상기 캐리어(430)를 수직으로 관통하여 상기 캐리어(430)의 바닥에 부착된 리테이너 링(440)을 개재해서 연통된 슬러리 공급관(500)을 포함함으소, 상기 리테이너 링(440)사이에 부착된 웨이퍼에 슬러리를 공급하게 된다.As a characteristic configuration of the present invention, the slurry supply apparatus of the chemical mechanical polishing apparatus includes an upper carrier head cover 420 through which the rotating shaft 411 penetrates, a lower carrier 430 and a hollow inside the carrier 430. Communicating through a polishing head including a polishing housing 410 composed of an inserted top plate 432 and a retainer ring 440 vertically penetrating the carrier 430 and attached to the bottom of the carrier 430. Including the slurry supply pipe 500, the slurry is supplied to the wafer attached between the retainer ring 440.

이상과 같이 구성된 본 발명의 화학적 기계적 연마 장치의 슬러리 공급장치는 웨이퍼(W)의 폴리싱시, 슬러리 공급관(500)을 통해 슬러리를 공급하면, 슬러리 공급관(500)이 회전축(411)의 주위를 둘러싸도록 형성되어 있으므로, 슬러리 공급관(500)을 통해 공급된 슬러리는 캐리어 헤드 커버(420)와 상부판(432)사이를 수평으로 통해서 하부의 캐리어(430)를 수직으로 연통하여, 캐리어(430) 바닥에 형성된 리테이너 링(440)으로 공급된다. 리테이너 링(440)에 공급된 슬러리는 그 곳에 형성된 구멍을 통해 웨이퍼(W)와 폴리싱 패드(110)사이에 직접적으로 공급된다.In the slurry supply apparatus of the chemical mechanical polishing apparatus of the present invention configured as described above, when the slurry is supplied through the slurry supply pipe 500 during polishing of the wafer W, the slurry supply pipe 500 surrounds the circumference of the rotation shaft 411. The slurry supplied through the slurry supply pipe 500 is vertically communicated with the carrier 430 at the bottom through the horizontally between the carrier head cover 420 and the upper plate 432, so that the carrier 430 is bottomed. It is supplied to the retainer ring 440 formed in the. The slurry supplied to the retainer ring 440 is directly supplied between the wafer W and the polishing pad 110 through holes formed therein.

상술한 바와 같이 본 발명의 슬러리 공급장치는 폴리싱 헤드의 리테이너 링을 통해 슬러리가 공급되도록 변경하여 웨이퍼 폴리싱시 웨이퍼의 중앙부분에 직접 슬러리가 공급되므로 버려지는 슬러리의 양이 줄어들게 되어 비용이 절감되며, 불필요한 공간도 제거되며 웨이퍼의 생산성이 향상되는 효과를 가진다.As described above, the slurry supply apparatus of the present invention changes the slurry to be supplied through the retainer ring of the polishing head so that the slurry is directly supplied to the center portion of the wafer during polishing of the wafer, thereby reducing the amount of slurry discarded, thereby reducing costs. Unnecessary space is also removed and the productivity of the wafer is improved.

이상에 설명한 바와 같은 본 발명에 따른 화학적 기계적 연마장치의 슬러리 공급장치는 하나의 실시예에 불과한 것으로서, 본 발명은 상기한 실시예에 한정되지 않고, 이하의 특허청구범위에서 청구하는 바와 같이, 본 발명의 요지를 벗어남이 없이 당해 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 누구든지 변경내지 변형 실시가 가능한 범위까지 명의 기술적 정신에 포함된다고 보아야 할 것이다.As described above, the slurry feeding device of the chemical mechanical polishing apparatus according to the present invention is just one embodiment, and the present invention is not limited to the above-described embodiment, and as claimed in the following claims, Without departing from the gist of the invention, one of ordinary skill in the art should be considered to be included in the technical spirit to the extent that changes or modifications can be carried out.

도 1은 반도체 제조 장치의 CMP 장비의 작동을 설명하는 개략도이고,1 is a schematic diagram illustrating the operation of the CMP equipment of the semiconductor manufacturing apparatus,

도 2는 도 1의 폴리싱 헤드의 구성을 나타내는 개략 단면도이고,2 is a schematic cross-sectional view showing the configuration of the polishing head of FIG. 1,

도 3은 본 발명의 바람직한 일실시예에 따른 슬러리 공급장치가 CMP 장치의 폴리싱 헤드에 설치된 상태를 나타내는 개략단면도이다.Figure 3 is a schematic cross-sectional view showing a state in which the slurry supply apparatus is installed in the polishing head of the CMP apparatus according to an embodiment of the present invention.

<도면의 주요부분에 대한 부호의 설명><Description of the symbols for the main parts of the drawings>

100 : 플래튼 110 : 폴리싱 패드100: platen 110: polishing pad

200 : 폴리싱 헤드 410 : 폴리싱 하우징200: polishing head 410: polishing housing

411 : 회전축 420 : 캐리어 헤드 커버411: rotating shaft 420: carrier head cover

422 : T-바아 424 : 나사422 T-bar 424 screw

430 : 캐리어 432 : 상부판430: carrier 432: top plate

440 : 리테이너 링 500 : 슬러리 공급관440: retainer ring 500: slurry supply pipe

Claims

A slurry supply apparatus of a chemical mechanical polishing apparatus,

A polishing head including an upper carrier head cover through which a rotating shaft penetrates, a polishing housing including a lower carrier and an upper plate inserted into a hollow part inside the carrier;

It is formed so as to surround the rotation axis and penetrates the carrier head cover, extends horizontally between the carrier head cover and the top plate, and passes through the carrier vertically through a retainer ring attached to the bottom of the carrier. Including a connected slurry feed pipe,

Slurry supply apparatus of the chemical mechanical polishing apparatus for supplying a slurry to the wafer attached between the retainer ring.

A slurry supply pipe passing vertically through the carrier and communicating through a retainer ring attached to the bottom of the carrier;

A slurry supply method of a chemical mechanical polishing apparatus for supplying a slurry to a wafer attached between the retainer rings.