KR20050067416A - 제품 또는 제품 포장에 도포된 인증마크의 온라인 검증 - Google Patents
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Abstract
서브스트레이트(28)의 인증 마크 도포를 검증하는 시스템 및 방법을 공개한다. 감광 화합물을 사용하여 제품 또는 제품 포장을 식별할 수 있다. 생산 라인(24)에 놓을 수 있는 프린터(22)는 제품 또는 제품 포장에 최소한 하나의 감광 화합물을 인쇄하며, 이 때 최소한 인증 마크(26)의 한 부분이 인쇄된다. 생산 라인(24)에 놓을 수 있는 확인 장치(40)는 제품 또는 제품 포장에 최소한 하나의 감광 화합물 도포를 검증한다.
Description
본 출원은 2000년 4월 24일 접수한 공동출원 미국특허출원 일련번호09/556,280의 일부계속출원(continuation-in-part)에 대한 혜택 및 2002년 2월 1일에 접수한 공동출원 미국특허출원 일련번호 60/353,481에 대한 혜택을 청구하는 바이다.
본 발명은 제품 또는 제품 포장에 대한 인증 마크 도포의 최소한 한 부분을 검증하는 장치 및 방법에 관한 것이다.
브랜드 정체성(brand identity)은 시장에서 매우 중요한 역할을 한다. 이는 소비자들에게 제품을 식별할 수 있는 방법을 제공하고 특정 공급원에서 나오는 제품을 신뢰할 수 있도록 한다. 또한 회사들이 고객을 유치하고 영업권을 구축할 수 있는 방법을 제공하여 재구매를 촉진시킨다. 그렇기 때문에 회사들은 이러한 브랜드 정체성을 구축하기 위해 광고와 제품 개발에 수십억 달러를 소비한다.
브랜드 정체성의 혜택과 이에 소비한 자원은 위조자에게 강력한 인센티브를 형성시킨다. 브랜드 정체성을 위협하고 있는 가장 일반적인 부정 및 불법 행위는 제품 자체의 위조 행위, 정품 또는 위조된 제품에 사용할 포장이나 용기를 위조하거나 절도하는 행위, 중개인이 특정 시장을 위해 제조된 제품을 경쟁 시장에서 판매하기 위해 해당 시장에서 구입하여 빼돌리는 행위이다.
이러한 행위는 브랜드 소유주에게 막대한 손해를 입히게 되며 여기에는 판매 손실, 소비자의 브랜드 지각에 대한 손상, 위조 제품에 대해 청구된 배상의 책임이 포함된다. 예를 들어 국제위조방지연합(International Anti-Counterfeiting Coalition)은 위조 행위로 인해 매년 2조 달러에 달하는 전세계적인 매출 손실이 발생하고 있다고 추정하고 있다. 이 외에도, 라벨 업계에서는 위조 행위가 세계 무역의 10% 이상을 차지한다고 추정하고 있다. 마지막으로, 제약회사들은 위조 약품으로 인한 판매 손실로 인도에서만 약 5억 달러의 손해가 발생하고 있다고 추정하고 있다.
손상된 브랜드 정체성 이외에도 저작물의 무단 복제로 인해 저작물에 대한 권한 또한 침해를 당할 수 있다.
흔히 지정된 미국특허 번호 5,753,511 및 미국특허 일련번호 09/232,324는 전체적으로 여기에 참조되어 적용하였으며, 제품의 인증 확립 및 공급원을 구축할 수 있도록 제품의 평가과 식벽을 위한 자동화된 방법을 공개한다. 이러한 발명의 측면은 감광 화합물을 사용하는 제품의 핵심 요소 및(또는) 핵심 요소의 상대적인 양을 식별하기 위한 자동화된 방법과 관련있다. 특히, 실험 중에 식별용 감광(lightsensitive) 화합물 및 실험하려는 소량의 샘플을 혼합하였다. 특정 감광 화합물을 포함하는 샘플을 맞춤형 광학 스캐너에 근접시켜 스캐너를 사용하여 샘플이 방출하는 특정 파장의 광발광을 감지한다.
'511호 특허 및 '324호 출원에 공개된 실험 절차의 한 이점은 검증하려는 샘플을 실험하기 전에 즉시 특정 감광 화합물과 혼합하는데 있다. 이 방법은 제품을 소비할 수 있도록 순수하게 유지하되 제품의 핵심 구성요소와 특정 감광 화합물을 상호 작용할 수 있도록 하여 제품에 대한 지문(fingerprint)을 구축한다.
어떤 경우에는, 제품이나 포장에 식별 또는 인증 마크를 영구적으로 표시하는 것이 바람직할 수 있다. 예를 들어 이러한 식별은 제품 자체의 진품 여부, 제품 생산 시기 및 장소, 제품 포장의 진품 여부, 또는 제품 포장이 제품과 관련 있는지 여부를 감지할 수 있도록 한다. 알려진 영구 표시 방법에는 제품이나 제품 포장에 비가시적 잉크, 홀로그램 또는 기타 식별 표시의 사용이 포함된다. 그러나 이러한 기술 중 일부는 주변광 조건에서 실용적이지 못하므로 소매상점과 같은 조명 구역에서 사용할 수 없다. 다른 방법으로는 제품이나 포장을 적외선 흡수 첨가물을 포함하는 잉크로 인쇄하는 방법이 있다. 스캐너는 적외선 흡광도를 감지하는데 사용되며, 첨가물의 존재를 나타낸다. 이 방법에는 여러 단점이 있다. 예를 들어 이 방법으로는 제품 특정 정보를 식별할 수 없다. 대신 첨가물을 포함하는 또는 포함되지 않은 제품이나 포장을 구별할 수 있다. 그러므로 다른 제품, 제조 장소, 또는 기타 원하는 정보의 식별이 가능하지 않다. 이 외에도, 잉크를 읽는데 사용하는 스캐너는 전용 스캐너로서 바코드와 같은 기타 정보를 읽어 낼 수 없다.
상기 언급한 방법의 단점을 흔히 지정된 미국특허 출원 일련번호 09/556,280호에서 해결하였으며, 여기에 전체적으로 참조하여 적용하였다. 예를 들어, 제품 제조 중이나 제조 후에 하나 이상의 감광 화합물을 잉크와 혼합하여 제품이나 제품 포장에 인쇄하여 일반 조명과 광학 스캐너로 감지할 수 없는 여러 조각의 정보를 제공할 수 있는 최소한 식별자 또는 인증 마크의 한 부분을 생성할 수 있도록 하였다. 제품이나 포장 인증을 바로 신속하게 확인할 수 있다. 어떤 경우에는, 포장의 바코드가 인증 마크일 수도 있다. 이런 관점에서 인증 장치는 제품 식별을 위해 바코드를 신속하게 스캔하며 또한 제품 및(또는) 포장의 진품 여부를 검증하는데에 사용된다. 제품 포장의 인증 여부는 제품 자체의 인증 여부로 연결지을 수 있다. 그러므로 위조 제품이나 포장 감지 이외에도 진품 유출도 재빠르게 탐지할 수 있다.
도면의 간단한 설명 이제 현재 발명에 대해 도면을 참조한 예를 통해 설명하도록 한다.
도1은 검증 장치를 포함하고 있는 생산 라인의 개략도이다.
도2는 발명의 관점에 따른 프로세스 다이어그램이다.
도3은 도1의 검증 장치에 대한 한 실시예의 개략도이다.
도4는 정선된 감광 화합물을 나타낸 그래프이다.
도5-8은 여러 감광 화합물의 화학 구조를 나타낸 것이다. 그리고,
도9는 두 감광 화합물의 광발광(light emission)을 나타낸 그래프이다.
한 실시예에서는 서브스트레이트에 인증 마크의 최소한 한 부분을 도포하고 서브스트레이트의 최소한 한 부분의 마크 도포를 검증하는 시스템을 제공하였다. 서브스트레이트는 생산라인에서 처분된다 시스템은 최소한 한 부분의 인증 마크를 생산하기 위해 서브스트레이트에 최소한 하나의 감광 화합물을 도포하도록 구성 및 배열된 생산라인에 배치할 수 있는 도포기, 그리고 서브스트레이트의 최소한 하나의 감광 화합물 도포를 검증하도록 구성 및 배열된 생산라인에 배치할 수 있는 검증 장치가 포함된다.
다른 실시예에서는 서브스트레이트에 인증 마크의 최소한 한 부분을 도포하고, 최소한 한 부분의 마크 도포를 검증하는 방법을 공개하였다. 서브스트레이트는 생산라인에서 처분된다. 이 방법은 서브스트레이트가 생산라인을 따라 이동할 때 적어도 하나의 감광 화합물을 서브스트레이트에 도포하여 인증 마크를 적어도 하나 생성하는 도포작업과 서브스트레이트가 생산 라인을 따라 이동할 때 감광 화합물의 도포를 적어도 하나 확인하는 절차로 구성되어있다.
또 다른 실시예에서는 서브스트레이트에 인증 마크의 최소한 한 부분을 도포하고 서브스트레이트의 최소한 한 부분의 마크 도포를 검증하는 시스템을 제공하였다. 서브스트레이트는 생산라인에서 처분된다. 시스템은 최소한 한 부분의 인증 마크를 생산하기 위해 서브스트레이트에 최소한 하나의 감광 화합물을 인쇄하도록 구성 및 배열된 생산라인에 배치할 수 있는 프린터, 그리고 서브스트레이트의 최소한 하나의 감광 화합물 도포를 검증하도록 구성 및 배열된 생산라인에 배치할 수 있는 검증 장치가 포함된다. 검증 장치는 프레임 및 프레임에 고정된 광원으로 구성되어 있다. 광원은 사전에 정한 파장의 빛을 방출하도록 되어 있어 최소한 하나의 감광 화합물과 서브스트레이트를 감지할 수 있도록 하였다. 프레임에 고정되어 있는 여기필터는 광원과 함께 작용하여 광원으로부터 방출되는 빛의 원하지 않는 파장을 여과시킨다. 프레임 및 최소한 하나의 광원 및 여기필터는 사용자가 프레임으로부터 적어도 하나의 광원과 여기 필터를 제거할 수 있도록 제조 및 배열되어 있어 사용자가 다른 사전에 정한 광파장의 빛을 방출하는 다른 광원을 최소한 하나 사용하거나 광원으로부터 방출되는 빛의 원하지 않는 다른 파장을 여과할 수 있는 다른 여기필터를 사용할 수 있다. 검증 장치는 최소한 하나의 감광 화합물의 최소한 첫 광반응을 감지하는 감지기 및 지문에 대한 최소한 첫 광반응을 비교하기 위한 컨트롤러로 구성되어 있다.
본 발명의 여러 실시예에서는 이전 방법에 대한 장점과 결점의 해결책을 제공한다. 본 발명의 실시예는 동일한 이점을 공유하지 않을 수 있으며, 공유한 경우에는 모든 조건하에공유하는 것이 아닐 수 있다. 그러므로, 현재 발명은 제품이나 제품 포장의 도포된 인증 코드의 최소한 한 부분을 검증하는 온라인 검증의 여러 장점을 제공한다.
현재 발명의 다른 기능 및 장점은 여러 실시예의 구조와 함께한 도면을 참조하여 아래 자세히 설명되어 있다.
본 발명은 제품이나 제품 포장에 있는 인증 마크를 부분적이라도 도포하고, 마크 내의 핵심 구성요소를 분석하여 인증 마크의 도포를 부분적이라도 검증하기 위한 것이다. 감광 화합물은 제품이나 제품 포장을 식별하는데 사용할 수 있다. 한 측면에서는, 제품이나 제품 포장에 바코드나 기타 식별자와 같은 하나 이상의 감광 화합물로 구성된 인증 마크가 포함되어 있을 수 있다. 전체 마크 또는 마크의 일부분을 제품이나 제품 포장이 생산라인을 따라 이동할 때 제품이나 제품 포장 하나 이상의 위치에 도포할 수 있다. 마크는 육안으로 볼 수 있거나 볼 수 없을 수 있으며 가시적 또는 비가시적 잉크가 포함될 수 있다. 본 발명에 언급된 출원특허를 전체적으로 적용한 공동출원 미국특허 일련번호 10/212,334에 언급된 바와 같이 제품이나 제품 포장의 인증 마크를 제거하지 못하기 위해 실러(sealer)를 마크 위에 도포하여 조작 방지(tamper-resistant) 마크를 생성할 수 있다. 마크 또는 마크 일부에 사용된 감광 화합물 도포를 확인하는 장치는 생산 라인 또는 생산 라인 가까이 배치할 수 있다. 이 장치에는 감광 화합물을 감지하기 위한 광원, 감광 화합물로부터의 광반응 또는 견본 특성을 감지하기 위한 하나 이상의 광학 감지기, 기준 특성과 방출 또는 흡수된 영역을 비교하여 제품이나 제품 포장의 감광 화합물 도포를 검증하기 위한 컨트롤러가 포함되어 있을 수 있다. 컨트롤러는 측정된 특성이 기준 특성과 동일한 경우 제품이나 제품 포장을 생산라인 따라 계속 진행시켜 포장 또는 선적 처리 등의 추가 절차를 거치도록 할 수 있다. 비교 결과가 만족스럽지 않은 경우, 제품이나 제품 포장을 생산 라인에서 제거하거나 다른 조치가 취해질 수 있다. 마크의 도포 및 검증은 수동 또는 자동 컨베이어 기반의 인쇄 라인, 재고 관리, 배포 관리 및 제품 인증과 같은 여러 영역에서 유용하게 사용할 수 있다.
광발광(light-emissive) 화합물은 광조사에 반응하여 빛을 방출한다. 광발광의 원인은 인광, 화학발광 또는 선호하는 형광일 수 있다. 구체적으로, 여기서 사용한 용어 "광발광 화합물"은 다음 특성 중 하나 이상을 가지고 있는 화합물을 말한다. 1) 형광, 인광 또는 발광성, 2) 적어도 하나의 형광, 인광, 또는 발광 화합물을 얻기 위해 샘플, 표준 또는 2가지 모두의 구성요소와 반응, 또는 상호작용 3) 방출 파장(emission wavelength)에서 방출을 변화시키기 위해 샘플 제품, 표준 또는 모두와 적어도 하나의 형광, 인광 또는 발광 화합물과 반응 또는 상호작용.
광흡수(light-absorbing) 화합물은 광조사에 반응하여 빛을 흡수한다. 광흡수는 당업자가 알고 있는 어떤 화학 반응의 결과로 나타나는 현상일 수 있다. 그러므로, 현재 발명은 광조사에 반응한 빛의 방출을 참조하여 아래 설명할 수 있지만 현재 발명은 이에 제한되지 않으며 광흡수 화합물을 사용해도 된다.
여기서 사용되는 용어 "감광(light-sensitive) 화합물"은 광발광 화합물 및 광흡수 화합물을 의미한다.
여기서 사용되는 용어 "지문(fingerprint)"은 표준(예: 정품) 제품 또는 제품 포장의 혼합에 하나 이상의 감광 화합물으로부터의 광발광 또는 흡광도, 그리고(또는) 특정 파장이나 파장 범위에서의 광도 붕괴(intensity decay)를 의미한다. 따라서, 각 제품 또는 제품 포장은 특정 지문(fingerprint)이 있을 수 있다.
"어센틱(authentic)" 또는 이에 파생된 모든 것은 진짜로 식별, 조작되지 않음, 원점의 식별 또는 기타 원하는 정보를 의미한다.
여기서 사용되는 용어 "지문 프로파일"은 다른 감광 화합물과의 시리즈(또는 프로파일)와 조합한 표준 지문(fingerprint)의 어셈블리를 의미한다.
여기서 사용되는 용어 "샘플 특성" 또는"광반응"은 견본 제품이나 제품 포장에서 나오는 광발광량 또는 광흡수량 또는 광도 및(또는) 광도 붕괴 또는 하나 이상의 감광 화합물의 변화량을 나타낸다.
용어 "서브스트레이트"는 감광 화합물을 도포할 수 있는 모든 표면을 의미한다.
용어 "비가시적"은 육안으로 볼 수 없다는 것을 의미한다.
용어 "가독성 이미지"는 사람이나 기계가 읽을 때 정보를 전달하는 이미지를 의미한다. 예에는 숫자, 문자, 단어, 로고 및 바코드를 포함하되 이에 제한되지 않는다.
"가시" 범위는 400-700 nm이다.
"UV" 범위는 40-400 nm이다.
"IR" 범위는 700-2400 nm이다.
"근적외선(near IR)" 범위는 650-1100 nm이다.
상기 간단하게 설명한 바와 같이, 시스템과 방법은 제품이나 제품 포장이 생산라인을 따라 이동할 때 제품이나 제품 포장의 인증 마크를 부분적이라도 도포하고 검증하기 위해 수용되었다. 한 실시예에서, 시스템에는 서브스트레이트 위에 인증 마크를 부분적이라도 생성하기 위해 감광 화합물을 적어도 하나 인쇄할 수 있는 구성 및 배열된 프린터가 포함되어 있고, 마크 또는 서브스트레이트 위의 감광 화합물 도포를 검증하기 위해 구성 및 배열된 검증 장치가 포함되어 있다. 프린터 및 검증 장치는 모두 생산 라인에 배치할 수 있다.
일부 실시예에서는, 감광 화합물과 결과적인 인증 마크 부분을 육안으로 보지 못할 수 있다. 그러므로 감광 화합물이 서브스트레이트에 올바르게 도포되었는지 여부를 확인하는 것이 바람직하다. 이런 점에서, 첫 째, 감광 화합물이 서브스트레이트에 도포되었는지 여부를 확인하고, 둘 째, 감광 감광 화합물의 유형과 양을 올바르게 사용했는지 여부를 확인하는 것이 매우 중요할 수 있다.
도1에 보인것과 같이 서브스트레이트에 인증 마크의 최소한 한 부분이라도 도포하기 위한 시스템 및 마크에 대한 한 실시예가 표시되어 있다. 시스템 20에는 생산 라인 24에 배치할 수 있는 프린터 22가 포함되어 있다. 프린터 22는 서브스트레이트 28 위에 인증 마크 26의 최소한 한 부분이라도 인쇄할 수 있도록 구성 및 배열되어 있다. 서브스트레이트 28은 제품이나 제품 포장일 수 있고 이는 컨베이어 벨트 30이 포함될 수 있는 생산 라인 24에 위치하고 있으며 이러하여 서브스트레이트는 방향선 32를 따라 다운라인으로 이동할 수 있다. 상기 언급한 바와 같이, 프린터는 인증 마크의 최소한 한 부분이라도 형성하기 위해 서브스트레이트 위에 감광 화합물을 최소한 하나를 인쇄한다.
시스템 20은 감광 화합물이 도포되었는지, 원하는 감광 화합물인지, 또는 원하는 양인지 확인하기 위해 프린터 22의 다운라인 위치에 검증 장치 40를 추가로 포함한다. 시스템은 프린터 22 및 검증 장치 40과 상호작용하는 컨트롤러 42를 추가로 포함시킬 수 있다. 컨트롤러는 견본 특성 또는 광반응(광발광 또는 감광 화합물에의해 흡수되는 반응)을 지문 또는 지문 프로파일과 같은 기준과 비교하는데 사용할 수 있다. 광반응이 나타나면 서브스트레이트에 감광 화합물이 포함되어 있다고 간주한다. 광반응을 표준에 비교했을 때 좋은 결과가 나오면 올바른 유형 및 올바른 양의 감광 화합물이 도포되었다고 간주한다. 검증 장치를 이용하여 마크 및(또는) 서브스트레이트에서 한 곳 이상의 샘플을 측정하고, 이 측정치로 신뢰수준(level of confidence)을 계산할 수 있다. 신뢰수준이 충분히 높으면 마크가 검증된 것이다.
이 외에도, 인증 마크가 검증되지 않았다고 판단될 때 자동으로 적합한 교정 조치를 내리도록 컨트롤러를 사용할 수 있다. 서브스트레이트에 인증 마크를 도포하는 것을 교정할 수 있도록 컨트롤러 42는 프린터 22에 인쇄 중지 신호를 보낼 수 있다. 이 외에도 컨트롤러 42는 프린터 22와 통신하여 프린터가 서브스트레이트에 도포할 감광 화합물의 유형과 양을 조절할 수 있도록 한다. 또 프린터 22는 컨트롤러 42로부터 신호를 받아 서브스트레이트에 인쇄되는 위치나 정보를 조절할 수 있다.
시스템은 표시기 44를 포함하며 이것은 컨트롤러 42를 통해 또는 직접 검증 장치 40 및 원하는 경우 프린터 22와 통신할 수 있다. 표시기는 인증 마크의 검증 여부를 사용자에게 나타낼 때 사용할 수 있다. 한 실시예에서, 표시기에는 적색 또는 녹색 표시등이 있으며 각각 검증되지 않은 것과 검증된 상태를 나타낸다. 물론 가시 신호 대신, 또는 가시 신호 외에도 가청 신호(audible signal)를 사용할 수 있다.
컨트롤러 42는 생산 라인 컨트롤러(표시되어 있지 않음)와 통신하거나, 자체가 생산라인 컨트롤러의 일부일 수 있다. 이런 관점에서, 검증 장치에 인증 마크가 검증되지 않았다고 표시되면 생산 라인 컨트롤러는 서브스트레이트의 차후 처리 문제에 대해 적합한 조치를 내린다. 이런 관점에서, 서브스트레이트에 잘못된 인증 마크가 도포되었다고 나타나면, 생산 라인 컨트롤러는 컨베이어 30으로 하여금 서브스트레이트가 선적제외 구역이나 원래 지정된 위치와 다른 곳으로 선적되도록 지시할 수 있다. 예를 들어 검증되지 않은 서브스트레이트를 다른 생산 라인, 즉 쓰레기용 슈트 또는 보조 라인으로 이동시켜 마크를 제거하고 서브스트레이트를 주 생산 라인으로 도로 보내 다시 인쇄하도록 할 수 있다. 컨트롤러 42 또는 플랜트 컨트롤러는 사용자가 프로그램할 수 있는 장치일 수 있으므로 인증 마크가 올바르지 않거나 올바르지 않게 도포되었다고 표시되면 사용자는 원하는 결과에 따라 서브스트레이트를 특정 위치로 보낼 수 있다.
검증 장치는 서브스트레이트와 떨어진 생산 라인 위에 배열하여 서브스트레이트가 의도하지 않은 주변광과 같은 주변 환경의 영향을 크게 받지 않고 검증될 수 있도록 한다. 한 실시예에서는, 검증 장치가 서브스트레이트와 붙어 있다.
다른 실시예에서는 검증 장치가 서브스트레이트와 12mm 떨어진 곳에 놓여 있고, 검증 장치를 더 멀리 또는 더 가까이 놓을 수 있지만 현재 발명은 이 관점에 제한되지 않는다. 다른 실시예에서는 검증 장치가 핸드헬드 장치이므로 생산라인의 작업자가 검증 장치를 들고 각 서브스트레이트를 수동으로 스캔할 수 있다.
어떤 경우에는, 검증 장치를 사용하여 서브스트레이트의 추가 정보를 읽는 것이 바람직 할 수 있다. 예를 들어 서브스트레이트 또는 마크에 포함되어 있는 디자인, 로고, 패턴, 또는 기타 정보를 읽는 것이 바람직 할 수 있다. 그러므로, 한 실시예에서는 검증 장치가 감광 화합물의 존재 또는 부재를 확인하는 상대적으로 간단한 장치일 수 있으며, 또 다른 실시예에서는 검증 장치가 제품 정보, 즉 날짜, 시간, 제조 소스 또는 장소, 계획된 유통 채널, 또는 기타 원하는 정보를 확인할 수 있는 장치일 수 있다. 이는 서브스트레이트에 사용할 수 있는 여러 감광 화합물을 구별하여 수행할 수 있으며, 각 감광 화합물은 특정 정보를 제공한다. 또 소프트웨어를 검증 장치나 관련 컨트롤러에 사용하여 장치가 적합한 기술, 즉 광학 또는 패턴 인식과 같은 기술을 사용해서 정보를 읽을 수 있도록 할 수 있다. 검증 장치는 마크의 크기 및 모양뿐 아니라 마크에 사용된 감광 화합물도 검증할 수 있다.
도1과 같이, 검증 장치 40은 프린터 22의 다운라인 위치에 놓여있다. 액체 감광 화합물을 사용할 경우, 광발광 화합물은 검증되기 전에 건조할 필요가 없기 때문에 프린터와 검증 장치 간 떨어져 있는 거리는 중요하지 않다.
또 상기 언급한 바와 같이, UV 경화형 코팅층을 감광 화합물에 사용하여 위조 방지 마크를 제조할 수 있다. UV 경화 스테이션(표시되어 있지 않음)은 검증 장치 전, 또는 다음에 배치할 수 있다. 한 실시예에서는 UV 경화 스테이션이 검증 장치 전에 놓여 있으나, 어떤 경우에는 UV 경화 스테이션을 검증 장치 다음에 배치하는 것이 바람직 할 수 있다. 예를 들어, 만약 제거될 수 있는 감광 화합물로 서브스트레이트에 도포한 후 이것이 검증되지 않은 것으로 판단될 경우, 감광 화합물이나 전체 마크를 제거하고 서브스트레이트를 돌려 보내 다시 인쇄하도록 할 수 있다. 이런 경우, 감광 화합물의 위조 방지화는 마크가 검증되기 전에 하지 않는 것이 바람직하다.
어떤 경우에는, 여러 가지 다른 감광 화합물과 서브스트레이트를 확인할 수 있도록 변경될 수 있는 검증 장치의 사용이 바람직하다. 감광 화합물뿐 아니라, 원하는 검증 정도에 따라 사용하는 구성요소를 다양하게 하여 검증 장치를 변경할 수 있다. 한 실시예에서, 예를 들어 광원, 필터, 렌즈 및(또는) 식별 소프트웨어(discrimination software)를 검증 장치에서 제거한 후 선택한 감광 화합물로 대체하여 선택한 감광 화합물을 검증할 수 있다. 또 검증 장치의 구성요소를 전자적으로 변경할 수 있다. 예를 들어, 검증 장치에 프로그램 가능한 구성요소가 포함될 수 있으며, 프로그램 가능한 컴퓨터는 구성요소를 조절하여 원하는 감광 화합물의 반응을 감지할 수 있다.
이제 서브스트레이트의 마크 도포를 검증하기 위한 전형적인 절차를 도2를 참조하여 설명하도록 한다. 블록 100에서, 하나 이상의 감광 화합물을 포함하고 있는 마크를 본 발명에 설명되어 있는 기술이나 다른 적합한 기술을 사용하여 서브스트레이트에 도포하였다. 다음 블록 102에서, 원하는 경우 실러(sealer)를 도포할 수 있고, 경화 실러를 사용한 경우 블록 104에서 실러를 경화시킬 수 있다. 이런 방식으로 여기서 설명한 바와 같이 마크가 함부로 조작되는 것을 방지할 수 있다. 여기서 설명한 바와 같이 블록 106에서는 마크를 검증하고, 블록 108에서는 마크의 검증 여부를 확인하였다. 마크가 올바르다고 검증된 경우, 원한다면 검증된 결과를 표시하는 신호를 블록 110에 나타낼 수 있다. 블록 112에서, 서브스트레이트가 생산 라인에서 계속 진행, 즉 원하는 경우 포장(블록 114) 단계 및(또는) 원하는 경우 선적(블록 116) 단계로 진행할 수 있다.
도2를 계속 참고, 블록 108에서 마크가 검증되지 않았다고 확인되면 이 결과를 표시하는 신호를 블록 118에 나타낼 수 있다. 여기서 언급한 바와 같이, 서브스트레이트를 다시 되돌려 서브스트레이트에 마크를 도포할 수 있으며 이는 블록 100에 표시되어 있다. 또 여기서 언급한 바와 같이, 원하는 경우 서브스트레이트를 생산 라인에서 제거할 수 있으며 이는 블록 120에 표시되어 있다. 그 다음 서브스트레이트를 진행시켜 절차 100에 표시된 것과 같이 마크를 도포하거나, 마크가 올바르지 않은 경우, 블록 122에서와 같이 서브스트레이트에서 결함 마크를 제거할 수 있다. 블록 124에서, 원하는 경우 서브스트레이트를 처분할 수 있다. 앞서 설명한 절차는 전형적인 절차이며 이에 제한하기 위한 것은 아니다. 그러므로 도2를 참고로 하여 설명한 절차에 대한 어떠한 적합한 조합도 수행할 수 있으며, 현재 발명은 이러한 관점에 제한되지 않는다.
현재 발명은 이런 관점에서 제한되지 않기 때문에 모든 적합한 검증 장치를 사용할 수 있다. 검증 장치의 한 실시예의 가장 간단한 형태의 개략도인 도3을 보면, 검증 장치 40은 광학 블록 또는 프레임 50, 광원 52 및 감지기 54를 포함한다. 상기 설명한 바와 같이 광원은 사전에 정한 파장의 빛을 방출하지만 이 파장에 꼭 제한되는 것은 아니다. 광원으로부터 나온 빛은 서브스트레이트의 감광 화합물에 작용하고, 감광 화합물에 의해 방출되거나 흡수(예: 광반응)된 빛이 감지기 54에 의해 감지되었다. 한 광원만 표시되어 있지만, 현재 발명은 이런 관점에서 제한되지 않으므로 하나 이상(예: 두 개)의 광원을 사용할 수 있다. 광원은 사용한 감광 화합물의 유형에 따라 고정 발광체, 스트로브 또는 플래시일 수 있다. 이런 관점에서, 인광성 화합물과 같은 만성 감광 화합물은 광조사 후에 빛을 방출 할 수 있다.
광원 52는 발광 다이오드일 수 있으며, 이는 적외선 발광 다이오드 또는 근적외선 발광 다이오드일 수 있다. 또 다른 실시예에서는 광원이 레이저 광원일 수 있다. 두 경우 모두, 광원은 제품이나 제품 포장에 있는 마크의 하나 이상의 감광 화합물의 여기파장을 가지는 빛을 생성한다.
또 검증 장치 40은 통과 필터 또는 차단 필터와 같은 여기 필터 56을 포함할 수 있으며, 이를 이용해 광원에서 방출되는 빛의 원하지 않는 파장을 여과할 수 있다. 그러므로 한 실시예에서, 여기필터 56은 광원 52로부터 방출된 광선을 따라 배열된다. 적합한 여기렌즈 58은 광원으로부터의 빛의 초점을 맞추기 위해 사용할 수 있다. 렌즈 58은 광원 52와 여기필터 56 사이에 배치하거나 여기필터 56 다음 검증 장치에서 나오는 광선을 따라 배치할 수 있다. 장치에서 나오는 빛은 출구 포트 59를 통과할 수 있다.
또 검증 장치 40은 통과 필터 또는 차단 필터와 같은 방출 필터 60을 포함할 수 있으며, 이를 이용해 감광 화합물이나 서브스트레이트에서 방출되는 빛의 원하지 않는 파장을 여과할 수 있다. 그러므로 한 실시예에서, 방출 필터 60은 감광 화합물로부터 방출되어 감지기로 향하는 광선을 따라 배열된다. 적합한 여기렌즈 62는 감광 화합물로부터의 빛의 초점을 맞추기 위해 사용할 수 있다. 렌즈 62은 광원 52와 여기필터 56 사이에 배치하거나 여기필터 56 전의 검증 장치로 들어가는 광선을 따라 배치할 수 있다. 장치로 들어가는 빛은 감지기 54에 감지되기 전에 입구 포트 64를 통과할 수 있다. 현재 발명이 이런 관점에서 제한되지 않으므로 감지기 54는 적합한 모든 감지기일 수 있다. 적합한 감지기의 한 예는 전하결합소자(CCD)이다. CMOS 또는 PMT와 같은 다른 적합한 감지기를 사용해도 된다. 감지기의 가시선(line of sight)은 직선이므로 서브스트레이트의 평면은 감지기 축 69와 직각을 이룬다. 또한, 가시선은 서브스트레이트 평면에 대비해 수직을 이루지 않을 수 있다. 장치 40은 검증 장치로 들어가는 빛의 초점을 맞추기 위해 배치한 대물렌즈(objective lens) 69를 포함할 수 있다.
검증 장치가 사용하는 표시되어 있지 않은 다른 구성요소에는 전원 및 코드, 컨트롤러 및 신호선을 포함하되 이에 꼭 제한되지는 않는다.
상기 언급한 대로, 장치가 선택된 감광 화합물에 맞추어 지도록 장치의 여러 구성요소를 변경하는 것이 바람직할 수 있다. 그러므로, 한 실시예에서, 단일 렌즈 또는 렌즈 조합, 필터 및 광원을 프레임에서 제거하여 사용자가 선택한 감광 화합물에 적합한 특성을 지닌 구성요소를 선택할 수 있도록 한다. 특히, 프레임과 모든 광원, 필터 및 렌즈는 구성요소를 프레임에서 제거할 수 있도록 구성되어 있다. 현재 발명은 이런 관점에서 제한되지 않지 때문에 구성요소를 제거할 수 있도록 하는 모든 적합한 메커니즘을 사용할 수 있다. 예를 들어, 프레임에는 렌즈, 필터 또는 광원을 프레임에 떨어 뜨리거나 고정시킬 수 있는 적합한 슬롯이 포함될 수 있다. 적합한 잠금 장치는 구성요소를 프레임에 고정시키기 위해 사용할 수 있다.
프레임 50에는 고정시키는 구멍(mounting hole)이 포함되어 있어 장치 40을 적합한 스탠드 70 또는 비슷한 곳에 배치하여 장치를 도1과 같이 생산 라인을 기준으로 상대적인 적합한 위치에 놓을 수 있다.
다른 실시예에서는 공동 출원 미국 특허 번호 60/353,481에 언급한 바와 같이 검증 장치는 막대 형태로 되어 있으며 본 발명에 언급된 출원특허를 전체적으로 적용했다 막대는 도3과 같이 동일하거나 유사한 구성요소로 구성되어 있을 수 있다. 특히 막대에는 여기광원(excitation light source), 필터 및 렌즈가 포함될 수 있다. 막대를 움직여 서브스트레이트를 검증하거나, 원하는 경우 고정시킬 수 있다. 여기광원은 인증 마크의 감광 화합물을 여기시켜 반응을 나타나게 한다. 여기광원은 발광다이오드(LED)와 같지만 이에 제한되지 않는 간섭성(coherent) 광원이거나 레이저다이오드(LD)와 같지만 이에 제한되지 않는 비간섭성(incoherent)일 수 있다. 필터는 여기광이나 광발광, 또는 모두의 원하지 않는 파장을 여과하기 위해 사용할 수 있다. 감지기는 감광 화합물의 광반응을 감지하기 위해 사용할 수 있으며, 실리콘 광다이오드를 구성할 수 있으나 이에 제한되지 않는다. 표시기는 감광 화합물을 검증하거나 올바르지 않게 적용되었음을 표시하기 위해 사용할 수 있다.
다른 실시예에서는 미국 특허 출원 일련 번호 09/556,280에서 도1 및 2으로 설명한 바와 같이 검증 장치를 핸드헬드 프로브로 제조할 수 있으며 본 발명에 언급된 출원특허를 전체적으로 적용했다. 장치에는 위에서 도3을 참고하여 언급한 대로 유사한 구성요소를 포함할 수 있다. 간단하게, ‘ 280 출원의 도1 및 2 실시예에서, 검증 장치는 프로브 본체가 있는 핸드헬드 프로브 어셈블리를 포함하며, 이는 단일 본체이거나 여러 분리형 부품으로 이루어진 본체일 수 있다. 프로브 본체는 하나 이상의 광원을 포함한다. 우선 실시예에서, 광원은 Hewlett-Packard, California, USA가 판매파는 모델 번호 HLMP CB15와 같은 발광다이오드에서 제공되며 이는 적외선 발광 다이오드 또는 근적외선 발광 다이오드이거나 아닐 수 있다. 또 다른 실시예에서는 광원이 레이저 광원일 수 있다. 두 경우 모두, 광원은 제품이나 제품 포장에 있는 마크의 하나 이상의 감광 화합물의 여기파장을 가지는 빛을 방출한다. 프로브 어셈블리는 광원으로부터의 광파장을 격리시키기 위해 통과 필터 또는 차단 필터와 같은 소스 필터를 포함할 수 있다. 10mm 초점 거리 및 10mm 지름을 갖춘 대칭 볼록 렌즈와 같은 렌즈는 광원에서 방출된 빛의 초점을 맞추며 불빛을 감지 장치에 조준한다. 또 하나 이상의 프리즘(표시되어 있지 않음)을 빛의 방향을 조준하고 초점을 맞추는데 사용할 수 있다. 감지기의 한 예는 Edmund Scientific, New Jersey, USA가 판매하는 전하결합소자(CCD) 모델 번호 H53308이다. CMOS 또는 PMT와 같은 다른 적합한 감지기를 사용해도 된다. 통과 필터 또는 차단 필터(또는 광흡수)와 같은 방출필터는 마크의 광발광으로 인한 방출 스펙트라의 여기파장을 격리시키는데 사용할 수 있다. PALM PILOT®와 같은 컨트롤러는 프로브 어셈블리와 통신하여 광반응을 지문에 비교할 수 있다.
또 다른 방법으로, 검증 장치를 상기 언급한 공동 출원 미국 특허 출원 번호 09/556,280의 도15-19으로 설명한 바와 같이 카메라로 제조할 수 있다. 간단하게, ‘ 280 출원의 도15-19 실시예에서, 장치는 상기 언급한 이미지 캡처 시스템과 결합되어 있는 Fujitsu Teampad와 같은 프로세서와 유사한 구성 요소를 포함한다. 이미지 캡처 시스템은 상기 언급한 디지털 신호 프로세스(DSP)와 같은 신호 프로세서와 광원과 같은 플래시 컨트롤 시스템을 포함한다. 사용할 수 있는 한 DSP는 Texas Instruments, Dallas, Texas의 320C52 모델이다. 또 프로세서는 디스플레이를 포함하는 사용자 인터페이스 제공과 같은 여러 기능을 제공한다. 또한 프로세서는 DSP로부터 이미지를 수신하고, 이미지를 프로세스하여 형광 이미지로부터 배경을 구별할 수 있도록 하고, 유사 컬러 이미지를 채색하여 사용자가 형광 이미지로부터 배경을 구별할 수 있도록 한다. 프로세서는 Windows 95 운영체제를 사용할 수 있지만, 다른 적합한 운영 체제도 수용할 수 있다. 여기 광원은 어떠한 강도로도 방출될 수 있고, 어떠한 기간동안이라도 지속될 수 있다. 바람직하게는, 광원은 감광 화합물로부터 방출된 방출 파장의 강도를 높이기 위해 강도를 증가시켜 방출(또는 흡수) 파장이 배경 방출(또는 흡수)로부터 분해될 수있다. 이는 6인치 이상 떨어진 위치에서 감지할 수 있도록 한다. 이 실시예에서는 여기 광원의 강도가 충분하여 결과 스펙트라를 떨어진 거리, 예를 들어 최대 12피트 떨어진 거리에서 측정할 수 있으며, 배경 광발광을 보정하지 않아도 된다. 한 실시예에서는 최대 4피트 떨어진 거리에서 스펙트라를 감지할 수 있다. 다른 실시예에서는 최대 6피트 떨어진 거리에서 스펙트라를 감지할 수 있다.
본 발명은 이런 관점에 제한되지 않기 때문에 어떠한 적합한 장치를 사용하여 인증 마크를 확인할 수 있다(인증 마크에서 방출된 또는 흡수된 빛을 감지함). 그러므로, 여기서 설명된 특정 장치는 단지 예일 뿐이고, 제한하지 않는다. 빛을 흡수하는 화합물의 빛 흡수를 감지하는 것은 어떠한 적합한 이미징 테크닉을 사용하면 가능하다. 비슷한 차원에서 감광 화합물에서 방출한 빛을 감지하는 것은 어떠한 적합한 이미징 테크닉, 즉 적외선, 근적외선, 원적외선, Fourier transformed 적외선, Raman 분광학, 시간분해형광, 형광, 발광, 인광 및 가시광 이미징 등을 사용하면 할 수 있다. 컨트롤러 또는 프로세서 및 관련 소프트웨어는 광학 감지기의 정보를 수신하고 조작하여 샘플 특성으로 전환시켜 이를 컨트롤러 또는 프로세스에 저장되었거나 원격 호스트 컴퓨터 및 관련 데이터베이스에 저장된 지문(fingerprint) 또는 지문 프로파일(fingerprint profile)과 비교할 수 있다. 후에 언급된 실시예에서는 컨트롤러 또는 프로세서가 모뎀을 이용한 데이터 케이블을 통해 호스트 컴퓨터와 통신할 수 있다. 물론 직접 데이터 링크(direct data link), 위성 전송, 동축 케이블 전송, 광섬유 전송, 무선 또는 디지털 통신과 같은 기타 통신 링크를 사용해도 된다. 통신 링크는 직통 또는 인터넷을 통한 링크일 수 있다. 또 호스트 컴퓨터는 여러 지문(fingerprint) 또는 지문 프로파일(fingerprint profile)을 저장하고 있는 데이터베이스와 통신한다.
상기 언급한 바와 같이, 시스템에는 감광 화합물이 있는 마크의 최소한 한 부분을 제품이나 제품 포장에 도포할 수 있는 적합한 도포기가 포함되어 있을 수 있다. 한 실시예에서는 도포기가 프린터이다. 어떠한 프린터 종류도 사용할 수 있다. 다중-색상 인쇄 프레스, 잉크젯 프린터, 닷메트릭스 프린터, 실크 스크리닝, 또는 패드 프린팅의 예를 들을 수 있으며, 이것은 이런 관점에 제한되지 않기 때문이다. 다른 방법으로, 마크를 먼저 전사지 또는 접착 레이블에 도포할 수 있으며, 이것은 나중에 서브스트레이트에 부착된다. 또 마크는 예를 들어 에어브러시, 에어건 또는 분무 방식(aerosol-type) 스프레이 등을 사용하여 분무될 수 있다.
한 실시예에서 프린터는 마크의 적어도 한 부분을 형성하기 위해 하나 또는 그 이상의 감광 화합물과 혼합된 잉크로 인쇄하며, 여기에 적합한 용매가 포함되거나 포함되지 않을 수 있다. 바람직하게는 하나 또는 두 개의 감광 화합물을 사용하여 마크를 생성하지만 실제로 어떠한 숫자의 화합물도 사용할 수 있다. 잉크 및(또는) 감광 화합물은 눈에 보이거나 보이지 않는 잉크일 수 있으며, 한 예에서는 불용성이다. 한 실시예에서 1번째 감광 화합물은 1번째 잉크와 혼합될 수 있다. 또한 2번째 감광 화합물을 2번째 잉크와 혼합하고, 이 두 잉크를 사용하여 적어도 마크의 한 부분을 형성하는데에 사용할 수 있다.
한 실시예에서는 잉크젯 프린터를 사용하였다. 잉크젯 프린터를 사용하면 서로 다른 감광 화합물이 들어 있는 통을 쉽게 교체할 수 있는 장점이 있다. 예를 들어 적합한 통신 링크를 통해 제품, 소비자, 날짜 및(또는) 생산 장소 및 기타 원하는 데이터에 따라 교체할 수 있다. 또한, 잉크젯 프린터는 레이블에 바코드를 인쇄하거나, 제품 또는 제품 포장에 직접 인쇄하는데 흔히 사용된다. 또한 적어도 한 부분의 인증 마크를 원하는 모든 패턴으로 구성할 수 있으며, 예를 들어 잉크의 혼합 정보만 포함하고 있는 단일 점(감광 화합물과 혼합됨), 바코드, 또는 복합 패턴이나 영숫자 코드로 구성하여 제품, 날짜, 시간, 위치, 생산 라인, 소비자 등의 정보를 포함할 수 있다.
한 실시예에서는 연속적인 잉크젯 프린터를 사용하였다. 연속 잉크젯 프린터를 사용하면 생산라인과 서브스트레이트가 이동하는 동안 마크를 인쇄할 수 있는 장점이 있다. 그러므로 제품이 라인에서 나올 때 생산 라인의 속도에 맞춰 제품 포장에 인증 마크를 도포할 수 있다. 연속 잉크젯 프린터를 사용하든 말든 서브스트레이트는 마크가 인쇄될 수 있도록 프린터 옆 위치에 잠시 멈출 수 있다.
또 연속 잉크젯 프린터를 사용하면 서브스트레이트(예: 제품 포장)에 제품이 포함되어 있을 때 인증 마크를 서브스트레이트에 도포할 수 있다. 즉, 제품이 이미 제품 포장에 들어가 있는 경우, 실크 스크리닝과 같은 기타 인쇄 테크닉을 사용하지 못할 수 있다. 예를 들어 실크 스크리닝은 인디시아를 도포하려면 높은 온도를 요구한다. 이런 높은 온도는 포장안에 들어있는 제품에 악영향을 끼칠 수 있다. 또한, 제품이 이미 포장된 후 마크를 도포하는 것이 유통 목적으로 바람직하다. 즉, 제품은 단일 생산 공장에서 만들어지지만 흔히 다른 유통 채널로 지정될 수 있다. 제조 업체는 제품 묶음을 상대로 인쇄하거나 본 발명의 인증 마크로 포장하여 특정 시장에 대한 제품임을 명시할 수 있다.
현재 발명의 인증 마크는 제품이나 제품 포장의 모든 위치에 도포할 수 있으며, 포장 날개 또는 포장 내부도 포함된다. 인증 마크를 제품이나 제품 포장의 다른 인쇄된 부분에 겹치게 도포하는 것이 바람직할 수 있다. 이런 인쇄된 부분은 제품의 판매에 중요한 부분들이 될 수 있으며, 제품 이름, 상표, 로고 및 회사 이름을 예로 들을 수 있다. 선호하는 한 실시예에서는 인증 마크를 제품 상표와 같은 위치에 놓았다. 이런 경우, 인증 마크를 제거하려고 시도하면 포장에 있는 상표가 손상되는 결과를 가져올 수 있다. 인증 마크는 상표 자체를 인쇄할 때 사용하는 잉크 혼합물의 부분으로 만들어서 포장에 도포할 수 있고, 다른 방법으로 상표가 인쇄된 곳 위 또는 아래에 도포할 수 있다. 이런 식으로 배치하면 인증 마크의 제거가 어려울뿐 아니라 인증 마크의 존재를 확인하기 위해 인증 마크의 위치를 확인하는 작업이 쉬워진다.
상기 언급한 바와 같이, 인증 마크 제거를 억제하는 것이 바람직할 수 있다. 이런 경우, 마크가 함부로 변경되는 것을 방지할 수 있다. 위조 방지 마크를 제조하는 전형적인 기술은 상기 참조한 미국특허 일련번호 10/212,334에 설명되어 있다. 한 예에서 위조 방지 마크를 제조하기 위해 사용한 한 실러(sealer)는 잉크 및 감광 화합물과 혼합하여 마크 또는 한 부분이 형성되고 있을 때 서브스트레이트에 인쇄된다.
또한, 본 발명은 마크를 도포할 서브스트레이트의 제한을 받지 않도록 의도한 것에 대한 가치를 인정해야 한다. 이 시스템을 사용하여 모든 제품이나 제품 포장을 마크할 수 있다. 이러한 제품으로는 뚜껑(예: 병뚜껑), 레이블, 종이, 판지, 유리, 금속, 플라스틱, 고무, 병, 담배곽, CD 또는 DVD등의 광디스크(흔히 지정된 공동 출원 미국 특허 출원 번호 09/608,886 및 09/631,585 에 설명된 것과 같으며 본 발명에 언급된 출원특허를 전체적으로 적용했다), 귀금속, 은행 또는 신용 카드, 스포츠 기념품, 자동차 부품 또는 차체 부품, 예술 발행물 등의 예를 들을 수 있으며, 이것은 이런 관점에 제한되지 않기 때문이다.
한 실시예에서, 제품 포장은 샴푸, 크림을 넣을 수 있는 액체용 용기나 병과 같은 플라스틱 서브스트레이트가 될 수 있다. 이런 플라스틱 재료로는 고밀도 폴리에틸렌(HDPE), 저밀도 폴리에틸렌(LDPE), 폴리에틸렌(PE), 폴리프로필렌, 폴리카보네이트 및 PETE이 포함된다. 다른 적합한 서브스트레이트, 예를 들어 양철 또는 알루미늄과 같은 금속도 사용할 수 있다. 또한, 본 발명은 이런 관점에 제한되지 않으며 다른 적합한 서브스트레이트를 수용할 수 있다.
저작물을 인증하려면, 인증 마크를 문서, 조각품, 또는 기타 미술 작품에 직접 인쇄해도 된다. 예를 들어, 책 커버 일부에 육안으로 볼 수 없거나 분명하지 않은 인증 마크를 겹쳐 인쇄할 수 있다. 위조범들이 책 커버를 포토카피와 같은 방법으로 복제하려고 할 때, 인증 마크는 복제되지 않으므로 다음 분석에서 책 커버가 위조된 것임이 판명된다.
다른 예로, 본 발명의 마크를 사용하여 개인 재산을 식별할 수 있다. 예를 들어, 현재 발명의 마크를 개인 재산의 특정 부분에 도포할 수 있다. 이것은 재산 소유주에게 고유한 마크이다. 재산을 분실하거나 도난당한 후 다시 되찾을 때, 마크의 고유성 및 마크가 제공하는 기타 정보를 이용해 식별할 수 있다. 절도범은 이 마크를 확인할 수 없으므로 식별 마크를 제거하려는 노력을 하지 않을 것이다.
또한, 본 발명은 인쇄 절차 사용에 있어서 제한되지 않는다. 예를 들어, 제품의 섬유를 감광 화합물에 담군 후에 이를 의류, 여행가방, 책 커버, 카페트, 지폐, 인쇄물 또는 기타 작품 등에 사용되는 재료에 짜 넣어 재료가 특정 파장의 빛에 노출되었을 때 감광 화합물에 담두었던 섬유가 광파장을 방출하거나 흡수하게 된다.
만약 제품 상에 직접 인쇄하기 곤란할 경우 기타 제품 식별 및 인증 방법을 사용할 수 있다. 예를 들어 '324 출원에 언급된 방법을 사용해도 된다.
이제 하나 이상의 감광 화합물을 포함하는 인쇄용 잉크 혼합물의 예를 설명하도록 하겠다. 감광 화합물은 메틸-에틸-케톤(MEK)에 용해시켜 잉크에 추가할 수 있다. 한 예로, 하나 이상의 감광 화합물 19 mg을 MEK 1 ml에 용해시킨 것을 이하 Stock I이라고 한다. 다른 예로, 하나 이상의 감광 화합물 40 mg을 MEK 1 ml에 용해시킨 것을 이하 Stock II이라고 한다. 가시적 잉크의 한 배합으로 흑색 잉크 650g(예를 들어 Willett Corporation of England에서 제조한 Black ink #601)과 Stock I 3.5 ml의 혼합액이 포함되며, 이를 Formulation 1이라 한다. 방출되었을 때 광파장의 두 최고점을 생성할 수 있는 잉크를 제조하기 위해(용도는 아래 설명할 것임) Formulation 1 400 g과 Stock II 2 ml를 혼합할 수 있다. 잉크의 특성을 향상시키기 위해 기타 화합물을 추가해도 된다. 이러한 화합물에는 다음 사항 중 하나 이상을 포함할 수 있다. 바인더; 휴멕턴트; 하나 이상의 낮은 알코올; 부식 억제제; 살생제; 콜로이드 현탁액의 입자를 전기적으로 안정시키는데 사용되는 화합물. 원하는 수만큼의 감광 화합물을 다양한 농도로 추가할 수 있다. 예를 들어, 1.275 mM 농도의 화합물은 일부 감광 화합물에 대해 적당한 반응을 제공하는 것으로 나타났다. 저장 용액(stock solution) 또는 잉크를 2.0 미크론 필터를 통해 여과시켜 큰 입자들을 제거하면 인쇄를 촉진시킬 수 있다. 잉크젯 프린터를 사용하는 경우는 잉크젯 카트리지의 표준 크기 오리피스(orifice)를 확대하여 잉크 구성 입자가 더 쉽게 도포될 수 있도록 하는 것이 바람직하다.
선택한 특정 감광 화합물은 잉크의 가시성에 최소의 영향을 주어 다른 인쇄 방식과 특별히 다르게 보이지 않도록 해야한다. 예를 들어, 하나 또는 그 이상의 감광 화합물을 눈에 보이는 잉크(예: 검정 잉크)와 혼합하면 이것은 바코드와 같은 제품 포장에 정보를 인쇄하는 용도로 사용된다. 언급한 다른 방법으로, 인증 마크를 비가시적인 인증 마크로 만들 수 있다.
현재 발명에는 다양한 종류의 감광 화합물을 사용할 수 있으며, 300-2400 nm의 광파장, 그리고 한 실시예의 300-1000 nm 광파장을 방출하거나 여기하는 모든 화합물을 포함한다. 선택할 수 있는 감광 화합물의 그룹에는 무기 안료, 유기 화합물, 광변색(photochromic) 화합물, 다양한 고분자와 가교된 광변색 화합물, 고분자에 밀폐된 광변색 화합물 및 에스테르 결합으로 공중합화된 열에 안정적인 근적외선 형광성 화합물이 포함되나 이에 제한되지 않는다.
제품 또는 제품 포장에 적용한 특정 감광 화합물은 표준 광 스캐너에서 방출한 빛을 기반으로 선택할 수 있다. 이런 관점에서는 소매 업소 계산대에서 사용하는 전형적인 스캐너로 스캔 될 수 있는 제품 포장 또는 레이블에 바코드를 인쇄할 경우 특정 감광 화합물을 사용할 수 있다. 이런 스캐너는 흔히 하는 것처럼 바코드에서 정보를 읽을 수 있을뿐 아니라 진품 여부 확인 및 기타 정보 입수를 위해 제품 및 제품 포장을 스캔할 수 있으며, 이것은 감광 화합물에서 방출한 또는 흡수된 빛에 의해 가능하다. 결과적으로, 검증 장치로는 소매 업소 계산대에서 사용하는 전형적인 스캐너와 비슷한 특성을 지닌 스캐너를 사용할 수 있다.
도4는 서브스트레이트에 특정 파장의 빛이 방출 된 후에 감지되는 배경 스펙트라의 예를 나타내며, 이는 본 발명과 사용할 수 있는 여기 파장으로 사용하도록 제안되었다, 배경 스펙트라를 일단 확인하면, 배경 스펙트라에 나타난 최고점에 직접적으로 대응하지 않는 파장으로 주로 방출하는 화합물을 선택하여 적합한 감광 화합물을 고를 수 있다. 바람직하게는, 최대 방출 파장이 배경 스펙트라의 최대 파장에 대응하지 않도록 유망 감광체를 선택하고, 가장 바람직하게는 스펙트라가 배경 스펙트라에서 쉽게 분해될 수 있도록 유망 감광체를 선택하는 것이다.
유망 감광 화합물의 그룹을 선택한 후, 화합물을 실험할 서브스트레이트에 도포하고, 이 서브스트레이트를 다시 제안된 여기 파장으로 조명할 수 있다. 감광 화합물과 잉크, 또는 감광 화합물과 서브스트레이트 간의 상호작용으로 감광 화합물에 의해 방출되는 파장이 바뀔 수 있으며, 이러한 화합물 선택을 서브스트레이트에 적당한 농도로 도포할 유망 화합물 분석을 완료한 후 추가로 정제할 수 있다.
본 발명의 감광 화합물은 미국 특허 번호 5,292,855, 5,336,714, 5,614,008 및 5,665,151에 나와 있는 화합물과 같이 물에 분해되는 폴리에스테르 및 아미드일 수 있으며 각 내용은 인용 문헌으로 여기에 포함된다.
한 실시예에서는 근적외선 형광성 화합물을 프탈로시아닌, 나프탈로시아닌 및 스쿠아린(스쿠아릭산의 유도체)에서 선택하였으며, 이들은 각각 도5, 6 및 7에 표시된 구조에 대응한다. 이런 구조에서 Pc 및 Nc는 프탈로시아닌 및 나프탈로시아닌 부분을 나타내며 AlCl, AlBr, AlF, AlOH, AlOR5, AlSR5, Ca, Co, CrF, Fe, Ge, Ge(OR6), Ga, InCl, Mg, Mn, Ni, Pb, Pt, Pd, SiCl2, SiF2, SnCl2, Sn(OR6)2, Si(OR6)2, Sn(SR6)2, Si(SR6)2, Sn, TiO, VO 또는 Zn를 포함하는 수소 또는 여러 금속, 할로금속, 유기금속 그룹 및 옥시금속과 공유 결합되어 있으며, 여기서 R5 및 R6은 수소, 알킬, 아릴, 헤테로 아릴, 낮은 알카노일, 또는 트리플루오로아세틸 그룹이다.
X는 산소, 황, 셀레늄 또는 텔루륨이다. Y는 알킬, 아릴, 할로겐 또는 수소이며 R은 비치환 또는 치환 알킬, 아케닐, 알키닐기이다.
-(X-R)m은 알킬술포닐아미노, 아릴술포닐아미노이며, R1 및 R2는 각각 수소, 낮은 알킬, 낮은 알콕시, 할로겐 아릴옥시, 낮은 알킬티오, 낮은 알킬술포닐에서 독립적으로 선택되었고, R3 및 R4 는 각각 수소, 낮은 알킬, 알켄일 또는 아릴에서 독립적으로 선택되었으며 n은 1에서 12사이의 정수, n1은 0에서 24 사이의 정수, m은 4에서 16 사이의 정수, m1은 0에서 16 사이의 정수이며 n+m의 합과 n1+ m1의 합은 각각 16과 24이다.
상기 화합물의 구조에는 최소한 하나의 폴리에스테르 반응기가 포함되어 있어 화합물이 고분자 구성에 적용될수 있도록 하고, 공유 결합으로 구속될 수 있도록 한다.
본 발명의 감광 화합물에는 고분자 구성에 적용된 광변색 화합물과 같은 광변색 화합물과 미국특허 번호 5,807,625에 언급되어 있는 것과 같이 마이크로 캡슐을 형성하기 위해 캡슐화된 광변색 화합물이 포함되어 있으며 이는 인용 문헌으로 여기에 포함된다.
한 실시예에서, 이러한 광변색 화합물들을 세 가지로 분류하였다.
(i) 스피로-인돌리노-나프토옥사진.
(ii) 비스-메틸렌 숙신 무수물의 유도체인 풀기드 및 비스-메틸렌숙신 이미드의 유도체인 풀기미드이며, 여기서 이미드 니트로겐은 알킬, 아릴 또는 아랄킬로 치환될 수 있다.
(iii) 스피로(1,8a)-디히드로인돌리진.
본 발명의 감광 화합물에는 미국 특허 번호 5,450,190에 언급되어 있는 것과 같이 유기/무기 화합물로 레이블된 마이크로 비드를 포함하며 이는 인용 문헌으로 여기에 적용된다.
본 발명의 감광 화합물과 같이 유용한 화합물은 미국 특허 번호 5,286,286에 언급된 화합물이나 화합물 조합으로 이는 인용 문헌으로 여기에 포함된다. 포함되는 화합물:
5,10,15,20-테트라키스-(1-메틸-4-피리딜)-21H, 23H-프로핀 테트라-p-토실레이트염;
5,10,15,20-테트라키스-(-1-메틸-4-피리딜)-21H, 23H-포르핀 테트라-p-토실레이트염;
5,10,15,20-테트라키스-(1-메틸-4-피리딜)-21H, 23H-포르핀 테트라브로마이드 염;
5,10,15,20-테트라키스-(1-메틸-4-피리딜)-21H, 23H-포르핀 테트라-아세테이트 염;
5,10,15,20-테트라키스-(1-메틸-4-피리딜)-21H, 23H-포르핀 테트라-퍼클로레이트염;
5,10,15,20-테트라키스-(1-메틸-4-피리딜)-21H, 23H-포르핀 테트라플루오로붕산염
5,10,15,20-테트라키스-(1-메틸-4-피리딜)-21H, 23H-포르핀 테트라-퍼클로레이트염;
5,10,15,20-테트라키스-(1-메틸-4-피리딜)-21H, 23H-포르핀 테트라플루오로붕산염
5,10,15,20-테트라키스-(1-메틸-4-피리딜)-21H, 23H-포르핀 테트라-퍼클로레이트염;
5,10,15,20-테트라키스-(1-메틸-4-피리딜)-21H, 23H-포르핀 테트라-트리플레이트염;
5,10,15,20-테트라키스-(1-히드록시메틸-4-피리딜)-21H, 23H-포르핀 테트라-p-토실레이트염;
5,10,15,20-테트라키스-[1-(2-히드록시에틸)-4-피리딜]-21H, 23H-포르핀 테트라클로라이드염;
5,10,15,20-테트라키스-[1-(3-히드록시프로필)-4-피리딜]-21H, 23H-포르핀 테트라-p-토실레이트염;
5,10,15,20-테트라키스-[1-(2-히드록시프로필)-4-피리딜]-21H, 23H-포르핀 테트라-p-토실레이트염;
5,10,15,20-테트라키스-[1-(-히드록시에톡시에틸)-4-피리딜]-21H, 23H-포르핀 테트라-p-토실레이트염;
5,10,15,20-테트라키스-[1(2-히드록시에톡시프로필)-4-피리딜]-21H, 23H-포르핀 테트라-p-토실레이트염;
5,10,15,20-테트라키스-[4-(트리에틸암모니오)페닐]-21H, 23H-포르핀 테트라-p-토실레이트염;
5,10,15,20-테트라키스-[4-(트리에틸암모니오)페닐]-21H, 23H-포르핀 테트라클로라이드염;
5,10,15,20-테트라키스-[4-(트리에틸암모니오)페닐]-21H, 23H-포르핀 테트라클브로마이드염;
5,10,15,20-테트라키스-[4-(트리에틸암모니오)페닐]-21H, 23H-포르핀 테트라-아세테이트염;
5,10,15,20-테트라키스-[4-(트리에틸암모니오)페닐]-21H, 23H-포르핀 테트라-퍼클로레이트염;
5,10,15,20-테트라키스-[4-(트리에틸암모니오)페닐]-21H, 23H-포르핀 테트라플루오로붕산염;
5,10,15,20-테트라키스-[4-(트리에틸암모니오)페닐]-21H, 23H-포르핀 테트라-트리플레이트염;
메소-(N-메틸-X-피리디늄)n(페닐)4-n-21H,23H-포르핀 테트라-p-토실레이트염, n은 0,1 또는 3의 정수, X=4-(para),3-(meta), 또는 2-(ortho)이며 피리디늄 치환기의 질소 위치에 따른다. 설명되어 있는 방법대로 준비, 예를 들어, 저자 M. A. Sari 외, Biochemistry, 1990, 29, 4205 to 4215;
메소-테트라키스-[o-(N-메틸니코틴아미도)페닐]-21H,23H-프로핀 테트라-메틸 술폰산염을 설명되어 있는 방법데로 준비하였다. 예를 들어 저자 G. M. Miskelly외. Inorganic Chemistry, 1988, 27, 3773 to 3781;
저자 S. Igarashi 및 T. Yotsuyanagi, Chemistry Letters, 1984, 1871에 설명되어 있는 방법데로 5,10,15,20-테트라키스-(2-술폰나토에틸-4-피리딜)-21H,23H-포르핀 염산염을 준비하였다.
5,10,15,20-테트라키스-(카르복시메틸-4-피리딜)-21H, 23H-포르핀 염산염
5,10,15,20-테트라키스-(카르복시에틸-4-피리딜)-21H, 23H-포르핀 염산염
5,10,15,20-테트라키스-(카르복시에틸-4-피리딜)-21H, 23H-포르핀 브로마이드염, 저자 D. P. Arnold, Australian Journal of Chemistry, 1989, 42, 2265 ~ 2274에 설명되어 있는 방법데로 5,10,15,20-테트라키스-(카르복실레이트-4-피리딜)-21H,23H-포르핀 브로마이드염을 준비하였다;
2,3,7,8,12,13,17,18-옥타-(2-히드록시에틸)-21H-23H-포르핀;
2,3,7,8,12,13,17,18-옥타-(2-히드록시에톡시에틸)-21H-23H-포르핀;
2,3,7,8,12,13,17,18-옥타(2-아미노에틸)-21H-23H-포르핀;
2,3,7,8,12,13,17,18-옥타-(2-히드록시에톡시프로필)-21H-23H-포르핀, 이와 유사한 물질, 이들을 혼합한 물질 취급한다.
다음은 본 발명과 함께 사용하기에 적합한 덴실 화합물이다: 덴실-L-알라닌; a-덴실-L-알기닌; 덴실-L-아스파라긴; 덴실-L-아스파라긴산; 덴실-L-시스틴산; N,N’ -디-덴실-L-시스틴; 덴실-L-글루탐산; 덴실-L-글루타민; N-덴실-트란스-4-히드록시-L-프롤린; 덴실-L-이소루이신; 덴실-L-루이신; 디-덴실-L-라이신; N--덴실-L-라이신; 덴실-L-메티오닌; 덴실-L-노발린; 덴실-L-페닐알라닌; 덴/실-L-프롤린; N-덴실-L-세린; N-덴실-L-트레오닌; N-덴실-L-트립토판; O-디-덴실-L-티로신 모노시클로펙실암모늄염; 덴실-L-발린; 덴실-아미노-n-부티르산; 덴실-DL-a-아미노-n-부티르산; 덴실-DL-아스파라긴산; 덴실-DL-글루탐산; 덴실글리신; 덴실-DL-루이신; 덴실-DL-메티오닌; 덴실-DL-노르루이신; 덴실-DL-노발린; 덴실-DL-페닐알라닌; 덴실사르코신
N-덴실-DL-세린; N-덴실-DL-트레오닌; N--덴실-DL-트립토판; 덴실-DL-발린덴실-DL-아미노카프릭산 시클로헥실아민염; 덴실아미노에틸)트리메틸암모늄퍼클로레이트; 디덴실카다베린; 모노덴실카다베린; 덴실퓨트레신; 덴실스페르미딘; 디덴실-1,4-디아미노부탄; 디덴실-1,3-디아미노-프로판; 디덴실히스타민, 모두 Sigma Chemical Corp., St. Louis, Mo.에서 구입 가능하며 이와 유사한 물질 및 이들의 혼합물도 구입할 수 있다
추가 감광 화합물는 미국 특허 번호 5,367,005에 설명에 따라 유기/무기 안료를 포함시키고 화합물 또는 페녹사진 유도체의 혼합 화합물을 미국 특허 번호 4,540,595에 설명에 따라 포함시킬 수 있으며 이는 인용 문헌으로 여기에 포함된다.
페녹사진 화합물의 일반 화학식은 도8에 표시되어 있으며 여기서 R1 및 R2는 알킬기이며 X-은 음이온이다.
본 발명의 추가 감광 화합물을 미국 특허 번호 4,598,205에 설명된 방법데로 자극 및 방출 구역에 따라 다음 네 그룹 중 하나로 분류할 수 있으며 이는 인용 문헌으로 여기에 적용된다.
(a) 여기 UV-방출 UV
(b) 여기 UV-방출 IR
(c) 여기 IR-방출 UV
(d) 여기 IR-방출 IR
본 발명을 통해 미국 특허 번호 5,093,147에 언급된 잉크 용매에 용해되는 화합물 또는 유기 적외선 형광성 화합물의 조합을 유용하게 사용할 수 있으며, 그 공개 내용은 여기에 참조문헌으로 포함되어 있다. 이러한 감광 화합물은 다음과 같다: (3,3’ -디에틸티아트리카르보시아닌 요오드); (3,3’ -디에틸-9,11-네오펜틸렌티아트리카르보시아닌 요오드); (1,1’ ,3,3,3’ ,3’ -헥사메틸-4,4’ ,5,5’ -디벤조-2,2’ -인도트리카르보시아닌 요오드); (헥사디벤조시아닌 3); 1H-벤즈[e]인돌륨, 2-[7-[1,3-디히드로-1,1-디메틸-3-(4-술포부틸)-2H-벤즈[e]인돌-2-일리덴]-1,3,5-헤파트리에닐]-1,1-디메틸-3-(4-술포부틸-,나트륨염; (3,3’ -디에틸-4,4’ ,5,5’ -디벤조티아트리카르보시아닌요오드)(헥사디벤조시아닌 45); 벤조티아졸륨, 5-클로로-2[2-[3-[5-클로로-3-에틸-2(3H)-벤조티아졸일리덴-에틸리덴]-2-(디페닐아미노)-1-시클로펜텐-1-일]에틸]-3-에틸-, 퍼클로레이트; (1,1’ -디에틸-4,4’ -디카르보시아닌 요오드); 나프토[2,3-d]티아졸륨, 2-[2-[2-(디페닐아미노)-3-[[3-(4-메톡시-4-옥소부틸)나프토[d]티아졸-2(3H)-일리덴-에틸리덴]-1-시클로펜텐-1-일]에텐일]3-(4-메톡시-옥소부틸)-, 퍼클로레이트
다음 감광 화합물은 본 발명을 통해 유용하게 사용할 수 있다. 술폰산 이나트륨염과 7-(디에틸아미노)-4-메틸-2H-1-벤조피란-2-온; 3’,6’-비스(디에틸아미노)-스피로-(이소벤조퓨란-1(3H),9’ -(9H)크산텐)-3-온 또는 3’ ,6’ -비스(디에틸-아미노)-플루오란; 4-아미노-N-2,4-크시릴-나프탈이미드; 7-(디에틸아미노)-4-메틸-쿠마린; 14H-안트라[2,1,9-mna]티오크산텐-14-온; N-부틸-4-(부틸아미노)-타프탈이미드의 혼합물.
또 다음 화합물을 본 발명을 통해 감광 화합물로 사용할 수 있다: 5-(2-카르보히드리지노메틸 티오아세틸 )-아미노플루레신; 5-(4,6-디클로로트리아지닐)-아미노플루레신; 플루오-3-펜트암모늄염; 3,6-디아미노아크리딘 헤미설페이트, 프로플라빈 헤미설페이트; 테트라(테트라메틸암모늄염; 아크리딘 오렌지; BTC-5N; 플루오레세인 이성질체 I; 플루오레세인 이성질체 II; 설파이트 블루; 쿠마린 이산 크립탠드[2,2,2]; 에오신 Y; 루시퍼 옐로 CH 칼륨염; 플루오레신 이소티오시아네이트(이성질체 I); 플루오레신 이소티오시아네이트(이성질체 II); Fura-Red, AM; Fluo-3 AM; Mito Tracker Green FM; 로다민; 5-카르복시플루오레신; 덱스트란 프루오레신; Merocyanine 540; 비스-(1,3-디에틸티오바르비탈산 트리메틴 옥소놀; Fluorescent brightener 28; 플루오레신 나트륨염; Pyrromethene 556; Pyrromethene 567; Pyrromethene 580; Pyrromethene 597; Pyrromethene 650; Pyrromethene 546; BODIPY 500/515; Nile Red; Cholesteryl BODIPY FL C12; B-BODIPY FL C12-HPC; BODIPY Type D-3835; BODIPY 500/510 C5-HPC; IR-27 Aldrich 40,610-4; IR-140 Aldrich 26,093-2; IR-768 perchlorate Aldrich 42,745-4; IR-780 Iodide Aldrich 42,531-1; IR-780 perchlorate Aldrich 42-530-3; IR-786 Iodide Aldrich 42,413-7; IR-786 perchlorate Aldrich 40,711-9; IR-792 perchlorate Aldrich 42,598-2; 5-(및-6)-카르복시플루오레신 디아세테이트; 6-카르복시플루오레신 시그마; 플루오레신 디아세테이트; 5-카르복시플루오레신 디아세테이트; 플루오레신 디라우레이트; 플루오레신 디-b-D-갈락토피라노사이드; 플루오레신 디-p-구안이디노벤조에이트; Indo I-AM; 6-카르복시플루오레신 디아세테이트; 플루오레신 티오세키카르바자이드; Fluorescein mercuric acetate; Alcian Blue; Bismarck Brown R; Copper Phthalocyanine; Cresyl Violet Acetate; Indocyanine Green; Methylene Blue; Methyl Green, Zinc chloride salt Sigma; Oil Red 0; Phenol Red Sigma; Rosolic Acid; Procion Brilliant Red; Ponta Chrome Violet SW; Janus Green Sigma; Toluidine Blue Sigma; Orange G ; Opaque Red; Mercuric Oxide Yellow; Basic Fuchsin; Flazo Orange; Procion Brilliant Orange; 5-(및-6)-카르복시-2',7'-디클로로플루오레신; 5-(및-6)-카르복시-4',5'-디메틸 플루오레신; 5-(및-6)-카르복시-2',7'-디클로로플루오레신 디아세테이트; 에오신-5-말레이미드; 에오신-5-요드아세트아미드; 에오신 이소티오시아테이트; 5-카르복시-2',4',5',7'-테트라브로모술폰플루오레신; 에오신 티오세미카르바자이드; 에오신 이소티오시아네이트 덱스트란 70S; 5-((((2-아미노에틸)티오)아세틸)아미노) 플루오레신; 5-((5-아미노펜틸)티오유리딜)플루오레신; 6-카르복시플루오레신 숙신이미딜 에스테르; 5,5'-디티오비스-(2-니트로벤조산); 5-(및-6)-카르복시플루오레신 숙신이미딜 에스테르; 플루오레신-5-EX, 숙신이미딜 에스테르; 5-(및-6-)-카르복시 SNARF-1; Fura Red, 테트라칼륨염; 덱스트란 플루오레신, MW 70000; 5-(및-6-)-카르복시나프타플루오레신 혼합 이성질체 ; Rhodol green, 카르복실산 숙신이미딜 에스테르; 5-(및-6-)-카르복시나프타플루오레신 SE 혼합 이성질체; 5-카르복시플루오레신, SE 단일 이성질체; 5-(및-6)-카르복시-2',7'-디클로로플루오레신 디아세테이트, SE; 5-(및-6)-카르복시-SNAFL-1 , SE; 6-테트라메틸로다민-5-및 -6-카르복사미도 헥사노익산, SE; 스티릴 화합물 (4-Di-1-ASP); 에리스로신-5-이소티오시아네이트; Newport green, 디칼륨염; Phen green, 디칼륨염; 비스-(1,3-디부틸바르비탈산 트리메틴 옥소놀; 루시게닌(비스-N-메틸 질산 아크리디늄, 테트라키스-(4-술포페닐) 포르핀; 테트라키스-(4-카르복시페닐) 포르핀; 안트란센-2,3-디카르복사알데히드, 5-((5-아미노펜틸)티오유리딜) 에오신, 염화수소, N-(에톡시카르보닐메틸)-6-브롬화 메톡시퀴놀리늄; MitoFluor green; 5-아미노에오신, 4’ (아미노메틸)플루오레신; 염화수소; 5’ (아미노에틸)플루오레신, 염화수소; 5-(아미노아세트아미도)플루오레신; 4’ ((아미노아세트아미도) 메틸) 플루오레신; 5-((2-(및-3)-S-(아세틸머캅토)숙신노일)아미노 플루오레신; 8-브로모메틸-4,4-디플루오로-1,3,5,7-테트라메틸-4-보라-3a,4a,디아자-s-인다신; 5-(및-6)-카르복시 에오신; cocchicine 플루오레신; 카제인 플루오레신, 3,3’ -디펜틸옥사카르보시아닌 요오드; 3,3’ -디헥실옥사카르보시아닌 요오드; 3,3’ -디헵틸옥사카르보시아닌 요오드; 2’ -7’ -디플루오로플루오레신; BODIPY FLAEBSF; 플루오레신-5-말레이미드; 5-요드아세트아미도플루오레신; 6-요도아세트아미도플루오레신; Lysotracker green; 로다민 110; Arsenazo I; Aresenazo III sodium; Bismarck brown Y; Brilliiant Blue G; Carmine; b-카로틴; Chlorophenol red; Azure A; Basic fuchsin; di-2-ANEPEQ; di-8-ANEPPQ; 디-4-ANEPPS; 및 디-8-ANEPPS ANEP(아미노나프틸레테닐피리미디늄).
잉크의 파장 또는 빛 방출과 같은 분광 특성(spectral property)은 감광 화합물과 잉크 간의 상호작용 결과로 바뀔 수 있다. 즉 감광 화합물의 분광 특성은 잉크 존재 하에서 다르게 나타날 수 있다. 그러므로 프로브 어셈블리를 적합한 광원 및 필터로 조절하거나 배열할 때 이 상호작용을 고려하여 프로브 어셈블리가 원하는 광반응을 감지할 수 있도록 한다.
마찬가지로, 광반응은 잉크와 여기에 혼합된 광반응 화합물 및 제품 포장 자체 또는 제품 포장의 모든 배경 인쇄 간의 상호작용으로 인해 인해 바뀔 수 있다. 또 광반응은 잉크젯 프린트를 사용하여 인쇄할 때 감광 화합물(잉크 유무 상관없음)이 가열되어 바뀔 수 있다. 또 한번, 이러한 변경은 적합한 광원과 필터로 브로브 어셈블리를 조절하거나 배열할 때 고려되어야 한다.
또 광반응은 결과물인 마크(예: 화합물과 잉크, 사용한 경우) 및 실러(사용한 경우) 간의 상호작용의 결과로 바뀔 수 있다. 이러한 변경은 광학 감지기를 조절하거나 배열할 때 고려해야 한다.
한 실시예에서는, 시스템을 작동시키기 위해 여러 스위치(표시되지 않음)을 켜서 프린터, 컨트롤러 및 검증 장치에 전원을 공급한다. 제품이나 제품 포장을 검증하기 전에, 검증 장치는 감지기 주변의 배경 조명량을 감지하여 자가보정할 수 있다. 이를 수행하기 위해, 예를 들어, 장치는 광원이 꺼져 있거나 켜저 있을 때 수신한 빛의 분광 특성을 비교한다. 검증하려는 제품이나 제품 포장의 마크는 광원으로부터 방출되는 빛의 파장으로 조사(irradiate)할 수 있다. 광원을 소스 필터로 여과하여 원하는 광파장을 얻고 마크에 렌즈 초점을 맞출 수 있다.
감광 화합물 사용의 한 예로, 광원에서 방출되는 광파장과 마크에 사용된 특정 감광 화합물에 따라 마크에 조사된 감광 화합물은 사전에 정한 광파장을 방출한다. 마크의 감광 화합물 존재로 인한 광발광과 같은 분광 특성의 변경(예: 광반응)은 공식 [(Fd-Fp)/Fd]x100을 이용해 확인할 수 있으며, 여기서 감광 화합물이 없는 마크의 광발광은 Fp이고 감광 화합물이 있는 마크의 광발광은 Fd이다. 광발광은 감광 화합물과 잉크(사용하는 경우)의 상호작용의 결과로 변경된다. 방출 필터는 샘플 마크로부터 방출되는 원하지 않은 광파장을 여과하고 빛의 최대 파장만 통과시킨다. 빛을 광학 감지기로 보내어 마크에서 방출된 빛의 양에 대한 전압 레벨 표시를 생성한다. 이제 장치는 신호를 샘플 특성으로 전환하고, 마크의 존재 여부 및 올바른지 여부를 확인하기 위해 지문과 비교한다. 한 실시예에서는, 인증 마크는 감지된 샘플 특성 값이 지문 값의 10% 이내에 포함될 때 표시된다. 장치는 마크의 진품 여부 및 상기 언급한 바와 같이 적합한 표시 방법을 사용하여 올바르게 도포되었는지 표시한다.
샘플 마크로부터 빛 방출의 강도 및 양이 감지된다. 그러나 현재 발명의 측면에 따라 샘플 특성을 제공하기 위해 시간에 걸쳐 발생한 광도 붕괴 또는 광발광 양의 변화를 사용할 수 있다. 다른 방법으로, 샘플 특성을 제공하기 위해 이러한 모든 조합을 사용할 수 있다. 여기서 사용한 용어 "광발광(light emission)"은 샘플 마크로부터 방출된 빛의 강도, 양, 광도 붕괴 또는 양의 변화를 의미한다.
감광 화합물의 빛 방출 또는 빛 흡수와 저장된 지문과 같은 특정 분광 특성을 비교하는 것 보다는, 어떤 경우에는 빛의 두 다른 파장의 빛 방출 또는 흡수 비율을 저장된 비율 지문과 비교하는 것이 바람직할 수 있다. 한 실시예에서는, 빛의 다른 두 최대 파장을 방출할 수 있는 감광 화합물을 제공하거나, 다른 방법으로는 두 개 이상의 다른 감광 화합물을 제공하여 각각 특정 광발광을 가지는 특성 최대 파장을 생성하여 이를 수행할 수 있다. 두 개 이상의 다른 파장에 비례식을 이용하여 배경 보정을 하지 않고 마크의 올바른 도포를 검증할 수 있다. 비율메트릭 분석은 각 파장의 강도만 오로지 측정할 수 있도록 하며, 두 측정치를 비율로 환산하기 때문에 스펙트라가 베이스라인에 리졸브해야하는 요건이 필요없게 된다. 이는 감지기가 모든 배경을 고려하기 보다 간단히 무시할 수 있도록 한다. 두 개 이상의 감광 화합물을 사용하는 경우, 각 화합물은 포장, 제품, 레이블 또는 용기의 한 곳 이상에 인쇄될 수 있다.
여기 광원에 반응하여 특정 파장을 방출하는 화합물의 사용 이외에도, 현재 발명은 위에서 간단히 설명한 바와 같이 특정 파장을 흡수하는 화합물을 사용할 수도 있다. 예를 들어, 분석되고 있는 서브스트레이트는 특정 파장에서 빛을 방출하여 동일한 파장을 감지기로 반사시킨다. 서브스트레이트의 영역은 광조사의 파장을 흡수할 수 있는 흡수 화합물로 덮혀 있을 수 있으므로 주변보다 낮은 방출 또는 반사 영역으로 감지된다. 두 개 이상의 흡수체를 상기 설명한 바와 같이 방사체(emitter)와 함께 사용하는 유사한 방법으로 사용할 수 있다. 이 외에도, 흡수체는 방사체와 함께 사용할 수 있다.
한 실시예에서는 다른 방출 파장을 가지는 두 개 이상의 감광 화합물을 사용하고 잉크에 추가할 수 있다. 다른 감광 화합물을 다른 잉크에 추가할 수 있다. 예를 들어 첫 번째 감광 화합물을 첫 번째 잉크에 추가할 수 있고, 두 번째 감광 화합물을 두 번째 잉크에 추가할 수 있으며, 여기서 두 잉크는 단일 마크를 생성하는데 사용된다. 감광 화합물과 잉크(사용하는 경우)는 제품이나 포장에 인쇄되어 바코드나 메시지와 같이 단일 감지 마크로 표시된다. 한 실시예에서, 잉크(사용하는 경우)는 수불용성이다.
감광 화합물 사용에 대해, 각 감광 화합물로부터 방출된 상대 형광 강도가 감지될 수 있다. 감광 화합물은 UV 흥분성 화합물, IR 흥분성 화합물 또는 이들의 조합일 수 있다. 예를 들어, 한 UV 흥분성 화합물과 하나 이상의 IR 흥분성 화합물을 사용해도 된다. 다른 방법으로, 한 IR 흥분성 화합물과 하나 이상의 UV 흥분성 화합물을 사용해도 된다. 또 둘 이상의 UV 흥분성 화합물과 둘 이상의 IR 흥분성 화합물을 사용할 수 있다. 그러므로 방출 파장의 범위는 대략 300nm에서 2400nm 정도이다.
이러한 비율의 예는 도9에 표시되어 있다. 다른 두 감광 화합물에 대한 최대 파장의 광발광(light emission) 비율은 저장된 기준 지문과 비교할 때 사용할 수 있다. 예를 들어, 두 감광 화합물을 특정 농도의 잉크와 혼합하였다.. 485 nm을 가지는 빛의 여기파장을 잉크에 조사하였다. 감광 화합물 1의 상대 형광 단위(RFU)는 최대 파장(l1) 575 nm에서 98이고, 감광 화합물 2의 RFU는 최대 파장 525 nm에서 76이다. 최대 파장 575 ~ 525에서의 RFU 값의 비율은 약 1.3이다. 이 1.3 비율은 저장된 지문 비율과 비교할 때 사용할 수 있다. 상대 형광 단위를 방출된 빛의 양에 대한 값을 나타나기 위해 이 예에서 사용하였지만, 광자 개수(photon count)와 같은 다른 단위를 사용할 수 있다.
다른 실시예에서는 여기광의 RFU 비율을 사용할 수 있다. 또한, 감광 화합물에서 방출한 빛 또는 여기광의 RFU의 어떠한 조합의 비율을 수용할 수 있다. 상기 언급한 대로 비율은 저장된 지문(fingerprint) 비율과 비교될 수 있다. 예를 들어 두 개의 감광 화합물은 특정 농도로 잉크에 혼합하였다. 혼합물에 빛의 여기 파장이 적용되었따. 감광 화합물은 여기 파장에 여기 RFU가 있으며 방출 파장에 방출 RFU가 있다. 여기 RFU 대 방출 RFU의 비율은 저장된 지문 비율에 비교한다. 다른 실시예에서 감광 화합물은 두 개의 별개 여기 RFU 값을 갖고 있다. 1째 여기 RFU 값 대 2째 여기 RFU 값의 비율은 저장된 지문 비율에 비교한다. 상기 언급한 것처럼 상대 형광 단위(RFU)를 비록 빛의 양의 값을 표시하기 위해 본 예에서 사용했지만, 예를 들어 광자 숫자와 같은 다른 단위을 사용할 수도 있다. 특정 비율(예 여기 RFU 대 방출 RFU, 여기 RFU 대 여기 RFU, 방출 RFU 대 방출 RFU)은 장치의 제조업체가 설정하거나 사용자가 선택할 수 있다.
이런 비율을 비교하는 것이 유용한 한 경우는 감광 화합물과 잉크의 상호작용으로 인해 발생한다. 일반적으로 잉크에 사용한 용매는 사용 도중이나 제품 또는 제품 포장에 인쇄하기 전에 증발하는 경향이 있다. 이러면 잉크와 상대적으로 감광 화합물의 농도에 변화를 초래할 수 있으며, 결과적으로 조사한 잉크의 여기광 또는 빛 방출을 변경할 수 있다. 하지만 만약 하나 이상의 감광 물질을 최소한 빛의 두 개의 최대 파장에 여기 또는 방출하도록 사용하면(또는 빛을 흡수하는 화합물의 경우 두 저점을 흡수) 비율이 고정적으루 유지되거나 용매 수준에 비해 영향을 받지 않기 때문에 비율을 사용할 수 있게 된다.
감광 화합물을 광디스크에 놓을 때 이런 비율을 감지하는 것이 바람직할 수 있다. 감광 화합물의 변하는 혼합물 및(또는) 강도에 의해 이 비율은 제품 생산시 변경될 수 있으며, 광디스크를 예로 들을 수 있다.
현 발명의 비율메트릭(ratiometric) 분석은 마크에서 단순히 하나 이상의 감광 화합물을 감지하여 생성된 프로파일 수에 비해 지문 방출 프로파일 수가 크게 증가될 수 있도록 허용한다. 예를 들어, 두 개의 특정한 감광 화합물을 특정한 제품 라인을 인증하기 위해 지정할 수 있다. 하지만 같은 제품 라인 안에서도 제품 공급원, 제조 날짜 또는 유통 위치와 같은 변수가 추가 정의될 수 있으며, 이것은 인증 마크에 사용되는 두 개의 감광 화합물의 변하는 비율에 의해 정의된다. 이런 방식으로 특정 감광 화합물 또는 감광 화합물 그룹은 특정 회사 또눈 제품군에 고유하게 지정될 수 있으며, 본 조합의 감광 화합물을 쓰는 사용자는 같은 조합이 다른 사람에 의해 사용되지 않을 것으로 안심할 수 있다. 또한, 감광 화합물의 특정 조합의 특정 비율 범위를 특정 제품 라인, 부서 또는 회사에 지정할 수 있다.
또 다른 상황에서 비율을 사용할 경우 검증 장치가 상기 언급한 자아-조정 절차 이외 주변광, 온도 및 기타 조건에 대해 자아-조정할 수 있도록 한다. 예를 들어 장치는 광원, 전자기기 또는 광학 감지기의 약화를 보충할 수 있다. 상기 언급한 요소로 인해 빛 방출(또는 흡수) 또는 감광 화합물의 단일 파장의 감지가 변경할지라도 빛 방출(또는 흡수)의 비율 또는 감광 화합물의 두 파장 여기의 비율은 비교적 고정적이다. 그러므로, 인증 마크가 올바르게 도포되었는지 판단할 때 검증 과정시 실제 값보다 비율을 사용할 수 있다. 검증된 데이터와 저장된 데이터간의 비교로 인한 가변성은 이로서 제거된다.
또한 특정한 잉크 샘플에서 대다수의 샘플을 읽을 경우 샘플링율이 변경될 수 있다. 바람직한 실시예에서는 10,000 정도의 샘플을 읽는다. 그러므로, 샘픔 특성을 제공하는데 있어서 높은 신뢰 수준을 얻을 수 있다. 인증 마크의 존재 및 올바름, 빛 방출(또는 흡수), 한 파장 이상의 비율의 빛 방출(또는 흡수), 그리고 인증 마크의 특정 패턴을 검증하는 것에 대한 신뢰 수준을 추가 향상시키려면 바코드 이외로 인쇄하여 높은 수의 데이터 포인트를 갖추면 각각 표준 지문에 비교하면 된다.
바람직하게는, 목표 서브스트레이트는 짧은 기간 동안 여기 파장으로 조명한다. 이러면 화합물에 대한 적합한 수준의 여기를 허용하며, 동시에 분석이 진행되고 있는 부분에 끼칠 수 있는 플래시의 영향과 같은 외부 영향을 최소화할 수 있다. 예를 들어, 서브스트레이트는 여기 주파수에 1 ms 보다 적은 시간동안 조명된다.
이렇게 데이터가 너무 많이 생성된 경우, 주어진 시간별로 한 개 또는 두 개의 변수를 비교하는 관습적인 데이터 분석은 가능하지면 실용적이지 못하다. 그러므로, 발명의 한 측면에 의하면 다변수 분석 또는 다변수 패턴 인식을 사용할 수 있다. 바람직한 실시예에서, Tukey 분석과 주 구성요소 분석(Principle Component Analysis)을 사용했다. 사용할 수 있는 다른 다변수 테크닉으로는 계층 클러스터 분석(Hierarchical Cluster Analysis), K 근접이웃(K Nearest Neighbor), 파인애플 구성요소 회귀(Pineapple Component Regression), 부분최소자승법 회귀(Partial Least Squares Regression), 그리고 클래서 애널러지의 소프트 독립 모델링(Soft Independent Modeling of Class Analogy)가 포함된다. 이런 다변수 테크닉은 데이터의 차원을 2 또는 3차원으로 줄이며, 패턴 및 관계가 생성되도록 허용한다. 이렇게 생성된 패턴은 디지털-캡쳐한 플레이트 이미지와 비교할 수 있다. 패턴에는 구조 및 생상 모두 포함될 수 있다.
저장된 표준에 비교 분석되는 샘플 중 유사 및 다른 점을 요약한 독특한 클러스터를 가진 플롯을 만들어서 데이터 분석을 실행할 수 있다. 상기 언급한 다변수 또는 다변수 패턴 인식 대신 또는 추가로 이러한 분석을 수행할 수 있다.
본 발명에 대한 특정 실시예를 설명한 바 당업자는 여러 변형, 개조 및 개선 사항들을 쉽게 구상할 수 있을 것이다. 이러한 변형, 개조 및 개선 사항들은 본 발명의 정신과 범위에 포함된 것으로 의도한다. 이에 따라, 이전 설명은 예제로 서술된 것이며, 이에 제한되지 않는다. 본 발명은 다음 청구항 및 이에 동등한 내용에서 정의된 바에 의해 제한 받는다.
Claims (48)
- 인증 마크(26)의 최소한 한 부분을 생산 라인(24)에 배열되는 서브스트레이트(28)에 도포하고 서브스트레이트(28)의 마크 도포의 최소한 한 부분을 검증하는 시스템(20)이며,최소한 한 부분의 인증 마크(26)를 생산하도록 최소한 하나의 감광 화합물을 브스트레이트(28)에 도포하기 위해 구성 및 배열된 생산 라인(24)에 배치할 수 있는 도포기와,서브스트레이트(28)에 도포된 최소한 하나의 감광 화합물을 검증하기 위해 구성 및 배열된 생산 라인에 배치할 수 있는 검증 장치(40)를 포함하는 시스템.
- 제1항에 있어서, 도포기가 연속적인 잉크젯 프린터인 시스템.
- 제1항 또는 제2항에 있어서 ,최소한 하나의 감광 화합물과 혼합된 잉크로 인쇄하는 프린터(22)가 도포기인 시스템.
- 제3항에 있어서, 잉크가 수용성인 시스템.
- 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서, 검증 장치(40)가 올바른 감광 화합물의 도포 여부를 확인하는 시스템.
- 제1항 내지 제5항 중 어느 한 항에 있어서, 검증 장치(40)가 빛으로 최소한 하나의 감광 화합물을 방출하고 최소한 하나의 감광 화합물의 첫 광반응을 탐지하는 시스템.
- 제6항에 있어서, 첫 광반응을 지문(fingerprint)에 비교하는 시스템.
- 제3항 내지 제7항 중 어느 한 항에 있어서, 프린터(22)가 첫째 감광 화합물로 혼합된 첫째 잉크 및 둘째 감광 화합물로 혼합된 둘째 잉크를 인쇄하여 최소한 한 부분의 마크를 생산하는 시스템.
- 제8항에 있어서, 첫째 및 둘째 잉크가 같은 잉크인 시스템.
- 제6항 내지 제9항 중 어느 한 항에 있어서, 검증 장치(40)가 둘째 광반응을 탐지하는 시스템.
- 제10항에 있어서, 둘째 광반응을 지문(fingerprint)에 비교하는 시스템.
- 제10항 또는 제11항에 있어서, 둘째 광반응이 첫째 광반응과 서로 다른 시스템.
- 제10항 내지 제12항 중 어느 한 항에 있어서, 검증 장치(40)가 첫째 및 둘째 반응의 비율을 측정하고 지문(fingerprint)의 비율에 비교하는 시스템.
- 제3항 내지 제13항 중 어느 한 항에 있어서, 프린터(22)가 최소한 하나의 용매와 혼합된 감광 화합물을 인쇄하는 시스템.
- 제1항 내지 제14항 중 어느 한 항에 있어서, 서브스트레이트(28)와 조합된 시스템.
- 제15항에 있어서, 서브스트레이트(28)가 제품 또는 제품 포장인 조합.
- 제1항 내지 제16항 중 어느 한 항에 있어서, 생산 라인(24)과 조합된 시스템.
- 제15항 내지 제17항 중 어느 한 항에 있어서, 도포기가 생산 라인(24)에 배치된 조합.
- 제15항 내지 제18항 중 어느 한 항에 있어서, 검증 장치(40)가 생산 라인(24)에 배치된 조합.
- 제15항 내지 제19항 중 어느 한 항에 있어서, 검증 장치(40)와 도포기가 생산 라인(24)에 배치되어 있으며 검증 장치(40)를 도포기보다 다운라인에 위치한 곳에 배치한 조합.
- 제1항 내지 제20항 중 어느 한 항에 있어서, 도포기 및 검증 장치(40) 모두와 통신하는 컨트롤러(42)로 추가 구성된 시스템.
- 제1항 내지 제21항 중 어느 한 항에 있어서, 최소한 마크(26)의 한 부분의 검증을 표시하도록 적용된 검증 장치(40)에 결부한 표시기(44)로 추가 구성된 시스템.
- 제1항 내지 제22항 중 어느 한 항에 있어서, 검증 장치(40)와 통신하는 컨트롤러(42)와 생산 라인 컨트롤러로 추가 구성된 시스템.
- 제1항 내지 제23항 중 어느 한 항에 있어서, 검증 장치(40)는,프레임(50)과,프레임(50)에 장착된 광원(52), 최소한 하나의 감광 화합물과 서브스트레이트(28)를 방출하기 위해 사전에 정한 파장의 빛을 방출하도록 적용된 광원(52)과,광원(52)에서 방출한 빛의 원하지 않는 파장을 여과하도록 광원(52)과 함계 작용하는 프레임(50)에 장착된 여기필터(56)를 포함하며,여기서 프레임(50) 및 최소한 하나의 광원(52) 및 여기필터(56)는 사용자가 프레임(50)으로부터 적어도 하나의 광원(52)과 여기 필터(56)를 제거할 수 있도록 제조 및 배열되어 있어 사용자가 다른 사전에 정한 광파장의 빛을 방출하는 다른 광원을 최소한 하나 사용하거나 광원으로부터 방출되는 빛의 원하지 않는 다른 파장을 여과할 수 있는 다른 여기필터를 사용할 수 있는 시스템.
- 제24항에 있어서, 여기서 검증 장치(40)는 프레임(50)에 장착된 방출 필터(60)로 추가 구성되어 있으며, 최소한 하나의 서브스트레이트(28) 그리고 최소한 하나의 감광 화합물 및 주변광에서 방출하는 빛의 원하지 않는 파장을 여과하도록 적용되었으며;여기서 사용자가 방출 필터(60)를 프레임(50)에서 제거할 수 있도록 프레임(50)과 방출 필터(60)를 제조 및 배열하므로서, 최소한 하나의 서브스트레이트(28) 그리고 최소한 하나의 감광 화합물 및 주변광에서 방출하는 빛의 원하지 않는 파장을 여과할 수 있는 다른 필터를 사용자가 수용할 수 있도록 되어 있는 시스템.
- 제24항 또는 제25항에 있어서, 검증 장치(40)에 프레임(50)에 장착된 감지기(54)로 추가 구성되어 있으며 최소한 하나의 감광 화합물의 광반응을 감지하도록 적용된 시스템.
- 제24항 내지 제26항 중 어느 한 항에 있어서, 검증 장치(40)에 프레임(50)에 장착된 여기렌즈(58)로 추가 구성되어 있으며 광원에서 방출한 빛의 초점을 맞추는 시스템.
- 제27항에 있어서, 사용자가 다른 여기렌즈를 수용할 수 있게 사용자가 여기 렌즈(58)를 프레임(50)에서 제거할 수 있도록 프레임(50)과 여기 렌즈(58)가 제조 및 배열된 시스템.
- 제24항 내지 제28항 중 어느 한 항에 있어서, 검증 장치(40)에 프레임(50)에 장착한 방출 렌즈(62)로 추가 구성되어 있으며 최소한 하나의 서브스트레이트(28) 그리고 최소한 하나의 감광 화합물 및 주변광에서 방출하는 빛의 초점을 맞추도록 적용된 시스템.
- 제29항에 있어서, 사용자가 다른 여기렌즈를 수용할 수 있게 렌즈(62)가 프레임(50)에서 제거될 수 있도록 프레임(50)과 여기 렌즈(62)가 제조 및 배열된 시스템.
- 생산 라인에서 처분되는 서브스트레이트에 최소한 인증 마크의 한 부분을 도포하고 마크 도포의 최소한 한 부분을 검증하는 방법이며,최소한 인증 마크(100)의 한 부분을 생산하도록 서브스트레이트에 최소한 하나의 감광 화합물을 도포하는 단계와,서브스트레이트가 생산 라인(106)을 통과할 때 서브스트레이트의 최소한 하나의 감광 화합물 도포를 확인하는 단계를 포함하며,도포 작업은 서브스트레이트가 생산 라인을 통과할 때 수행되는 방법.
- 제31항에 있어서, 최소한 하나의 감광 화합물 도포를 확인하는 단계는 서브스트레이트가 생산 라인(106)을 통과할 때 최소한 하나의 감광 화합물에서의 광반응을 감지하는 단계를 포함하는 방법.
- 제31항 또는 제32항에 있어서, 서브스트레이트가 올바른 마크(106)를 갖춘 것으로 검증된 후 서브스트레이트(114)를 포장하는 단계를 더 포함하는 방법.
- 제31항 내지 제33항 중 어느 한 항에 있어서, 서브스트레이트(116)를 선적하는 단계를 더 포함하는 방법.
- 제31항 내지 제34항 중 어느 한 항에 있어서, 마크를 생산하기 위해 최소한 하나의 감광 화합물을 도포하는 단계는 첫째 잉크와 첫째 감광 화합물을 화합하는 단계를 포함하는 방법.
- 제31항 내지 제35항 중 어느 한 항에 있어서, 최소한 하나의 감광 화합물 도포를 검증하는 단계는 빛으로 최소한 하나의 감광 화합물을 방출하는 것과 첫 광반응을 감지하는 단계를 포함하는 방법.
- 제36항에 있어서, 첫 광반응이 지문(fingerprint)에 비교되는 방법.
- 제31항 내지 제37항 중 어느 한 항에 있어서, 최소한 한 부분의 마크를 생산하기 위해 최소한 하나의 감광 화합물을 도포하는 단계는 첫째 감광 화합물을 첫째 잉크와 혼합, 그리고 둘째 감광 화합물을 둘째 잉크로 혼합하는 단계를 포함하는 방법.
- 제38항에 있어서, 첫째 및 둘째 잉크가 같은 잉크인 방법.
- 제38항 또는 제39항에 있어서, 최소한 하나의 감광 화합물 도포를 검증하는 단계는 둘째 감광 화합물의 둘째 광반응을 감지하는 단계를 포함하는 방법.
- 제40항에 있어서, 둘째 광반응이 지문(fingerprint)에 비교되는 방법.
- 제40항 또는 제41항에 있어서, 둘째 광반응이 첫째 광반응과 서로 다른 방법.
- 제40항 내지 제42항 중 어느 한 항에 있어서, 첫째 및 둘째 광반응의 비율을 측정하여 비율을 지문(fingerprint)에 비교하는 단계를 더 포함하는 방법.
- 제31항 내지 제43항 중 어느 한 항에 있어서, 최소한 한 부분의 마크를 도포하는 단계는 용매로 최소한 하나의 감광 화합물을 혼합하는 단계를 포함하는 방법.
- 제31항 내지 제44항 중 어느 한 항에 있어서, 서브스트레이트가 생산 라인을 통과할 때 마크의 최소한 한 부분을 도포하는 단계는 도포 작업시 서브스트레이트를 멈추는 단계를 포함하는 방법.
- 제31항 내지 제44항 중 어느 한 항에 있어서, 서브스트레이트가 생산 라인을 통과할 때 마크의 최소한 한 부분을 도포하는 단계는 서브스트레이트가 생산 라인을 따라 이동하는 중 마크의 최소한 한 부분을 도포하는 단계를 포함하는 방법.
- 제31항 내지 제46항 중 어느 한 항에 있어서, 서브스트레이트가 생산 라인을 통과할 때 최소한 하나의 감광 화합물 도포를 검증하는 단계는 검증 도중 서브스트레이트를 멈추는 단계를 포함하는 방법.
- 제31항 내지 제46항 중 어느 한 항에 있어서, 서브스트레이트가 생산 라인을 통과할 때 최소한 하나의 감광 화합물 도포를 검증하는 단계는 서브스트레이트가 생산 라인을 따라 이동하는 도중에 검증하는 단계를 포함하는 방법.
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