KR20050065167A - Method for forming image sensor - Google Patents
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Abstract
본 발명은 (1) 반도체 기판 상에 산화막을 증착하는 단계와, (2) 상기 결과물 상에 포토레지스트를 형성하여 활성영역을 정의하여 오픈하는 단계와, (3) 상기 활성영역에 대하여 플라즈마 식각공정을 실시하여, 상기 활성영역의 반도체 기판 상에는 상기 산화막 중 소정의 두께만을 남기되, 상기 활성영역의 가장자리부의 상기 산화막은 경사지도록 식각하는 단계와, (4) 디스컴(descum) 공정을 실시하여 상기 포토레지스트 중 상기 단계 (3)의 경사진 산화막의 가장자리 윗부분에 형성되어 있던 포토레지스트를 일정 폭만큼 제거함으로써, 상기 산화막의 가장자리 윗부분의 소정 부위을 오픈시키는 단계와, (5) 상기 산화막의 가장자리 윗부분을 완곡하게 식각하는 단계와, (6) 상기 포토레지스트를 제거한 후, 상기 활성영역의 반도체 기판 상에 존재하는 상기 산화막을 식각하여 제거하는 단계를 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 이미지 센서의 제조방법에 관한 것이다.The present invention comprises the steps of (1) depositing an oxide film on a semiconductor substrate, (2) forming a photoresist on the resultant to define and open an active region, and (3) a plasma etching process for the active region Etching to leave only a predetermined thickness of the oxide film on the semiconductor substrate of the active region, and to incline the oxide film at an edge portion of the active region, and (4) a descum process to perform the etching process. Removing the photoresist formed on the upper edge of the inclined oxide film of the step (3) by a predetermined width to open a predetermined portion of the upper edge of the oxide film, and (5) the upper edge of the oxide film. Etching gently, (6) removing the photoresist, and then removing the photoresist on the semiconductor substrate in the active region. It relates to a process for the preparation of an image sensor characterized in that comprises the step of removing by etching a film screen.
본 발명에 따른 이미지 센서의 제조방법은 격리영역을 먼저 생성한 후 활성영역을 형성하되, 활성영역의 가장자리의 산화막을 경사지도록 형성하고, 그 경사진 산화막의 가장자리 윗부분을 식각하여 완곡하게 형성함으로써, 버즈 비크(bird's beak)에 의한 다크 신호(dark signal) 발생 및 그에 따른 이미지 센서의 광특성 열화를 방지할 뿐만 아니라, 활성영역의 가장자리 부분에서 폴리실리콘막 또는 게이트 산화막이 너무 얇아지는 현상을 방지할 수 있는 이점을 가진다. In the method of manufacturing an image sensor according to the present invention, by first forming an isolation region and then forming an active region, the oxide layer at the edge of the active region is inclined, and the upper portion of the inclined oxide layer is etched and formed to be smooth. It not only prevents dark signal generation due to bird's beak and consequently deteriorates optical characteristics of the image sensor, but also prevents the polysilicon film or gate oxide film from becoming too thin at the edge of the active region. Has the advantage.
Description
본 발명은 이미지 센서의 제조방법에 관한 것으로, 더욱 구체적으로는 버즈 비크(bird's beak)에 의한 다크 신호(dark signal) 발생 및 그에 따른 이미지 센서의 광특성 열화를 방지할 수 있고, 활성영역의 가장자리 부분에서 폴리실리콘막 또는 게이트 산화막이 너무 얇아지는 현상을 방지할 수 있는 특징을 가지는 이미지 센서의 제조방법에 관한 것이다. The present invention relates to a method of manufacturing an image sensor, and more particularly, to prevent generation of a dark signal due to a bird's beak and consequently to deterioration of optical characteristics of an image sensor, and to an edge of an active area. The present invention relates to a method of manufacturing an image sensor having a feature capable of preventing the polysilicon film or the gate oxide film from becoming too thin in the portion.
일반적으로, 이미지센서라 함은 광학 영상(optical image)을 전기 신호로 변환시키는 반도체소자로서, 이중에서 전하결합소자(CCD : charge coupled device)는 개개의 MOS(Metal-Oxide-Silicon) 커패시터가 서로 매우 근접한 위치에 있으면서 전하 캐리어가 커패시터에 저장되고 이송되는 소자이며, 시모스(Complementary MOS) 이미지센서는 제어회로(control circuit) 및 신호처리회로(signal processing circuit)를 주변회로로 사용하는 CMOS 기술을 이용하여 화소수 만큼의 MOS트랜지스터를 만들고 이것을 이용하여 차례차례 출력(output)을 검출하는 스위칭 방식을 채용하는 소자이다.In general, an image sensor is a semiconductor device that converts an optical image into an electrical signal. Among them, a charge coupled device (CCD) includes individual metal-oxide-silicon (MOS) capacitors. A device in which charge carriers are stored and transported in a capacitor while being in close proximity to each other. Complementary MOS image sensors use CMOS technology that uses a control circuit and a signal processing circuit as peripheral circuits. A device employing a switching scheme that creates MOS transistors as many as pixels and sequentially detects outputs using the MOS transistors.
CCD(charge coupled device)는 구동 방식이 복잡하고 전력소모가 많으며, 마스크 공정 스텝수가 많아서 공정이 복잡하고 시그날 프로세싱 회로를 CCD 칩내에 구현 할 수 없어 원칩(One Chip)화가 곤란하다는 등의 여러 단점이 있는 바, 최근에 그러한 단점을 극복하기 위하여 서브-마이크론(sub-micron) CMOS 제조기술을 이용한 CMOS 이미지센서의 개발이 많이 연구되고 있다. CMOS 이미지센서는 단위 화소(Pixel) 내에 포토다이오드와 모스트랜지스터를 형성시켜 스위칭 방식으로 차례로 신호를 검출함으로써 이미지를 구현하게 되는데, CMOS 제조기술을 이용하므로 전력 소모도 적고 마스크 수도 20개 정도로 30∼40개의 마스크가 필요한 CCD 공정에 비해 공정이 매우 단순하며 여러 신호 처리 회로와 원칩화가 가능하여 차세대 이미지센서로 각광을 받고 있다.CCD (charge coupled device) has many disadvantages such as complicated driving method, high power consumption, high number of mask process steps, complicated process, and difficult to implement one processing chip because signal processing circuit cannot be implemented in CCD chip. In order to overcome such drawbacks, the development of a CMOS image sensor using a sub-micron CMOS manufacturing technology has been studied in recent years. The CMOS image sensor forms an image by forming a photodiode and a MOS transistor in a unit pixel and sequentially detects signals in a switching method, and implements an image by using a CMOS manufacturing technology, which consumes less power and uses 30 to 40 masks as many as 20 masks. Compared to CCD process that requires two masks, the process is very simple, and it is possible to make various signal processing circuits and one chip, which is attracting attention as the next generation image sensor.
게이트 길이 0.35[㎛]인 이미지 센서의 제조공정에서 소자격리막의 형성시에는 LOCOS방식을 사용되어 왔다. 그러나, 이러한 LOCOS 방식에 의한 이미지 센서는 다크 신호(dark signal)의 발생 및 그에 따른 광특성 열화 등의 문제를 개선하는 데는 한계가 있었다. 다크 신호의 발생 원인은 웨이퍼(wafer) 손상, 식각에 의한 손상, 열 조건, 오염 조건 등으로 매우 광범위하다. 특히 게이트 길이 0.35[㎛]인 CMOS 이미지 센서의 경우에는 필드 산화막에 의한 버즈 비크(bird's beak)가 형성되는 문제점이 있었으며, 이러한 버즈 비크는 결과적으로 이미지 센서에서의 다크 신호 발생 및 그에 따른 광특성 열화의 요인이 되었다. The LOCOS method has been used to form the device isolation film in the manufacturing process of the image sensor having a gate length of 0.35 [µm]. However, the image sensor based on the LOCOS method has a limit in improving problems such as generation of dark signals and deterioration of optical characteristics. The cause of the dark signal is very wide due to wafer damage, etching damage, thermal conditions, contamination conditions, and the like. In particular, in the case of a CMOS image sensor having a gate length of 0.35 [μm], there is a problem in that a bird's beak is formed by a field oxide film, which causes a dark signal in the image sensor and consequently deteriorates optical characteristics. It became a factor.
도 1a 내지 도 1e는 종래 기술에 의한 이미지 센서의 제조방법을 도시한 것으로서, 이를 참조하여 종래기술에 의한 이미지 센서 제조방법의 문제점을 더욱 상세히 설명하면 다음과 같다.1A to 1E illustrate a manufacturing method of an image sensor according to the prior art, and the problems of the image sensor manufacturing method according to the prior art will be described in detail with reference to the following.
먼저, 도 1a에 도시된 바와 같이, 반도체 기판(101) 상에 패드 산화막(102)을 적층한다.First, as shown in FIG. 1A, a pad oxide film 102 is stacked on a semiconductor substrate 101.
이후, 도 1b에 도시된 바와 같이, 상기 패드 산화막(102) 상에 패드 질화막(103)을 적층한다. Thereafter, as illustrated in FIG. 1B, a pad nitride film 103 is stacked on the pad oxide film 102.
다음으로, 상기 결과물에 대하여 포토 레지스트(미도시)에 의한 패터닝을 실시한 후, 도 1c에 도시된 바와 같이, 상기 패드 산화막(102) 및 패드 질화막(103)을 식각하여 필드 산화막(104)이 형성될 영역, 즉 격리영역을 정의한다.Next, after patterning the photoresist (not shown) with respect to the resultant, as shown in FIG. 1C, the pad oxide film 102 and the pad nitride film 103 are etched to form a field oxide film 104. Defines the area to be, that is, the isolation area.
이이서, 도 1d에 도시된 바와 같이, 상기 패드 산화막(102) 및 패드 질화막(103)이 식각된 부분에 대하여 산화공정을 진행하여 필드 산화막(104)을 형성한다.As shown in FIG. 1D, an oxidation process is performed on the portions where the pad oxide film 102 and the pad nitride film 103 are etched to form the field oxide film 104.
마지막으로, 활성영역 상에 남아 있는 패드 질화막(103) 및 패드 산화막(102)을 식각하여 제거한다.Finally, the pad nitride film 103 and the pad oxide film 102 remaining on the active region are etched and removed.
그러나, 이러한 LOCOS 방식에 의한 필드 산화막의 형성방법은 도 1f에 도시된 바와 같이 활성영역과 근접해 있는 필드 산화막(104)의 가장자리 부분에 버즈 비크(A 영역)가 형성되는 문제점이 있었는 바, 이는 상기에서 언급한 바와 같은 다크 신호를 발생시키며, 그에 따라 이미지 센서의 광특성을 열화시키는 주요한 원인이 되었다. However, the method of forming the field oxide film by the LOCOS method has a problem in that a buzz beak (A region) is formed at the edge of the field oxide film 104 adjacent to the active region as shown in FIG. 1F. It generates a dark signal as mentioned, which is a major cause of deterioration of the optical characteristics of the image sensor.
따라서, 본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제는 격리영역을 형성함에 있어, 버즈 비크에 의한 다크 신호 발생 및 그에 따른 이미지 센서의 광특성 열화를 방지할 수 있는 것을 특징으로 하는 이미지 센서의 제조방법을 제공하는 데 있다. Therefore, the technical problem to be achieved by the present invention is to provide a method for manufacturing an image sensor, characterized in that in forming the isolation region, it is possible to prevent the generation of a dark signal by the buzz beak and thereby deterioration of optical characteristics of the image sensor There is.
상기 기술적 과제를 달성하기 위하여, 본 발명은 (1) 반도체 기판 상에 산화막을 증착하는 단계와, (2) 상기 결과물 상에 포토레지스트를 형성하여 활성영역을 정의하여 오픈하는 단계와, (3) 상기 활성영역에 대하여 플라즈마 식각공정을 실시하여, 상기 활성영역의 반도체 기판 상에는 상기 산화막 중 소정의 두께만을 남기되, 상기 활성영역의 가장자리부의 상기 산화막은 경사지도록 식각하는 단계와, (4) 디스컴(descum) 공정을 실시하여 상기 포토레지스트 중 상기 단계 (3)의 경사진 산화막의 가장자리 윗부분에 형성되어 있던 포토레지스트를 일정 폭만큼 제거함으로써, 상기 산화막의 가장자리 윗부분의 소정 부위을 오픈시키는 단계와, (5) 상기 산화막의 가장자리 윗부분을 완곡하게 식각하는 단계와, (6) 상기 포토레지스트를 제거한 후, 상기 활성영역의 반도체 기판 상에 존재하는 상기 산화막을 식각하여 제거하는 단계를 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 이미지 센서의 제조방법을 제공한다.In order to achieve the above technical problem, the present invention comprises the steps of (1) depositing an oxide film on a semiconductor substrate, (2) forming a photoresist on the resultant to define and open an active region, and (3) Performing a plasma etching process on the active region, leaving only a predetermined thickness of the oxide layer on the semiconductor substrate of the active region, and etching the oxide layer at an edge of the active region to be inclined; performing a descum process to remove the photoresist formed on the upper edge of the inclined oxide film of the step (3) by a predetermined width to open a predetermined portion of the upper edge of the oxide film; 5) gently etching the upper edge of the oxide layer, (6) removing the photoresist, and then Is the provide a method for manufacturing an image sensor, characterized in that comprises the step of removing by etching the oxide film present on the semiconductor substrate.
본 발명에서, 상기 단계 (3)의 플라즈마 식각 공정은 CxFy 화합물(x, y는 임의의 수)을 포함하는 기체를 활성화시킨 플라즈마를 이용하여 실시하는 것이 바람직하다.In the present invention, the plasma etching process of step (3) is preferably performed using a plasma activated a gas containing a C x F y compound (x, y is any number).
본 발명에서, 상기 단계 (3)의 공정 결과, 상기 단계 (3)의 플라즈마 중의 CxFy 화합물과, 상기 산화막 중에 존재하는 SiO2 간의 화학반응에 의해 상기 포토레지스트 및 상기 산화막의 경사져 식각된 부분의 측면 상에 형성되는 소정의 폴리머막을 버퍼 옥사이드 에천트(buffer oxide etchant) 처리 또는 HF 처리를 통해 식각하여 제거하는 단계를 더 포함하여 구성되는 것이 바람직하다.In the present invention, as a result of the process of step (3), by the chemical reaction between the C x F y compound in the plasma of the step (3) and SiO 2 present in the oxide film is inclined and etched of the photoresist and the oxide film Preferably, the method further comprises etching and removing the predetermined polymer film formed on the side of the portion through a buffer oxide etchant treatment or an HF treatment.
본 발명에서, 상기 단계 (4)의 디스컴 공정 결과, 상기 산화막의 가장자리 윗부분의 포토레지스트는 100~200[Å]의 폭만큼 제거되도록 하는 것이 바람직하다.In the present invention, it is preferable that the photoresist of the upper portion of the edge of the oxide film is removed by a width of 100 to 200 [mm] as a result of the discom process of step (4).
본 발명에서, 상기 단계 (5)는 비등방성 건식 식각공정에 의해 실시되는 것이 바람직하다.In the present invention, the step (5) is preferably carried out by an anisotropic dry etching process.
본 발명에서, 상기 단계 (6)의 상기 산화막은 HF를 이용한 습식 식각 방식에 의해 제거하는 것이 바람직하다. In the present invention, the oxide film of the step (6) is preferably removed by a wet etching method using HF.
이하, 실시예를 통하여 본 발명을 더욱 상세히 설명하기로 한다. 이들 실시예는 단지 본 발명을 예시하기 위한 것이며, 본 발명의 권리 보호 범위가 이들 실시예에 의해 제한되는 것은 아니다. 또한, 어떤 막이 다른 막 또는 기판의 "위(상)"에 있다고 기재된 경우, 상기 어떤 막이 상기 다른 막의 위에 직접 존재할 수도 있고, 그 사이에 제 3의 다른 막이 개재될 수도 있다. Hereinafter, the present invention will be described in more detail with reference to Examples. These examples are only for illustrating the present invention, and the scope of protection of the present invention is not limited by these examples. In addition, if a film is described as "on" another film or substrate, the film may be directly on top of the other film, and a third other film may be interposed therebetween.
도 2a 내지 도 2g는 본 발명의 일실시예에 따른 이미지 센서의 제조방법을 설명하기 위해 순차적으로 나타낸 단면도로서, 이를 참조하여 본 발명에 의한 이미지 센서 제조방법을 설명하면 다음과 같다.2A to 2G are cross-sectional views sequentially illustrating a method of manufacturing an image sensor according to an embodiment of the present invention. Referring to this, the method of manufacturing an image sensor according to the present invention will be described below.
먼저, 도 2a에 도시된 바와 같이, 반도체 기판(201) 상에 산화막(202)을 증착한다. 여기서, 산화막(202)은 2000~3000[Å]의 두께로 증착한다.First, as shown in FIG. 2A, an oxide film 202 is deposited on the semiconductor substrate 201. Here, the oxide film 202 is deposited to a thickness of 2000 to 3000 [kV].
이후, 상기 결과물에 대하여, 도 2b에 도시된 바와 같이, 포토레지스트(203)를 형성하여 격리영역(C)이 될 부분은 클로즈(close)하고 활성영역(D)이 될 부분은 오픈하는 패터닝을 한다.Thereafter, as shown in FIG. 2B, patterning is performed in which the photoresist 203 is formed to close the portion to be the isolation region C and open the portion to be the active region D. do.
이어서, 상기 포토레지스트(203)에 의해 개방된 활성영역(D)에 대하여 플라즈마 식각 공정을 실시함으로써, 도 2c에 도시된 바와 같이, 상기 활성영역(D) 상의 산화막(202)을 식각하여, 그 결과 산화막(202)의 일부 두께 부분만 활성영역(D)의 반도체 기판(201) 상에 남도록 한다. 이 때, 상기 플라즈마 식각공정의 결과, 상기 활성영역(D)의 가장자리부에 있는 상기 산화막(202)은 경사지도록 형성되며, 그 경사진 부분 및 포토레지스트(203)의 측면 상에는 소정의 폴리머막(204)이 형성된다. 여기서, 상기 플라즈마 식각공정에서는 CxFy 화합물(x, y는 임의의 수)을 포함하는 기체를 활성화시킨 플라즈마를 이용하며, 상기 폴리머막(204)은 상기 플라즈마 중의 CxFy 화합물과, 산화막(202) 중에 존재하는 SiO2 간의 화학 반응에 의한 부산물의 일종으로서 SixFy(x, y는 임의의 수)의 형태를 띠는 물질로 이루어 진다. 그리고, 활성영역(D) 상에 남아 있는 산화막(202)의 두께는 500~1000[Å]정도가 된다.Subsequently, a plasma etching process is performed on the active region D opened by the photoresist 203, thereby etching the oxide film 202 on the active region D, as shown in FIG. As a result, only a part of the thickness of the oxide film 202 is left on the semiconductor substrate 201 in the active region D. FIG. At this time, as a result of the plasma etching process, the oxide film 202 at the edge of the active region D is formed to be inclined, and a predetermined polymer film (on the inclined portion and the side surface of the photoresist 203) is formed. 204 is formed. Here, the plasma etching process uses a plasma that activates a gas containing a C x F y compound (where x and y are any numbers), and the polymer film 204 may include a C x F y compound in the plasma; It is a kind of by-product by chemical reaction between SiO 2 present in the oxide film 202, and is made of a material having the form of Si x F y (x, y is any number). Then, the thickness of the oxide film 202 remaining on the active region D is about 500 to 1000 [mm].
다음으로, 도 2d에 도시된 바와 같이, 버퍼 옥사이드 에천트(buffer oxide etchant) 처리 또는 HF 처리를 통해 상기 폴리머막(204)을 식각하여 제거한다.Next, as shown in FIG. 2D, the polymer film 204 is etched away through a buffer oxide etchant treatment or an HF treatment.
이후, 도 2e에 도시된 바와 같이, 디스컴(descum) 공정을 실시하여 상기 포토레지스트(203) 중 상기 경사진 산화막(202)의 가장자리 윗부분에 형성되어 있던 포토레지스트(203)를 제거함으로써, 상기 산화막(202)의 가장자리 윗부분의 소정 부위을 오픈시킨다. 일반적으로, 디스컴이란 현상작업 후 제거되지 않고 남아 있는 미량의 감광액 찌꺼기를 추가적으로 건식 제거하는 공정을 말하는데, 본 실시예에서는 상기 경사진 산화막(202)의 가장자리 윗부분에 있는 포토레지스트(203)를 100~200[Å]의 폭만큼 제거함으로써, 그 제거된 부위에서는 산화막(202)의 해당 부위가 오픈될 수 있도록 하기 위하여 적용된다. 이 때, 상기 디스컴 공정 결과, 상기 해당부위의 포토레지스트(203)가 제거됨과 동시에, 다른 부위에 있는 포토레지스트(203)도 일정 두께만큼은 식각되어 제거되게 된다.Thereafter, as illustrated in FIG. 2E, a descum process is performed to remove the photoresist 203 formed on the upper edge of the inclined oxide film 202 of the photoresist 203. The predetermined portion of the upper portion of the edge of the oxide film 202 is opened. In general, the discom refers to a process of additionally removing a small amount of photoresist residue remaining after the developing operation is not removed. In this embodiment, the photoresist 203 on the upper edge of the inclined oxide film 202 is removed. By removing the width by ˜200 [mm], the removed portion is applied to allow the corresponding portion of the oxide film 202 to be opened. At this time, as a result of the discom process, the photoresist 203 of the corresponding portion is removed, and the photoresist 203 in another portion is also etched and removed by a predetermined thickness.
이어서, 도 2f에 도시된 바와 같이, 상기 결과물에 대하여 비등방성 건식 식각공정을 실시하여 상기 산화막(202)의 가장자리 윗부분을 완곡하게 식각하며, 이 때, 이와 같은 비등방성 건식식각의 결과 활성영역(D) 상에 얇은 두께로 남아있던 산화막(202)도 일정 부분 함께 식각되어 더 얇아지게 될 수도 있다.Subsequently, as shown in FIG. 2F, an anisotropic dry etching process is performed on the resultant product to gently etch the upper portion of the edge of the oxide layer 202, and at this time, the resultant active region of the anisotropic dry etching ( The oxide film 202 remaining in thin thickness on D) may also be etched together to become thinner.
마지막으로, 도 2g에 도시된 바와 같이, 포토레지스트(203)를 제거한 후, 활성영역(D) 상에 얇은 두께로 남아있던 산화막(202)에 대하여 활성영역(D)에 손상이 가해지지 않도록 습식 식각공정을 실시하여, 상기 활성영역(D) 상의 산화막(202)을 제거한다. 이 때, 상기 습식 식각공정은 HF를 이용하여 실시한다.Finally, as shown in FIG. 2G, after the photoresist 203 is removed, the wet layer is wetted so as not to damage the active region D with respect to the oxide film 202 remaining in a thin thickness on the active region D. An etching process is performed to remove the oxide film 202 on the active region D. At this time, the wet etching process is performed using HF.
이와 같이, 본 발명에 따른 상기 실시예에서는 격리영역(C)을 먼저 생성한 후 활성영역(D)을 형성하되, 활성영역(D)의 가장자리의 산화막(202)을 경사지도록 형성함으로써, 종래 LOCOS 방식에 따른 이미지 센서의 제조방법과는 달리, 격리영역(C)의 가장자리에 버즈 비크가 형성되는 것을 구조적 특징에 의해 원천적으로 방지할 수 있고, 그에 따라 다크 신호가 발생하는 것과 광특성이 열화되는 것을 방지할 수 있다. As described above, according to the embodiment of the present invention, the isolation region C is first generated, and then the active region D is formed, but the oxide film 202 at the edge of the active region D is formed to be inclined. Unlike the manufacturing method of the image sensor according to the method, the formation of a buzz beak at the edge of the isolation region (C) can be prevented by the structural feature at the source, thereby generating a dark signal and deterioration of optical characteristics Can be prevented.
또한, 본 발명에 따른 상기 실시예에서는 그 경사진 산화막(202)의 가장자리 윗부분을 식각하여 완곡하게 형성하도록 하였는 바, 이는 활성영역(D)의 가장자리 부분에 형성될 폴리실리콘막 또는 게이트 산화막이 너무 얇아지는 현상을 방지하고 그 두께가 필요한 일정두께로 형성될 수 있도록 하기 위한 것이다. 즉, 본 실시예와는 달리, 만약 활성영역의 가장자리에서 경사지도록 형성된 산화막의 가장자리 윗부분을 완곡하게 식각하지 않고 그냥 경사지도록만 형성하게 되면, 후속공정에서 폴리실리콘막이나 게이트 산화막이 증착될 경우 상기 산화막의 가장자리 윗부분에서는 그 두께가 너무 얇아져 전기적 특성이 악화되는 부작용을 불러 일으킬 수 있는 것이다. In addition, in the above embodiment according to the present invention, the upper part of the edge of the inclined oxide film 202 is etched to be formed smoothly, which means that the polysilicon film or the gate oxide film to be formed at the edge of the active region D is too large. It is to prevent the phenomenon of thinning so that the thickness can be formed to the required constant thickness. That is, unlike the present embodiment, if the upper portion of the edge of the oxide film formed to be inclined at the edge of the active region is formed to be simply inclined rather than etched, the polysilicon film or the gate oxide film is deposited in a subsequent process. At the upper edge of the oxide film, the thickness thereof becomes too thin, which may cause side effects of deteriorating electrical properties.
이상 설명한 바와 같이, 본 발명에 따른 이미지 센서의 제조방법은 격리영역을 먼저 형성한 후 활성영역을 형성하되, 활성영역의 가장자리의 산화막을 경사지도록 형성하고, 그 경사진 산화막의 가장자리 윗부분을 식각하여 완곡하게 형성함으로써, 버즈 비크에 의한 다크 신호 발생 및 그에 따른 이미지 센서의 광특성 열화를 방지할 수 있고, 활성영역의 가장자리 부분에서 폴리실리콘막 또는 게이트 산화막이 너무 얇아지는 현상을 방지할 수 있는 이점을 가진다. As described above, in the method of manufacturing the image sensor according to the present invention, the isolation region is first formed, and then the active region is formed, and the oxide film at the edge of the active region is inclined, and the upper portion of the inclined oxide film is etched. By forming it smoothly, it is possible to prevent the dark signal generated by the buzz beak and consequently deteriorate optical characteristics of the image sensor, and to prevent the polysilicon film or the gate oxide film from becoming too thin at the edge of the active region. Has
도 1a 내지 도 1e는 종래 기술에 의한 이미지 센서의 제조방법을 도시한 것이다.1A to 1E illustrate a method of manufacturing an image sensor according to the prior art.
도 1f는 종래 기술에 의한 이미지 센서의 제조방법에 따를 경우, 버즈 비크가 형성된 것을 도시한 것이다.Figure 1f shows that a buzz beak is formed according to the manufacturing method of the image sensor according to the prior art.
도 2a 내지 도 2g는 본 발명에 의한 일 실시예에 따른 이미지 센서의 제조방법을 도시한 것이다. 2A to 2G illustrate a method of manufacturing an image sensor according to an exemplary embodiment of the present invention.
<도면의 주요부분에 대한 부호의 설명><Description of the symbols for the main parts of the drawings>
101 : 반도체 기판 102 : 패드 산화막101 semiconductor substrate 102 pad oxide film
103 : 패드 질화막 104 : 필드 산화막103: pad nitride film 104: field oxide film
105 : 질화막105: nitride film
201 : 반도체 기판 202 : 산화막201: semiconductor substrate 202: oxide film
203 : 포토레지스트 204 : 폴리머막 203: photoresist 204: polymer film
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|---|---|---|---|
| KR1020030096935A KR20050065167A (en) | 2003-12-24 | 2003-12-24 | Method for forming image sensor |
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Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100688700B1 (en) * | 2005-12-26 | 2007-03-02 | 동부일렉트로닉스 주식회사 | Method for fabricating semiconductor devices |
-
2003
- 2003-12-24 KR KR1020030096935A patent/KR20050065167A/en not_active Application Discontinuation
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