KR20050064361A - Liquid crystal display device and manufacturing method of the same - Google Patents

Liquid crystal display device and manufacturing method of the same Download PDF

Info

Publication number
KR20050064361A
KR20050064361A KR1020030095720A KR20030095720A KR20050064361A KR 20050064361 A KR20050064361 A KR 20050064361A KR 1020030095720 A KR1020030095720 A KR 1020030095720A KR 20030095720 A KR20030095720 A KR 20030095720A KR 20050064361 A KR20050064361 A KR 20050064361A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
gate
wiring
common
display area
shorting bar
Prior art date
Application number
KR1020030095720A
Other languages
Korean (ko)
Other versions
KR101098892B1 (en
Inventor
백흠일
Original Assignee
엘지.필립스 엘시디 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 엘지.필립스 엘시디 주식회사 filed Critical 엘지.필립스 엘시디 주식회사
Priority to KR1020030095720A priority Critical patent/KR101098892B1/en
Publication of KR20050064361A publication Critical patent/KR20050064361A/en
Application granted granted Critical
Publication of KR101098892B1 publication Critical patent/KR101098892B1/en

Links

Classifications

    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02FOPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/136Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
    • G02F1/1362Active matrix addressed cells
    • G02F1/136286Wiring, e.g. gate line, drain line

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Nonlinear Science (AREA)
  • Liquid Crystal (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Mathematical Physics (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)

Abstract

본 발명은 횡전계형 액정표시장치에 관한 것으로서, 본 발명의 목적은, 개구율을 향상시킬 수 있는 쿼드 방식 횡전계형 액정표시장치를 제공함에 있다. 그리고, 본 발명의 다른 목적은, 쿼드 방식 횡전계형 액정표시장치의 쇼팅 바 구조를 제공함에 있다.The present invention relates to a transverse electric field type liquid crystal display device, and an object of the present invention is to provide a quad method transverse electric field type liquid crystal display device which can improve the aperture ratio. Another object of the present invention is to provide a shorting bar structure of a quad type transverse electric field type liquid crystal display device.

본 발명은, 홀수번째 행의 게이트 배선과 연결되는 제 1 게이트 쇼팅 바와, 짝수번째 행의 게이트 배선과 연결되는 제 2 게이트 쇼팅 바를 포함하며, 상기 제 1, 2 게이트 쇼팅 바는 표시 영역을 사이에 두고 이격되어 위치하는 액정표시장치 및 그 제조방법을 제공한다.The present invention includes a first gate shorting bar connected to the gate lines of odd-numbered rows and a second gate shorting bar connected to the gate lines of even-numbered rows, wherein the first and second gate shorting bars have a display area therebetween. The present invention provides a liquid crystal display device and a method of manufacturing the same.

본 발명은, 쿼드 방식 액정표시장치에서 공통 배선을 하나의 화소 내의 상하 두 개의 서브 화소가 공유하게 됨으로써 액정표시장치의 개구율을 증가시키는 효과가 있다. 그리고, 게이트 배선의 단락 여부를 검사할 수 있는 게이트 쇼팅 바를 기판의 양 측에 배치함으로써, 게이트 배선 단락 여부를 검사할 수 있는 효과가 있다. The present invention has the effect of increasing the aperture ratio of the liquid crystal display by sharing two common upper and lower sub-pixels in one pixel in the quad type liquid crystal display. In addition, the gate shorting bar capable of inspecting whether the gate wiring is short-circuited is disposed on both sides of the substrate, whereby the gate wiring short-circuit can be inspected.

Description

액정표시장치 및 그 제조방법{Liquid crystal display device and manufacturing method of the same} Liquid crystal display device and manufacturing method of the same

본 발명은 액정표시장치에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 동일 기판에 형성된 화소 전극과 공통 전극의 횡전계에 의해 액정을 구동하는 횡전계형 액정표시장치에 관한 것이다. BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a liquid crystal display device, and more particularly, to a transverse electric field type liquid crystal display device which drives liquid crystal by a transverse electric field of a pixel electrode and a common electrode formed on the same substrate.

일반적으로 액정표시장치의 구동원리는 액정의 광학적 이방성과 분극성질을 이용한다. 액정은 구조가 가늘고 길기 때문에 분자의 배열에 방향성을 갖고 있으며, 인위적으로 액정에 전기장을 인가하여 분자 배열의 방향을 제어할 수 있다. 따라서, 액정의 분자 배열을 조절하면, 빛이 굴절하여 화상 정보를 표현할 수 있다.In general, the driving principle of the liquid crystal display device uses the optical anisotropy and polarization of the liquid crystal. Since the liquid crystal is thin and long in structure, the liquid crystal has directivity in the arrangement of molecules, and the direction of the arrangement of molecules can be controlled by artificially applying an electric field to the liquid crystal. Therefore, by adjusting the molecular arrangement of the liquid crystal, light can be refracted to express image information.

액정표시장치는 화상 정보를 표현하기 위해 공통 전극과 화소 전극의 전압차에 따라 액정층에 전계를 형성함으로써 구동되는데, 공통 전극과 화소 전극이 동일한 기판에 형성되어, 액정층에 수평전계를 형성하는 횡전계형(In-Plane Switching mode : IPS) 액정표시장치가 시야각 특성에서 우수하여 널리 사용되고 있다. The liquid crystal display is driven by forming an electric field in the liquid crystal layer according to the voltage difference between the common electrode and the pixel electrode to express the image information. The common electrode and the pixel electrode are formed on the same substrate to form a horizontal electric field in the liquid crystal layer. In-plane switching mode (IPS) liquid crystal display is widely used because of its excellent viewing angle characteristics.

도 1a와 1b는 각각, 일반적인 횡전계형 액정표시장치를 도시한 단면도로서, 전압 오프(off)/온(on) 상태에서의 액정 분자(52)의 구동을 개략적으로 도시하고 있다.1A and 1B are cross-sectional views each showing a general transverse electric field type liquid crystal display device, and schematically show driving of liquid crystal molecules 52 in a voltage off / on state.

도시한 바와 같이, 종래의 횡전계형 액정표시장치는 제 1 기판(10) 상에 화소 전극(40)과 공통 전극(45)이 형성되어 있고, 두 전극(40, 45)에 의해 발생하는 횡전계에 의해 액정 분자(52)가 변화하게 된다. As illustrated, the conventional transverse electric field type liquid crystal display device has a pixel electrode 40 and a common electrode 45 formed on the first substrate 10, and a transverse electric field generated by the two electrodes 40 and 45. As a result, the liquid crystal molecules 52 change.

전압 오프 상태에서는, 도 1a에 도시한 바와 같이, 두 전극(40, 45) 사이에 횡전계가 형성되지 않음으로써, 액정 분자(52)에 전계가 인가되지 않는다. 따라서, 액정 분자(52)는 배향 변화가 발생하지 않게 된다.In the voltage-off state, as shown in FIG. 1A, no lateral electric field is formed between the two electrodes 40 and 45, so that no electric field is applied to the liquid crystal molecules 52. Therefore, the orientation change does not occur in the liquid crystal molecules 52.

한편, 전압 온 상태에서는, 도 1b에 도시한 바와 같이, 화소 전극(40)과 공통 전극(45) 사이에는 전계(56)가 발생한다. 화소 및 공통 전극(40, 45) 상에는 수직 전계가 형성되어 그곳에 위치한 액정 분자(52a)는 배향 방향의 변화가 없으나, 공통 전극(45)과 화소 전극(40) 사이에 위치하는 액정 분자(52b)는 공통 전극(45)과 화소 전극(40) 사이에 생성되는 수평(또는 횡) 전계에 의해 기판과 평행하게 배열된다.On the other hand, in the voltage-on state, as shown in FIG. 1B, an electric field 56 is generated between the pixel electrode 40 and the common electrode 45. A vertical electric field is formed on the pixels and the common electrodes 40 and 45 so that the liquid crystal molecules 52a positioned therein have no change in the orientation direction, but the liquid crystal molecules 52b positioned between the common electrode 45 and the pixel electrode 40. Is arranged in parallel with the substrate by a horizontal (or lateral) electric field generated between the common electrode 45 and the pixel electrode 40.

전술한 바와 같이, 횡전계형 액정표시장치는 화소 전극과 공통 전극 사이에 발생하는 횡전계에 의해 액정 분자를 구동함으로써, 시야각 특성이 우수하여 널리 사용된다.As described above, the transverse electric field type liquid crystal display device is widely used because the liquid crystal molecules are driven by the transverse electric field generated between the pixel electrode and the common electrode.

도 2는 종래의 쿼드 방식 횡전계형 액정표시장치를 도시한 평면도이다. 2 is a plan view illustrating a conventional quad system transverse electric field type liquid crystal display device.

쿼드 방식은 화상을 표시하기 위한 하나의 화소(P)가 네 개의 서브 화소(sub-pixel)로 구성되는 액정표시장치의 구동 방식이다. 예를 들면, 네 개의 서브 화소는 레드, 그린, 블루, 화이트의 색을 구현하게 된다.The quad method is a driving method of a liquid crystal display device in which one pixel P for displaying an image is composed of four sub-pixels. For example, four sub-pixels implement colors of red, green, blue, and white.

도시한 바와 같이, 종래의 쿼드 방식 횡전계형 액정표시장치에는 화상 표시 영역(D) 내에 서로 직교하는 다수의 게이트 및 데이터 배선(120, 130)이 형성되어 있고, 게이트 및 데이터 배선(120, 130)에 의해 서브 화소가 정의된다. 서브 화소 내에는, 게이트 및 데이터 배선(120, 130)과 연결되는 스위칭(switching) 소자로서 박막트랜지스터(T)와, 박막트랜지스터(T)와 연결되는 화소 전극(140)과, 화소 전극(140)과 횡전계를 형성하기 위한 공통 전극(145)이 형성되어 있다. 그리고, 공통 전극(145)은 게이트 배선(120)과 평행하게 형성된 공통 배선(147)과 연결되어 공통 전압을 전달받게 된다. As shown in the drawing, in the conventional quad system transverse electric field type liquid crystal display, a plurality of gates and data lines 120 and 130 orthogonal to each other are formed in the image display area D, and the gate and data lines 120 and 130 are formed. The sub pixel is defined by. In the sub-pixel, a thin film transistor T as a switching element connected to the gate and data lines 120 and 130, a pixel electrode 140 connected to the thin film transistor T, and a pixel electrode 140. The common electrode 145 is formed to form a transverse electric field. The common electrode 145 is connected to the common line 147 formed in parallel with the gate line 120 to receive a common voltage.

또한, 게이트 및 데이터 배선(120, 130)은 화상 비표시 영역에 위치한 게이트 및 데이터 패드(125, 135)와 연결되어 주사 및 화상 신호를 전달받게 된다. 게이트 및 데이터 패드(125, 135)는 외부의 신호 전달 회로인 게이트 및 데이터 구동부(미도시)와 연결되어 주사 및 화상 신호(scanning and video signal)를 전달받게 된다. In addition, the gate and data lines 120 and 130 are connected to gates and data pads 125 and 135 positioned in the non-image display area to receive scan and image signals. The gate and data pads 125 and 135 are connected to a gate and data driver (not shown), which are external signal transfer circuits, to receive a scanning and video signal.

박막트랜지스터(T)는 게이트 배선(120)에서 분기한 게이트 전극(121)과, 게이트 전극(121) 상에 형성된 반도체층(115)과, 반도체층(115)에 상에 형성되고 데이터 배선(130)에서 분기한 소스 전극(131) 및, 소스 전극(131)과 일정 간격 이격된 드레인 전극(133)으로 이루어진다. 박막트랜지스터(T)는 게이트 전극(121)에 전달된 주사 신호에 따라 온/오프(ON/OFF) 구동되며, 그에 따라 소스 전극(131)에 전달된 화상 신호를 드레인 전극(133)에 전달하게 된다.The thin film transistor T is formed on the gate electrode 121 branched from the gate wiring 120, the semiconductor layer 115 formed on the gate electrode 121, and the data layer 130 formed on the semiconductor layer 115. ) And a drain electrode 133 spaced apart from the source electrode 131 by a predetermined distance. The thin film transistor T is driven on / off according to a scan signal transmitted to the gate electrode 121, thereby transferring the image signal transmitted to the source electrode 131 to the drain electrode 133. do.

화소 전극(140)은 드레인 전극(133)과 연결되고, 공통 전극(145)은 화소 전극(140)과 평행하게 형성된다. 공통 전극(145)은 콘택홀(149)을 통해 공통 배선(147)과 연결되어 공통 전압을 인가받게 된다. The pixel electrode 140 is connected to the drain electrode 133, and the common electrode 145 is formed in parallel with the pixel electrode 140. The common electrode 145 is connected to the common wire 147 through the contact hole 149 to receive a common voltage.

공통 배선(147)은 매 게이트 배선(120) 마다, 즉 상하에 위치하는 서브 화소에는 공통 배선(147)이 개별적으로 위치하게 된다. 공통 배선(147)은 게이트 배선(120)과 동일한 공정에서 동일한 물질로 형성된다. In the common wiring 147, the common wiring 147 is individually positioned in each of the gate wirings 120, that is, in the upper and lower sub-pixels. The common wiring 147 is formed of the same material in the same process as the gate wiring 120.

한편, 게이트 배선(120)과 공통 배선(147) 각각은 정전기 방지 및 단락 여부를 검사하기 위해, 비표시 영역(N)에 위치하는 게이트 및 공통 배선 쇼팅 바(127, 143)와 연결된다. 그리고, 도시하지는 않았지만, 데이터 배선(130) 역시 데이터 쇼팅 바와 연결된다.On the other hand, each of the gate line 120 and the common line 147 is connected to the gate and the common line shorting bars 127 and 143 positioned in the non-display area N in order to check the antistatic property and the short circuit. Although not shown, the data line 130 is also connected to the data shorting bar.

도 3은 종래의 쿼드 방식 액정표시장치에 형성된 게이트 및 공통 배선 쇼팅바를 도시한 도면이다. 설명의 편의를 위해, 게이트 및 공통 배선 쇼팅바와 게이트 배선만을 도시하였다. 3 is a diagram illustrating a gate and a common wiring shorting bar formed in a conventional quad type liquid crystal display. For convenience of description, only the gate and the common wiring shorting bar and the gate wiring are shown.

도시한 바와 같이, 게이트 배선(120)은 게이트 패드(125) 방향으로 형성된 방향에 위치하는 게이트 쇼팅 바(127)와 연결된다. 그리고, 공통 배선(147)은, 양 끝단에서 게이트 패드(125) 방향과 반대되는 방향으로 형성된 제 1 공통 배선 쇼팅 바(143a) 및, 화소 전극 형성시 형성된 제 2 공통 배선 쇼팅 바(143b)와 연결된다. 여기서, 제 2 공통 배선 쇼팅 바(143b)는 콘택홀(144)을 통해 공통 배선(147)과 연결된다. As illustrated, the gate line 120 is connected to the gate shorting bar 127 positioned in the direction formed in the direction of the gate pad 125. The common wiring 147 may include a first common wiring shorting bar 143a formed at both ends in a direction opposite to the direction of the gate pad 125, and a second common wiring shorting bar 143b formed when the pixel electrode is formed. Connected. Here, the second common wiring shorting bar 143b is connected to the common wiring 147 through the contact hole 144.

게이트 배선(120)과 공통 배선(147)은 근접하게 배치됨으로써 단락될 가능성이 있기 때문에, 게이트 배선(120) 형성 공정 후에 게이트 및 공통 배선 쇼팅 바(127, 143)를 연결하여 게이트 배선(120)과 공통 배선(147)의 단락 여부를 검사하게 된다. Since the gate wiring 120 and the common wiring 147 may be shorted by being disposed in close proximity, the gate wiring 120 may be connected by connecting the gates and the common wiring shorting bars 127 and 143 after the gate wiring 120 forming process. And short circuit of the common wiring 147 is checked.

단락 여부 검사를 진행하여 게이트 배선(120)과 공통 배선(147)이 단락되면, 기판 상에 형성된 게이트 배선(120)을 제거하고 재차 게이트 배선(120)을 기판 상에 형성하게 된다. 그리고, 게이트 배선(120)이 단락되지 않았으면, 후속 공정, 즉 게이트 절연막(미도시)을 형성하고, 반도체층 및 데이터 배선(도 2의 115, 130 참조) 등을 형성하기 위한 공정을 진행하게 된다. When the gate line 120 and the common line 147 are shorted by performing a short-circuit test, the gate line 120 formed on the substrate is removed, and the gate line 120 is again formed on the substrate. If the gate wiring 120 is not short-circuited, a subsequent step, that is, a gate insulating film (not shown) is formed, and a process for forming a semiconductor layer and a data wiring (refer to 115 and 130 of FIG. 2) is performed. do.

한편, 게이트 쇼팅 바(127)는, 박막트랜지스터가 형성된 기판과, 그것에 대응되는 컬러필터기판(미도시)에 대한 합착 공정 진행 후에 스크라이빙 라인(S)을 따라 제거된다.Meanwhile, the gate shorting bar 127 is removed along the scribing line S after the bonding process is performed on the substrate on which the thin film transistor is formed and the color filter substrate (not shown) corresponding thereto.

전술한 바와 같은 종래의 쿼드 방식 액정표시장치는 하나의 화소 내의 상하 두 개의 서브 화소에 각각 공통 배선이 배치됨으로써, 공통 배선이 차지하는 면적만큼 개구율이 감소되는 문제가 발생하게 된다. As described above, in the conventional quad type liquid crystal display, since common wirings are disposed on two upper and lower subpixels in one pixel, the aperture ratio may be reduced by an area occupied by the common wiring.

전술한 바와 같은 문제를 해결하기 위한 본 발명의 목적은, 공통 배선이 하나의 화소 내의 상하 두 개의 서브 화소 각각에 배치됨으로써, 공통 배선이 차지하는 면적만큼 개구율이 감소되는 문제를 해결할 수 있는 쿼드 방식 횡전계형 액정표시장치를 제공함에 있다. SUMMARY OF THE INVENTION An object of the present invention for solving the above-described problems is that the quadrature transverse side which can solve the problem that the aperture ratio is reduced by the area occupied by the common wiring, since the common wiring is disposed in each of the two upper and lower sub-pixels in one pixel. It is to provide an electric field type liquid crystal display device.

그리고, 본 발명의 다른 목적은, 전술한 문제를 해결할 수 있는 쿼드 방식 횡전계형 액정표시장치의 쇼팅 바 구조를 제공함에 있다. Another object of the present invention is to provide a shorting bar structure of a quad type transverse electric field type liquid crystal display device which can solve the above problem.

전술한 바와 같은 목적을 달성하기 위해, 본 발명은, 표시 영역과 비표시 영역으로 이루어진 기판 상에 행과 열 각각의 방향으로 연장되는 다수의 게이트 및 데이터 배선과; 상기 표시 영역 내에 위치하고, 상기 게이트 배선 및 데이터 배선과 연결되는 스위칭 소자와; 상기 표시 영역 내에 위치하고, 상기 스위칭 소자와 연결되는 화소 전극과; 상기 표시 영역 내에 위치하고, 상기 화소 전극과 평행하게 형성된 공통 전극과; 이웃하는 홀수번째 행의 상기 게이트 배선과 짝수번째 행의 상기 게이트 배선 사이에 위치하며, 상기 공통 전극과 연결된 공통 배선과; 상기 비표시 영역 내에 위치하고, 홀수번째 행의 상기 게이트 배선과 연결되는 제 1 게이트 쇼팅 바와; 상기 비표시 영역 내에 위치하고, 짝수번째 행의 상기 게이트 배선과 연결되는 제 2 게이트 쇼팅 바를 포함하며, 상기 제 1, 2 게이트 쇼팅 바는 상기 표시 영역을 사이에 두고 이격되어 위치하는 액정표시장치를 제공한다.In order to achieve the above object, the present invention provides a plurality of gate and data wiring lines extending in directions of rows and columns on a substrate including a display area and a non-display area; A switching element located in the display area and connected to the gate line and the data line; A pixel electrode positioned in the display area and connected to the switching element; A common electrode positioned in the display area and formed in parallel with the pixel electrode; A common wiring disposed between the gate wiring of an adjacent odd-numbered row and the gate wiring of an even-numbered row and connected to the common electrode; A first gate shorting bar located in said non-display area and connected to said gate wiring of an odd-numbered row; And a second gate shorting bar positioned in the non-display area and connected to the gate lines in even-numbered rows, wherein the first and second gate shorting bars are spaced apart from each other with the display area interposed therebetween. do.

여기서, 상기 비표시 영역 내에 위치하고, 상기 공통 배선과 연결되는 공통 배선 쇼팅 바를 더욱 포함할 수 있다. 상기 공통 배선 쇼팅 바는, 상기 제 1, 2 게이트 배선 쇼팅바 각각이 위치하는 방향에 위치하는 제 1, 2 공통 배선 쇼팅 바로 이루어질 수 있고, 상기 공통 배선 쇼팅 바는 화소 전극과 동일한 물질로 이루어질 수 있고, 상기 공통 배선과 상기 공통 배선 쇼팅바를 연결하는 콘택홀을 더욱 포함할 수 있다. The display device may further include a common wire shorting bar positioned in the non-display area and connected to the common wire. The common wiring shorting bar may include first and second common wiring shorting bars positioned in a direction in which the first and second gate wiring shorting bars are positioned, and the common wiring shorting bar may be formed of the same material as the pixel electrode. And a contact hole connecting the common wiring and the common wiring shorting bar.

그리고, 상기 공통 배선은 상기 게이트 배선과 동일한 물질로 이루어질 수 있다. The common wiring may be made of the same material as the gate wiring.

다른 측면에서, 본 발명은, 표시 영역과 비표시 영역으로 이루어진 기판 상에 행 방향으로 연장되는 다수의 게이트 배선과, 상기 비표시 영역 내에 상기 게이트 배선과 연결되는 제 1, 2 게이트 쇼팅 바와, 이웃하는 홀수번째 상기 게이트 배선과 짝수번째 상기 게이트 배선 사이에 위치하며 상기 공통 전극과 연결된 공통 배선을 형성하는 단게와; 상기 게이트 배선을 형성한 후에, 열 방향으로 연장되는 다수의 데이터 배선과, 상기 표시 영역 내에 상기 게이트 및 데이터 배선과 연결되는 스위칭 소자를 형성하는 단계와; 상기 표시 영역 내에 상기 스위칭 소자와 연결되는 화소 전극과, 상기 화소 전극과 평행한 공통 전극을 형성하는 단계를 포함하고, 상기 제 1 게이트 쇼팅 바는 홀수번째 행의 상기 게이트 배선과 연결되고, 상기 제 2 게이트 쇼팅 바는 짝수번째 행의 상기 게이트 배선과 연결되며, 상기 제 1, 2 게이트 쇼팅 바는 상기 표시 영역을 사이에 두고 이격되어 위치하는 액정표시장치 제조방법을 제공한다.In another aspect, the present invention provides a plurality of gate wirings extending in a row direction on a substrate including a display area and a non-display area, first and second gate shorting bars connected to the gate wiring in the non-display area, and adjacent to each other. A common wiring disposed between the odd-numbered gate lines and the even-numbered gate lines to form a common line connected to the common electrode; After forming the gate wirings, forming a plurality of data wirings extending in a column direction and a switching element connected to the gates and data wirings in the display area; And forming a pixel electrode connected to the switching element in the display area, and a common electrode parallel to the pixel electrode, wherein the first gate shorting bar is connected to the gate line in an odd-numbered row. The second gate shorting bar may be connected to the gate lines of even-numbered rows, and the first and second gate shorting bars may be spaced apart from each other with the display area therebetween.

여기서, 상기 공통 전극 형성 단계에서, 상기 비표시 영역 내에 상기 공통 배선과 연결되는 공통 배선 쇼팅 바를 형성하는 단계를 더욱 포함할 수 있다. 상기 공통 배선 쇼팅 바를 형성하는 단계는, 상기 제 1, 2 게이트 배선 쇼팅바 각각이 위치하는 방향에 위치하는 제 1, 2 공통 배선 쇼팅 바를 형성하는 단계로 이루어질 수 있고, 상기 공통 배선 쇼팅 바는 화소 전극과 동일한 물질로 이루어질 수 있고, 상기 공통 배선과 상기 공통 배선 쇼팅바를 연결하는 콘택홀을 형성하는 단계를 더욱 포함할 수 있다. The forming of the common electrode may further include forming a common wiring shorting bar connected to the common wiring in the non-display area. The forming of the common wiring shorting bar may include forming first and second common wiring shorting bars positioned in a direction in which each of the first and second gate wiring shorting bars is positioned, wherein the common wiring shorting bar is a pixel. It may be made of the same material as the electrode, and may further comprise forming a contact hole for connecting the common wiring and the common wiring shorting bar.

그리고, 상기 공통 배선은 상기 게이트 배선과 동일한 물질로 이루어질 수 있다. The common wiring may be made of the same material as the gate wiring.

이하, 도면을 참조하여 본 발명의 실시예를 설명한다. Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings.

도 4는 본 발명의 실시예에 따른 횡전계형 액정표시장치를 도시한 평면도이다. 4 is a plan view illustrating a transverse electric field type liquid crystal display device according to an exemplary embodiment of the present invention.

본 발명의 실시예에 따른 쿼드 방식 횡전계형 액정표시장치는 공통 배선을 하나의 화소 내에 위치하는 상하 두 개의 서브 화소가 공유함으로써 개구율을 향상시킬 수 있게 된다. 그리고, 홀수번째와 짝수번째 게이트 배선 각각과 연결되는 게이트 쇼팅 바를 좌우에 배치함으로써 효과적으로 게이트 배선의 단락 여부를 검사할 수 있게 된다. In the quad type transverse electric field type liquid crystal display according to the exemplary embodiment of the present invention, the aperture ratio can be improved by sharing the common wiring between two upper and lower sub pixels positioned in one pixel. In addition, the gate shorting bars connected to the odd-numbered and even-numbered gate lines may be disposed on the left and right to effectively check whether the gate lines are shorted.

도시한 바와 같이, 쿼드 방식 횡전계형 액정표시장치에는 화상 표시 영역(D) 내에 서로 직교하는 다수의 게이트 및 데이터 배선(220, 230)이 형성되어 있고, 게이트 및 데이터 배선(220, 230)에 의해 서브 화소가 정의된다. 서브 화소 내에는, 게이트 및 데이터 배선(220, 230)과 연결되는 스위칭 소자로서 박막트랜지스터(T)와, 박막트랜지스터(T)와 연결되는 화소 전극(240)과, 화소 전극(240)과 횡전계를 형성하기 위한 공통 전극(245)이 형성되어 있다. 그리고, 공통 전극(245)은 상하 두 개의 서브 화소에 공유되는 공통 배선(247)과 연결되어 공통 전압을 전달받게 된다. As shown in the figure, a plurality of gate and data lines 220 and 230 are orthogonal to each other in the image display area D in the quad type transverse electric field type liquid crystal display device, and are formed by the gate and data lines 220 and 230. Sub pixels are defined. In the sub pixel, a thin film transistor T, a pixel electrode 240 connected to the thin film transistor T, and a pixel electrode 240 and a transverse electric field as a switching element connected to the gate and data lines 220 and 230. The common electrode 245 is formed to form a. The common electrode 245 is connected to the common wire 247 shared by the two upper and lower sub pixels to receive the common voltage.

또한, 게이트 및 데이터 배선(220, 230)은 화상 비표시 영역(N)에 위치한 게이트 및 데이터 패드(225, 235)와 연결되어 주사 및 화상 신호를 전달받게 된다. 게이트 및 데이터 패드(225, 235)는 외부의 신호 전달 회로인 게이트 및 데이터 구동부(미도시)와 연결되어 주사 및 화상 신호를 전달받게 된다. In addition, the gate and data lines 220 and 230 are connected to gates and data pads 225 and 235 positioned in the image non-display area N to receive scan and image signals. The gate and data pads 225 and 235 are connected to a gate and a data driver (not shown), which are external signal transfer circuits, to receive scan and image signals.

박막트랜지스터(T)는 게이트 배선(220)에 분기한 게이트 전극(221)과, 게이트 전극(221) 상에 형성된 반도체층(215)과, 반도체층(215)에 상에 형성되고 데이터 배선(230)에서 분기한 소스 전극(231) 및, 소스 전극(231)과 일정 간격 이격된 드레인 전극(233)으로 이루어진다. 박막트랜지스터(T)는 게이트 전극(221)에 전달된 주사 신호에 따라 온/오프 구동되며, 그에 따라 소스 전극(231)에 전달된 화상 신호를 드레인 전극(233)에 전달하게 된다.The thin film transistor T is formed on the gate electrode 221 branched to the gate wiring 220, the semiconductor layer 215 formed on the gate electrode 221, and on the semiconductor layer 215, and the data wiring 230. ) And a drain electrode 233 spaced apart from the source electrode 231 by a predetermined distance. The thin film transistor T is driven on / off according to the scan signal transmitted to the gate electrode 221, thereby transferring the image signal transferred to the source electrode 231 to the drain electrode 233.

화소 전극(240)은 드레인 전극(233)과 연결된다. 화소 전극(240)은 인듐-틴-옥사이드(Indium-Tin-Oxide : 이하, ITO라 함.), 인듐-징크-옥사이드(Indium-Zinc-Oxide, 이하, IZO라 함.)와 같은 투명 도전성 금속 물질로 이루어진다. 한편, 화소 전극(240)은 드레인 전극(233)과 동일한 공정에서 동일한 물질로 형성될 수 있다.The pixel electrode 240 is connected to the drain electrode 233. The pixel electrode 240 is a transparent conductive metal such as indium tin oxide (hereinafter referred to as ITO) or indium zinc oxide (hereinafter referred to as IZO). Made of matter. The pixel electrode 240 may be formed of the same material in the same process as the drain electrode 233.

그리고, 공통 전극(245)은 화소 전극(240)과 평행하게 형성되고, 화소 전극(240)과 동일한 공정에서 형성된다. 그와 같은 공통 전극(245)은 ITO, IZO와 같은 투명 도전성 금속 물질로 이루어진다. 공통 전극(245)은 제 1 콘택홀(249)을 통해 공통 배선(247)과 연결되어 공통 전압을 인가받게 된다. The common electrode 245 is formed in parallel with the pixel electrode 240 and is formed in the same process as the pixel electrode 240. The common electrode 245 is made of a transparent conductive metal material such as ITO and IZO. The common electrode 245 is connected to the common wire 247 through the first contact hole 249 to receive a common voltage.

공통 배선(247)은 하나의 화소(P) 내에서 상하 두 개의 서브 화소에 공유되는 구조로 형성된다. 그와 같은 구조를 위해, 화소 전극(240)은 화소(P)를 이루는 상하 두 개의 게이트 배선(220) 사이에 형성된다. 따라서, 하나의 화소(P) 내에 위치하는 상하 두 개의 서브 화소는 동일한 공통 배선(247)을 통해 공통 전압을 인가받게 되고, 공통 배선(247)의 공유로 인해 개구율을 향상된다.The common line 247 is formed to have a structure shared by two upper and lower subpixels in one pixel P. For such a structure, the pixel electrode 240 is formed between two upper and lower gate lines 220 constituting the pixel P. Therefore, the two upper and lower sub-pixels positioned in one pixel P receive a common voltage through the same common wiring 247, and the aperture ratio is improved due to sharing of the common wiring 247.

한편, 게이트 배선(220)과 공통 배선(247) 각각은 정전기 방지 및 단락 여부를 검사하기 위해, 비표시 영역(N)에 위치하는 게이트 및 공통 배선 쇼팅 바(227, 243)와 연결된다. 그리고, 도시하지는 않았지만, 데이터 배선(230) 역시 데이터 쇼팅 바와 연결된다.On the other hand, each of the gate line 220 and the common line 247 is connected to the gates and the common line shorting bars 227 and 243 positioned in the non-display area N in order to check the antistatic property and the short circuit. Although not shown, the data line 230 is also connected to the data shorting bar.

본 발명의 실시예에 따른 쿼드 방식 액정표시장치는 하나의 화소 내의 서브 화소가 공통 배선을 공유하게 됨으로써, 인접하는 화소 사이에 위치하는 게이트 배선, 2n 행 게이트 배선과 2n+1 행 게이트 배선이 근접하게 배치됨으로써 두 게이트 배선이 단락될 가능성이 커짐으로, 단락 여부를 검사하기 위해서 짝수번째 행의 게이트 배선과 홀수번째 행의 게이트 배선 각각과 연결되는 두 개의 게이트 쇼팅 바가 비표시 영역에 형성된다. In the quad type liquid crystal display according to the exemplary embodiment of the present invention, the sub-pixels in one pixel share a common wiring, so that the gate wiring, the 2n row gate wiring, and the 2n + 1 row gate wiring located between adjacent pixels are close to each other. Since the two gate wirings are more likely to be short-circuited by being disposed, two gate shorting bars connected to each of the even-numbered row gate lines and the odd-numbered row gate lines are formed in the non-display area.

이하, 도면을 참조하여 본 발명의 실시예에 따른 쿼드 방식 횡전계형 액정표시장치에 형성된 게이트 및 공통 배선 쇼팅 바에 대해 상세히 설명한다. Hereinafter, a gate and a common wiring shorting bar formed in a quad type transverse electric field type liquid crystal display according to an exemplary embodiment of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

도 5는 본 발명의 실시예에 따라 형성된 게이트 및 공통 배선 쇼팅바를 도시한 도면이다. 설명의 편의를 위해, 게이트 및 공통 배선 쇼팅바와 게이트 배선만을 도시하였다. 5 illustrates a gate and a common wiring shorting bar formed according to an exemplary embodiment of the present invention. For convenience of description, only the gate and the common wiring shorting bar and the gate wiring are shown.

도시한 바와 같이, 홀수번째 행의 게이트 배선(220)은 좌측, 즉 게이트 패드(225)가 형성된 방향에 위치하는 제 1 게이트 쇼팅 바(227a)와 연결되고, 짝수번째 행의 데이터 배선(220)은 우측, 즉 게이트 패드(225)가 형성된 방향과 반대 방향에 위치하는 제 2 게이트 쇼팅 바(227b)와 연결된다. 그리고, 홀수번째와 짝수번째 행의 게이트 배선(220) 사이에 위치하는 공통 배선(247)은, 양 끝단에서 제 1, 2 공통 배선 쇼팅 바(243a, 243b)에 연결된다. As illustrated, the gate lines 220 of odd-numbered rows are connected to the first gate shorting bar 227a located on the left side, that is, in the direction in which the gate pads 225 are formed, and the data lines 220 of even-numbered rows are connected. Is connected to the second gate shorting bar 227b positioned on the right side, that is, in a direction opposite to the direction in which the gate pad 225 is formed. The common wiring 247 positioned between the odd-numbered and even-numbered gate wirings 220 is connected to the first and second common wiring shorting bars 243a and 243b at both ends.

제 1, 2 게이트 쇼팅 바(227a, 227b)는 게이트 배선(220)과 동일한 공정 및 동일한 물질로 형성된다. 게이트 배선(220) 형성 공정 후에, 제 1, 2 게이트 쇼팅 바(227a, 227b)를 통해 짝수번째와 홀수번째 행의 게이트 배선(220) 단락 여부를 검사하게 된다. The first and second gate shorting bars 227a and 227b are formed of the same process and the same material as the gate wiring 220. After the gate line 220 forming process, the first and second gate shorting bars 227a and 227b check whether the even and odd rows of the gate lines 220 are shorted.

게이트 배선(220) 단락 검사를 진행한 후에, 게이트 배선(220)이 단락되었으면, 기판 상에 형성된 게이트 배선(220)을 제거하고 재차 게이트 배선(220)을 기판 상에 형성하는 공정, 즉 리웍(rework)을 진행하게 된다. After the gate wiring 220 is short-circuited, if the gate wiring 220 is short-circuited, the process of removing the gate wiring 220 formed on the substrate and again forming the gate wiring 220 on the substrate, that is, rework ( rework).

그리고, 게이트 배선(220)이 단락되지 않았으면, 후속 공정, 즉 게이트 절연막(미도시)을 형성하고, 반도체층 및 데이터 배선(도 4의 215, 230 참조) 등을 형성하기 위한 공정을 진행하게 된다. If the gate wiring 220 is not short-circuited, a subsequent process, that is, a gate insulating film (not shown) is formed, and a process for forming a semiconductor layer and data wiring (see 215 and 230 in FIG. 4) and the like is performed. do.

한편, 제 1, 2 게이트 쇼팅 바(227a, 227b)는, 박막트랜지스터(도 4의 T 참조)가 형성된 기판과, 그것에 대응되는 컬러필터기판(미도시)에 대한 합착 공정 진행 후에 스크라이빙 라인을 따라 제거된다. Meanwhile, the first and second gate shorting bars 227a and 227b have a scribing line after the bonding process is performed on the substrate on which the thin film transistor (see T in FIG. 4) is formed and the color filter substrate (not shown) corresponding thereto. Removed along the way.

제 1, 2 공통 배선 쇼팅 바(243a, 243b)는 화소 전극(도 4의 240 참조)과 동일한 공정 및 동일한 물질로 형성된다. 즉, 화소 전극 형성시 제 1, 2 공통 배선 쇼팅 바(243a, 243b)를 투명 도전성 금속 물질로 형성하게 된다. 제 1, 2 공통 배선 쇼팅 바(243a, 243b)는 공통 배선(247)과 제 2, 3 콘택홀(242, 244)을 통해 연결되는데, 제 2, 3 콘택홀(242, 244)은 소스 및 드레인 전극(도 4의 231, 233 참조) 상에 형성된 보호막(미도시)을 패터닝함으로써 형성된다. The first and second common wiring shorting bars 243a and 243b are formed of the same process and the same material as the pixel electrode (see 240 of FIG. 4). That is, when the pixel electrode is formed, the first and second common wiring shorting bars 243a and 243b are formed of a transparent conductive metal material. The first and second common wire shorting bars 243a and 243b are connected to the common wire 247 through the second and third contact holes 242 and 244, and the second and third contact holes 242 and 244 are connected to the source and the second and third contact holes 242 and 244. It is formed by patterning a protective film (not shown) formed on the drain electrode (see 231 and 233 in Fig. 4).

전술한 바와 같이 본 발명의 실시예에 따른 쿼드 방식 액정표시장치는 공통 배선을 하나의 화소 내의 상하 두 개의 서브 화소가 공유하게 됨으로써 개구율이 증가된다. 그리고, 인접하는 화소 사이에 위치하는 게이트 배선들이 근접하게 배치됨으로써 게이트 배선의 단락 여부를 검사할 수 있는 게이트 쇼팅 바를 기판의 양 측에 배치하여, 게이트 배선 단락 여부를 효율적으로 검사할 수 있게 된다. As described above, in the quad type liquid crystal display according to the exemplary embodiment of the present invention, the aperture ratio is increased by sharing two common sub-pixels in one pixel. In addition, the gate wirings positioned between adjacent pixels are disposed to be close to each other, so that gate shorting bars that can check whether the gate wirings are short-circuited are disposed on both sides of the substrate, so that the gate wirings can be efficiently inspected.

전술한 본 발명의 실시예는, 본 발명의 일예에 해당하며, 그에 대한 자유로운 변형이 가능하다. 그와 같은 변형이 본 발명의 정신에 포함되는 한, 본 발명의 권리 범위에 속한다 함은 당업자에게 있어 자명한 사실이다. The above-described embodiment of the present invention corresponds to an example of the present invention, and can be freely modified. As long as such modifications are included in the spirit of the present invention, it is obvious to those skilled in the art that they fall within the scope of the present invention.

전술한 바와 같이, 본 발명은, 쿼드 방식 액정표시장치에서 공통 배선을 하나의 화소 내의 상하 두 개의 서브 화소가 공유하게 됨으로써 액정표시장치의 개구율을 증가시키는 효과가 있다. 그리고, 인접하는 화소 사이에 위치하는 게이트 배선들이 근접하게 배치됨으로 인해 게이트 배선의 단락 여부를 검사할 수 있는 게이트 쇼팅 바를 기판의 양 측에 배치함으로써, 게이트 배선 단락 여부를 검사할 수 있는 효과가 있다. As described above, the present invention has the effect of increasing the aperture ratio of the liquid crystal display by sharing two common upper and lower subpixels in one pixel in a common wiring in a quad type liquid crystal display. In addition, since the gate wirings positioned between adjacent pixels are disposed to be close to each other, the gate shorting bars capable of inspecting whether the gate wirings are short-circuited are disposed on both sides of the substrate, thereby inspecting whether the gate wirings are short-circuited. .

도 1a와 1b는 각각, 일반적인 횡전계형 액정표시장치를 도시한 단면도.1A and 1B are cross-sectional views showing a general transverse electric field type liquid crystal display device, respectively.

도 2는 종래의 쿼드 방식 횡전계형 액정표시장치를 도시한 평면도.2 is a plan view showing a conventional quad system transverse electric field type liquid crystal display device.

도 3은 종래의 쿼드 횡전계형 액정표시장치의 쇼팅 바 구조를 도시한 도면.3 is a diagram illustrating a shorting bar structure of a conventional quad transverse type liquid crystal display device.

도 4는 본 발명의 실시예에 따른 쿼드 방식 횡전계형 액정표시장치를 도시한 평면도. 4 is a plan view illustrating a quad system transverse field type liquid crystal display according to an exemplary embodiment of the present invention.

도 5는 본 발명의 실시예에 따른 쿼드 방식 횡전계형 액정표시장치의 쇼팅 바 구조를 도시한 도면. 5 is a diagram illustrating a shorting bar structure of a quad type transverse electric field liquid crystal display according to an exemplary embodiment of the present invention.

<도면의 주요부분에 대한 부호의 설명><Description of the symbols for the main parts of the drawings>

215 : 반도체층 220 : 게이트 배선215: semiconductor layer 220: gate wiring

221 : 게이트 전극 225 : 게이트 패드221: gate electrode 225: gate pad

227 : 게이트 쇼팅 바 227a, 227b : 제 1, 2 게이트 쇼팅 바227: gate shorting bars 227a and 227b: first and second gate shorting bars

230 : 데이터 배선 231 : 소스 전극230: data wiring 231: source electrode

233 : 드레인 전극 235 : 데이터 패드 233: drain electrode 235: data pad

240 : 화소 전극 242, 244 : 제 2, 3 콘택홀240: pixel electrodes 242 and 244: second and third contact holes

243 : 공통 배선 쇼팅 바 243: common wiring shorting bar

243a, 243b : 공통 배선 제 1, 2 쇼팅 바243a and 243b: common wiring first and second shorting bars

245 : 공통 전극 247 : 공통 배선245 common electrode 247 common wiring

249 : 제 1 콘택홀 249: first contact hole

Claims (12)

표시 영역과 비표시 영역으로 이루어진 기판 상에 행과 열 각각의 방향으로 연장되는 다수의 게이트 및 데이터 배선과;A plurality of gates and data wires extending in directions of rows and columns on a substrate including a display area and a non-display area; 상기 표시 영역 내에 위치하고, 상기 게이트 배선 및 데이터 배선과 연결되는 스위칭 소자와;A switching element located in the display area and connected to the gate line and the data line; 상기 표시 영역 내에 위치하고, 상기 스위칭 소자와 연결되는 화소 전극과;A pixel electrode positioned in the display area and connected to the switching element; 상기 표시 영역 내에 위치하고, 상기 화소 전극과 평행하게 형성된 공통 전극과;A common electrode positioned in the display area and formed in parallel with the pixel electrode; 이웃하는 홀수번째 행의 상기 게이트 배선과 짝수번째 행의 상기 게이트 배선 사이에 위치하며, 상기 공통 전극과 연결된 공통 배선과;A common wiring disposed between the gate wiring of an adjacent odd-numbered row and the gate wiring of an even-numbered row and connected to the common electrode; 상기 비표시 영역 내에 위치하고, 홀수번째 행의 상기 게이트 배선과 연결되는 제 1 게이트 쇼팅 바와;A first gate shorting bar located in said non-display area and connected to said gate wiring of an odd-numbered row; 상기 비표시 영역 내에 위치하고, 짝수번째 행의 상기 게이트 배선과 연결되는 제 2 게이트 쇼팅 바를 포함하며,A second gate shorting bar positioned in the non-display area, the second gate shorting bar connected to the gate wirings of even rows; 상기 제 1, 2 게이트 쇼팅 바는 상기 표시 영역을 사이에 두고 이격되어 위치하는The first and second gate shorting bars are spaced apart from each other with the display area therebetween. 액정표시장치. LCD display device. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 비표시 영역 내에 위치하고, 상기 공통 배선과 연결되는 공통 배선 쇼팅 바를 더욱 포함하는 액정표시장치. And a common wiring shorting bar positioned in the non-display area and connected to the common wiring. 제 2 항에 있어서, The method of claim 2, 상기 공통 배선 쇼팅 바는, 상기 제 1, 2 게이트 배선 쇼팅바 각각이 위치하는 방향에 위치하는 제 1, 2 공통 배선 쇼팅 바로 이루어진 액정표시장치. And the common wiring shorting bar comprises first and second common wiring shorting bars positioned in a direction in which each of the first and second gate wiring shorting bars is positioned. 제 2 항에 있어서,The method of claim 2, 상기 공통 배선 쇼팅 바는 화소 전극과 동일한 물질로 이루어진 액정표시장치. The common wiring shorting bar is made of the same material as the pixel electrode. 제 2 항에 있어서,The method of claim 2, 상기 공통 배선과 상기 공통 배선 쇼팅바를 연결하는 콘택홀을 더욱 포함하는 액정표시장치. And a contact hole connecting the common wiring and the common wiring shorting bar. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 공통 배선은 상기 게이트 배선과 동일한 물질로 이루어진 액정표시장치. And the common wiring is made of the same material as the gate wiring. 표시 영역과 비표시 영역으로 이루어진 기판 상에 행 방향으로 연장되는 다수의 게이트 배선과, 상기 비표시 영역 내에 상기 게이트 배선과 연결되는 제 1, 2 게이트 쇼팅 바와, 이웃하는 홀수번째 상기 게이트 배선과 짝수번째 상기 게이트 배선 사이에 위치하며 상기 공통 전극과 연결된 공통 배선을 형성하는 단게와;A plurality of gate wires extending in a row direction on a substrate including a display area and a non-display area, first and second gate shorting bars connected to the gate wires in the non-display area, and an even number of adjacent odd-numbered gate wires A second wiring disposed between the first gate wiring and a common wiring connected to the common electrode; 상기 게이트 배선을 형성한 후에, 열 방향으로 연장되는 다수의 데이터 배선과, 상기 표시 영역 내에 상기 게이트 및 데이터 배선과 연결되는 스위칭 소자를 형성하는 단계와;After forming the gate wirings, forming a plurality of data wirings extending in a column direction and a switching element connected to the gates and data wirings in the display area; 상기 표시 영역 내에 상기 스위칭 소자와 연결되는 화소 전극과, 상기 화소 전극과 평행한 공통 전극을 형성하는 단계를 포함하고,  Forming a pixel electrode connected to the switching element in the display area and a common electrode parallel to the pixel electrode; 상기 제 1 게이트 쇼팅 바는 홀수번째 행의 상기 게이트 배선과 연결되고, 상기 제 2 게이트 쇼팅 바는 짝수번째 행의 상기 게이트 배선과 연결되며, 상기 제 1, 2 게이트 쇼팅 바는 상기 표시 영역을 사이에 두고 이격되어 위치하는 액정표시장치 제조방법. The first gate shorting bar is connected to the gate wiring in an odd-numbered row, the second gate shorting bar is connected to the gate wiring in an even-numbered row, and the first and second gate shorting bars are disposed between the display area. Liquid crystal display device manufacturing method spaced apart from each other. 제 7 항에 있어서,The method of claim 7, wherein 상기 공통 전극 형성 단계에서, 상기 비표시 영역 내에 상기 공통 배선과 연결되는 공통 배선 쇼팅 바를 형성하는 단계를 더욱 포함하는 액정표시장치 제조방법. And forming a common wiring shorting bar connected to the common wiring in the non-display area in the common electrode forming step. 제 8 항에 있어서, The method of claim 8, 상기 공통 배선 쇼팅 바를 형성하는 단계는, 상기 제 1, 2 게이트 배선 쇼팅바 각각이 위치하는 방향에 위치하는 제 1, 2 공통 배선 쇼팅 바를 형성하는 단계로 이루어진 액정표시장치 제조방법. The forming of the common wiring shorting bar may include forming first and second common wiring shorting bars positioned in a direction in which each of the first and second gate wiring shorting bars is positioned. 제 8 항에 있어서,The method of claim 8, 상기 공통 배선 쇼팅 바는 화소 전극과 동일한 물질로 이루어진 액정표시장치 제조방법. And the common wiring shorting bar is made of the same material as the pixel electrode. 제 8 항에 있어서,The method of claim 8, 상기 공통 배선과 상기 공통 배선 쇼팅바를 연결하는 콘택홀을 형성하는 단계를 더욱 포함하는 액정표시장치 제조방법. And forming a contact hole connecting the common wiring and the common wiring shorting bar. 제 7 항에 있어서,The method of claim 7, wherein 상기 공통 배선은 상기 게이트 배선과 동일한 물질로 이루어진 액정표시장치 제조방법.And the common wiring is made of the same material as the gate wiring.
KR1020030095720A 2003-12-23 2003-12-23 Liquid crystal display device and manufacturing method of the same KR101098892B1 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020030095720A KR101098892B1 (en) 2003-12-23 2003-12-23 Liquid crystal display device and manufacturing method of the same

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020030095720A KR101098892B1 (en) 2003-12-23 2003-12-23 Liquid crystal display device and manufacturing method of the same

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20050064361A true KR20050064361A (en) 2005-06-29
KR101098892B1 KR101098892B1 (en) 2011-12-26

Family

ID=37255970

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020030095720A KR101098892B1 (en) 2003-12-23 2003-12-23 Liquid crystal display device and manufacturing method of the same

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR101098892B1 (en)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101325980B1 (en) * 2006-11-21 2013-11-07 엘지디스플레이 주식회사 An array substrate for In-Plane switching mode LCD and method of fabricating of the same
KR101463025B1 (en) * 2007-11-23 2014-11-19 엘지디스플레이 주식회사 In plane switching mode liquid crystal display device and method of fabricating the same

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100315919B1 (en) * 1998-11-12 2002-06-20 윤종용 LCD and its manufacturing method
JP2003215625A (en) * 2002-01-23 2003-07-30 Seiko Epson Corp Liquid crystal cell unit, liquid crystal device, method for manufacturing liquid crystal device, and electronic equipment

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101325980B1 (en) * 2006-11-21 2013-11-07 엘지디스플레이 주식회사 An array substrate for In-Plane switching mode LCD and method of fabricating of the same
KR101463025B1 (en) * 2007-11-23 2014-11-19 엘지디스플레이 주식회사 In plane switching mode liquid crystal display device and method of fabricating the same

Also Published As

Publication number Publication date
KR101098892B1 (en) 2011-12-26

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101209050B1 (en) Liquid crystal display and test method thereof
KR101262984B1 (en) Array substrate for fringe field switching mode liquid crystal display device
US9171866B2 (en) Array substrate for narrow bezel type liquid crystal display device and method of manufacturing the same
US7336093B2 (en) Test circuit for flat panel display device
US20200292898A1 (en) Active matrix substrate and display panel
KR101608852B1 (en) Array substrate and liquid crystal display device having the same
JP2005055896A (en) Thin film transistor display board
KR20070119344A (en) Liquid crystal display device
JP6378949B2 (en) Liquid crystal display
CN101750828B (en) An array substrate for in-plane switching mode LCD
US9666611B2 (en) Thin film transistor array panel
KR101148163B1 (en) Thin film transistor substrate and display device having the same
US9625780B2 (en) Liquid crystal display
KR100998640B1 (en) Liquid crystal display device and manufacturing method of the same
KR20080059928A (en) Liquid crystal display device and method for repairing the same
KR20090043750A (en) A liquid crystal display device
US7480431B2 (en) Thin film transistor array substrate and liquid crystal display devices
KR100517135B1 (en) Thin film transistor substrate
KR101098892B1 (en) Liquid crystal display device and manufacturing method of the same
KR20070080143A (en) A liquid crystal display device
US10795202B2 (en) Display devices
CN112782886A (en) Array substrate and touch display panel
KR20110105893A (en) Array substrate for double rate drive type liquid crystal display device
US9766516B2 (en) Display device
KR102500559B1 (en) Array substrate and display device having the same

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
AMND Amendment
E90F Notification of reason for final refusal
AMND Amendment
E601 Decision to refuse application
AMND Amendment
J201 Request for trial against refusal decision
B701 Decision to grant
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20141124

Year of fee payment: 4

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20161118

Year of fee payment: 6

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20171116

Year of fee payment: 7

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20181114

Year of fee payment: 8

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20191113

Year of fee payment: 9