KR20050063006A - In plane switching mode liquid crystal display device and method for fabricating thereof - Google Patents

In plane switching mode liquid crystal display device and method for fabricating thereof Download PDF

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KR20050063006A
KR20050063006A KR1020030094055A KR20030094055A KR20050063006A KR 20050063006 A KR20050063006 A KR 20050063006A KR 1020030094055 A KR1020030094055 A KR 1020030094055A KR 20030094055 A KR20030094055 A KR 20030094055A KR 20050063006 A KR20050063006 A KR 20050063006A
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김우현
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엘지.필립스 엘시디 주식회사
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Abstract

본 발명은 빛샘 방지 및 개구율을 향상시킬 수 있는 수평구동방식 액정표시소자 및 그 제조방법에 관한 것으로, 제1 및 제2기판과, 상기 제1기판에 종횡으로 배열되어 화소영역을 정의하는 복수의 게이트라인 및 데이터라인과, 상기 게이트라인과 데이터라인의 교차영역에 형성된 스위칭소자와, 상기 화소영역에 수평전계를 발생시키는 적어도 한쌍의 공통전극 및 화소전극과, 상기 게이트라인과 그 일부가 중첩하며, 상기 공통전극과 연결되는 게이트신호 차단라인과, 제1기판과 제2기판 사이에 형성된 액정층을 포함하여 구성되는 수평구동방식 액정표시소자를 제공한다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a horizontal drive type liquid crystal display device capable of preventing light leakage and improving an aperture ratio, and a method of manufacturing the same. A gate line and a data line, a switching element formed at an intersection of the gate line and the data line, at least one pair of common and pixel electrodes for generating a horizontal electric field in the pixel area, and the gate line and a part thereof overlap The present invention provides a horizontal drive type liquid crystal display device including a gate signal blocking line connected to the common electrode, and a liquid crystal layer formed between the first substrate and the second substrate.

Description

수평구동방식 액정표시소자 및 그 제조방법{IN PLANE SWITCHING MODE LIQUID CRYSTAL DISPLAY DEVICE AND METHOD FOR FABRICATING THEREOF}Horizontal drive type liquid crystal display device and manufacturing method thereof {IN PLANE SWITCHING MODE LIQUID CRYSTAL DISPLAY DEVICE AND METHOD FOR FABRICATING THEREOF}

본 발명은 수평구동방식 액정표시소자에 관한 것으로, 특히 게이트라인과 공통라인 사이에 발생하는 빛샘을 방지하고, 개구율을 향상시킬 수 있는 수평구동방식 액정표시소자 및 그 제조방법에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a horizontal drive type liquid crystal display device, and more particularly, to a horizontal drive type liquid crystal display device capable of preventing light leakage occurring between a gate line and a common line and improving an aperture ratio, and a manufacturing method thereof.

고화질, 저전력의 평판표시소자(flat panel display device)로서 주로 액정표시소자가 사용되고 있다. 액정표시소자는 박막트랜지스터 어레이기판과 칼라필터 기판이 대향하여 균일한 간격을 갖도록 합착되며, 그 박막트랜지스터 어레이 기판과 칼라필터 기판 사이에 액정층이 형성된다.Liquid crystal display devices are mainly used as flat panel display devices having high quality and low power. The liquid crystal display device is bonded so that the thin film transistor array substrate and the color filter substrate face each other at a uniform interval, and a liquid crystal layer is formed between the thin film transistor array substrate and the color filter substrate.

박막트랜지스터 어레이기판은 화소들이 매트릭스 형태로 배열되며, 그 단위화소에는 박막트랜지스터, 화소전극 및 커패시터가 형성되고, 상기 칼라필터기판은 상기 화소전극과 함께 액정층에 전계를 인가하는 공통전극과 실제 칼라를 구현하는 RGB 칼라필터 및 블랙매트릭스가 형성되어 있다.In the thin film transistor array substrate, pixels are arranged in a matrix form, and a thin film transistor, a pixel electrode, and a capacitor are formed in a unit pixel, and the color filter substrate is a common electrode and an actual color for applying an electric field to the liquid crystal layer together with the pixel electrode. An RGB color filter and a black matrix are implemented to implement the.

한편, 상기 박막트랜지스터 어레이기판과 칼라필터기판의 대향면에는 배향막이 형성되고, 러빙이 실시되어 상기 액정층이 일정한 방향으로 배열되도록 한다. 이때, 액정은 박막트랜지스터 어레이 기판의 단위 화소별로 형성된 화소전극과 칼라필터 기판의 전면에 형성된 공통전극 사이에 전계가 인가될 경우에 유전 이방성에 의해 회전함으로써, 단위화소별로 빛을 통과사키거나 차단시켜 문자나 화상을 표시하게 된다. 그러나, 상기와 같은 트위스트 네마틱 모드(twisted nematic mode) 액정표시소자(liquid crystal display device)는 시야각이 좁다는 단점이 있다.On the other hand, an alignment layer is formed on the opposite surface of the thin film transistor array substrate and the color filter substrate, and rubbing is performed so that the liquid crystal layer is arranged in a constant direction. In this case, the liquid crystal is rotated by dielectric anisotropy when an electric field is applied between the pixel electrode formed for each unit pixel of the thin film transistor array substrate and the common electrode formed on the front surface of the color filter substrate, thereby passing or blocking light per unit pixel. Characters or images are displayed. However, the above-described twisted nematic mode liquid crystal display device has a disadvantage in that the viewing angle is narrow.

따라서, 액정분자를 기판과 거의 횡방향으로 배향하여 시야각 문제를 해결하는 수평구동방식 액정표시소자(In Plane Switching mode LCD)가 최근에 활발하게 연구되고 있다.Therefore, a horizontal drive type liquid crystal display (In Plane Switching mode LCD) that solves the viewing angle problem by aligning the liquid crystal molecules almost in the direction of the substrate has been actively studied in recent years.

도 1은 일반적인 수평구동방식 액정표시소자의 단위화소를 개략적으로 도시한 것으로, 도 1a는 평면도이고, 도 1b는 도 1a의 I-I'의 단면도이다.FIG. 1 schematically illustrates a unit pixel of a general horizontal driving type liquid crystal display device. FIG. 1A is a plan view, and FIG. 1B is a sectional view taken along line II ′ of FIG. 1A.

도면에 도시된 바와 같이, 투명한 제1기판(10) 상에 게이트라인(1) 및 데이터라인(3)이 종횡으로 배열되어 화소영역을 정의한다. 실제의 액정표시소자에서는 n개의 게이트라인(1)과 m개의 데이터라인(3)이 교차하여 n×m개의 화소가 존재하지만, 도면에는 설명을 간단하게 하기 위해 단지 한 화소만을 나타내었다.As shown in the figure, the gate line 1 and the data line 3 are vertically and horizontally arranged on the transparent first substrate 10 to define a pixel area. In an actual liquid crystal display device, n gate lines 1 and m data lines 3 intersect with n x m pixels, but only one pixel is shown in the figure for simplicity.

상기 게이트라인(1)과 데이터라인(3)의 교차점에는 게이트전극(1a), 반도체층(5) 및 소스/드레인전극(2a,2b)으로 구성된 박막트랜지스터(thin film transistor;9)가 배치되어 있으며, 상기 게이트전극(1a) 및 소스/드레인전극(2a,2b)은 각각 게이트라인(1) 및 데이터라인(3)에 접속된다. 또한, 게이트절연막(8)은 기판 전체에 걸쳐서 적층되어 있다.A thin film transistor 9 composed of a gate electrode 1a, a semiconductor layer 5, and source / drain electrodes 2a and 2b is disposed at an intersection point of the gate line 1 and the data line 3. The gate electrode 1a and the source / drain electrodes 2a and 2b are connected to the gate line 1 and the data line 3, respectively. In addition, the gate insulating film 8 is laminated over the entire substrate.

화소영역 내에는 상기 게이트라인(1)과 평행하게 공통라인(4)이 배열되고, 액정분자를 스위칭 시키는 적어도 한쌍의 전극 즉, 공통전극(6)과 화소전극(7)이 데이터라인과 평행하게 배열되어 있다. 상기 공통전극(6)은 게이트라인(1)과 동시에 형성되어 공통라인(4)에 접속되며, 화소전극(7)은 소스/드레인전극(2a,2b)과 동시에 형성되어 박막트랜지스터(9)의 드레인전극(2b)과 접속된다. 그리고, 상기 소스/드레인전극(2a,2b)을 포함하는 기판 전체에 걸쳐서 보호막(11)이 형성되어 있다. 또한, 상기 공통라인(4)과 중첩되어 형성되며, 화소전극(7)과 접속하는 화소전극라인(14)은 그 사이에 개재된 절연막(8)을 사이에 두고 축적용량(Cst)를 형성한다.The common line 4 is arranged in parallel with the gate line 1 in the pixel area, and at least one pair of electrodes for switching the liquid crystal molecules, that is, the common electrode 6 and the pixel electrode 7 are parallel with the data line. Are arranged. The common electrode 6 is formed at the same time as the gate line 1 and connected to the common line 4, and the pixel electrode 7 is formed at the same time as the source / drain electrodes 2a and 2b to form the thin film transistor 9. It is connected to the drain electrode 2b. A protective film 11 is formed over the entire substrate including the source / drain electrodes 2a and 2b. In addition, the pixel electrode line 14 overlapping with the common line 4 and connected to the pixel electrode 7 forms the storage capacitor Cst with an insulating film 8 interposed therebetween. .

또한, 제2기판(20)에는 박막트랜지스터(9), 게이트라인(1) 및 데이터라인(3)으로 빛이 새는 것을 방지하는 블랙매트릭스(21)와 칼라를 구현하기 위한 칼라필터(23)가 형성되어 있으며, 그 위에는 칼라필터(23)를 평탄화하기 위한 오버코트막(25)이 도포되어 있다. 그리고, 상기 제1기판(10) 및 제2기판(20)의 대향면에는 액정의 초기 배향방향을 결정짓는 배향막(12a,12b)이 도포되어 있다.In addition, the second substrate 20 includes a black matrix 21 for preventing light leakage into the thin film transistor 9, the gate line 1, and the data line 3, and a color filter 23 for realizing color. The overcoat film 25 for planarizing the color filter 23 is apply | coated on it. On the opposing surfaces of the first substrate 10 and the second substrate 20, alignment films 12a and 12b for determining the initial alignment direction of the liquid crystal are coated.

또한, 상기 제1기판(10) 및 제2기판(20) 사이에는 상기 공통전극(6) 및 화소전극(7)에 인가되는 전압에 의해 빛의 투과율을 조절하는 액정층(13)이 형성되어 있다.In addition, a liquid crystal layer 13 is formed between the first substrate 10 and the second substrate 20 to control light transmittance by a voltage applied to the common electrode 6 and the pixel electrode 7. have.

상기와 같는 구조를 갖는 종래 수평구동방식 액정표시소자는 공통전극(6) 및 화소전극(7)이 동일평면 상에 배치되어 횡전계를 발생시키기 때문에 시야각을 향상시킬 수 있는 장점을 가진다.The conventional horizontal drive type liquid crystal display device having the structure as described above has the advantage of improving the viewing angle because the common electrode 6 and the pixel electrode 7 are arranged on the same plane to generate a transverse electric field.

반면에, 화면이 표시되는 화소영역 내에 공통전극(6) 및 화소전극(7)이 배치되어 있기 때문에 개구율(aperture ratio)이 저하되어 휘도가 떨어지는 문제점이 있었다.On the other hand, since the common electrode 6 and the pixel electrode 7 are disposed in the pixel area where the screen is displayed, there is a problem that the aperture ratio is lowered and the luminance is lowered.

아울러, 상기 데이터라인(3)과 화소전극(7)간의 신호간섭에 의해 화소내에 수평전계가 정상적으로 형성되지 않기 때문에, 이를 해결하기 위해서 데이터라인(3)과 인접하는 영역에 공통전극(6)을 배치하여, 데이터라인(3) 신호간섭을 막아주며, 게이트라인(1)과 인접하는 영역에는 공통라인(4)을 배치하여, 게이트라인(1)의 신호간섭을 막아주게 된다. 그러나, 게이트라인(1)과 공통라인(4)이 동일 평면상에 형성되어 있기 때문에, 이들의 단선불량을 막기 위해 이들 사이를 일정거리 이격시키기 때문에, 상기 게이트라인(1) 공통라인(4) 사이의 이격영역(A)에 빛샘이 발생하게 된다. 즉, 이 영역(A)에 배치된 액정은 게이트라인(1) 및 공통라인(4) 사이에 걸리는 전계에 의해 구동되며, 이러한 구동은 공통전극(6) 및 화소전극(7) 사이의 액정구동과 방향이 다르기 때문에 빛샘이 발생하는 것이다.In addition, since a horizontal electric field is not normally formed in the pixel due to signal interference between the data line 3 and the pixel electrode 7, the common electrode 6 is disposed in an area adjacent to the data line 3 to solve this problem. Arrangement prevents signal interference of the data line 3, and common line 4 is disposed in an area adjacent to the gate line 1, thereby preventing signal interference of the gate line 1. However, since the gate line 1 and the common line 4 are formed on the same plane, the gate line 1 and the common line 4 are spaced apart from each other by a predetermined distance to prevent their disconnection. Light leakage occurs in the spaced area A therebetween. That is, the liquid crystal disposed in this area A is driven by an electric field applied between the gate line 1 and the common line 4, and this driving is performed by the liquid crystal driving between the common electrode 6 and the pixel electrode 7. Because of the different direction and light leakage occurs.

따라서, 이러한 빛샘현상을 가리기 위해서 상부기판(20)에 블랙매트릭스(21)를 형성하는 경우, 하부기판(10) 및 상부기판(20)의 합착마진을 고려하고, 상기 이격영역(A)까지 블랙매트릭스(21)를 형성해야 하기 때문에, 블랙매트릭스(21)가 차지하는 면적으로 인해 개구율이 감소하는 문제가 발생하게 된다.Therefore, when the black matrix 21 is formed on the upper substrate 20 to cover the light leakage phenomenon, considering the bonding margin of the lower substrate 10 and the upper substrate 20, the black to the separation area (A) Since the matrix 21 must be formed, a problem arises in that the aperture ratio decreases due to the area occupied by the black matrix 21.

따라서, 본 발명은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위해서 이루어진 것으로, 본 발명의 목적은 공통전극 및 화소전극을 투명한 전도성물질로 형성함으로써, 개구율을 향상시킬 수 있는 수평구동방식 액정표시소자 및 그 제조방법을 제공하는 데 있다.Accordingly, the present invention has been made to solve the above problems, and an object of the present invention is to form a common electrode and a pixel electrode made of a transparent conductive material, thereby improving the aperture ratio of the liquid crystal display device and a manufacturing method thereof To provide.

본 발명의 다른 목적은 게이트라인과 인접하는 게이트신호 차단라인을 게이트라인과 중첩시켜 형성함으로써, 개구율을 더욱 향상시킬 수 있는 액정표시소자 및 그 제조방법을 제공하는데 있다. Another object of the present invention is to provide a liquid crystal display device and a method of manufacturing the same, which may further improve the aperture ratio by forming a gate signal blocking line adjacent to the gate line overlapping with the gate line.

기타 본 발명의 목적 및 특징은 이하의 발명의 구성 및 특허청구범위에서 상세히 기술될 것이다.Other objects and features of the present invention will be described in detail in the configuration and claims of the following invention.

상기한 목적을 달성하기 위한 본 발명은 제1 및 제2기판과, 상기 제1기판에 종횡으로 배열되어 화소영역을 정의하는 복수의 게이트라인 및 데이터라인과, 상기 게이트라인과 데이터라인의 교차영역에 형성된 스위칭소자와, 상기 화소영역에 수평전계를 발생시키는 적어도 한쌍의 공통전극 및 화소전극과, 상기 게이트라인과 그 일부가 중첩하며, 상기 공통전극과 연결되는 게이트신호 차단라인과, 상기 제1기판과 제2기판 사이에 형성된 액정층을 포함하여 구성된다.The present invention for achieving the above object is a first and second substrate, a plurality of gate lines and data lines arranged vertically and horizontally on the first substrate to define a pixel region, and the intersection region of the gate line and the data line At least one pair of common and pixel electrodes for generating a horizontal electric field in the pixel region, a gate signal blocking line overlapping the gate line, and a part of the gate electrode, and the first electrode; It comprises a liquid crystal layer formed between the substrate and the second substrate.

상기 데이터라인과 인접하는 공통신호 전달라인이 추가로 구성되어 있으며, 공통신호 전달라인은 상기 공통전극과 전기적으로 접속되어 공통라인의 신호를 공통전극에 전달하는 역할을 한다. 아울러, 공통신호 전달라인 상부에 배치된 공통전극은 데이터라인의 신호가 공통전극 및 화소전극 사이에 발생하는 수평전계에 미치를 영향을 차단하기 위한 것이다.A common signal transmission line adjacent to the data line is further configured, and the common signal transmission line is electrically connected to the common electrode to transfer a signal of the common line to the common electrode. In addition, the common electrode disposed on the common signal transmission line is to block the influence of the signal of the data line on the horizontal electric field generated between the common electrode and the pixel electrode.

또한, 상기 공통전극 및 화소전극은 꺽임구조를 가지며, 상기 데이터라인도 공통전극 및 화소전극과 동일한 꺽임구조로 형성될 수 있다.In addition, the common electrode and the pixel electrode may have a bent structure, and the data line may be formed in the same bent structure as the common electrode and the pixel electrode.

또한, 상기 공통전극 및 공통신호 전달라인과 연결된 공통라인이 추가로 형성되고, 그 상부에는 화소전극과 접속하는 스토리지전극이 형성되어 스토리지커패시터를 형성한다.In addition, a common line connected to the common electrode and the common signal transmission line is further formed, and a storage electrode connected to the pixel electrode is formed thereon to form a storage capacitor.

아울러, 본 발명에서는 공통전극 및 화소전극이 동일한 평면 상에 형성되어 있으며, 이들은 모두 ITO(indium tin oxide) 또는 IZO(indium zinc oxide)와 같은 투명한 전도성물질로 이루어진다.In addition, in the present invention, the common electrode and the pixel electrode are formed on the same plane, and both of them are made of a transparent conductive material such as indium tin oxide (ITO) or indium zinc oxide (IZO).

상기한 바와 같이 구성된 본 발명의 수평구동방식 액정표시소자는 화소전극 및 공통전극이 투명한 물질로 형성되어 있기 때문에, 종래에 비해 개구율을 향상시킬 수 있는 장점이 있다. 더불어, 이들이 동일한 평면상에 형성되어 있기 때문에 전계의 세기가 증가하여 액정의 스위칭속도를 증가시킬 수 있으며, 이에 따라, 동화상 구현이 용이한 장점을 가진다. 즉, 종래에는 공통전극 및 화소전극이 비록 동일기판에 형성되어 있으나, 그 사이에 개재된층 즉, 게이트절연막 사이에 전계가 형성되기 때문에, 본 발명에 비해 약한 전계가 발생하게 된다.The horizontal drive type liquid crystal display device of the present invention configured as described above has an advantage that the aperture ratio can be improved compared to the prior art because the pixel electrode and the common electrode are formed of a transparent material. In addition, since they are formed on the same plane, the intensity of the electric field may be increased to increase the switching speed of the liquid crystal, and thus, the moving image may be easily implemented. That is, although the common electrode and the pixel electrode are conventionally formed on the same substrate, a weak electric field is generated compared to the present invention because an electric field is formed between the intervening layer, that is, the gate insulating film.

또한, 게이트신호를 차단시키는 게이트신호 차단라인을 게이트라인과는 다른층에 형성하고, 이들을 서로 중첩시켜 형성함으로써, 게이트라인과 게이트신호 차단라인 사이의 빛샘을 막을 수 있다. 즉, 종래에는 본 발명의 게이트신호 차단라인의 기능을 가지는 공통라인이 게이트라인과 동일층에 형성되어 있기 때문에, 이들 사이의 이격영역에 빛샘이 발생하는 문제가 발생되었다. 그러나, 본 발명에서는 게이트라인과 게이트신호 차단라인을 중첩시켜 형성함으로써, 종래 게이트라인과 공통라인사이의 이격사이의 빛샘을 방지한다.In addition, the gate signal blocking line for blocking the gate signal is formed on a different layer from the gate line, and the gate signal blocking line is formed to overlap each other, thereby preventing light leakage between the gate line and the gate signal blocking line. That is, conventionally, since the common line having the function of the gate signal blocking line of the present invention is formed on the same layer as the gate line, light leakage occurs in the spaced area therebetween. However, in the present invention, the gate line and the gate signal blocking line are formed to overlap each other, thereby preventing light leakage between the gap between the conventional gate line and the common line.

또한, 본 발명에 의한 수평구동방식 액정표시소자의 제조방법은 제1 및 제2기판을 제공하는 단계와, 상기 제1기판 상에 복수의 게이트라인과, 상기 게이트라인과 평행한 공통라인과, 공통신호 전달라인을 형성하는 단계와, 상기 게이트라인과 수직으로 교차하여 화소영역을 정의하는 데이터라인과, 상기 공통라인과 중첩하여 스토리지커패시터를 형성하는 스토리지전극을 형성하는 단계와, 상기 화소영역 내에 수평전계를 발생시키는 공통전극 및 화소전극과, 상기 공통전극과 연결되며, 전단 게이트라인과 일부 중첩하는 게이트신호 차단라인을 형성하는 단계와, 상기 제1 및 제2기판 사이에 액정층을 형성하는 단계를 포함하여 이루어진다.In addition, the method of manufacturing a horizontal drive type liquid crystal display device according to the present invention comprises the steps of providing a first and a second substrate, a plurality of gate lines on the first substrate, a common line parallel to the gate line, Forming a common signal transmission line, forming a data line vertically intersecting the gate line to define a pixel region, and forming a storage electrode overlapping the common line to form a storage capacitor; Forming a common electrode and a pixel electrode for generating a horizontal electric field, a gate signal blocking line connected to the common electrode and partially overlapping a front gate line, and forming a liquid crystal layer between the first and second substrates; A step is made.

이때, 상기 데이터라인 및 스토리지전극을 포함하는 제1기판 전면에 보호막을 형성하는 단계를 추가로 포함되며, 상기 공통전극 및 화소전극과, 게이트신호 차단라인은 보호막 상에 형성한다. 그리고, 그 구성에서도 설명한 바와 같이, 상기 공통전극 및 화소전극은 투명한 전도성물질은 ITO(indium tin oxide) 또는 IZO(indium zinc oxide)와 같은 투명한 전도성물질로 형성한다.In this case, the method may further include forming a passivation layer on the entire surface of the first substrate including the data line and the storage electrode. The common electrode, the pixel electrode, and the gate signal blocking line may be formed on the passivation layer. As described in the configuration, the common electrode and the pixel electrode are formed of a transparent conductive material such as indium tin oxide (ITO) or indium zinc oxide (IZO).

이하, 첨부된 도면을 통해 본 발명에 의한 수평구동방식 액정표시소자에 대하여 좀 더 상세하게 설명하도록 한다.Hereinafter, the horizontal drive type liquid crystal display device according to the present invention will be described in more detail with reference to the accompanying drawings.

도 2a 및 도 2b는 본 발명에 의한 수평구동방식 액정표시소자를 나타낸 것으로, 도 2a는 평면도이고, 도 2b는 도 2a의 II-II'선에 따른 절단면이다.2A and 2B illustrate a horizontal drive type liquid crystal display device according to the present invention. FIG. 2A is a plan view, and FIG. 2B is a cross section taken along the line II-II ′ of FIG. 2A.

도면에 도시된 바와 같이, 본 발명에 의한 수평구동방식 액정표시소자(100)는 투명한 제1기판(110)상에 종횡으로 배열된 게이트라인(101) 및 데이터라인(103)에 의해 화소영역이 정의되며, 상기 게이트라인(101)과 데이터라인(103)의 교차점에는 스위칭소자(109)가 형성되어 있다. 그리고, 상기 스위칭소자(109)는 게이트라인(101)의 일부로 형성된 게이트전극과 상기 게이트전극 위에 형성된 반도체층(105) 및 상기 반도체층(105) 상에 소정간격 이격하여 배치된 소스/드레인전극(102a,102b)으로 구성된다. As shown in the figure, the horizontal drive type liquid crystal display device 100 according to the present invention has a pixel area formed by a gate line 101 and a data line 103 arranged vertically and horizontally on a transparent first substrate 110. The switching element 109 is formed at the intersection of the gate line 101 and the data line 103. In addition, the switching element 109 may include a gate electrode formed as a part of the gate line 101, a semiconductor layer 105 formed on the gate electrode, and a source / drain electrode disposed on the semiconductor layer 105 at a predetermined interval. 102a, 102b).

또한, 화소내에는 수평전계를 발생시키는 적어도 한쌍의 공통전극(106) 및 화소전극(107)이 형성되어 있다. 그리고, 상기 공통전극(106)과 전기적으로 연결되어 공통신호를 인가하는 공통라인(104)이 형성되어 있으며, 상기 공통라인(104) 위에는 박막트랜지스터(109)의 드레인전극(102b)과 연결된 스토리지전극(114)이 형성되어 있다. 또한, 스토리지전극(114)은 제1콘택홀(107a)을 통해 화소전극(107)과 전기적으로 연결되어 있으며, 이것은 공통라인(104)과 함께 게이트절연막(108)을 사이에 두고, 스토리지커패시터(Cst)를 형성한다. In the pixel, at least one pair of common electrode 106 and pixel electrode 107 for generating a horizontal electric field are formed. A common line 104 is formed to be electrically connected to the common electrode 106 to apply a common signal. The storage electrode is connected to the drain electrode 102b of the thin film transistor 109 on the common line 104. 114 is formed. In addition, the storage electrode 114 is electrically connected to the pixel electrode 107 through the first contact hole 107a, which is connected to the pixel electrode 107 with the common line 104 interposed therebetween, and the storage capacitor ( Cst).

그리고, 상기 데이터라인(103)과 인접하는 영역에는 제2콘택홀(106a)을 통해 공통전극(106)과 접속되어 공통신호를 전달하는 공통신호 전달라인(102)이 형성되어 있으며, 공통신호 전달라인(102) 위에 형성된 공통전극(106)은 데이터신호를 차단시키는 역할을 한다.In addition, a common signal transmission line 102 is formed in an area adjacent to the data line 103 to be connected to the common electrode 106 through a second contact hole 106a to transmit a common signal. The common electrode 106 formed on the line 102 serves to block the data signal.

상기 공통전극(106) 및 화소전극(107)은 스트라이프(stripe)구조 또는 지그재그와 같이 꺽임구조로 형성될 수 있으나, 공통전극(106) 및 화소전극(107)이 꺽임구조인 경우, 한 화소내에 액정의 구동방향이 서로 대칭성을 가지는 멀티도메인(multi-domain)이 형성되어, 액정의 복굴절(birefringence) 특성에 의한 이상 광을 서로 상쇄시킴으로써, 색전이(color shift) 현상을 최소화 할 수 있는 잇점이 있다. 아울러, 상기 데이터라인(103)의 구조도 공통전극(106) 및 화소전극(107)과 동일한 형상을 갖는 꺽임구조로 형성할 수 있다.The common electrode 106 and the pixel electrode 107 may be formed in a bent structure such as a stripe structure or a zigzag structure. However, when the common electrode 106 and the pixel electrode 107 are in a bent structure, they may be formed in one pixel. Multi-domains in which the driving directions of the liquid crystals are symmetrical to each other are formed, and the advantages of minimizing color shift can be minimized by canceling the abnormal light due to the birefringence characteristics of the liquid crystals. have. In addition, the structure of the data line 103 may be formed in a bent structure having the same shape as the common electrode 106 and the pixel electrode 107.

상기 게이트라인(101)과 인접하는 영역에는 게이트신호를 차단시키는 게이트신호 차단라인(115)이 형성되어 있으며, 게이트신호 차단라인(115)은 게이트라인(101)과 그 일부가 중첩되어 형성된다. 이것은, 종래 게이트라인(1)과 공통라인(4)의 이격영역(A)에서 발생되는 빛샘(도 1참조)을 방지하기 위한 것으로, 종래 공통라인(1)은 본 발명의 게이트신호 차단라인(115) 대응한다.A gate signal blocking line 115 for blocking a gate signal is formed in an area adjacent to the gate line 101, and the gate signal blocking line 115 is formed by overlapping a portion of the gate line 101. This is to prevent light leakage (see FIG. 1) generated in the spaced area A between the conventional gate line 1 and the common line 4. The conventional common line 1 is a gate signal blocking line of the present invention. 115) Corresponds.

도 2b의 단면도에 도시된 바와 같이, 게이트라인(101), 공통신호 전달라인(102)및 공통라인(104)은 제1기판(110) 위에 형성되어 있으며, 그 상부 전면에는 게이트절연막(108)이 도포되어 있다. 게이트라인(101)과 직교하는 데이터라인(103)이 게이트절연막(108) 위에 형성되어 있으며, 도면에는 상세하게 도시하진 않았지만, 드레인전극(102b)과 연결된 스토리지전극(114)도 게이트절연막(108) 위에 형성된다. 이때, 공통라인(106) 및 그 상부에 형성된 스토리지전극(114)은 게이트절연막(108)을 사이에 두고 스토리지커패시터(Cst)를 형성하게 된다(도 2a참조). 그리고, 데이터라인(103) 및 스토리지전극(114)을 포함하는 제1기판(110) 전면에는 보호막(111)이 도포되어 있으며, 그 상부에는 공통전극(106) 및 화소전극(107)이 형성되어 있다. 상기 데이터라인(103)과 인접하는 공통전극(106)은 그 하부에 형성된 공통신호 전달라인(102)과 제2콘택홀(106a)을 통해 전기적으로 접속된다.As shown in the cross-sectional view of FIG. 2B, the gate line 101, the common signal transfer line 102, and the common line 104 are formed on the first substrate 110, and the gate insulating film 108 is formed on the upper surface thereof. Is applied. A data line 103 orthogonal to the gate line 101 is formed on the gate insulating layer 108, and although not shown in detail, the storage electrode 114 connected to the drain electrode 102b is also formed on the gate insulating layer 108. It is formed on the top. At this time, the common line 106 and the storage electrode 114 formed thereon form a storage capacitor Cst with the gate insulating layer 108 interposed therebetween (see FIG. 2A). The passivation layer 111 is coated on the entire surface of the first substrate 110 including the data line 103 and the storage electrode 114, and a common electrode 106 and a pixel electrode 107 are formed thereon. have. The common electrode 106 adjacent to the data line 103 is electrically connected to the common signal transmission line 102 and the second contact hole 106a formed thereunder.

한편, 상기 제2기판(120)에는 빛이 새는 것을 막아주는 블랙매트릭스(121)와 칼라를 구현하기 위한 칼라필터(123)가 형성되어 있다. 그리고, 제1기판(110) 및 제2기판(120)의 대향면에는 액정의 초기 배향방향을 결정하는 제1 및 제2배향막(112a,112b)이 도포되어 있으며, 그 사이에는 액정층(113)이 형성된다.On the other hand, the second substrate 120 is formed with a black matrix 121 to prevent light leakage and a color filter 123 for implementing the color. The first and second alignment layers 112a and 112b for determining the initial alignment direction of the liquid crystal are coated on opposite surfaces of the first substrate 110 and the second substrate 120, and the liquid crystal layer 113 is disposed therebetween. ) Is formed.

상기와 같이 구성된 본 발명의 수평구동방식 액정표시소자(100)는 게이트신호 차단라인(115)이 게이트라인(101)과 충첩되어 형성되기 때문에, 이들 사이에서 발생되는 빛샘을 차단할 수가 있다. 아울러, 이영역에는 빛샘이 발생하기 않기 때문에, 제2기판(120)에 형성된 블랙매트릭스(121)의 면적을 줄일 수 있어 종래에 비해 개구율을 향상시킬 수 있는 장점이 있다. 이것은, 게이트라인(101)과 게이트신호 차단라인(115)을 서로 다른층에 구성함으로써 이루어지는 것으로, 상기 게이트라인(101)은 게이트절연막(108) 위에 형성되고, 상기 게이트신호 차단라인(115)은 보호막(111) 위에 형성되어, 이들을 서로 중첩시켜 형성하는 것이 가능하다. 종래와 비교하여 본 발명의 개구율 향상효과를 좀더 상세하게 설명하면, 먼저, 종래에는 게이트라인(1)이 공통라인(4)과 동일층에 형성되어 있기 때문에, 이들 간의 이격영역(A)이 존재하게 된다. 상기 공통라인(4)은 공통전극(6)과 전기적으로 연결되어 공통신호를 인가하는 동시에, 게이트라인(1)에 인가된 게이트신호가 게이트라인(1)에 인접하는 공통전극(6) 및 화소전극(7)의 에지영역에 미치는 영향을 차단하는 역할을 한다. 따라서, 종래 공통라인(4)은 본 발명의 게이트신호 차단라인(115)과 대응시켜 생각할 수 있다. 상기한 바와 같이 구성된 종래 수평전계방식 액정표시소자는 종래기술에서도 설명한 바와 같이, 게이트라인(1)과 게이트신호 차단라인 즉, 공통라인(4)과의 이격영역(A)에서 액정이 비정상적으로 구동하기 때문에 빛샘이 발생된다. 이에 따라, 상기 빛샘영역을 가려주는 블랙매트릭(21)를 공통라인(4)까지 형성하게 되는데, 이와 같이 블랙매트릭스(21)가 공통라인(4)까지 확장됨에 따라 개구율이 저하되었다.In the horizontal drive type liquid crystal display device 100 according to the present invention configured as described above, since the gate signal blocking line 115 is formed to be overlapped with the gate line 101, light leakage generated between them can be blocked. In addition, since light leakage does not occur in this region, the area of the black matrix 121 formed on the second substrate 120 can be reduced, and thus the aperture ratio can be improved as compared with the related art. This is achieved by forming the gate line 101 and the gate signal blocking line 115 on different layers, wherein the gate line 101 is formed on the gate insulating film 108, and the gate signal blocking line 115 is formed. It is formed on the protective film 111, and these can be formed so that they may overlap each other. The aperture ratio improvement effect of the present invention will be described in more detail in comparison with the prior art. First, since the gate line 1 is conventionally formed on the same layer as the common line 4, there is a spaced area A therebetween. Done. The common line 4 is electrically connected to the common electrode 6 to apply a common signal, and a common electrode 6 and a pixel in which the gate signal applied to the gate line 1 is adjacent to the gate line 1. It serves to block the influence on the edge region of the electrode (7). Therefore, the conventional common line 4 can be considered to correspond to the gate signal blocking line 115 of the present invention. In the conventional horizontal field type liquid crystal display device configured as described above, the liquid crystal is abnormally driven in the separation area A between the gate line 1 and the gate signal blocking line, that is, the common line 4, as described in the related art. Because of this, light leakage occurs. As a result, the black matrix 21 covering the light leakage region is formed up to the common line 4. As the black matrix 21 extends to the common line 4, the aperture ratio decreases.

반면에, 본 발명에서는 게이트라인(101)과 인접하는 게이트신호 차단라인(115)을 게이트라인(101)과 중첩시켜 형성함으로써, 빛샘을 차단시켜 블랙매트릭스(121)가 형성되는 영역을 최소화한다.On the other hand, in the present invention, by forming the gate signal blocking line 115 adjacent to the gate line 101 overlapping with the gate line 101, light leakage is blocked to minimize the area where the black matrix 121 is formed.

더욱이, 본 발명은 공통전극(106) 및 화소전극(107)이 동일평면 즉, 보호막(111) 위에 형성되어 있기 때문에 두 전극 사이의 액정층(113)에 인가되는 전계가 종래에 비하여 더욱 강하게 형성된다. 이러한 강한 전계에 의해 액정층(113) 내의 액정분자가 더욱 빠른 속도로 스위칭되기 때문에, 동영상 등의 구현이 용이해진다.Furthermore, in the present invention, since the common electrode 106 and the pixel electrode 107 are formed on the same plane, that is, the protective film 111, the electric field applied to the liquid crystal layer 113 between the two electrodes is formed more strongly than in the prior art. do. Since the liquid crystal molecules in the liquid crystal layer 113 are switched at a higher speed by such a strong electric field, it is easy to implement a moving image.

또한, 상기 공통전극(106) 및 화소전극(107)이 투명한 전도성 물질로 형성되기 때문에, 개구율 증가에 따른 휘도 향상을 꾀할 수가 있다.In addition, since the common electrode 106 and the pixel electrode 107 are formed of a transparent conductive material, luminance can be improved by increasing the aperture ratio.

상기한 바와 같이 구성된 수평구동방식 액정표시소자는 다음과 같은 공정을 통해 제작된다.The horizontal drive type liquid crystal display device configured as described above is manufactured through the following process.

도 3a∼도 3c 및 도 4a∼도 4d는 공토전극 및 화소전극이 동일 평면상에 형성되고, 게이트신호 차단라인이 게이트라인과 중첩된 구조를 가지는 본 발명에 따른 수평구동방식 액정표시소자의 제조방법을 나타낸 공정 순서도이다. 여기서, 설명의 이해를 돕기 위해 도 3a∼도 3c의 공정 단면도와 도 4a∼도 4d의 공정 평면도를 함께 도시한다.3A to 3C and FIGS. 4A to 4D illustrate the manufacturing of a horizontal drive type liquid crystal display device according to the present invention, in which a ground electrode and a pixel electrode are formed on the same plane, and a gate signal blocking line overlaps with the gate line. Process flowchart showing the method. Here, the process sectional drawing of FIGS. 3A-3C and the process plan view of FIGS. 4A-4D are shown together for the understanding of description.

먼저, 도 3a 및 도 4a에 도시된 바와 같이, 유리와 같은 투명한 절연기판(210)을 준비한 다음, 그 위에 Cu, Ti, Cr, Al, Mo, Ta, Al 합금과 같은 금속을 스퍼터링 방법을 통하여 증착한 후, 이를 패터닝하여 게이트라인(201)과 상기 게이트라인(201)과 수직한 방향으로 배치되는 공통신호 전달라인(202) 및 상기 공통신호 전달라인(202)과 연결된 공통라인(204)을 형성한다. First, as shown in FIGS. 3A and 4A, a transparent insulating substrate 210 such as glass is prepared, and then a metal such as Cu, Ti, Cr, Al, Mo, Ta, Al alloy is sputtered thereon. After the deposition, the patterned pattern is used to form a common signal transfer line 202 and a common line 204 connected to the common signal transfer line 202 disposed in a direction perpendicular to the gate line 201 and the gate line 201. Form.

그 다음, 도 3b 및 4b에 도시된 바와 같이, 상기 게이트라인(201) 및 공통신호 전달라인(202)을 포함하는 기판(210) 전면에 걸쳐서 SiNx 또는 SiOx 등을 플라즈마 CVD 방법으로 증착하여 게이트절연막(208)을 형성한 다음, 게이트절연막(208) 상부에 비정질 실리콘, n+ 비정질 실리콘을 적층하고 패터닝함으로써, 게이트라인(201) 상에 반도체층(205)을 형성한다. 그리고, 반도체층을 포함하는 기판 상에 Cu, Mo, Ta, Al, Cr, Ti, Al 합금과 같은 금속을 스퍼터링 방법을 통하여 증착한 다음, 이를 패터닝하여 게이트라인(201)과 수직으로 교차하여 화소영역을 정의하고, 상기 공통신호 전달라인(202)과 인접하는 데이터라인(203)과, 상기 공통라인(204)과 중첩하여 스토리지커패시터를 형성하는 스토리지전극(214)과 박막트랜지스터의 소스/드레인 전극(202a/202b)을 각각 형성한다.Next, as illustrated in FIGS. 3B and 4B, SiNx or SiOx or the like is deposited on the entire surface of the substrate 210 including the gate line 201 and the common signal transfer line 202 by a plasma CVD method to form a gate insulating film. After forming 208, the semiconductor layer 205 is formed on the gate line 201 by laminating and patterning amorphous silicon and n + amorphous silicon on the gate insulating film 208. Then, a metal such as Cu, Mo, Ta, Al, Cr, Ti, and Al alloy is deposited on the substrate including the semiconductor layer through a sputtering method, and then patterned to cross the gate line 201 perpendicularly to the pixel. A storage electrode 214 and a source / drain electrode of a thin film transistor defining a region, a data line 203 adjacent to the common signal transmission line 202, and a storage capacitor overlapping the common line 204 to form a storage capacitor. 202a / 202b are formed, respectively.

그 다음, 도 3c 및 도 4c에 도시된 바와 같이, 데이터라인(203) 및 스토리지전극(214)이 형성된 기판 전면에 걸쳐서 보호막(211)을 형성한 다음, 그 일부를 제거하여 스토리전극(214)을 노출시키는 제1콘택홀(207a)과 공통신호 전달라인(202)을 노출시키는 제2콘택홀(206a)을 형성한다.Next, as shown in FIGS. 3C and 4C, the passivation layer 211 is formed over the entire surface of the substrate on which the data line 203 and the storage electrode 214 are formed, and then a portion thereof is removed to remove the story electrode 214. The second contact hole 206a exposing the first contact hole 207a and the common signal transmission line 202 are formed.

이어서, 상기 보호막(211) 상에 ITO(indium tin oxide) 또는 (indium zinc oxide)와 같은 투명한 전도성 물질을 증착한 다음, 이를 패터닝하여 화소영역 내에 수평전계를 발생시키는 공통전극(206) 및 화소전극(207)을 형성한다. 이때, 상기 공통전극(206) 및 화소전극(207) 멀티도메인(multi-domain) 효과를 위해 지그재그형태의 꺽임구조로 형성할 수도 있다. 이때, 화소전극(207)은 제1콘택홀(207a)을 통해 스토리지전극(214)과 전기적으로 연결되며, 공통전극(206)은 제2콘택홀(206a)을 통해 공통신호 전달라인(202) 및 공통라인(204)에 접속된다. 또한, 상기 공통전극(206) 및 화소전극(207)의 에지영역에 인접하는 게이트라인(201)과 중첩하는 게이트신호 차단라인(215)도 함께 형성한다. 상기 게이트신호 차단라인(215)은 게이트라인(201)의 신호가 게이트라인(201)과 인접하는 공통전극(206) 및 화소전극(207)의 에지영역에 미치는 영향을 차단시키기 위해 형성하는 것으로, 본 발명에서는 게이트라인(201)과 중첩시켜 형성함으로써, 이영역의 개구율을 향상시킨다.Subsequently, a common conductive layer 206 and a pixel electrode are deposited on the passivation layer 211 to form a horizontal electric field in the pixel region by depositing a transparent conductive material such as indium tin oxide (ITO) or indium zinc oxide (ITO). 207 is formed. In this case, the common electrode 206 and the pixel electrode 207 may be formed in a zigzag curved structure for the multi-domain effect. In this case, the pixel electrode 207 is electrically connected to the storage electrode 214 through the first contact hole 207a, and the common electrode 206 is connected to the common signal transfer line 202 through the second contact hole 206a. And a common line 204. In addition, a gate signal blocking line 215 overlapping the gate line 201 adjacent to the edge region of the common electrode 206 and the pixel electrode 207 is also formed. The gate signal blocking line 215 is formed to block the influence of the signal of the gate line 201 on the edge regions of the common electrode 206 and the pixel electrode 207 adjacent to the gate line 201. In the present invention, the opening ratio of the region is improved by overlapping with the gate line 201.

한편, 도 4d에 도시된 바와 같이, 제2기판(220)에 칼라필터층(223) 및 블랙매트릭스(221)가 형성된 제2기판(220)을 합착하여 액정표시소자를 완성한다. 이때, 게이트신호 차단라인(215)과 대응하는 위치에 형성된 블랙매트릭스(221)는 게이트신호 차단라인(215)이 게이트라인(201)과 중첩되어 있기 때문에, 게이트라인(201)폭에 해당하는 영역과 제1 및 제2기판(210,220)의 합착마진을 고려하여 형성된다. Meanwhile, as shown in FIG. 4D, the liquid crystal display device is completed by bonding the second substrate 220 having the color filter layer 223 and the black matrix 221 to the second substrate 220. In this case, the black matrix 221 formed at a position corresponding to the gate signal blocking line 215 has an area corresponding to the width of the gate line 201 because the gate signal blocking line 215 overlaps the gate line 201. And the bonding margin of the first and second substrates 210 and 220.

상기한 바와 같이, 본 발명은 게이트신호를 차단시키는 게이트신호 차단라인을 게이트라인과는 다른층에 형성하고, 이들을 서로 중첩시킴으로써, 게이트라인과 게이트신호 차단라인 사이의 빛샘을 막을 수 있다. 즉, 종래에는 본 발명의 게이트신호 차단라인의 기능을 가지는 공통라인이 게이트라인과 동일층에 형성되어 있기 때문에, 이들 사이의 이격영역에 빛샘이 발생하는 문제가 발생되었다. 그러나, 본 발명에서는 게이트라인과 게이트신호 차단라인을 중첩시켜 형성함으로써, 종래 게이트라인과 공통라인사이의 이격사이의 빛샘을 방지한다.As described above, the present invention can prevent the light leakage between the gate line and the gate signal blocking line by forming a gate signal blocking line for blocking the gate signal in a layer different from the gate line and overlapping each other. That is, conventionally, since the common line having the function of the gate signal blocking line of the present invention is formed on the same layer as the gate line, light leakage occurs in the spaced area therebetween. However, in the present invention, the gate line and the gate signal blocking line are formed to overlap each other, thereby preventing light leakage between the gap between the conventional gate line and the common line.

상술한 바와 같이, 본 발명에 의하면, 수평구동방식 액정표시소자에 있어서, 공통전극과 연결된 게이트신호 차단라인을 게이트라인과 서로 다른층에 형성하고, 이들을 중첩시킴으로써, 공통전극 및 게이트신호 차단라인 사이의 빛샘을 방지하여 화질을 향상시킬 수가 있다. As described above, according to the present invention, in the horizontal drive type liquid crystal display device, a gate signal blocking line connected to the common electrode is formed on a different layer from the gate line, and the overlapping is performed between the common electrode and the gate signal blocking line. The image quality can be improved by preventing light leakage.

아울러, 빛샘영역을 제거함에 따라, 블랙매트릭스의 형성면적이 줄어들기 때문에 개구율 향상 및 이에 따른 화면의 휘도향상을 꾀할 수 있다.In addition, as the light leakage region is removed, the formation area of the black matrix is reduced, thereby improving the aperture ratio and consequently improving the brightness of the screen.

도 1a 및 도 1b는 일반적인 수평구동방식 액정표시소자를 나타낸 도면. 1A and 1B illustrate a general horizontal drive type liquid crystal display device.

도 2a 및 도 2b는 본 발명에 의한 수평구동방식 액정표시소자를 나타낸 도면.2A and 2B illustrate a horizontal drive type liquid crystal display device according to the present invention;

도 3a∼도 3c는 본 발명에 의한 수평구동방식 액정표시소자의 제조공정을 나타낸 공정 단면도.3A to 3C are cross-sectional views illustrating a manufacturing process of a horizontal drive liquid crystal display device according to the present invention.

도 4a∼도 4d는 본 발명에 의한 수평구동방식 액정표시소자의 제조공정을 나타낸 공정 평면도.4A to 4D are process plan views showing the manufacturing process of the horizontal drive type liquid crystal display device according to the present invention;

***도면의 주요부분에 대한 부호의 설명****** Explanation of symbols for main parts of drawing ***

101,201: 게이트 라인 103,203: 데이터 라인101,201: gate line 103,203: data line

104,204: 공통라인 106,206: 공통전극104, 204: common line 106, 206: common electrode

107,207: 화소전극 114,214: 스토리지전극107,207: pixel electrode 114,214: storage electrode

113,213: 액정층 121,221: 블랙매트릭스113,213: liquid crystal layer 121,221: black matrix

108,208: 게이트절연막 111,211: 보호막108,208: gate insulating film 111,211: protective film

102,202: 공통신호 전달라인102, 202: common signal transmission line

115,215: 게이트신호 차단라인115,215: gate signal blocking line

Claims (15)

제1 및 제2기판;First and second substrates; 상기 제1기판에 종횡으로 배열되어 화소영역을 정의하는 복수의 게이트라인 및 데이터라인;A plurality of gate lines and data lines arranged vertically and horizontally on the first substrate to define pixel areas; 상기 게이트라인과 데이터라인의 교차영역에 형성된 스위칭소자;A switching element formed at an intersection of the gate line and the data line; 상기 화소영역에 수평전계를 발생시키는 적어도 한쌍의 공통전극 및 화소전극;At least one pair of common electrode and pixel electrode for generating a horizontal electric field in the pixel region; 상기 게이트라인과 그 일부가 중첩하며, 상기 공통전극과 연결되는 게이트신호 차단라인: 및A gate signal blocking line overlapping the gate line and a portion thereof and connected to the common electrode: and 상기 제1기판과 제2기판 사이에 형성된 액정층을 포함하여 구성되는 수평구동방식 액정표시소자.And a liquid crystal layer formed between the first substrate and the second substrate. 제1항에 있어서, 상기 데이터라인과 인접하는 공통신호 전달라인이 추가로 구성된 것을 특징으로 하는 수평구동방식 액정표시소자.The horizontal drive type liquid crystal display of claim 1, further comprising a common signal transmission line adjacent to the data line. 제2항에 있어서, 상기 공통신호 전달라인은 공통전극과 전기적으로 접속된 것을 특징으로 하는 수평구동방식 액정표시소자.The horizontal drive type liquid crystal display of claim 2, wherein the common signal transmission line is electrically connected to a common electrode. 제1항에 있어서, 상기 공통전극 및 화소전극은 꺽임구조인 것을 특징으로 하는 수평구동방식 액정표시소자.The horizontal drive type liquid crystal display device of claim 1, wherein the common electrode and the pixel electrode have a bending structure. 제1항에 있어서, 상기 데이터라인은 꺽임구조인 것을 특징으로 하는 수평구동방식 액정표시소자.The horizontal drive type liquid crystal display device of claim 1, wherein the data line has a curved structure. 제1항에 있어서, 상기 공통전극 및 공통신호 전달라인과 연결된 공통라인이 추가로 형성된 것을 특징으로 하는 수평구동방식 액정표시소자.The horizontal drive type liquid crystal display of claim 1, further comprising a common line connected to the common electrode and the common signal transmission line. 제1항에 있어서, 상기 화소전극과 접속하며, 공통라인과 중첩하여 스토리지커패시터를 형성하는 스토리지전극이 추가로 구성된 것을 특징으로 하는 수평구동방식 액정표시소자.The horizontal drive type liquid crystal display device according to claim 1, further comprising a storage electrode connected to the pixel electrode and overlapping a common line to form a storage capacitor. 제1항에 있어서, 상기 공통전극 및 화소전극은 동일한 평면 상에 형성된 것을 특징으로 하는 수평구동방식 액정표시소자.The horizontal drive type liquid crystal display device of claim 1, wherein the common electrode and the pixel electrode are formed on the same plane. 제1항에 있어서, 상기 스위칭소자는,The method of claim 1, wherein the switching device, 상기 게이트라인과 접속하는 게이트전극;A gate electrode connected to the gate line; 상기 게이트전극 위에 형성된 게이트절연막;A gate insulating film formed on the gate electrode; 상기 게이트절연막 위에 형성된 반도체층;A semiconductor layer formed on the gate insulating film; 상기 반도체층 위에 형성된 소스전극 및 드레인전극을 포함하여 구성된 것을 특징으로 하는 수평구동방식 액정표시소자.And a source electrode and a drain electrode formed on the semiconductor layer. 제1항에 있어서, The method of claim 1, 상기 제2기판은 칼라필터와 블랙매트릭스를 포함하여 구성된 것을 특징으로 하는 수평구동방식 액정표시소자.The second substrate is a horizontal drive type liquid crystal display device comprising a color filter and a black matrix. 제1 및 제2기판을 제공하는 단계;Providing first and second substrates; 상기 제1기판 상에 복수의 게이트라인과, 상기 게이트라인과 평행한 공통라인과, 공통신호 전달라인을 형성하는 단계;Forming a plurality of gate lines, a common line parallel to the gate line, and a common signal transfer line on the first substrate; 상기 게이트라인과 수직으로 교차하여 화소영역을 정의하는 데이터라인과, 상기 공통라인과 중첩하여 스토리지커패시터를 형성하는 스토리지전극을 형성하는 단계;Forming a data line crossing the gate line to define a pixel area and a storage electrode overlapping the common line to form a storage capacitor; 상기 화소영역 내에 수평전계를 발생시키는 공통전극 및 화소전극과, 상기 공통전극과 연결되며, 전단 게이트라인과 일부 중첩하는 게이트신호 차단라인을 형성하는 단계; 및 Forming a common electrode and a pixel electrode to generate a horizontal electric field in the pixel region, and a gate signal blocking line connected to the common electrode and partially overlapping a front gate line; And 상기 제1 및 제2기판 사이에 액정층을 형성하는 단계를 포함하여 이루어지는 수평구동방식 액정표시소자의 제조방법.And forming a liquid crystal layer between the first and second substrates. 제11항에 있어서, 상기 데이터라인 및 스토리지전극을 포함하는 제1기판 전면에 보호막을 형성하는 단계를 추가로 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 수평구동방식 액정표시소자의 제조방법.12. The method of claim 11, further comprising forming a passivation layer on an entire surface of the first substrate including the data line and the storage electrode. 제12항에 있어서, 상기 공통전극 및 화소전극과, 게이트신호 차단라인은 보호막 상에 형성하는 것을 특징으로 하는 수평구동방식 액정표시소자의 제조방법.The method of claim 12, wherein the common electrode, the pixel electrode, and the gate signal blocking line are formed on a passivation layer. 제11항에 있어서, 상기 공통전극 및 화소전극은 투명한 전도성물질로 형성하는 것을 특징으로 하는 수평구동방식 액정표시소자의 제조방법.12. The method of claim 11, wherein the common electrode and the pixel electrode are formed of a transparent conductive material. 제11항에 있어서, 상기 투명한 전도성물질은 ITO(indium tin oxide) 또는 IZO(indium zinc oxide)로 이루어진 것을 특징으로하는 수평구동방식 액정표시소자의 제조방법. 12. The method of claim 11, wherein the transparent conductive material is made of indium tin oxide (ITO) or indium zinc oxide (IZO).
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KR101331898B1 (en) * 2006-06-14 2013-11-22 엘지디스플레이 주식회사 In plane switching mode liquid crystal display device
KR20170115139A (en) * 2016-04-04 2017-10-17 삼성디스플레이 주식회사 Display device

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