KR20050061220A - 교번 자기장을 이용한 유기 박막 트랜지스터의 유기막어닐링 방법 - Google Patents

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KR20050061220A
KR20050061220A KR1020030093444A KR20030093444A KR20050061220A KR 20050061220 A KR20050061220 A KR 20050061220A KR 1020030093444 A KR1020030093444 A KR 1020030093444A KR 20030093444 A KR20030093444 A KR 20030093444A KR 20050061220 A KR20050061220 A KR 20050061220A
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organic
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Abstract

본 발명은 교번 자기장(magnetic field)을 이용하여 유기 박막 트랜지스터(Organic Thin Film Transistor: OTFT)의 유기막을 어닐링하는 방법에 관한 것으로서, 교번 자기장의 인가에 따른 유도가열에 의해 OTFT의 유기막을 효율적으로 어닐링하거나 분자 구조의 변경에 의해 유기막의 전하전달 특성을 향상시킬 수 있는 방법을 제공하는 것이다. 본 발명의 방법에 따르면, OTFT와 관련하여 종래기술에서의 추가적인 합성 과정이나, 배향층 형성공정 등이 필요 없이, 기판 온도, 성분비 등의 공정 제한을 최소화하면서, 간단한 공정에 의해 전하전달 특성이 현격히 향상되는 고효율의 유기막을 제조할 수 있으며, 궁극적으로 생산비용을 절감할 수 있는 효과를 발휘한다.

Description

교번 자기장을 이용한 유기 박막 트랜지스터의 유기막 어닐링 방법 {ANNEALING METHOD OF ORGANIC FILM IN OTFT USING MAGNETIC FIELD}
본 발명은 교번 자기장(magnetic field)을 이용하여 유기 박막 트랜지스터(Organic Thin Film Transistor: OTFT)의 유기막을 어닐링하는 방법에 관한 것으로, 더욱 상세하게는, 교번 자기장을 인가하여 OTFT의 유기막을 유도가열에 의해 어닐링하거나 유기막의 분자 구조의 변형을 통해 유기막의 전하전달 특성을 효율적으로 향상시킬 수 있는 방법을 제공하는 것이다. 따라서, 본 발명을 통해 OTFT의 특성을 향상시킬 수 있으며, 향후 OTFT를 이용한 전유기 디스플레이 소자 및 논리 회로 등 응용회로의 효율을 높일 수 있다.
최근 전도성 고분자(conducting polymer) 또는 유기 소중합체(oligomer) 등을 반도체 물질로 사용하는 유기 박막 트랜지스터에 대한 많은 연구가 행해지고 있다. 유기막에서의 전하전달 특성은 OTFT의 특성을 결정짓는 요인이다. 그러나, 현재까지 개발된 OTFT는 유기물의 낮은 전하전달 특성으로 인해 응용성에 제한을 받는다. 따라서, 유기막을 처리하여 OTFT의 특성을 향상시키고자 하는 다양한 기술들이 보고되고 있다. 이들 종래의 대표적인 기술들에 대해 간략히 살펴보면 다음과 같다.
첫째, OTFT의 특성을 향상시키기 위한 방법으로서, 유기물에 기능기를 치환하여 복합물을 형성하는 방법과 서로 다른 물질을 동시에 성막(co-deposition) 또는 도핑하는 방법이 있다. 도 1에는 유기물인 펜타센(pentacene)에 기능기를 치환하였을 때의 분자 구조가 도시되어있고(J. S. Brooks et al., Current Applied Physics 1, p. 301, 2001), 도 2에는 펜타센에 요오드(iodine)를 도핑한 생태의 막 구조가 도시되어있다(Takashi Minakata et al., J. Appl. Phys. 69, p. 7354, 1991). 그러나, 전자의 경우는 이를 위해 물질의 합성 과정을 거쳐야 하므로 부수적으로 시간과 비용이 소모되는 단점이 있고, 후자의 경우는 동시 성막 또는 도핑시 성분비 및 균일도의 재현성을 구현하는데 어려움이 있다.
둘째, OTFT의 특성을 향상시키기 위한 방법으로서, SAM(Self-Assembled Monolayer)을 이용하는 방법이 있다. SAM는 유기 용매와 계면활성제를 넣은 용액 안에서 계면활성제가 적절한 기판에 대한 흡착에 의해서 자발적으로 형성되어 모이는 어셈블리 분자들을 의미하며, 이를 통해 분자에 일정한 방향성을 부여할 수 있다. 도 3에는 SAM의 형성 모식도가 도시되어있다. 그러나, 이 방법은 처리 조건 및 공정 확립에 어려움이 있다.
셋째, OTFT의 특성을 향상시키기 위한 방법으로서, 단결정 또는 채널 크기 이상의 결정입을 가지는 유기막을 형성하여 반도체층으로 사용하는 기술(R. A. Laudise et al., J. Crystal Growth 187, p. 449, 1998)이 있다. 도 4에는 단결정 형성을 위한 성막 기술의 모식도가 도시되어있다. 이 방법과 관련하여, 소중합체를 사용하여 단결정을 형성하는 결과가 보고되고는 있으나, 유기물이 무기물에서와 같은 공유결합이 아닌 분자간 약한 반데르 발스 결합을 이루고 있어서, 결정 형성 조건 확립에 어려움이 있다.
따라서, 간단한 공정과 저렴한 비용으로 OTFT에서의 유기막의 전하전달 특성을 향상시킬 수 있는 처리 방법에 대한 필요성이 매우 높은 실정이다.
본 발명은 이러한 종래기술의 문제점과 과거로부터 요청되어온 기술적 과제를 해결하는 것을 목적으로 한다.
구체적으로, 본 발명의 목적은 교번 자기장의 인가에 의한 유도가열에 의하거나 분자 구조나 배열의 변형을 통해 유기막의 전하전달 특성을 향상시켜, 고효율 OTFT의 제작을 가능케 하는 방법을 제공하는 것이다. 교번 자기장 인가에 의한 어닐링 방법은 종래 기술에서 추가적으로 요구되는 합성 과정이나, 배향층 형성 공정 및 성막 공정의 제한성(예를 들어, 기판 온도, 성분비 등의 제한)을 최소화하여 유기막 형성 공정에 유연성을 갖는 장점이 있다. 즉, 열증착 또는 회전 도포 등의 간단한 방법을 통해 유기막을 형성한 후, 교번 자기장을 인가하여 특성 변화를 유도할 수 있어 초기 유기막 성장에 부수적으로 요구되는 조건을 배제할 수 있다. 따라서, 단순화된 공정을 통해 고효율 유기막을 획득할 수 있으며, 궁극적으로 상업화에 적용하여 생산비용을 절감하는 효과를 기대할 수 있다.
본 발명은, 유기 박막 트랜지스터(OTFT)에서 유기막을 구성하는 유기물의 분자가 높은 수준의 방향성 및 결정성을 갖지 않은 경우에, 상기 유기막에 교번 자기장을 인가하여 유도가열을 행하거나 분자의 배열이나 구조를 변형시켜, 상기 유기막의 전하전달 특성을 향상시키는 방법을 제공한다.
본 발명의 어닐링 방법이 사용될 수 있는 OTFT의 유기막을 형성하는 유기물은 특별히 제한되는 것은 아니며, 예를 들어, 폴리티오펜(polythiophene), 폴리아세틸렌(polyacetylene), 프탈로시아닌(phthalocyanine), 폴리(3-알킬티오펜)(poly(3-alkylthiophene)), α,ω-헥사티오펜(α,ω-hexathiophene), 펜타센(pentacene), α,ω-디-헥실-헥사티오펜(α,ω-di-hexyl-hexathiophene), 헥시티오펜(sexithiophene), 구리 프탈로시아닌(copper phthalocyanine), 폴리(티에닐렌 비닐렌)(poly(thienylene vinylene)), 퀸퀘티오펜(quinquethiophene), 폴리(2-프로필아닐린)(poly(2-propylaniline)), 쿼터티오펜(quaterthiophene), α-헥시티오펜(α-sexithiophene), 폴리아닐린(polyaniline), 트랜스-트랜스-2,5-비스-[2-{5-2,2'-비티에닐)]에테닐] 티오펜(trans-trans-2,5-bis-[2-{5-(2,2'-bithienyl)} ethenyl]thiophene), 디헥실-α-헥시티오펜(dihexyl-α-sexithiophene), 디옥타데데실-α-헥시티오펜(dioctadecdecyl-α-sexithiophene), 옥티티오펜(octithiophene), 4,7-디페닐-1,10-페난트로린(4,7-diphenyl-1,10- phenanthroline), 폴리(3-(2-(s)-메틸부틸)티오펜)(poly(3-(2-(s)-methylbutyl) thiophene) 등을 들 수 있고, 경우에 따라서는 이들의 둘 또는 그 이상이 함께 사용될 수도 있다. 다만, 앞서의 설명과 같이, 유기막을 구성하는 유기물의 분자가 OTFT에서 방향성을 갖거나 결정성이 있는 경우에는 본 발명의 어닐링에 의해 전하전달 특성이 악화될 수 있다. 방향성을 갖거나 결정성이 있는 유기물 분자는 그 자체로서 우수한 전하전달 특성을 발휘할 수 있고, 교번 자기장이나 유도 가열에 의한 열이 이들 방향성 내지 결정성을 손상시킬 수도 있기 때문이다.
본 발명에 따라 교번 자기장을 유기막에 인가하면, 유전 손실(hysteresis losses) 또는 에디 전류 (eddy current)에 의해 유도가열 효과가 발생한다. 상기 유전 손실에 의한 유도가열은 자성을 띤 물질에서만 일어나는 현상으로서, 인가된 교번 자속에 의해 분자가 한 방향 또는 다른 방향으로 자화되면서 마찰을 일으켜 열을 발생시킨다. 이는 분자를 회전시키는데 필요한 에너지가 열로 변환되는 형태로서, 발생한 열은 역전 주파수(reversal frequency)의 증가와 더불어 증가한다. 또한, 상기 에디 전류에 의한 유도가열은 모든 전도성 물질에서 일어나는 현상으로서, 회오리 전류에 의해 I2R 만큼의 전기적 에너지가 열에너지로 변화된다.
본 발명에 따른 유도가열에 의한 어닐링은 일반적인 어닐링에 사용되는 외부 가열원을 필요로 하지 않는다. 외부 가열원에 의한 어닐링의 경우에는, 유기막의 국부적인 가열로 인해 온도 구배가 발생하며, 직접적인 접촉을 이룬 부분에서 유기막의 파괴가 발생할 수도 있다. 반면에, 본 발명에서 교번 자기장의 인가에 의한 유도가열은 국부적인 유기막의 파괴를 막을 수 있으며, 유기막 내에서 온도 분포를 균일하게 하는 장점을 갖는다. 또한, 외부 가열원으로 온도를 상승시키고 냉각시키는데 소요되는 시간에 비해 빠른 속도로 온도를 상승 및 냉각시킬 수 있으므로 공정 시간을 단축시키고, 유기막의 열에 대한 불필요한 노출 시간을 줄일 수 있다.
도 5에는 본 발명의 어닐링 방법을 실행하기 위한 유도가열 장치의 모식도가 도시되어 있지만, 이는 본 발명의 수행을 위한 하나의 예시적인 장치이고, 본 발명의 효과를 발휘할 수 있는 것이라면, 기타 다양한 변형 및 응용 장치들이 가능하며, 이들은 본 발명의 범주에 포함되는 것으로 해석되어야 한다.
본 발명에 따른 교번 자속의 주파수 범위는 유기막을 구성하는 유기물의 종류 등 다양한 요소에 의해 결정될 수 있다. 그러한 주파수 범위는 유기막의 유도가열을 유발할 수 있는 것이라면 특별히 한정되는 것은 아니며, 예를 들어, 10 Hz ~ 10 MHz, 바람직하게는 1 KHz ~ 1 MHz 일 수 있다. 다만, 너무 낮은 주파수는 소망하는 유도가열을 유지하지 못하거나 공정시간을 불필요하게 연장시킬 수 있으며, 너무 높은 주파수는 유기막의 온도를 지나치게 상승시켜 이를 파괴하거나 당해 유기물의 종류에 따른 응답 특성에 부응하지 못하여 유도가열을 이룰 수 없다. 따라서, 유기물의 종류에 따라 유도가열을 위한 임계 주파수가 결정될 수 있다.
교번 자기장의 인가시간 역시 유기물의 종류, 주파수 등 다양한 요소에 의해 결정될 수 있으며, 유기물의 열적 파괴를 유발하지 않으면서 공정의 효율성을 증진할 수 있는 범위내에서 결정될 수 있다. 예를 들어, 펜타센(pentacene)으로 구성된 유기막의 경우, 유도가열이 가능한 주파수의 교번 자기장을 인가하여 150℃로 20 분간 지속하였을 때, 열화현상에 의해 특성저하 현상이 관찰되었다. 따라서, 교번 자속의 인가시간은 바람직하게는 5 ~ 20 분일 수 있다.
이상을 종합할 때, 상기 교번 자속의 주파수와 인가시간은 적어도 유기막을 구성하는 유기물의 물성이 손상되지 않는 범위내에서 결정되어야 한다.
본 발명에 따른 어닐링을 행할 수 있는 OTFT는 기존의 공지되어있는 것들과 이를 바탕으로 개발된 것들이 모두 포함된다. OTFT의 제조에, 예를 들어, 유리 기판이 사용되는 경우, 본 발명에 따른 어닐링은 200℃를 초과하지 않으므로, 유리 기판의 변형을 유발하지 않는다. 반면에, OTFT의 제조에, 예를 들어, 폴리이미드와 같은 플라스틱 기판이 사용되는 경우에는 이들의 변형 온도 이하로 유지되도록 어닐링 조건을 설정할 수 있다.
경우에 따라서는, 어닐링의 효과를 높이고 공정시간을 단축하기 위하여, 유기막을 30 ~ 70℃의 범위에서 외부 가열원에 의해 예열할 수도 있다. 외부 가열원의 방식은 다양할 수 있으며, 유기막을 포함한 OTFT 전체를 접촉 가열하거나, 대류 가열 또는 복사 가열할 수 있다. 상기 접촉 가열은 열코일 등을 직접 또는 간접적으로 OTFT에 접촉하여 가열하는 것을 예로 들 수 있고, 상기 대류 가열은 가열된 불활성 가스(예를 들어, 질소 가스, 헬륨 가스 등)를 불어넣어 가열하는 것을 예로 들 수 있으며, 상기 복사 가열은 이격되어 있는 가열원으로부터의 복사열에 의해 가열하는 것을 예로 들 수 있다.
본 발명은 또한 이러한 방법으로 어닐링한 유기막을 포함하는 유기 박막 트랜지스터(OTFT)에 관한 것이다. OTFT의 구조와 그것의 제조방법은 당업계에 공지되어 있으므로, 이들에 대한 자세한 설명은 생략한다.
이하, 실시예를 참조하여 본 발명의 내용을 더욱 상세히 설명하지만, 본 발명의 범주가 그것에 의해 한정되는 것은 아니다.
[실시예 1 ~ 3]
유리 기판 위에 60 ㎚ 두께로 펜타센을 열증착하여 성막하고, 그 위에 Au 전극을 열증착하여 도 6의 (a)에 도시된 것과 같은 디바이스를 제작하였다. 도 6의 (b)에는 실제 OTFT의 예시적인 측단면도가 도시되어 있는데, 도 6(a)의 전하전달 경로(화살표 방향)는 도 6(b)의 전하전달 경로와 유사하므로, 제작된 도 6(a)의 전하전달 특성, 즉, 전기 전도도의 변화를 측정하여 도 6(b)의 경우에 대해 유추할 수 있다. 상기와 같이 제조된 도 6(a)의 디바이스를 도 5에서와 같은 교번 자기장 인가장치에 위치시키고, 각각 13.56 KHz의 주파주를 갖는 크기 30, 40, 50 A의 교류 전류를 유도 코일에 인가하여 펜타센막을 5 분 동안 어닐링을 행하였다. 3 개의 디바이스에 대해 어닐링 전과 후의 전압/전류 변화를 측정하여 그 결과를 도 7에 나타내었고, 그로부터 환산한 저항과 전기 전도도를 하기 표 1에 나타내었다.
실시예 1(30A 인가, 약 70℃ 발생) 실시예 2(40A 인가, 약 80℃ 발생) 실시예 3(50A 인가, 약 90℃ 발생)
before after before after before after
R 7.93ㅧ1010 3.65ㅧ1010 8.85ㅧ1010 2.46ㅧ1010 8.82ㅧ1010 2.43ㅧ1010
σ 0.36ㅧ10-6 0.78ㅧ10-6 0.32ㅧ10-6 1.16ㅧ10-6 0.32ㅧ10-6 1.18ㅧ10-6
상기 표 1에서 보는 바와 같이, 어닐링 이후에 전기 전도도가 크게 향상된 것을 확인할 수 있다.
또한, 실시예 3에서의 어닐링 전과 후의 유기막의 표면을 원자현미경(atomic force microscopy: AFM)으로 촬영하여 그 결과를 도 8에 나타내었고, 그로부터 측정한 표면의 평균 거칠기와 실표 거칠기 값을 하기 표 2에 나타내었다.
평균 거칠기 [Å] 실효 거칠기 [Å]
before 188 153
after 54 48
도 8에서 보는 것과 같이, 어닐링 과정동안 유기막은 재결정화하며, 이를 통해 더 큰 그레인(grain)을 형성한다. 따라서 그레인 경계의 영향을 줄여 전하전달 특성이 향상되는 것을 확인할 수 있다. 또한, 표 2에서 보는 바와 같이, 재결정화를 통해 평균 거칠기 및 실효 거칠기가 현저히 향상됨을 알 수 있다. 따라서, 교번 자속을 이용한 유기막의 어닐링 처리는 유기막의 재결정화에 의해 전하전달 특성을 향상시킴을 알 수 있다.
[비교예 1 ~ 3]
외부 가열원에 의한 어닐링의 영향을 확인하기 위하여, 상기 실시예 1 ~ 3에서 교번 자기장을 인가하는 대신에 진공 퍼니스(Vacuum Furnace) 장치에서 외부 가열원에 의한 어닐링 조건으로 각각 70℃, 80℃ 및 90℃에서 5 분 동안 열처리하였다. 즉, 외부 가열원을 사용하였다는 점을 제외하고는, 실시예 1 ~ 3과 동일한 방법으로 실험을 반복하였고, 그 결과를 도 9와 하기 표 3에 나타내었다.
70℃ Treatment 80℃ Treatment 90℃ Treatment
before after before after before after
R 6.32ㅧ1010 2.06ㅧ1011 5.70ㅧ1010 2.50ㅧ1011 8.22ㅧ1010 3.11ㅧ1011
σ 3.59ㅧ10-7 1.10ㅧ10-7 3.98ㅧ10-7 9.07ㅧ10-8 2.76ㅧ10-7 7.29ㅧ10-8
도 9와 표 3에서 보는 바와 같이, 유기막에 직접적으로 열을 가하여 어닐링하는 것은 오히려 유기막을 파괴하여 전기 전도도가 악화됨을 알 수 있다.
[실시예 4]
본 발명에 따른 어닐링 방법이 OTFT의 반도체층 제작에 유용한지 여부를 확인하기 위하여, 도 6(b)에서와 같은 디바이스를 제작하였다. 구체적으로는, 게이트 전극으로서 Al을, 절연체로서 폴리스티렌을 사용하였고, 열증착에 의해 펜타센 유기막을 50 ㎚ 두께로 성막한 다음, 도 5의 장치에 위치시켜 13.56 KHz 주파수의 교번 자기장을 5 분 동안 인가하여 펜타센 유기막을 어닐링한 뒤, Au를 사용하여 소오스/드레인 전극을 형성하였다.
상기 제조된 디바이스에 대해 측정한 출력 특성을 도 10a에 나타내었고, 전달 특성을 도 10b에 나타내었다. 도 10a에서 보는 바와 같이, 교번 자속을 이용하여 어닐링한 유기막으로 인해, 동일 전압에서 더 큰 드레인 전류 값을 갖는 것을 알 수 있다. 또한, 도 10b에서 보는 바와 같이, 교번 자속에 의해 어닐링하지 않은 OTFT는 0.0041 ㎠/Vs 전계 효과 이동도를 나타내는 반면에, 교번 자속을 이용해 어닐링한 소자는 0.14 ㎠/Vs의 이동도를 나타내었다. 이는, 전하 이동도에 있어 102 정도 특성이 향상된 것으로서, 교번 자속 인가에 의한 어닐링이 OTFT 특성 향상을 위한 새로운 기술임을 보여주고 있다.
본 발명이 속한 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 상기 내용을 바탕으로 본 발명의 범주내에서 다양한 응용 및 변형을 행하는 것이 가능할 것이다.
본 발명의 방법에 따르면, OTFT와 관련하여 종래기술에 추가적으로 요구되는 합성 과정, 배향층 형성공정 등이 필요 없으며, 기판 온도, 성분비 등의 공정 제한을 최소화하면서, 간단한 공정에 의해 유기막의 전하전달 특성을 현격히 향상시킬 수 있다. 즉, 열증착 또는 회전 도포 등의 간단한 방법에 의해 유기막을 형성한 후 교번 자기장을 인가하여 전하전달 특성의 변화를 유도할 수 있으므로, 초기 유기막 성장에 부수적인 조건을 배제할 수 있다. 따라서, 간단한 공정을 통해 고효율의 유기막을 제조할 수 있으며, 궁극적으로 생산비용을 절감할 수 있는 효과를 발휘한다.
도 1은 선행기술로서 기능기가 치환된 pentacene-pendent의 분자 구조도이다.
도 2는 선행기술로서 요오드 도핑 전과 후의 pentacene 막의 단면 구조도이다.
도 3은 선행기술로서 SAM 형성의 모식도이다.
도 4는 선행기술로서 기상 성장(vapor phase growth) 기법을 통한 성막 기술의 모식도이다.
도 5는 본 발명에 따라 유기막에 교번 자기장을 인가하기 위한 하나의 실시예에 따른 장치의 모식도이다.
도 6의 (a)는 본 발명의 실시예 1 ~ 3에서 제작된 디바이스의 단면 모식도이고, (b)는 실시예 4에서 제작된 금속-반도체-금속(Metal-Semiconductor-Metal) 소자 및 OTFT의 단면 모식도이다.
도 7은 본 발명의 실시예 1 ~ 3에서 교번 자기장 인가에 의해 어닐링한 유기막의 전류-전압 특성을 나타낸 그래프이다.
도 8은 비교예 1 ~ 3에서 외부 가열원으로 어닐링 처리한 유기막의 전류-전압 특성을 나타낸 그래프이다.
도 9는 본 발명의 실시예 1에서 교번 자기장 인가로 어닐링하기 전과 후의 유기막의 원자현미경 사진이다.
도 10a와 10b는 본 발명의 실시예 4에서 제작된 OTFT의 출력(output) 특성 및 전하전달(transfer) 특성을 나타낸 그래프들이다.

Claims (7)

  1. 유기 박막 트랜지스터(OTFT)에서 유기막을 구성하는 유기물의 분자가 방향성 및 결정성을 갖지 않은 경우에, 상기 유기막에 교번 자기장의 인가에 따른 유도가열에 의해 어닐링시킴으로써, 상기 유기막의 전하전달 특성을 향상시키는 방법.
  2. 제 1 항에 있어서, 상기 유기막을 형성하는 유기물은, 폴리티오펜, 폴리아세틸렌, 프탈로시아닌, 폴리(3-알킬티오펜), α,ω-헥사티오펜, 펜타센, α,ω-디-헥실-헥사티오펜, 헥시티오펜, 구리 프탈로시아닌, 폴리(티에닐렌 비닐렌), 퀸퀘티오펜, 폴리(2-프로필아닐린), 쿼터티오펜, α-헥사티오펜, 폴리아닐린, 트랜스-트랜스-2,5-비스-[2-{5-2,2'-비티에닐)]에테닐] 티오펜, 디헥실-α-헥시티오펜, 디옥타데데실-α-헥시티오펜, 옥티티오펜(octithiophene), 4,7-디페닐-1,10-페난트로린, 폴리(3-(2-(s)-메틸부틸(티오펜), 또는 이들의 둘 또는 그 이상의 혼합물인 것을 특징으로 하는 방법.
  3. 제 2 항에 있어서, 상기 유기물이 열증착 또는 회전 도포법을 이용하여 성막되는 것을 특징으로 하는 방법.
  4. 제 1 항에 있어서, 상기 교번 자기장의 인가 주파수는 10 Hz ~ 10 MHz인 것을 특징으로 하는 방법.
  5. 제 1 항에 있어서, 상기 교번 자속의 인가 시간은 최소 5 ~ 20 분인 것을 특징으로 하는 방법.
  6. 제 1 항에 있어서, 어닐링의 효과를 높이고 공정시간을 단축하기 위하여, 상기 유기막을 30 ~ 60℃의 범위에서 외부 가열원에 의해 예열하는 것을 더 포함하는 방법.
  7. 제 1 항 내지 제 6 항 중 어느 하나에 따른 방법으로 어닐링한 유기막을 포함하는 유기 박막 트랜지스터(OTFT).
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