KR20050060987A - Slit valve apparatus for semiconductor processing - Google Patents

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Abstract

반도체 제조 설비용 슬릿밸브장치는 웨이퍼 포트를 갖는 챔버몸체와 웨이퍼 포트에 부착되는 슬릿 밸브 인서트와 슬릿 밸브 인서트 내측 단면에 설치된 테프론 재질의 쉴드와; 웨이퍼 포트를 개폐하는 슬릿밸브도어와; 슬릿밸브도어의 전면에 설치되어 웨이퍼 포트와 슬릿밸브도어 사이의 기밀을 유지하는 오링; 및 슬릿밸브도어의 상하동작을 수행하는 엑추에이터;를 포함한다. The slit valve device for semiconductor manufacturing equipment includes a chamber body having a wafer port, a slit valve insert attached to the wafer port, and a shield made of Teflon material installed at an inner end surface of the slit valve insert; A slit valve door for opening and closing a wafer port; An O-ring installed at the front of the slit valve door to maintain airtightness between the wafer port and the slit valve door; And an actuator for performing the up and down operation of the slit valve door.

Description

반도체 제조 설비용 슬릿밸브장치{SLIT VALVE APPARATUS FOR SEMICONDUCTOR PROCESSING}SLIT VALVE APPARATUS FOR SEMICONDUCTOR PROCESSING

본 발명은 반도체 제조 설비용 슬릿밸브장치에 관한 것으로써, 보다 상세하게는 슬릿밸브(SLIT VALVE)의 오링(O-RING)이 공정챔버 내부에서 공정 진행시 가스, 플라즈마 및 열 등에 의해서 열화되어 마모되는 것을 방지할 수 있는 반도체 제조 설비용 슬릿밸브장치에 관한 것이다.The present invention relates to a slit valve device for semiconductor manufacturing equipment, and more particularly, the O-ring of the slit valve (SLIT VALVE) is deteriorated by gas, plasma, heat, etc. during the process in the process chamber wear It relates to a slit valve device for a semiconductor manufacturing equipment that can be prevented.

일반적으로 반도체 소자는 웨이퍼(WAFER) 상에 사진공정, 확산공정, 이온주입공정, 식각공정 및 박막형성공정 등의 일련의 반도체 제조공정이 수행됨으로써 구현된다.In general, a semiconductor device is implemented by performing a series of semiconductor manufacturing processes such as a photo process, a diffusion process, an ion implantation process, an etching process, and a thin film forming process on a wafer.

상기와 같이 반도체 제조 공정은 웨이퍼의 이동과정에서 웨이퍼가 오염되는 것을 방지하기 위하여 복수의 공정챔버를 갖는 멀티챔버(MULTI-CHAMBER) 내부에서 공정이 진행되며, 상기 공정챔버는 버퍼챔버(BUFFER CHAMBER)를 중심으로 그 주변부에 설치된다.As described above, the semiconductor manufacturing process is performed in a multi-chamber (MULTI-CHAMBER) having a plurality of process chambers in order to prevent the wafer from being contaminated during the movement of the wafer, the process chamber is a buffer chamber (BUFFER CHAMBER) It is installed around its periphery.

그리고 상기 버퍼챔버와 공정챔버 사이에는 공정챔버와 연결되어 웨이퍼가 이동할 수 있게 마련된 웨이퍼 포트(WAFER PORT)가 마련되고, 상기 웨이퍼 포트는 엑츄에이터(ACTUATOR)의 구동에 의해서 소정각도를 형성하며 상하이동하는 슬릿밸브도어에 의해서 개폐되도록 되어 있다.And a wafer port (WAFER PORT) is provided between the buffer chamber and the process chamber is connected to the process chamber to move the wafer, the wafer port is moved to form a predetermined angle by the drive of the actuator (ACTUATOR) It is opened and closed by the slit valve door.

도 1을 참조하면, 종래의 반도체 공정챔버의 슬릿밸브도어(30)의 도어면(32)에는 오링(32)이 설치되어 공정진행시 웨이퍼 포트(21)와 도어면(32) 사이의 기밀을 유지할 수 있도록 되어 있다.Referring to FIG. 1, an O-ring 32 is provided on a door surface 32 of a slit valve door 30 of a conventional semiconductor process chamber to provide airtightness between a wafer port 21 and a door surface 32 during a process. It is to be maintained.

상기 슬릿밸브도어(30)의 도어면(32)에 설치된 오링(31)은 슬릿밸브 인서트(SLIT VALVE INSERT)(20)와의 반복적인 개폐작용에 의해 마모되고, 공정챔버 내부의 플라즈마, 가스 및 열 등에 노출됨므로서 부식등에 의해서 열화되며, 따라서 상기 웨이퍼포트(21)와 도어면(32) 사이의 기밀성이 떨어지거나 오링(31)에서 자체적으로 파티클(PARTICLE)을 발생시켜 반도체 공정 불량을 야기하는 문제점이 있다.The O-ring 31 installed on the door surface 32 of the slit valve door 30 is worn by repeated opening and closing action with the slit valve insert 20, and the plasma, gas and heat inside the process chamber. Deterioration due to corrosion, etc. due to exposure to the back, and thus, the airtightness between the wafer port 21 and the door surface 32 is inferior or the O-ring 31 itself generates particles (PARTICLE) to cause a semiconductor process failure There is this.

상기와 같이 반도체 장치가 고집적화 됨에 따라 미세크기를 가지는 파티클 발생에 따른 문제점은 다음과 같은 요인들에 의해서 주로 발생한다. 상기 슬릿밸브 인서트(20)의 단부에 상기 슬릿밸브도어(30)의 도어면(32)에 설치된 오링(31)이 밀착되어 도어를 닫는 작용을 한다.As the semiconductor device is highly integrated as described above, the problem of generating particles having a fine size is mainly caused by the following factors. The O-ring 31 provided on the door surface 32 of the slit valve door 30 is in close contact with the end of the slit valve insert 20 to close the door.

이때, 상기 도어면(32)과 상기 슬릿밸브 인서트(20)의 단면간의 간격은 무척 협소해지게 되며, 상기 도어면(32)을 왕복운동시킬때, 개폐작용에 의한 도어면(32)에 설치된 오링(31)이 상기 슬릿밸브 인서트(20) 단부에 반복적으로 부딪치기 때문에 마모가 빨리 오게 되며, 공정시 플라즈마, 가스 및 열 등의 노출에 의해 제품 수명이 단축되는 문제점이 있다.At this time, the distance between the end surface of the door surface 32 and the slit valve insert 20 becomes very narrow, and when the door surface 32 reciprocates, it is installed on the door surface 32 by the opening and closing action Since the O-ring 31 repeatedly hits the end portion of the slit valve insert 20, wear is quickly brought, and product life is shortened by exposure to plasma, gas, and heat during the process.

본 발명의 목적은 공정챔버와 버퍼챔버 사이에 설치되는 슬릿밸브 인서트 내측면에 내열성, 내마모성을 갖는 테프론 재질의 쉴드(SHIELD)를 설치 함으로써 슬릿밸브도어의 도어면에 설치된 오링이 공정챔버내의 알에프, 플라즈마, 가스 및 열에 의한 변형을 방지함과 아울러 반복적인 개폐작업으로 인한 마모를 최소화 할 수 있는 반도체 제조용 슬릿밸브장치를 제공하는데 있다.An object of the present invention is to provide a Teflon shield (SHIELD) of heat resistance and abrasion resistance on the inner surface of the slit valve insert between the process chamber and the buffer chamber. The present invention provides a slit valve device for semiconductor manufacturing that can prevent deformation due to plasma, gas, and heat, and can minimize wear and tear due to repeated opening and closing operations.

상기 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 반도체 제조 설비용 슬릿밸브장치는 웨이퍼 포트를 갖는 챔버몸체와; 상기 웨이퍼 포트에 부착되는 슬릿 밸브 인서트와; 상기 슬릿 밸브 인서트 내측 단면에 설치된 쉴드와; 상기 웨이퍼 포트를 개폐하는 슬릿밸브도어와; 상기 슬릿밸브도어의 전면에 설치되어 상기 웨이퍼 포트와 상기 슬릿밸브도어 사이의 기밀을 유지하는 오링; 및 상기 슬릿밸브도어의 상하동작을 수행하는 엑추에이터;를 포함한다.The slit valve device for semiconductor manufacturing equipment according to the present invention for achieving the above object and the chamber body having a wafer port; A slit valve insert attached to the wafer port; A shield provided at an inner end surface of the slit valve insert; A slit valve door for opening and closing the wafer port; An O-ring installed at a front surface of the slit valve door to maintain airtightness between the wafer port and the slit valve door; And an actuator configured to vertically operate the slit valve door.

여기서, 상기 쉴드는 상기 슬릿 밸브 인서트 내측 단면에 설치되되, 상기 상기 웨이퍼포트을 포함하도록 설치되는 것이 바람직하다.Here, the shield is installed on the inner end surface of the slit valve insert, it is preferably installed to include the wafer port.

그리고, 상기 쉴드는 상기 웨이퍼포트을 포함하도록 설치되되 상기 오링을 포함하도록 설치되는 것이 바람직하다.The shield may be installed to include the wafer port, but installed to include the O-ring.

또한, 상기 쉴드는 테프론 재질로 형성되는 것이 바림직하다.In addition, the shield is preferably formed of a Teflon material.

나아가, 상기 쉴드는 연질의 재질로 형성되는 것이 바람직하다.Further, the shield is preferably formed of a soft material.

이하, 첨부한 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 설명하기로 한다.Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described with reference to the accompanying drawings.

본 발명의 반도체 제조설비용 슬릿밸브장치는 웨이퍼 포트(120)를 갖는 챔버몸체(110)와; 상기 웨이퍼 포트(120)에 부착되는 슬릿밸브 인서트(130)와; 상기 슬릿밸브 인서트(130) 내측면에 설치된 쉴드(150)와; 상기 웨이퍼 포트(120)를 개폐하는 슬릿밸브도어(140)와; 상기 슬릿밸브도어(140)의 전면에 설치되어 상기 웨이퍼 포트(120)와 상기 슬릿밸브도어(140) 사이의 기밀을 유지하는 오링(141); 및 상기 슬릿밸브도어(140)의 상하동작을 수행하는 엑추에이터(160);를 포함한다.The slit valve device for semiconductor manufacturing equipment of the present invention includes a chamber body (110) having a wafer port (120); A slit valve insert 130 attached to the wafer port 120; A shield 150 installed on the inner surface of the slit valve insert 130; A slit valve door 140 for opening and closing the wafer port 120; An O-ring 141 installed on the front of the slit valve door 140 to maintain airtightness between the wafer port 120 and the slit valve door 140; And an actuator 160 for vertically operating the slit valve door 140.

여기서, 상기 쉴드(150)는 상기 슬릿밸브 인서트(130) 내측면에 설치되되, 상기 웨이퍼 포트(120)을 포함하도록 설치된다. Here, the shield 150 is installed on the inner surface of the slit valve insert 130, it is installed to include the wafer port 120.

그리고, 상기 쉴드(150)는 상기 웨이퍼 포트(120)을 포함하도록 설치되되 상기 오링(140)을 포함하도록 설치되며, 상기 쉴드(150)는 테프론 재질로 형성되는 것이 바람직하다.In addition, the shield 150 is installed to include the wafer port 120, but is installed to include the O-ring 140, the shield 150 is preferably formed of a Teflon material.

또한, 상기 쉴드(150)는 연질의 재질로 형성된다.In addition, the shield 150 is formed of a soft material.

다음은 상술한 구성에 의하여 본 발명의 바람직한 일 실시예를 설명하고자 한다.Next will be described a preferred embodiment of the present invention by the above configuration.

도 2 및 도 3을 참조하면, 상기 버퍼챔버(200)와 인접하여 소정의 반도체 공정이 수행되는 공정챔버(100)가 설치되어 있다.2 and 3, a process chamber 100 is disposed adjacent to the buffer chamber 200 to perform a predetermined semiconductor process.

소정의 반도체 공정(예컨데, 건식식각공정)을 수행하기 위해 웨이퍼가 상기 버퍼챔버(200) 내부에서 공정챔버(100)로 이송되는 방법은 다음과 같다.In order to perform a predetermined semiconductor process (for example, a dry etching process), a method of transferring a wafer from the buffer chamber 200 to the process chamber 100 is as follows.

먼저, 상기 버퍼챔버(200) 내부에 설치되는 엑추에이터(160)의 구동에 의해서 상기 엑추에이터(160)와 체결수단(170)으로 체결되있는 슬릿밸브도어(140)는 하강되어 상기 슬릿밸브 인서트(130)에 형성되는 웨이퍼 포트(120)가 개방되게 된다. First, the slit valve door 140 which is fastened by the actuator 160 and the fastening means 170 is lowered by the driving of the actuator 160 installed in the buffer chamber 200 to the slit valve insert 130. Wafer port 120 formed in the) is to be opened.

개방되는 상기 웨이퍼 포트(120)를 통해 공정챔버(100)로 웨이퍼를 이송하기 위해서 상기 버퍼챔버(200) 내부에 설치되는 로봇암(미도시)에 의해 웨이퍼는 이송된다.The wafer is transferred by a robot arm (not shown) installed inside the buffer chamber 200 to transfer the wafer to the process chamber 100 through the open wafer port 120.

상기 웨이퍼가 상기 웨이퍼 포트(120)를 통하여 상기 공정챔버(100)로 이송된 후, 상기 웨이퍼 포트(120)를 밀폐하게 된다.After the wafer is transferred to the process chamber 100 through the wafer port 120, the wafer port 120 is sealed.

즉, 상기 슬릿밸브 인서트(130)와 슬릿밸브도어(140)와 밀착시키기 위해 상기 엑추에이터(160)의 구동에 의해서 상기 슬릿밸브도어(140)는 소정의 각도를 유지하며 승강동작을 수행하여 상기 슬릿밸브 인서트(130)와 완전 밀착시키게 된다.That is, the slit valve door 140 maintains a predetermined angle and moves up and down by driving the actuator 160 to closely contact the slit valve insert 130 and the slit valve door 140. It is in close contact with the valve insert 130.

이때, 상기 슬릿밸브 인서트(130) 내측면에는 테프론 재질로 형성되는 연선형태의 쉴드(150)가 설치되어 있다.At this time, the shield 150 of the twisted wire shape is formed on the inner surface of the slit valve insert 130 is made of Teflon material.

또한, 상기 슬릿밸브도어(140)의 도어면(142)에는 상기 웨이퍼 포트(120)와의 기밀을 형성하기 위해서 오링(141)이 설치되어 있다.In addition, an o-ring 141 is provided on the door surface 142 of the slit valve door 140 to form an airtightness with the wafer port 120.

상기 슬릿밸브 인서트(130) 내측면에 설치된 쉴드(150)는 웨이퍼의 출입역할을 하는 웨이퍼 포트(120)를 포함하는 형태로 설치되며, 또한 슬릿밸브도어(140)의 도어면(142)에 설치된 오링(141)은 상기 슬릿밸브 인서트(130)와 접촉시 상기 웨이퍼 포트(120)를 포함함과 이울러 상기 쉴드(150)를 포함하도록 설치하여 완전한 기밀을 형성하도록 한다.The shield 150 installed on the inner surface of the slit valve insert 130 is installed in a form including a wafer port 120 that serves to access and exit the wafer, and is also provided on the door surface 142 of the slit valve door 140. The O-ring 141 includes the wafer port 120 in contact with the slit valve insert 130 to install the shield 150 to form a complete airtightness.

상기와 같은 반도체 소정의 공정을 진행하기 위해서는 상기 버퍼챔버(200)에서 공정챔버(100)로의 웨이퍼 이송시 슬릿밸브 인서트(130)와 슬릿밸브도어(140)와의 반복적인 개폐작업이 수행된다.In order to proceed with the predetermined process as described above, the slit valve insert 130 and the slit valve door 140 are repeatedly opened and closed during the wafer transfer from the buffer chamber 200 to the process chamber 100.

이때, 상기와 같이 반복적으로 개폐작업을 수행할 시 슬릿밸브도어(140)의 도어면(412)에 설치된 오링(141)의 마모가 급속히 진행되기 때문에 상기 슬릿밸브 인서트(130)의 내측면에 내열성, 내마모성의 이화학적 특성을 갖는 테프론 재질의 쉴드(150)를 설치함으로써 공정챔버(100) 내부의 알에프, 플라즈마, 가스 및 열 등을 차단함으로써 오링(141)의 열화와 반복적인 개폐작업에 의한 마모율을 효율적으로 최소화할 수 있다. At this time, since the wear of the O-ring 141 installed on the door surface 412 of the slit valve door 140 progresses rapidly when the opening and closing operation is repeatedly performed as described above, the heat resistance of the inner surface of the slit valve insert 130 is increased. , By blocking the RF, plasma, gas and heat inside the process chamber 100 by installing a shield 150 made of Teflon material having a wear-resistant physicochemical property deterioration of the O-ring 141 and wear rate by repeated opening and closing operation Can be minimized efficiently.

상술한 바와 같은 본 발명에 따른 반도체 제조설비용 슬릿밸브장치는 상기 슬릿밸브 인서트 내측면에 오링과 웨이퍼 포트를 포함할 수 있도록 테프론 재질의 쉴드를 설치함으로써 소정의 공정을 수행할 경우 상기 버퍼챔부와 상기 공정챔버 사이에 설치된 슬릿밸브 인서트와 슬릿밸브도어의 반복적인 개폐작업으로 인한 슬릿밸브도어의 도어면에 설치된 오링의 마모를 효율적으로 줄이는 동시 완전한 밀폐를 형성하는 효과가 있다. The slit valve device for semiconductor manufacturing equipment according to the present invention as described above, when a predetermined process is performed by installing a shield made of Teflon to include an O-ring and a wafer port on the inner surface of the slit valve insert and the buffer chamber portion. The slit valve insert provided between the process chambers and the slit valve door have the effect of forming a complete seal at the same time effectively reducing the wear of the O-ring installed on the door surface of the slit valve door due to the repeated opening and closing operation.

또한, 상기 쉴드는 테프론 재질이기 때문에 공정챔버내의 알에프, 플라즈마, 가스 및 열에 의한 오링의 열화에 의한 변형을 최소화할 수 있는 효과가 있다.In addition, since the shield is made of Teflon material, there is an effect of minimizing deformation due to degradation of the O-ring by RF, plasma, gas, and heat in the process chamber.

도 1은 종래의 웨이퍼 포트 및 슬릿밸브도어의 사시도,1 is a perspective view of a conventional wafer port and a slit valve door,

도 2는 본 발명의 반도체 제조 설비용 슬릿밸브장치의 구성도,2 is a configuration diagram of a slit valve device for semiconductor manufacturing equipment of the present invention,

도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 공정챔버의 웨이퍼 포트 및 슬릿밸브도어의 사시도이다.3 is a perspective view of a wafer port and a slit valve door of a process chamber according to an embodiment of the present invention.

< 도면의 주요부분에 대한 부호설명 ><Explanation of Signs of Major Parts of Drawings>

100 : 공정챔버 200 : 버퍼챔버100: process chamber 200: buffer chamber

110 : 챔버몸체 120 : 웨이퍼 포트110: chamber body 120: wafer port

130 : 슬릿밸브 인서트 140 : 슬릿밸브도어130: slit valve insert 140: slit valve door

141 : 오링 150 : 쉴드141: O-ring 150: Shield

160 : 엑추에이터160: Actuator

Claims (5)

웨이퍼 포트를 갖는 챔버몸체;A chamber body having a wafer port; 상기 웨이퍼 포트에 부착되는 슬릿 밸브 인서트;A slit valve insert attached to the wafer port; 상기 슬릿 밸브 인서트 내측면에 설치된 쉴드;A shield installed on the inner surface of the slit valve insert; 상기 웨이퍼 포트를 개폐하는 슬릿밸브도어;A slit valve door for opening and closing the wafer port; 상기 슬릿밸브도어의 도어면에 설치되어 상기 웨이퍼 포트와 상기 슬릿밸브도어 사이의 기밀을 유지하는 오링; 및An O-ring installed on a door surface of the slit valve door to maintain airtightness between the wafer port and the slit valve door; And 상기 슬릿밸브도어의 상하동작을 수행하는 엑추에이터;를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 제조 설비용 슬릿밸브장치.And an actuator for vertically moving the slit valve door. 제 1항에 있어서, 상기 쉴드는 상기 슬릿밸브 인서트 내측면에 설치되되, 상기 오링에 포함되도록 설치되는 것을 특징으로 하는 반도체 제조 설비용 슬릿밸브장치.The slit valve apparatus of claim 1, wherein the shield is installed at an inner surface of the slit valve insert and is included in the O-ring. 제 1항에 있어서, 상기 쉴드는 상기 웨이퍼 포트을 포함하도록 설치되는 것을 특징으로 하는 반도체 제조 설비용 슬릿밸브장치.The slit valve device according to claim 1, wherein the shield is installed to include the wafer port. 제 1항에 있어서, 상기 쉴드는 테프론 재질인 것을 특징으로 하는 반도체 제조 설비용 슬릿밸브장치.The slit valve device according to claim 1, wherein the shield is made of Teflon material. 제 1항에 있어서, 상기 쉴드는 연질의 재질로 형상된 것을 특징으로 하는 반도체 제조 설비용 슬릿밸브장치.The slit valve device according to claim 1, wherein the shield is formed of a soft material.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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