KR20050058873A - Device of setting test mode and method - Google Patents

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Abstract

본 발명은 테스트 모드 설정 장치 및 방법을 공개한다. 이 테스트 모드 설정 장치는 로우 어드레스 스트로브 신호와 컬럼 어드레스 스트로브 신호와 기입 인에이블 신호와 제 1 커맨드 신호에 응답하여 테스트 설정 모드로 진입하고, 제 1 모드 셋 신호와 제 2 모드 셋 신호를 인에이블하여 출력하는 제 1 테스트 모드 진입부와, 상기 로우 어드레스 스트로브 신호와 상기 컬럼 어드레스 스트로브 신호와 상기 제 1 커맨드 신호와 제 2 커맨드 신호에 응답하여 테스트 설정 모드로 진입하고, 제 3 모드 셋 신호와 제 4 모드 셋 신호를 인에이블하여 출력하는 제 2 테스트 모드 진입부와, 상기 제 1, 제 2, 제 3, 제 4 모드 셋 신호에 응답하여 테스트 모드 설정 코드를 획득하고, 상기 테스트 모드 설정 코드에 상응하는 테스트 모드를 설정하는 테스트 모드 설정부를 포함한다. 따라서 테스트 모드의 경우의 수를 확장하여 준다.The present invention discloses a test mode setting apparatus and method. The test mode setting device enters the test setting mode in response to the row address strobe signal, the column address strobe signal, the write enable signal, and the first command signal, and enables the first mode set signal and the second mode set signal. A first test mode entry unit for outputting, the row address strobe signal, the column address strobe signal, the first command signal, and the second command signal in response to a test setting mode, and a third mode set signal and a fourth A second test mode entry unit for enabling and outputting a mode set signal and a test mode setting code in response to the first, second, third, and fourth mode set signals, and corresponding to the test mode setting code And a test mode setting unit for setting a test mode. Therefore, the number of cases in the test mode is extended.

Description

테스트 모드 설정 장치 및 방법{Device of setting test mode and method}Device and setting of test mode {Device of setting test mode and method}

본 발명은 반도체 메모리 장치의 테스트 방법에 관한 것으로, 특히 테스트 모드를 확장하기 위한 테스트 모드 설정 장치 및 방법에 관한 것이다.The present invention relates to a test method for a semiconductor memory device, and more particularly, to an apparatus and method for setting a test mode for extending a test mode.

일반적으로 반도체 메모리 장치의 특수한 불량 검출을 위한 테스트는 정상 모드에서가 아니라 해당 불량을 가장 잘 검출할 수 있는 특수한 테스트 모드에서 이루어진다. 이를 위하여 반도체 메모리 장치의 내부에는 반도체 메모리 장치의 테스트 모드를 설정하기 위한 테스트 모드 설정 장치(Mode Set Register : MRS)가 내장된다.In general, a test for detecting a specific failure of a semiconductor memory device is not performed in a normal mode, but in a special test mode that detects a corresponding failure best. To this end, a test mode setting device (MRS) is set in the semiconductor memory device to set a test mode of the semiconductor memory device.

테스트 모드 설정 장치는 반도체 메모리 장치가 사용하는 복수개의 테스트 모드들 각각에 해당하는 캐스 레이턴시(CAS(Column Address Strobe) latency), 버스트 형태(burst Type), 버스트 길이(burst Length)등의 다양한 옵션 등을 프로그래밍하여 저장한다. 이에 외부로부터 특정 테스트 모드를 설정하기 위한 명령어가 입력되면, 입력된 명령어에 해당하는 테스트 모드를 파악하고, 반도체 메모리 장치가 파악된 테스트 모드로 설정될 수 있도록 하는 테스트 모드 설정 신호(Test_sig)를 발생하여 준다. The test mode setting device includes various options such as CAS (Column Address Strobe) latency, burst type, burst length, and the like corresponding to each of the plurality of test modes used by the semiconductor memory device. Program and save. When a command for setting a specific test mode is input from the outside, the test mode corresponding to the input command is identified, and a test mode setting signal (Test_sig) is generated to allow the semiconductor memory device to be set to the identified test mode. Give it.

도 1은 종래의 기술에 따른 테스트 모드 설정 장치의 블록도이다.1 is a block diagram of a test mode setting apparatus according to the related art.

도 1을 참조하면, 종래의 테스트 모드 설정 장치(1)는 테스트 모드 진입부(11)와 테스트 모드 설정부(12)를 구비한다.Referring to FIG. 1, the conventional test mode setting device 1 includes a test mode entry unit 11 and a test mode setting unit 12.

테스트 모드 진입부(11)는 시스템(미도시)에서 발생되어 전송되는 명령어 즉, (Row Address Strobe) 신호, CAS 신호, WE(Write Enable) 신호가 WCBR(Write and CAS Before RAS) 사이클로 입력되면, 테스트 모드를 선택하기 위한 모드셋 신호(MOSET)를 발생하여 테스트 모드 설정부(12)로 전송하여 준다.The test mode entry part 11 may be a command generated and transmitted from a system (not shown). When the (Row Address Strobe) signal, the CAS signal, and the WE (Write Enable) signal are input in the WCBR (Write and CAS Before RAS) cycle, the test mode setting unit 12 generates a mode set signal (MOSET) for selecting a test mode. Send it to).

테스트 모드 설정부(12)는 테스트 모드 진입부(11)에 의해 발생되는 모드셋 신호(MOSET)에 응답하여 테스트 모드 설정 코드를 획득하고, 획득한 테스트 모드 설정 코드에 해당하는 테스트 모드를 파악하고, 반도체 메모리 장치가 파악된 테스트 모드로 설정될 수 있도록 하는 테스트 모드 설정 신호(Test_sig)를 출력하여 준다.The test mode setting unit 12 acquires a test mode setting code in response to the mode set signal MOET generated by the test mode entry unit 11, and determines a test mode corresponding to the obtained test mode setting code. In addition, the semiconductor memory device outputs a test mode setting signal (Test_sig) for setting the checked test mode.

테스트 모드 설정 코드는 어드레스 핀을 통해 입력되는 어드레스의 조합 또는 데이터 핀을 통해 입력되는 데이터의 조합으로 획득 할 수 있으며, 여기에서는 테스트 모드 설정 코드를 어드레스 핀을 통해 입력되는 어드레스의 조합을 통하여 획득하는 경우를 예로 들어 설명하기로 한다.The test mode setting code may be obtained by using a combination of addresses input through the address pin or a combination of data input through the data pin. Here, the test mode setting code may be obtained through a combination of addresses input through the address pin. The case will be described as an example.

도 2는 도 1의 테스트 모드 설정 장치가 테스트 모드를 설정하기 위해 사용하는 신호들의 타이밍 다이어그램이다. FIG. 2 is a timing diagram of signals used by the test mode setting apparatus of FIG. 1 to set a test mode.

모드 셋 신호(MOSET)는 신호, CAS 신호, WE 신호가 WCBR(Write and CAS Before RAS) 사이클로 수신하는 경우에 응답하는 신호로서, 특정 테스트 모드를 설정하고자 하는 경우 인에이블되는 신호이다.The mode set signal (MOSET) The signal, the CAS signal, and the WE signal respond to the reception of the WCBR (Write and CAS Before RAS) cycle. The signal is enabled when a specific test mode is to be set.

더욱 상세하게는 모드 셋 신호(MOSET)는 WE 신호가 하이 레벨을 가지고 CAS 신호가 하이 레벨을 가지는 경우, 신호가 하강 에지 영역을 가지면 인에이블되어 로우 레벨에서 하이 레벨로 천이되고, WE 신호가 로우 레벨을 가지고 CAS 신호가 로우 레벨을 가지는 경우, 신호가 상승 에지 영역을 가지면 다시 디스에이블되어 하이 레벨에서 로우 레벨로 천이된다.More specifically, the mode set signal (MOSET) is when the WE signal has a high level and the CAS signal has a high level, If the signal has a falling edge region, it is enabled to transition from low level to high level, if the WE signal has low level and the CAS signal has low level, If the signal has a rising edge region, it is disabled again and transitions from a high level to a low level.

테스트 모드 설정부(12)는 모드 셋 신호(MOSET)의 상승 에지 및 하강 에지 영역에서 입력되는 어드레스의 조합을 각각 획득하고, 각 에지 부분에서 획득된 어드레스의 조합에 해당하는 테스트 모드를 파악하고, 파악된 테스트 모드를 설정될 수 있도록 하는 테스트 모드 설정 신호(Test_sig)를 발생하여 출력한다. The test mode setting unit 12 acquires a combination of addresses input in the rising edge and the falling edge regions of the mode set signal MOET, respectively, and identifies a test mode corresponding to the combination of addresses acquired in each edge portion. Generates and outputs a test mode setting signal (Test_sig) for setting the identified test mode.

표 1은 도 1의 종래의 테스트 모드 설정부(12)가 모드 셋 신호와 어드레스의 조합을 입력받아 설정할 수 있는 테스트 모드의 경우의 수를 나타낸다.Table 1 shows the number of test modes in which the conventional test mode setting unit 12 of FIG. 1 can receive and set a combination of a mode set signal and an address.

이와 같이 도 1의 테스트 모드 설정 장치는 표 1에 도시된 바와 같이 모드 셋 신호의 상승 에지 영역과 하강 에지 영역 각각에서 어드레스의 조합을 획득할 수 있도록 하여, 4개의 경우의 수를 가지는 테스트 모드를 설정할 수 있었다.As shown in Table 1, the test mode setting apparatus of FIG. 1 obtains a combination of addresses in four cases by acquiring a combination of addresses in each of the rising and falling edge regions of the mode set signal. Could be set.

즉, 종래의 테스트 모드 설정 장치는 N 비트의 어드레스 신호를 입력 받는 경우, "어드레스 신호의 비트 수(N) 2"개의 경우의 수를 가지는 테스트 모드를 설정할 수 있었다.That is, the conventional test mode setting device can set the test mode having the number of cases of " bit number N of address signals 2 " when receiving an N-bit address signal.

반도체 메모리 장치의 기술의 발달로 인해, 하나의 반도체 메모리 장치는 더욱 많은 동작을 수행하게 되며, 이에 따라 반도체 메모리 장치의 각 동작을 적합하게 테스트하게 위한 테스트 모드 또한 증가하게 된다.Due to the development of the technology of the semiconductor memory device, one semiconductor memory device performs more operations, thereby increasing the test mode for properly testing each operation of the semiconductor memory device.

그러나 종래의 기술에서는 모드 셋의 상승 에지 또는 하강에지를 이용한다하더라도 테스트 모드의 경우의 수를 "어드레스 신호의 비트수(N) 2"개까지 밖에 확장시킬 수 없는 문제점이 있었다. However, in the related art, even when the rising edge or the falling edge of the mode set is used, there is a problem in that the number of test modes can be extended to only the number of bits N 2 of the address signal.

본 발명의 목적은 여러 가지 종류의 커멘드 신호들을 이용하여 테스트 모드의 경우의 수를 확장하는 테스트 모드 설정 장치 및 방법을 제공하는 데 있다. It is an object of the present invention to provide a test mode setting apparatus and method for extending the number of cases of a test mode by using various kinds of command signals.

상기의 목적을 달성하기 위한 본 발명의 테스트 모드 설정 장치는 로우 어드레스 스트로브 신호와 컬럼 어드레스 스트로브 신호와 기입 인에이블 신호와 제 1 커맨드 신호에 응답하여 제 1 모드 셋 신호와 제 2 모드 셋 신호를 발생하여 출력하는 제 1 테스트 모드 진입부와, 상기 로우 어드레스 스트로브 신호와 상기 컬럼 어드레스 스트로브 신호와 상기 제 1 커맨드 신호와 제 2 커맨드 신호에 응답하여 제 3 모드 셋 신호와 제 4 모드 셋 신호를 발생하여 출력하는 제 2 테스트 모드 진입부와, 상기 제 1, 제 2, 제 3, 제 4 모드 셋 신호의 에지에 응답하여 테스트 모드 설정 코드를 획득하고, 상기 제 1, 제 2, 제 3, 제 4 모드셋 신호 각각에 상응하는 테스트 모드를 설정하는 테스트 모드 설정부를 포함한다. The test mode setting apparatus of the present invention for achieving the above object generates a first mode set signal and a second mode set signal in response to a row address strobe signal, a column address strobe signal, a write enable signal, and a first command signal. Generating a third mode set signal and a fourth mode set signal in response to the first test mode entry unit, the row address strobe signal, the column address strobe signal, the first command signal, and the second command signal Outputting a second test mode entry unit and a test mode setting code in response to an edge of the first, second, third, and fourth mode set signals, and obtaining the first, second, third, and fourth test codes; And a test mode setting unit for setting a test mode corresponding to each of the modeset signals.

상기의 목적을 달성하기 위한 본 발명의 테스트 모드 설정 방법은 기입 인에이블 신호와 컬럼 어드레스 스트로브 신호와 로우 어드레스 스트로브 신호에 응답하여 제 1 모드 셋 신호를 인에이블하고, 상기 인에이블된 제 1 모드 셋 신호와 제 1 커맨드 신호에 응답하여 제 2 모드 셋 신호를 인에이블하는 단계와, 제 2 커맨드 신호와 상기 컬럼 어드레스 스트로브 신호와 상기 로우 어드레스 스트로브 신호에 응답하여 제 3 모드 셋 신호를 인에이블하고, 상기 인에이블된 제 3 모드 셋 신호와 상기 제 1 커맨드 신호에 응답하여 제 4 모드 셋 신호를 인에이블하는 단계와, 상기 제 1, 제 2, 제 3, 제 4 모드 셋 신호 각각의 에지에 응답하여 테스트 모드 설정 코드를 획득하고, 상기 테스트 모드 설정 코드에 상응하는 테스트 모드를 설정하는 단계를 포함한다.The test mode setting method of the present invention for achieving the above object is to enable a first mode set signal in response to a write enable signal, a column address strobe signal and a row address strobe signal, the enabled first mode set Enabling the second mode set signal in response to the signal and the first command signal, enabling the third mode set signal in response to the second command signal, the column address strobe signal, and the row address strobe signal, Enabling a fourth mode set signal in response to the enabled third mode set signal and the first command signal, and responding to an edge of each of the first, second, third, and fourth mode set signals; Acquiring a test mode setting code, and setting a test mode corresponding to the test mode setting code.

이하, 첨부한 도면을 참고로 하면 본 발명의 테스트 모드 설정 장치 및 방법을 설명하면 다음과 같다.Hereinafter, the test mode setting apparatus and method of the present invention will be described with reference to the accompanying drawings.

도 3은 본 발명의 실시예에 따른 테스트 모드 설정 장치의 블록도이다.3 is a block diagram of an apparatus for setting a test mode according to an embodiment of the present invention.

도 3을 참조하면, 본 발명은 테스트 모드 설정 장치는 제 1 테스트 모드 진입부(21)와 제 2 테스트 모드 진입부(22)와 테스트 모드 설정부(23)를 구비하고, 도 1에서 사용하는 명령어 이외에 별도의 외부 커맨드 신호(제 1 커맨드 신호(COM1), 제 2 커맨드 신호(COM2))들을 테스트 모드를 설정하기 위한 명령어로서 더 수신한다.Referring to FIG. 3, the present invention provides a test mode setting device including a first test mode entry part 21, a second test mode entry part 22, and a test mode setting part 23, which is used in FIG. 1. In addition to the command, additional external command signals (first command signal COM1 and second command signal COM2) are further received as a command for setting the test mode.

외부 커맨드 신호(제 1 커맨드 신호(COM1), 제 2 커맨드 신호(COM2))로는 정상 동작시에는 사용되나 테스트 모드 동작 시에는 사용되지 않는 핀들을 통해 수신될 수 있는 모든 신호들을 적용 할 수 있다.As the external command signal (the first command signal COM1 and the second command signal COM2), all signals that can be received through pins that are used in normal operation but not used in the test mode operation can be applied.

예를 들어, 제 1 및 제 2 커맨드 신호(COM1, COM2)로는 정상 동작시에는 사용되나 테스트 모드시에는 사용되지 않는 어드레스 핀을 통해 수신되는 어드레스 신호나, 데이터 핀을 통해 송수신되는 데이터를 적용될 수 있다.For example, as the first and second command signals COM1 and COM2, an address signal received through an address pin that is used in a normal operation but not used in a test mode, or data transmitted or received through a data pin may be applied. have.

제 1 테스트 모드 진입부(21)는 신호와 CAS 신호와 WE 신호와 제 1 커맨드 신호(COM1)를 테스트 모드 설정을 위한 명령어로 가지고, 명령어( 신호, CAS 신호, WE 신호, 제 1 커맨드신호(COM1))에 응답하여 테스트 설정 모드로 진입하고 제 1 모드 셋 신호(MOSET1)와 제 2 모드 셋 신호(MOSET2)를 인에이블하여 테스트 모드 설정부(23)로 전송한다.The first test mode entry part 21 is Signal, a CAS signal, a WE signal, and a first command signal COM1 as a command for setting a test mode. Signal, CAS signal, WE signal, and first command signal COM1) to enter the test setting mode and enable the first mode set signal MOSET1 and the second mode set signal MOSET2 to enable the test mode setting unit. Transfer to 23.

제 2 테스트 모드 진입부(22)는 신호와 CAS 신호와 제 1 커맨드신호(COM1)와, 제 2 커맨드 신호(COM2)를 테스트 모드 설정을 위한 명령어로 가지고, 명령어( 신호, CAS 신호, 제 1 커맨드 신호(COM1), 제 2 커맨드 신호(COM2))에 응답하여 테스트 설정 모드로 진입하고 제 3 모드 셋 신호(MOSET3)와 제 4 모드 셋 신호(MOSET4)를 인에이블하여 테스트 모드 설정부(23)로 전송한다.The second test mode entry section 22 Signal, a CAS signal, a first command signal COM1, and a second command signal COM2 as a command for setting a test mode, Signal, the CAS signal, the first command signal COM1, and the second command signal COM2, enter the test setting mode and enable the third mode set signal MOET3 and the fourth mode set signal MOET4. To the test mode setting unit 23.

이때의 제 2 커맨드 신호(COM2)는 제 1 테스트 모드 진입부(21)에 전송되는 WE 신호와 같은 역할을 수행하는 신호로서, 제 2 테스트 모드 진입부(22)는 제 2 커맨드 신호(COM2)를 제 1 테스트 모드 진입부(21)의 WE 신호와 동일하게 인식하고 테스트 모드 설정 동작을 수행한다. At this time, the second command signal COM2 is a signal that performs the same role as the WE signal transmitted to the first test mode entry part 21, and the second test mode entry part 22 is the second command signal COM2. Recognizes the same as the WE signal of the first test mode entry unit 21 and performs a test mode setting operation.

테스트 모드 설정부(23)는 제 1 또는 제 2 테스트 모드 진입부(21, 22)들로부터 전송되는 모드셋 신호들(MOSET1, MOSET2, MOSET3, MOSET4) 각각의 상승 에지 영역 및 하강 에지 영역에서 어드레스의 조합을 획득한다. The test mode setting unit 23 addresses the rising edge area and the falling edge area of each of the modeset signals MOET1, MOSET2, MOSET3, and MOSET4 transmitted from the first or second test mode entry parts 21 and 22. Obtain a combination of.

그리고 표 2와 같이, 획득한 어드레스의 조합과, 인에이블된 특정 모드 셋 신호(MOSET1, MOSET2, MOSET3, MOSET4)와, 특정 모드 셋 신호(MOSET1, MOSET2, MOSET3, MOSET4)의 논리 상태(상승 에지 또는 하강 에지)를 기준으로 하여 설정할 테스트 모드를 파악하고, 파악된 테스트 모드로 반도체 메모리 장치가 설정될 수 있도록 하는 테스트 모드 설정 신호(Test_sig)를 출력하여 준다.As shown in Table 2, the combination of the acquired addresses, the logic states of the enabled specific mode set signals (MOSET1, MOSET2, MOSET3, MOSET4) and the specific mode set signals (MOSET1, MOSET2, MOSET3, MOSET4) Or a test mode to be set based on the falling edge) and outputs a test mode setting signal (Test_sig) for setting the semiconductor memory device to the identified test mode.

표 2는 도 3의 본 발명의 테스트 모드 설정부(23)가 모드 셋 신호(MOSET1, MOSET2, MOSET3, MOSET4)와 어드레스의 조합을 입력받아 설정할 수 있는 테스트 모드의 경우의 수를 나타낸다.Table 2 shows the number of test modes in which the test mode setting unit 23 of FIG. 3 can receive and set a combination of mode set signals MOET1, MOSET2, MOSET3, and MOSET4 and an address.

표 2에 도시된 바와 같이 도 3의 테스트 모드 설정 장치는 제 1 커맨드신호(COM1)를 추가하고, WE 신호 대신에 제 2 커맨드신호(COM2)를 이용하도록 하여 모드 셋 신호의 개수를 4개로 증가하고, 4개의 모드 셋 신호 각각의 상승 에지와 하강 에지 영역에서 어드레스의 조합을 획득할 수 있도록 함으로써, 설정할 수 있는 테스트 모드의 경우의 수를 16개로 확장하여 준다.As shown in Table 2, the test mode setting apparatus of FIG. 3 adds the first command signal COM1 and increases the number of mode set signals to four by using the second command signal COM2 instead of the WE signal. The combination of addresses can be obtained in the rising edge and falling edge regions of each of the four mode set signals, thereby extending the number of test modes that can be set to 16.

이하 도 4의 본 발명에서 테스트 모드를 설정하기 위해 사용되는 신호들의 타이밍 다이어그램을 참조하여 도 3의 테스트 모드 설정 장치의 테스트 모드 설정 방법을 설명하도록 한다.Hereinafter, a test mode setting method of the test mode setting apparatus of FIG. 3 will be described with reference to a timing diagram of signals used to set the test mode in the present invention of FIG. 4.

먼저, 반도체 메모리 장치가 정상 모드로 동작하는 경우, 신호가 하이 레벨로, CAS 신호가 로우 레벨로, WE 신호가 로우 레벨로, 제 1 커맨드 신호(COM1)가 로우 레벨로, 제 2 커맨드 신호(COM2)가 로우 레벨로 제 1 테스트 모드 진입부(21)와 제 2 테스트 모드 진입부(22)에 전송된다고 가정하도록 한다.First, when the semiconductor memory device operates in the normal mode, The signal goes to the high level, the CAS signal to the low level, the WE signal to the low level, the first command signal COM1 to the low level, and the second command signal COM2 to the low level. 21 and the second test mode entry 22.

이에 정상 모드 시의 제 1 테스트 모드 진입부(21)와 제 2 테스트 모드 진입부(22)는 로우 레벨을 가지는 제 1 모드 셋 신호(MOSET1)와 제 2 모드 셋 신호(MOSET2)와 제 3 모드 셋 신호(MOSET3)와 제 4 모드 셋 신호(MOSET4)를 출력하여 준다. Accordingly, the first test mode entry part 21 and the second test mode entry part 22 in the normal mode have the first mode set signal MOET1, the second mode set signal MOET2, and the third mode having a low level. The set signal MOET3 and the fourth mode set signal MOET4 are outputted.

이어서 반도체 메모리 장치가 특정 테스트 모드로 설정 및 동작되기 위해 하이 레벨을 가지는 WE 신호가 입력되고, 이어서 하이 레벨을 가지는 CAS 신호가 입력되고, 신호가 하이 레벨에서 로우 레벨로 천이되면, 제 1 테스트 모드 진입부(21)는 제 1 모드 셋 신호(MOSET1)를 로우 레벨에서 하이 레벨로 천이하여 준다.Subsequently, a WE signal having a high level is input so that the semiconductor memory device is set and operated in a specific test mode, followed by a CAS signal having a high level. When the signal transitions from the high level to the low level, the first test mode entry part 21 transitions the first mode set signal MOSFET1 from the low level to the high level.

이에 제 1 모드 셋 신호(MOSET1)가 상승 에지를 가지게 되면, 테스트 모드 설정부(23)는 1 모드 셋 신호(MOSET1)의 상승 에지 영역에서 입력되는 어드레스의 조합(Arf)을 획득하여 설정할 테스트 모드를 파악하고, 파악된 테스트 모드에 해당하는 테스트 모드 설정 신호(Test_sig)를 출력하여 준다. Accordingly, when the first mode set signal MOSFET1 has a rising edge, the test mode setting unit 23 acquires and sets a combination Arf of an address input in the rising edge region of the first mode set signal MORTI1. And then outputs a test mode setting signal (Test_sig) corresponding to the identified test mode.

제 1 테스트 모드 진입부(21)는 제 1 모드 셋 신호(MOSET1)가 하이 레벨을 가지는 경우, 제 1 커맨드 신호(COM1)가 로우 레벨에서 하이 레벨로 천이되면 제 2 모드 셋 신호(MOSET2)를 로우 레벨에서 하이 레벨로 천이하여 준다. The first test mode entry part 21 may output the second mode set signal MOET2 when the first command signal COM1 transitions from the low level to the high level when the first mode set signal MOET1 has a high level. Transition from low level to high level.

제 2 모드 셋 신호(MOSET2)가 상승 에지를 가지게 되면. 테스트 모드 설정부(23)는 제 2 모드 셋 신호(MOSET2)의 상승 에지 영역에서 입력되는 어드레스의 조합(Asr)을 획득하여 설정할 테스트 모드를 파악하고, 파악된 테스트 모드에 해당하는 테스트 모드 설정 신호(Test_sig)를 출력하여 준다. When the second mode set signal (MOSET2) has a rising edge. The test mode setting unit 23 acquires a combination of the addresses Asr input from the rising edge region of the second mode set signal MOET2, identifies a test mode to be set, and a test mode setting signal corresponding to the identified test mode. Print (Test_sig).

하이 레벨을 가지는 제 1 커맨드 신호(COM1)가 다시 로우 레벨로 천이되면, 제 1 테스트 모드 진입부(21)는 제 2 모드 셋 신호(MOSET2)를 하이 레벨에서 로우 레벨로 천이하고, 테스트 모드 설정부(23)는 제 2 모드 셋 신호(MOSET2)의 하강 에지 영역에서 입력되는 어드레스의 조합(Asf)을 획득하여 설정할 테스트 모드를 파악하고, 파악된 테스트 모드에 해당하는 테스트 모드 설정 신호(Test_sig)를 출력하여 준다. When the first command signal COM1 having the high level transitions to the low level again, the first test mode entry part 21 transitions the second mode set signal MOET2 from the high level to the low level and sets the test mode. The unit 23 acquires the combination of the addresses Asf inputted from the falling edge region of the second mode set signal MOET2, determines a test mode to be set, and a test mode setting signal Test_sig corresponding to the identified test mode. Will output

그리고 제 1 테스트 모드 진입부(21)는 신호가 로우 레벨에서 다시 하이 레벨로 천이되면, 하이 레벨을 가지는 제 1 모드 셋 신호(MOSET1)를 로우 레벨로 천이한다. 그러면 테스트 모드 설정부(23)는 제 1 모드 셋 신호(MOSET1)의 하강 에지 영역에서 입력되는 어드레스의 조합(Arr)을 획득하여 설정할 테스트 모드를 파악하고, 파악된 테스트 모드에 해당하는 테스트 모드 설정 신호(Test_sig)를 출력하여 준다.The first test mode entry part 21 is When the signal transitions from the low level to the high level again, the first mode set signal MOET1 having the high level is transitioned to the low level. Then, the test mode setting unit 23 acquires a combination (Arr) of addresses input in the falling edge region of the first mode set signal MOET1, determines a test mode to be set, and sets a test mode corresponding to the identified test mode. Outputs the signal Test_sig.

이와 동일한 방법으로 제 2 테스트 모드 진입부(22)는 제 2 커맨드 신호(COM2)와 CAS 신호와 신호와 제 1 커맨드 신호(COM1)를 입력받아, 제 3 모드 셋 신호(MOSET3)와 제 4 모드 셋 신호(MOSET4)의 논리 상태를 천이하고, 테스트 모드 설정부(23)는 각 에지 영역에서 입력되는 어드레스의 조합(Arf, Arr, Asr, Asf)을 획득하여 설정할 테스트 모드를 파악하고, 파악된 테스트 모드에 해당하는 테스트 모드 설정 신호(Test_sig)를 출력하여 준다.In the same way, the second test mode entry part 22 may be connected to the second command signal COM2 and the CAS signal. A signal and a first command signal COM1 are inputted to transition a logic state of the third mode set signal MOET3 and the fourth mode set signal MOET4, and the test mode setting unit 23 is input at each edge region. The test mode is determined by acquiring a combination of the addresses (Arf, Arr, Asr, and Asf), and the test mode setting signal Test_sig corresponding to the identified test mode is output.

이와 같이 도 3의 테스트 모드 설정 장치는 제 1 커맨드 신호(COM1)를 추가하고, WE 신호 대신에 제 2 커맨드 신호(COM2)를 이용할 수 있도록 함으로서, 발생할 수 있는 모드 셋 신호의 개수를 증가하고, 각 모드 셋 신호의 상승 에지 및 하강 에지 영역에서 입력되는 어드레스의 조합을 획득한다. As described above, the test mode setting apparatus of FIG. 3 adds the first command signal COM1 and enables the second command signal COM2 to be used in place of the WE signal, thereby increasing the number of possible mode set signals, A combination of addresses input in the rising edge and falling edge regions of each mode set signal is obtained.

그리고 획득한 어드레스의 조합과 제 1 테스트 모드 진입부(21) 또는 제 2 테스트 모드 진입부(22)로부터 인에이블되어 전송되는 모드 셋 신호의 종류와 전송된 모드 셋 신호의 논리 상태(하강 에지 또는 상승 에지)를 판단 기준으로 이용하여 설정할 테스트 모드 코드를 파악하게 된다. The combination of the obtained address, the type of the mode set signal that is enabled and transmitted from the first test mode entry part 21 or the second test mode entry part 22, and the logic state of the transmitted mode set signal (falling edge or The rising edge) is used as a criterion to determine the test mode code to be set.

이에 따라 테스트 모드 설정 장치가 2 비트의 어드레스 신호(Add)와 제 1 커맨드 신호(COM1)와 제 2 커맨드 신호(COM2)를 이용하여 파악 및 설정할 수 있는 테스트 모드의 경우의 수는 "16" 개까지 확장된다.Accordingly, the number of test modes that the test mode setting apparatus can identify and set by using the 2-bit address signal Add, the first command signal COM1, and the second command signal COM2 is "16". Extends to.

본 발명에서는 WE 신호의 역할을 하는 대신하는 제 2 커맨드 신호를 하나 만 추가하였지만, 필요에 따라서는 복수개로 확장하여 줄 수 있다. In the present invention, only one second command signal is added instead of serving as a WE signal, but it may be extended to a plurality if necessary.

또한 중간 에지를 증가시켜 제 2 모드 셋 신호와 제 4 모드 셋 신호를 발생하는 제 1 커맨드 신호도 하나만 추가하였지만, 필요에 따라서는 복수개로 확장하여 줄 수 있다.In addition, although only one first command signal for generating the second mode set signal and the fourth mode set signal by increasing the intermediate edge is added, it may be extended to a plurality as necessary.

따라서 본 발명의 기술에 따르면 WE 신호 대신으로 이용하기 위해 추가된 제 2 커멘드 신호의 개수가 p 이고, 중간 에지 수를 늘리기 위해 위한 추가된 제 1 커맨드 신호의 개수가 q 인 경우, 설정할 수 있는 테스트 모드의 경우 수를 "(어드레스 신호의 비트 수((N)2)(p +1)(q+1)"개로 확장 시킬 수 있다.Therefore, according to the technique of the present invention, when the number of second command signals added for use instead of the WE signal is p and the number of added first command signals for increasing the number of intermediate edges is q, a test that can be set For mode, set the number to "(number of bits in the address signal ((N) 2) (p +1) (q + 1) ".

상기에서는 본 발명의 바람직한 실시 예를 참조하여 설명하였지만, 해당 기술 분야의 숙련된 해당 업자는 하기의 특허 청구의 범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.Although described above with reference to a preferred embodiment of the present invention, those skilled in the art will be variously modified and modified within the scope of the invention without departing from the spirit and scope of the invention described in the claims below. It will be appreciated that it can be changed.

따라서 본 발명의 테스트 모드 설정 장치 및 방법은 정상 동작시에는 사용되나 테스트 모드시에는 사용되지 않던 외부 커멘드 신호들을 이용하여 테스트 모드의 경우의 수를 확장하여 준다.Therefore, the test mode setting apparatus and method of the present invention extends the number of cases of the test mode by using external command signals that are used in normal operation but not used in the test mode.

도 1은 종래의 기술에 따른 테스트 모드 설정 장치의 블록도이다.1 is a block diagram of a test mode setting apparatus according to the related art.

도 2는 도 1의 테스트 모드 설정 장치가 테스트 모드를 설정하기 위해 사용하는 신호들의 타이밍 다이어그램이다. FIG. 2 is a timing diagram of signals used by the test mode setting apparatus of FIG. 1 to set a test mode.

도 3은 본 발명의 실시예에 따른 테스트 모드 설정 장치의 블록도이다.3 is a block diagram of an apparatus for setting a test mode according to an embodiment of the present invention.

도 4는 도 3의 테스트 모드 설정 장치가 테스트 모드를 설정하기 위해 사용하는 신호들의 타이밍 다이어그램이다.4 is a timing diagram of signals used by the test mode setting apparatus of FIG. 3 to set a test mode.

Claims (13)

로우 어드레스 스트로브 신호와 컬럼 어드레스 스트로브 신호와 기입 인에이블 신호와 제 1 커맨드 신호에 응답하여 제 1 모드 셋 신호와 제 2 모드 셋 신호를 발생하여 출력하는 제 1 테스트 모드 진입부;A first test mode entry unit configured to generate and output a first mode set signal and a second mode set signal in response to a row address strobe signal, a column address strobe signal, a write enable signal, and a first command signal; 상기 로우 어드레스 스트로브 신호와 상기 컬럼 어드레스 스트로브 신호와 상기 제 1 커맨드 신호와 제 2 커맨드 신호에 응답하여 제 3 모드 셋 신호와 제 4 모드 셋 신호를 발생하여 출력하는 제 2 테스트 모드 진입부; 및A second test mode entry unit configured to generate and output a third mode set signal and a fourth mode set signal in response to the row address strobe signal, the column address strobe signal, the first command signal, and the second command signal; And 상기 제 1, 제 2, 제 3, 제 4 모드 셋 신호의 에지에 응답하여 테스트 모드 설정 코드를 획득하고, 상기 제 1, 제 2, 제 3, 제 4 모드셋 신호 각각에 상응하는 테스트 모드를 설정하는 테스트 모드 설정부를 포함하는 테스트 모드 설정 장치.Acquire a test mode setting code in response to an edge of the first, second, third, and fourth mode set signals, and determine a test mode corresponding to each of the first, second, third, and fourth modeset signals. A test mode setting device including a test mode setting unit for setting. 제 1 항에 있어서, 상기 제 1 테스트 모드 진입부는The method of claim 1, wherein the first test mode entry section 상기 로우 어드레스 스트로브 신호와 상기 컬럼 어드레스 스트로브 신호와 상기 기입 인에이블 신호에 응답하여 상기 제 1 모드 셋 신호를 인에이블하여 출력하고, 상기 제 1 모드 셋 신호가 인에이블되면 상기 제 1 커맨드 신호에 응답하여 상기 제 2 모드 셋 신호를 인에이블하여 출력하는 것을 특징으로 하는 테스트 모드 설정 장치.Enable and output the first mode set signal in response to the row address strobe signal, the column address strobe signal, and the write enable signal, and respond to the first command signal when the first mode set signal is enabled And enabling the second mode set signal to be outputted. 제 1 항에 있어서, 상기 제 2 테스트 모드 진입부는The method of claim 1, wherein the second test mode entry section 상기 로우 어드레스 스트로브 신호와 상기 컬럼 어드레스 스트로브 신호와 상기 제 2 커맨드 신호에 응답하여 상기 제 3 모드 셋 신호를 인에이블하여 출력하고, 상기 제 3 모드 셋 신호가 인에이블되면 상기 제 1 커맨드 신호에 응답하여 상기 제 4 모드 셋 신호를 인에이블하여 출력하는 것을 특징으로 하는 테스트 모드 설정 장치.Enable and output the third mode set signal in response to the row address strobe signal, the column address strobe signal, and the second command signal, and respond to the first command signal when the third mode set signal is enabled The test mode setting device, characterized in that for enabling the output of the fourth mode set signal. 제 1 항에 있어서, 상기 제 2 테스트 모드 진입부는The method of claim 1, wherein the second test mode entry section 상기 제 2 커맨드 신호를 상기 기입 인에이블 신호로 인식하고 동작하는 것을 특징으로 하는 테스트 모드 설정 장치.And recognizing and operating the second command signal as the write enable signal. 제 1 항에 있어서, 상기 제 1 커맨드 신호는The method of claim 1, wherein the first command signal is 정상 모드 시에는 사용되나 테스트 모드시에는 사용되지 않는 외부 핀을 통해 수신되는 커맨드 신호인 것을 특징으로 하는 테스트 모드 설정 장치.The test mode setting device, characterized in that the command signal received through an external pin that is used in the normal mode but not used in the test mode. 제 1 항에 있어서, 상기 제 2 커맨드 신호는The method of claim 1, wherein the second command signal is 정상 모드 시에는 사용되나 테스트 모드시에는 사용되지 않는 외부 핀을 통해 수신되는 커맨드 신호인 것을 특징으로 하는 테스트 모드 설정 장치.The test mode setting device, characterized in that the command signal received through an external pin that is used in the normal mode but not used in the test mode. 제 1 항에 있어서, 상기 에지는The method of claim 1 wherein the edge is 상승 에지 및 하강 에지 인 것을 특징으로 하는 테스트 모드 설정 장치.A test mode setting device, characterized in that the rising edge and falling edge. 기입 인에이블 신호와 컬럼 어드레스 스트로브 신호와 로우 어드레스 스트로브 신호에 응답하여 제 1 모드 셋 신호를 인에이블하고, 상기 인에이블된 제 1 모드 셋 신호와 제 1 커맨드 신호에 응답하여 제 2 모드 셋 신호를 인에이블하는 단계; Enable the first mode set signal in response to the write enable signal, the column address strobe signal, and the row address strobe signal, and generate the second mode set signal in response to the enabled first mode set signal and the first command signal. Enabling; 제 2 커맨드 신호와 상기 컬럼 어드레스 스트로브 신호와 상기 로우 어드레스 스트로브 신호에 응답하여 제 3 모드 셋 신호를 인에이블하고, 상기 인에이블된 제 3 모드 셋 신호와 상기 제 1 커맨드 신호에 응답하여 제 4 모드 셋 신호를 인에이블하는 단계; 및Enable a third mode set signal in response to a second command signal, the column address strobe signal, and the row address strobe signal, and enable a fourth mode in response to the enabled third mode set signal and the first command signal Enabling the set signal; And 상기 제 1, 제 2, 제 3, 제 4 모드 셋 신호 각각의 에지에 응답하여 테스트 모드 설정 코드를 획득하고, 상기 테스트 모드 설정 코드에 상응하는 테스트 모드를 설정하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 테스트 모드 설정 방법.Obtaining a test mode setting code in response to an edge of each of the first, second, third, and fourth mode set signals, and setting a test mode corresponding to the test mode setting code. How to set test mode. 제 8 항에 있어서, 상기 제 1 모드 셋 신호 및 제 2 모드 셋 신호를 인에이블하는 단계는The method of claim 8, wherein the enabling of the first mode set signal and the second mode set signal comprises: 기입 인에이블 신호가 하이 레벨을 가지고 컬럼 어드레스 스트로브 신호가 하이 레벨을 가지고 로우 어드레스 스트로브 신호가 하이 레벨에서 로우 레벨로 천이하면 제 1 모드 셋 신호를 로우 레벨에서 하이 레벨로 천이하는 단계; Transitioning the first mode set signal from a low level to a high level if the write enable signal has a high level and the column address strobe signal has a high level and the low address strobe signal transitions from a high level to a low level; 상기 제 1 모드 셋 신호가 하이 레벨을 가지고, 상기 제 1 커맨드 신호가 로우 레벨에서 하이 레벨로 천이되면 제 2 모드 셋 신호가 로우 레벨에서 하이 레벨로 천이하는 단계; Translating the second mode set signal from the low level to the high level when the first mode set signal has a high level and the first command signal transitions from the low level to the high level; 상기 제 1 모드 셋 신호가 하이 레벨을 가지고, 상기 제 1 커맨드 신호가 하이 레벨에서 로우 레벨로 천이되면 제 2 모드 셋 신호가 하이 레벨에서 로우 레벨로 천이하는 단계; 및Translating the second mode set signal from the high level to the low level when the first mode set signal has a high level and the first command signal transitions from the high level to the low level; And 기입 인에이블 신호가 로우 레벨을 가지고 컬럼 어드레스 스트로브 신호가 로우 레벨을 가지고 로우 어드레스 스트로브 신호가 로우 레벨에서 하이 레벨로 천이하면 제 1 모드 셋 신호를 하이 레벨에서 로우 레벨로 천이하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 테스트 모드 설정 방법.Transitioning the first mode set signal from a high level to a low level if the write enable signal has a low level and the column address strobe signal has a low level and the low address strobe signal transitions from a low level to a high level; Characterized in the test mode setting method. 제 8 항에 있어서, 상기 제 3 및 제 4 모드 셋 신호를 인에이블하는 단계는9. The method of claim 8, wherein enabling the third and fourth mode set signals 상기 제 2 커맨드 신호가 하이 레벨을 가지고 컬럼 어드레스 스트로브 신호가 하이 레벨을 가지고 로우 어드레스 스트로브 신호가 하이 레벨에서 로우 레벨로 천이하면 제 3 모드 셋 신호를 로우 레벨에서 하이 레벨로 천이하는 단계; Translating a third mode set signal from a low level to a high level when the second command signal has a high level and the column address strobe signal has a high level and the low address strobe signal transitions from a high level to a low level; 상기 제 3 모드 셋 신호가 하이 레벨인 경우, 상기 제 1 커맨드 신호가 로우 레벨에서 하이 레벨로 천이되면 제 2 모드 셋 신호를 로우 레벨에서 하이 레벨로 천이하는 단계; Transitioning a second mode set signal from a low level to a high level when the first command signal transitions from a low level to a high level when the third mode set signal is at a high level; 상기 제 3 모드 셋 신호가 하이 레벨인 경우, 상기 제 1 커맨드 신호가 하이 레벨에서 로우 레벨로 천이되면 제 2 모드 셋 신호를 하이 레벨에서 로우 레벨로 천이하는 단계; 및Translating a second mode set signal from a high level to a low level when the first command signal transitions from a high level to a low level when the third mode set signal is at a high level; And 상기 제 2 커맨드 신호가 로우 레벨을 가지고 컬럼 어드레스 스트로브 신호가 로우 레벨을 가지고 로우 어드레스 스트로브 신호가 로우 레벨에서 하이 레벨로 천이하면 제 3 모드 셋 신호를 하이 레벨에서 로우 레벨로 천이하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 테스트 모드 설정 방법.Transitioning a third mode set signal from a high level to a low level if the second command signal has a low level and the column address strobe signal has a low level and the low address strobe signal transitions from a low level to a high level; Test mode setting method, characterized in that. 제 8 항에 있어서, 상기 제 1 커맨드 신호는The method of claim 8, wherein the first command signal is 정상 모드 시에는 사용되나 테스트 모드시에는 사용되지 않는 외부 핀을 통해 수신되는 커맨드 신호인 것을 특징으로 하는 테스트 모드 설정 방법. The test mode setting method, characterized in that the command signal received through an external pin that is used in the normal mode but not used in the test mode. 제 8 항에 있어서, 상기 제 2 커맨드 신호는The method of claim 8, wherein the second command signal is 정상 모드 시에는 사용되나 테스트 모드시에는 사용되지 않는 외부 핀을 통해 수신되는 커맨드 신호인 것을 특징으로 하는 테스트 모드 설정 방법. The test mode setting method, characterized in that the command signal received through an external pin that is used in the normal mode but not used in the test mode. 제 8 항에 있어서, 상기 에지는The method of claim 8, wherein the edge is 상승 에지 및 하강 에지 인것을 특징으로 하는 테스트 모드 설정 방법.A test mode setting method characterized by being a rising edge and a falling edge.
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