KR20050058046A

KR20050058046A - 액정표시소자의 감마보정회로

Info

Publication number: KR20050058046A
Application number: KR1020030090292A
Authority: KR
Inventors: 문성웅; 도건우
Original assignee: 엘지.필립스 엘시디 주식회사
Priority date: 2003-12-11
Filing date: 2003-12-11
Publication date: 2005-06-16
Also published as: KR101001991B1

Abstract

본 발명은 감마보정전압의 튜닝을 용이하게 하도록 한 액정표시소자의 감마보정회로에 관한 것이다.

이 액정표시소자의 감마보정회로는 고전위 전압과 저전위 전압을 발생하기 위한 전원과; 액정표시소자의 데이터라인들에 접속된 데이터 집적회로와; 상기 고전위 전압과 상기 저전위 전압을 이용하여 다수의 감마기준전압들을 발생하기 위한 감마기준전압 발생회로와; 상기 데이터 집적회로 내에 위치하며 상기 고전위 전압을 이용하여 상기 다수의 감마기준전압들 중 최상위 감마기준전압을 상기 고전위 전압-0.01V 내지 상기 고전위 전압-0.5V 사이의 전압으로 튜닝하기 위한 제1 튜너와; 상기 데이터 집적회로 내에 위치하며 상기 저전위 전압을 이용하여 상기 다수의 감마기준전압들 중 최하위 감마기준전압을 상기 저전위 전압+0.01V 내지 상기 저전위 전압+0.5V 사이의 전압으로 튜닝하기 위한 제2 튜너를 구비한다.

Description

액정표시소자의 감마보정회로{GAMMA-CORRECTION CIRCUIT}

본 발명은 액정표시소자에 관한 것으로, 특히 감마보정전압의 튜닝을 용이하게 하도록 한 액정표시소자의 감마보정회로에 관한 것이다.

액정표시장치는 비디오신호에 따라 액정셀들의 광투과율을 조절하여 화상을 표시하게 된다.

액정셀마다 스위칭소자가 형성된 액티브 매트릭스(Active Matrix) 타입의 액정표시소자는 스위칭소자의 능동적인 제어가 가능하기 때문에 동영상 구현에 유리하다. 액티브 매트릭스 타입의 액정표시소자에 사용되는 스위칭소자로는 도 1과 같이 주로 박막트랜지스터(Thin Film Transistor; 이하 "TFT"라 한다)가 이용되고 있다.

도 1을 참조하면, 액티브 매트릭스 타입의 액정표시소자는 디지털 입력 데이터를 감마보정전압으로 변환하여 데이터라인(DL)에 공급함과 동시에 스캔펄스를 게이트라인(GL)에 공급하여 액정셀(Clc)을 충전시킨다.

TFT의 게이트전극은 게이트라인(GL)에 접속되며, 소스전극은 데이터라인(DL)에 접속된다. 그리고 TFT의 드레인전극은 액정셀(Clc)의 화소전극과 스토리지 캐패시터(Cst)의 일측 전극에 접속된다.

액정셀(Clc)의 공통전극에는 공통전압(Vcom)이 공급된다.

스토리지 캐패시터(Cst)는 TFT가 턴-온될 때 데이터라인(DL)으로부터 인가되는 데이터전압을 충전하여 액정셀(Clc)의 전압을 일정하게 유지하는 역할을 한다.

스캔펄스가 게이트라인(GL)에 인가되면 TFT는 턴-온(Turn-on)되어 소스전극과 드레인전극 사이의 채널을 형성하여 데이터라인(DL) 상의 전압을 액정셀(Clc)의 화소전극에 공급한다. 이 때 액정셀(Clc)의 액정분자들은 화소전극과 공통전극 사이의 전계에 의하여 배열이 바뀌면서 입사광을 변조하게 된다.

이 액정표시소자의 구동회로는 디지털 입력 데이터를 감마보정전압으로 변환하기 위한 데이터 집적회로(Integrated Circuit : 이하, "IC"라 한다)와, 스캔펄스를 발생하기 위한 게이트 IC를 구비한다.

도 2 및 도 3은 데이터 IC(21, 31) 내에 내장된 감마보정회로와 그 감마보정회로에 외부전원을 공급하기 위한 외부전원(22, 32)을 보여 준다.

도 2 및 도 3의 감마보정회로는 각각 정극성 감마기준전압 발생부(PGR)과 부극성 감마기준전압 발생부(NGR)를 구비한다. 정극성 감마기준전압 발생부(PGR)는 액정표시소자의 투과율 대 전압 특성 즉, T-V 곡선에서 각 계조에 대응하는 정극성의 감마기준전압들을 발생한다. 부극성 감마기준전압 발생부(NGR)는 액정표시소자의 T-V 곡선에서 각 계조에 대응하는 부극성의 감마기준전압들을 발생한다.

도 2의 감마보정회로는 계조 표현 범위가 256 계조인 8 비트[bits]의 디지털 입력 데이터가 입력되는 액정표시소자의 데이터 IC에 내장되며, 정극성 감마기준전압 발생부(PGR)을 통해 8 개의 정극성 감마기준전압(GMA11 내지 GMA18)을 발생함과 아울러 부극성 감마기준전압 발생부(NGR)을 통해 8 개의 부극성 감마기준전압(GMA19 내지 GMA26)을 발생한다. 정극성 감마기준전압 발생부(PGR)와 부극성 감마기준전압 발생부(NGR) 각각은 직렬로 연결된 7 개의 저항(R11 내지 R17, R18 내지 R24)으로 구성된다.

도 3의 감마보정회로는 계조 표현 범위가 64 계조인 6 비트[bits]의 디지털 입력 데이터가 입력되는 액정표시소자의 데이터 IC에 내장되며, 정극성 감마기준전압 발생부(PGR)을 통해 5 개의 정극성 감마기준전압(GMA1 내지 GMA5)을 발생함과 아울러 부극성 감마기준전압 발생부(NGR)을 통해 5 개의 부극성 감마기준전압(GMA6 내지 GMA10)을 발생한다. 정극성 감마기준전압 발생부(PGR)와 부극성 감마기준전압 발생부(NGR) 각각은 직렬로 연결된 4 개의 저항(R31 내지 R34, R35 내지 R38)으로 구성된다.

도 2 및 도 3의 감마보정회로에는 외부전원(21, 31)으로부터의 외부 전원들을 입력 받아 그 외부 전원들을 분압하여 감마기준전압들(GMA11 내지 GMA18, GMA19 내지 GMA26, GMA1 내지 GMA5, GMA6 내지 GMA10)을 발생한다. 감마기준전압들(GMA11 내지 GMA18, GMA19 내지 GMA26, GMA1 내지 GMA5, GMA6 내지 GMA10)은 다시 분압되어 각 계조에 대응하는 감마보정전압들로 세분화되고 그 감마보정전압들은 데이터 IC(21, 31) 내의 디지털-아날로그 변환기에 공급된다.

감마보정전압은 사람이 화상을 볼 때의 시각인지특성에 따른 자극치에 대하여 대수함수적으로 느끼는 것을 고려하여 설정된다. 각 계조 단계에 해당하는 밝기 즉, 빛의 투과율을 T라 하고 계조단계를 G라 할때, 각 계조단계와 그 밝기와의 관계는 아래의 수학식 1과 같다.

여기서, k는 비례상수이고 (Gamma)는 1보다 큰 상수로 나타내고자 하는 실물과 화면의 느낌이 맞도록 정해진다. 액정표시소자의 감마보상방식에서 적용되는 는 2∼4이다. 액정특성과 사람의 시각인지특성을 고려할 때, 액정표시소자의 최적 는 2.2로 알려져 있다.

도 4는 6 비트 디지털 입력 데이터에 대응하는 정극성/부극성 감마보정전압들을 보여 준다.

그런데 데이터 IC(21, 31) 내의 감마기준전압 발생용 감마보정회로는 데이터 IC(21, 31) 내에서 플로팅되어 있기 때문에 외부전원(22, 32)으로부터 전원을 입력 받아야 한다. 따라서, 감마보정전압들이 최적화되기 위해서는 외부전원들이 최적화되어야 하기 때문에 액정표시소자의 제조업자들은 정극성의 최상위 감마기준전압(GMA11, GMA1)에 공급되는 고전위 외부전원(VDD), 정극성의 최하위 감마기준전압(GMA18, GMA5)에 공급되는 외부전원(Vex-GMA18), 부극성의 최상위 감마기준전전압(GMA26, GMA10)에 공급되는 저전위 외부전원(VSS) 및 부극성의 최하위 감마기준전전압(GMA19, GMA6)에 공급되는 외부전원(Vex-GMA18)을 최적으로 조절함으로써 감마보정전압을 튜닝(tunning)한다. 저전위 외부전원(VSS)은 일반적으로 기저전압(GND)으로 설정된다.

감마보정전압의 튜닝을 위하여 고전위 외부전원(VDD)과 데이터 IC(21, 31)의 최상위 감마기준전압 입력단자들 사이에 저항이 설치되고 저전위 외부전원(VSS)과 데이터 IC의 최하위 감마기준전압 입력단자들 사이에 저항이 설치된다. 이러한 저항들의 저항값을 조정하여 감마보정전압을 튜닝하는데는 많은 시간과 노력이 소모된다. 따라서, 감마보정전압의 튜닝을 최소화하여 작업성과 액정표시소자의 생산성을 향상시킬 수 있는 방안이 절실히 요구되고 있다. 감마보정전압의 튜닝을 위한 저항들은 데이터 IC(21, 31)이 탑재되고 많은 신호배선들이 형성되는 인쇄회로보드(Printed Circuit Board : PCB) 상에 설치되기 때문에 그 인쇄회로보드의 설계 제약 요인으로 작용하고 있다.

따라서, 본 발명의 목적은 감마보정전압의 튜닝을 용이하게 하도록 한 액정표시소자의 감마보정회로를 제공하는데 있다.

상기 목적을 달성하기 위하여, 본 발명의 실시예에 따른 액정표시소자의 감마보정회로는 고전위 전압과 저전위 전압을 발생하기 위한 전원과; 액정표시소자의 데이터라인들에 접속된 데이터 집적회로와; 상기 고전위 전압과 상기 저전위 전압을 이용하여 다수의 감마기준전압들을 발생하기 위한 감마기준전압 발생회로와; 상기 데이터 집적회로 내에 위치하며 상기 고전위 전압을 이용하여 상기 다수의 감마기준전압들 중 최상위 감마기준전압을 상기 고전위 전압-0.01V 내지 상기 고전위 전압-0.5V 사이의 전압으로 튜닝하기 위한 제1 튜너와; 상기 데이터 집적회로 내에 위치하며 상기 저전위 전압을 이용하여 상기 다수의 감마기준전압들 중 최하위 감마기준전압을 상기 저전위 전압+0.01V 내지 상기 저전위 전압+0.5V 사이의 전압으로 튜닝하기 위한 제2 튜너를 구비한다.

상기 제1 및 제2 튜너 각각은 전압강하를 일으키는 저항을 구비한다.

상기 제1 튜너는 상기 최상위 감마기준전압을 상기 고전위 전압-0.2V 내지 상기 고전위 전압-0.3V 사이의 전압으로 튜닝하는 것을 특징으로 한다.

상기 제2 튜너는 상기 최하위 감마기준전압을 상기 저전위 전압+0.2V 내지 상기 저전위 전압+0.3V 사이의 전압으로 튜닝하는 것을 특징으로 한다.

본 발명의 다른 실시예에 따른 액정표시소자의 감마보정회로는 고전위 전압과 저전위 전압을 발생하기 위한 전원과; 액정표시소자의 데이터라인들에 접속된 데이터 집적회로와; 상기 고전위 전압과 상기 저전위 전압을 이용하여 다수의 감마기준전압들을 발생하기 위한 감마기준전압 발생회로와; 상기 데이터 집적회로 내에 위치하며 상기 고전위 전압을 이용하여 상기 다수의 감마기준전압들 중 최상위 감마기준전압을 상기 고전위 전압-0.01V 내지 상기 고전위 전압-0.5V 사이의 전압으로 튜닝하기 위한 제1 튜너와; 상기 고전위 전압을 이용하여 상기 다수의 감마기준전압들 중 최하위 감마기준전압을 튜닝하기 위한 제2 튜너를 구비한다.

본 발명의 또 다른 실시예에 따른 액정표시소자의 감마보정회로는 고전위 전압과 저전위 전압을 발생하기 위한 전원과; 액정표시소자의 데이터라인들에 접속된 데이터 집적회로와; 상기 고전위 전압과 상기 저전위 전압을 이용하여 다수의 감마기준전압들을 발생하기 위한 감마기준전압 발생회로와; 상기 고전위 전압을 이용하여 상기 다수의 감마기준전압들 중 최상위 감마기준전압을 튜닝하기 위한 제1 튜너와; 상기 데이터 집적회로 내에 위치하며 상기 저전위 전압을 이용하여 상기 다수의 감마기준전압들 중 최하위 감마기준전압을 상기 저전위 전압+0.01V 내지 상기 저전위 전압+0.5V 사이의 전압으로 튜닝하기 위한 제2 튜너를 구비한다.

상기 목적 외에 본 발명의 다른 목적 및 이점들은 첨부한 도면들을 참조한 본 발명의 바람직한 실시예에 대한 설명을 통하여 명백하게 드러나게 될 것이다.

이하, 도 5 내지 도 12를 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예에 대하여 설명하기로 한다.

도 5를 참조하면, 본 발명의 실시예에 따른 액정표시소자는 데이터라인(DL1 내지 DLm)과 게이트라인(GL1 내지 GLn)이 교차되며 그 교차부에 액정셀(Clc)을 구동하기 위한 TFT가 형성된 액정표시패널(5)과, 액정표시패널(5)의 데이터라인들(DL1 내지 DLm)에 데이터를 공급하기 위한 데이터 구동부(2)와, 액정표시패널(5)의 게이트라인(GL1 내지 GLn)에 스캔펄스를 공급하기 위한 게이트 구동부(3)와, 게이트 구동부(3)에 접속된 외부전원(4)과, 데이터 구동부(2) 및 게이트 구동부(3)를 제어하기 위한 타이밍 콘트롤러(1)를 구비한다.

액정표시패널(5)은 두 장의 유리기판 사이에 액정이 주입된다. 액정표시패널(5)의 하부 유리기판 상에는 데이터라인들(DL1 내지 DLm)과 게이트라인들(GL1 내지 GLn)이 직교된다. 데이터라인들(DL1 내지 DLm)과 게이트라인들(GL1 내지 GLn)의 교차부에는 TFT가 형성된다. TFT는 스캔펄스에 응답하여 데이터라인들(DL1 내지 DLm) 상의 데이터를 액정셀(Clc)에 공급하게 된다. TFT의 게이트전극은 게이트라인(GL1 내지 GLm)에 접속되며, TFT의 소스전극은 데이터라인(DL1 내지 DLm)에 접속된다. 그리고 TFT의 드레인전극은 액정셀(Clc)의 화소전극과 스토리지 캐패시터(Cst)에 접속된다.

TFT는 게이트라인(GL1 내지 GLn)을 경유하여 게이트단자에 공급되는 스캔펄스에 응답하여 턴-온된다. TFT의 턴-온시 데이터라인(DL1 내지 DLm) 상의 비디오 데이터는 액정셀(Clc)의 화소전극에 공급된다.

타이밍 콘트롤러(1)는 도시하지 않은 디지털 비디오 카드로부터 공급되는 디지털 비디오 데이터를 데이터 구동부(2)에 공급한다. 또한, 타이밍 콘트롤러(1)는 수평/수직 동기신호(H,V)와 클럭신호(CLK)를 이용하여 데이터 구동 제어신호(DDC)와 게이트 구동 제어신호(GDC)를 발생한다. 데이터 구동 제어신호(DDC)는 소스쉬프트클럭(SSC), 소스스타트펄스(SSP), 극성제어신호(POL) 및 소스출력인에이블신호(SOE) 등을 포함한다. 데이터 구동 제어신호(DDC)는 데이터 구동부(2)에 공급된다. 게이트구동 제어신호(GDC)는 게이트스타트펄스(GSP), 게이트쉬프트클럭(GSC) 및 게이트출력인에이블(GOE) 등을 포함한다. 게이트 구동 제어신호(GDC)는 게이트 구동부(3)에 공급된다.

게이트 구동부(3)는 타이밍 콘트롤러(1)로부터 공급되는 게이트구동 제어신호(GDC)에 응답하여 스캔펄스 즉, 게이트 하이펄스를 순차적으로 발생하게 된다. 이 게이트 구동부(3)는 스캔펄스를 순차적으로 발생하는 쉬프트 레지스터와, 스캔펄스 전압의 스윙폭을 TFT의 문턱전압 이상으로 쉬프트 시키기 위한 레벨 쉬프터를 포함한다.

데이터 구동부(2)는 타이밍 콘트롤러(1)로부터 공급되는 데이터구동 제어신호(DDC)에 응답하여 데이터를 데이터라인들(DL1 내지 DLm)에 공급한다. 이 데이터 구동부(2)는 타이밍 콘트롤러(1)로부터의 디지털 비디오 데이터(RGB)를 샘플링하고 그 데이터를 래치한 다음, 감마보정전압을 이용하여 액정셀(Clc)에서 계조를 표현할 수 있는 아날로그 전압으로 변환하게 된다. 이 데이터 구동부(2)는 도 6과 같은 구성을 가지는 다수의 데이터 IC(60)를 포함한다.

각각의 데이터 IC(60)는 타이밍 콘트롤러(1)로부터 데이터(RGB)가 입력되는 데이터 레지스터(61)와, 샘플링 클럭을 발생하기 위한 쉬프트 레지스터(62)와, 쉬프트 레지스터(62)와 k(단, k는 m보다 작은 정수) 개의 데이터라인들(DL1 내지 DLk) 사이에 접속된 제1 래치(63), 제2 래치(64), 디지털/아날로그 컨버터(Digital to Analog Converter : 이하, "DAC"라 한다)(65) 및 출력회로(66)와, 감마기준전압을 포함한 감마보정전압들을 DAC(65)에 공급하기 위한 감마보정회로(67)를 구비한다.

데이터 레지스터(61)는 타이밍 콘트롤러(1)로부터의 데이터(RGB)를 일시 저장한 후에 저장된 데이터(RGB)를 제1 래치(63)에 공급한다.

쉬프트 레지스터(62)는 타이밍 콘트롤러(1)로부터의 소스 스타트 펄스(SSP)를 소스 샘플링 클럭신호(SSC)에 따라 쉬프트시켜 샘플링신호를 발생하게 된다. 또한, 쉬프트 레지스터(62)는 소스 스타트 펄스(SSP)를 쉬프트시켜 다음 단의 쉬프트 레지스터(62)에 캐리신호(CAR)를 전달하게 된다.

제1 래치(63)는 쉬프트 레지스터(62)로부터 순차적으로 입력되는 샘플링신호에 응답하여 데이터 레지스터(61)로부터의 디지털 비디오 데이터(RGB)를 샘플링하고, 그 디지털 비디오 데이터(RGB)를 1 라인분씩 래치한다.

제2 래치(64)는 제1 래치(63)로부터 입력되는 디지털 비디오 데이터(RGB)를 래치한 다음, 래치된 디지털 비디오 데이터(RGB)를 타이밍 콘트롤러(1)로부터의 소스 출력 인에이블신호(SOE)에 응답하여 동시에 출력한다.

DAC(65)는 제2 래치(64)로부터의 디지털 비디오 데이터(RGB)를 감마보정회로(67)로부터의 감마보정전압으로 변환하게 된다. 또한, DAC(65)는 극성제어신호에 응답하여 정극성 감마보정전압과 부극성 감마보정전압 중 어느 하나를 선택한다.

출력회로(66)는 데이터라인들 각각에 접속된 버퍼(Buffer)를 포함한다. 출력회로(66)의 버퍼는 데이터라인들(DL1 내지 DLm)에 공급되는 전압의 감쇠를 최소화한다.

감마보정회로(67)는 외부전원(4)으로부터 입력되는 외부전압을 분압하여 감마기준전압들과 그 감마기준전압들을 다시 분압하여 각 계조에 대응하는 감마보정전압들을 발생한다.

도 7은 감마보정회로(67)의 제1 실시예로써 8 비트[bits]의 디지털 입력 데이터에 대응하는 감마기준전압들을 발생하기 위한 감마보정회로(67)의 일예를 보여 준다.

도 7을 참조하면, 본 발명의 제1 실시예에 따른 감마보정회로(67)는 데이터 IC(60) 내에 내장되며, 저항을 경유하여 전기적으로 연결된 정극성 감마기준전압 발생부(67(PGR))과 부극성 감마기준전압 발생부(67(NGR))를 구비한다.

정극성 감마기준전압 발생부(67(PGR))와 부극성 감마기준전압 발생부(67(NGR))는 데이터 IC(60)의 정극성 최상위 감마기준전압 입력단자(60a)와 부극성 최상위 감마기준전압 입력단자(60b) 사이에 직렬로 접속된 다수의 저항들(R01, R51 내지 R57, R02, R58 내지 R64, R03)로 구성된다. 저항들(R01, R51 내지 R57, R02, R58 내지 R64, R03) 사이의 노드에서 정극성 감마기준전압들(GMA11 내지 GMA18)과 부극성 감마기준전압들(GMA19 내지 GMA25)이 발생된다. 이 감마기준전압들(GMA11 내지 GMA25)은 각 계조에 대응하는 감마보정전압들로 분압되어 DAC(65)에 공급된다.

데이터 IC(60)의 정극성 최상위 감마기준전압 입력단자(60a)에는 외부전원(4)으로부터 고전위 외부전원(VDD)이 공급되고 데이터 IC(60)의 부극성 최상위 감마기준전압 입력단자(60b)에는 외부전원(4)으로부터 저전위 외부전원(VSS)이 공급된다. 저전위 외부전원(VSS)은 기저전압(GND)으로 설정될 수 있다.

정극성 최상위 감마기준전압 입력단자(60a)에 접속된 제1 튜닝저항(R01)은 고전위 외부전원(VDD)을 미리 설정된 저항값만큼 전압 강하시켜 정극성 최상위 감마기준전압 즉, 제1 감마기준전압(GMA11)을 최적화한다. 이 제1 튜닝저항(R01)의 저항값은 제1 감마기준전압(GMA11)이 고전위 외부전원(VDD)-0.01V 내지 고전위 외부전원(VDD)-0.5V 사이의 전압, 바람직하게는 고전위 외부전원(VDD)-0.2V 내지 고전위 외부전원(VDD)-0.3V 사이의 전압으로 되도록 정해진다.

부극성 최상위 감마기준전압 입력단자(60b)에 접속된 제3 튜닝저항(R03)은 저전위 외부전원(VSS)을 미리 설정된 저항값만큼 전압 강하시켜 부극성 최상위 감마기준전압 즉, 제16 감마기준전압(GMA26)을 최적화한다. 이 제3 튜닝저항(R03)의 저항값은 제16 감마기준전압(GMA26)이 저전위 외부전원(VSS)+0.01V 내지 저전위 외부전원(VSS)+0.5V 사이의 전압, 바람직하게는 저전위 외부전원(VSS)+0.2V 내지 저전위 외부전원(VDD)+0.3V 사이의 전압으로 되도록 정해진다.

정극성 최하위 감마기준전압 노드와 부극성 최하위 감마기준전압 노드 사의 저항 즉, 제8 감마기준전압(GMA18)의 출력노드와 제9 감마기준전압(GMA19)의 출력노드 사이의 제2 튜닝저항(R02)은 제8 감마기준전압(GMA18)과 제9 감마기준전압(GMA19)을 최적화시킨다. 이 제2 튜닝저항(R03)의 저항값은 제8 감마기준전압(GMA18)이 제7 감마기준전압(GMA7)보다 작고 고전위 외부전원(VDD)의 1/2 전압보다 큰 전압으로 되게 하고 제9 감마기준전압(GMA19)이 고전위 외부전원(VDD)의 1/2 전압보다 작고 제10 감마기준전압(GMA20)보다 큰 전압으로 되게 하도록 정해진다.

제1 튜닝저항(R01)과 제2 튜닝저항(R02) 사이에 접속된 저항들(R51 내지 R57)은 중간계조의 정극성 감마기준전압들을 최적화한다. 즉, 제1 튜닝저항(R01)과 제2 튜닝저항(R02) 사이에 접속된 저항들(R51 내지 R57)의 저항값은 중간계조의 정극성 감마기준전압들(GMA12 내지 GMA17)의 관계가 제1 감마기준전압(GMA11) > 제2 감마기준전압(GMA12) > 제3 감마기준전압(GMA13) > 제4 감마기준전압(GMA14) > 제5 감마기준전압(GMA15) > 제6 감마기준전압(GMA16) > 제7 감마기준전압(GMA17) > 제8 감마기준전압(GMA18)이 되도록 정해진다.

제2 튜닝저항(R02)과 제3 튜닝저항(R03) 사이에 접속된 저항들(R58 내지 R64)은 중간계조의 부극성 감마기준전압들을 최적화한다. 즉, 제2 튜닝저항(R02)과 제3 튜닝저항(R03) 사이에 접속된 저항들(R58 내지 R64)의 저항값은 중간계조의 부극성 감마기준전압들(GMA20 내지 GMA25)의 관계가 제9 감마기준전압(GMA19) > 제10 감마기준전압(GMA20) > 제11 감마기준전압(GMA21) > 제12 감마기준전압(GMA22) > 제13 감마기준전압(GMA23) > 제14 감마기준전압(GMA24) > 제15 감마기준전압(GMA25) > 제16 감마기준전압(GMA26)이 되도록 정해진다.

도 8은 감마보정회로(67)의 제2 실시예로써 8 비트[bits]의 디지털 입력 데이터에 대응하는 감마기준전압들을 발생하기 위한 감마보정회로(67)의 다른 예를 보여 준다.

도 8을 참조하면, 본 발명의 제2 실시예에 따른 감마보정회로(67)는 데이터 IC(60) 내에 내장되며, 전기적으로 분리된 정극성 감마기준전압 발생부(67(PGR))과 부극성 감마기준전압 발생부(67(NGR))를 구비한다.

정극성 감마기준전압 발생부(67(PGR))는 데이터 IC(60)의 정극성 최상위 감마기준전압 입력단자(60a)를 통해 공급되는 고전위 외부전원(VDD)과, 데이터 IC(60)의 정극성 최하위 감마기준전압 입력단자(60c)를 통해 공급되는 저전위 외부전원(Vex-GMA18)을 직렬로 접속된 다수의 저항들(R01 내지 R57)로 분압하여 정극성 감마기준전압들(GMA11 내지 GMA18)을 발생한다. 정극성 감마기준전압들(GMA11 내지 GMA18)은 각 계조에 대응하는 정극성 감마보정전압들로 분압되어 DAC(65)에 공급된다.

정극성 최상위 감마기준전압 입력단자(60a)에 접속된 제1 튜닝저항(R01)은 고전위 외부전원(VDD)을 미리 설정된 저항값만큼 전압 강하시켜 제1 감마기준전압(GMA11)을 최적화한다. 이 제1 튜닝저항(R01)에 의해 제1 감마기준전압(GMA11)은 고전위 외부전원(VDD)-0.01V 내지 고전위 외부전원(VDD)-0.5V 사이의 전압, 바람직하게는 고전위 외부전원(VDD)-0.2V 내지 고전위 외부전원(VDD)-0.3V 사이의 전압이 된다.

제1 튜닝저항(R01)과 데이터 IC(60)의 정극성 최하위 감마기준전압 입력단자(60c) 사이에 접속된 저항들(R51 내지 R57)은 중간계조의 정극성 감마기준전압들을 최적화한다. 이 저항들(R51 내지 R57)의 저항값은 중간계조의 정극성 감마기준전압들(GMA12 내지 GMA17)의 관계가 제1 감마기준전압(GMA11) > 제2 감마기준전압(GMA12) > 제3 감마기준전압(GMA13) > 제4 감마기준전압(GMA14) > 제5 감마기준전압(GMA15) > 제6 감마기준전압(GMA16) > 제7 감마기준전압(GMA17) > 제8 감마기준전압(GMA18)이 되도록 정해진다.

부극성 감마기준전압 발생부(67(NGR))는 데이터 IC(60)의 부극성 최하위 감마기준전압 입력단자(60d)를 통해 공급되는 고전위 외부전원(Vex-GMA19)과, 데이터 IC(60)의 부극성 최상위 감마기준전압 입력단자(60b)를 통해 공급되는 저전위 외부전원(VSS)을 직렬로 접속된 다수의 저항들(R58 내지 R03)로 분압하여 부극성 감마기준전압들(GMA19 내지 GMA26)을 발생한다. 부극성 감마기준전압들(GMA19 내지 GMA26)은 각 계조에 대응하는 정극성 감마보정전압들로 분압되어 DAC(65)에 공급된다.

부극성 최상위 감마기준전압 입력단자(60b)에 접속된 제3 튜닝저항(R03)은 저전위 외부전원(VSS)을 미리 설정된 저항값만큼 전압 강하시켜 부극성 최상위 감마기준전압 즉, 제16 감마기준전압(GMA26)을 최적화한다. 이 제3 튜닝저항(R03)에 의해 제16 감마기준전압(GMA26)은 저전위 외부전원(VSS)+0.01V 내지 저전위 외부전원(VSS)+0.5V 사이의 전압, 바람직하게는 저전위 외부전원(VSS)+0.2V 내지 저전위 외부전원(VDD)+0.3V 사이의 전압으로 된다.

데이터 IC(60)의 부극성 최하위 감마기준전압 입력단자(60d)와 제3 튜닝저항(R03) 사이에 접속된 저항들(R58 내지 R64)는 중간계조의 부극성 감마기준전압들을 최적화한다. 이 저항들(R58 내지 R64)의 저항값은 중간계조의 부극성 감마기준전압들(GMA20 내지 GMA25)의 관계가 제9 감마기준전압(GMA19) > 제10 감마기준전압(GMA20) > 제11 감마기준전압(GMA21) > 제12 감마기준전압(GMA22) > 제13 감마기준전압(GMA23) > 제14 감마기준전압(GMA24) > 제15 감마기준전압(GMA25) > 제16 감마기준전압(GMA26)이 되도록 정해진다.

본 발명의 제2 실시예에 따른 감마보정회로(67)는 외부전원(4)과 데이터 IC(60)의 정극성 최하위 감마기준전압 입력단자(60c) 사이에 접속된 제1 전압조정부(81)와, 외부전원(4)과 데이터 IC(60)의 부극성 최하위 감마기준전압 입력단자(60d) 사이에 접속된 제2 전압조정부(82)를 더 구비한다.

제1 전압조정부(81)는 고전위 외부전원(VDD)의 전압을 조정하여 정극성 최하위 감마기준전압 즉, 제8 감마기준전압(GMA18)을 최적화한다.

제2 전압조정부(82)는 고전위 외부전원(VDD)의 전압을 조정하여 정극성 최하위 감마기준전압 즉, 제9 감마기준전압(GMA19)을 최적화한다.

도 9는 제1 및 제2 전압조정부(81, 82)의 일예를 나타낸다.

도 9를 참조하면, 제1 및 제2 전압조정부(81, 82)는 고전위 외부전원(VDD)을 분압하기 위한 저항들(R1 내지 R4)과, 분압된 전압을 데이터 IC(60)에 공급하기 위한 연산증폭기(OP1, OP2)를 구비한다.

제1 전압조정부(81)의 제1 및 제2 저항(R1, R2)은 고전위 외부전원(VDD)과 기저전원(GND) 사이에 직렬로 접속되어 고전위 외부전원(VDD)을 분압함으로써 제8 감마기준전압(GMA18)을 발생한다. 제1 연산증폭기(OP1)는 제1 및 제2 저항(R1, R2) 사이의 노드로부터 자신의 비반전단자에 공급되는 제8 감마기준전압(GMA18)을 신호 감쇠없이 데이터 IC(60)에 공급한다. 제1 연산증폭기(OP1)의 비반전단자와 기저전원(GND) 사이에는 제8 감마기준전압(GMA18)을 일정하게 함과 아울러 제1 연산증폭기(OP1)를 보호하기 위한 제1 캐패시터(C1)가 접속된다. 제1 및 제2 저항(R1, R2) 중 적어도 하나는 제8 감마기준전압(GMA18)이 최적화될 수 있도록 그 저항값이 변할 수 있는 가변저항으로 구현된다.

제2 전압조정부(82)의 제3 및 제4 저항(R3, R4)은 고전위 외부전원(VDD)과 기저전원(GND) 사이에 직렬로 접속되어 고전위 외부전원(VDD)을 분압함으로써 제9 감마기준전압(GMA19)을 발생한다. 제2 연산증폭기(OP2)는 제3 및 제4 저항(R3, R4) 사이의 노드로부터 자신의 반전단자에 공급되는 제9 감마기준전압(GMA19)을 신호 감쇠없이 데이터 IC(60)에 공급한다. 제2 연산증폭기(OP2)의 비반전단자와 기저전원(GND) 사이에는 제9 감마기준전압(GMA19)을 일정하게 함과 아울러 제2 연산증폭기(OP1)를 보호하기 위한 제2 캐패시터(C2)가 접속된다. 제3 및 제4 저항(R3, R4) 중 적어도 하나는 제9 감마기준전압(GMA19)이 최적화될 수 있도록 그 저항값이 변할 수 있는 가변저항으로 구현된다.

이러한 제1 및 제2 전압조정부(81, 82)에 의해 본 발명에 따른 감마보정회로는 감마보정전압의 튜닝시에 제8 및 제9 감마기준전압(GMA18, GMA19)이 조정될 필요가 있을 때 제8 및 제9 감마기준전압(GMA18, GMA19) 각각을 최적으로 조정함으로써 감마보정전압의 튜닝을 보다 정확하게 할 수 있다.

도 10은 감마보정회로(67)의 제3 실시예로써 6 비트[bits]의 디지털 입력 데이터에 대응하는 감마기준전압들을 발생하기 위한 감마보정회로(67)의 일예를 보여 준다.

도 10을 참조하면, 본 발명의 제3 실시예에 따른 감마보정회로(67)의 정극성 감마기준전압 발생부(67(PGR))와 부극성 감마기준전압 발생부(67(NGR))는 데이터 IC(60)의 정극성 최상위 감마기준전압 입력단자(60e)와 부극성 최상위 감마기준전압 입력단자(60f) 사이에 직렬로 접속된 다수의 저항들(R05, R71 내지 R74, R06, R75 내지 R78, R07)로 구성된다. 정극성 감마기준전압들(GMA11 내지 GMA18)과 부극성 감마기준전압들(GMA19 내지 GMA25)은 저항들(R05, R71 내지 R74, R06, R75 내지 R78, R07) 사이의 노드에서 발생된다.

데이터 IC(60)의 정극성 최상위 감마기준전압 입력단자(60e)에는 외부전원(4)으로부터 고전위 외부전원(VDD)이 공급되고 데이터 IC(60)의 부극성 최상위 감마기준전압 입력단자(60f)에는 외부전원(4)으로부터 저전위 외부전원(VSS)이 공급된다.

정극성 최상위 감마기준전압 입력단자(60e)에 접속된 제5 튜닝저항(R05)은 고전위 외부전원(VDD)을 미리 설정된 저항값만큼 전압 강하시켜 제1 감마기준전압(GMA1)을 최적화한다. 이 제5 튜닝저항(R05)의 저항값은 제1 감마기준전압(GMA1)이 고전위 외부전원(VDD)-0.01V 내지 고전위 외부전원(VDD)-0.5V 사이의 전압, 바람직하게는 고전위 외부전원(VDD)-0.2V 내지 고전위 외부전원(VDD)-0.3V 사이의 전압으로 되도록 정해진다.

부극성 최상위 감마기준전압 입력단자(60f)에 접속된 제7 튜닝저항(R07)은 저전위 외부전원(VSS)을 미리 설정된 저항값만큼 전압 강하시켜 제10 감마기준전압(GMA10)을 최적화한다. 이 제5 튜닝저항(R05)의 저항값은 제10 감마기준전압(GMA10)이 저전위 외부전원(VSS)+0.01V 내지 저전위 외부전원(VSS)+0.5V 사이의 전압, 바람직하게는 저전위 외부전원(VSS)+0.2V 내지 저전위 외부전원(VDD)+0.3V 사이의 전압으로 되도록 정해진다.

제5 감마기준전압(GMA5)의 출력노드와 제6 감마기준전압(GMA6)의 출력노드 사이의 제6 튜닝저항(R02)은 제5 감마기준전압(GMA5)과 제6 감마기준전압(GMA6)을 최적화시킨다. 이 제6 튜닝저항(R06)의 저항값은 제5 감마기준전압(GMA5)이 제4 감마기준전압(GMA4)보다 작고 고전위 외부전원(VDD)의 1/2 전압보다 큰 전압으로 되게 하고 제6 감마기준전압(GMA6)이 고전위 외부전원(VDD)의 1/2 전압보다 작고 제7 감마기준전압(GMA7)보다 큰 전압으로 되게 하도록 정해진다.

제5 튜닝저항(R01)과 제6 튜닝저항(R06) 사이에 접속된 저항들(R51 내지 R57)의 저항값은 중간계조의 정극성 감마기준전압들(GMA2 내지 GMA4)의 관계가 제1 감마기준전압(GMA1) > 제2 감마기준전압(GMA2) > 제3 감마기준전압(GMA3) > 제4 감마기준전압(GMA14) > 제5 감마기준전압(GMA15)이 되도록 정해진다.

제6 튜닝저항(R06)과 제7 튜닝저항(R07) 사이에 접속된 저항들(R75 내지 R78)의 저항값은 중간계조의 부극성 감마기준전압들(GMA7 내지 GMA9)의 관계가 제6 감마기준전압(GMA6) > 제7 감마기준전압(GMA7) > 제8 감마기준전압(GMA8) > 제9 감마기준전압(GMA9) > 제10 감마기준전압(GMA10)이 되도록 정해진다.

도 11은 감마보정회로(67)의 제4 실시예로써 6 비트[bits]의 디지털 입력 데이터에 대응하는 감마기준전압들을 발생하기 위한 감마보정회로(67)의 다른 예를 보여 준다.

도 11을 참조하면, 본 발명의 제4 실시예에 따른 감마보정회로(67)의 정극성 감마기준전압 발생부(67(PGR))는 데이터 IC(60)의 정극성 최상위 감마기준전압 입력단자(60e)를 통해 공급되는 고전위 외부전원(VDD)과, 데이터 IC(60)의 정극성 최하위 감마기준전압 입력단자(60g)를 통해 공급되는 저전위 외부전원(Vex-GMA5)을 직렬로 접속된 다수의 저항들(R05 내지 R74)로 분압하여 정극성 감마기준전압들(GMA1 내지 GMA5)을 발생한다. 정극성 감마기준전압들(GMA1 내지 GMA5)은 각 계조에 대응하는 정극성 감마보정전압들로 분압되어 DAC(65)에 공급된다.

정극성 최상위 감마기준전압 입력단자(60e)에 접속된 제5 튜닝저항(R05)은 고전위 외부전원(VDD)을 미리 설정된 저항값만큼 전압 강하시켜 제1 감마기준전압(GMA1)을 최적화한다. 이 제5 튜닝저항(R05)에 의해 제1 감마기준전압(GMA1)은 고전위 외부전원(VDD)-0.01V 내지 고전위 외부전원(VDD)-0.5V 사이의 전압, 바람직하게는 고전위 외부전원(VDD)-0.2V 내지 고전위 외부전원(VDD)-0.3V 사이의 전압이 된다.

제5 튜닝저항(R05)과 데이터 IC(60)의 정극성 최하위 감마기준전압 입력단자(60g) 사이에 접속된 저항들(R71 내지 R74)은 중간계조의 정극성 감마기준전압들을 최적화한다. 이 저항들(R71 내지 R74)의 저항값은 중간계조의 정극성 감마기준전압들(GMA2 내지 GMA4)의 관계가 제1 감마기준전압(GMA1) > 제2 감마기준전압(GMA2) > 제3 감마기준전압(GMA3) > 제4 감마기준전압(GMA4) > 제5 감마기준전압(GMA5)이 되도록 정해진다.

부극성 감마기준전압 발생부(67(NGR))는 데이터 IC(60)의 부극성 최하위 감마기준전압 입력단자(60h)를 통해 공급되는 고전위 외부전원(Vex-GMA6)과, 데이터 IC(60)의 부극성 최상위 감마기준전압 입력단자(60f)를 통해 공급되는 저전위 외부전원(VSS)을 직렬로 접속된 다수의 저항들(R75 내지 R07)로 분압하여 부극성 감마기준전압들(GMA6 내지 GMA10)을 발생한다. 부극성 감마기준전압들(GMA6 내지 GMA10)은 각 계조에 대응하는 정극성 감마보정전압들로 분압되어 DAC(65)에 공급된다.

부극성 최상위 감마기준전압 입력단자(60f)에 접속된 제7 튜닝저항(R07)은 저전위 외부전원(VSS)을 미리 설정된 저항값만큼 전압 강하시켜 제10 감마기준전압(GMA10)을 최적화한다. 이 제7 튜닝저항(R07)에 의해 제10 감마기준전압(GMA10)은 저전위 외부전원(VSS)+0.01V 내지 저전위 외부전원(VSS)+0.5V 사이의 전압, 바람직하게는 저전위 외부전원(VSS)+0.2V 내지 저전위 외부전원(VDD)+0.3V 사이의 전압으로 된다.

데이터 IC(60)의 부극성 최하위 감마기준전압 입력단자(60h)와 제7 튜닝저항(R07) 사이에 접속된 저항들(R75 내지 R78)는 중간계조의 부극성 감마기준전압들을 최적화한다. 이 저항들(R75 내지 R78)의 저항값은 중간계조의 부극성 감마기준전압들(GMA7 내지 GMA9)의 관계가 제6 감마기준전압(GMA6) > 제7 감마기준전압(GMA7) > 제8 감마기준전압(GMA8) > 제9 감마기준전압(GMA9) > 제10 감마기준전압(GMA10)이 되도록 정해진다.

본 발명의 제4 실시예에 따른 감마보정회로(67)는 외부전원(4)과 데이터 IC(60)의 정극성 최하위 감마기준전압 입력단자(60g) 사이에 접속된 제1 전압조정부(101)와, 외부전원(4)과 데이터 IC(60)의 부극성 최하위 감마기준전압 입력단자(60h) 사이에 접속된 제2 전압조정부(102)를 더 구비한다.

제1 전압조정부(101)는 고전위 외부전원(VDD)의 전압을 조정하여 제5 감마기준전압(GMA5)을 최적화한다.

제2 전압조정부(102)는 고전위 외부전원(VDD)의 전압을 조정하여 제6 감마기준전압(GMA6)을 최적화한다.

도 12는 제1 및 제2 전압조정부(101, 102)의 일예를 나타낸다.

도 12를 참조하면, 제1 및 제2 전압조정부(101, 102)는 고전위 외부전원(VDD)을 분압하기 위한 저항들(R5 내지 R8)과, 분압된 전압을 데이터 IC(60)에 공급하기 위한 연산증폭기(OP3, OP4)를 구비한다.

제1 전압조정부(101)의 제5 및 제6 저항(R5, R6)은 고전위 외부전원(VDD)과 기저전원(GND) 사이에 직렬로 접속되어 고전위 외부전원(VDD)을 분압함으로써 제5 감마기준전압(GMA5)을 발생한다. 제3 연산증폭기(OP3)는 제5 및 제6 저항(R5, R6) 사이의 노드로부터 자신의 비반전단자에 공급되는 제5 감마기준전압(GMA5)을 신호 감쇠없이 데이터 IC(60)에 공급한다. 제3 연산증폭기(OP3)의 비반전단자와 기저전원(GND) 사이에는 제3 캐패시터(C3)가 접속된다. 제5 및 제6 저항(R5, R6) 중 적어도 하나는 제5 감마기준전압(GMA5)이 최적화될 수 있도록 그 저항값이 변할 수 있는 가변저항으로 구현된다.

제2 전압조정부(102)의 제7 및 제8 저항(R7, R8)은 고전위 외부전원(VDD)과 기저전원(GND) 사이에 직렬로 접속되어 고전위 외부전원(VDD)을 분압함으로써 제6 감마기준전압(GMA6)을 발생한다. 제4 연산증폭기(OP4)는 제7 및 제8 저항(R7, R8) 사이의 노드로부터 자신의 반전단자에 공급되는 제6 감마기준전압(GMA6)을 신호 감쇠없이 데이터 IC(60)에 공급한다. 제2 연산증폭기(82)의 비반전단자와 기저전원(GND) 사이에는 제4 캐패시터(C4)가 접속된다. 제7 및 제8 저항(R7, R8) 중 적어도 하나는 제6 감마기준전압(GMA6)이 최적화될 수 있도록 그 저항값이 변할 수 있는 가변저항으로 구현된다.

상술한 바와 같이, 본 발명에 따른 액정표시소자의 감마보정회로는 정극성 감마기준전압 발생회로와 부극성 감마기준전압 발생회로 각각에서 최상위 감마기준전압을 최적화하기 위한 저항과 최하위 감마기준전압을 최적화하기 위한 저항을 데이터 IC 내에 내장하여 데이터 IC 외부에서 감마보정전압의 튜닝이 최소화되어 튜닝에 필요한 시간과 노력을 최소화할 수 있어 작업성을 개선할 수 있다. 나아가, 본 발명에 따른 액정표시소자의 감마보정회로는 정극성 감마기준전압 발생회로와 부극성 감마기준전압 발생회로 각각에서 최하위 감마기준전압을 외부에서 조절 가능하게 하므로 감마기준전압들을 정밀하게 튜닝할 수 있을뿐 아니라, 감마보정전압의 튜닝을 위한 저항들이 인쇄회로보드 상에서 생략될 수 있으므로 그 인쇄회로보드의 설계가 용이하게 된다.

이상 설명한 내용을 통해 당업자라면 본 발명의 기술사상을 일탈하지 아니하는 범위에서 다양한 변경 및 수정이 가능함을 알 수 있을 것이다. 따라서, 본 발명의 기술적 범위는 명세서의 상세한 설명에 기재된 내용으로 한정되는 것이 아니라 특허 청구의 범위에 의해 정하여져야만 할 것이다.

도 1은 액정표시소자에 있어서 하나의 액정셀을 등가적으로 나타내는 등가 회로도이다.

도 2는 8 비트[bits]의 디지털 입력 데이터가 입력되는 액정표시소자의 데이터 집적회로에 내장되는 감마보정회로를 보여 주는 회로도이다.

도 3은 6 비트[bits]의 디지털 입력 데이터가 입력되는 액정표시소자의 데이터 집적회로에 내장되는 감마보정회로를 보여 주는 회로도이다.

도 4는 도 3에 도시된 감마보정회로에 의해 발생되는 감마보정전압들을 나타내는 그래프이다.

도 5는 본 발명의 실시예에 따른 액정표시소자를 나타내는 블록도이다.

도 6은 도 5에 도시된 데이터 구동부를 상세히 나타내는 블록도이다.

도 7은 도 6에 도시된 감마보정회로의 제1 실시예를 나타내는 회로도이다.

도 8은 도 6에 도시된 감마보정회로의 제2 실시예를 나타내는 회로도이다.

도 9는 도 8에 도시된 전압조정부를 상세히 나타내는 회로도이다.

도 10은 도 6에 도시된 감마보정회로의 제3 실시예를 나타내는 회로도이다.

도 11은 도 6에 도시된 감마보정회로의 제4 실시예를 나타내는 회로도이다.

도 12는 도 11에 도시된 전압조정부를 상세히 나타내는 회로도이다.

< 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명 >

1 : 타이밍 콘트롤러 2 : 데이터 구동부

3 : 게이트 구동부 4, 22, 32 : 외부전원

5 : 액정표시패널 21, 31, 60 : 데이터 집적회로

R01 내지 R07 : 튜닝저항 81, 82, 101, 102 : 전압조정부

Claims

고전위 전압과 저전위 전압을 발생하기 위한 전원과;

액정표시소자의 데이터라인들에 접속된 데이터 집적회로와;

상기 고전위 전압과 상기 저전위 전압을 이용하여 다수의 감마기준전압들을 발생하기 위한 감마기준전압 발생회로와;

상기 데이터 집적회로 내에 위치하며 상기 고전위 전압을 이용하여 상기 다수의 감마기준전압들 중 최상위 감마기준전압을 상기 고전위 전압-0.01V 내지 상기 고전위 전압-0.5V 사이의 전압으로 튜닝하기 위한 제1 튜너와;

상기 데이터 집적회로 내에 위치하며 상기 저전위 전압을 이용하여 상기 다수의 감마기준전압들 중 최하위 감마기준전압을 상기 저전위 전압+0.01V 내지 상기 저전위 전압+0.5V 사이의 전압으로 튜닝하기 위한 제2 튜너를 구비하는 것을 특징으로 하는 액정표시소자의 감마보정회로.
제 1 항에 있어서,

상기 제1 및 제2 튜너 각각은,

전압강하를 일으키는 저항을 구비하는 것을 특징으로 하는 액정표시소자의 감마보정회로.
제 1 항에 있어서,

상기 제1 튜너는,

상기 최상위 감마기준전압을 상기 고전위 전압-0.2V 내지 상기 고전위 전압-0.3V 사이의 전압으로 튜닝하는 것을 특징으로 하는 액정표시소자의 감마보정회로.
제 1 항에 있어서,

상기 제2 튜너는,

상기 최하위 감마기준전압을 상기 저전위 전압+0.2V 내지 상기 저전위 전압+0.3V 사이의 전압으로 튜닝하는 것을 특징으로 하는 액정표시소자의 감마보정회로.
고전위 전압과 저전위 전압을 발생하기 위한 전원과;

액정표시소자의 데이터라인들에 접속된 데이터 집적회로와;

상기 고전위 전압과 상기 저전위 전압을 이용하여 다수의 감마기준전압들을 발생하기 위한 감마기준전압 발생회로와;

상기 데이터 집적회로 내에 위치하며 상기 고전위 전압을 이용하여 상기 다수의 감마기준전압들 중 최상위 감마기준전압을 상기 고전위 전압-0.01V 내지 상기 고전위 전압-0.5V 사이의 전압으로 튜닝하기 위한 제1 튜너와;

상기 고전위 전압을 이용하여 상기 다수의 감마기준전압들 중 최하위 감마기준전압을 튜닝하기 위한 제2 튜너를 구비하는 것을 특징으로 하는 액정표시소자의 감마보정회로.
제 5 항에 있어서,

상기 제1 튜너는,

상기 최상위 감마기준전압을 상기 고전위 전압-0.2V 내지 상기 고전위 전압-0.3V 사이의 전압으로 튜닝하는 것을 특징으로 하는 액정표시소자의 감마보정회로.
제 5 항에 있어서,

상기 제2 튜너는,

상기 데이터 집적회로의 외부에서 상기 최하위 감마기준전압을 튜닝하는 것을 특징으로 하는 액정표시소자의 감마보정회로.
고전위 전압과 저전위 전압을 발생하기 위한 전원과;

액정표시소자의 데이터라인들에 접속된 데이터 집적회로와;

상기 고전위 전압과 상기 저전위 전압을 이용하여 다수의 감마기준전압들을 발생하기 위한 감마기준전압 발생회로와;

상기 고전위 전압을 이용하여 상기 다수의 감마기준전압들 중 최상위 감마기준전압을 튜닝하기 위한 제1 튜너와;

상기 데이터 집적회로 내에 위치하며 상기 저전위 전압을 이용하여 상기 다수의 감마기준전압들 중 최하위 감마기준전압을 상기 저전위 전압+0.01V 내지 상기 저전위 전압+0.5V 사이의 전압으로 튜닝하기 위한 제2 튜너를 구비하는 것을 특징으로 하는 액정표시소자의 감마보정회로.
제 7 항에 있어서,

상기 제2 튜너는,

상기 최하위 감마기준전압을 상기 저전위 전압+0.2V 내지 상기 저전위 전압+0.3V 사이의 전압으로 튜닝하는 것을 특징으로 하는 액정표시소자의 감마보정회로.
제 7 항에 있어서,

상기 제1 튜너는,

상기 데이터 집적회로의 외부에서 상기 최상위 감마기준전압을 튜닝하는 것을 특징으로 하는 액정표시소자의 감마보정회로.