KR20050055413A - Liquid crystal display - Google Patents

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KR20050055413A
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gate
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손정호
홍성환
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홍성규
유재진
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삼성전자주식회사
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Abstract

본 발명에 따른 액정 표시 장치는 제1 절연 기판, 제1 절연 기판 위에 형성되어 있는 복수의 게이트선, 게이트선과 교차하는 복수의 데이터선, 각각의 게이트선 및 데이터선에 각각 연결되어 있는 복수의 박막 트랜지스터, 각각의 박막 트랜지스터와 연결되어 있는 복수의 화소 전극을 포함하는 박막 트랜지스터 표시판, 제1 절연 기판과 대향하는 제2 절연 기판, 제2 절연 기판 위에 형성되어 있는 공통 전극을 포함하는 대향 표시판, 각 화소 전극과 대응하여 색을 표시하기 위한 적, 녹, 청의 색필터, 박막 트랜지스터 표시판과 색필터 표시판 사이에 충진되어 있는 액정을 포함하고, 화소 전극 및 공통 전극은 도메인 분할 수단으로 서로 교차하는 선형의 제1 및 제2 절개부를 가지고 있다.The liquid crystal display according to the present invention includes a first insulating substrate, a plurality of gate lines formed on the first insulating substrate, a plurality of data lines crossing the gate lines, a plurality of thin films connected to the respective gate lines and the data lines, respectively. A thin film transistor array panel including a transistor, a plurality of pixel electrodes connected to each thin film transistor, a second insulating substrate facing the first insulating substrate, and an opposing display panel including a common electrode formed on the second insulating substrate; A red, green, and blue color filter for displaying color corresponding to the pixel electrode, and a liquid crystal filled between the thin film transistor array panel and the color filter display panel, wherein the pixel electrode and the common electrode are linear to cross each other by domain division means. It has a first and a second incision.

Description

액정 표시 장치{Liquid crystal display}Liquid crystal display

본 발명은 액정 표시 장치에 관한 것으로 더욱 상세하게는 다중 도메인을 가지는 액정 표시 장치에 관한 것이다. The present invention relates to a liquid crystal display device, and more particularly, to a liquid crystal display device having multiple domains.

액정 표시 장치는 현재 가장 널리 사용되고 있는 평판 표시 장치 중 하나로서, 전극이 형성되어 있는 상부 표시판 및 하부 표시판과 그 사이에 충진되어 있는 액정층으로 이루어진다. 그리고 표시판의 외부에 빛을 편광시키는 편광판이 부착되어 있다. The liquid crystal display is one of the most widely used flat panel displays, and includes an upper panel and a lower panel on which electrodes are formed, and a liquid crystal layer filled therebetween. A polarizer for polarizing light is attached to the outside of the display panel.

하부 표시판으로 이용되는 박막 트랜지스터(Thin Film Transistor, TFT) 표시판은 표시 장치 등에서 각 화소를 독립적으로 구동하기 위한 회로 기판으로써 사용되는 것으로 박막 트랜지스터에 주사 신호를 공급하는 게이트선과 화상 신호를 공급하는 데이터선 등의 배선이 형성되어 있다. 그리고 상부 표시판으로 사용되는 대향 표시판은 색을 형성하기 위한 색필터와 블랙 매트릭스, 대향 전극 등이 형성되어 있다. A thin film transistor (TFT) display panel used as a lower display panel is used as a circuit board for independently driving each pixel in a display device, and the like. A gate line for supplying a scan signal to the thin film transistor and a data line for supplying an image signal Wiring such as this is formed. The opposite display panel used as the upper display panel includes a color filter, a black matrix, and an opposite electrode for forming color.

이러한 액정 표시 장치는 충진되어 있는 액정의 배향 특성에 따라 TN mode, VA mode, IPS mode 등과 같이 구분 될 수 있다. The liquid crystal display may be classified into a TN mode, a VA mode, and an IPS mode according to the alignment characteristics of the filled liquid crystal.

TN mode액정 표시 장치는 일반적으로 비틀린 네마틱(Twisted Nematic : 이하 TN 이라 함) 액정이 사용된다. TN 액정 분자들은 가늘고 긴 막대모양을 가지며 기판에 평행하게 배열되어 있는 상태에서 일정한 길이(pitch)를 가지고 하부 기판에서 상부 기판에 이르기까지 나선상으로 꼬여 있어 액정 분자의 장축의 배열 방위가 연속적으로 변화되는 뒤틀린 구조를 갖는다. TN mode liquid crystal display device is generally used twisted nematic (hereinafter referred to as TN) liquid crystal. The TN liquid crystal molecules have a thin long rod shape and are arranged in parallel to the substrate, have a constant pitch, and are twisted in a spiral from the lower substrate to the upper substrate so that the alignment direction of the long axis of the liquid crystal molecules is continuously changed. It has a twisted structure.

TN 액정을 이용한 액정 표시 장치에서는 입사한 편광이 분자의 장축과 단축의 배열에 따라 각기 다른 광시야각적 특성을 나타낸다. 액정 표시 장치의 시야각은 나선구조의 액정 분자들의 장축을 따라 형성되므로, 보는 각도에 따라 분자의 장축이 변하게 된다. 이러한 액정 표시 장치에서는 수평 방향에 대해서 대칭적인 시야각을 가지며 수직 방향에 대해서는 비대칭적인 시야각을 가지며, 특히 셀의 중심에서의 액정 경사 방위와 시야각이 일치하는 방향에서는 계조반전(grey level)현상이 나타난다. 따라서 수평 방향의 시야각에 대해서는 광투과율이 비교적 대칭적으로 분포하지만 상하방향에 대해서는 광투과율이 비대칭적으로 분포하기 때문에 상하방향의 시야각에서는 이미지가 반전되는 범위가 발생하여 시야각이 좁고, 대비비가 저하되는 단점을 가지고 있다. In a liquid crystal display device using a TN liquid crystal, the incident polarized light exhibits different optical viewing angle characteristics according to the arrangement of the long axis and the short axis of the molecule. Since the viewing angle of the liquid crystal display device is formed along the long axis of the liquid crystal molecules of the spiral structure, the long axis of the molecule changes according to the viewing angle. Such a liquid crystal display has a symmetrical viewing angle with respect to the horizontal direction and an asymmetrical viewing angle with respect to the vertical direction. In particular, a gray level phenomenon occurs in a direction in which the liquid crystal tilt direction and the viewing angle at the center of the cell coincide with each other. Therefore, the light transmittance is distributed relatively symmetrically with respect to the horizontal viewing angle, but the light transmittance is distributed asymmetrically with respect to the vertical direction, so that the image is inverted in the vertical viewing angle so that the viewing angle is narrow and the contrast ratio is lowered. It has a disadvantage.

이러한 문제점을 해결하기 위해 광시야각 특성을 갖는 액정 표시 장치가 개발되었으며, 그 예로 평면 구동(in-plane-switching : 이하 IPS라 칭함) 방식과 수직 배향(Vertically aligned mode : 이하 VA라 칭함) 방식 등이 있다. In order to solve this problem, a liquid crystal display device having a wide viewing angle characteristic has been developed. For example, an in-plane-switching (hereinafter referred to as IPS) method and a vertically aligned mode (hereinafter referred to as VA) method are used. There is this.

IPS 방식은 동일한 기판에 선형의 공통 전극과 화소 전극이 소정 간격 이격하여 형성된 구조이며, 화소 전극과 기준 전극 사이에 분포하는 횡전계에 의해 액정 분자가 배열되기 대문에 보는 방향이 변하더라도 액정 분자의 굴절율의 변화가 작으므로 시야각이 개선된다. 그러나 횡전계 방식 모드는 단일 화소 상에 기준 전극과 화소 전극이 동시에 형성되므로 액정 패널의 개구율이 감소하고, 휘도 특성이 좋지 않으며 응답 속도가 느린 단점이 있다. The IPS scheme is a structure in which linear common electrodes and pixel electrodes are spaced apart from each other on the same substrate by a predetermined interval, and the liquid crystal molecules are aligned even when the viewing direction changes due to the arrangement of the liquid crystal molecules by the transverse electric field distributed between the pixel electrodes and the reference electrodes. Since the change in the refractive index is small, the viewing angle is improved. However, in the transverse electric field mode, since the reference electrode and the pixel electrode are simultaneously formed on a single pixel, the aperture ratio of the liquid crystal panel is reduced, the luminance characteristic is poor, and the response speed is slow.

VA 모드는 액정 분자를 대향 전극과 화소 전극이 각각 형성되어 있는 상하 기판에 대하여 수직으로 배향하는 방식이며, 광시야각을 구현하기 위해 화소 전극과 그 대향 전극인 공통 전극에 일정한 절개 패턴을 형성하거나 돌기를 형성하여 화소를 다중 도메인으로 분할하는 PVA(patterned vertical alignment)모드가 개발 중이다.In the VA mode, the liquid crystal molecules are oriented vertically with respect to the upper and lower substrates on which the counter electrode and the pixel electrode are formed, respectively. In order to realize a wide viewing angle, a constant incision pattern is formed or formed on the pixel electrode and the common electrode as the counter electrode. A patterned vertical alignment (PVA) mode is formed that divides the pixel into multiple domains.

그러나 이러한 PVA 모드는 정면의 감마(gamma)곡선과 측면의 감마 곡선이 일치하지 않는 측면 감마 곡선 왜곡 현상이 발생하여 TN(twisted nematic) 모드에 비하여도 좌우측면에서 열등한 시인성을 나타낸다. 예를 들어, 도메인 분할 수단으로 절개부르 형성하는 PVA 모드의 경우에는 측면으로 갈수록 전체적으로 화면이 밝게 보이고 색은 흰색 쪽으로 이동하는 경향이 있으며, 심한 경우에는 밝은 계조 사이의 간격 차이가 없어져서 그림이 뭉그러져 보이는 경우도 발생한다. However, in the PVA mode, the gamma curve of the front and the gamma curve of the side do not coincide with each other, resulting in inferior visibility in the left and right sides compared to the twisted nematic (TN) mode. For example, in the case of the PVA mode in which the domain is divided by means of division, the screen tends to appear brighter toward the side and the color tends to shift toward the white side.In severe cases, the picture is clumped because there is no gap between the bright gradations. It also happens.

따라서 본 발명에 따른 목적은 광시야각을 구현할 수 있는 동시에 시인성을 확보할 수 있고, 높은 대비비를 가질 수 있는 액정 표시 장치를 제공하기 위한 것이다. Accordingly, an object of the present invention is to provide a liquid crystal display device which can realize a wide viewing angle and ensure visibility and can have a high contrast ratio.

상기한 목절을 달성하기 위한 본 발명에 따른 액정 표시 장치는 상, 하부 표시판의 절개부가 교차되도록 형성한다. The liquid crystal display according to the present invention for achieving the above-described paragraph is formed so that the cutouts of the upper and lower display panels intersect.

구체적으로, 본 발명에 따른 액정 표시 장치는 제1 절연 기판, 제1 절연 기판 위에 형성되어 있는 복수의 게이트선, 게이트선과 교차하는 복수의 데이터선, 각각의 게이트선 및 데이터선에 각각 연결되어 있는 복수의 박막 트랜지스터, 각각의 박막 트랜지스터와 연결되어 있는 복수의 화소 전극을 포함하는 박막 트랜지스터 표시판, 제1 절연 기판과 대향하는 제2 절연 기판, 제2 절연 기판 위에 형성되어 있는 공통 전극을 포함하는 대향 표시판, 각 화소 전극과 대응하여 색을 표시하기 위한 적, 녹, 청의 색필터, 박막 트랜지스터 표시판과 색필터 표시판 사이에 충진되어 있는 액정을 포함하고, 화소 전극 및 공통 전극은 도메인 분할 수단으로 서로 교차하는 선형의 제1 및 제2 절개부를 가지고 있다.Specifically, the liquid crystal display according to the present invention is connected to a first insulating substrate, a plurality of gate lines formed on the first insulating substrate, a plurality of data lines intersecting the gate lines, respective gate lines and data lines, respectively. A thin film transistor array panel including a plurality of thin film transistors and a plurality of pixel electrodes connected to each thin film transistor, a second insulating substrate facing the first insulating substrate, and a counter including a common electrode formed on the second insulating substrate. A display panel, a red, green, and blue color filter for displaying color corresponding to each pixel electrode, and a liquid crystal filled between the thin film transistor array panel and the color filter display panel, wherein the pixel electrode and the common electrode cross each other by domain division means. Has linear first and second incisions.

여기서 액정은 음의 유전율 이방성을 가지는 것이 바람직하다. It is preferable that a liquid crystal has negative dielectric anisotropy here.

그리고 박막 트랜지스터는, 게이트선과 연결되어 있는 게이트 전극, 게이트 전극과 중첩하는 반도체층, 반도체층과 소정 영역이 중첩하며 데이터선과 연결되어 있는 소스 전극, 반도체층과 소정 영역이 중첩하며 소스 전극과 게이트 전극을 중심으로 대향하는 드레인 전극을 포함한다. The thin film transistor includes a gate electrode connected to a gate line, a semiconductor layer overlapping the gate electrode, a source electrode overlapping the semiconductor layer and a predetermined region, and a data electrode overlapping the data line, a semiconductor layer and a predetermined region overlapping the source electrode and the gate electrode. It includes a drain electrode opposed to the center.

이때, 소스 전극을 가지는 데이터선, 드레인 전극은 반도체층의 소정 영역을 제외하고 동일한 평면 패턴을 가질 수 있다. In this case, the data line and the drain electrode having the source electrode may have the same planar pattern except for a predetermined region of the semiconductor layer.

또한, 제1 및 제2 절개부는 적어도 2개 이상 형성되어 있는 것이 바람직하고, 색필터는 제1 절연 기판 또는 제2 절연 기판 위에 형성되어 있는 바람직하다.In addition, at least two first and second cutouts are preferably formed, and the color filter is preferably formed on the first insulating substrate or the second insulating substrate.

또한, 공통 전극 및 화소 전극에 소정 전압이 인가되지 않는 상태에서 액정은 제1 및 제2 절연 기판에 수직하게 배향되어 있는 것이 바람직하다.In addition, the liquid crystal is preferably oriented perpendicular to the first and second insulating substrates in a state where a predetermined voltage is not applied to the common electrode and the pixel electrode.

또한, 공통 전극 및 화소 전극에 소정 전압이 인가되는 상태에서 다수의 도메인으로 분할 배향되는 것이 바람직하다.In addition, it is preferable to divide and align the plurality of domains with a predetermined voltage applied to the common electrode and the pixel electrode.

또한, 도메인을 형성하는 액정은 비틀린 네마틱 구조를 배향되는 것이 바람직하다.In addition, the liquid crystal forming the domain is preferably oriented a twisted nematic structure.

첨부한 도면을 참고로 하여 본 발명의 실시예에 대하여 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있도록 상세히 설명한다. 그러나 본 발명은 여러 가지 상이한 형태로 구현될 수 있으며 여기에서 설명하는 실시예에 한정되지 않는다.DETAILED DESCRIPTION Embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings so that those skilled in the art may easily implement the present invention. As those skilled in the art would realize, the described embodiments may be modified in various different ways, all without departing from the spirit or scope of the present invention.

도면에서 여러 층 및 영역을 명확하게 표현하기 위하여 두께를 확대하여 나타내었다. 명세서 전체를 통하여 유사한 부분에 대해서는 동일한 도면 부호를 붙였다. 층, 막, 영역, 판 등의 부분이 다른 부분 위에 있다고 할 때, 이는 다른 부분 바로 위에 있는 경우 뿐 아니라 그 중간에 또 다른 부분이 있는 경우도 포함한다. 반대로 어떤 부분이 다른 부분 바로 위에 있다고 할 때에는 중간에 다른 부분이 없는 것을 뜻한다.In the drawings, the thickness of layers, films, panels, regions, etc., are exaggerated for clarity. Like parts are designated by like reference numerals throughout the specification. When a part of a layer, film, region, plate, etc. is over another part, this includes not only the part directly above the other part but also another part in the middle. In contrast, when a part is just above another part, it means that there is no other part in between.

이제 본 발명의 실시예에 따른 박막 트랜지스터 표시판에 대하여 도면을 참고로 하여 상세하게 설명한다. A thin film transistor array panel according to an exemplary embodiment of the present invention will now be described in detail with reference to the accompanying drawings.

[제1 실시예] [First Embodiment]

도 1은 본 발명의 한 실시예에 따른 액정 표시 장치의 배치도이고, 도 2는 도 1의 II-II'선을 따라 자른 단면도이고, 도 3은 도 1의 III-III'선을 따라 자른 단면도이고, 도 4는 도 1에 도시한 액정 표시 장치를 이루기 위한 상부 표시판의 배치도이고, 도 5는 도 1에 도시한 액정 표시 장치를 이루기 위한 하부 표시판의 배치도이다. 1 is a layout view of a liquid crystal display according to an exemplary embodiment of the present invention, FIG. 2 is a cross-sectional view taken along the line II-II 'of FIG. 1, and FIG. 3 is a cross-sectional view taken along the line III-III' of FIG. 1. 4 is a layout view of an upper panel for forming the liquid crystal display shown in FIG. 1, and FIG. 5 is a layout view of a lower panel for forming the liquid crystal display shown in FIG. 1.

도 1 내지 도 5에 도시한 바와 같이, 본 발명에 따른 액정 표시 장치는 서로 대향하고 있는 하부 표시판(또는 박막 트랜지스터 표시판, 100)과 상부 표시판(또는 대향 표시판, 200), 하부 표시판(100)과 상부 표시판(200) 사이에 충진되어 있으며 두 표시판(100, 200)에 대하여 수직으로 배향되어 있는 액정 분자(도시하지 않음)를 포함하여 이루어진다. 1 to 5, the liquid crystal display according to the present invention includes a lower display panel (or a thin film transistor array panel 100), an upper display panel (or opposing display panel 200), and a lower display panel 100 that face each other. The liquid crystal molecules (not shown) are filled between the upper panel 200 and vertically oriented with respect to the two display panels 100 and 200.

하부 표시판(100)은 투명한 절연 물질로 이루어진 기판(110) 위에 ITO(indium tin oxide)나 IZO(indium zinc oxide) 등의 투명한 도전 물질로 이루어져 각각의 화소에 배치되어 있으며, 제1 절개부(191)를 복수개 가지고 있는 복수의 화소 전극(190)이 형성되어 있고, 각 화소 전극(190)은 박막 트랜지스터에 연결되어 화상 신호 전압을 인가 받는다. 이 때, 박막 트랜지스터는 주사 신호를 전달하는 게이트선(121)과 화상 신호를 전달하는 데이터선(171)에 각각 연결되어 주사 신호에 따라 화소 전극(190)에 전달되는 화상 신호를 온(on)/오프(off) 한다. The lower panel 100 is made of a transparent conductive material such as indium tin oxide (ITO) or indium zinc oxide (IZO) on the substrate 110 made of a transparent insulating material, and is disposed in each pixel, and the first cutout 191 A plurality of pixel electrodes 190 are formed, and each pixel electrode 190 is connected to a thin film transistor to receive an image signal voltage. In this case, the thin film transistor is connected to the gate line 121 for transmitting the scan signal and the data line 171 for transmitting the image signal, respectively, and turns on the image signal transmitted to the pixel electrode 190 according to the scan signal. Turn on / off.

상부 표시판(2)은 투명한 절연 기판(210) 위에 매트릭스 형태로 화소 영역을 정의하며 빛샘을 방지하기 위한 블랙 매트릭스(220)가 형성되어 있다. 그리고 화소 영역 위에는 적, 녹, 청색 색필터(230R, 230G, 230B)가 형성되어 있고, 색필터(230R, 230G, 230B)의 상부에는 공통 전극(270)이 형성되어 있다. The upper panel 2 defines a pixel area in a matrix form on the transparent insulating substrate 210, and a black matrix 220 is formed to prevent light leakage. The red, green, and blue color filters 230R, 230G, and 230B are formed on the pixel area, and the common electrode 270 is formed on the color filters 230R, 230G, and 230B.

색필터(230R, 230G, 230B)는 하부 표시판에 박막 트랜지스터와 함께 형성(도시하지 않음)될 수도 있다. 이 경우에는 색필터의 가장 자리가 데이터선 위에서 중첩하도록 형성하여 블랙 매트릭스의 역할을 할 수 있다. 따라서 블랙 매트릭스는 박막 트랜지스터와 대응하는 부분에만 남겨 화소 영역의 개구율을 향상시킬 수 있다. The color filters 230R, 230G, and 230B may be formed (not shown) together with the thin film transistors on the lower panel. In this case, the edges of the color filter may be formed to overlap each other on the data line, thereby serving as a black matrix. Therefore, the black matrix may be left only in portions corresponding to the thin film transistors to improve the aperture ratio of the pixel region.

공통 전극(270)에는 하부 표시판(100)의 제1 절개부(191)와 교차하는 제2 절개부(271)가 복수개 형성되어 있다. 그리고 공통 전극(270) 위에는 배향막(21)이 형성되어 있으며 배향막은 액정 분자(3)의 배열 방향 또는 선경사각(pretilt angle)을 결정하기 위해서 러빙되어 있는 것이 바람직한데, 그렇지 않을 수도 있다. The common electrode 270 has a plurality of second cutouts 271 intersecting with the first cutouts 191 of the lower panel 100. In addition, an alignment layer 21 is formed on the common electrode 270, and the alignment layer is preferably rubbed in order to determine the arrangement direction or the pretilt angle of the liquid crystal molecules 3.

그리고 이들(100, 200) 사이에 충진되어 있는 액정은 음의 유전율 이방성을 가지며 하부 표시판(100) 및 상부 표시판(200)에 형성되어 있는 배향막의 배향방향에 따라 일정한 선경사각을 가질 수 있다. 본 발명에 따른 액정은 전압이 인가되지 않은 상태에서는 기판(100, 200) 수직한 형태로 배열되어 있으며, 각 표시판(100, 200)에 형성되어 있는 배향막의 배향은 서로 교차한다. Liquid crystals filled between the liquid crystals 100 and 200 may have negative dielectric anisotropy and may have a predetermined pretilt angle according to the alignment directions of the alignment layers formed on the lower panel 100 and the upper panel 200. The liquid crystals according to the present invention are arranged in a vertical form with the substrates 100 and 200 in a state where no voltage is applied, and the alignment of the alignment layers formed on the display panels 100 and 200 cross each other.

또한, 상부 표시판(200)과 하부 표시판(100) 사이의 간격을 유지하기 위한 스페이서(도시하지 않음)와 액정(3)을 밀봉하기 위한 밀봉재(도시하지 않음)가 더 형성되어 있다. In addition, a spacer (not shown) for maintaining a gap between the upper panel 200 and the lower panel 100 and a sealant (not shown) for sealing the liquid crystal 3 are further formed.

이상 기술한 액정 표시 장치의 하부 표시판에 대해서 좀 더 구체적으로 설명하면 다음과 같다. Hereinafter, the lower panel of the liquid crystal display device described above will be described in more detail.

도시한 바와 같이, 본 발명에 따른 하부 표시판(100)은 투명한 절연 기판(110) 위에 복수의 게이트선(gate line)(121), 복수의 유지 전극선(storage electrode lines)(131)이 형성되어 있다.As illustrated, the lower panel 100 according to the present invention has a plurality of gate lines 121 and a plurality of storage electrode lines 131 formed on the transparent insulating substrate 110. .

게이트선(121)은 게이트 신호를 전달하며, 각 게이트선(121)의 일부분은 박막 트랜지스터의 게이트 전극(gate electrode)(124)을 이루는데, 게이트 전극(124)은 다양한 모양으로 변형되어 게이트선의 돌출부가 될 수도 있다. The gate line 121 transmits a gate signal, and a portion of each gate line 121 forms a gate electrode 124 of the thin film transistor, and the gate electrode 124 is deformed into various shapes to form a gate line. It may also be a protrusion.

그리고 유지 전극선(131)은 화소의 유지 용량을 증가시키기 위해서 화소 영역 안에 형성되고, 게이트선(121)과 분리되어 있으며, 주로 가로 방향으로 뻗어 있다. 유지 전극선(131)은 다른 표시판(도시하지 않음)의 공통 전극(common electrode)(도시하지 않음)에 인가되는 공통 전압(common voltage) 따위의 미리 정해진 소정의 전압을 인가 받는다. The storage electrode line 131 is formed in the pixel area to increase the storage capacitance of the pixel, is separated from the gate line 121, and mainly extends in the horizontal direction. The storage electrode line 131 receives a predetermined predetermined voltage such as a common voltage applied to a common electrode (not shown) of another display panel (not shown).

게이트선(121), 유지 전극선(131)은 알루미늄(Al)이나 알루미늄 합금 등 알루미늄 계열 금속 따위로 이루어진 도전막을 포함할 수 있으며, 이러한 도전막에 더하여 다른 물질, 특히 ITO(indium tin oxide) 또는 IZO(indium zinc oxide)와의 물리적, 화학적, 전기적 접촉 특성이 좋은 크롬(Cr), 티타늄(Ti), 탄탈륨(Ta), 몰리브덴(Mo) 및 이들의 합금[보기: 몰리브덴-텅스텐(MoW) 합금] 따위로 이루어진 다른 도전막을 포함하는 다층막 구조로 형성할 수 있다. 하부막과 상부막의 조합의 예로는 크롬/알루미늄-네오디뮴(AlNd) 합금을 들 수 있다.The gate line 121 and the storage electrode line 131 may include a conductive film made of an aluminum-based metal such as aluminum (Al) or an aluminum alloy. In addition to the conductive film, other materials such as indium tin oxide (ITO) or IZO may be used. chromium (Cr), titanium (Ti), tantalum (Ta), molybdenum (Mo) and their alloys (eg, molybdenum-tungsten (MoW) alloys) with good physical, chemical and electrical contact with indium zinc oxide It can be formed into a multilayer film structure including another conductive film made of. An example of the combination of the lower layer and the upper layer is chromium / aluminum-neodymium (AlNd) alloy.

그리고 이들(121, 131) 위에는 질화규소(SiNx) 따위로 이루어진 게이트 절연막(140)이 형성되어 있다. A gate insulating layer 140 made of silicon nitride (SiNx) is formed on the 121 and 131.

게이트 절연막(140) 위에는 수소화 비정질 규소(hydrogenated amorphous silicon)(비정질 규소는 약칭 a-Si로 씀) 등으로 이루어진 복수의 선형 반도체층(151)이 형성되어 있다. 선형 반도체층(151)은 주로 세로 방향으로 뻗어 있으며 이로부터 게이트 전극(124)까지 확대 형성되어 있는 복수의 돌출부(extension)(154)를 가진다. A plurality of linear semiconductor layers 151 made of hydrogenated amorphous silicon (amorphous silicon is abbreviated a-Si) and the like are formed on the gate insulating layer 140. The linear semiconductor layer 151 mainly extends in the vertical direction and has a plurality of extensions 154 extending therefrom to the gate electrode 124.

그리고 선형 반도체층(151)은 후술하는 소스 전극(173)과 드레인 전극(175) 사이에 가려지지 않는 부분을 가지고 있으며, 선형 반도체층(151)의 폭이 데이터선(171)의 폭보다 작다. The linear semiconductor layer 151 has a portion that is not covered between the source electrode 173 and the drain electrode 175, which will be described later, and the width of the linear semiconductor layer 151 is smaller than the width of the data line 171.

반도체층(151, 154)의 상부에는 실리사이드(silicide) 또는 n형 불순물이 고농도로 도핑되어 있는 n+ 수소화 비정질 규소 따위의 물질로 만들어진 복수의 선형 및 섬형 저항성 접촉층(ohmic contact)(161, 165)이 형성되어 있다. 선형 저항성 접촉층(161)은 복수의 돌출부(163)를 가지고 있으며, 이 돌출부(163)와 섬형 접촉층(165)는 쌍을 이루어 반도체층(151)의 돌출부(154) 위에 위치한다. On top of the semiconductor layers 151 and 154 a plurality of linear and island ohmic contacts 161 and 165 made of a material such as n + hydrogenated amorphous silicon doped with a high concentration of silicide or n-type impurities. Is formed. The linear ohmic contact layer 161 has a plurality of protrusions 163, and the protrusions 163 and the island contact layer 165 are paired and positioned on the protrusions 154 of the semiconductor layer 151.

저항성 접촉층(161, 165)은 그 하부의 반도체층(151, 154)과 그 상부의 데이터선(171) 및 드레인 전극(175) 사이에만 존재하며 이들 사이의 접촉 저항을 낮추어 주는 역할을 한다. 저항성 접촉층(161, 165)은 반도체층(151)의 소정 영역을 제외하고 반도체층(151)과 동일한 평면 패턴을 가진다. 반도체층(154)의 소정 영역은 박막 트랜지스터의 채널을 형성하는 채널부이다. The ohmic contacts 161 and 165 exist only between the semiconductor layers 151 and 154 below the data line 171 and the drain electrode 175 thereon, and serve to lower the contact resistance therebetween. The ohmic contacts 161 and 165 have the same planar pattern as the semiconductor layer 151 except for a predetermined region of the semiconductor layer 151. The predetermined region of the semiconductor layer 154 is a channel portion that forms a channel of the thin film transistor.

반도체층(151)은 게이트선(121)과 데이터선(171) 사이의 절연을 강화하기 위하여 게이트선(121)과 만나는 부분에서 폭이 커질 수 있다(도시하지 않음). 그리고 반도체층(151)과 데이터선(171) 사이의 기생 용량에 따라 데이터선(171) 아래의 선형 반도체층(151) 부분은 형성하지 않을 수 있다. The semiconductor layer 151 may increase in width at the portion where the semiconductor layer 151 meets the gate line 121 to enhance insulation between the gate line 121 and the data line 171 (not shown). The portion of the linear semiconductor layer 151 under the data line 171 may not be formed according to the parasitic capacitance between the semiconductor layer 151 and the data line 171.

반도체층(151, 154)과 저항성 접촉층(161, 165)의 측벽은 테이퍼지도록 형성되어 이들 위에 형성되는 층이 잘 밀착될 수 있도록 형성되어 있다. Sidewalls of the semiconductor layers 151 and 154 and the ohmic contacts 161 and 165 are formed to be tapered so that the layers formed thereon can be tightly adhered to each other.

저항 접촉층(161, 165) 및 게이트 절연막(140) 위에는 각각 복수의 데이터선(data line)(171)과 복수의 드레인 전극(drain electrode)(175)이 형성되어 있다.A plurality of data lines 171 and a plurality of drain electrodes 175 are formed on the ohmic contacts 161 and 165 and the gate insulating layer 140, respectively.

데이터선(171)은 선형 저항성 접촉층(161) 위에 형성되고, 주로 세로 방향으로 뻗어 게이트선(121)과 교차하며 데이터 전압(data voltage)을 전달한다. 그리고 드레인 전극(175)은 섬형 저항성 접촉층(165) 위에 형성되어 있다. The data line 171 is formed on the linear ohmic contact layer 161 and mainly extends in the vertical direction to cross the gate line 121 and transmit a data voltage. The drain electrode 175 is formed on the island resistive contact layer 165.

각 데이터선(171)에서 드레인 전극(175)을 향하여 뻗은 복수의 가지가 소스 전극(source electrode)(173)을 이룬다. 한 쌍의 소스 전극(173)과 드레인 전극(175)은 서로 분리되어 있으며 게이트 전극(124)에 대하여 서로 반대쪽에 위치한다. 게이트 전극(124), 소스 전극(173) 및 드레인 전극(175)은 반도체층(151)의 돌출부(154)와 함께 박막 트랜지스터(thin film transistor, TFT)를 이루며, 박막 트랜지스터의 채널(channel)은 소스 전극(173)과 드레인 전극(175) 사이의 돌출부(154)에 형성되어 있다. A plurality of branches extending from the data line 171 toward the drain electrode 175 forms a source electrode 173. The pair of source electrode 173 and the drain electrode 175 are separated from each other and positioned opposite to the gate electrode 124. The gate electrode 124, the source electrode 173, and the drain electrode 175 form a thin film transistor (TFT) together with the protrusion 154 of the semiconductor layer 151, and the channel of the thin film transistor The protrusion 154 is formed between the source electrode 173 and the drain electrode 175.

여기서 데이터선(171)의 한쪽 끝부분은 데이터 구동 회로(도시하지 않음)로부터 전달되는 신호를 전달받기 위해서 데이터선(171) 폭보다 넓을 수 있다. 그리고 드레인 전극(175)은 화소 전극(190)과 연결되는 부분이 유지 전극선(131)과 중첩하고 있다. 유지 전극선(131)에는 일정한 전압이 인가되어 유지 전극선 및 유지 전극과 드레인 전극 사이에 유지 축전기를 형성한다. One end of the data line 171 may be wider than the width of the data line 171 to receive a signal transmitted from a data driving circuit (not shown). A portion of the drain electrode 175 connected to the pixel electrode 190 overlaps the storage electrode line 131. A constant voltage is applied to the storage electrode line 131 to form a storage capacitor between the storage electrode line and the storage electrode and the drain electrode.

그리고 데이터선(171), 드레인 전극(175) 또한, 은 계열 금속 또는 알루미늄 계열 금속 따위로 이루어진 도전막을 포함할 수 있으며, 이러한 도전막에 더하여 크롬(Cr), 티타늄(Ti), 탄탈륨(Ta), 몰리브덴(Mo) 및 이들의 합금 따위로 이루어진 다른 도전막을 포함하는 다층막 구조로 형성할 수 있다. The data line 171 and the drain electrode 175 may also include a conductive film made of a silver metal or an aluminum metal. In addition to the conductive film, chromium (Cr), titanium (Ti), and tantalum (Ta) may be used. , Molybdenum (Mo) and alloys thereof, and the like, and may be formed in a multilayer film structure including another conductive film.

기판 위에는 데이터선(171), 드레인 전극(175) 및 노출된 반도체층(154)울 덮도록 보호막(180)이 형성되어 있다. 보호막(180)은 평탄화 특성이 우수하며 감광성(photosensitivity)을 가지는 유기 물질, 플라스마 화학 기상 증착(plasma enhanced chemical vapor deposition, PECVD)으로 형성되는 a-Si:C:O, a-Si:O:F 등의 저유전율 절연 물질, 또는 무기 물질인 질화 규소 따위로 이루어진다. The passivation layer 180 is formed on the substrate to cover the data line 171, the drain electrode 175, and the exposed semiconductor layer 154. The passivation layer 180 is a-Si: C: O, a-Si: O: F, which is formed of an organic material having excellent planarization characteristics and photosensitivity, and plasma enhanced chemical vapor deposition (PECVD). Low dielectric constant insulating materials such as silicon nitride or inorganic materials.

여기서 보호막(180)을 유전율이 4.0 이하의 저유전율 유기 물질로 형성할 수 있으며, 이때는 무기 물질로 형성할 때보다 보호막(180)의 두께가 두껍게 형성되므로 화소 전극(190)과 데이터선(171) 사이의 커플링 현상이 발생하지 않아 후술되는 화소 전극(190)의 가장 자리를 데이터선(171)과 중첩하여 화소의 개구율을 최대로할 수 있다. The passivation layer 180 may be formed of a low dielectric constant organic material having a dielectric constant of 4.0 or less. In this case, the thickness of the passivation layer 180 is thicker than that of the inorganic material, and thus the pixel electrode 190 and the data line 171 are formed. Since the coupling phenomenon does not occur, the edge of the pixel electrode 190, which will be described later, may overlap the data line 171 to maximize the aperture ratio of the pixel.

이러한 보호막(180)에는 데이터선(171)의 끝 부분을 노출하는 복수의 접촉구(contact hole)(182), 드레인 전극(175)을 노출하는 복수의 접촉구(185)가 형성되어 있다. In the passivation layer 180, a plurality of contact holes 182 exposing an end portion of the data line 171 and a plurality of contact holes 185 exposing the drain electrode 175 are formed.

보호막(180) 위에는 ITO(indium tin oxide) 또는 IZO(Indium zinc oxide)로 이루어진 복수의 화소 전극(pixel electrode)(190)과 복수의 접촉 보조 부재(contact assistant)(82)가 형성되어 있다. A plurality of pixel electrodes 190 and a plurality of contact assistants 82 formed of indium tin oxide (ITO) or indium zinc oxide (IZO) are formed on the passivation layer 180.

화소 전극(190)은 접촉구(185)을 통하여 드레인 전극(175)과 물리적·전기적으로 연결되어 드레인 전극(175)으로부터 데이터 전압을 인가 받는다. 데이터 전압이 인가된 화소 전극(190)은 다른 표시판의 공통 전극(도시하지 않음)과 함께 전기장을 생성함으로써 두 전극 사이의 액정 분자들을 재배열 시킨다.The pixel electrode 190 is physically and electrically connected to the drain electrode 175 through the contact hole 185 to receive a data voltage from the drain electrode 175. The pixel electrode 190 to which the data voltage is applied rearranges the liquid crystal molecules between the two electrodes by generating an electric field together with a common electrode (not shown) of another display panel.

보호막(180)을 저유전율을 가지는 유기 물질로 형성할 경우에는 화소 전극(190)을 이웃하는 게이트선(121) 및 데이터선(171)과 일부분 중첩되어 개구율(aperture ratio)을 높일 수 있다.When the passivation layer 180 is formed of an organic material having a low dielectric constant, the pixel electrode 190 may partially overlap the neighboring gate line 121 and the data line 171 to increase the aperture ratio.

접촉 보조 부재(82)는 접촉구(182)를 통하여 데이터선(171)의 한쪽 끝 부분과 연결된다. 게이트선(121)의 끝부분도 데이터선(171)의 끝부분과 같이 구동 회로와 연결하기 위한 구조를 가지는 경우에는 보호막(180)의 상부에 게이트용 접촉 보조 부재가 형성된다. The contact auxiliary member 82 is connected to one end of the data line 171 through the contact hole 182. When the end portion of the gate line 121 also has a structure for connecting with the driving circuit like the end portion of the data line 171, a gate contact auxiliary member is formed on the passivation layer 180.

접촉 보조 부재(82)는 외부와의 접착성을 보완하기 위한 것으로 특히, 칩의 형태로 기판(110) 또는 가용성 회로 기판(도시하지 않음) 위에 장착되는 경우에 필요한 것으로 구동 회로가 기판(110) 위에 직접 박막 트랜지스터 등으로 만들어지는 경우에는 형성하지 않는다. The contact assisting member 82 is to compensate for adhesion to the outside, and is particularly necessary when the contact auxiliary member 82 is mounted on the substrate 110 or a fusible circuit board (not shown) in the form of a chip. If it is made of a thin film transistor or the like directly above, it is not formed.

마지막으로 화소 전극(190), 접촉 보조 부재(82) 및 보호막(180) 위에는 배향막(11)이 형성되어 있다. 배향막(11)은 액정 분자들의 배열 방향을 결정하기 위한 러빙 처리가 되어 있다.Finally, an alignment layer 11 is formed on the pixel electrode 190, the contact auxiliary member 82, and the passivation layer 180. The alignment film 11 is subjected to a rubbing process for determining the alignment direction of the liquid crystal molecules.

그럼 본 발명에 따른 액정 표시 장치의 동작을 각 전극에 형성된 절개부를 중심으로 첨부한 도 6a 내지 도 9를 참조하여 설명한다. Next, the operation of the liquid crystal display according to the present invention will be described with reference to FIGS. 6A to 9 attached to the cutouts formed in the electrodes.

도 6a 및 도 6b는 Voff 상태에서 액정 분자의 배열을 개략적으로 도시한 도면이고, 도 7a 및 도 7b는 Von 상태에서 액정 분자의 배열 방향을 개략적으로 도시한 도면이고, 도 8a는 도 7b에서 a-b의 단면선을 잘라 도시한 단면도로서, Von 상태에서 액정 분자의 배열을 도시한 도면이고, 도 8b는 도 7a 에서 c-d의 단면선을 잘라 도시한 단면도로서, Von 상태에서 액정 분자의 배열을 도시한 도면이고, 도 9는 Von 상태에서 액정이 비틀리는 방향을 도시한 도면이다. 6A and 6B schematically illustrate the arrangement of liquid crystal molecules in the Voff state, and FIGS. 7A and 7B schematically illustrate the alignment direction of the liquid crystal molecules in the Von state, and FIG. 8A is ab in FIG. 7B. A cross-sectional view of the liquid crystal molecules in the Von state as shown in the cross-sectional view of FIG. 8B. FIG. 8B is a cross-sectional view of the liquid crystal molecules in the state of V in FIG. 7A. 9 is a view showing a direction in which the liquid crystal is twisted in the Von state.

먼저 전원이 인가되지 않을 경우(Voff)에 대해서 설명하면 도 6a 및 도 6b에 도시한 바와 같이, 액정 분자(3)은 상, 하부 표시판(100, 200)에 대해서 수직하게 배열되어 있다. 여기서 동그라미는 액정의 방향자(director)를 나타낸다. First, when no power is applied (Voff), as shown in FIGS. 6A and 6B, the liquid crystal molecules 3 are vertically arranged with respect to the upper and lower display panels 100 and 200. Here, the circle represents the director of the liquid crystal.

이후에 전원이 인가되면(Von) 도 7a 및 도 7b에 도시한 바와 같이, 각 전극(190, 270)에 형성되어 있는 절개부(191, 271)를 통하여 형성되는 프린지 필드의 영향으로 절개부에 인접하게 배치되어 있는 액정 분자들은 음의 유전율 이방성을 가지기 때문에 기판에 대하여 임의의 각을 가지면서 평행하게 마주하는 절개부(191, 271) 안쪽으로 기울어져 배열된다. Subsequently, when power is applied (Von), as shown in FIGS. 7A and 7B, the cutout portion is affected by the fringe field formed through the cutouts 191 and 271 formed in the electrodes 190 and 270. Since adjacent liquid crystal molecules have negative dielectric anisotropy, the liquid crystal molecules are arranged to be inclined into the cutouts 191 and 271 facing in parallel and having an arbitrary angle with respect to the substrate.

이때, 도 8a 및 도 8b에 도시한 바와 같이, 기판 근처에 위치하는 액정(3)은 각 절개부(191, 271)를 통하여 프린지 필드에 의해 기판(100, 200)에 대하여 임의의 각을 가지면서 연속적으로 배열되지만, 기판(100, 200)으로부터 멀어질수록 서로 마주하는 두 전극(190, 270)에 형성되는 전기장에 대하여 수직하며 표시판(100, 200)에 대해서 거의 수평하게 배열된다. At this time, as shown in FIGS. 8A and 8B, the liquid crystal 3 positioned near the substrate has an arbitrary angle with respect to the substrate 100 and 200 by a fringe field through the respective cutouts 191 and 271. While the substrates are arranged in succession, they are arranged perpendicular to the electric field formed on the two electrodes 190 and 270 facing each other as they move away from the substrates 100 and 200, and are arranged substantially horizontally with respect to the display panels 100 and 200.

그런데, 서로 마주하는 전극에 형성된 절개부(191, 271)는 서로 교차하여 배치되어 있어, 상, 하부 표시판(100, 200)에 인접한 액정(3)을 제외하고 두 표시판에 중앙에 배치되어 있는 액정 분자들은 도 9에 도시한 바와 같은 방향으로 방향자가 연속적으로 비틀어지게 되어 액정 분자들은 TN(Twisted nematic) 방식으로 비틀린 구조로 배열하는 동시에 4영역(A, B, C, D)으로 분할 배향된다. 예를 들어 A 영역의 액정 중에서, 하부 표시판에 인접한 액정(흰색 동그라미)은 절개부(191)에 의한 전계로 인해 수평한 방향으로 배열되나 상부 표시판에 의한 절개부에 인접할 수록 상부 표시판에 형성된 절개부(271)에 의한 전계의 영향을 받아 화살표 방향으로 비틀어진다. 여기서 액정의 배열이 달라지는 4 영역에서 각각 하나의 영역을 도메인이라 한다. However, the cutouts 191 and 271 formed on the electrodes facing each other are disposed to cross each other, and the liquid crystals are disposed at the centers of the two display panels except for the liquid crystals 3 adjacent to the upper and lower display panels 100 and 200. The molecules are continuously twisted in the direction in the direction as shown in FIG. 9, so that the liquid crystal molecules are arranged in a twisted structure in a twisted nematic (TN) manner and dividedly aligned in four regions (A, B, C, and D). For example, among the liquid crystals in the area A, the liquid crystals (white circles) adjacent to the lower panel are arranged in a horizontal direction due to the electric field by the cutout 191, but the incision formed on the upper panel is closer to the cutouts by the upper panel. It is twisted in the direction of the arrow under the influence of the electric field caused by the part 271. Herein, one region in each of four regions where the arrangement of liquid crystals is different is called a domain.

이처럼 본 발명의 실시예에서는 상, 하부 표시판에 형성된 공통 전극과 화소 전극에 서로 교차하는 절개부를 형성함으로써 액정 분자를 다수의 도메인으로 분할 배향함으로써 광시야각을 얻을 수 있는 동시에 TN 방식으로 액정 분자가 배열되어 있어 감마 곡선이 왜곡되는 현상을 최소화할 수 있어 시인성을 확보할 수 있다. As described above, according to the exemplary embodiment of the present invention, a wide viewing angle is obtained by dividing and aligning the liquid crystal molecules into a plurality of domains by forming cutouts intersecting with each other in the common electrode and the pixel electrode formed on the upper and lower display panels, and at the same time, arrange the liquid crystal molecules in a TN manner. As a result, distortion of the gamma curve can be minimized, thereby ensuring visibility.

또한, 초기 배열 방향인 노말리 블랙(normally black)모드에서 액정 분자가 기판에 대하여 수직하게 배열되어 높은 C/R(contrast ratio)를 얻을 수 있다. In addition, in the normally black mode, which is the initial arrangement direction, the liquid crystal molecules may be arranged perpendicularly to the substrate to obtain a high contrast ratio (C / R).

[제2 실시예]Second Embodiment

도 10은 본 발명의 제2 실시예에 따른 액정 표시 장치의 단면도로, 도 1의 II-II'선을 따라 자른 단면도이고, 도 11은 본 발명의 제2 실시예에 따른 액정 표시 장치의 단면도로 도 1의 III-III'선을 따라 자른 단면도이다. 10 is a cross-sectional view of the liquid crystal display according to the second exemplary embodiment of the present invention, taken along the line II-II ′ of FIG. 1, and FIG. 11 is a cross-sectional view of the liquid crystal display according to the second exemplary embodiment of the present invention. 1 is a cross-sectional view taken along the line III-III 'of FIG. 1.

도시한 바와 같이, 제2 실시예의 데이터선(171), 소스 전극(173) 및 드레인 전극(175)과 저항성 접촉층(161, 165)은 동일한 패턴으로 형성되어 있다. 그리고 저항성 접촉층(161, 165)은 반도체층(151, 154)의 소정 영역을 제외하고는 동일한 패턴으로 형성되어 있다. 소정 영역은 소스 전극(173)과 드레인 전극(175) 사이에 채널을 형성하는 채널 영역이다. 이상 설명한 부분을 제외하고는 제1 실시예와 동일한 구조로 형성되어 있다. As shown, the data line 171, the source electrode 173 and the drain electrode 175 and the ohmic contact layers 161 and 165 of the second embodiment are formed in the same pattern. The ohmic contacts 161 and 165 are formed in the same pattern except for a predetermined region of the semiconductor layers 151 and 154. The predetermined region is a channel region that forms a channel between the source electrode 173 and the drain electrode 175. Except for the parts described above, they are formed in the same structure as in the first embodiment.

이러한 본 발명의 제2 실시예에 따른 박막 트랜지스터 표시판의 제조 방법에서는 반도체층(151, 154) 및 저항성 접촉층(161, 165)과 데이터선(171) 및 드레인 전극(175)을 부분적으로 다른 두께를 가지는 감광막 패턴을 이용한 사진 식각 공정으로 함께 패터닝하여 형성하며, 이때 감광막 패턴은 투과 영역, 반투과 영역 및 차단 영역을 가지는 하나의 광마스크 또는 두 장의 광마스크를 이용한 사진 공정으로 형성한다. In the method of manufacturing the thin film transistor array panel according to the second exemplary embodiment of the present invention, the semiconductor layers 151 and 154, the ohmic contact layers 161 and 165, and the data line 171 and the drain electrode 175 have different thicknesses. It is formed by patterning together in a photolithography process using a photoresist pattern having a photoresist, wherein the photoresist pattern is formed by a photo process using a single photomask or two photomasks having a transmission region, a transflective region and a blocking region.

이상에서 본 발명의 바람직한 실시예에 대하여 상세하게 설명하였지만 본 발명의 권리범위는 이에 한정되는 것은 아니고 다음의 청구범위에서 정의하고 있는 본 발명의 기본 개념을 이용한 당업자의 여러 변형 및 개량 형태 또한 본 발명의 권리범위에 속하는 것이다.Although the preferred embodiments of the present invention have been described in detail above, the scope of the present invention is not limited thereto, and various modifications and improvements of those skilled in the art using the basic concepts of the present invention defined in the following claims are also provided. It belongs to the scope of rights.

이상 설명한 바와 같이, 다수의 도메인을 가지는 TN 구조의 액정 표시 장치를 형성하면 시야각 및 시인성이 향상된다. 또한, 수직 배향으로 인한 높은 C/R 값을 얻을 수 있기 때문에 고품질의 액정 표시 장치를 제공할 수 있다. As described above, when a liquid crystal display device having a TN structure having a plurality of domains is formed, the viewing angle and visibility are improved. In addition, since a high C / R value due to the vertical alignment can be obtained, a high quality liquid crystal display device can be provided.

도 1은 본 발명의 제1 실시예에 따른 액정 표시 장치의 배치도이고, 1 is a layout view of a liquid crystal display according to a first exemplary embodiment of the present invention.

도 2는 도 1의 II-II'선을 따라 자른 단면도이고, FIG. 2 is a cross-sectional view taken along the line II-II 'of FIG. 1,

도 3은 도 1의 III-III'선을 따라 자른 단면도이고, 3 is a cross-sectional view taken along the line III-III 'of FIG. 1,

도 4는 도 1에 도시한 액정 표시 장치를 이루기 위한 상부 표시판의 배치도이고, 4 is a layout view of an upper panel for forming the liquid crystal display shown in FIG. 1;

도 5는 도 1에 도시한 액정 표시 장치를 이루기 위한 하부 표시판의 배치도이고,FIG. 5 is a layout view of a lower panel for forming the liquid crystal display shown in FIG. 1;

도 6a 및 도 6b는 Voff 상태에서 액정 분자의 배열 방향을 개략적으로 도시한 도면이고, 6A and 6B are diagrams schematically showing an arrangement direction of liquid crystal molecules in a Voff state,

도 7a 및 도 7b는 Von 상태에서 액정 분자의 배열 방향을 개략적으로 도시한 도면이고, 7A and 7B schematically illustrate an arrangement direction of liquid crystal molecules in a Von state.

도 8a는 도 7b에서 a-b의 단면선을 잘라 도시한 단면도로서, Von 상태에서 액정 분자의 배열을 도시한 도면이고, FIG. 8A is a cross-sectional view taken along line a-b of FIG. 7B and illustrates an arrangement of liquid crystal molecules in a Von state. FIG.

도 8b는 도 7a 에서 c-d의 단면선을 잘라 도시한 단면도로서, Von 상태에서 액정 분자의 배열을 도시한 도면이고, FIG. 8B is a cross-sectional view taken along the line C-D of FIG. 7A and illustrates the arrangement of liquid crystal molecules in a Von state. FIG.

도 9는 Von 상태에서 액정 분자가 돌아가는 방향을 도시한 도면이고,9 is a diagram illustrating a direction in which liquid crystal molecules rotate in a Von state,

도 10은 본 발명의 제2 실시예에 따른 액정 표시 장치의 단면도로, 도 1의 II-II'선을 따라 자른 단면도이고, FIG. 10 is a cross-sectional view of the liquid crystal display according to the second exemplary embodiment of the present invention, taken along the line II-II ′ of FIG. 1.

도 11은 본 발명의 제2 실시예에 따른 액정 표시 장치의 단면도로, 도 1의 III-III'선을 따라 자른 단면도이다. FIG. 11 is a cross-sectional view of the liquid crystal display according to the second exemplary embodiment of the present invention, taken along the line III-III ′ of FIG. 1.

※도면의 주요부분에 대한 부호 설명※※ Explanation of symbols on main parts of drawing ※

11, 21 : 배향막 110, 210 : 절연 기판 11, 21: alignment film 110, 210: insulating substrate

140 : 게이트 절연막 121 : 게이트선 140: gate insulating film 121: gate line

171 : 데이터선 175 : 드레인 전극171: data line 175: drain electrode

180 : 보호막 190 : 화소 전극180: protective film 190: pixel electrode

220 : 블랙 매트릭스 270 : 공통 전극220: black matrix 270: common electrode

Claims (9)

제1 절연 기판, 상기 제1 절연 기판 위에 형성되어 있는 복수의 게이트선, 상기 게이트선과 교차하는 복수의 데이터선, 상기 각각의 게이트선 및 데이터선에 각각 연결되어 있는 복수의 박막 트랜지스터, 상기 각각의 박막 트랜지스터와 연결되어 있는 복수의 화소 전극을 포함하는 박막 트랜지스터 표시판,A first insulating substrate, a plurality of gate lines formed on the first insulating substrate, a plurality of data lines intersecting the gate lines, a plurality of thin film transistors connected to the respective gate lines and the data lines, respectively A thin film transistor array panel including a plurality of pixel electrodes connected to the thin film transistors, 상기 제1 절연 기판과 대향하는 제2 절연 기판, 상기 제2 절연 기판 위에 형성되어 있는 공통 전극을 포함하는 대향 표시판,An opposing display panel including a second insulating substrate facing the first insulating substrate and a common electrode formed on the second insulating substrate; 상기 각 화소 전극과 대응하여 색을 표시하기 위한 적, 녹, 청의 색필터,Red, green, and blue color filters for displaying colors corresponding to the pixel electrodes; 상기 박막 트랜지스터 표시판과 색필터 표시판 사이에 충진되어 있는 액정을 포함하고,A liquid crystal filled between the thin film transistor array panel and the color filter panel; 상기 화소 전극 및 공통 전극은 도메인 분할 수단으로 서로 교차하는 선형의 제1 및 제2 절개부를 가지고 있는 액정 표시 장치.And the pixel electrode and the common electrode have linear first and second cutouts that cross each other by domain dividing means. 제1항에서,In claim 1, 상기 액정은 음의 유전율 이방성을 가지는 액정 표시 장치. The liquid crystal device has a negative dielectric anisotropy. 제1항에서,In claim 1, 상기 박막 트랜지스터는,The thin film transistor, 상기 게이트선과 연결되어 있는 게이트 전극, A gate electrode connected to the gate line, 상기 게이트 전극과 중첩하는 반도체층,A semiconductor layer overlapping the gate electrode; 상기 반도체층과 소정 영역이 중첩하며 상기 데이터선과 연결되어 있는 소스 전극,A source electrode overlapping the semiconductor layer with a predetermined region and connected to the data line; 상기 반도체층과 소정 영역이 중첩하며 상기 소스 전극과 상기 게이트 전극을 중심으로 대향하는 드레인 전극을 포함하는 액정 표시 장치.And a drain electrode overlapping the semiconductor layer with a predetermined region and facing the source electrode and the gate electrode. 제3항에서,In claim 3, 상기 소스 전극을 가지는 데이터선, 드레인 전극은 상기 반도체층의 소정 영역을 제외하고 동일한 평면 패턴을 가지는 액정 표시 장치.The data line and the drain electrode having the source electrode have the same planar pattern except for a predetermined region of the semiconductor layer. 제1항에서,In claim 1, 상기 제1 및 제2 절개부는 적어도 2개 이상 형성되어 있는 액정 표시 장치.And at least two first and second cutouts. 제1항에서,In claim 1, 상기 색필터는 제1 절연 기판 또는 제2 절연 기판 위에 형성되어 있는 액정 표시 장치.The color filter is formed on the first insulating substrate or the second insulating substrate. 제1항에서,In claim 1, 상기 공통 전극 및 상기 화소 전극에 소정 전압이 인가되지 않는 상태에서 상기 액정은 상기 제1 및 제2 절연 기판에 수직하게 배향되어 있는 액정 표시 장치.And the liquid crystal is oriented perpendicular to the first and second insulating substrates while a predetermined voltage is not applied to the common electrode and the pixel electrode. 제1항에서,In claim 1, 상기 공통 전극 및 상기 화소 전극에 소정 전압이 인가되는 상태에서 다수의 도메인으로 분할 배향되는 액정 표시 장치.And a plurality of domains which are divided and aligned in a plurality of domains while a predetermined voltage is applied to the common electrode and the pixel electrode. 제8항에서,In claim 8, 상기 도메인을 형성하는 액정은 비틀린 네마틱 구조를 배향되는 액정 표시 장치. The liquid crystal forming the domain is aligned a twisted nematic structure.
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