KR20050052097A

KR20050052097A - 증착 장치

Info

Publication number: KR20050052097A
Application number: KR1020030085945A
Authority: KR
Inventors: 임영철
Original assignee: 삼성전자주식회사
Priority date: 2003-11-29
Filing date: 2003-11-29
Publication date: 2005-06-02

Abstract

베이스의 상부에는 베이스의 내부와 연통된 프로세스 챔버가 설치된다. 프로세스 챔버의 일측에는 가스 공급 부재가 연결되고, 타측에는 배기 라인이 연결된다. 배기 라인은 프로세스 챔버 내부의 가스를 진공 펌프로 배출한다. 이 경우, 배기 라인에는 배출 가스의 유량을 제어하기 위한 밸브 및 배출 가스의 유속을 측정하기 위한 센서가 설치된다. 밸브 및 센서는 모두 제어부에 연결된다. 제어부는 센서로부터 측정된 유속에 따라 진공 펌프의 이상 여부를 예측하여 밸브를 작동시킨다. 따라서 배출 가스의 역류를 방지할 수 있으며, 반도체 기판 상에 균일한 막을 증착할 수 있다.

Description

증착 장치{DEPOSITION APPARATUS}

본 발명은 증착 장치에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 반도체 기판 상에 박막을 증착하기 위한 수직형 저압 화학 기상 증착 장치에 관한 것이다.

현재의 반도체 장치에 대한 연구는 보다 많은 데이터를 단시간 내에 처리하기 위하여 고집적 및 고성능을 추구하는 방향으로 진행되고 있다.

일반적으로 반도체 장치는 막 형성, 패턴 형성, 금속 배선 형성 등을 위한 일련의 단위 공정들을 순차적으로 수행함으로서 제조된다. 상기 단위 공정들의 수행하기 위해서는 상기 단위 공정들의 공정 조건에 적합한 제조 장치가 사용된다. 상기 공정들은 반도체 장치의 품질 및 수율 향상을 위하여 압력 및 온도 등 공정 분위기의 정밀한 제어가 필수적이다.

일반적으로, 반도체 장치를 제조하기 위한 반도체 기판의 가공 공정들은 다양한 반응 가스들을 사용하고, 반도체 기판이 공기와 반응하지 않도록 하기 위해 대기압에 비해 매우 낮은 진공 상태에서 수행된다. 프로세스 챔버 내부에 소정의 압력을 조성하기 위하여 반응 공정 챔버에 연결되는 다양한 방식의 진공 장치들이 사용된다.

진공 장치는 프로세스 챔버 내부의 압력을 조절하는 용도 외에도 상기 가공 공정들이 진행되는 도중에 반응 가스들에 의해 생성되는 반응 부산물 또는 미반응 가스등을 배출하고, 공정이 종료된 후 반응 가스 공급 라인 내부에 잔류하는 반응 가스를 배출하기 위한 용도로도 사용된다. 보다 상세하게 설명하면, 반도체 기판 상에 패턴 층을 형성하는 증착 공정이나, 상기 증착 공정 이후에 상기 패턴층을 식각하는 식각 공정에는 다양한 종류의 반응 가스들이 사용된다. 상기 공정들이 시작될 때 프로세스 챔버로 반응 가스들이 공급되면, 상기 공정 챔버의 내부의 압력은 상승된다. 따라서 상승된 상기 압력을 공정 조건으로 유지하기 위해 공정이 진행되는 동안 계속해서 진공 펌프가 동작되어야 하고, 공정이 수행되는 동안 발생하는 미반응 가스 및 반응 부산물의 배출도 진공 펌프에 의해 이루어진다.

프로세스 챔버 내부의 압력은 진공 펌프 내부의 압력보다 높다. 따라서 프로세스 챔버 내부의 가스가 진공 펌프를 향하여 흐르게 된다. 하지만, 진공 펌프에 이상이 발생하여 진공 펌프가 작동하지 않으면, 진공 상태로 유지되던 프로세스 챔버 내부의 압력이 진공 펌프 내부의 압력보다 낮게 된다. 즉, 진공 펌프로부터 프로세스 챔버로 역류가 발생하게 된다. 이 경우, 배기 라인을 통하여 배출되던 미반응 가스 및 반응 부산물, 그리고 배기 라인에 고착된 파우더 등이 프로세스 챔버 내부로 유입된다.

이를 개선하고자 진공 펌프의 이상 여부에 따라 배기 라인을 개폐하는 밸브를 포함하는 증착 장치가 개시되어있다. 하지만, 종래의 증착 장치는 진공 펌프가 고장 난 후에 밸브를 작동시키기 때문에 신속하게 역류를 방지할 수 없었다. 보다 자세하게 설명하면, 진공 펌프가 고장나서 배기 라인에 이상 흐름이 발생하면 제어부는 이를 감지하고 밸브를 작동시킨다. 그러나 일반적으로 배기 라인을 개폐하기 위한 밸브가 완전히 배기 라인을 차단하기 위해서는 소정의 과도 시간이 필요하다. 증착 공정이 수행되던 프로세스 챔버 내부의 압력은 거의 진공 상태로 유지된다. 따라서 밸브가 배기 라인을 완전히 차단하기까지 2 ~ 5초의 과도시간이 소요된다 할지라도 그 과도시간동안 프로세스 챔버 내부로 역류하는 가스는 매우 빠르게 챔버 내부로 유입된다. 이는 프로세스 챔버 내부와 배기 라인 사이의 압력 차이가 크기 때문에 발생한다.

상술한 바와 같이 종래의 증착 장치에서 배기 라인을 개폐하기 위하여 이용되는 밸브는 역류를 효과적으로 차단하지 못하였다. 프로세스 챔버 내부로 미반응 가스 및 반응 부산물들이 유입되면 반도체 장치의 특성이 저하될 뿐 아니라 후속 공정의 에러율을 높이는 등 심각한 문제를 야기한다.

본 발명의 목적은, 배기 라인을 통하여 배출되는 가스의 유속을 측정하여 진공 펌프의 이상 여부를 예측하고, 예측된 결과에 따라 배기 라인을 미리 폐쇄함으로써 배기 라인을 통하여 배출되던 가스가 프로세스 챔버 내부로 역류하는 것을 방지할 수 있는 증착 장치를 제공하는 것이다.

상기 목적을 달성하기 위하여 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 증착 장치는, 반도체 기판에 대한 증착 공정이 수행되는 프로세스부, 프로세스부 내부의 가스를 배출하기 위하여 일단이 프로세스부에 연결되고 타단은 진공 펌프에 연결된 배기 라인, 프로세스부로부터 배출되는 가스의 유량을 제어하기 위하여 배기 라인에 설치된 밸브, 배기 라인을 통과하는 가스의 유속을 측정하기 위하여 배기 라인에 설치된 센서, 그리고 배기 라인을 통과하는 가스가 상기 프로세스부로 역류하는 것을 방지하기 위하여 센서로부터 측정된 유속에 따라 상기 밸브를 제어하는 제어부를 포함한다. 이 경우, 프로세스부는 소정의 용적을 갖는 베이스, 베이스 상부에 설치되되 베이스와 연통되고 일측에 상기 배기 라인이 연결된 프로세스 챔버, 베이스와 프로세스 챔버 내부에서 승강하는 보트를 포함한다. 그리고, 센서는 피토관을 이용한 센서, 초음파를 이용한 센서, 또는 열절단을 이용한 센서 중에서 하나를 포함한다.

본 발명에 따르면 배기 라인을 통하여 배출되는 가스의 유속을 측정하여 진공 펌프의 이상 여부를 예측하고, 예측된 결과에 따라 밸브를 미리 폐쇄함으로써 배기 라인을 통하여 배출된 가스가 프로세스 챔버 내부로 역류하는 것을 방지할 수 있다.

이하, 첨부된 도면들을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예들에 따른 증착 장치에 대하여 상세하게 설명하지만, 본 발명이 하기 실시예들에 의해 제한되거나 한정되는 것은 아니다.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 증착 장치를 설명하기 위한 개략적인 단면도이다.

도 1을 참조하면, 증착 장치는 베이스(110), 프로세스 챔버(120), 보트(130), 가스 공급 부재(140), 배기 라인(150), 밸브(160), 센서(170) 및 제어부(180)를 포함한다.

베이스(110)는 내부에 복수개의 반도체 기판이 적층된 보트(130)를 수용하기 위한 소정의 용적을 갖는다. 베이스(110)의 상부에는 개구부가 형성되고, 개구부에 인접하게 프로세스 챔버(120)가 설치된다.

프로세스 챔버(120)는 베이스(110)의 상부면으로부터 수직하게 배치된다. 프로세스 챔버(120)는 이너 챔버(121)와 아웃터 챔버(122)를 포함한다. 이너 챔버(121)는 상하부가 개방된 실린더 형상이다. 이너 챔버(121)는 베이스(110)의 상부에 형성된 개구부에 인접하게 배치되어 베이스(110)와 연통된다. 이너 챔버(121)의 외부에는 돔 형상의 아웃터 챔버(122)가 배치되고, 아웃터 챔버(122)의 둘레에는 히터(125)가 배치된다.

보트(130)는 프로세스 챔버(120)에 반도체 기판(W)을 제공한다. 보트(130)에는 복수개의 반도체 기판(W)들이 적층된다. 보트(130)는 베이스(110)와 이너 챔버(121) 내부에서 승강하며 프로세스 챔버(120)에 반도체 기판을 로딩하거나, 프로세스 챔버(120)로부터 반도체 기판을 언로딩한다.

프로세스 챔버(120)로 로딩된 반도체 기판(W)들은 증착 가공된 후, 베이스(110)로 언로딩 된다. 반도체 기판(W)들을 증착 가공하기 위해 반응 가스가 이용된다.

반응 가스는 프로세스 챔버(120)의 일측 하단부에 설치된 가스 공급 부재(140)를 통하여 프로세스 챔버(120) 내부로 공급된다. 반응 가스로는 실란(SiH4)을 포함하는 가스나 암모니아(NH3)를 포함하는 가스가 이용될 수 있다. 프로세스 챔버(120)에 공급된 반응 가스는 프로세스 챔버(120) 외부에 설치된 히터(125)에 의하여 열분해된다. 히터(125)의하여 열분해된 반응 가스는 반도체 기판(W) 상에는 소정의 막이 증착시킨다. 이후, 증착 공정에 이용된 반응 가스는 프로세스 챔버(120) 내부로부터 배출된다. 이 경우, 반응 가스는 프로세스 챔버(120)의 타측 하단부에 설치된 배기 라인(150)을 통하여 배출된다.

배기 라인(150)은 프로세스 챔버(120)와 진공 펌프(P)를 연결한다. 배기 라인(150)의 일단부는 프로세스 챔버(120)에 연결되고, 배기 라인(150)의 타단부는 진공 펌프(P)에 연결된다. 프로세스 챔버(120) 내부의 압력은 진공 펌프(P) 내부의 압력보다 낮다. 따라서 프로세스 챔버(120) 내부의 가스가 배기 라인(150)을 통하여 진공 펌프(P)로 배출된다.

진공 펌프(P)는 반도체 기판(W)에 대한 증착 공정이 수행되는 동안 생성되는 반응 부산물 및 미반응 가스를 배출시키기 위하여 이용될 뿐만 아니라, 증착 공정이 수행되기 전에 챔버 내부를 진공 상태로 조성하기 위하여 이용된다. 증착 공정이 수행되기 전 프로세스 챔버(120) 내부에 공기가 충진되어 있으면, 반도체 기판(W)이 공기와 반응할 수 있다. 일예로, 반도체 기판(W) 상에 원하지 않는 이상 산화막이 성장되어 당 증착 공정 및 후속 공정에서 공정 에러가 발생할 수 있다. 진공 펌프(P)는 증착 공정 전에 프로세스 챔버(120)에 소정의 압력을 조성한다.

진공 펌프(P)는 배기 라인(150)을 통하여 프로세스 챔버(120)에 연통된다. 배기 라인(150)에는 제어부(180)에 연결된 밸브(160)가 설치된다. 제어부(180)는 밸브(160)를 작동시켜 배기 라인(150)을 개폐한다. 제어부(180)는 밸브(160)의 작동을 제어하고, 밸브(160)의 작동 여부에 따라서 프로세스 챔버(110)로부터 배출되는 가스의 유량이 제어된다.

배기 라인(150)을 개폐하기 위한 밸브(160)의 종류는 다양하며, 밸브(160)의 종류는 당업자가 용이하게 선택할 수 있다. 본 실시예에서는 굴곡진 배기 라인(150)에 이용되는 것이 바람직한, 벨로우즈 형 밸브가 사용된다. 이하, 벨로우즈 형 밸브에 대하여 자세하게 설명하지만 벨로우즈 형 밸브에 의하여 본 발명이 제한되거나 한정되는 것은 아니다. 또한, 벨로우즈 형 밸브의 참조부호는 밸브(160)와 동일한 참조부호를 이용한다.

벨로우즈 형 밸브(160)는 배기 라인(150)의 굴곡부에 인접하게 설치된다. 이 경우, 배기 라인(150)의 내주면에는 원형 띠 형상의 단차가 형성된다. 벨로우즈 형 밸브(160)가 수축되어 상기 원형 띠 형상의 단차로부터 이격되면, 배기 라인(150)은 개방되고, 반대로 벨로우즈 형 밸브(160)가 신장되어 상기 원형 띠 형상의 단차에 접촉되면 배기 라인(150)은 폐쇄된다. 벨로우즈 형 밸브(160)를 수축 또는 신장시키기 위한 동력원으로는 솔레노이드나 공압 장치 등이 이용될 수 있다.

밸브(160)가 설치된 배기 라인(150)에는 배출되는 가스의 유속을 측정하기 위한 센서(170)가 설치된다. 센서(170)는 배출되는 가스의 흐름 방향을 기준으로 밸브(160) 전 또는 후에 배치될 수 있다. 센서(170)는 측정된 유속 정보를 제어부에 제공한다.

제어부(180)에는 기준 유속 값이 기 설정되어있다. 기준 유속 값은 진공 펌프(P)가 바람직하게 동작되는 경우, 배기 라인(150)을 통하여 배출되는 가스의 유속 값이다. 배기 라인(150)의 일부가 막히거나 진공 펌프(P)의 성능이 저하된 경우, 배기 라인(150)을 통하여 배출되는 가스의 유속은 저하된다. 이로부터 소정의 시간이 경과하면, 배기 라인(150)이 완전히 막히거나 진공 펌프(P)가 완전히 고장 날 수 있다. 배기 라인(150)이 완전히 막히거나 진공 펌프(P)가 완전히 고장 나면 배기 라인(150) 내부의 압력이 불균일해진다. 따라서 배기 라인(150)을 통하여 배출되던 가스가 프로세스 챔버(120) 내부로 역류할 수 있다. 그러나 본 실시예에 따른 증착 장치는 유속을 측정하기 위한 센서(170)를 이용하여 배출 가스의 역류를 예방할 수 있다. 센서(170)로부터 측정된 유속 정보는 제어부(180)에 제공된다. 제어부(180)는 기 설정된 유속 값과 센서(170)로부터 제공된 유속 정보를 비교하여 배기 라인(150) 또는 진공 펌프(P)의 이상 여부를 예측한다. 센서(170)로부터 제공된 유속 정보가 기 설정된 유속 값보다 작거나 클 경우, 경보 신호를 발생함과 동시에 밸브(160)를 작동시킨다. 따라서 배기 라인(150)이 완전히 막히거나 진공 펌프(P)가 완전히 고장나기 전에 배기 라인(150)을 폐쇄할 수 있다. 당연히 배기 라인(150)으로부터 배출되던 가스가 프로세스 챔버(120)로 역류하는 것이 방지된다.

배기 라인(150)을 따라 흐르는 가스의 유속을 감지하기 위한 센서(170)의 종류는 다양하며, 이 또한 당업자가 용이하게 선택할 수 있다. 이하, 도 2 및 도 3을 참조하여 바람직한 실시예들에 따른 센서에 대하여 설명하지만 센서가 하기 실시예들에 의해 제한되거나 한정되는 것은 아니다.

도 2는 도 1에 도시한 센서의 바람직한 일 실시예를 설명하기 위한 개략적인 구성도이고, 도 3은 도 1에 도시한 센서의 바람직한 다른 실시예를 설명하기 위한 개략적인 구성도이다.

우선, 도 2를 참조하여 바람직한 일 실시예에 따른 센서를 설명한다. 센서(270)는 제1 자기 발열 저항체(271), 제2 자기 발열 저항체(272) 및 브릿지 회로(273)를 포함한다. 본 실시예에서 설명하는 센서(270)를 다르게는 열전달 센서라고도 한다.

배기 라인(250)에는 가스의 배출 방향으로 배치된 U 자형 관(253)이 연결된다. U 자형 관(253)은 배기 라인(250)에 비하여 상대적으로 작은 직경을 갖는 모세관이다.

배기 라인(250)을 따라서 흐르는 가스 중 일부는 U 자형 관(253)의 제1 단부(251)로 입력되어 U 자형 관(253)의 제2 단부(252)로 배출된다. U 자형 관(253)의 제1 단부(251)에는 제1 자기 발열 저항체(271)가 감겨 있고, U 자형 관(253)의 제2 단부(252)에는 제2 자기 발열 저항체(272)가 감겨 있다. 제1 자기 발열 저항체(271) 및 제2 자기 발열 저항체(272)는 모두 브릿지 회로(273)에 연결된다. 이 경우, 제1 및 제2 자기 발열 저항체(271, 272)는 열을 발생시키기 위한 코일을 각각 포함한다.

제1 자기 발열 저항체(271)로부터 발생된 열은 U 자형 관(253)으로 유입되는 가스의 유속에 대응하게 손실되고, 제2 자기 발열 저항체(272)로부터 발생된 열은 U 자형 관(253)으로부터 유출되는 가스의 유속에 대응하는 손실된다. 제1 자기 발열 저항체(271) 및 제2 자기 발열 저항체(272)는 각각의 손실된 열에 대응하는 저항 값을 갖는다. 제1 자기 발열 저항체(271) 및 제2 자기 발열 저항체(272)는 브릿지 회로(273)에 연결되어 각각 한 개의 저항의 역할을 한다. 브릿지 회로(273)는 제1 자기 발열 저항체(271) 및 제2 자기 발열 저항체(272)의 서로 다른 저항 값에 따라서 전압을 제어부(280)에 제공한다.

제어부(280)는 브릿지 회로(273)로부터 제공된 전압으로부터 배기 라인(250)을 따라서 흐르는 가스의 유속을 계산한다. 이후, 제어부(280)는 계산된 유속이 기 설정된 유속의 오차 범위를 초과할 경우, 밸브를 작동시켜 배기 라인(250)을 폐쇄한다.

상술한 바와 같이, 배기 라인(250)을 유속에 따라 열전달 센서의 제1 자기 발열 저항체(271) 및 제2 자기 발열 저항체(272)가 손실되는 열의 양은 각각 다르다. 제1 자기 발열 저항체(271)와 제2 자기 발열 저항체(272)의 열 손실양의 차이는 곧 브릿지 회로(273)에서의 두 저항값의 차이와 같다. 브릿지 회로(273)는 상기 열 손실양의 차이에 대응하는 전압을 제어부(280)에 제공하고, 제어부(280)는 제어부(280)로부터 제공된 전압에 따라 배기 라인(250)을 유속을 계산한다. 제어부(280)는 계산된 유속과 기 설정된 유속을 비교하여 진공 펌프의 이상 여부를 예측한다.

이어서, 도 3을 참조하여 바람직한 다른 실시예에 따른 센서를 설명한다. 본 실시예에 따른 센서(370)는 초음파의 전파 속도가 유체가 정지하고 있을 때와 유체가 흐르고 있을 때 다른 것을 이용한다. 본 실시예에서 설명하는 센서(370)를 다르게는 초음파 센서라고도 한다.

센서(370)는 발신기(371) 및 수신기(372)를 포함한다. 발신기(371) 및 수신기(372)는 배기 라인(350) 내부에 가스의 흐름 방향으로 나란하게 배치된다. 발신기(371) 및 수신기(372)는 모두 제어부(380)에 연결된다.

발신기(371)는 프로세스 챔버로부터 배출된 가스가 배기 라인(350)을 통하여 흐르고 있는 상태에서 초음파를 발사한다. 발신기(371)로부터 발사된 초음파는 수신기(372)에 의하여 수신된다. 제어부(380)는 발신기(371)로부터 발사된 초음파가 수신기(372)로 수신되는 시간(이하, 흐름시간 이라고 함)을 측정한다.

제어부(380)에는 배기 라인(350) 내에서 가스가 흐르지 않을 때의 흐름시간(이하, 기준시간 이라고 함) 및 배기 라인(350) 내에서 가스가 정상적으로 흐르고 있을 때의 가스의 유속이 기 설정되어있다.

제어부(380)는 기준시간과 측정된 흐름시간을 비교하여 현재 배기 라인(350)을 통하여 흐르고 있는 가스의 유속을 계산한다. 이후, 제어부(380)는 계산된 유속과 기 설정된 유속이 기 설정된 유속의 오차 범위를 초과할 경우, 밸브를 작동시켜 배기 라인(350)을 폐쇄한다.

상술한 바와 같이, 배기 라인(250, 350)을 통하여 배출되는 가스의 유속을 측정하기 위하여 열전달을 이용한 센서(270) 및 초음파를 이용한 센서(380)가 사용될 수 있다. 하지만, 유량과 유속은 상대적인 개념이기 때문에 측정 대상을 유속 또는 유량으로 한정하는 것은 바람직하지 않다. 일예로, 피토 튜브(pitot tube)는 배출 가스의 정압, 동압 및 전압을 측정함으로써 배출 가스의 유속을 계산할 수 있다. 따라서 피토 튜브(pitot tube)를 포함하는 센서도 본 발명의 센서(270, 370)로서 이용될 수도 있다.

다시 도 1을 참조하면, 반응 가스를 이용하여 반도체 기판(W)에 소정의 막을 증착하는 동안, 프로세스 챔버(110) 내부에는 반응 부산물 및 미 반응 가스들이 부유한다. 반응 부산물 및 미 반응 가스들은 프로세스 챔버(110) 내벽에 고착되거나 반도체 기판(W)에 낙하되어 공정 불량을 야기할 수 있다. 상기와 같은 불량을 방지하기 위하여 프로세스 챔버(110) 내부의 가스는 일정한 속도로 외부로 배출된다. 하지만, 진공 펌프(P)가 고장나거나 배기 라인(150)에 이상이 발생한 경우, 배기 라인(150)을 통하여 배출되던 가스들이 프로세스 챔버(110)로 역류하게 되어 상기 불량을 야기할 수 있다. 하지만, 본 발명에 따른 증착 장치는 배기 라인(150)을 통하여 배출되는 가스의 유속을 계산하여 진공 펌프(P)의 이상 여부를 예측함으로서 상기 불량을 방지할 수 있다.

본 발명에 따르면, 배기 라인에 센서를 부착함으로써 진공 펌프 및 배기 라인의 이상 여부를 예측한다. 예측된 결과에 따라 밸브를 작동시킴으로써 배기 라인으로부터 프로세스 챔버로 배출 가스가 역류하는 것을 방지한다. 따라서 반도체 기판 상에 양질의 막을 증착할 수 있으며, 공정 에러를 방지할 수 있어 생산 수율은 증대된다.

상술한 바와 같이, 본 발명의 바람직한 실시예들을 참조하여 설명하였지만 해당 기술 분야의 숙련된 당업자라면 하기의 특허청구범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.

도 2는 도 1에 도시한 센서의 바람직한 일 실시예를 설명하기 위한 개략적인 구성도이다.

도 3은 도 1에 도시한 센서의 바람직한 다른 실시예를 설명하기 위한 개략적인 구성도이다.

< 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명 >

110 : 베이스 120 : 프로세스 챔버

121 : 이너 챔버 122 : 아웃터 챔버

125 : 히터 130 : 보트

140 : 가스 공급 부재 150, 250, 350 : 배기 라인

160 : 밸브 170 : 센서

180, 280, 380 : 제어부 251 : 제1 단부

252 : 제2 단부 253 : U 자형 관

271 : 제1 자기 발열 저항체 272 : 제2 자기 발열 저항체

273 : 브릿지 회로 351 : 발신기

352 : 수신기 W : 반도체 기판

P : 진공 펌프

Claims

반도체 기판에 대한 증착 공정이 수행되는 프로세스부;

상기 프로세스부 내부의 가스를 배출하기 위하여 일단이 상기 프로세스부에 연결되고 타단은 진공 펌프에 연결된 배기 라인;

상기 프로세스부로부터 배출되는 가스의 유량을 제어하기 위하여 상기 배기 라인에 설치된 밸브;

상기 배기 라인을 통과하는 가스의 유속을 측정하기 위하여 상기 배기 라인에 설치된 센서; 및

상기 배기 라인을 통과하는 가스가 상기 프로세스부로 역류하는 것을 방지하기 위하여 상기 센서로부터 측정된 유속에 따라 상기 밸브를 제어하는 제어부를 포함하는 것을 특징으로 하는 증착 장치.
제 1 항에 있어서, 상기 프로세스부는

소정의 용적을 갖는 베이스;

반도체 기판에 대한 증착 공정을 수행하기 위하여 상기 베이스 상부에 설치되되 상기 베이스와 연통되고, 일측에 상기 배기 라인이 연결된 프로세스 챔버; 및

다수의 반도체 기판들이 적층되고, 상기 베이스와 상기 프로세스 챔버 내부에서 승강하는 보트를 포함하는 것을 특징으로 하는 증착 장치.
제 2 항에 있어서, 상기 프로세스 챔버는 상하부가 개방된 실리더 형상으로 제조되어 상기 플랜지의 내부에 고정된 이너(inner) 챔버; 및 돔(dome) 형상으로 제조되어 내부에 상기 이너 챔버가 수용되며, 상기 플랜지의 외부에 고정된 아웃터(outer) 챔버를 포함하는 것을 특징으로 하는 증착 장치.
제 1 항에 있어서, 상기 센서는 피토관 센서, 초음파 센서, 및 열전달 센서로 이루어진 그룹 중에서 선택된 하나인 것을 특징으로 하는 증착 장치.
제 1 항에 있어서, 상기 프로세스부에 반응 가스를 공급하기 위하여 상기 프로세스부에 연결된 가스 공급부; 및 상기 프로세스부의 외부에 설치되어 상기 프로세스부의 내부를 가열하는 히터를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 증착 장치.