KR20050047385A - Photoresist developer - Google Patents
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Abstract
본 발명은 포토레지스트 현상장비에 관한 것으로, 본 발명에서는 포토레지스트 현상장비의 세정액분사부에 구비되는 엣지분사노즐을 수평이동시킬 수 있도록 수평이동수단을 구비하여, 엣지분사노즐을 스캔방식으로 수평이동시켜 웨이퍼의 중앙에서 가장자리 부위까지 세정액의 분사압력이 작용되게하므로써 회전하는 웨이퍼에 의해 발생하는 세정효과와 함께 분사노즐의 분사압력에 의한 세정효과를 동시에 얻을 수 있는 효과가 있다.The present invention relates to a photoresist developing apparatus, and the present invention is provided with a horizontal moving means for horizontally moving the edge injection nozzle provided in the cleaning liquid injection unit of the photoresist developing equipment, horizontally moving the edge injection nozzle in the scanning method As a result, the jetting pressure of the cleaning liquid is applied from the center to the edge of the wafer, thereby achieving the cleaning effect generated by the rotating wafer and the cleaning effect by the jetting pressure of the jetting nozzle.
Description
본 발명은 포토레지스트 현상장비에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 세정액분사부의 분사노즐이 스캔방식으로 작동되는 포토레지스트 현상장비에 관한 것이다.The present invention relates to a photoresist developing apparatus, and more particularly, to a photoresist developing apparatus in which the spray nozzle of the cleaning liquid spray unit is operated in a scanning manner.
일반적으로, 반도체 소자는 이온주입공정, 박막증착공정, 확산공정, 사진공정, 식각공정 등과 같은 다수의 공정들을 거쳐 제조되며, 이러한 공정들 중에서 원하는 패턴(Pattern)을 형성하기 위한 사진공정(Photo Processing)은 반도체 소자 제조에 필수적으로 요구되는 공정이다. In general, a semiconductor device is manufactured through a plurality of processes such as an ion implantation process, a thin film deposition process, a diffusion process, a photo process, an etching process, and the like, and a photo process for forming a desired pattern among these processes. ) Is an essential step in the manufacture of semiconductor devices.
이와같은 사진공정은 크게 웨이퍼 상에 포토레지스트(Photoresist)를 도포하는 도포공정과, 포토레지스트가 도포된 웨이퍼와 정해진 마스크를 서로 정렬시킨 후 자외선과 같은 빛을 상기 마스크로 통과시켜 웨이퍼 상의 포토레지스트에 조사되도록 하는 노광공정과, 노광공정이 완료된 웨이퍼의 포토레지스트를 현상하여 패턴을 형성하는 현상공정으로 나뉘어진다. Such a photo process is largely a coating process of applying a photoresist on a wafer, a photoresist-coated wafer and a predetermined mask are aligned with each other, and then light such as ultraviolet light passes through the mask to the photoresist on the wafer. It is divided into an exposure step for irradiating and a developing step for developing a photoresist of the wafer on which the exposure step is completed to form a pattern.
상기한 현상공정을 수행하는 포토레지스트 현상장비는 크게 웨이퍼공급부와, 웨이퍼이송부와, 현상액분사부와, 세정액분사부로 구성되는데, 상기 현상액분사부는 노광이 완료된 웨이퍼의 상부면에 현상액을 분사하여 노광된 부위 또는 노광되지 않은 부위의 감광물질을 선택적으로 현상하므로써 패턴을 형성하고, 상기 세정액분사부에서는 웨이퍼에 세정액(DI 워터: deionized water)을 분사하여 현상액에 의해 용해된 감광물질을 세정한다. The photoresist developing apparatus for performing the above development process is largely composed of a wafer supply unit, a wafer transfer unit, a developer injection unit, and a cleaning solution injection unit, wherein the developer injection unit is exposed by spraying a developer onto an upper surface of the wafer on which exposure is completed. A pattern is formed by selectively developing the photosensitive material in the portion or the unexposed portion, and the cleaning liquid spraying portion sprays a deionized water (DI water) onto the wafer to clean the photosensitive substance dissolved by the developer.
도 1은 종래 포토레지스트 현상장비에 있어, 세정액분사부를 설명하기 위한 개략적인 구성도이다.1 is a schematic configuration diagram for explaining a cleaning liquid injection unit in a conventional photoresist developing apparatus.
도 1을 참조하면, 스핀모터에 의해 회전하는 웨이퍼척(510)이 구비되며, 상기 웨이퍼척(510)의 상부에는 소정각도로 회동하는 작동플레이트(520)가 설치된다. 이와같은 작동플레이트(520)에는 한조의 분사노즐(530,540), 즉 웨이퍼(600)의 중앙부에 세정수(W)를 분사하는 센터(Center)분사노즐(530)과 웨이퍼(600)의 가장자리에 세정수(W)를 분사하는 엣지(Edge)분사노즐(540)이 구비된다. Referring to FIG. 1, a wafer chuck 510 that is rotated by a spin motor is provided, and an operation plate 520 that is rotated at a predetermined angle is provided on the wafer chuck 510. In the operation plate 520, a set of spray nozzles 530 and 540, that is, a center spray nozzle 530 for spraying the washing water W in the center of the wafer 600 and the edge of the wafer 600 are cleaned. An edge spray nozzle 540 for spraying water W is provided.
이에 따라, 상기 웨이퍼척(510)에 안착된 웨이퍼(600)를 회전시킨 상태에서 상기 작동플레이트(520)를 상기 웨이퍼(600)의 상부로 회동시킨 후, 각 분사노즐(530,540)을 통해 웨이퍼(600)의 특정 포인트에 세정수(W)를 분사하면, 회전하는 웨이퍼(600)의 상부면에서는 분사된 세정수(W)의 흐름이 발생되므로 이러한 세정액(W)의 흐름을 이용하여 감광물질의 세정작업을 수행한다.Accordingly, after rotating the operation plate 520 to the upper portion of the wafer 600 while rotating the wafer 600 seated on the wafer chuck 510, the wafer (530, 540) through the injection nozzle (530, 540) When spraying the washing water (W) to a specific point of 600, the flow of the sprayed washing water (W) is generated on the upper surface of the rotating wafer 600, so that the flow of the cleaning liquid (W) Carry out a cleaning operation.
하지만, 종래 세정액분사부(500)는 작동플레이트(520)에 구비되는 한조의 분사노즐(530,540)이 웨이퍼(600)상의 특정 포인트에 세정액(W)을 분사하도록 고정식으로 설치되어 있어, 웨이퍼(600)의 특정 포인트에서는 세정액(W)의 흐름현상과 함께 각 분사노즐(530,540)의 세정액 분사압력이 동시에 작용하므로 감광물질의 세정이 용이하지만, 세정액(W)이 분사되지 않는 부분은 단지 세정액(W)의 흐름현상을 통해 감광물질의 세정이 이루어지므로 세정효율이 저하되는 문제점이 있다.However, in the conventional cleaning liquid spraying unit 500, a set of spray nozzles 530 and 540 provided in the operation plate 520 is fixedly installed to spray the cleaning liquid W to a specific point on the wafer 600, so that the wafer 600 At a specific point of), the cleaning liquid (W) flows together with the cleaning liquid injection pressures of the respective injection nozzles (530, 540) to act simultaneously, so that the cleaning of the photosensitive material is easy. There is a problem in that the cleaning efficiency is lowered because the cleaning of the photosensitive material is performed through the flow phenomenon.
이에, 본 발명은 전술한 포토레지스트 현상장비가 갖는 제반적인 문제점을 해결하고자 창안된 것으로, Accordingly, the present invention was devised to solve the general problems of the photoresist developing apparatus described above.
본 발명의 목적은 세정액의 흐름을 통해 현상액을 세정하되, 웨이퍼의 중앙에서 가장자리 부위까지 분사노즐에 의한 세정액의 분사압력이 작용토록하므로써 향상된 세정효율을 기대할 수 있는 포토레지스트 현상장비를 제공함에 있다.SUMMARY OF THE INVENTION An object of the present invention is to provide a photoresist developing apparatus capable of expecting an improved cleaning efficiency by cleaning the developer through the flow of the cleaning solution, so that the injection pressure of the cleaning solution by the injection nozzle acts from the center to the edge of the wafer.
상기한 목적을 달성하기 위한 본 발명의 구체적인 수단으로는;As a specific means of the present invention for achieving the above object;
본체;main body;
상기 본체에 구비되어 노광을 마친 웨이퍼를 공급하는 웨이퍼공급부;A wafer supply unit which is provided in the main body to supply the exposed wafer;
상기 웨이퍼공급부에서 공급되는 웨이퍼를 이송하는 웨이퍼이송부;A wafer transfer unit for transferring a wafer supplied from the wafer supply unit;
상기 웨이퍼이송부에서 이송된 웨이퍼상의 감광물질을 제거하기 위해 상기 웨이퍼의 상부면에 현상액을 분사하는 현상액분사부; 및A developer spraying unit spraying a developer onto an upper surface of the wafer to remove the photosensitive material on the wafer transferred from the wafer transfer unit; And
상기 현상액분사부의 일측에 구비되며, 회전작동되는 웨이퍼척의 상부에 센터분사노즐 및 엣지분사노즐을 갖는 작동플레이트가 설치되어 상기 웨이퍼상에 세정액을 분사하는 세정액분사부;를 포함하되,A cleaning solution spraying unit provided at one side of the developing solution spraying unit, and having an operating plate having a center spraying nozzle and an edge spraying nozzle installed on an upper side of the wafer chuck which is rotated to spray the cleaning solution onto the wafer.
상기 세정액분사부은 상기 작동플레이트에 구비되는 엣지분사노즐에 수평이동수단이 설치됨을 특징으로 하는 포토레지스트 현상장비를 구비하므로써 달성된다.The cleaning liquid spraying unit is achieved by having a photoresist developing apparatus characterized in that a horizontal moving means is installed on an edge spray nozzle provided in the operation plate.
이때, 상기 수평이동수단은 상기 엣지분사노즐이 수직관통하도록 상기 작동플레이트에 구비되는 수평장공과, 상기 작동플레이트의 상부면에 구비되며 상기 엣지분사노즐이 피스톤축에 연결되는 작동실린더로 구성된다.At this time, the horizontal movement means is composed of a horizontal long hole provided on the operation plate so that the edge injection nozzle is vertically passed, and an operation cylinder provided on the upper surface of the operation plate and the edge injection nozzle is connected to the piston shaft.
이하, 본 발명의 바람직한 실시예를 첨부도면에 의거 상세히 설명하기로 한다.Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.
도 2는 본 발명에 따른 포토레지스트 현상장비의 전체구성을 보인 사시도이고, 도 3은 도 2의 A부분을 확대도시한 구성도이다. Figure 2 is a perspective view showing the overall configuration of the photoresist developing apparatus according to the present invention, Figure 3 is an enlarged view showing a portion A of FIG.
도 2 내지 도 3을 참조하면, 포토레지스트 현상장비의 세정액분사부에 구비되는 엣지분사노즐을 수평이동시킬 수 있도록 수평이동수단을 구비한 것에 특징적인 구성이 있다.2 to 3, there is a characteristic configuration in which the horizontal movement means is provided to horizontally move the edge injection nozzle provided in the cleaning liquid injection portion of the photoresist developing equipment.
본 발명이 적용되는 포토레지스트 현상장비(1)는 도 2에서와 같이 본체(11)에 웨이퍼공급부(2)와, 웨이퍼이송부(3)와, 현상액분사부(4)와, 세정액분사부(5)가 구비되는데, 상기 현상액분사부(4)는 상기 웨이퍼공급부(2)와 웨이퍼이송부(3)를 통해 노광이 완료된 웨이퍼를 공급받아 현상액을 분사하므로써 노광된 부위 또는 노광되지 않은 부위의 감광물질을 선택적으로 현상하므로써 패턴을 형성하고, 상기 세정액분사부(5)에서는 웨이퍼에 세정액(W : DI 워터)을 분사하여 현상액에 의해 용해된 감광물질을 세정한다. The photoresist developing apparatus 1 to which the present invention is applied has a wafer supply section 2, a wafer transfer section 3, a developer spray section 4, and a cleaning solution spray section 5 as shown in FIG. The developer spraying unit 4 receives the photo-exposed wafer through the wafer supply unit 2 and the wafer transfer unit 3 and sprays a developer to expose the photosensitive material of the exposed or unexposed portion. By developing selectively, a pattern is formed, and the cleaning liquid spraying section 5 sprays the cleaning liquid (W: DI water) onto the wafer to clean the photosensitive material dissolved by the developing solution.
상기 세정액분사부(5)에는 도 3에서와 같이 스핀모터에 의해 회전하는 웨이퍼척(51)과, 센터분사노즐(53) 및 엣지분사노즐(54)을 갖는 작동플레이트(52)가 설치된다. 이와같은 작동플레이트(52)는 그 일단이 회동축에 연결되어 상기 각 분사노즐(53,54)을 웨이퍼(6)의 상부에 위치시키는 기능을 수행한다. 또한, 상기 센터분사노즐(53)은 웨이퍼의 중앙부에 세정수를 분사하고 상기 엣지분사노즐(54)은 웨이퍼의 가장자리에 세정수를 분사하도록 상기 작동플레이트상에 설치된다.The cleaning liquid spraying section 5 is provided with a working chuck 52 having a wafer chuck 51 that rotates by a spin motor, a center spray nozzle 53 and an edge spray nozzle 54 as shown in FIG. Such an operation plate 52 has one end connected to the rotational shaft so as to position the respective injection nozzles 53 and 54 on the wafer 6. In addition, the center spray nozzle 53 sprays the washing water to the center of the wafer, and the edge spray nozzle 54 is installed on the operation plate to spray the washing water to the edge of the wafer.
본 발명에서는 상기 엣지분사노즐(54)을 수평이동시키기 위해 상기 작동플레이트(54)상에 수평이동수단을 구비한다. 이와같은 수평이동수단은 상기 작동플레이트(52)에 관통형성되는 수평장공(521)과, 상기 작동플레이트(52)의 상부면 소정부에 구비되는 작동실린더(522)로 구성된다. 이에 따라, 상기 수평장공(521)에 상기 엣지분사노즐(54)을 수직관통되게 설치한 상태에서 이러한 엣지분사노즐(54)을 상기 작동실린더(522)의 피스톤축에 연결하므로써, 상기 엣지분사노즐(54)은 상기 작동실린더(522)에 의해 수평장공(521)내에서 소정간격 수평이동하게 된다.In the present invention, a horizontal movement means is provided on the operation plate 54 to horizontally move the edge injection nozzle 54. Such a horizontal moving means is composed of a horizontal long hole 521 formed through the operation plate 52, and an operation cylinder 522 provided on a predetermined portion of the upper surface of the operation plate 52. Accordingly, the edge injection nozzle 54 is connected to the piston shaft of the operation cylinder 522 while the edge injection nozzle 54 is installed vertically through the horizontal hole 521. 54 is moved horizontally by a predetermined interval in the horizontal long hole 521 by the operation cylinder 522.
이때, 상기한 수평이동수단은 바람직한 실시예로 설명한 작동실린더(522)뿐만 아니라 수평왕복운동을 수행하는 장치, 예컨데 리니어 모터, 랙과 피니언의 조합체 등을 적용할 수도 있다. At this time, the horizontal movement means may be applied to the device for performing the horizontal reciprocating motion, for example, a linear motor, a combination of the rack and pinion, as well as the operation cylinder 522 described as a preferred embodiment.
또한, 상기 엣지분사노즐(54)에 세정수를 공급하기 위한 연결관은 상기 엣지분사노즐(54)의 유동에 대응할 수 있도록 플랙시블한 재질의 관을 적용함이 바람직하다.In addition, the connection pipe for supplying the washing water to the edge injection nozzle 54 is preferably applied to the flexible pipe so as to correspond to the flow of the edge injection nozzle (54).
이에, 상기와 같은 구성을 갖는 본 발명에 따른 포토레지스트 현상장비에 있어, 세정액분사부를 구성하는 각 구성요소의 상호작용에 대하여 살펴보기로 한다. Thus, in the photoresist developing apparatus according to the present invention having the configuration as described above, it will be described for the interaction of each component constituting the cleaning liquid injection unit.
도 4는 본 발명에 따른 포토레지스트 현상장비에 있어, 세정액분사부의 각 분사노즐의 작용상태를 설명하기 위한 구성도이다. Figure 4 is a block diagram for explaining the operation of each spray nozzle of the cleaning liquid injection unit in the photoresist developing apparatus according to the present invention.
도 4를 참조하면, 웨이퍼척(51)에 안착된 웨이퍼(6)를 회전시킨 상태에서 상기 작동플레이트(52)를 회동시켜 상기 웨이퍼(6)의 직상부에 위치시킨 후, 각 분사노즐(53,54)을 통해 웨이퍼(6)에 세정수(W)를 분사하여, 웨이퍼(6)상에 존재하는 감광물질을 제거하게 된다.Referring to FIG. 4, after rotating the operation plate 52 in a state in which the wafer 6 seated on the wafer chuck 51 is rotated, the injection plate 53 is positioned above the wafer 6. The cleaning water (W) is sprayed onto the wafer 6 through 54 to remove the photosensitive material present on the wafer 6.
이때, 엣지분사노즐(54)은 작동실린더(522)의 구동에 의해 수평장공(521)상에서 스캔(SCAN)방식으로 수평이동되어 웨이퍼(6)의 중앙부위에서 가장자리부위까지 전체적으로 세정수(W)를 분사함에 따라 회전하는 웨이퍼(6)에 의해 발생하는 세정효과와 함께 분사노즐(53,54)에 의한 세정효과를 동시에 얻을 수 있는 것이다.At this time, the edge injection nozzle 54 is horizontally moved in a scan (SCAN) manner on the horizontal slot 521 by the operation of the operation cylinder 522 to wash the wash water (W) as a whole from the center portion to the edge portion of the wafer 6. In addition to the cleaning effect generated by the rotating wafer 6 as it is sprayed, the cleaning effect by the spray nozzles 53 and 54 can be simultaneously obtained.
이상과 같이 본 발명에 따른 포토레지스트 세정장비는 웨이퍼세정부의 작동플레이트에 수평이동수단을 구비하여 엣지분사노즐을 스캔방식으로 수평이동시켜 웨이퍼의 중앙에서 가장자리 부위까지 세정액의 분사압력이 작용되게하므로써 회전하는 웨이퍼에 의해 발생하는 세정효과와 함께 분사노즐의 분사압력에 의한 세정효과를 동시에 얻을 수 있는 효과가 있다.As described above, the photoresist cleaning apparatus according to the present invention is provided with a horizontal moving means on an operation plate of the wafer cleaner to horizontally move the edge injection nozzle in a scanning manner so that the injection pressure of the cleaning liquid is applied from the center to the edge of the wafer. In addition to the cleaning effect generated by the rotating wafer, the cleaning effect by the injection pressure of the injection nozzle can be simultaneously obtained.
도 1은 종래 포토레지스트 현상장비에 있어, 세정액분사부를 설명하기 위한 개략적인 구성도이다.1 is a schematic configuration diagram for explaining a cleaning liquid injection unit in a conventional photoresist developing apparatus.
도 2는 본 발명에 따른 포토레지스트 현상장비의 전체구성을 보인 사시도이다.2 is a perspective view showing the overall configuration of the photoresist developing apparatus according to the present invention.
도 3은 도 2의 A부분을 확대도시한 구성도이다.3 is an enlarged view illustrating a portion A of FIG. 2.
도 4는 본 발명에 따른 포토레지스트 현상장비에 있어, 세정액분사부의 각 분사노즐의 작용상태를 설명하기 위한 구성도이다. Figure 4 is a block diagram for explaining the operation of each spray nozzle of the cleaning liquid injection unit in the photoresist developing apparatus according to the present invention.
<도면주요부위에 대한 부호의 설명><Explanation of symbols for major parts of drawing>
1 : 포토레지스트 현상장비 2 : 웨이퍼공급부1: photoresist developing equipment 2: wafer supply unit
3 : 웨이퍼이송부 4 : 현상액분사부3: wafer transfer part 4: developer injection part
5 : 세정액분사부 6 : 웨이퍼5: cleaning liquid injection part 6: wafer
51 : 웨이퍼척 52 : 작동플레이트51: wafer chuck 52: operating plate
53 : 센터분사노즐 54 : 엣지분사노즐53: center spray nozzle 54: edge spray nozzle
521 : 수평장공 522 : 작동실린더521: horizontal long hole 522: working cylinder
W : 세정액W: cleaning liquid
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Cited By (3)
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| KR20150028621A (en) * | 2013-09-06 | 2015-03-16 | 세메스 주식회사 | Apparatus for treating substrate |
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- 2003-11-17 KR KR10-2003-0081205A patent/KR100534099B1/en not_active IP Right Cessation
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A201 | Request for examination | ||
| E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
| GRNT | Written decision to grant | ||
| LAPS | Lapse due to unpaid annual fee |