KR20050046170A

KR20050046170A - Sputtering apparatus

Info

Publication number: KR20050046170A
Application number: KR1020030080187A
Authority: KR
Inventors: 김종윤; 이춘탁; 탁윤흥
Original assignee: 엘지전자 주식회사
Priority date: 2003-11-13
Filing date: 2003-11-13
Publication date: 2005-05-18
Also published as: KR100603459B1

Abstract

본 발명은 타겟의 사용 효율을 향상시켜 재료비를 절감시킬 수 있는 스퍼터링장치에 관한 것이다.The present invention relates to a sputtering device that can reduce the material cost by improving the use efficiency of the target.

본 발명에 플라즈마 가스에 스퍼터링 되는 타겟이 장착된 지지판과; 상기 타겟 전영역에 균일한 자기장을 인가하기 위한 다수의 자석이 부착됨과 아울러 상기 지지판 아래에서 일정한 속도로 회전하는 롤링장치를 구비하는 것을 특징으로 한다. A support plate on which a target to be sputtered on the plasma gas is mounted; A plurality of magnets are attached to the entire target area to apply a uniform magnetic field, and a rolling device is rotated at a constant speed under the support plate.

Description

Sputtering Apparatus

본 발명은 스퍼터링 장치에 관한 것으로, 특히 타겟의 사용 효율을 향상시켜 재료비를 절감시킬 수 있는 스퍼터링 장치에 관한 것이다. The present invention relates to a sputtering apparatus, and more particularly to a sputtering apparatus that can reduce the material cost by improving the use efficiency of the target.

통상 스퍼터링(Sputtering) 장치는 플라즈마에 의해 이온을 가속시켜 이온을 타겟에 충돌하게 하여 기판에 타겟물질을 성막하는 장치이다. 이 스퍼터링장치를 이용한 스퍼터링공정은 고온에서 진행되는 화학증착장치에 비해 기판을 약 400℃의 저온으로 유지하면서 박막을 형성할 수 있는 장점이 있다. 이러한 스퍼터링장치는 비교적 간단한 구조로 짧은 시간에 증착막을 형성할 수 있기 때문에 유기 전계방광소자 등의 평판표시소자에 널리 이용되고 있다. In general, a sputtering apparatus is an apparatus for depositing a target material on a substrate by accelerating ions by plasma to cause ions to collide with a target. The sputtering process using this sputtering device has the advantage of forming a thin film while maintaining the substrate at a low temperature of about 400 ℃ compared to the chemical vapor deposition proceeding at a high temperature. Such sputtering apparatuses are widely used in flat panel display devices such as organic electroluminescent devices because they can form a deposition film in a short time with a relatively simple structure.

스퍼터링 장치는 타겟부와 기판부를 각각 전원의 음극단과 양극단에 연결하고, 고주파를 발생시키면서 직류전원을 인가하면 전기장의 작용으로 타겟에서 전자가 발생되고 이 전자들은 양극단으로 가속된다. 이 때, 가속 전자들이 챔버에 공급된 불활성가스와 충돌하여 가스가 이온화된다. 불활성 가스의 양이온은 전기장의 작용으로 음극단에 연결된 타겟과 충돌하여 타겟 표면에서 타겟 원자들이 이탈되는 스퍼터링 현상이 발생된다. 한편, 타겟에서 방출되어 양극단으로 가속되는 전자는 중성원자와 충돌하여 여기되고 이때 플라즈마가 발생한다. 플라즈마는 외부의 전위가 유지되고 전자가 계속 발생할 경우 유지된다. The sputtering apparatus connects the target and the substrate to the cathode and anode ends of the power supply, respectively, and when direct current is applied while generating a high frequency, electrons are generated in the target under the action of an electric field, and these electrons are accelerated to the anode end. At this time, the accelerating electrons collide with the inert gas supplied to the chamber to ionize the gas. The cation of the inert gas collides with the target connected to the cathode by the action of an electric field, resulting in sputtering of target atoms from the target surface. On the other hand, electrons emitted from the target and accelerated to the anode end are excited by collision with the neutral atoms, and plasma is generated at this time. The plasma is maintained when an external potential is maintained and electrons continue to occur.

도 1은 종래 스퍼터링 장치의 챔버 내부를 나타내는 단면도이다. 1 is a cross-sectional view showing the inside of a chamber of a conventional sputtering apparatus.

도 1을 참조하면, 종래 스퍼터링 장치의 챔버 내부에는 기판부(SP), 타겟부(TP) 및 마스크부(MP)로 이루어진다. Referring to FIG. 1, the chamber of the conventional sputtering apparatus includes a substrate part SP, a target part TP, and a mask part MP.

기판부(SP)는 스퍼터링공정에 의해 증착물질이 증착되는 기판(8)과, 기판(8)을 지지하는 서셉터(10)로 이루어진다. The substrate part SP includes a substrate 8 on which a deposition material is deposited by a sputtering process, and a susceptor 10 supporting the substrate 8.

마스크부(MP)는 마스크(2), 플로팅 마스크(4) 및 절연체(6)로 이루어진다. 마스크(2)는 알루미늄(Al) 등과 같은 전도성물질을 이용하여 사각 테두리 형상으로 형성되어 플라즈마 방전시 양극 역할을 하게 된다. 플로팅마스크(4)는 알루미늄(Al) 등과 같은 전도성물질로 마스크(2)의 테두리 내측에 마스크(2)와 전기적으로 절연되게 형성된다. 절연체(6)는 절연물질로 형성되어 마스크(2)와 플로팅 마스크(4)를 전기적으로 절연시킨다. The mask portion MP consists of a mask 2, a floating mask 4, and an insulator 6. The mask 2 is formed in a rectangular frame shape using a conductive material such as aluminum (Al) to serve as an anode during plasma discharge. The floating mask 4 is formed of a conductive material such as aluminum (Al) to be electrically insulated from the mask 2 inside the edge of the mask 2. The insulator 6 is formed of an insulating material to electrically insulate the mask 2 from the floating mask 4.

타겟부(TP)는 자석(18), 후면판(14) 및 타겟(12)으로 이루어진다. 자석(18)은 플라즈마에서 발생하는 전자가 스퍼터링 장치의 다른 부분으로 이탈하는 것을 방지하기 위해 타겟(12)에 자기장을 인가하는 역할을 하고, 후면판(14)은 스퍼터링에 의해 기판(8)에 형성되는 증착물질인 타겟(12)을 고정하는 역할을 한다. The target portion TP includes a magnet 18, a back plate 14, and a target 12. The magnet 18 serves to apply a magnetic field to the target 12 in order to prevent electrons generated in the plasma from escaping to another part of the sputtering device, and the back plate 14 is sputtered to the substrate 8. It serves to fix the target 12 which is a deposition material to be formed.

이러한 스퍼터링장치는 자기장 인가 방식으로 도 2a에 도시된 바와 같이 자석(18)이 일정한 간격을 두고 일정한 위치에 고정되어 타겟(12)에 자기장을 인가하는 인 라인 스퍼터 방식과, 도 2b에 도시된 바와 다수개의 자석(18)이 밀집되어 후면판(14)의 양방향으로 왕복하면서 스캐닝 방식으로 타겟(12)에 자기장을 인가하는 클러스터 스퍼터 방식 등이 있다. Such a sputtering apparatus has a magnetic field applying method, as shown in FIG. 2A, in which the magnet 18 is fixed at a predetermined position to apply a magnetic field to the target 12, and as shown in FIG. 2B. A plurality of magnets 18 are clustered and cluster sputtering to apply a magnetic field to the target 12 in a scanning manner while reciprocating in both directions of the rear plate 14.

그러나, 인 라인 스퍼터는 자석(18)이 일정한 위치에 고정되어 있음으로 자석(18)의 위치하는 영역과 대응되는 영역에 불활성가스 이온 예를 들어, 아르곤 이온(Ar⁺)이 밀집되게 된다. 이에 따라, 도 3a에 도시된 바와 같이 아르곤 이온(Ar⁺)이 밀집된 영역의 타겟(B)이 집중적으로 식각됨으로써 아르곤 이온(Ar⁺)이 상대적으로 덜 밀집된 영역의 타겟(A)보다 상대적으로 얇은 두께를 갖게 됨으로써 타겟의 두께가 불균일해 진다. 또한, 클러스터 스퍼터의 경우에는 자석(18)의 스캐닝 속도의 차이에 의해 즉, 후면판(14)의 중심부에는 스케닝 속도는 최대가 되고 후면판(14)의 가장자리에는 스케닝속도가 최저가 됨으로써 후면판(14)의 가장자리에 자석(18)이 머므르는 시간이 더 길게 된다. 이에 따라, 도 3b에 도시된 바와 같이 타겟(12)의 가장자리영역(B)이 그 중앙부(A)보다 더 식각되게 됨으로써 타겟(12)의 두께가 불균일해 진다. 이처럼, 타겟(12)이 불균일하게 식각되면 과식각된 영역(B)의 후면판(14) 까지 식각될 우려가 있음으로 타겟(14)을 교체해주어야 하고 불균일하게 식각된 타겟(12)은 폐기 처분하게 된다. 이와 같이, 타겟(12)이 불균일하게 식각됨으로써 타겟(12) 사용효율이 저하되어 그 교체주기가 짧아지게 되는 등의 재료의 큰 낭비 문제가 초래된다.However, in the in-line sputtering, since the magnet 18 is fixed at a predetermined position, inert gas ions, for example, ar ⁺ ions (Ar ⁺ ) are concentrated in a region corresponding to the region where the magnet 18 is located. Accordingly, as illustrated in FIG. 3A, the target B of the region where the argon ions Ar ⁺ are concentrated is etched intensively, so that the argon ions Ar ⁺ are relatively thinner than the target A of the region where the argon ions Ar ⁺ are less dense. By having a thickness, the thickness of the target becomes uneven. In addition, in the case of the cluster sputter, the scanning speed of the magnet 18 is different, that is, the scanning speed is maximized at the center of the rear plate 14 and the scanning speed is lowest at the edge of the rear plate 14. The longer the magnet 18 stays at the edge of 14). Accordingly, as shown in FIG. 3B, the edge region B of the target 12 is etched more than the center portion A, thereby making the thickness of the target 12 uneven. As such, when the target 12 is unevenly etched, the target plate 14 may need to be replaced because the target plate 14 of the overetched area B may be etched, and the unevenly etched target 12 may be disposed of. Done. As described above, the target 12 is non-uniformly etched, which causes a large waste of material such as the use efficiency of the target 12 is lowered and the replacement cycle is shortened.

따라서, 본 발명의 목적은 타겟의 사용 효율을 향상시켜 재료비를 절감시킬 수 있는 스퍼터링장치를 제공하는 데 있다. Accordingly, an object of the present invention is to provide a sputtering apparatus that can reduce the material cost by improving the use efficiency of the target.

상기 목적을 달성하기 위하여, 본 발명에 따른 스퍼터링장치는 플라즈마 가스에 스퍼터링 되는 타겟이 장착된 지지판과; 상기 타겟 전영역에 균일한 자기장을 인가하기 위한 다수의 자석이 부착됨과 아울러 상기 지지판 아래에서 일정한 속도로 회전하는 롤링장치를 구비하는 것을 특징으로 한다.In order to achieve the above object, a sputtering apparatus according to the present invention includes a support plate mounted with a target to be sputtered on the plasma gas; A plurality of magnets are attached to the entire target area to apply a uniform magnetic field, and a rolling device is rotated at a constant speed under the support plate.

상기 롤링장치는 상기 자석이 부착되는 롤링판과; 상기 롤링판을 일정한 속도 회전시키는 롤러와; 상기 롤링판 내에 위치하여 상기 자석 상호간의 자기장을 차단하는 차단판을 포함하는 것을 특징으로 한다.The rolling device includes a rolling plate to which the magnet is attached; A roller for rotating the rolling plate at a constant speed; Located in the rolling plate is characterized in that it comprises a blocking plate to block the magnetic field between the magnets.

상기 다수의 자석 각각은 일정한 간격을 두고 상기 롤링판에 부착되는 것을 특징으로 한다.Each of the plurality of magnets is attached to the rolling plate at regular intervals.

상기 다수의 자석은 다수개의 자석이 밀집된 자석군이 일정한 간격을 두고 상기 롤링판에 부착되는 것을 특징으로 한다.The plurality of magnets are characterized in that the magnet group in which the plurality of magnets are concentrated are attached to the rolling plate at regular intervals.

상기 목적 외에 본 발명의 다른 목적 및 특징들은 첨부도면을 참조한 실시 예에 대한 설명을 통하여 명백하게 드러나게 될 것이다. Other objects and features of the present invention in addition to the above object will be apparent from the description of the embodiments with reference to the accompanying drawings.

이하, 도 4 내지 도 8을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예에 대하여 설명하기로 한다. Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described with reference to FIGS. 4 to 8.

도 4는 본 발명의 실시예에 따른 스퍼터링 장치를 나타낸 도면이다. 4 is a view showing a sputtering apparatus according to an embodiment of the present invention.

도 4에 도시된 스퍼터링장치는 챔버(166), 전원부(VP), 챔버(166)의 압력을 조절하는 펌프(174)와 가스공급부(176)를 구비하고, 챔버내 형성되는 기판부(SP), 타겟부(TP) 및 마스크(미도시)가 구비된다. The sputtering apparatus shown in FIG. 4 includes a chamber 166, a power supply unit VP, a pump 174 for adjusting pressure of the chamber 166, and a gas supply unit 176, and a substrate unit SP formed in the chamber. A target portion TP and a mask (not shown) are provided.

챔버(166)에서는 스퍼터링 공정이 진행되며, 원활한 공정 진행을 위하여 진공상태로 유지되는 밀폐공간이다. The sputtering process is performed in the chamber 166, and is a closed space maintained in a vacuum state for smooth process progression.

전원부(VP)는 고주파발생부(Radio Frequency Generator)(170)와 직류전원부(DC Power Supply)(168)로 이루어지며, 이들은 기판(138)과 타겟(142)에 연결되어 그 사이에 전기장을 형성하여 플라즈마가 발생하도록 환경을 조성한다. The power supply unit VP includes a radio frequency generator 170 and a DC power supply 168, which are connected to the substrate 138 and the target 142 to form an electric field therebetween. To create an environment in which plasma is generated.

마스크부(도시하지 않음)는 마스크, 플로팅 마스크 및 절연체로 이루어진다. 마스크는 알루미늄(Al) 등과 같은 전도성물질을 이용하여 사각 테두리 형상으로 형성되어 플라즈마 방전시 양극 역할을 하게 된다. 플로팅마스크는 알루미늄(Al) 등과 같은 전도성물질로 마스크의 테두리 내측에 마스크와 전기적으로 절연되게 형성된다. 절연체는 절연물질로 형성되어 마스크와 플로팅 마스크를 전기적으로 절연시킨다.The mask part (not shown) consists of a mask, a floating mask, and an insulator. The mask is formed in a square rim shape using a conductive material such as aluminum (Al) to serve as an anode during plasma discharge. The floating mask is formed of a conductive material such as aluminum (Al) to be electrically insulated from the mask inside the edge of the mask. The insulator is formed of an insulating material to electrically insulate the mask from the floating mask.

기판부(SP)는 스퍼터링 공정에 의해 증착물질이 증착되는 기판(138)과, 기판(138)을 지지하는 서셉터(140)로 이루어진다. The substrate part SP includes a substrate 138 on which a deposition material is deposited by a sputtering process, and a susceptor 140 supporting the substrate 138.

타겟부(TP)는 기판(138)에 증착할 물질을 지지하는 부분으로 도 5에 도시된 바와 같이 타겟(142), 후면판(Backing Plate)(44) 및 자석(magnet)(118)이 부착된 롤링장치(180)로 구성된다. 후면판(144)은 타겟(142)을 고정하고 지지하는 역할을 하고, 자석(118)은 플라즈마에서 발생하는 전자가 스퍼터링 장치의 다른 부분으로 이탈하는 것을 방지하기 위해 타겟(142)에 자기장을 인가하는 역할을 한다. 롤링장치(180)는 다수의 자석(118)이 부착되는 롤링판(182)과, 롤링판(182)을 회전시키는 롤러(184)와, 롤링판(182) 내에 위치하여 자석(118)간에 발생될 수 있는 자기장에 의한 상호작용을 차단하는 자기장 차단판(186)이 구비된다. 이러한 롤링장치(180)는 자석(118)에서 발생된 자기장이 타겟(142) 전면에 균일하게 인가되게 하는 역할을 한다. The target part TP supports a material to be deposited on the substrate 138, and the target 142, the backing plate 44, and the magnet 118 are attached as shown in FIG. It is composed of a rolling device 180. The backplate 144 serves to fix and support the target 142, and the magnet 118 applies a magnetic field to the target 142 to prevent electrons generated in the plasma from escaping to other parts of the sputtering device. It plays a role. The rolling device 180 is located between the rolling plate 182 to which the plurality of magnets 118 are attached, the roller 184 for rotating the rolling plate 182, and the magnet 118 located in the rolling plate 182. A magnetic field blocker 186 is provided to block interaction by a magnetic field that may be. The rolling device 180 serves to uniformly apply the magnetic field generated from the magnet 118 to the front surface of the target 142.

구체적으로 설명하면, 도시하지 않은 구동부에 의해 롤러(184)가 일정한 속도로 회전하게 되면 이에 접촉되는 롤링판(182) 또한 일정한 속도로 회전하게 된다. 이에 따라, 롤링판(182)에 일정한 간격을 두고 위치하는 자석(118)에서 발생되는 자기장이 타겟(142) 전영역에 일정한 속도로 균일하게 인가됨으로써 타겟(142)의 전영역에 아르곤 이온(Ar⁺)이 균일하게 분포된다. 그 결과, 아르곤 이온(Ar⁺)이 타겟의 전영역에서 고르게 충돌함으로써 도 6에 도시된 바와 같이 타겟(142)이 균일하게 식각된다. 이로써, 종래의 특정부분에 식각이 집중됨이 방지되고 타겟의 전면이 고르게 식각됨으로써 타겟(142)의 사용효율이 증가되어 재료비가 절감된다. 여기서, 각각의 자석(118)은 도 5에 도시된 바와 같이 인 라인 방식으로 롤링판(182) 상에 일정한 간격을 두고 위치할 수 있고, 도 7에 도시된 바와 같이 클러스터 방식으로 다수개의 자석(118)이 밀집된 자석군이 일정한 간격을 두고 위치할 수 도 있다.In detail, when the roller 184 rotates at a constant speed by the driving unit (not shown), the rolling plate 182 in contact therewith also rotates at a constant speed. Accordingly, the magnetic field generated by the magnets 118 positioned at regular intervals on the rolling plate 182 is uniformly applied to the entire region of the target 142 at a constant speed, thereby argon ions (Ar) are applied to the entire region of the target 142. ⁺ ) Is uniformly distributed. As a result, the target 142 is uniformly etched as shown in FIG. 6 by argon ions Ar ⁺ evenly colliding in the entire region of the target. As a result, the concentration of the etching is prevented in a specific part of the related art, and the entire surface of the target is etched evenly, thereby increasing the use efficiency of the target 142, thereby reducing the material cost. Here, each magnet 118 may be positioned at regular intervals on the rolling plate 182 in an in-line manner as shown in FIG. 5, and a plurality of magnets ( 118 may be located at a regular interval of the group of magnets.

이러한 스퍼터링 장치의 동작과정을 살펴보면, 타겟부(TP)와 기판부(SP)를 각각 전원의 음극단과 양극단에 연결하고, 고주파를 발생시키면서 DC전원을 인가하면 전기장의 작용으로 타겟(142)에서 전자가 발생하고 이 전자들은 양극단으로 가속된다. 이 때, 가속 전자들이 공정 챔버(166)에 공급된 가스와 충돌하여 가스가 이온화된다. 아르곤 이온(Ar₊)은 전기장의 작용으로 음극단에 연결된 타겟(142)에 충돌하여 타겟(142) 표면에서 타겟(142) 원자들이 이탈되는 스퍼터링 현상이 발생된다. 여기서, 타겟(142)의 전영역에 균일한 자기장을 인가할 수 있는 자석이 부착된 롤링장치가 구비됨으로써 아르곤 이온이 타겟의 전영역에 고르게 분포된다. 그 결과, 타겟의 전영역이 균일하게 식각된다.Looking at the operation of such a sputtering device, connecting the target portion (TP) and the substrate portion (SP) to the negative end and the positive end of the power supply, respectively, and applying a DC power while generating a high frequency at the target 142 under the action of the electric field Electrons are generated and these electrons are accelerated to the extreme ends. At this time, the acceleration electrons collide with the gas supplied to the process chamber 166 to ionize the gas. Argon ions (Ar ₊ ) collide with the target 142 connected to the cathode by the action of an electric field, and a sputtering phenomenon in which atoms of the target 142 are separated from the surface of the target 142 is generated. Here, a rolling device with a magnet capable of applying a uniform magnetic field to the entire region of the target 142 is provided, whereby argon ions are evenly distributed over the entire region of the target. As a result, the entire area of the target is etched uniformly.

한편, 타겟(142)에서 방출되어 양극단으로 가속되는 전자는 중성원자와 충돌하여 여기되면서 플라즈마가 발생한다. 플라즈마는 외부의 전위가 유지되고 전자가 계속 발생할 경우 유지된다.On the other hand, electrons emitted from the target 142 and accelerated to the anode end collide with the neutral atoms to be excited to generate plasma. The plasma is maintained when an external potential is maintained and electrons continue to occur.

이와 같이, 본 발명에 따른 스퍼터링 장치는 타겟의 전영역에 균일한 자기장을 인가할 수 있는 자석이 부착된 롤링장치를 구비한다. 이러한 롤링장치 내의 부착된 자석은 롤랑장치가 일정한 속도록 회전함에 따라 일정한 속도로 후면판 하부를 스캐닝하게 된다. 이에 따라, 타겟의 전영역에 일정한 자기장이 인가됨으로써 아르곤 이온이 타겟의 전영역에 고르게 분포된다. 그 결과, 타겟의 전영역이 균일하게 식각됨으로써 타겟의 사용효율이 향상되어 타겟의 교체 주기가 길어지게 되는 등 재료를 절감할 수 있게 된다. As described above, the sputtering apparatus according to the present invention includes a rolling apparatus having a magnet attached to it to apply a uniform magnetic field to the entire area of the target. The magnets attached to the rolling apparatus scan the lower portion of the rear plate at a constant speed as the Roland apparatus rotates at a constant speed. As a result, a constant magnetic field is applied to the entire region of the target, thereby argon ions are evenly distributed over the entire region of the target. As a result, since the entire area of the target is etched uniformly, the use efficiency of the target is improved, and the replacement cycle of the target is lengthened.

도 8은 본 발명에 따른 스퍼터링장치를 이용하여 형성되는 유기 전계발광소자의 일부를 나타내는 단면도이다. 8 is a cross-sectional view showing a part of an organic electroluminescent device formed using a sputtering apparatus according to the present invention.

도 8에 도시된 유기 전계발광소자는 기판(102) 상에 애노드전극(104)과 캐소드전극(112)이 서로 교차하는 방향으로 형성된다. In the organic electroluminescent device illustrated in FIG. 8, the anode electrode 104 and the cathode electrode 112 are formed to cross each other on the substrate 102.

애노드전극(104)은 기판(102) 상에 소정간격으로 이격되어 다수개 형성된다. 이러한 애노드전극(104)이 형성된 기판(102) 상에는 EL셀(EL) 영역마다 개구부를 갖는 절연막(106)이 형성된다. 절연막(106) 상에는 그 위에 형성되어질 유기발광층(110) 및 캐소드전극(112)의 분리를 위한 격벽(108)이 위치한다. 격벽(108)은 애노드전극(104)을 가로지르는 방향으로 형성되며, 상단부가 하단부보다 넓은 폭을 가지게 되는 오버행(Overhag) 구조를 갖게 된다. 격벽(108)이 형성된 기판(102) 상에는 유기화합물로 구성되는 유기발광층(110)과 캐소드전극(112)이 순차적으로 전면 증착된다. A plurality of anode electrodes 104 are spaced apart at predetermined intervals on the substrate 102. On the substrate 102 on which the anode electrode 104 is formed, an insulating film 106 having an opening for each EL cell EL region is formed. On the insulating layer 106, a partition wall 108 for separating the organic light emitting layer 110 and the cathode electrode 112 to be formed thereon is positioned. The partition 108 is formed in a direction crossing the anode electrode 104 and has an overhag structure in which the upper end portion has a wider width than the lower end portion. On the substrate 102 on which the partition 108 is formed, the organic light emitting layer 110 and the cathode electrode 112 made of an organic compound are sequentially deposited on the entire surface.

한편, 본 발명에 따른 스퍼터링 장치는 유기 전계발광소자 뿐만 아니라, 액정 표시장치(Liquid Crystal Display), 전계 방출 표시장치(Field Emission Display), 플라즈마 디스플레이 패널(Plasma Display Panel) 및 일렉트로 루미네센스(Electro-luminescence:이하 "EL "이라 함)표시장치 등 어떠한 평판 표시장치의 형성공정에 이용될 수 있다. Meanwhile, the sputtering apparatus according to the present invention is not only an organic electroluminescent device, but also a liquid crystal display, a field emission display, a plasma display panel, and an electroluminescence. -luminescence (hereinafter referred to as " EL ") may be used in the process of forming any flat panel display device.

상술한 바와 같이, 본 발명에 따른 스퍼터링 장치는 타겟의 전영역에 균일하게 자기장을 인가할 수 있는 자석이 부착된 롤링장치를 구비함으로써 타겟의 전영역에 일정한 자기장이 인가된다. 이에 따라, 타겟의 전영역이 균일하게 식각됨으로써 타겟의 사용효율이 향상되어 타겟의 교체 주기가 길어지게 되는 등 재료를 절감할 수 있게 된다. As described above, the sputtering apparatus according to the present invention has a rolling device with a magnet that can apply a magnetic field uniformly to the entire area of the target, so that a constant magnetic field is applied to the entire area of the target. As a result, the entire area of the target is uniformly etched, thereby improving the use efficiency of the target, thereby making it possible to save materials such as a long replacement cycle of the target.

이상 설명한 내용을 통해 당업자라면 본 발명의 기술사상을 일탈하지 아니하는 범위에서 다양한 변경 및 수정이 가능함을 알 수 있을 것이다. 따라서, 본 발명의 기술적 범위는 명세서의 상세한 설명에 기재된 내용으로 한정되는 것이 아니라 특허 청구의 범위에 의해 정하여 져야만 할 것이다. Those skilled in the art will appreciate that various changes and modifications can be made without departing from the technical spirit of the present invention. Therefore, the technical scope of the present invention should not be limited to the contents described in the detailed description of the specification but should be defined by the claims.

도 1은 종래 스퍼터링 장치의 챔버 내부를 나타내는 단면도이다.1 is a cross-sectional view showing the inside of a chamber of a conventional sputtering apparatus.

도 2a 및 도 2b는 종래의 자기장 인가 방식에 따른 타겟부를 나타내는 도면이다. 2A and 2B are views illustrating a target unit according to a conventional magnetic field applying method.

도 3a 및 도 3b는 불균일하게 식각된 타겟을 나타내는 도면이다. 3A and 3B illustrate a non-uniformly etched target.

도 4는 본 발명에 따른 스퍼터링 장치를 나타내는 도면이다. 4 is a view showing a sputtering apparatus according to the present invention.

도 5는 본 발명에 따른 스퍼터링 장치의 타겟부를 나타내는 도면이다.5 is a view showing a target portion of the sputtering apparatus according to the present invention.

도 6은 균일하게 식각된 타겟을 나타내는 도면이다.6 is a diagram illustrating a target that is uniformly etched.

도 7은 본 발명에 따른 스퍼터링 장치의 또 다른 타겟부를 나타내는 도면이다.7 is a view showing still another target portion of the sputtering apparatus according to the present invention.

도 8은 유기 전계발광소자의 일부를 나타내는 도면이다.8 is a diagram illustrating a part of an organic electroluminescent device.

< 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명 ><Description of Symbols for Main Parts of Drawings>

18,118 : 자석 14, 144 : 후면판 18,118: magnet 14,144: backplane

8,138 : 기판 10,140 : 서셉터 8,138: substrate 10,140: susceptor

12,142 : 타겟 166 : 챔버 12,142 target 166 chamber

180 ; 롤링장치 182 : 롤링판180; Rolling Device 182: Rolling Plate

184 : 롤러 186 : 차단판 184: roller 186: blocking plate

Claims

A support plate on which a target to be sputtered on the plasma gas is mounted;

And a rolling device attached to a plurality of magnets for applying a uniform magnetic field to the entire target area and rotating at a predetermined speed under the support plate.

The method of claim 1,

The rolling device is

A rolling plate to which the magnet is attached;

A roller for rotating the rolling plate at a predetermined speed;

And a blocking plate positioned in the rolling plate to block magnetic fields between the magnets.

The method of claim 2,

Sputtering apparatus, characterized in that the rotational speed of the rolling plate is constant.

The method of claim 2,

And each of the plurality of magnets is attached to the rolling plate at regular intervals.

The method of claim 2,

The plurality of magnets is a sputtering apparatus, characterized in that the magnet group in which the plurality of magnets are concentrated are attached to the rolling plate at regular intervals.