KR20050044659A - 인산염 및 유기 화합물을 함유하는 수성 매질의 처리 방법 - Google Patents

인산염 및 유기 화합물을 함유하는 수성 매질의 처리 방법 Download PDF

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Abstract

본 발명은 유기 화합물 및 인산염(포스페이트)을 함유하는 수성 매질을 처리함으로써 질산을 제조하는 방법에 관한 것으로서,
질산 합성 구역에 상기 수성 매질을 공급하는 단계;
상기 질산 합성 구역에서 NO2를 함유하는 가스상 매질과 수성 매질을 접촉시킴으로써 질산을 형성시키는 단계; 및
상기 질산 합성 구역으로부터 배출가스(off-gas)를 배출시키는 단계를 포함하며,
질산 합성 구역으로 들어가는 수성 매질중의 총 유기 탄소 농도는 0.03 중량% 미만인 것을 특징으로 한다.

Description

인산염 및 유기 화합물을 함유하는 수성 매질의 처리 방법{PROCESS FOR TREATING AN AQUEOUS MEDIUM CONTAINING PHOSPHATE SALT AND ORGANIC COMPOUNDS}
도 1은 본 발명에 따른 방법의 바람직한 실시형태의 도식도이다.
도 2는 본 발명에 따른 방법이 시클로헥사논 옥심의 제조 방법의 일부인 바람직한 실시형태의 도식도이다.
바람직한 실시형태의 설명
도 1를 참조하면, A는 시이브 트레이가 구비된 탑의 경우에 질산 합성 구역을 나타낸다. 수성 매질은 라인(1)을 통해 탑(A)의 상부에 공급된다. NO, NO2 및 O2를 함유하는 가스 혼합물은 라인(3)을 통해 탑(A)의 하부에 공급된다. 질산이 풍부한 수성 매질은 라인(2)을 통해 탑(A)으로부터 배출된다. 배출가스는 라인(4)을 통해 탑으로부터 배출된다. 상기 탑을 냉각시킨다.
도 2를 참조하면, B는 히드록실암모늄 합성 구역을 나타낸다. 시클로헥사논 옥심 합성 구역은 반응 구역(C)과 추출 구역(D)을 포함하는 것으로 사용한다. 촉매를 함유하는 구역(B)에 라인(5)을 통해 수소가 공급되고; 반응하지 않은 수소는 라인(6)을 통해 특정의 다른 가스와 배출된다. 예를 들어 인산염을 함유하는 수성 매질은 라인(2)과 라인(16)을 통해 구역(B)으로 공급되며, 히드록실암모늄 합성 구역에 히드록실암모늄이 풍부해진 후에, 수성 매질은 라인(7)을 통해 시클로헥사논 옥심 합성 구역을 통과한다. 시클로헥사논 옥심 합성 구역은 반응 구역(C)과 추출 구역(D)을 포함한다. 전환된 시클로헥사논은 라인(8)을 통해 유기 용매로 구역(C)으로 공급된다. 시클로헥사논은 라인(9)을 통해 유기 용매에 도입된다. 유기 용매내 생성되고 용해된 많은 부분의 시클로헥사논 옥심은 라인(10)을 통해 시스템으로부터 제거된다.
반응 구역(C)에서 방출될 때, 수성 매질은 라인(11)을 통해 추출 구역(D)을 통과한다. 반응 구역(C)에서 방출될 때, 수성 매질의 히드록실암모늄 함량은 반응에 의해 감소되며, 소량의 시클로헥사논과 시클로헥사논 옥심을 함유한다. 유기 용매는 라인(13)을 통해 추출 구역(D)으로 들어간다. 추출 구역(D)에 잔류 시클로헥사논 옥심 및 시클로헥사논은 수성 매질로부터 제거된다.
수성 매질은 분리 작업, 스트리핑 탑(E)에 수성 매질을 통과시키는 라인(14)을 통해서 추출 구역(D)를 나간다. 상기 탑에서 유기 화합물은 라인(15)을 통해 수성 매질로부터 제거된다. 스트리핑 탑(E)을 떠나는 수성 매질중의 총 유기 화합물 농도(TOC)는 0.03 중량% 미만이다. 탑을 떠나는 수성 매질의 일부는 라인(1)을 통해 질산 합성 구역(A)을 통과한다. 가스상 NO2, NO 및 O2를 함유하는 가스 혼합물은 라인(3)을 통해 질산 합성 구역(A)에 공급된다. 배출가스는 라인(4)을 통해 질산 합성 구역(A)으로부터 배출된다. 스트리핑 탑(E)을 떠나는 또 다른 부분의 수성 매질은 라인(16)을 통해 질산 합성 구역(A)을 우회하여 질산 합성 구역(A)을 떠나며 질산이 풍부한 수성 매질과 함께 히드록실암모늄 합성 구역(B)으로 재순환된다. 상기 방법은 연속적으로 실행된다.
본 발명은 하기의 실시예에 의해 설명될 것이며, 이에 제한되지 않는다.
비교 실험 A
본 실험에서, 탑은 도 1에서 지시된 것과 같이 사용된다. 상기 탑의 직경은 3 미터이며, 높이는 34.6 미터이다. 상기 탑은 27개의 시이브 트레이가 부착되어 있다. 하기의 조성물을 가지는 수성 매질이 탑의 상부로 공급된다(1시간 당 9.9 m3):
18 중량%의 H3PO4
18 중량%의 NH4NO3
16 중량%의 NH4H2PO4
0.8 중량%의 히드록실암모늄 인산염
TOC=0.04 중량%
나머지는 실질적으로 물.
하기의 양으로 탑의 하부에 가스가 공급된다(1시간 당 4.819 ㎥):
H2O 3.2 중량%
NO 1 중량%
NO2 7.8 중량%
O2 5.1 중량%
N2 82.9 중량%.
하기의 조성물을 가지는 배출가스가 탑의 상부로부터 배출된다:
H2O 0.8 중량%
NO 0.05 중량%
NO2 0.06 중량%
O2 3.4 중량%
N2 95.69 중량%.
탑은 40 ℃ 온도와 0.7 MPa의 압력에서 작동시킨다.
그 이후의 처리 중 배출가스는 150 ℃의 온도로 가열시킨다.
작동 후 1 년 동안에 배출가스와 접촉하는 (AISI 304L 스틸로 만들어진) 파이핑(piping) 부분은 부식 때문에 교체되어야 한다.
실시예 1
탑으로 들어가는 수성 매질의 TOC를 0.026 중량%로 한 것 만을 다르게 하여 비교 실험 A를 반복하였다. 실험 A와 같이 동일한 파이핑 부분은 최소한 3 년 이후에 교체되어야 한다.
본 실시예는 탑내로 들어가는 수성 매질중 TOC의 감소 때문에, 배출가스와 접촉하는 장비의 수명이 증가된다.
실시예 2
탑으로 들어가는 수성 매질의 TOC를 0.008 중량%로 한 것 만을 다르게 하여 실시예 1를 반복하였다. 실시예 1과 같이 동일한 파이핑 부분은 최소한 6 년 이후에 교체되어야 한다.
본 실시예는 탑내로 들어가는 수성 매질중 TOC의 감소 때문에, 배출가스와 접촉하는 장비의 수명이 추가로 증가된다.
본 발명은 인산염(포스페이트)과 유기 화합물을 함유하는 수성 매질을 처리함으로써 질산을 제조하는 방법에 관한 것이다. 본 발명은 또한 시클로헥사논 옥심을 제조하는 방법에 관한 것이다.
옥심은 질산 이온이 분자 수소에 의해 히드록실암모늄으로 촉매적으로 환원되는 히드록실암모늄 합성 구역과 시클로헥사논과 같은 케톤이 옥심으로 전환되는 옥심화(oximation) 구역사이에서, 완충산 또는 산성 염, 예를 들어 인산염 완충액 및 상기 산으로부터 유도된 완충염을 함유하는 완충 수성 매질이 연속적으로 재순환되는 방법으로 제조될 수 있다. 히드록실암모늄 합성 구역내에 히드록실암모늄이 풍부해진 후, 수성 매질이 옥심 합성 구역으로 통과되고, 여기에서 히드록실암모늄은 케톤, 가령 시클로헥사논과 반응하여 상응하는 옥심을 형성한다. 그 후, 옥심은 히드록실암모늄 합성 구역으로 재순환되는 수성 매질로부터 분리될 수 있다.
상기 방법 중에 일어나는 유효 화학반응은 하기 반응식 1, 2 및 3에 의해 나타낼 수 있다:
1)히드록실암모늄의 제조 단계:
2)옥심의 제조 단계:
3)형성된 옥심을 제거한 후 질산 이온의 공급원이 소모되는 것을 보충하기 위해 HNO3을 공급하는 단계
수성 매질이 히드록실암모늄 합성 구역을 통과하기 전에, 대개의 경우 질산이 제자리에 형성되는 수성 매질내 질소 가스의 흡착 또는 질산의 첨가에 의해서 요구되는 질산 이온이 풍부해 질 수 있다.
US-A-3,997,607에는 탄소로 계산하여 유기 화합물 400 ppm(0.040 중량%)을 함유하며, 옥심 합성 구역을 나가는 수성 매질이 질소 가스와 접촉하여 결과로서 HNO3가 형성되는 흡착탑(absorption column)에 공급되는 방법이 개시되어 있다. 상기 탑(column)에서 배출가스(off-gas)가 배출된다.
US-A-3,997,607 방법의 단점은 아마도 배출가스내 염의 비말동반(entrainment)에 기인하여 배출가스와 접촉하는 물질이 부식되는 경향이 높다는 것이다.
본 발명의 목적은 부식 문제를 발생시키지 않거나 또는 적어도 부식 정도를 보다 적게 발생시키는 방법을 제공하는 것이다.
상기 목적은 인산염과 유기 화합물을 함유하는 수성 매질을 처리함으로써 질산을 제조하는 방법을 제공함으로써 본 발명에 의해 달성되며, 상기 방법은:
질산 합성 구역에 상기 수성 매질을 공급하는 단계;
상기 질산 합성 구역에서 NO2를 함유하는 가스상 매질과 수성 매질을 접촉시킴으로써 질산을 형성시키는 단계; 및
상기 질산 합성 구역으로부터 배출가스를 배출시키는 단계를 포함하며,
질산 합성 구역으로 들어가는 수성 매질중의 총 유기 탄소 농도(TOC)는 0.03 중량% 미만인 것을 특징으로 한다.
본 발명은 또한 시클로헥사논 옥심의 제조 방법을 제공하며,
히드록실암모늄 합성 구역에서 시클로헥사논 옥심 합성 구역으로, 시클로헥사논 옥심 합성 구역에서 질산 합성 구역으로, 그리고 질산 합성 구역에서 히드록실암모늄 합성 구역으로 인산염을 함유하는 수성 매질을 통과시키는 단계;
상기 히드록실암모늄 합성 구역에서 질산염을 수소에 의해 촉매적으로 환원시킴으로써 히드록실암모늄을 제조하는 단계;
상기 시클로헥사논 옥심 합성 구역에서 히드록실암모늄과 시클로헥사논을 반응시킴으로써 시클로헥사논 옥심을 제조하는 단계;
상기 질산 합성 구역에서 NO2를 함유하는 가스상 매질과 수성 매질을 접촉시킴으로써 질산을 형성시키는 단계; 및
상기 질산 합성 구역으로부터 배출가스를 배출시키는 단계를 포함하며,
질산 합성 구역으로 들어가는 수성 매질중의 총 유기 탄소 농도(TOC)는 0.03 중량% 미만인 것을 특징으로 한다.
본 발명에 의하면 부식 경향이 감소된다. 상기는 배출가스와 접촉하는 물질의 수명을 증가시킨다. 또한 부식 문제점을 증가시키지 않고도 부식 저항성이 적은 물질을 적용시킬 수 있다.
본 발명에 따르면, 질산 합성 구역으로 들어가는 수성 매질중의 총 유기 탄소 농도(TOC)는 0.03 중량% 미만이다. 여기서 사용하는 총 유기 탄소 농도(TOC)는 탄소로 계산하여 모든 유기 화합물의 농도의 합을 나타낸다. TOC는 예를 들어 유기 화합물을 CO2로 산화시키고 형성된 CO2의 양을 측정하는 공지된 방법에 의해서 측정될 수 있다. 바람직하게, 질산 합성 구역으로 들어가는 수성 매질중의 총 유기 탄소 농도(TOC)는 0.020 중량% 미만, 보다 바람직하게는 0.015 중량% 미만, 가장 바람직하게는 0.010 중량% 미만이다. 또한 상기는 배출가스와 접촉하는 물질에 있어서 부식 조건의 심각도(severity)를 감소시킨다.
여기서 사용하는 것과 같은, 질산 합성 구역으로 들어가는 수성 매질중의 농도는 질산 합성 구역에 공급되는 수성 매질중의 농도를 나타낸다. 중량%는 질산 합성 구역에 공급되는 수성 매질의 중량에 관하여 주어진다.
본 발명에 따르면, 질산은 NO2를 함유하는 가스상 매질과 수성 매질을 접촉시킴으로써 질산 합성 구역내에서 형성된다; 바람직한 실시형태에서, 가스상 매질은 또한 NO와 O2를 포함한다.
질산의 형성은 하기의 반응식 4로 나타낼 수 있다:
이산화질소는 하기의 반응식 5에 따라 형성될 수 있다:
수성 매질은 특정의 적당한 방법에 의해서 가스상 매질과 접촉될 수 있다. 수성 매질과 가스상 매질은 역류 흐름(countercurrent flow)으로 접촉하는 것이 바람직하다. 질산 합성 구역내 기체상 매질의 겉보기 가스 속도(superficial gas velocity)는 0.05 m/s 내지 1 m/s, 보다 바람직하게는 0.1 m/s 내지 0.5 m/s가 바람직하다. 상한의 바람직한 값 미만의 겉보기 가스 속도를 적용시키는 것이 또한 부식 문제 발생을 감소시킨다. 여기서 사용하는 겉보기 가스 속도는 질산 합성 구역(㎡)의 자유 단면적(free cross sectional area)으로 나눈 가스상 매질의 용적 유량(volumetric flow, ㎥/s)을 나타낸다. 질산 합성 구역의 온도는 일반적으로 10 ℃ 내지 100 ℃이며, 바람직하게는 60 ℃ 미만이다. 질산 합성 구역내 압력은 1 MPa 내지 20 MPa가 일반적이다. 질산 합성 구역으로서 특정의 적당한 용기가 사용될 수 있다. 질산 합성 구역은 탑인 것이 바람직하다. 상기 탑은 단탑(plate column) 또는 충전탑(packed column)인 것이 바람직하다. 단탑은 예를 들어 시이브 트레이(sieve tray), 기포캡(bubble cap) 또는 밸브단(valve tray)과 같은 플레이트가 구비된 특정의 적당한 탑일 수 있다.
반응하는 가스는 제자리에 형성될 수 있거나 또는 특정의 적당한 방법으로 질산 합성 구역에 공급될 수 있다. NO2, 바람직하게 또는 O2가 질산 합성 구역에 공급될 수 있다. NO와 O2, 및 선택적으로 NO2가 질산 합성 구역에 공급되는 것이 또한 가능하다. 공기를 공급함으로써 질산 합성 구역에 O2가 공급될 수 있다. 상술된 가스상 화합물이 반응 구역에 개별적으로 또는 혼합물로서 공급될 수 있다. 바람직한 실시형태에서 질산 합성 구역으로 들어가는 가스는 암모늄 분해 구역으로부터 유래되며, 상기 암모늄은 아질산 가스와 반응한다.
배출가스는 특정 종류의 아질산 화합물, 예컨대 NO 및/또는 NO2를 포함할 수 있다. 배출가스는 또한 N2O3 및/또는 N2O4를 함유할 수도 있다. 배출가스는 또한 1개 이상의 비활성 가스, 예컨대 N2를 함유할 수도 있다.
수성 매질은 인산염, 바람직하게는 수성 매질 1 ℓ당 2.0-8.0 몰의 인산염을함유한다. 인산염은 H3PO4, H2PO4 -, HPO4 2- 및/또는 PO4 3-로서 존재할 수 있다. 수성 매질은 완충된 것이 바람직하다. 수성 매질은 산성의 수성 매질인 것이 바람직하다. 질산 합성 구역으로 들어가는 수성 매질의 pH는 0 내지 4, 보다 바람직하게는 0.5 내지 4인 것이 바람직하다. 바람직한 실시형태에서, 질산 합성 구역으로 들어가는 수성 매질은 수성 매질 1 ℓ 당 2.0-8.0 몰의 인산염, 0.5-8.0 몰의 암모늄(NH4 +) 및 0.1-5.0 몰의 질산염(NO3 -)을 함유한다. 여기서 사용하는 인산염 함량은 수성 매질 1 ℓ 당 H3PO4, H2PO4 -, HPO4 2- 및 PO4 3-의 함량들의 합을 나타낸다. 수성 매질은 유기 화합물을 포함한다. 유기 화합물의 예로는 시클로헥사논, 시클로헥사논 옥심, 시클로헥실아민, 카르복실산 및/또는 아민 화합물을 포함한다. 질산 합성 구역으로 들어가는 시클로헥사논의 함량 및 시클로헥사논 옥심의 함량의 합(농도의 합)은 0.001 중량% 미만, 보다 바람직하게는 0.0005 중량% 미만, 가장 바람직하게는 0.0002 중량% 미만이 바람직하다. 상기 중량%는 수성 매질의 중량을 기준으로 주어진다.
수성 매질은 특정의 적당한 방법에 의해서 질산 합성 구역으로부터 배출될 수 있다. 질산 합성 구역을 떠나는 수성 매질은 수성 매질 1 ℓ 당 1 몰 내지 8 몰의 질산염을 포함하는 것이 바람직하다.
상기 방법은 상기 질산 합성 구역에 상기 수성 매질을 공급하기 전에 상기 수성 매질로부터 유기 화합물을 분리시키는 단계를 포함하는 것이 바람직하다. 상기 분리 단계는 스트리핑, 예컨대 US-A-3,940,442에 기재된 방법에 의해 실행되는 것이 바람직하다. 바람직한 실시형태에서 스트리핑은 수성 매질을 스트리핑 구역에 공급하는 단계; 스트리핑 구역내 수성 매질을 통해 증기를 통과시키는 단계; 및 상기 스트리핑 구역으로부터 유기 화합물과 증기를 포함하는 증기 스트림을 배출시키는 단계를 포함한다. 수성 매질과 증기는 특정의 적당한 방법에 의해 접촉될 수 있다. 수성 매질과 증기는 역류 흐름으로 접촉되는 것이 바람직하다. 바람직하게, 스트리핑 구역을 통과하는 상기 증기의 겉보기 가스 속도는 0.2 m/s 내지 3 m/s, 보다 바람직하게는 0.4 m/s 내지 1.5 m/s이다. 상기에서 사용되는 겉보기 가스 속도는 스트리핑 구역(㎡)의 자유 단면적(증기 유량의 방향과 직각을 이룬)으로 나눈 용적 증기 유량(㎥/s)을 나타낸다. 스트리핑 구역의 온도는 90-180 ℃, 보다 바람직하게는 105 ℃ 내지 160 ℃인 것이 바람직하다. 스트리핑 구역의 압력은 대기압일 수 있다. 스트리핑 구역의 압력은 0.05 MPa 내지 1 MPa, 보다 바람직하게는 0.09 MPa 내지 0.6 MPa인 것이 바람직하다. 스트리핑 구역내 수성 매질의 잔류 시간은 0.5 분 내지 60 분이 바람직하다. 특정의 적당한 용기가 스트리핑 구역으로서 사용될 수 있다. 스트리핑 구역은 탑인 것이 바람직하다. 상기 탑은 단탑 또는 충전탑인 것이 바람직하다. 단탑은 플레이트, 예컨대 시이브 트레이, 기포캡 또는 밸브단이 구비된 특정의 적당한 탑일 수 있다. 스트리핑은 스트리핑 구역에서 실시되며, 여기서 스트리핑 구역을 떠나는 수성 매질내 TOC가 0.030 중량% 미만, 바람직하게는 0.020 중량% 미만, 보다 바람직하게는 0.015 중량% 미만, 보다 바람직하게는 0.010 중량% 미만인 것이 바람직하다.
시클로헥사논 옥심 합성 구역에서, 히드록실암모늄은 바람직하게 유기 용매의 존재하에서 시클로헥사논과 반응하여 시클로헥사논 옥심을 형성한다. 시클로헥사논과 시클로헥사논 옥심이 용해될 수 있는 특정의 적당한 유기 용매가 사용될 수 있다. 바람직하게, 유기 용매는 벤젠, 톨루엔, 크실렌, 메틸시클로펜탄, 시클로헥산 및 이들의 혼합물로 구성된 그룹에서 선택된다. 가장 바람직하게, 유기 용매는 톨루엔이다. 적당한 방법은 예를 들어 GB-A-1,138,750에 기재되어 있다. 바람직한 실시형태에서, 히드록실암모늄과 시클로헥사논의 반응은 시클로헥사논 및 유기 용매를 포함하는 유기 스트림과 수성 매질을 역류 흐름으로 접촉시킴으로써 실시된다. 제조된 시클로헥사논 옥심은 바람직하게 시클로헥사논 옥심 합성 구역으로부터 유기 생성물을 회수하는 것과 같은 특정의 적당한 방법에 의해 시클로헥사논 옥심 합성 구역으로부터 배출될 수 있으며, 상기 유기 생성물은 시클로헥사논 옥심 및 유기 용매를 포함한다. 유기 용매 및 시클로헥사논은 유기 생성물이 시클로헥사논 옥심 합성 구역으로부터 회수되는 적당한 지점, 바람직하게 그 지점의 하류에서 시클로헥사논 옥심 합성구역으로 도입될 수 있다(수성 매질의 흐름방향 참조). 가장 바람직하게, 유기 용매와 시클로헥사논은 유기 생성물이 시클로헥사논 옥심 합성 구역으로부터 배출되는 지점의 시클로헥사논 옥심 합성 구역 하류로 도입되며, 유기 용매는 시클로헥사논이 시클로헥사논 옥심 합성 구역으로 도입되는 지점의 하류로 도입된다(수성 매질의 흐름방향 참조). 본 실시형태는 시클로헥사논과 시클로헥사논 옥심의 잔류량을 추출하는 것이 개선된다는 잇점을 가진다. 본 명세서에서, 유기 생성물이 시클로헥사논 옥심 합성 구역을 떠나는 지점과, 시클로헥사논이 시클로헥사논 옥심 합성 구역으로 도입되는 지점 사이의 구역을 또한 반응 구역(reaction zone)이라고 한다. 본 명세서에서, 시클로헥사논이 시클로헥사논 옥심 합성 구역으로 도입되는 지점과, 유기 용매가 시클로헥사논 옥심 합성 구역으로 도입되는 지점 사이의 구역은 또한 추출 구역(extraction zone)이라고 한다. 반응 구역 및/또는 추출 구역을 위해, 공지된 종류의 역류 반응기, 가령 충전체로 채워진 맥동탑(pulsed column), 또는 회전 원판 반응기(rotating disc reactors)를 사용한다. 교반기를 구비한 다수의, 가령 3개 내지 6개가 일렬로 연결된 반응기를 포함하는 시스템을 사용할 수 있으며, 상기 반응기 각각은 또한 액체-액체 분리기를 구비한다. 시클로헥사논 옥심 합성 구역은 40 ℃ 내지 150 ℃의 온도에서 조작되는 것이 바람직하다. 바람직하게, 시클로헥사논 옥심 합성 구역으로 들어가는 반응 매질의 pH는 1 내지 6, 보다 바람직하게 1.5 내지 4이다. 시클로헥사논 옥심 합성 구역으로 들어가는 수성 매질내 히드록실암모늄의 농도는 수성 매질 1 ℓ당 0.8 몰 내지 2.5 몰의 히드록실암모늄이 바람직하다.
히드록실암모늄 합성 구역에서, 히드록실암모늄은 질산염 또는 질소 산화물을 수소에 의해 촉매적 환원시킴으로써 형성된다. 히드록실암모늄 합성 구역은 20 ℃ 내지 100 ℃, 바람직하게 30-90 ℃, 보다 바람직하게 40-65 ℃, 및 대기압력, 서브대기압력(subatmospheric) 또는 높은 압력, 바람직하게 0.1 ㎫ 내지 5 ㎫, 보다 바람직하게 0.3 ㎫ 내지 3 ㎫, 특히 0.5 ㎫ 내지 2 ㎫(수소부분압력)에서 조작된다. 바람직하게, 히드록실암모늄 합성 구역내 pH는 0.5 내지 6, 보다 바람직하게 1 내지 4이다. 상기 구역에 사용되는 촉매는 통상 지지체와 촉매를 더한 것의 전체 중량에 대해, 보통 1 중량% 내지 25 중량%, 바람직하게 5 중량% 내지 15 중량%의 귀금속(precious metal)내에 존재한다. 바람직하게, 촉매는 탄소 또는 알루미나 지지체와 같은 지지체상에 존재하는 팔라듐 또는 팔라듐-백금 촉매와 같은 팔라듐 함유 촉매이다. 보통, 상기 촉매는 히드록실암모늄 반응 용기(들)내 전체 액체 중량에 대해 0.2-5 중량%의 양으로 히드록실암모늄 합성 구역내에 존재한다. 히드록실암모늄 합성 구역은 특정 반응기에 한정되지 않는다. 기계적 교반기가 구비된 반응기가 사용될 수 있다. 바람직하게, 상기 반응기는 탑, 바람직하게 기포탑(bubble column)이다. 적당한 기포탑의 예는 NL-A-6908934에 기재되어 있다.
상기 방법은 연속 방법이 바람직하다.

Claims (11)

  1. 유기 화합물 및 인산염(포스페이트)을 함유하는 수성 매질을 처리함으로써 질산을 제조하는 방법으로서,
    질산 합성 구역에 상기 수성 매질을 공급하는 단계;
    상기 질산 합성 구역에서 NO2를 함유하는 가스상 매질과 수성 매질을 접촉시킴으로써 질산을 형성시키는 단계; 및
    상기 질산 합성 구역으로부터 배출가스(off-gas)를 배출시키는 단계를 포함하며,
    질산 합성 구역으로 들어가는 수성 매질중의 총 유기 탄소 농도는 0.03 중량% 미만인 것을 특징으로 하는 방법.
  2. 제 1 항에 있어서,
    질산 합성 구역내로 들어가는 수성 매질중의 총 유기 탄소 농도는 0.02 중량% 미만인 것을 특징으로 하는 방법.
  3. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    상기 가스상 매질은 NO 및 O2를 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
  4. 제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 질산 합성 구역은 탑(column)인 것을 특징으로 하는 방법.
  5. 제 4 항에 있어서,
    상기 탑은 단탑(plate column) 또는 충전탑(packed column)인 것을 특징으로 하는 방법.
  6. 제 1 항 내지 제 5 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 질산 합성 구역의 온도는 10 ℃ 내지 100 ℃인 것을 특징으로 하는 방법.
  7. 제 1 항 내지 제 6 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 질산 합성 구역에 상기 수성 매질을 공급하기 전에 상기 수성 매질로부터 유기 화합물을 분리시키는 단계를 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
  8. 제 7 항에 있어서,
    상기 분리 단계는 스트리핑에 의해서 실행되는 것을 특징으로 하는 방법.
  9. 제 1 항 내지 제 8 항 중 어느 한 항에 있어서,
    질산 합성 구역내로 들어가는 수성 매질은 2.0-8.0 몰/ℓ의 인산염(포스페이트)을 함유하는 것을 특징으로 하는 방법.
  10. 제 1 항 내지 제 9 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 배출가스는 N2, NO 및/또는 NO2를 함유하는 것을 특징으로 하는 방법.
  11. 제 1 항 내지 제 10 항 중 어느 한 항에 있어서,
    히드록실암모늄 합성 구역으로부터 시클로헥사논 옥심 합성 구역으로, 시클로헥사논 옥심 합성 구역으로부터 질산 합성 구역으로, 그리고 질산 합성 구역으로부터 히드록실암모늄 합성 구역으로 수성 매질을 통과시키는 단계;
    상기 히드록실암모늄 합성 구역에서, 질산염을 수소에 의해 촉매적으로 환원시킴으로써 히드록실암모늄을 제조하는 단계; 및
    상기 시클로헥사논 옥심 합성 구역에서, 히드록실암모늄을 시클로헥사논과 반응시킴으로써 시클로헥사논 옥심을 제조하는 단계를 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
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