KR20050043526A - Quad band antenna switching apparatus - Google Patents
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Abstract
본 발명은 안테나 스위칭 장치의 일부 구성을 반도체 칩(chip)으로 구현하여 간소하게 구현하고, 이를 인쇄회로기판에 장착하여 하나의 모듈로 제작한 트리플밴드 안테나 스위칭 장치를 제공하는데 그 목적이 있다.SUMMARY OF THE INVENTION An object of the present invention is to provide a triple band antenna switching device which is implemented in one module by simply implementing a partial configuration of an antenna switching device in a semiconductor chip and mounting the same on a printed circuit board.
상기한 목적을 달성하기 위한 본 발명은, 다이플렉서(32); 제1 스위칭 소자(SW1); 제1 위상시프터(33); 제2 스위칭 소자(SW2); 제3 스위칭 소자(SW3); 제2 위상시프터(34); 제4 스위칭 소자(SW4); 및 제5 스위칭 소자(SW5)를 포함하며, 상기 다이플렉서(32), 제1 위상시프터(33) 및 제2 위상시프터(34)는 하나의 번도체칩으로 구현되어 인쇄회로기판(PCB) 상에 장착되고, 상기 제1 내지 제5 스위칭 소자(SW1-SW5)는 상기 인쇄회로기판(PCB) 상에 장착되며, 상기 반도체칩 및 스위칭 소자들이 장착된 인쇄회로기판(PCB) 상부면을 모딩하여 원칩으로 이루어진 것을 특징으로 한다.The present invention for achieving the above object, Diplexer 32; A first switching element SW1; A first phase shifter 33; A second switching element SW2; Third switching device SW3; A second phase shifter 34; A fourth switching element SW4; And a fifth switching element SW5, wherein the diplexer 32, the first phase shifter 33, and the second phase shifter 34 are implemented as a single semiconductor chip to form a printed circuit board (PCB). The first to fifth switching elements SW1 to SW5 are mounted on the printed circuit board PCB, and the upper surface of the printed circuit board PCB on which the semiconductor chip and the switching elements are mounted is mounted. It is characterized by consisting of one chip.
이러한 본 발명에 의하면, 경박단소화 및 소형화가 가능하고, 이에 따라 재료비 절감 및 제작공정 단순화가 가능하여 공정수율을 향상시킬 수 있는 효과가 있다.According to the present invention, it is possible to reduce the size and size of the thin, and accordingly it is possible to reduce the material cost and simplify the manufacturing process has the effect of improving the process yield.
Description
본 발명은 휴대폰 등의 이동통신 단말기에 적용 가능하고, 하나의 안테나를 통해 무선신호를 송수신하는 트리플밴드 안테나 스위칭 장치에 관한 것으로, 특히 안테나 스위칭 장치의 일부 구성을 반도체 칩(chip)으로 구현하여 간소하게 구현하고, 이를 인쇄회로기판에 장착하여 하나의 모듈로 제작함으로서, 경박단소화 및 소형화가 가능하고, 이에 따라 재료비 절감 및 제작공정 단순화가 가능하여 공정수율을 향상시킬 수 있는 트리플밴드 안테나 스위칭 장치에 관한 것이다.The present invention is applicable to a mobile communication terminal such as a mobile phone, and relates to a triple-band antenna switching device for transmitting and receiving wireless signals through one antenna, in particular by implementing a partial configuration of the antenna switching device in a semiconductor chip (chip) And by mounting it on a printed circuit board and manufacturing it as a single module, it is possible to reduce the size and size of the device, and to reduce the material cost and simplify the manufacturing process. It is about.
일반적으로, 휴대 단말기의 소형화가 진행됨에 따라, 휴대 단말기용 RF 부품의 개발방향이 소형화, 모듈화로 맞춰지고 있으며, 한편, GSM(Global System for Mobile Communication)은 유럽에서 셀룰라 망을 통일하기 위한 유럽의 디지털 셀룰라 이동통신 방식으로, 시분할 다중접속(TDMA) 방식을 이용하며, 이런 통신을 이용한 양방향 무선 데이터 통신 서비스로 SMS(Short Message Service)가 있다.In general, as the miniaturization of the portable terminal proceeds, the direction of development of the RF component for the portable terminal is being miniaturized and modularized. Meanwhile, the Global System for Mobile Communication (GSM) is a European standard for unifying cellular networks in Europe. As a digital cellular mobile communication method, a time division multiple access (TDMA) method is used, and a short message service (SMS) is a two-way wireless data communication service using this communication.
그리고, GSM의 종류에는 사용주파수에 따라서, GSM900, GSM1800 및 GSM1900이 있는데, 상기 GSM900을 GSM이라고 부른다. 상기 GSM1800을 DCS1800 또는 PCN이라고 부르고, 1800MHz 대역의 주파수를 사용하며, 이는 유럽, 아시아 태평양지역 및 호주에서 사용한다. 그리고, 상기 GSM1900을 PCS1900이라고 부르며, 1900MHz 대역의 주파수를 사용하고, 이는 미국, 카나다 등에서 사용된다.In the GSM type, there are GSM900, GSM1800 and GSM1900 according to the frequency used. The GSM900 is called GSM. The GSM1800 is called DCS1800 or PCN and uses a frequency in the 1800 MHz band, which is used in Europe, Asia Pacific and Australia. In addition, the GSM1900 is called PCS1900, and uses a frequency in the 1900 MHz band, which is used in the United States, Canada, and the like.
이러한 GSM 단말기에 적용되는 종래의 안테나 스위칭 장치에 대해서 도 1을 참조하여 설명하면, A conventional antenna switching device applied to such a GSM terminal will be described with reference to FIG. 1.
도 1은 종래의 안테나 스위칭 장치의 회로 구성도이다.1 is a circuit diagram of a conventional antenna switching device.
도 1을 참조하면, 종래의 안테나 스위칭 장치는 하나의 모듈로 제작되어 GSM 방식 단말기에 적용되며, 하나의 안테나(ANT)에 연결되어 송신 및 수신 대역을 통과시키는 다이플렉서(11)와, 상기 다이플렉서(11)에, 900MHz 대역을 이용하는 제1 GSM 송신밴드(TX1)단 또는 제1 GSM 수신밴드(RX1)단을 선택적으로 연결하는 제1 스위칭부(12)와, 상기 다이플렉서(11)에, 1800MHz 및 1900MHz 대역을 이용하는 제2,3 GSM 송신밴드(TX2,TX3)단 또는 제2,3 GSM 수신밴드(RX2,RX3)단을 선택적으로 연결하는 제2 스위칭부(13)를 포함한다.Referring to FIG. 1, a conventional antenna switching device is manufactured as a single module and applied to a GSM terminal, and is connected to one antenna ANT to pass through a transmission and reception band and a diplexer 11, A first switching unit 12 for selectively connecting a first GSM transmit band TX1 or a first GSM receive band RX1 to a diplexer 11 and the diplexer ( 11), the second switching unit 13 for selectively connecting the second, third GSM transmit band (TX2, TX3) stage or the second, third GSM receive band (RX2, RX3) stage using the 1800MHz and 1900MHz band Include.
또한, 상기 안테나 스위칭 장치는 상기 제1 GSM 송신밴드(TX1)단과 상기 제1 스위칭부(12) 사이에 연결되어 제1 GSM 송신밴드(TX1)를 저역으로 통과시키는 제1 송신대역 통과필터(14)와, 상기 제2,3 GSM 송신밴드(TX2/TX3)단과 상기 제2 스위칭부(13) 사이에 연결되어 제2,3 GSM 송신밴드(TX2/TX3)를 저역으로 통과시키는 제2 송신대역 통과필터(15)를 포함한다.In addition, the antenna switching device 14 is connected between the first GSM transmission band (TX1) terminal and the first switching unit 12, the first transmission band pass filter 14 for passing the first GSM transmission band (TX1) low pass. ) And a second transmission band connected between the second and third GSM transmission bands TX2 / TX3 and the second switching unit 13 to pass the second and third GSM transmission bands TX2 / TX3 at low frequency. Pass filter 15 is included.
이러한 종래의 안테나 스위칭 장치는 LTCC 또는 HTCC 기판을 이용하여 제작되었고, 그 동작을 간단히 살펴보면, 안테나(ANT)를 통한 신호를 제1 제어전압(V1)과 제2 제어전압(V2)에 따라 신호 송신 및 수신이 제어되는데, 먼저, 상기 제1 제어전압(V1)이 인가되고, 제2 제어전압(V2)이 인가되지 않으면 제1 GSM 송신대역(TX1)을 송신하게 되며, 이때, 제1 GSM 송신대역(TX1)의 송신이 선택되면 기타 부분은 오프상태를 유지한다. 다음, 제2 제어전압(V2)이 인가되고 제1 제어전압(V1)이 인가되지 않으면 제2,3 송신대역(TX2/TX3)을 송신하게 된다. 이때에도 기타 부분은 오프상태를 유지한다. 그리고, 제1,2 제어전압(V1,V2)이 모두 인가되지 않으면 제1 GSM 수신대역(RX1) 및 제2,3 GSM 송신대역(RX2,RX3)의 수신동작이 이루어진다.The conventional antenna switching device is manufactured using an LTCC or HTCC substrate, and the operation thereof is briefly described. The signal transmission through the antenna ANT is transmitted according to the first control voltage V1 and the second control voltage V2. And reception is controlled. First, when the first control voltage V1 is applied and the second control voltage V2 is not applied, the first GSM transmission band TX1 is transmitted. When the transmission of the band TX1 is selected, the other part remains off. Next, when the second control voltage V2 is applied and the first control voltage V1 is not applied, the second and third transmission bands TX2 and TX3 are transmitted. At this time, the other parts remain off. If the first and second control voltages V1 and V2 are not applied, the reception operation of the first GSM reception band RX1 and the second and third GSM transmission bands RX2 and RX3 is performed.
이러한 종래의 안테나 스위칭 장치의 구현방식에 대해서 간단히 설명하면, 수동 소자인 인덕터 및 캐패시터를 세라믹 기판 내부에 구현하고, 상부면의 칩저항, 다이오드 등과 같은 칩 부품과 상호 접속시켜 패키징하여 하나의 모듈로 제작되는 것이 일반적이다. 이러한 종래의 안테나 스위칭 장치는 회로의 일부 부품이 기판내에 삽입되어 원가 경쟁력이 높다는 장점이 있다.The conventional method of implementing the antenna switching device will be briefly described. A passive module, an inductor and a capacitor, may be implemented in a ceramic substrate, interconnected with chip components such as chip resistors and diodes on the upper surface, and packaged into one module. It is common to be manufactured. Such a conventional antenna switching device has an advantage that the cost competitiveness of some components of the circuit is inserted into the substrate.
그런데, 이러한 종래의 안테나 스위칭 장치는 도 2에 도시한 바와 같이 복잡한 적층구조로 이루어진다.By the way, such a conventional antenna switching device has a complicated laminated structure as shown in FIG.
도 2는 종래의 안테나 스위칭 장치의 적층 구조도이다.2 is a laminated structure diagram of a conventional antenna switching device.
도 2를 참조하면, 종래의 안테나 스위칭 장치는 다층의 LTCC 기판구조(LS)와, 이 LTCC 기판에 안테나 스위칭 모듈의 구성요소가 장착되는 구성요소 장착부(COM)로 이루어지는데, 상기 다층의 LTCC 기판구조(LS)는 대략 14~17층 구조의 LTCC기판으로 이루어지고, 상기 LTCC기판 상부면에는 부품을 실장하는 형태로 구조가 형성되어 있다. 상기 LTCC 기판의 상부면의 구성요소 장착부(COM)에 장착되는 다이플렉서(DIPLEXER)는 일부 부품인 R,L,C의 소자로 구성되어 있고, 기판내부에 일정한 면적과 전극 구조로 설계하여 수동부품의 사용을 기판내부 실장한 형태로 구성된다.Referring to FIG. 2, the conventional antenna switching device includes a multilayer LTCC substrate structure LS and a component mounting unit COM on which the components of the antenna switching module are mounted on the LTCC substrate. The structure LS is composed of an LTCC substrate having a structure of approximately 14 to 17 layers, and a structure is formed on the upper surface of the LTCC substrate to mount components. The DIPLEXER mounted on the component mounting unit COM of the upper surface of the LTCC substrate is composed of elements of R, L, and C, which are some components, and is designed with a predetermined area and an electrode structure inside the substrate. The use of components consists of the type mounted inside the board.
또한, 제1,2 제어전압 회로와 각 스위칭부는 일부 핀 다이오드(PIN DIODE)와 R,L,C 회로로 구성되어 있어서 일부의 R,L,C 회로는 기판내부에 일정한 면적과 전극 구조로 설계하여 수동부품의 사용을 기판내부에 실장한 형태이다. 그리고, 송신대역 통과필터는 R,L,C 회로로 구성되어 있어서 일부의 R,L,C 회로는 기판내부에 일정한 면적과 전극 구조로 설계하여 수동부품의 사용을 기판내부에 실장한 형태로 이루어진다. In addition, the first and second control voltage circuits and each switching unit are composed of some pin diodes (PIN DIODE) and R, L, and C circuits, so that some R, L, and C circuits have a predetermined area and an electrode structure inside the substrate. The passive components are mounted inside the board. In addition, the transmission band pass filter is composed of R, L, and C circuits. Some R, L, and C circuits are designed to have a constant area and electrode structure inside the substrate, and the passive components are used inside the substrate. .
그러나, 이러한 종래의 안테나 스위칭 장치는 다음과 같은 문제점을 가지고 있다.However, such a conventional antenna switching device has the following problems.
종래의 안테나 스위칭 장치는, 구성이 복잡하고 생산 공정이 복잡하여 불량률이 높고, 이에 따라 생산효율이 저하되며, 작업시간이 길다는 문제점이 있다. 또한, LTCC 기판의 낙하시험에 따른 파괴위험이 내포되어 있으며, 기판 불량발생시 수리가 불가능하며, 제품 분석이 가능하여 모조품이 나올 수 있으며, 일반 수동소자(R,L,C)고용량의 값은 LTCC 기판내에 설계가 불가능하며, 제품의 SIZE 축소에 한계가 있는 등의 여러 가지 문제점이 있다.The conventional antenna switching device has a problem in that the configuration is complicated and the production process is complicated, so that the defect rate is high, and thus the production efficiency is lowered and the working time is long. In addition, there is a risk of destruction due to the drop test of the LTCC board, repair is impossible in the event of a defective board, product analysis is possible, and counterfeit goods can be produced. The value of the high-capacity passive element (R, L, C) is LTCC. There are various problems, such as design is impossible in the substrate, there is a limit to the size reduction of the product.
본 발명은 상기한 문제점을 해결하기 위해 제안된 것으로, 그 목적은 안테나 스위칭 장치의 일부 구성을 반도체 칩(chip)으로 구현하여 간소하게 구현하고, 이를 인쇄회로기판에 장착하여 하나의 모듈로 제작함으로서, 경박단소화 및 소형화가 가능하고, 이에 따라 재료비 절감 및 제작공정 단순화가 가능하여 공정수율을 향상시킬 수 있는 트리플밴드 안테나 스위칭 장치를 제공하는데 있다. The present invention has been proposed to solve the above problems, the object of which is to implement a simple configuration of a part of the antenna switching device by a semiconductor chip (chip), by mounting it on a printed circuit board to manufacture as a module The present invention provides a triple band antenna switching device capable of reducing the size, weight, and size, and reducing the material cost and simplifying the manufacturing process, thereby improving the process yield.
상기한 본 발명의 목적을 달성하기 위해서, 본 발명의 트리플밴드 안테나 스위칭 장치는 In order to achieve the above object of the present invention, the triple band antenna switching device of the present invention
안테나에 연결된 안테나단, 제1 밴드단 및 제2 밴드단을 포함하여 송신밴드 및 수신밴드를 각각 통과시키는 다이플렉서;A diplexer configured to pass a transmission band and a reception band, respectively, including an antenna end connected to the antenna, a first band end, and a second band end;
상기 다이플렉서의 제1 밴드단과 제1 GSM 수신밴드단 사이에 연결되어, 상기 두 단을 스위칭을 스위칭하는 제1 스위칭 소자;A first switching element connected between a first band end of the diplexer and a first GSM receive band end to switch the two ends of the switching;
상기 다이플렉서와 제1 스위칭 소자 사이에 연결되어, 상기 제1 GSM 수신밴드의 주파수의 λ/4에 해당하는 전기적인 길이를 갖는 제1 위상시프터;A first phase shifter coupled between the diplexer and a first switching element, the first phase shifter having an electrical length corresponding to λ / 4 of the frequency of the first GSM receive band;
상기 다이플렉서의 제1 밴드단과 제1 GSM 송신밴드단 사이에 연결되어, 상기 두 단을 스위칭하는 제2 스위칭 소자;A second switching element connected between a first band end of the diplexer and a first GSM transmit band end to switch the two ends;
상기 다이플렉서의 제2 밴드단과 제3 GSM 수신밴드단 사이에 연결되어, 상기 두 단을 스위칭하는 제3 스위칭 소자;A third switching element connected between the second band end of the diplexer and a third GSM receive band end to switch the two ends;
상기 다이플렉서의 제2 밴드단과 제2 GSM 수신밴드단 사이에 연결되어, 상기 제3 GSM 수신밴드의 주파수의 λ/4에 해당하는 전기적인 길이를 갖는 제2 위상시프터;A second phase shifter coupled between the second band end of the diplexer and a second GSM receive band end, the second phase shifter having an electrical length corresponding to λ / 4 of the frequency of the third GSM receive band;
상기 위상시프터와 제2 GSM 수신밴드단 사이에 연결되어, 상기 두 단을 스위칭하는 제4 스위칭 소자; 및A fourth switching element connected between the phase shifter and a second GSM receiving band stage to switch the two stages; And
상기 다이플렉서의 제2 밴드단과 제2,3 GSM 송신밴드단 사이에 연결되어, 상기 두 단을 스위칭하는 제5 스위칭 소자A fifth switching element connected between a second band end of the diplexer and a second and third GSM transmission band end to switch the two ends;
를 포함하는 것을 특징으로 한다.Characterized in that it comprises a.
또한, 상기 다이플렉서, 제1 위상시프터 및 제2 위상시프터는In addition, the diplexer, the first phase shifter and the second phase shifter
하나의 번도체칩으로 구현되어 인쇄회로기판 상에 장착되고,It is implemented as a single semiconductor chip and mounted on a printed circuit board,
상기 제1 내지 제5 스위칭 소자는The first to fifth switching elements are
상기 인쇄회로기판 상에 장착되며, Mounted on the printed circuit board,
상기 반도체칩 및 스위칭 소자들이 장착된 인쇄회로기판 상부면을 모딩하여 원칩으로 이루어진 것을 특징으로 한다.The upper surface of the printed circuit board on which the semiconductor chip and the switching elements are mounted is made of one chip.
이하, 본 발명의 바람직한 실시 예를 첨부한 도면을 참조하여 상세히 설명한다. 본 발명에 참조된 도면에서 실질적으로 동일한 구성과 기능을 가진 구성요소들은 동일한 부호를 사용할 것이다.Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. In the drawings referred to in the present invention, components having substantially the same configuration and function will use the same reference numerals.
도 3은 본 발명에 따른 안테나 스위칭 장치의 회로 구성도이다.3 is a circuit diagram of an antenna switching device according to the present invention.
도 3을 참조하면, 본 발명에 따른 안테나 스위칭 장치는 안테나에 연결된 안테나단(AT), 제1 밴드단(B1T) 및 제2 밴드단(B2T)을 포함하여 송신밴드 및 수신밴드를 각각 통과시키는 다이플렉서(32)와, 상기 다이플렉서(32)의 제1 밴드단(B1T)과 제1 GSM 수신밴드(RX1)단 사이에 연결되어, 상기 두 단을 스위칭을 스위칭하는 제1 스위칭 소자(SW1)와, 상기 다이플렉서(32)와 제1 스위칭 소자(SW1) 사이에 연결되어, 상기 제1 GSM 송신밴드(TX1)의 주파수의 λ/4에 해당하는 전기적인 길이를 갖는 제1 위상시프터(33)와, 상기 다이플렉서(32)의 제1 밴드단(B1T)과 제1 GSM 송신밴드(TX1)단 사이에 연결되어, 상기 두 단을 스위칭하는 제2 스위칭 소자(SW2)와, 상기 다이플렉서(32)의 제2 밴드단(B2T)과 제3 GSM 수신밴드(RX3)단 사이에 연결되어, 상기 두 단을 스위칭하는 제3 스위칭 소자(SW3)와, 상기 다이플렉서(32)의 제2 밴드단(B2T)과 제2 GSM 수신밴드(RX2)단 사이에 연결되어, 상기 제3 GSM 수신밴드(RX3)의 주파수의 λ/4에 해당하는 전기적인 길이를 갖는 제2 위상시프터(34)와, 상기 위상시프터(34)와 제2 GSM 수신밴드(RX2)단 사이에 연결되어, 상기 두 단을 스위칭하는 제4 스위칭 소자(SW4)와, 상기 다이플렉서(32)의 제2 밴드단(B2T)과 제2,3 GSM 송신밴드(TX2/TX3)단 사이에 연결되어, 상기 두 단을 스위칭하는 제5 스위칭 소자(SW5)를 포함한다.Referring to FIG. 3, an antenna switching device according to the present invention includes an antenna terminal AT, a first band terminal B1T, and a second band terminal B2T connected to an antenna to pass a transmission band and a reception band, respectively. A first switching element connected between the diplexer 32 and the first band terminal B1T and the first GSM receiving band RX1 terminal of the diplexer 32 to switch the switching of the two stages; And a first connected between the diplexer 32 and the first switching element SW1 and having an electrical length corresponding to λ / 4 of the frequency of the first GSM transmission band TX1. A second switching element SW2 connected between a phase shifter 33 and a first band terminal B1T and a first GSM transmission band TX1 of the diplexer 32 to switch the two stages; And a third switching element SW3 connected between the second band end B2T and the third GSM reception band RX3 of the diplexer 32 to switch the two ends. An electrical length connected between the second band terminal B2T of the diplexer 32 and the second GSM receiving band RX2, corresponding to λ / 4 of the frequency of the third GSM receiving band RX3. A second phase shifter 34 having a second phase, a fourth switching element SW4 connected between the phase shifter 34 and a second GSM reception band RX2, switching the two ends, and the diple And a fifth switching element SW5 connected between the second band end B2T of the lexer 32 and the second and third GSM transmission bands TX2 / TX3 and switching the two ends.
도 4는 본 발명의 안테나 스위칭 장치의 모듈로 제작시의 단면도이다.4 is a cross-sectional view at the time of modular manufacture of the antenna switching device of the present invention.
도 4를 참조하면, 본 발명의 안테나 스위칭 장치에서, 상기 다이플렉서(32), 제1 위상시프터(33) 및 제2 위상시프터(34)는 하나의 번도체칩으로 구현되어 인쇄회로기판(PCB) 상에 장착되고, 상기 제1 내지 제5 스위칭 소자(SW1-SW5)는 상기 인쇄회로기판(PCB) 상에 장착되며, 상기 반도체칩 및 스위칭 소자들이 장착된 인쇄회로기판(PCB) 상부면을 모딩하여 원칩으로 이루어진다.Referring to FIG. 4, in the antenna switching device of the present invention, the diplexer 32, the first phase shifter 33, and the second phase shifter 34 are implemented by one semiconductor chip to form a printed circuit board ( The first to fifth switching elements SW1 to SW5 are mounted on the printed circuit board PCB, and the upper surface of the printed circuit board on which the semiconductor chip and the switching elements are mounted. Is made by one chip.
도 3 및 도 4를 참조하면, 상기 트리플밴드 안테나 스위칭 장치의 반도체칩은 상기 제2 스위칭 소자(SW1)와 상기 제1 GSM 송신밴드(TX1)단 사이에 연결하여, 제1 GSM 송신밴드(TX1)를 포함하는 저역을 통과시키는 제1 저역통과필터(LPF1)와, 상기 제5 스위칭 소자(SW5)와 상기 제2,3 GSM 송신밴드(TX2/TX3)단 사이에 연결하여, 제2,3 GSM 송신밴드(TX2/TX3)를 포함하는 저역을 통과시키는 제2 저역통과필터(LPF2)를 포함한다.3 and 4, the semiconductor chip of the triple band antenna switching device is connected between the second switching element SW1 and the first GSM transmission band TX1 to form a first GSM transmission band TX1. A first low pass filter (LPF1) for passing a low pass including a) and the fifth switching element (SW5) and the second and third GSM bands (TX2 / TX3), the second, And a second low pass filter (LPF2) for passing low frequencies comprising the GSM transmit bands TX2 / TX3.
상기 제1 스위칭 소자(SW1)는 상기 다이플렉서(32)의 제1 밴드단(B1T)에 연결된 제1 위상시프터(33)와 제1 GSM 수신밴드(RX1)단 사이에 연결되어, 제1 제어전압(VC)에 의해 스위칭되도록 이루어지는데, 본 발명의 일실시예로, 상기 다이플렉서(32)의 제1 밴드단(B1T)에 연결된 제1 위상시프터(33)와 제1 GSM 수신밴드(RX1)단간을 연결하는 신호선에 연결된 캐소드단과, 상기 제1 제어전압(VC1)의 공급단에 연결된 애노드단을 갖는 다이오드로 구현될 수 있다.The first switching device SW1 is connected between a first phase shifter 33 connected to a first band terminal B1T of the diplexer 32 and a first GSM reception band RX1, In one embodiment of the present invention, the first phase shifter 33 and the first GSM reception band connected to the first band terminal B1T of the diplexer 32 are configured to be switched by a control voltage VC. The diode may include a cathode terminal connected to a signal line connecting the (RX1) terminals and an anode terminal connected to a supply terminal of the first control voltage VC1.
상기 제2 스위칭 소자(SW2)는 상기 다이플렉서(32)의 제1 밴드단(B1T)과, 상기 제1 GSM 송신밴드(TX1)단에 연결된 제1 저역통과필터(LPF1) 사이에 연결되어, 제1 제어전압(VC1)에 의해 스위칭되도록 이루어지는데, 본 발명의 일실시예로, 상기 제2 스위칭 소자(SW2)는 상기 제1 스위칭 소자(SW1)는 상기 다이플렉서(32)의 제1 밴드단(B1T)에 연결된 애노드단과, 상기 제1 저역통과필터(LPF1)에 연결된 캐소드단을 갖는 다이오드로 구현될 수 있다.The second switching element SW2 is connected between a first band end B1T of the diplexer 32 and a first low pass filter LPF1 connected to the first GSM transmit band TX1. And the first control voltage VC1. The second switching element SW2 is configured to be switched by the first control voltage VC1. The first switching element SW1 is formed of the diplexer 32. A diode having an anode terminal connected to the first band terminal B1T and a cathode terminal connected to the first low pass filter LPF1 may be implemented.
상기 제3 스위칭 소자(SW3)는 상기 다이플렉서(32)의 제2 밴드단(B2T)과 제3 GSM 수신밴드(RX3)단 사이에 연결되어, 제2 제어전압(VC2)에 의해 스위칭되도록 이루어지는데, 본 발명의 일실시예로, 상기 제3 스위칭 소자(SW3)는 상기 다이플렉서(32)의 제2 밴드단(B2T)에 연결된 캐소드단과, 상기 제2 제어전압(VC2)의 공급단에 연결된 애노드단을 갖는 다이오드로 구현될 수 있다.The third switching device SW3 is connected between the second band terminal B2T and the third GSM receiving band RX3 of the diplexer 32 to be switched by the second control voltage VC2. In one embodiment of the present invention, the third switching device SW3 is supplied with a cathode terminal connected to the second band terminal B2T of the diplexer 32 and the second control voltage VC2. It may be implemented as a diode having an anode terminal connected to the stage.
상기 제4 스위칭 소자(SW4)는 상기 위상시프터(34)와 제2 GSM 수신밴드(RX2)단 사이에 연결되어, 제2 제어전압(VC2)에 의해 스위칭되도록 이루어지는데, 본 발명의 일실시예로, 상기 제4 스위칭 소자(SW4)는 상기 위상시프터(34)와 제2 GSM 수신밴드(RX2)단간을 연결하는 신호선에 연결된 애노드단과, 접지된 캐소드단을 갖는 다이오드로 구현될 수 있다.The fourth switching device SW4 is connected between the phase shifter 34 and the second GSM reception band RX2, and is configured to be switched by a second control voltage VC2. The fourth switching element SW4 may be implemented as a diode having an anode terminal connected to a signal line connecting the phase shifter 34 and the second GSM receiving band RX2 terminal, and a grounded cathode terminal.
상기 제5 스위칭 소자(SW5)는 상기 다이플렉서(32)의 제2 밴드단(B2T)과, 제2,3 GSM 송신밴드(TX2/TX3)단에 연결된 제2 저역통과필터(LPF2) 사이에 연결되어, 제3 제어전압(VC3)에 의해 스위칭되도록 이루어지는데, 본 발명의 일실시예로서, 상기 제5 스위칭 소자(SW5)는 상기 다이플렉서(32)의 제2 밴드단(B2T)에 연결된 캐소드단과, 상기 제2 저역통과필터(LPF2)에 연결된 애노드단을 갖는 다이오드로 구현될 수 있다.The fifth switching element SW5 is between the second band end B2T of the diplexer 32 and the second low pass filter LPF2 connected to the second and third GSM transmission bands TX2 / TX3. Is connected to the third control voltage VC3 and is switched by a third control voltage VC3. In one embodiment of the present invention, the fifth switching element SW5 is the second band terminal B2T of the diplexer 32. It may be implemented as a diode having a cathode terminal connected to and an anode terminal connected to the second low pass filter LPF2.
이하, 본 발명의 작용 및 효과를 첨부한 첨부 도면에 의거하여 상세히 설명한다. Hereinafter, the operation and effects of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.
본 발명은 안테나 스위칭 장치의 일부 구성을 반도체 칩(chip)으로 구현하여 간소하게 구현하고, 이를 인쇄회로기판에 장착하여 하나의 모듈로 제작함으로서, 경박단소화 및 소형화가 가능하고, 이에 따라 재료비 절감 및 제작공정 단순화가 가능하여 공정수율을 향상시킬 수 있는데, 이에 대해서는 도 3 및 도 4를 참조하여 상세히 설명한다.The present invention implements a simple configuration of a part of the antenna switching device by using a semiconductor chip, and by mounting it on a printed circuit board to manufacture a single module, it is possible to reduce the size and size of the thin, thereby reducing material costs And it is possible to simplify the manufacturing process to improve the process yield, which will be described in detail with reference to FIGS.
도 3 및 도 4를 참조하면, 먼저, 제1 제어전압(V1)이 하이(High)로 인가되면, 제1, 제2 스위칭 소자(SW1,SW2)에 해당되는 다이오드가 각각 도통(turn on)되고, 이에 따라 제1 위상시프터(33)가 제1 GSM 송신밴드(TX1)의 주파수에 대해 λ/4로 되어 상기 제1 GSM 송신밴드(TX1)의 주파수에 대해서 제1 GSM 수신밴드(RX1)단이 오픈(OPEN)으로 되며, 이에 따라 상기 제1 GSM 송신밴드(TX1)단과 상기 안테나(ANT) 사이에 신호경로가 형성되어 상기 제1 GSM 송신밴드(TX1)는 상기 다이플렉서(32)의 제1 밴드단(B1T)을 통해 안테나(ANT)로 출력된다.3 and 4, first, when the first control voltage V1 is applied to high, diodes corresponding to the first and second switching elements SW1 and SW2 are turned on. Accordingly, the first phase shifter 33 becomes λ / 4 with respect to the frequency of the first GSM transmit band TX1, so that the first GSM receive band RX1 with respect to the frequency of the first GSM transmit band TX1. The stage is opened, and thus a signal path is formed between the first GSM transmit band TX1 and the antenna ANT so that the first GSM transmit band TX1 is the diplexer 32. The antenna is output to the antenna ANT through the first band terminal B1T.
그 다음, 상기 제1 제어전압(VC1)이 로우(Low)로 되면, 상기 제1, 제2 스위칭 소자(SW1,SW2)에 해당되는 다이오드가 각각 차단(turn off)되고, 이에 따라, 상기 제1 GSM 송신밴드(TX1)는 제2 스위칭 소자(SW1)에 의해서 차단되며, 이에 따라 제1 GSM 수신밴드(RX1)와 안테나(ANT) 사이에 신호경로가 형성되어 상기 안테나(ANT)를 통한 제1 GSM 수신밴드(RX1)는 다이플렉서(32) 및 제1 위상시프터(33)를 통해서 출력된다. Subsequently, when the first control voltage VC1 becomes low, diodes corresponding to the first and second switching elements SW1 and SW2 are turned off. The 1 GSM transmission band TX1 is blocked by the second switching element SW1, and thus a signal path is formed between the first GSM reception band RX1 and the antenna ANT, thereby providing a first signal through the antenna ANT. One GSM reception band RX1 is output through the diplexer 32 and the first phase shifter 33.
여기서, 상기 제1 위상시프터(33)는 상기 제1 GSM 송신밴드(TX1)의 주파수에 대해 λ/4 이므로, 상기 제1 GSM 수신밴드(RX1)의 주파수에 대해서는 단순한 신호선으로 된다.Since the first phase shifter 33 is λ / 4 with respect to the frequency of the first GSM transmission band TX1, the first phase shifter 33 is a simple signal line with respect to the frequency of the first GSM reception band RX1.
그 다음, 제2 제어전압(VC2)이 하이(High)로 공급되면, 제3,제4 스위칭 소자(SW3,SW4)의 다이오드가 각각 도통되고, 이에 따라 제2 위상시프터(34)가 제3 GSM 수신밴드(RX3)의 주파수에 대해 λ/4로 되어 상기 제3 GSM 수신밴드(RX3)의 주파수에 대해서 제2 GSM 수신밴드(RX2)단이 오픈(OPEN)으로 되며, 이에 따라 상기 제3 GSM 수신밴드(RX3)단과 상기 안테나(ANT) 사이에 신호경로가 형성되어 상기 안테나(ANT)로부터의 제3 GSM 수신밴드(RX3)가 출력된다.Then, when the second control voltage VC2 is supplied high, the diodes of the third and fourth switching elements SW3 and SW4 are turned on, so that the second phase shifter 34 is connected to the third. Λ / 4 with respect to the frequency of the GSM reception band RX3, so that the second GSM reception band RX2 is open with respect to the frequency of the third GSM reception band RX3. A signal path is formed between the GSM reception band RX3 and the antenna ANT to output a third GSM reception band RX3 from the antenna ANT.
그 다음, 제3 제어전압(VC3)이 하이(High)로 공급되면, 제5 스위칭 소자(SW5)의 다이오드가 도통되고, 이에 따라 제2 위상시프터(34)가 제2,3 GSM 송신밴드(TX2/TX3)의 주파수에 대해 λ/4로 되어 상기 제2,3 GSM 송신밴드(TX2/TX3)의 주파수에 대해서 제2 GSM 수신밴드(RX2)단이 오픈(OPEN)으로 되며, 이에 따라, 상기 제2,3 GSM 송신밴드(TX2/TX3)단과 상기 안테나(ANT) 사이에 신호경로가 형성되어 상기 제2,3 GSM 송신밴드(TX2/TX3)는 상기 다이플렉서(32)를 통해 안테나(ANT)로 출력된다.Then, when the third control voltage VC3 is supplied high, the diode of the fifth switching element SW5 is turned on, so that the second phase shifter 34 causes the second and third GSM transmission bands ( Λ / 4 with respect to the frequency of TX2 / TX3, and the second GSM receive band RX2 is open with respect to the frequency of the second and third GSM transmission bands TX2 / TX3. A signal path is formed between the second and third GSM transmission bands TX2 and TX3 and the antenna ANT so that the second and third GSM transmission bands TX2 and TX3 are antennas through the diplexer 32. Output as (ANT).
그 다음, 상기 제1 내지 제3 제어전압(VC1-VC3)이 로우(Low)로 공급되면, 제1 내지 제5 스위칭 소자(SW1-SW5)가 모드 차단되어, 안테나(ANT)와 제2 GSM 수신밴드(RX2) 사이의 신호경로가 형성되어 제2 GSM 수신밴드(RX2)가 출력된다.Next, when the first to third control voltages VC1 to VC3 are supplied low, the first to fifth switching elements SW1 to SW5 are mode-blocked, thereby the antenna ANT and the second GSM. Signal paths between the reception bands RX2 are formed to output the second GSM reception bands RX2.
상술한 바와 같은 본 발명에 따르면, 안테나 스위칭 장치의 일부 구성을 반도체 칩(chip)으로 구현하여 간소하게 구현하고, 이를 인쇄회로기판에 장착하여 하나의 모듈로 제작함으로서, 경박단소화 및 소형화가 가능하고, 이에 따라 재료비 절감 및 제작공정 단순화가 가능하여 공정수율을 향상시킬 수 있는 있다. According to the present invention as described above, by implementing a part of the configuration of the antenna switching device in a semiconductor chip (simple), and by mounting it on a printed circuit board to manufacture a single module, it is possible to reduce the size and size of the light and small And, accordingly it is possible to reduce the material cost and simplify the manufacturing process can improve the process yield.
이상의 설명은 본 발명의 구체적인 실시 예에 대한 설명에 불과하므로, 본 발명은 이러한 구체적인 실시 예에 한정되지 않으며, 또한, 본 발명에 대한 상술한 구체적인 실시 예로부터 그 구성의 다양한 변경 및 개조가 가능하다는 것을 본 발명이 속하는 기술분야의 통상의 지식을 가진 자는 쉽게 알 수 있다.Since the above description is only a description of specific embodiments of the present invention, the present invention is not limited to these specific embodiments, and various changes and modifications of the configuration are possible from the above-described specific embodiments of the present invention. It will be apparent to those skilled in the art to which the present invention pertains.
도 1은 종래의 안테나 스위칭 장치의 회로 구성도이다.1 is a circuit diagram of a conventional antenna switching device.
도 2는 종래의 안테나 스위칭 장치의 적층 구조도이다.2 is a laminated structure diagram of a conventional antenna switching device.
도 3은 본 발명에 따른 안테나 스위칭 장치의 회로 구성도이다.3 is a circuit diagram of an antenna switching device according to the present invention.
도 4는 본 발명의 안테나 스위칭 장치의 모듈로 제작시의 단면도이다.4 is a cross-sectional view at the time of modular manufacture of the antenna switching device of the present invention.
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명 *Explanation of symbols on the main parts of the drawings
ANT : 안테나 32 : 다이플렉서ANT: Antenna 32: Diplexer
33 : 제1 위상시프터 34 : 제2 위상시프터33: first phase shifter 34: second phase shifter
SW1 ; 제1 스위칭 소자 SW2 : 제2 스위칭 소자SW1; 1st switching element SW2: 2nd switching element
SW3 : 제3 스위칭 소자 SW4 : 제4 스위칭 소자SW3: third switching element SW4: fourth switching element
SW5 : 제5 스위칭 소자 SC : 반도체칩SW5: fifth switching element SC: semiconductor chip
SWP1,SWP2 : 스위칭 소자부 LPF1 : 제1 저역통과필터SWP1, SWP2: Switching element section LPF1: First low pass filter
LPF2 : 제2 저역통과필터 LPF2: second low pass filter
Claims (8)
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020030078445A KR20050043526A (en) | 2003-11-06 | 2003-11-06 | Quad band antenna switching apparatus |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020030078445A KR20050043526A (en) | 2003-11-06 | 2003-11-06 | Quad band antenna switching apparatus |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20050043526A true KR20050043526A (en) | 2005-05-11 |
Family
ID=37244260
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020030078445A KR20050043526A (en) | 2003-11-06 | 2003-11-06 | Quad band antenna switching apparatus |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR20050043526A (en) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100804412B1 (en) * | 2006-11-29 | 2008-02-20 | 전자부품연구원 | Front-end module for triple-band terminal |
-
2003
- 2003-11-06 KR KR1020030078445A patent/KR20050043526A/en not_active Application Discontinuation
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100804412B1 (en) * | 2006-11-29 | 2008-02-20 | 전자부품연구원 | Front-end module for triple-band terminal |
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