KR20040076680A - Manufacturing method of triple band front end module - Google Patents

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KR20040076680A KR1020030012008A KR20030012008A KR20040076680A KR 20040076680 A KR20040076680 A KR 20040076680A KR 1020030012008 A KR1020030012008 A KR 1020030012008A KR 20030012008 A KR20030012008 A KR 20030012008A KR 20040076680 A KR20040076680 A KR 20040076680A
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Abstract

PURPOSE: A method for fabricating a triple band front end module is provided to reduce the size of a receiving end and sending end module by implementing the receiving end and the sending end as one module and prevent degradation of characteristics of SAW band-pass filter. CONSTITUTION: A receiving end chip package includes a GAM receiving terminal(Rx), a PC receiving terminal(Rx) and a DCS receiving terminal(Rx) mounted as a slip chip on an LTCC(Low Temperature Co-fired Ceramic substrate). A sending end chip package includes a GaAs switch, a chip capacitor having large capacitance, an inductor, a register and PA transistors mounted on an LTCC. The receiving end chip package and the sending end chip package of a triple band front end module are separately fabricated and then implemented as one chip package on a PCB or a ceramic substrate. After they are mounted as one package, an epoxy molding process can be performed as a cover according to a usage environment.

Description

트리플 밴드 프런트 엔드 모듈의 제조 방법{MANUFACTURING METHOD OF TRIPLE BAND FRONT END MODULE}MANUFACTURING METHOD OF TRIPLE BAND FRONT END MODULE}

본 발명은 트리플 밴드의 RF 프런트 엔드 모듈의 제조 방법에 관한 것으로서, 특히, 송신단과 수신단을 분리하여 모듈로 구현한 후 이를 다시 하나의 모듈로 구현하는 트리플 밴드의 RF 프런트 엔드 모듈의 제조 방법에 관한 것이다.The present invention relates to a method for manufacturing a triple band RF front end module, and more particularly, to a method for manufacturing a triple band RF front end module that separates a transmitter and a receiver into a module and then implements the module as a single module. will be.

휴대 전화의 시스템으로서는 주로 유럽에서 발전된 GSM 방식, DCS 1800 방식, 및 미국에서 유행하는 PCS 방식이 있다.Mobile telephone systems include GSM systems, DCS 1800 systems, and PCS systems that are popular in the United States.

도 1은 트리플 밴드(GSM Triple band)의 RF 프런트 엔드 모듈(Front End Module)의 구성을 나타낸 도면이다.FIG. 1 is a diagram illustrating a configuration of an RF front end module having a triple band.

도 1에 도시된 바와 같이, 트리플 밴드 프런트 엔드 모듈(10)은, DCS/PCS 송신단(Tx)에서 전송되는 신호를 증폭시키는 제 1 고주파 증폭기(PA: 17a)와, 상기 제 1 고주파 증폭기(17a)의 고주파 잡음을 제거하는 제 1 LPF(Low Pass Filter: 13a)와, GSM 송신단(Tx)에서 전송되는 신호를 증폭시키는 제 2 고주파 증폭기(17b)와, 상기 제 2 고주파 증폭기(17b)의 고주파 잡음을 제거하는 제 2 LPF(13b)와, 상기 DCS/PCS/GSM 신호의 송신 경로와 수신 경로를 바꾸어 주는 SP3T GaAs 스위치(15)와, 상기 DCS/PCS/GSM 송신단으로부터 전송된 신호를 상기 SP3T GaAs 스위치(15)에 의해 분리되어 연결된 DCS/PCS/GSM 수신단으로 상기 신호를 전송하는안테나(16)와, 상기 안테나(16)로부터 전송된 신호 중에서 각 시스템의 주파수대에 응해서 고주파 대역(DCS/PCS)과 저주파 대역(GSM)으로 분리시켜 어느 쪽에 연결할지를 결정하는 다이플렉서(14)와, 상기 다이플렉서(14)에 의해 저주파 대역으로 분리된 주파수대에서 GSM 수신단(Rx)에서 원하는 소정 범위의 주파수대(925~960MHz)의 신호만 통과시키고 이 범위를 벗어난 신호를 제거하는 제 1 BPF(Band Pass Filter: 11a)와, 상기 다이플렉서(14)에 의해 고주파 대역으로 분리된 주파수대에서 비슷한 주파수 대인 PCS 대역과 DCS 대역을 각각 분파시키는 제 1 위상 변이기(12a) 및 제 2 위상 변이기(12b)와, PCS 수신단(Rx)에서 원하는 소정 범위의 주파수대(1930~1990MHz)의 신호만 통과시키고 이 범위를 벗어난 신호를 제거하는 제 2 BPF(11b)와, DCS 수신단(Rx)에서 원하는 소정 범위의 주파수대(1805~1880MHz)의 신호만 통과시키고 이 범위를 벗어난 신호를 제거하는 제 3 BPF(11c)를 포함하여 구성된다.As shown in FIG. 1, the triple band front end module 10 includes a first high frequency amplifier (PA) 17a for amplifying a signal transmitted from a DCS / PCS transmitter (Tx), and the first high frequency amplifier 17a. LPF (Low Pass Filter) 13a which removes high frequency noise of the NMR, a second high frequency amplifier 17b which amplifies a signal transmitted from the GSM transmitter Tx, and a high frequency of the second high frequency amplifier 17b. A second LPF 13b for removing noise, an SP3T GaAs switch 15 for changing a transmission path and a reception path of the DCS / PCS / GSM signal, and a signal transmitted from the DCS / PCS / GSM transmitter; Antenna 16, which transmits the signal to a DCS / PCS / GSM receiver connected and separated by GaAs switch 15, and a high frequency band (DCS / PCS) corresponding to the frequency band of each system among the signals transmitted from the antenna 16 ) And low frequency band (GSM) In the band separated by the diplexer 14 and the low frequency band by the diplexer 14, only signals of a predetermined range of bands (925 to 960 MHz) that are desired by the GSM receiver Rx pass out of this range. A first BPF (Band Pass Filter 11a) for removing a signal and a first phase shifter for splitting the PCS band and the DCS band, which are similar frequency bands, in a frequency band separated by a high frequency band by the diplexer 14 ( 12a) and second phase shifter 12b, and second BPF 11b that passes only signals in a desired range of frequencies (1930 to 1990 MHz) at the PCS receiving end Rx and removes signals outside this range; And a third BPF 11c which passes only signals in a frequency band 1805 to 1880 MHz of a desired predetermined range from the DCS receiving end Rx and removes signals outside this range.

또한, 상기 SP3T GaAs 스위치(15)에 전압을 인가하는 전원 공급장치(Vc2)가 포함된다.In addition, a power supply Vc2 for applying a voltage to the SP3T GaAs switch 15 is included.

또한, 상기 대역 통과 필터(11a, 11b, 11c)는 보통 SAW 필터 또는 FBAR 필터를 사용되며, 듀얼 SAW 필터(11b, 11c)가 하나로 패키지된 제품을 이용함으로써 회로 구현 및 기판 설계가 용이해질 수 있다.In addition, the band pass filters 11a, 11b, and 11c generally use SAW filters or FBAR filters, and circuit implementation and board design may be facilitated by using a product in which the dual SAW filters 11b and 11c are packaged as one. .

그러나, 도 1과 같이 구성된 트리플 밴드 RF 블럭단은 LTCC(Low Temperature Co-fired Ceramic substrate)를 기반으로 하나의 모듈로 구현하는데 있어서 다음과 같은 문제점을 갖는다However, the triple band RF block stage configured as shown in FIG. 1 has the following problems in implementing as a module based on a low temperature co-fired ceramic substrate (LTCC).

첫째, 송신 신호는 송신단으로의 전송시 수신단으로 누설되지 않아야 하는데, LTCC를 기반으로 동일 기판내에서 송신단과 수신단을 한개의 모듈로 구현할 때, 각 회로를 구성하는 수동 소자들은 기판내에 내장된다. 이 때, 송신단과 수신단을 전기적으로 격리시키기 위해서 GND 비아(Via) 홀이나 GND 전극, 소자나 단자 사이의 거리를 사용하는 방법이 일반적이다.First, the transmission signal should not leak to the receiving end during transmission to the transmitting end. When implementing the transmitting end and the receiving end as one module in the same substrate based on the LTCC, the passive elements constituting each circuit are embedded in the substrate. In this case, a method of using a distance between a GND via hole, a GND electrode, an element, or a terminal is generally used to electrically isolate the transmitting end and the receiving end.

그러나, 이는 모듈의 크기를 증가시키며 설계가 어렵다는 문제점이 있다.However, this increases the size of the module has a problem that the design is difficult.

둘째, 송신단의 PA 모듈은 열이 많이 발생하는 문제점이 있으며, 또한, 수신단의 SAW 대역 통과 필터(BPF)는 열이 증가하게 되면 특성이 열화되는 문제점이 있다.Second, the PA module of the transmitter has a problem of generating a lot of heat, and the SAW band pass filter (BPF) of the receiver has a problem of deteriorating characteristics when the heat increases.

즉, PA 모듈에서 발생한 열이 SAW 필터에 전달되어 열이 증가하게 되면 통과 대역의 주파수가 상승하여 하위대역 주파수의 삽입 손실이 증가한다.That is, when the heat generated from the PA module is transferred to the SAW filter and the heat increases, the frequency of the pass band is increased to increase the insertion loss of the lower band frequency.

그러므로, 송신단과 수신단을 한 개의 모듈에 구현함에 있어서 PA 자체에서 발생된 열을 방출시켜야 하는 문제와 이렇게 발생된 열이 SAW 필터로 전달되지 않도록 해야하는 문제를 해결해야한다.Therefore, in implementing the transmitter and the receiver in one module, it is necessary to solve the problem of dissipating heat generated by the PA itself and preventing the heat generated from being transmitted to the SAW filter.

본 발명은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위하여 안출된 것으로서, 송신단과 수신단을 분리하여 모듈로 구현한 후 이를 다시 하나의 모듈로 구현함으로써, 수신단과 송신단 모듈의 크기를 줄일 수 있을 뿐만 아니라 SAW 대역 통과 필터 특성의 열화 및 하위 대역 주파수의 삽입 손실의 증가를 방지할 수 있는 트리플 밴드의 RF 프런트 엔드 모듈을 제공하는 것을 목적으로 한다.The present invention has been made to solve the above problems, by separating the transmitting end and the receiving end into a module and then implementing it as a single module, not only can reduce the size of the receiving end and the transmitting end module but also SAW band pass It is an object of the present invention to provide a triple band RF front end module capable of preventing degradation of filter characteristics and an increase in insertion loss of a lower band frequency.

도 1은 트리플 밴드(Triple band)의 RF 프런트 엔드 모듈(Front End Module)의 구성을 나타낸 도면이다.1 is a diagram illustrating a configuration of a triple band RF front end module.

도 2a는 트리플 밴드 프런트 엔드 모듈의 수신단을 나타낸 도면이며, 도 2b는 트리플 밴드 프런트 엔드 모듈의 송신단을 나타낸 도면이다.2A is a diagram illustrating a receiving end of the triple band front end module, and FIG. 2B is a diagram showing a transmitting end of the triple band front end module.

도 3a는 트리플 밴드 프런트 엔드 모듈의 수신단 칩 패키지를 나타낸 단면도이고, 도 3b는 트리플 밴드 프런트 엔드 모듈의 송신단 칩 패키지를 나타낸 단면도이다.3A is a cross-sectional view illustrating a receiver chip package of a triple band front end module, and FIG. 3B is a cross-sectional view illustrating a transmitter chip package of a triple band front end module.

도 4는 트리플 밴드 프런트 엔드 모듈의 수신단 및 송신단이 각각 분리되어 제조된 후 하나의 모듈로서 구현된 것을 나타낸 단면도이다.4 is a cross-sectional view showing that the receiving end and the transmitting end of the triple band front end module are separately manufactured and then implemented as one module.

도 5는 트리플 밴드 프런트 엔드 모듈의 수신단의 다른 예를 나타낸 도면이다.5 is a diagram illustrating another example of a receiving end of a triple band front end module.

도 6은 트리플 밴드 프런트 엔드 모듈의 수신단의 또 다른 예를 나타낸 도면이다.6 is a diagram illustrating another example of a receiving end of the triple band front end module.

<도면의 주요 부호에 대한 설명><Description of Major Symbols in Drawing>

11a, 11b, 11c: BPF(Band Pass Filter) 12a, 12b: 위상 변이기11a, 11b, 11c: Band Pass Filter (BPF) 12a, 12b: Phase Shifter

13a, 13b: LPF(Low Pass Filter) 14: 다이플렉서(Diplexer)13a, 13b: LPF (Low Pass Filter) 14: Diplexer

15: SP3T GaAs 스위치 17a, 17b: PA(Power Amplifier)15: SP3T GaAs Switch 17a, 17b: Power Amplifier (PA)

상기의 목적을 달성하기 위한 본 발명은, 제 1, 제 2, 및 제 3 주파수대 중에서 복수의 주파수대 신호를 공용하는 트리플 밴드 프런트 엔드 모듈의 제조 방법에 있어서, 송신단과 수신단을 분리하여 모듈로 구현한 후 이를 다시 통합된 하나의 모듈로 구현하는 것을 특징으로 한다.In order to achieve the above object, the present invention provides a method for manufacturing a triple band front end module for sharing a plurality of frequency band signals among the first, second, and third frequency bands. It is then characterized in that it is implemented as a single integrated module.

또한, 상기 제 1, 제 2, 및 제 3 주파수대에는 GSM, DCS, PCS 주파수대인 것을 특징으로 한다.The first, second, and third frequency bands may be GSM, DCS, or PCS frequency bands.

또한, 상기 수신단에 베어 상태의 SAW BPF를 사용하는 것을 특징으로 한다.In addition, the receiver uses a SAW BPF in a bear state.

또한, 상기 수신단의 LTCC 기판에 다이플렉서와 위상 변이기가 내장되는 것을 특징으로 한다.In addition, a diplexer and a phase shifter are built in the LTCC substrate of the receiver.

또한, 상기 송신단에 베어 상태의 고주파 증폭기와 스위칭 소자를 사용하는 것을 특징으로 한다.In addition, the high frequency amplifier and the switching element of the bare state is used for the transmitting end.

또한, 상기 송신단의 LTCC 기판에 LPF와 정합회로가 내장되는 것을 특징으로 한다.In addition, the LPF and the matching circuit is built in the LTCC substrate of the transmitter.

또한, 상기 수신단과 송신단은 PCB나 세라믹 기판을 사용하여 송수신 모듈로 구현될 수 있는 것을 특징으로 한다.In addition, the receiving end and the transmitting end may be implemented as a transmission / reception module using a PCB or a ceramic substrate.

이하에서 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예가 상세히 설명된다.Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

본 발명에 따른 트리플 밴드 프런트 엔드 모듈 제조방법은 송신단과 수신단을 분리하여 모듈로 구현한 후 이를 다시 하나의 모듈로 구현하는 것을 특징으로한다.The method for manufacturing a triple band front end module according to the present invention is characterized in that the transmitter and the receiver are separated into a module and then implemented into a single module.

이하에서 먼저 트리플 밴드 프런트 엔드 모듈의 수신단과 송신단을 분리하고 그 제조 방법에 대해 설명한다.Hereinafter, first, a receiving end and a transmitting end of the triple band front end module will be described and a manufacturing method thereof will be described.

도 2a는 트리플 밴드 프런트 엔드 모듈의 수신단을 나타낸 도면이며, 도 2b는 트리플 밴드 프런트 엔드 모듈의 송신단을 나타낸 도면이다.2A is a diagram illustrating a receiving end of the triple band front end module, and FIG. 2B is a diagram showing a transmitting end of the triple band front end module.

도 2a 및 도 2b를 참조하면, 도 1의 트리플 밴드 프런트 엔드 모듈을 각각 수신기 모듈과 송신기 모듈로 분리하여 나타내고 있다.2A and 2B, the triple band front end module of FIG. 1 is divided into a receiver module and a transmitter module, respectively.

여기서, 위상 변이기 P.S1(12a)은 DCS 수신 주파수의 λ/4 길이를 가지며, 위상 변이기 P.S2(12b)는 PCS 수신 주파수의 λ/4 길이를 가진다.Here, the phase shifter P. S1 12a has a length of? / 4 of the DCS reception frequency, and the phase shifter P. S2 12b has a length of? / 4 of the PCS reception frequency.

도 3a는 트리플 밴드 프런트 엔드 모듈의 수신단 칩 패키지를 나타낸 단면도이고, 도 3b는 트리플 밴드 프런트 엔드 모듈의 송신단 칩 패키지를 나타낸 단면도이다.3A is a cross-sectional view illustrating a receiver chip package of a triple band front end module, and FIG. 3B is a cross-sectional view illustrating a transmitter chip package of a triple band front end module.

도 3a에 도시된 바와 같이, 도 2a에 도시된 트리플 밴드 프런트 엔드 모듈의 수신단 칩 패키지는 SAW BPF(11a, 11b, 11c), 위상 변이기(12a, 12b), 다이플렉서(14)가 내장된 LTCC와, 그 LTCC 기판 상에 GSM 수신 단자(Rx), PCS 수신 단자(Rx), DCS 수신 단자(Rx)가 플립칩(Flip chip) 형태로 실장된다.As shown in FIG. 3A, the receiver chip package of the triple band front end module shown in FIG. 2A includes SAW BPFs 11a, 11b and 11c, phase shifters 12a and 12b, and a diplexer 14. The LTCC, and the GSM receiving terminal Rx, the PCS receiving terminal Rx, and the DCS receiving terminal Rx are mounted in a flip chip form on the LTCC substrate.

또한, 도 3b에 도시된 바와 같이, 도 2b에 도시된 트리플 밴드 프런트 엔드 모듈의 송신단 칩 패키지는 LPF(13a, 13b)가 내장된 LTCC와, 그 LTCC 기판 상에 GaAs 스위치(15), 용량이 큰 칩 커패시터, 인덕터, 저항, 고주파 증폭기(PA 트랜지스터: 17a, 17b)가 실장된다.In addition, as shown in FIG. 3B, the transmitter chip package of the triple band front end module shown in FIG. 2B includes an LTCC in which LPFs 13a and 13b are embedded, and a GaAs switch 15 and a capacitance on the LTCC substrate. Large chip capacitors, inductors, resistors, and high frequency amplifiers (PA transistors 17a and 17b) are mounted.

또한, 상기 실장의 공정후 사용 환경에 따라 커버로 에폭시 몰딩(Epoxy molding) 처리가 행해질 수 있다.In addition, an epoxy molding process may be performed on the cover according to the use environment after the mounting process.

이와 같이, 본 발명에 따른 프런트 엔드 모듈 제조방법은 송신단과 수신단을 별도의 모듈로 구현한다.As described above, the method for manufacturing a front end module according to the present invention implements a transmitter and a receiver as separate modules.

이는 3개의 베어(Bare) 상태의 SAW BPF를 사용하며, LTCC 기판내에 다이플렉서(Diplexer: 14)와 위상 변이기(Phase Shifter: 12a, 12b)를 구현함으로써 3종의 SAW 칩을 패키지하는 것과 더불어 모듈의 기능 회로를 첨가함으로써 소형의 수신단 모듈의 구현이 가능하다.It uses three bare SAW BPFs, and packages three SAW chips by implementing a Diplexer (14) and Phase Shifters (12a, 12b) in the LTCC substrate. In addition, a small receiver module can be realized by adding a functional circuit of the module.

또한, 송신단 모듈의 경우에도, 기존 고주파 증폭기(PA) 모듈의 제작과 같이 베어(Bare) 상태의 PA 소자(17a, 17b)와 스위칭 소자(15)를 사용하며 LTCC 기판내에 LPF(13a, 13b)와 정합회로(미도시)를 내장함으로써 소형화가 가능하다.In addition, in the case of the transmitter module, the PA elements 17a and 17b and the switching element 15 in the bare state are used as in the fabrication of the conventional high frequency amplifier (PA) module, and the LPFs 13a and 13b in the LTCC substrate are used. And a matching circuit (not shown) can be miniaturized.

도 4는 트리플 밴드 프런트 엔드 모듈의 수신단 및 송신단이 각각 분리되어 제조된 후 하나의 모듈로서 구현된 것을 나타낸 단면도이다.4 is a cross-sectional view showing that the receiving end and the transmitting end of the triple band front end module are separately manufactured and then implemented as one module.

도 4에 도시된 바와 같이, 도 3a에 도시된 트리플 밴드 프런트 엔드 모듈의 수신단 칩 패키지와 도 3b에 도시된 트리플 밴드 프런트 엔드 모듈 송신단 칩 패키지가 분리되어 제작된 후 PCB 또는 세라믹 기판상에 하나의 칩 패키지로 구현된 것을 나타낸다.As shown in FIG. 4, the receiver chip package of the triple band front end module shown in FIG. 3A and the triple band front end module transmitter chip package shown in FIG. 3B are separately manufactured and then placed on a PCB or ceramic substrate. It represents a chip package implemented.

또한, 상기 PCB 또는 세라믹 기판사에 하나의 칩 패키지로 실장된 후 사용 환경에 따라 커버로 에폭시 몰딩(Epoxy molding) 처리가 행해질 수 있음을 나타낸다.In addition, it is shown that the epoxy molding process may be performed on the cover according to the use environment after being mounted as one chip package on the PCB or ceramic substrate.

도 5는 트리플 밴드 프런트 엔드 모듈의 수신단의 다른 예를 나타낸 도면이다.5 is a diagram illustrating another example of a receiving end of a triple band front end module.

도 5에 도시된 바와 같이, 트리플 밴드 프런트 엔드 모듈의 수신단의 다른 예는 도 2에 도시된 GSM 트리플 밴드 프런트 엔드 모듈과 달리, 주파수 차이가 큰 GSM/DCS 수신 단자(Rx)가 한 쌍으로 구성되고, 이는 각각 다이플렉서(22)에 의해 분리되며 각각 대역 통과 필터(21a, 21b)에 의해 원하는 대역의 주파수만 통과되어 GSM 수신 단자(Rx) 및 DCS 수신 단자(Rx)에 전송되는 구조이다.As shown in FIG. 5, another example of the receiver of the triple band front end module is a pair of GSM / DCS receiver terminals Rx having a large frequency difference, unlike the GSM triple band front end module illustrated in FIG. 2. It is a structure which is separated by the diplexer 22, respectively, and passes only the frequencies of the desired band by the band pass filters 21a and 21b, respectively, and is transmitted to the GSM receiving terminal Rx and the DCS receiving terminal Rx. .

또한, 복수의 주파수대의 신호 GSM/DCS 대역과 PCS 대역은 GaAs 스위치(24)를 이용하여 분파시키는 구조를 갖는다.In addition, the signal GSM / DCS band and the PCS band of the plurality of frequency bands have a structure of branching using the GaAs switch 24.

도 6은 트리플 밴드 프런트 엔드 모듈의 수신단의 또 다른 예를 나타낸 도면이다.6 is a diagram illustrating another example of a receiving end of the triple band front end module.

도 6에 도시된 바와 같이, 주파수 차이가 큰 GSM/DCS 수신 단자(Rx)가 한 쌍으로 구성되고, 이는 각각 위상 변이기(32a, 32b)에 의해 분리되며 각각 대역 통과 필터(31a, 31b)에 의해 원하는 대역의 주파수만 통과되어 GSM 수신 단자(Rx) 및 DCS 수신 단자(Rx)에 전송되는 구조이다.As shown in Fig. 6, a pair of GSM / DCS receiving terminals Rx having a large frequency difference is configured, which are separated by phase shifters 32a and 32b, respectively, and band pass filters 31a and 31b, respectively. By passing only the frequency of the desired band is transmitted to the GSM receiving terminal (Rx) and DCS receiving terminal (Rx).

또한, 복수의 주파수대의 신호 GSM/DCS 대역과 PCS 대역은 GaAs 스위치(24)를 이용하여 분파시키는 구조를 갖는다.In addition, the signal GSM / DCS band and the PCS band of the plurality of frequency bands have a structure of branching using the GaAs switch 24.

이상에서 살펴본 바와 같이, 본 발명에 따른 트리플 밴드 프런트 엔드 모듈 제조방법은 송신단과 수신단을 별도의 모듈로 구현함으로 인해 수신단과 송신단 모듈의 크기를 줄일 수 있다.As described above, the triple band front end module manufacturing method according to the present invention can reduce the size of the receiver and the transmitter module by implementing the transmitter and the receiver as separate modules.

또한, 송수신 회로가 한 기판내에서 구성될 때 발생되는 SAW 대역 통과 필터 특성의 열화 및 하위 대역 주파수의 삽입 손실의 증가를 방지할 수 있다.In addition, it is possible to prevent degradation of SAW band pass filter characteristics and increase in insertion loss of lower band frequencies that occur when the transceiver circuit is configured in one substrate.

또한, 각각의 송/수신 모듈은 별도로 폰에서 사용가능하며 PCB나 세라믹 기판을 사용하여 송수신 모듈을 구현할 수 있다.In addition, each transmit / receive module may be separately used in a phone and may implement a transmit / receive module using a PCB or a ceramic substrate.

Claims (7)

제 1, 제 2, 및 제 3 주파수대 중에서 복수의 주파수대 신호를 공용하는 트리플 밴드 프런트 엔드 모듈의 제조 방법에 있어서,In the manufacturing method of the triple band front end module which shares a plurality of frequency band signals among the first, second and third frequency bands, 송신단과 수신단을 분리하여 모듈로 구현한 후 이를 다시 통합된 하나의 모듈로 구현하는 것을 특징으로 하는 트리플 밴드 프런트 엔드 모듈의 제조 방법.A method of manufacturing a triple band front end module comprising: separating a transmitter and a receiver into a module and then implementing the module into a single module. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 제 1, 제 2, 및 제 3 주파수대에는 GSM, DCS, PCS 주파수대인 것을 특징으로 하는 트리플 밴드 프런트 엔드 모듈의 제조 방법.The first, second and third frequency bands of the GSM, DCS, PCS frequency band characterized in that the manufacturing method of the triple band front end module. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,The method according to claim 1 or 2, 상기 수신단에 베어 상태의 SAW BPF를 사용하는 것을 특징으로 하는 트리플 밴드 프런트 엔드 모듈의 제조 방법.The method of manufacturing a triple band front end module characterized in that the use of the SAW BPF in the bear state at the receiving end. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,The method according to claim 1 or 2, 상기 수신단의 LTCC 기판에 다이플렉서와 위상 변이기가 내장되는 것을 특징으로 하는 트리플 밴드 프런트 엔드 모듈의 제조 방법.A method of manufacturing a triple band front end module comprising a diplexer and a phase shifter built in the LTCC substrate of the receiving end. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,The method according to claim 1 or 2, 상기 송신단에 베어 상태의 고주파 증폭기와 스위칭 소자를 사용하는 것을 특징으로 하는 트리플 밴드 프런트 엔드 모듈의 제조 방법.A method of manufacturing a triple band front end module comprising using a high frequency amplifier and a switching element in a bare state for the transmitting end. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,The method according to claim 1 or 2, 상기 송신단의 LTCC 기판에 LPF와 정합회로가 내장되는 것을 특징으로 하는 트리플 밴드 프런트 엔드 모듈의 제조 방법.LPF and matching circuit is built in the LTCC substrate of the transmitting end. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,The method according to claim 1 or 2, 상기 수신단과 송신단은 PCB나 세라믹 기판을 사용하여 송수신 모듈로 구현될 수 있는 것을 특징으로 하는 트리플 밴드 프런트 엔드 모듈의 제조 방법.The receiving end and the transmitting end is a manufacturing method of a triple band front end module, characterized in that can be implemented as a transmission and reception module using a PCB or a ceramic substrate.
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KR20050062165A (en) * 2003-12-19 2005-06-23 엘지이노텍 주식회사 Wireless device of portable terminal
KR100700967B1 (en) * 2005-12-28 2007-03-28 전자부품연구원 Front end module used in mobile communication device

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