KR20050042634A

KR20050042634A - Wafer transfer arm

Info

Publication number: KR20050042634A
Application number: KR1020030077427A
Authority: KR
Inventors: 김용대
Original assignee: 삼성전자주식회사
Priority date: 2003-11-03
Filing date: 2003-11-03
Publication date: 2005-05-10

Abstract

웨이퍼 이송암은 웨이퍼를 그 상면에 안착시키도록 그 상면에 웨이퍼 안착면이 형성되고, 안착면에 연장되어 그 상방향으로 각도가 증대되도록 형성되는 경사면이 마련되되 안착면과 경사면이 이루는 경계부의 거리가 웨이퍼의 직경과 대응된 길이를 갖도록 되어 웨이퍼의 유동을 방지한다. 또한, 경사면에 파티클발생방지막이 추가로 피복되어 파티클 발생률을 줄인다. The wafer transfer arm has a wafer seating surface formed on the upper surface of the wafer transfer arm so as to seat the wafer on the upper surface thereof, and has an inclined surface extending to the seating surface to increase the angle in the upper direction thereof, and the distance between the seating surface and the sloped surface. Has a length corresponding to the diameter of the wafer to prevent the flow of the wafer. In addition, the particle generation prevention film is further coated on the inclined surface to reduce the particle generation rate.

Description

Wafer transfer arm {WAFER TRANSFER ARM}

본 발명은 웨이퍼를 이송하는 웨이퍼 이송암에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 상기 이송암의 웨이퍼 안착부의 구조를 개선하여 웨이퍼의 위치가 틀어지는 것을 방지하는 웨이퍼 이송암에 관한 것이다. The present invention relates to a wafer transfer arm for transferring a wafer, and more particularly, to a wafer transfer arm for improving the structure of a wafer seating portion of the transfer arm to prevent the wafer from being displaced.

일반적으로, 반도체 제조 공정에 있어서, 반도체 제조를 위하여 웨이퍼는 필요한 공정 단계에 따라서 각종 반도체 제조 장치, 예컨대 스피너, 스크러버 등을 거치게 된다. 이때, 웨이퍼는 이송 장치에 의해 반도체 제조 장치의 특정한 반응챔버로부터 다른 챔버로 이송되며, 그 이송동작은 이송암에 의해 이송된다.In general, in a semiconductor manufacturing process, a wafer is subjected to various semiconductor manufacturing apparatuses such as spinners, scrubbers, and the like, depending on the process steps required for semiconductor manufacturing. At this time, the wafer is transferred from the specific reaction chamber of the semiconductor manufacturing apparatus to another chamber by the transfer apparatus, and the transfer operation is transferred by the transfer arm.

도 1은 종래의 이송암(10)의 구성을 도시한 사시도이다. 도면에 도시된 바와 같이 이송암(10)은 웨이퍼(W)의 에지부가 얹혀지도록 웨이퍼(W)의 형상과 대략 대응된 형상으로 이루어지며 그 내주면에 웨이퍼 안착면(11)이 마련된다. 이때, 웨이퍼 안착면(11) 둘레측으로는 소정 각도로 기울어진 경사면(13)이 형성되어 웨이퍼(W)가 안착될 때 가이딩되도록 구성된다. 1 is a perspective view showing the configuration of a conventional transfer arm 10. As shown in the figure, the transfer arm 10 has a shape substantially corresponding to the shape of the wafer W so that the edge portion of the wafer W is placed thereon, and a wafer seating surface 11 is provided on the inner circumferential surface thereof. At this time, the inclined surface 13 inclined at a predetermined angle is formed on the circumferential side of the wafer seating surface 11 to be guided when the wafer W is seated.

그러나, 이와 같이 구성된 종래의 이송암(10)은 상기 안착면(11)과 경사면(13)의 경계부까지의 거리(D)가 실제 웨이퍼(W)의 직경(d)보다 크게 형성되어 웨이퍼()가 크게 유동되는 문제점이 있다. However, in the conventional transfer arm 10 configured as described above, the distance D between the seating surface 11 and the inclined surface 13 is greater than the diameter d of the actual wafer W, so that the wafer There is a problem that large flow.

한편, 상기 경사면(13)을 통해 웨이퍼(W)가 슬라이딩 되는 동안 알루미늄(Al)재질로 된 이송암(10)과, 실리콘(Si)재질로 된 웨이퍼(W)의 마찰로 인해 파티클이 발생되는 문제점이 있다. Meanwhile, particles are generated due to friction between the transfer arm 10 made of aluminum (Al) and the wafer W made of silicon (Si) while the wafer W is slid through the inclined surface 13. There is a problem.

따라서, 본 발명은 상술한 문제점을 해결하기 위하여 안출 된 것으로서, 본 발명의 목적은 웨이퍼 안착부의 사이즈를 개선하여 웨이퍼 유동을 방지하는 웨이퍼 이송암을 제공하는 데 있다. Accordingly, the present invention has been made to solve the above-described problems, an object of the present invention is to provide a wafer transfer arm to improve the size of the wafer seating portion to prevent wafer flow.

본 발명의 두 번째 목적은 웨이퍼의 안착을 가이드하는 경사면의 구조를 개선하여 웨이퍼 슬라이딩 동작에 따른 파티클 발생률을 줄이는 웨이퍼 이송암을 제공하는 데 있다. A second object of the present invention is to provide a wafer transfer arm that reduces the particle generation rate due to the wafer sliding operation by improving the structure of the inclined surface that guides the mounting of the wafer.

상술한 목적을 달성하기 위하여 본 발명의 제 1관점에 의하면, 웨이퍼를 그 상면에 안착시키도록 그 상면에 웨이퍼 안착면이 형성되고, 상기 안착면에 연장되어 그 상방향으로 각도가 증대되도록 형성되는 경사면이 마련되되 상기 안착면과 경사면이 이루는 경계부의 거리가 상기 웨이퍼의 직경과 대응된 길이를 갖도록 된 것을 특징으로 하는 웨이퍼 반송암이 제공된다. According to a first aspect of the present invention for achieving the above object, a wafer seating surface is formed on the upper surface to seat the wafer on the upper surface, and is formed to extend to the seating surface to increase the angle in the upper direction The inclined surface is provided, but the wafer carrier arm is characterized in that the distance between the boundary between the seating surface and the inclined surface has a length corresponding to the diameter of the wafer.

본 발명의 제 2관점에 의하면, 웨이퍼를 그 상면에 안착시키도록 그 상면에 웨이퍼 안착면이 형성되고, 상기 안착면에 연장되어 그 상방향으로 각도가 증대되도록 형성되는 경사면이 마련되되 상기 경사면에는 파티클 발생을 방지하는 파티클발생방지막이 소정두께로 피복된 것을 특징으로 하는 웨이퍼 반송암이 제공된다. According to the second aspect of the present invention, the wafer seating surface is formed on the upper surface to seat the wafer on the upper surface, the inclined surface is provided to extend to the seating surface is formed so as to increase the angle in the upward direction is provided on the inclined surface A wafer transfer arm is provided, wherein a particle generation prevention film for preventing particle generation is coated with a predetermined thickness.

상기 파티클발생방지막의 하단부 양단간의 거리는 상기 웨이퍼의 직경과 대응된 길이를 갖도록 하여 웨이퍼(W)의 유동을 방지하도록 함이 바람직하다. The distance between both ends of the lower end of the particle generation prevention film is preferably to have a length corresponding to the diameter of the wafer to prevent the flow of the wafer (W).

상기 파티클발생방지막은 내마모성이 우수한 재질로 아델폴리아릴레이트(Ardel Polyarylate) 또는 베스펠(Vespel)을 사용함이 바람직하다. As the particle generation prevention film, it is preferable to use Ardel Polyarylate or Vespel as a material having excellent wear resistance.

이하, 첨부된 도면 도 3 및 도 4를 참조로 하여 본 발명에 의한 웨이퍼 이송암의 구성 및 작용에 대해서 상세히 설명한다.Hereinafter, the configuration and operation of the wafer transfer arm according to the present invention will be described in detail with reference to FIGS. 3 and 4.

도 3에 도시된 바와 같이 웨이퍼 이송암(20)은 웨이퍼(W)의 에지부 저면 양측이 얹혀지도록 웨이퍼(W)의 형상과 대략 대응된 형상으로 이루어지며 그 내주면에 웨이퍼 안착면(21)이 마련된다. 이때, 웨이퍼 안착면(21) 둘레측으로는 소정 각도로 기울어진 경사면(23)이 형성되어 웨이퍼(W)가 안착될 때 가이딩되도록 구성된다. 한편, 상기 웨이퍼 안착면(21)과 경사면(23)이 접하는 경계부(P,P′) 양단간의 거리(L)는 상기 웨이퍼(W)의 직경(d)과 대응된 길이를 갖는다. 이와 같이 안착면(21)의 사이즈를 웨이퍼(W)의 직경과 대응된 길이로 하여 그 상면에 안착된 웨이퍼(W)가 유동되는 것을 방지한다.As shown in FIG. 3, the wafer transfer arm 20 has a shape substantially corresponding to the shape of the wafer W so that both sides of the bottom surface of the edge portion of the wafer W are placed, and the wafer seating surface 21 is formed on the inner circumferential surface thereof. Prepared. At this time, the inclined surface 23 inclined at a predetermined angle is formed on the circumferential side of the wafer seating surface 21 to be guided when the wafer W is seated. Meanwhile, the distance L between both ends of the boundary portions P and P ′ where the wafer seating surface 21 and the inclined surface 23 contact each other has a length corresponding to the diameter d of the wafer W. FIG. In this way, the size of the seating surface 21 is set to a length corresponding to the diameter of the wafer W to prevent the wafer W seated on the upper surface thereof from flowing.

다음 도 4는 본 발명의 다른 실시 예에 의한 웨이퍼 이송암(30)의 구성을 도시한 도면이다. 도면에 도시된 바와 같이 웨이퍼(W)가 안착되는 안착면(31)과 경사면(33)을 갖는 구조는 동일하며 상기 경사면(33)에 파티클발생방지막(35)이 추가로 구성된 점이 다르다. 상기 파티클발생방지막(35)은 실리콘 재질로 된 웨이퍼(W)가 상기 알루미늄 재질로 된 이송암(30)의 경사면(33)과 접촉되어 파티클이 발생되는 것을 방지하기 위한 것으로서 그 재질은 내마모성이 우수한 것으로 아델폴리아릴레이트(ARDEL POLYARYLATE) 또는 베스펠(VESPEL)을 사용함이 바람직하다. 이때, 상기 경사면(33)에 피복된 파티클발생방지막(35)의 하단부에서 그 양단간의 거리(L′)는 상기 웨이퍼(W)의 직경(d)과 대응된 길이를 갖도록 하여 안착된 웨이퍼(W)가 유동되는 것을 줄이도록 한다. 여기서 상기 파티클발생방지막(25)은 종래에 사용되었던 이송암(20)에서 웨이퍼(W)가 유동되었던 유동간격을 고려하여 그 두께를 적용시킴으로써 종래의 이송암(20)을 그대로 활용하여 웨이퍼(W)가 유동되는 구조를 해소시킬 수 있게 된다. 즉, 상기 파티클발생방지막(35)을 채용함으로써 파티클 발생율을 줄이고, 웨이퍼(W)가 유동되는 것을 방지하는 이중의 효과를 취할 수 있게 되는 것이다. 4 is a view showing the configuration of a wafer transfer arm 30 according to another embodiment of the present invention. As shown in the figure, the structure having the seating surface 31 and the inclined surface 33 on which the wafer W is seated is the same, except that the particle generation preventing film 35 is additionally formed on the inclined surface 33. The particle generation prevention layer 35 is for preventing the generation of particles by contacting the inclined surface 33 of the transfer arm 30 made of silicon material with the wafer (W) made of silicon material, the material is excellent in wear resistance It is preferable to use ARDEL POLYARYLATE or Vespel. At this time, the distance (L ') between both ends at the lower end of the particle generation prevention film 35 coated on the inclined surface 33 has a length corresponding to the diameter (d) of the wafer (W) seated (W) ) To reduce flow. Here, the particle generation prevention film 25 is applied to the thickness in consideration of the flow interval in which the wafer W flowed in the transfer arm 20 used in the prior art by utilizing the conventional transfer arm 20 as it is the wafer (W) ) Can eliminate the flow structure. That is, by employing the particle generation prevention film 35, it is possible to reduce the particle generation rate and take a dual effect of preventing the wafer W from flowing.

상술한 바와 같이 본 발명은 웨이퍼 이송암에서 웨이퍼 안착면의 사이즈 웨이퍼 사이즈와 대응된 사이즈로 제작하여 이송동작을 실시할 경우 웨이퍼가 유동되어 틀어지거나 이탈되는 문제점을 해소시키는 이점이 있다. As described above, the present invention has the advantage of eliminating the problem that the wafer is flowed or distorted when the wafer transfer arm is manufactured in a size corresponding to the size of the wafer seating surface in the wafer transfer arm to perform the transfer operation.

한편, 웨이퍼의 안착동작을 가이드하는 경사면에 파티클발생방지막을 추가로 구성하여 웨이퍼와 이송암간의 마찰저항을 줄여 파티클 발생률을 줄이고, 웨이퍼가 유동되는 문제점을 해소시키는 이점이 있다. On the other hand, by additionally forming a particle preventing film on the inclined surface for guiding the seating operation of the wafer has the advantage of reducing the frictional resistance between the wafer and the transfer arm to reduce the particle generation rate, to solve the problem that the wafer flow.

이와 같이 본 발명의 상세한 설명에서는 구체적인 실시 예에 관해 설명하였으나, 본 발명의 범주에서 벗어나지 않는 한도 내에서 여러 가지 변형이 가능함은 물론이다. 그러므로, 본 발명의 범위는 설명된 실시 예에 국한되어 정해져서는 안되며 후술하는 특허청구범위 뿐만 아니라 이 특허청구범위와 균등한 것들에 의해 정해져야 한다.As described above, in the detailed description of the present invention, specific embodiments have been described. However, various modifications may be made without departing from the scope of the present invention. Therefore, the scope of the present invention should not be limited to the described embodiments, but should be defined by the claims below and equivalents thereof.

도 1은 종래의 웨이퍼 이송암의 구성을 도시한 사시도, 1 is a perspective view showing the configuration of a conventional wafer transfer arm;

도 2는 상기 도 1의 선1A-1A′를 따른 단면도,2 is a cross-sectional view taken along the line 1A-1A 'of FIG. 1;

도 3은 본 발명의 일 실시 예에 의한 웨이퍼 이송암의 구성을 도시한 단면도,3 is a cross-sectional view showing the configuration of a wafer transfer arm according to an embodiment of the present invention;

도 4는 본 발명의 다른 실시 예에 의한 웨이퍼 이송암의 구성을 도시한 단면도이다. 4 is a cross-sectional view showing the configuration of a wafer transfer arm according to another embodiment of the present invention.

<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명><Explanation of symbols for the main parts of the drawings>

20,30 : 이송암 21,31 : 안착면20,30: Transfer arm 21,31: Seating surface

23,33 : 경사면 W : 웨이퍼23,33: inclined surface W: wafer

L : 안착면(21)과 경사면(23)의 경계부를 이루는 양단간의 거리L: distance between both ends forming the boundary between the seating surface 21 and the inclined surface 23

L′: 파티클발생방지막(35)의 하단부 양단간의 거리L ': Distance between both ends of the lower end of the particle generation prevention film 35

d : 웨이퍼직경d: wafer diameter

Claims

A wafer seating surface is formed on the upper surface to seat the wafer on the upper surface, and an inclined surface is formed to extend to the seating surface to increase an angle in the upward direction, and the distance between the boundary between the seating surface and the inclined surface is provided. Wafer carrier arm, characterized in that having a length corresponding to the diameter of the wafer.

A wafer seating surface is formed on the upper surface to seat the wafer on the upper surface thereof, and an inclined surface formed on the upper surface of the wafer seating surface is formed to extend to increase the angle in the upward direction. A wafer carrier arm coated with a predetermined thickness.

The wafer transfer arm of claim 2, wherein a distance between both ends of a lower end of the particle generation prevention film has a length corresponding to a diameter of the wafer.

The wafer carrier arm according to claim 2, wherein the particle generation prevention film is made of a wear resistant material.

The wafer carrier arm of claim 4, wherein the wear resistant material is ARDEL POLYARYLATE or VESPEL.