KR20050030752A - A package manufacturing method of surface acoustic wave device - Google Patents
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Abstract
Description
본 발명은 표면탄성파(Surface acoustic wave) 소자의 패키지 구현방법에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 칩사이즈의 표면탄성파 소자를 보호하는 패키지의 제조시 공정을 단순화시켜 제품 리드 타임이 감소되고 생산효율을 높일 수 있는 표면탄성파 소자의 패키지 제조 방법에 관한 것이다.The present invention relates to a package implementation method of a surface acoustic wave device, and more particularly, to simplify the process of manufacturing a package to protect the surface acoustic wave device of chip size to reduce product lead time and increase production efficiency. The present invention relates to a method for manufacturing a package of surface acoustic wave devices.
통신산업이 발달되면서, 무선통신 제품은 점차 소형화, 고품질화 및 다기능화되어 가고 있다. 이러한 경향에 맞추어 무선통신 제품에 사용되는 부품, 예를 들어, 필터, 듀플렉서등에 대해서도 소형화 및 다기능화가 요구되고 있다.As the communication industry develops, wireless communication products are gradually becoming smaller, higher quality and more versatile. In accordance with this trend, miniaturization and multifunctionality are also required for components used in wireless communication products, such as filters and duplexers.
이러한 부품의 일 예로서, 표면탄성파 필터, 표면탄성파 듀플렉서등이 사용되고 있다. 일반적으로, 표면탄성파 필터나 표면탄성파 듀플렉서를 포함한 표면탄성파 소자는 기본적으로 도 2에 도시된 바와 같이, 압전체(21) 상에 형성된 빗살형태로 이루어진 두 개의 마주보는 전극(23) - IDT(Inter digital transducer) 전극이라고도 함 -에 입력전극(23)을 통해 전기적인 신호를 인가하면, 상기 IDT 전극(22) 간의 겹쳐지는 길이만큼 압전효과에 의한 압전왜곡이 발생되고, 상기 압전왜곡에 의하여 압전체(21)에 전달되는 탄성표면파가 발생되고, 이를 상기의 출력전극(24)을 통해 전기신호로 변환하여 출력하는 것으로서, 이때, 상기 IDT 전극(22)의 간격, 전극폭 이나 길이 등과 같은 여러 인자들에 의해서 결정된 소정 주파수 대역의 전기신호만이 필터링된다. As an example of such a component, a surface acoustic wave filter, a surface acoustic wave duplexer, and the like are used. In general, a surface acoustic wave device including a surface acoustic wave filter or a surface acoustic wave duplexer basically has two opposite electrodes 23-IDT (Inter digital) formed in the shape of a comb formed on the piezoelectric body 21, as shown in FIG. When an electrical signal is applied to the electrode through the input electrode 23, piezoelectric distortion due to the piezoelectric effect is generated by the overlapping length between the IDT electrodes 22, and the piezoelectric body 21 is formed by the piezoelectric distortion. The surface acoustic wave is transmitted to the A), and is converted into an electrical signal through the output electrode 24, and outputs the same to various factors such as the interval, electrode width or length of the IDT electrode 22. Only the electric signal of the predetermined frequency band determined by the filter is filtered.
이러한 표면탄성파 소자압전체(21) 상에 형성된 IDT 전극의 전극폭, 길이, 간격 등에 소자의 특성이 결정되기 때문에, 상기 IDT 전극에 손상이 있거나, 먼지나 티끌과 같은 미세한 크기의 이물질이 묻을 경우 소자의 특성이 변하게 된다. 따라서, 표면탄성파 소자의 전극을 외부 환경으로 보호하기 위한 패키지 구조가 요구된다.Since the device characteristics of the IDT electrode formed on the surface acoustic wave device piezoelectric body 21 are determined such as the electrode width, length, and spacing, the device is damaged when the IDT electrode is damaged or foreign matters having a small size such as dust or dust are attached. The characteristics of will change. Therefore, a package structure for protecting the electrodes of the surface acoustic wave elements to the external environment is required.
도 1의 (a) 및 (b)는 종래의 표면탄성파 소자의 패키지 구조를 보인 단면도이다.1 (a) and (b) are cross-sectional views showing a package structure of a conventional surface acoustic wave device.
도 1의 (a)에 있어서, 표면탄성파 소자 패키지는 절연재료로 형성되고 리드프레임(도시생략)이 일체로 저면과 측벽을 갖는 하부플레이트(11)를 형성하고, 상기 하부플레이트(11)의 저면에 상기 표면탄성파 소자칩(10)을 삽입하여 접합재등으로 본딩하고, 상기 표면탄성파 소자칩(10)의 전극과 상기 하부플레이트(11)에 형성된 리드프레임을 와이어(13)로 연결시킨 후, 상기 하부플레이트(11)의 상부에 절연물질로 이루어진 상부플레이트(12)를 결합하여 이루어진다.In FIG. 1A, the surface acoustic wave device package is formed of an insulating material, and a lead frame (not shown) forms a lower plate 11 having a bottom and sidewalls integrally, and a bottom surface of the lower plate 11. Inserting the surface acoustic wave device chip 10 into the substrate and bonding the surface acoustic wave device chip 10 to a bonding material, and connecting the electrode of the surface acoustic wave device chip 10 to the lead frame formed on the lower plate 11 with a wire 13; The upper plate 12 made of an insulating material is coupled to the upper portion of the lower plate 11.
여기서, 상/하부 플레이트(11,12)는 저온 소결 세라믹재료로 이루어진 그린시트를 다수개 적층함으로서 구현할 수 도 있고, 세라믹 기판을 금형하여 형성할 수 도 있다.Here, the upper and lower plates 11 and 12 may be implemented by stacking a plurality of green sheets made of a low temperature sintered ceramic material, or may be formed by molding a ceramic substrate.
도 1의 (b)에 도시된 표면탄성파 소자 패키지의 경우도 앞서와 마찬가지로, 절연재료로 형성되고 리드프레임(도시생략)이 일체로 저면과 측벽을 갖는 하부플레이트(16)를 형성하고, 상기 하부플레이트(16)의 저면에 표면탄성파 소자칩(15)을 삽입하여 접합재등으로 실장한 후, 상기 하부플레이트(11)의 상부에 절연물질로 이루어진 상부플레이트(12)를 결합하여 이루어진다. 이때, 상기 표면탄성파 소자칩(15)은 하부플레이트(16)의 리드프레임 상부에 플립 본딩(flip bonding)에 의하여 실장과 동시에 전기적 접속이 구현된다.As in the case of the surface acoustic wave device package shown in FIG. 1B, the lower plate 16 formed of an insulating material and having a lead frame (not shown) integrally having a bottom and sidewalls is formed. After inserting the surface acoustic wave device chip 15 into the bottom of the plate 16 and mounting it with a bonding material or the like, the upper plate 12 made of an insulating material is coupled to the upper portion of the lower plate 11. In this case, the surface acoustic wave device chip 15 is electrically connected to the surface of the lower plate 16 by flip bonding on the lead frame.
이때, 상기 하부플레이트(11)의 바닥면은 다층기판으로 구현할 수 도 있고, 앞서와 마찬가지로 저온 소결 세라믹재료로 이루어진 그린시트를 다수개 적층하여 소정함으로서 구현할 수 도 있고, 세라믹 기판을 금형하여 형성할 수 도 있다. 상기 그린시트나 기판상에는 입출력용이나 매칭용의 회로패턴이 형성될 수 있다.In this case, the bottom surface of the lower plate 11 may be implemented by a multi-layer substrate, as described above may be implemented by stacking a plurality of green sheets made of low-temperature sintered ceramic material, or may be formed by molding a ceramic substrate. Can also be. Circuit patterns for input / output or matching may be formed on the green sheet or the substrate.
이상과 같은 종래 방식은 소정 형태의 패키지를 가공하여 표면탄성파 소자칩을 밀봉하여 보호토록 하고 있다.In the conventional method as described above, the surface acoustic wave device chip is sealed and protected by processing a package of a predetermined form.
그런데, 상기의 종래 방식들은 소자칩과 상하부플레이트 간에 소정의 공간이 요구되기 때문에, 소형화에 한계가 있으며, 또한, 복잡한 공정으로 인하여 소자칩을 하부플레이트내에 심실링(seam sealing)하는 과정 등에서 용접불량이 발생할 가능성이 매우 높다. However, since the conventional methods require a predetermined space between the device chip and the upper and lower plates, there is a limit to miniaturization, and due to a complicated process, poor welding in the process of sealing the device chip in the lower plate, etc. This is very likely to occur.
또한, 종래의 방식은 양산시 불량발생률이 높아서 마진의 확보가 어렵고, 그 결과 제조 비용이 높아질 수 있다는 문제점이 있다.In addition, the conventional method has a problem that it is difficult to secure a margin due to a high failure rate during mass production, and as a result, the manufacturing cost can be increased.
본 발명은 상술한 종래의 문제점을 해결하기 위하여 제안된 것으로서, 그 목적은 칩사이즈의 표면탄성파 소자를 보호하는 패키지의 제조시 공정을 단순화시켜 제품 리드 타임이 감소되고 생산효율을 높일 수 있는 표면탄성파 소자의 패키지 제조 방법을 제공하는 것이다. The present invention has been proposed in order to solve the above-mentioned problems, and its object is to simplify the process of manufacturing a package protecting a surface acoustic wave device having a chip size, thereby reducing surface lead time and improving production efficiency. It is to provide a method of manufacturing a package of the device.
상술한 본 발명의 목적을 달성하기 위한 구성수단으로서, 본 발명에 의한 표면탄성파 소자의 패키지 제조 방법은As a constitutional means for achieving the above object of the present invention, the method for manufacturing a package of the surface acoustic wave device according to the present invention
압전체 상에 하나이상의 IDT 전극과 전기신호의 입출력을 위한 입출력용 전극이 형성되며, 상기 입출력용 전극 상에 범프볼이 형성된 표면탄성파 소자 칩을 다수개 마련하는 단계;Providing at least one IDT electrode and an input / output electrode for inputting / outputting an electrical signal on a piezoelectric body, and providing a plurality of surface acoustic wave device chips having bump balls formed on the input / output electrode;
소정 사이즈로 이루어지는 기판을 준비하는 단계;Preparing a substrate having a predetermined size;
상기 기판의 상부에 일정간격으로 상기 마련된 다수의 표면탄성파 소자 칩을 다수의 행과 열로 배치하여 플립 본딩시키는 단계;Flip-bonding the plurality of surface acoustic wave device chips in a plurality of rows and columns at a predetermined interval on the substrate;
상기 다수의 표면탄성파 소자칩과 기판 상부에 반고상의 필름을 라미네이팅시키는 단계;Laminating a plurality of surface acoustic wave device chips and a semi-solid film on the substrate;
상기 라미네이팅된 필름을 경화시키는 단계; 및Curing the laminated film; And
상기 필름이 라미네이팅된 기판을, 본딩된 각 표면탄성파 소자칩을 기준으로 하는 다수의 행과 열로 절단하는 단계를 수행하는 것에 의하여, 표면탄성파 소자칩을 외부환경으로부터 차폐시키는 보호구조를 간단한 공정으로 구현 가능하다.By cutting the film-laminated substrate into a plurality of rows and columns based on each bonded surface acoustic wave device chip, a protection structure for shielding the surface acoustic wave device chip from the external environment is realized in a simple process. It is possible.
또한, 본 발명에 의한 표면탄성파 소자의 패키지 제조 방법에 있어서, 상기 라미네이팅되는 필름은 열경화성 또는 가소성의 에폭시 필름으로 선택한다.In addition, in the method for manufacturing a surface acoustic wave device according to the present invention, the laminated film is selected from a thermosetting or plastic epoxy film.
또한, 본 발명에 의한 표면탄성파 소자의 패키지 제조 방법에 있어서, 상기 라미네이팅하기 위한 필름의 두께는 20㎛ 이상으로 함으로서, 라미네이팅시 필름이 표면탄성 소자칩의 전극측으로 들어가는 것을 방지할 수 있다.In addition, in the method for manufacturing a surface acoustic wave device according to the present invention, the thickness of the film for laminating is 20 μm or more, so that the film can be prevented from entering the electrode side of the surface elastic device chip during lamination.
또한, 본 발명에 의한 표면탄성파 소자의 패키지 제조 방법에 있어서, 상기 반고상의 필름을 기판의 상부에 라미네이팅시키는 단계는 진공 라미네이팅 방식에 의하여 이루어짐으로서, 표면탄성파 소자칩과 기판의 연결부위에서 갭이 형성되는 것을 최소화시킬 수 있다.In addition, in the method for manufacturing a surface acoustic wave device package according to the present invention, the step of laminating the semi-solid film on the substrate is performed by a vacuum laminating method, whereby a gap is formed at the connection portion between the surface acoustic wave device chip and the substrate. Can be minimized.
또한, 본 발명에 의한 표면탄성파 소자의 패키지 제조 방법에 있어서, 상기 기판은 절연재로 이루어진 시트형태인 것을 특징으로 한다.In addition, in the method for manufacturing a surface acoustic wave device according to the present invention, the substrate is characterized in that the sheet is made of an insulating material.
이하, 첨부한 도면을 참조하여 본 발명에 의한 표면탄성파 소자의 패키지 제조 방법에 대하여 상세하게 설명한다.EMBODIMENT OF THE INVENTION Hereinafter, the package manufacturing method of the surface acoustic wave element by this invention is demonstrated in detail with reference to attached drawing.
도 3의 (a) 내지 (e)는 본 발명에 의한 표면탄성파 소자의 패키지 제조 방법을 공정별로 나타낸 도면이다. 본 실시예에 보인 공정은 다수의 표면탄성파 소자를 패키지 하는 대량 제조 공정으로서, 이하에서 설명하는 각 공정은 하나의 표면탄성파 소자에 대해서도 그대로 적용할 수 있다.3 (a) to 3 (e) are diagrams illustrating a method for manufacturing a package of the surface acoustic wave device according to the present invention for each step. The process shown in this embodiment is a mass production process for packaging a plurality of surface acoustic wave elements, and each process described below can be applied to one surface acoustic wave element as it is.
먼저, 본 발명에 의한 패키지 제조 방법은 도 3의 (a)에 도시된 바와 같이, 압전체(31a)상에 하나 이상의 IDT용과 입출력용 전극(31b)들이 형성되어 이루어진 표면탄성파 소자칩(31)을 다수개 마련하여, 상기 표면탄성파 소자칩(31)상의 입출력용 전극 상에 각각 범프 볼(bump ball) 또는 솔더 볼(solder ball)을 형성한다. 부호 31c는 상기 범프볼이나 솔더 볼을 나타낸다.First, in the method of manufacturing a package according to the present invention, as shown in FIG. 3A, the surface acoustic wave device chip 31 having one or more IDT and input / output electrodes 31b formed on the piezoelectric body 31a is formed. A plurality of bump balls or solder balls are formed on the input / output electrodes on the surface acoustic wave device chip 31. Reference numeral 31c denotes the bump ball or the solder ball.
또한, 소정 사이즈의 표면적을 갖는 기판(32)을 마련한다. 상기 기판(32)은 세라믹이나 유전체 등으로 이루어진 시트(sheet)로서, 그 상부에 필요에 따라서 리드 프레임이나 듀플렉서 회로 패턴 등이 형성될 수 있다. 도 3의 (b)는 본 발명에 의한 패키지 제조 방법에서 이용되는 기판(32)의 일예를 보인 것으로서, 일정 간격으로 다수의 행과 열로 구역들이 구분된다. 하나의 구역이 한 표면탄성파 소자를 위한 영역이 된다. 상기 구역들은 인식 가능한 선으로 표시될 수 도 있고, 표시되지 않을 수 도 있다.In addition, a substrate 32 having a surface area of a predetermined size is provided. The substrate 32 is a sheet made of ceramic, dielectric, or the like, and a lead frame, a duplexer circuit pattern, or the like may be formed on the substrate 32 as necessary. 3 (b) shows an example of the substrate 32 used in the method for manufacturing a package according to the present invention, in which regions are divided into a plurality of rows and columns at regular intervals. One zone becomes an area for one surface acoustic wave device. The zones may or may not be indicated by recognizable lines.
다음으로, 상기 마련된 기판(32)의 상부에 상기 다수의 표면탄성파 소자칩(31)을 일정 간격으로 다수의 행과 열로 배치시켜 플립 본딩(flip bonding)한다. 이때, 상기 표면탄성파 소자칩(31)의 입출력용 전극(31c)에 형성된 볼(31c)에 의해 해당 전극(31c)이 기판(32)상의 대응하는 패턴과 전기적으로 본딩된다. Next, the plurality of surface acoustic wave device chips 31 are arranged in a plurality of rows and columns at predetermined intervals on the substrate 32 to be flip bonded. At this time, the electrode 31c is electrically bonded to the corresponding pattern on the substrate 32 by the balls 31c formed on the input / output electrode 31c of the surface acoustic wave element chip 31.
도 3의 (c)는 다수의 표면탄성파 소자칩(31)의 플립본딩후의 상면 및 측단면도를 나타낸 것으로서, 보통, 상기 압전체(31a)상에 형성되는 전극(31b)의 두께는 대략 0.5㎛이하 이고, 플립본딩시 압전체(31a)와 기판(32) 표면간의 갭은 대략 40㎛ 이하로 나타나기 때문에, 플립본딩시 상기 압전체(31a)상의 전극(31b)이 손상되거나 기판(32)과 직접 접촉되지는 않는다.3 (c) shows the top and side cross-sectional views of the plurality of surface acoustic wave element chips 31 after flip bonding. Usually, the thickness of the electrode 31b formed on the piezoelectric body 31a is approximately 0.5 μm or less. Since the gap between the piezoelectric element 31a and the surface of the substrate 32 during flip bonding is about 40 μm or less, the electrode 31 b on the piezoelectric element 31 a is not damaged or is in direct contact with the substrate 32 during flip bonding. Does not.
그리고 나서, 상부방향에서 반고상의 필름(33)을 다수의 표면탄성파 소자칩(31)이 플립 본딩된 기판(32)의 상부에 라미네이팅(laminating)시킨다. 이때, 라미네이팅되는 필름은 액상나 완전한 고상이 반고상형태로서, 라미네이팅도중 필름(33)의 일부가 표면탄성파 소자칩(31)과 기판(32)사이의 공간으로 들어가지 않도록 하기 위하여, 상기 소자칩(31)과 기판(32) 사이의 최소 간격보다 넓은 두께를 갖어야 한다. 따라서, 상기 라미네이팅되는 필름의 두께는 대략 20㎛ 이상을 갖으며, 최대 500㎛ 이하일 수 도 있다. 보통 표면탄성파 소자칩(31)의 두께가 대략 300~400㎛이므로, 반고상 필름의 두께가 약 300㎛ 이하인 경우, 라미네이팅 후의 필름 표면은 도 4의 (b)에 도시된 바와 같이 소자칩의 윤곽을 따라서 굴곡을 가질 수 있고, 반고상 필름(33)의 두께가 소자의 두께보다 큰 300㎛ 이상인 경우에는, 라미네이팅되는 과정에는 필름이 액상을 띄게 되어 소자칩(31) 사이의 공간을 채우게 됨으로서, 라미네이팅 후의 필름 표면이 도 4의 (a)에 도시된 바와 같이 거의 평평하게 된다. 이때, 라미네이팅 공정은 진공 라미네이팅(vacuum laminating) 방식을 사용하는 것이 소자칩(31)과 기판(32)의 연결부분에서 밀착도를 향상시켜 갭발생을 감소시키므로 더 바람직하다. 예를 들어, 롤(roll)등을 이용하여 압착하는 방식은 소자칩(31)과 기판(32)의 연결부분에서 밀착도가 떨어져 정확히 밀봉이 이루어지지 않을 수 도 있다.Then, the semi-solid film 33 is laminated on top of the substrate 32 on which the plurality of surface acoustic wave device chips 31 are flip-bonded in the upper direction. In this case, the laminated film is a liquid or a complete solid phase semi-solid, so that a portion of the film 33 does not enter the space between the surface acoustic wave device chip 31 and the substrate 32 during the lamination, the device chip It should have a thickness wider than the minimum gap between the 31 and the substrate 32. Therefore, the thickness of the laminated film has a thickness of about 20㎛ or more, may be up to 500㎛ or less. Since the thickness of the surface acoustic wave device chip 31 is generally about 300 to 400 μm, when the thickness of the semi-solid film is about 300 μm or less, the surface of the film after lamination is outlined as shown in FIG. 4B. According to the present invention, when the semi-solid film 33 has a thickness of 300 μm or more larger than the thickness of the device, the film becomes liquid in the laminating process, thereby filling the space between the device chips 31. The film surface after laminating becomes almost flat as shown in Fig. 4A. At this time, the laminating process is more preferable to use the vacuum laminating method (vacuum laminating) because it improves the adhesion at the connection portion of the device chip 31 and the substrate 32 to reduce the gap generation. For example, the method of pressing using a roll or the like may not be accurately sealed due to poor adhesion at the connection portion between the device chip 31 and the substrate 32.
또한, 상기 필름(33)은 열경화성 또는 가소성의 에폭시 필름으로 한다. 왜냐하면, 표면탄성파 소자의 공정 온도는 대략 260℃ 까지 상승되는데, 예를 들어, 감광성의 드라이필름을 사용할 경우, 상기 온도에서 드라이필름이 타버리고, 이때 발생된 재가 표면탄성파 소자칩(31)의 표면에 티끌로 부착되어 특성을 열화시킬 수 있기 때문이다. 따라서, 상기 온도에서도 타지 않는 열경화성 또는 가소성의 에폭시 필름을 사용하는 것이 바람직하며, 페놀 레진(phenol resin) 반고상 필름도 사용할 수 있다.In addition, the said film 33 is made into a thermosetting or plastic epoxy film. Because, the process temperature of the surface acoustic wave device is raised to approximately 260 ℃, for example, when using a photosensitive dry film, the dry film is burned at the temperature, the ash generated at this time surface of the surface acoustic wave device chip 31 It is because it adheres to dust and can deteriorate a characteristic. Therefore, it is preferable to use a thermosetting or plastic epoxy film which does not burn even at the above temperature, and a phenol resin semisolid film can also be used.
다음 공정으로, 큐어링(curing) 공정을 수행하여 상기 라미네이팅된 필름(33)의 경화시킨다. 도 3의 (e)는 큐어링 공정 후의 단면도로서, 부호 34는 경화된 필름을 나타낸다. 이때, 큐어링 공정을 소정의 열을 가하거나, 라미네이팅시 가하던 열을 중단함으로서, 필름(33)의 물성에 따라서 그 경도를 향상시키면 된다.In the next process, a curing process is performed to cure the laminated film 33. Fig. 3E is a cross sectional view after the curing step, wherein 34 indicates a cured film. At this time, by applying a predetermined heat to the curing process or by stopping the heat applied during laminating, the hardness may be improved according to the physical properties of the film 33.
이와 같이, 필름(33)의 경화가 완료되면, 상기 기판(32)을 각 구역별로, 즉, 플립본딩된 표면탄성파 소자칩 사이의 중심선을 따라 절단함으로서, 다수의 표면탄성파 소자 패키지를 완성한다.As such, when the curing of the film 33 is completed, the substrate 32 is cut by each zone, that is, along a center line between the flip bonded surface acoustic wave device chips, thereby completing a plurality of surface acoustic wave device packages.
다음으로, 도 4의 (a),(b)는 본 발명에 의하여 제조된 표면탄성파 소자 패키지의 구조를 보인 단면도로서, 도 4의 (a)는 표면탄성파 소자칩(31)보다 큰 두께를 갖는 필름으로 제조한 경우로서, 필름(34)의 표면이 거의 평평하게 형성된다. 그리고, 도 4의 (b)는 표면탄성파 소자칩(31)보다 적은 두께를 갖는 필름으로 제조한 경우로서, 필름(35)이 플립 본딩된 표면탄성파 소자칩(31)의 외곽 선을 따라 증착되어, 굴곡을 갖게 됨을 알 수 있다.Next, Figure 4 (a), (b) is a cross-sectional view showing the structure of the surface acoustic wave device package manufactured by the present invention, Figure 4 (a) has a larger thickness than the surface acoustic wave device chip 31 As made of a film, the surface of the film 34 is formed almost flat. 4B illustrates a case in which a film having a thickness smaller than that of the surface acoustic wave device chip 31 is deposited along the outer line of the flip-bonded surface acoustic wave device chip 31. As you can see, we have a curve.
상술한 바와 같이, 본 발명에 의하면, 필름과 플립 본딩방식을 이용하여 표면탄성파 소자칩의 보호구조를 구현함으로서, 종래와 비교하여 실링 정도를 향상시킬 수 있으며, 더하여 패키지 제조 공정이 단순화되고 제품 리드 타임이 감소되고, 또한, 불량발생률이 감소됨으로서, 생산효율을 높이고 제조 비용을 절감시킬 수 있는 우수한 효과가 나타난다.As described above, according to the present invention, by implementing a protective structure of the surface acoustic wave device chip by using a film and flip bonding method, it is possible to improve the sealing degree compared to the conventional, in addition to simplify the package manufacturing process and product lead As the time is reduced, and also the incidence of defects is reduced, there is an excellent effect of increasing the production efficiency and reducing the manufacturing cost.
도 1의 (a) 및 (b)는 종래의 표면탄성파 소자의 패키지 구조를 보인 단면도이다.1 (a) and (b) are cross-sectional views showing a package structure of a conventional surface acoustic wave device.
도 2는 표면탄성파 소자의 기본 구조를 보인 사시도이다.2 is a perspective view showing the basic structure of the surface acoustic wave device.
도 3의 (a) 내지 (e)는 본 발명에 따른 표면탄성파 소자의 패키지 제조 방법을 차례로 나타낸 공정도이다.3 (a) to 3 (e) are process diagrams sequentially showing a method for manufacturing a package of a surface acoustic wave device according to the present invention.
도 4의 (a) 및 (b)는 본 발명에 따른 표면탄성파 소자의 패키지 제조 방법에 의하여 제조된 표면탄성파 패키지의 실시예를 보인 사시도이다.4 (a) and 4 (b) are perspective views showing an embodiment of a surface acoustic wave package manufactured by the method for manufacturing a surface acoustic wave device according to the present invention.
* 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명 * Explanation of symbols on the main parts of the drawings
31 : 표면탄성파 소자31: surface acoustic wave device
32 : 시트 패키지(sheet package)32: sheet package
33 : 반고상 필름33: semi-solid film
34, 35 : 경화된 필름34, 35 cured film
Claims (5)
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|---|---|---|---|
| KR1020030066862A KR20050030752A (en) | 2003-09-26 | 2003-09-26 | A package manufacturing method of surface acoustic wave device |
Applications Claiming Priority (1)
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Publications (1)
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| KR (1) | KR20050030752A (en) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100691160B1 (en) * | 2005-05-06 | 2007-03-09 | 삼성전기주식회사 | A Stack Type Surface Acoustic Wave Package and Fabrication Method Thereof |
| KR100699237B1 (en) * | 2005-06-23 | 2007-03-27 | 삼성전기주식회사 | Manufacturing Method for Embedded Printed Circuit Board |
-
2003
- 2003-09-26 KR KR1020030066862A patent/KR20050030752A/en not_active Application Discontinuation
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