KR20050027986A - 황색 발광 할로포스페이트 인광물질 및 그를 함유하는 광원 - Google Patents

황색 발광 할로포스페이트 인광물질 및 그를 함유하는 광원 Download PDF

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Abstract

유로퓸과 망간 이온으로 공활성화되고 일반식 (Ca,Sr,Ba,Mg)a(PO4)3:Eu 2+,Mn2+ 을 가지는 할로포스페이트 발광물질이 개시되어 있다. 망간의 포함은 피크 방사를 더 긴 파장으로 시프트하고, 그래서 밝은 황색-오랜지색 광을 발생시키는데 유익하다. 백색광원은 근UV/청색LED 부근에서 할로포스페이트 발광물질, 선택적으로 청색 발광 인광물질로 배치되어 생성된다. 본 발명의 실시예에 사용된 청색 발광 인광물질은 Sr4Al14O25:Eu2+, Sr6P6BO20 :Eu2+, BaAl8O13:Eu2+, (Sr,Mg,Ca,Ba)5(PO 4)3Cl:Eu2+, 및 Sr2Si3O6·2SrCl2:Eu2+ 이다.

Description

황색 발광 할로포스페이트 인광물질 및 그를 함유하는 광원{YELLOW LIGHT-EMITTING HALOPHOSPHATE PHOSPHORS AND LIGHT SOURCES INCORPORATING THE SAME}
본 발명은 황색 발광 할로포스페이트(halophosphate) 인광물질(phosphors)에 관한 것이다. 특히 본 발명은 근자외선(근UV)-청색 전자기방사에 의해 여기되는 황색광을 방사하는 Eu2+와 Mn2+ 로 활성화된 할로 포스페이트 인광물질에 관한 것이다. 본 발명은 또한 백색광을 발생시키는 할로포스페이트 인광물질을 내포하는 광원에 관한 것이다.
인광물질은 전자기 스펙트럼의 한 부분에서 방사에너지를 흡수하고 전자기 스펙트럼의 다른 부분에서 에너지를 방사하는 발광물질이다. 중요한 분류의 인광물질은 소량의 다른 원소(활성제라고도 함)가 첨가되어 충분한 형광물질로 변환되는 콘트롤된 조성을 갖고 매우 높은 화학적 순도를 갖는 결정성 무기화합물이다. 활성제와 호스트 무기화합물의 조합으로, 방사 색이 콘트롤될 수 있다. 대부분의 유용하고 잘 알려진 인광물질은 가시범위 밖의 전자파방사선에 의해 여기에 반응하여 전자기파스펙트럼의 가시부분에서 방사선을 방사한다. 잘 알려진 인광물질은 여기된 수은증기에 의해 방사된 자외선(UV) 방사선을 가시광선으로 변환하는 수은증기 방전램프에 사용되었다. 다른 인광물질들은 전자(음극선관에 사용된 전자) 또는 엑스-레이(예, 엑스레이 검출 시스템에서의 신틸레이터)에 의해 여기되는 가시광선을 발광할 수 있다.
인광물질을 사용하는 라이팅장치(lighting device)효율은 여기 방사선의 파장과 발광 방사선의 파장 사이의 차이가 좁아짐에 따라 증가한다. 그러므로, 백색광원의 효율을 개선하기 위해서, UV 방사선의 파장보다 더 긴 파장과 이들 파장에 응답하는 인광물질을 가지는 방사선 자극원을 발견하기 위한 노력을 기울여 왔다. 최근 발광다이오드(light-emitting diode: LED) 기술의 발전은 근UV-청색 범위에서 충분한 LED 발광을 가져왔다. 용어 "LED"는 레이저 다이오드를 포함한다. 용어 "근UV"는 315 nm 내지 410 nm 범위의 파장을 가지는 UV방사선을 의미한다. 근UV-청색 범위에서의 LED 발광 방사선은 이하 "UV/청색LED"라고 한다. UV/청색LED는 근UV 범위, 청색광 범위, 또는 근UV - 청색광의 넓은 범위에서 파장을 가지는 방사선을 방출한다. 라이팅(lighting) 기술의 발전으로 여러 색의 LED를 발생하는 인광물질의 사용으로 플렉시빌리티를 허용하는 이들 UV/청색LED 방사선 소스에서 방사된 방사선에 의해 자극될 수 있는 인광물질 범위를 제공한다. 그러한 인광물질은 UV/청색LED에서 방출과 조합되는 경우 전력을 거의 소모하지 않는 효율성과 오래 지속되는 라이팅장치를 제공할 수 있다.
인듐, 알루미늄, 및 갈륨의 질화물의 조합에 기초하는 많은 근UV/청색LED가 최근에 대두되었다. 예를 들면, 미국특허 5,777,350에는 InGa와 p형 및 n형 AlGaN의 다중층을 포함하는 LED가 개시되어 있고, 이는 380 - 420 nm 파장 범위에서 발광한다. 청색광 파장을 발광하는 InGaN 타입 LED는 백색광을 발생하기 위해 세륨으로 활성화된 황색 발광 이트륨 알루미늄 가넷 인광물질(YAG:Ce)의 코팅으로 조합되고 미국특허 5,998,925에 개시되어 있다. 유사하게, 미국특허 6,066,861에는 청색 발광 LED를 위한 파장 변환층의 구성요소로 사용되기 위해 이트륨이 Ca 및/또는 Sr로 치환되고, 알루미늄은 Ga 및/또는 Si로, 산소는 S로 치환되는 테르븀 및/또는 세륨으로 할성화된 이트륨 알루미늄 가넷 인광물질이 개시되어 있다. YAG:Ce와 그 변형은 넓은 스펙트럼의 황색광을 방출한다. 백색광 장치를 위한 요구의 실질 부분이 LED-베이스 장치에 의해 채워질 수 있지만, 인광물질과 UV/청색LED 조합능은 이트륨 알류미늄 가넷 인광물질과 그의 최소 변형이 청색 범위에서 방사선에 의해 여기될 수 있는 알려진 황색 발광 인광물질이기 때문에 제한되었다. 이 제한은 다른 컬러 온도를 가지고 높은 컬러 렌더링 인덱스(CRI)를 달성하는 광원을 디자인하는데 유연하게 하는 능력을 어느 정도 금지하였다.
그러므로, 컬러 온도와 CRI 같은 조정할 수 있는 특성을 가지는 광원을 디자인하는데 유연하게 사용될 수 있도록 근UV-청색 범위에서 여기될 수 있고 가시범위에서 발광하는 인광물질 조성을 제공하는 것이 요구된다.
[발명의 개요]
본 발명은 440 nm - 770 nm 범위의 가시광선을 효율적으로 발광하기 위해 근UV-청색 범위(315 nm - 450 nm)의 파장을 가지는 전자기파 방사선에 의해 여기될 수 있는 유로퓸과 망간 공활성화 할로포스페이트 인광물질을 제공하는 것이다. 발광된 광은 550 nm - 650 nm 범위에서 피크가 있는 넓은 스펙트럼을 가지며 황색-오랜지색 컬러를 가진다. 본 발명의 할로포스페이트 인광물질은 두 활성제 Eu2+ 와 Mn2+ 를 포함하고 일반식 (Ca,Sr,Ba,Mg)a(PO4)3(F,Cl,OH):Eu 2+,Mn2+ 를 가지며, 이 식에서 a는 4.5 내지 5의 범위에 있다.
본 발명의 일태양에서, 할로포스페이트 인광물질은 백색광을 제공하기 위해 청색-녹색 파장 영역(450 nm - 550 nm)에서 피크 방사를 가지는 적어도 하나의 다른 인광물질과 조합된다. 그러한 다른 인광물질은 Sr4Al14O25:Eu2+ (이하, SAE라고 함, 490nm에서 피크 방사), Sr6P6BO20(480nm에서 피크 방사), BaAl8O 13(480nm에서 피크 방사), (Sr,Mg,Ca,Ba)5(PO4)3Cl:Eu2+(480nm에서 피크 방사), 및 Sr2Si3O6·2SrCl2(490nm에서 피크 방사) 중에서 선택된다.
본 발명의 또다른 태양에서, 본 발명의 유로퓸과 망간 공활성 할로포스페이트는 단독으로 또는 위에 열거된 하나 이상의 인광물질과의 혼합물이 백색광원을 제공하기 위해 근UV/청색LED에 인접하게 배치된다.
본 발명의 다른 태양, 이점, 두드러진 특징들은 본 발명의 실시형태를 나타내는 첨부도면과 함께 후술하는 상세한 설명으로부터 명백해 질 것이다.
도 1A는 본 발명의 두 할로포스페이트 인광물질의 실온 여기 스펙트럼을 나타낸다.
도 1B는 도 1A의 두 할로포스페이트 인광물질의 실온 발광 스펙트럼을 나타낸다.
도 2는 종래 인광물질 (Ba,Ca,Mg)5(PO4)3Cl:Eu2+ 의 발광 스펙트럼을 나타낸다.
도 3은 본 발명의 할로포스페이트 인광물질을 내포하는 백색광원을 나타낸다.
본 발명은 440 nm - 770 nm 파장 범위의 가시광선을 효율적으로 방사하기 위해 근UV-청색 범위(315 nm - 450 nm)의 파장을 가지는 전자기파 방사선에 의해 여기될 수 있는 유로퓸과 망간 공활성 할로포스페이트 인광물질을 제공하는 것이다. 여기 방사선 파장은 315 - 420 nm 범위가 바람직하고, 더 바람직하게는 350 - 400 nm이다. 본 발명의 인광물질 혼합으로 사용하는 적당한 근UV/청색LED는 미국특허 5,777,350에 개시된 바와 같은 InGaN 활성층을 가지는 것이다. 특히 유용한 것은 이들 LED가 약 400nm 보다 작은 파장에서 현저하게 방사선을 방출함에 따라 GaN층을 가지거나 또는 GaN 층에 매우 소량의 In 도판트만을 가지는 LED이다. 일반적으로, 본 발명의 할로포스페이트 인광물질은 일반식 (Ca,Sr,Ba,Mg)a(PO4)3(F,Cl,OH):Eu2+,Mn2+ 를 가지며, 이 식에서 a는 4.5 내지 5의 범위에 있고, 바람직하게는 4.7 내지 5이고, 더 바람직하게는 4.9 내지 5이다. 이 식에서, 콜론 다음의 원소는 활성제를 나타내고 대략 20퍼센트 이하의 금속에 비해 낮은 원자비로 존재한다. 괄호 안에서 콤마로 구분된 일군의 원소들은 동일 격자 사이트에서 서로 교환할 수 있는 원소들을 나타낸다. 예를 들면, 칼슘은 Sr,Ba,Mg 또는 그 조합으로 부분적으로 또는 완전히 치환될 수 있다. 조성의 주의깊은 콘트롤에 의해, 녹색광, 황색광 또는 오랜지색광을 방출하는 인광물질을 발생시키는 것이 가능하다.
본 발명의 바람직한 할로포스페이트 인광물질은 Ca5(PO4)aCl:Eu2+ ,Mn2+ 및 Caa(PO4)3F:Eu2+,Mn2+ 이고, 여기서 a 는 위에서 정의한 바와 같다. 바람직하게는, 각 활성제 Eu2+ 와 Mn2+ 은 Ca의 30 몰퍼센트, 바람직하게는 25 몰퍼센트 보다 적은 수준으로 존재한다.
도 1A와 1B는 할로포스페이트 인광물질의 포토루미네센스가 일반식에서 할로겐에 의해 영향을 받는 것을 나타낸다. 일반적으로, 플루오르화물은 더 짧은 파장의 방사선을 자극하는데 잘 반응하고 염화물보다 더 짧은 파장에서 피크 방사를 가진다. 그러므로, 방출된 광의 컬러는 플루오르화물의 염화물로의 부분 치환에 의해 조정될 수 있다. 도 2는 단지 유로퓸((Ba,Ca,Mg)5(PO4)3Cl:Eu2+)으로 활성화된 종래의 할로포스페이트 인광물질의 방사스펙트럼을 나타낸다. 이런 종래의 인광물질은 청색범위에서 뚜렷하게 480nm에서 피크 파장을 가진다. 출원인은 어떤 특정 이론에 의해 바운드되기를 원하지 않지만, 더 긴 파장으로 본 발명의 할로포스페이트 인광물질의 피크 방사의 유익한 시프트가 Mn2+ 에 대한 Eu2+ 에 의해 흡수된 방사선에너지의 큰 부분의 전달의 결과라고 생각된다. 출원인은 어떤 특정 이론에 의해 바운드되기를 원하지 않지만, 긴 파장에서 본 발명의 할로포스페이트 인광물질의 추가적인 피크 방사가 Mn2+ 에 대한 Eu2+ 에 의해 흡수된 방사선에너지의 큰 부분의 전달의 결과라고 생각된다.
본 발명의 할로포스페이트 인광물질은 통상적인 고체 상태 반응에 의해 만들어 질 수 있다. 예를 들면, 인광물질은 출발물질 CaHPO4, Eu2O3, MnCO3 , NH4Cl, CaCl2, CaF2, 및 (NH4)HPO4 의 적절한 양을 완전히 배합하고, 1000-1300℃에서 1-10시간 동안 질소 중의 수소의 0.1-10부피%의 환원분위기(reducing atmosphere) 하에서 혼합물을 가열하고, 그 후 같은 환원분위기 하에서 주위온도(ambient temperature)로 냉각하여 일반식 (Ca1-x-yEuxMny)5(PO4 )3(F,Cl)을 가진다. 가열시간은 처리되는 물질의 양에 의존한다. 그러나,10시간 이하의 가열시간이 적합하다. 칼슘은 다른 원하는 조성을 얻기 위해 Sr, Ba, Mg 또는 이들의 조합으로 치환될 수 있다.
본 발명의 또 다른 태양에서, 위에서 서술한 바와 같은 황색-오랜지색 발광 할로포스페이트 인광물질은 청색 발광 인광물질과 배합되어 백색광을 방출하는 복합물을 제공한다. 근UV-청색 전자기파 방사선에 의해 여기될 수 있는 청색 발광 인광물질의 예는 Sr4Al14O25:Eu2+(SAE), Sr6P6 BO20:Eu2+, BaAl8O13:Eu2+, (Sr,Mg,Ca,Ba)5(PO4)3Cl:Eu2+, 및 Sr2Si3O 6·2SrCl2:Eu2+ 이다. SAE 인광물질은 그 양자 효율이 높고(90%) 가시광선을 흡수하지 않기 때문에 이 출원에서 특히 유용하다. 복합 광의 원하는 컬러는 유로퓸과 망간 공활성 할로포스페이트 인광물질과 청색 발광 인광물질의 상대적인 비율을 요구할 것이다.
[백색 발광 장치]
315 nm - 480 nm의 파장 범위에서 근UV-청색광을 방출하는 LED를 포함하는 장치에서 본 발명의 할로포스페이트 인광물질과 청색 발광 인광물질의 블렌드의 혼입은 전기에너지를 효율적으로 사용하는 백색광원을 제공한다. 백색광원은 하나의 근UV/청색LED 사용에 의해 포인트 소스 장치 또는 다수의 근UV/청색LED 사용에 의해 큰영역 라이팅장치를 제공하기 위해 제조될 수 있다.
도 3에 나타낸 본 발명의 일실시예에서, 315 nm - 480 nm, 바람직하게는 350 nm - 420 nm, 더 바람직하게는 350 nm - 400 nm 범위에서 근UV/청색광을 방출하는 LED(100)는 LED(100)에 인접한 반사면(140)을 가지는 컵(120)에 장착된다. 백색발광장치에 적합한 근UV/청색LED는 GaN 또는 앞에서 언급한 미국특허 5,777,350의 것과 같은 In-도프 GaN 반도체-베이스 LED이다. 큰 밴드 갭을 제공하기 위해 여러 금속와 도프된 GaN 반도체에 기초하는 LED 같은 다른 근UV/청색LED도 또한 사용될 수 있다. 전기도선(150 및 152)은 LED에 전원을 공급하기 위해 제공된다. 투명 캐스팅(transparent casting)(160)은 본 발명의 인광물질의 파티클(200)이 실질적으로 균일하게 분산되어 있는 에폭시 또는 실리콘(180)을 포함한다. 에폭시 또는 실리콘 같은 투명물질의 몰드 실(molded seal)(200)은 밀폐 실(seal)을 제공하기 위해 LED와 인광물질 캐스팅의 어셈블리 주위에 형성된다. 바인더와 혼합된 인광물질은 LED 표면에 코팅으로 도포될 수 있고, 투명 캐스팅은 밀폐 실(seal)을 제공하기 위해 전체 LED/인광물질 조합 위에 형성된다. 다른 투명 폴리머 또는 물질들도 사용될 수 있다. LED의 InGaN 활성층의 조성과 캐스팅에 도포된 인광물질의 양은 인광물질에 의해 흡수되지 않는 LED에 의해 방출된 청색광의 일부분과 인광물질에 의해 방출된 넓은 스펙트럼 광이 원하는 컬러 온도와 CRI의 백색광원(10)을 제공하기 위해 조합되도록 선택될 수 있다.
LED의 활성층에 의해 방사된 광이 청색광 범위에서 불충분할 때, 위에 열거된 청색 발광 인광물질의 하나인 청색 발광 인광물질의 양은 다른 컬러 성분들을 위한 적절한 블렌드를 제공하기 위해 증가될 수 있다.
일반적인 일루미네이션을 위한 큰 영역 백색광원은 평면 반사 패널 상에 다수의 청색 LED를 배치하고, 각각의 LED에 적절한 전기도선을 제공하고, 본 발명의 적어도 하나의 인광물질 블렌드와 에폭시 같은 중합체 바인더를 포함하는 코팅을 적용하고, 투명하고 밀폐한 실(seal)의 전체 조합 구조체를 밀봉하여 생성된다. 인광물질 블렌드/폴리머 코팅은 개개의 LED에 직접 적용되거나 전체 패널 표면 위에 적용된다. 전자의 경우에, 추가 폴리머 코팅은 인광물질이 LED에 적용된 후에 전체 패널 표면 위에 적용된다. 또한, TiO2 또는 Al2O3 같은 비활성 고체 파티클들은 장치로부터 광 방사의 균일성을 향상시키기 위해 폴리머 매트릭스에 제공된다.
이상 본 발명의 다양한 실시형태에 대하여 설명하였지만, 첨부된 청구범위에 한정된 본 발명의 범위 내에서 당업자가 명세서로부터 다양한 원소의 조합, 변경, 치환, 또는 개선을 할 수 있음은 자명하다.

Claims (25)

  1. 유로퓸과 망간에 의해 활성화되고 아래 식으로 표현되는 조성을 가지는 발광물질:
    (Ca1-x-y-p-qSrxBayMgzEupMnq)a (PO4)3(F,Cl,OH),
    여기서 0 ≤x ≤1, 0 ≤y ≤1, 0 ≤z ≤1, 0 < p ≤0.3, 0 < q ≤0.3, 0 < x+y+z+p+q ≤1 및 4.5 ≤a ≤5; 상기 발광물질은 315 nm 내지 450 nm 범위의 파장을 가지는 전자기파 방사선을 흡수할 수 있고 가시광선을 방출할 수 있는 것임.
  2. 제1항에 있어서, p와 q는 양수이고, 각각은 0.1 이하이고, 바람직하게는 0.05 이하인 발광물질.
  3. 제1항에 있어서, a는 4.7 내지 5의 범위에 있는 것이 바람직하고, 더 바람직하게는 4.9 내지 5.0 범위에 있는 것인 발광물질.
  4. 유로퓸과 망간에 의해 활성화되고 아래 식으로 표현되는 조성을 가지는 발광물질:
    (Ca1-p-qEupMnq)a(PO4)3F,
    여기서 0 < p ≤0.3, 0 < q ≤0.3, 및 4.5 ≤a ≤5; 상기 발광물질은 315 nm 내지 450 nm 범위의 파장을 가지는 전자기파 방사선을 흡수할 수 있고 가시광선을 방출할 수 있는 것임.
  5. 제4항에 있어서, p와 q는 양수이고, 각각은 0.1 이하이고, 바람직하게는 0.05 이하인 발광물질.
  6. 제4항에 있어서, a는 4.7 내지 5의 범위에 있는 것이 바람직하고, 더 바람직하게는 4.9 내지 5.0 범위에 있는 것인 발광물질.
  7. 유로퓸과 망간에 의해 활성화되고 아래 식으로 표현되는 조성을 가지는 발광물질:
    (Ca1-p-qEupMnq)a(PO4)3Cl,
    여기서 0 < p ≤0.2, 0 < q ≤0.2, 및 4.5 ≤a ≤5; 상기 발광물질은 315 nm 내지 450 nm 범위의 파장을 가지는 전자기파 방사선을 흡수할 수 있고 가시광선을 방출할 수 있는 것임.
  8. 제7항에 있어서, p와 q는 양수이고, 각각은 0.1 이하이고, 바람직하게는 0.05 이하인 발광물질.
  9. 제7항에 있어서, a는 4.7 내지 5의 범위에 있는 것이 바람직하고, 더 바람직하게는 4.9 내지 5.0 범위에 있는 것인 발광물질.
  10. 근UV-청색 범위의 파장을 가지는 전자기파 방사선을 방사할 수 있는 적어도 하나의 LED; 및
    일반식 (Ca1-x-y-p-qSrxBayMgzEupMnq) a(PO4)3(F,Cl,OH) 을 가지는 발광물질 그룹에서 선택되는 적어도 하나의 발광물질을 포함하고,
    상기 식에서, 0 ≤x ≤1, 0 ≤y ≤1, 0 ≤z ≤1, 0 < p ≤0.3, 0 < q ≤0.3, 0 < x+y+z+p+q ≤1 및 4.5 ≤a ≤5; 상기 발광물질은 상기 LED에 의해 방사된 전자기파 방사선을 흡수할 수 있고 가시스펙트럼의 파장을 가지는 광선을 방출할 수 있는 광원.
  11. 제10항에 있어서, 상기 LED는 315 nm 내지 450 nm 범위의 파장을 가지는 전자기파 방사선을 방출할 수 있는 것인 광원.
  12. 제10항에 있어서, 상기 LED는 350 nm 내지 420 nm 범위의 파장을 가지는 것이 바람직하고, 더 바람직하게는 350 nm 내지 400 nm 범위의 파장을 가지는 것인 광원.
  13. 제10항에 있어서, Sr4Al14O25:Eu2+, Sr6P6 BO20:Eu2+, BaAl8O13:Eu2+, (Sr,Mg,Ca,Ba)5(PO4)3Cl:Eu2+, 및 Sr2Si3O 6·2SrCl2:Eu2+ 로 이루어진 군에서 선택되는 적어도 하나의 발광물질을 더 포함하는 것인 광원.
  14. 근UV-청색 범위의 파장을 가지는 전자기파 방사선을 방사할 수 있는 적어도 하나의 LED; 및
    일반식 (Ca1-p-qEupMnq)a(PO4)3F 을 가지는 발광물질을 포함하고,
    상기 식에서, 0 < p ≤0.3, 0 < q ≤0.3, 및 4.5 ≤a ≤5; 상기 발광물질은 상기 LED에 의해 방사된 전자기파 방사선을 흡수할 수 있고 가시스펙트럼의 파장을 가지는 광선을 방출할 수 있는 광원.
  15. 제14항에 있어서, Sr4Al14O25:Eu2+, Sr6P6 BO20:Eu2+, BaAl8O13:Eu2+, (Sr,Mg,Ca,Ba)5(PO4)3Cl:Eu2+, 및 Sr2Si3O 6·2SrCl2:Eu2+ 로 이루어진 군에서 선택되는 적어도 하나의 발광물질을 더 포함하는 것인 광원.
  16. 근UV-청색 범위의 파장을 가지는 전자기파 방사선을 방사할 수 있는 적어도 하나의 LED; 및
    일반식 (Ca1-p-qEupMnq)a(PO4)3Cl 을 가지는 발광물질을 포함하고,
    상기 식에서, 0 < p ≤0.3, 0 < q ≤0.3, 및 4.5 ≤a ≤5; 상기 발광물질은 상기 LED에 의해 방사된 전자기파 방사선을 흡수할 수 있고 가시스펙트럼의 파장을 가지는 광선을 방출할 수 있는 광원.
  17. 제16항에 있어서, Sr4Al14O25:Eu2+, Sr6P6 BO20:Eu2+, BaAl8O13:Eu2+, (Sr,Mg,Ca,Ba)5(PO4)3Cl:Eu2+, 및 Sr2Si3O 6·2SrCl2:Eu2+ 로 이루어진 군에서 선택되는 적어도 하나의 발광물질을 더 포함하는 것인 광원.
  18. 근UV-청색 범위의 파장을 가지는 전자기파 방사선을 방사할 수 있는 다수의 LED; 및
    일반식 (Ca1-x-y-p-qSrxBayMgzEupMnq) a(PO4)3(F,Cl,OH) 을 가지는 발광물질 그룹에서 선택되는 적어도 하나의 발광물질을 포함하고,
    상기 식에서, 0 ≤x ≤1, 0 ≤y ≤1, 0 ≤z ≤1, 0 < p ≤0.3, 0 < q ≤0.3, 0 < x+y+z+p+q ≤1 및 4.5 ≤a ≤5; 상기 발광물질은 상기 LED에 의해 방사된 전자기파 방사선을 흡수할 수 있고 가시스펙트럼의 파장을 가지는 광선을 방출할 수 있는 광원.
  19. 제18항에 있어서, 상기 LED는 315 nm 내지 450 nm 범위의 파장을 가지는 전자기파 방사선을 방출할 수 있는 것인 광원.
  20. 제19항에 있어서, 상기 LED는 350 nm 내지 420 nm 범위의 파장을 가지는 것이 바람직하고, 더 바람직하게는 350 nm 내지 400 nm 범위의 파장을 가지는 것인 광원.
  21. 제19항에 있어서, Sr4Al14O25:Eu2+, Sr6P6 BO20:Eu2+, BaAl8O13:Eu2+, (Sr,Mg,Ca,Ba)5(PO4)3Cl:Eu2+, 및 Sr2Si3O 6·2SrCl2:Eu2+ 로 이루어진 군에서 선택되는 적어도 하나의 발광물질을 더 포함하는 것인 광원.
  22. 근UV-청색 범위의 파장을 가지는 전자기파 방사선을 방사할 수 있는 다수의 LED; 및
    일반식 (Ca1-p-qEupMnq)a(PO4)3F 을 가지는 발광물질을 포함하고,
    상기 식에서, 0 < p ≤0.3, 0 < q ≤0.3, 및 4.5 ≤a ≤5; 상기 발광물질은 상기 LED에 의해 방사된 전자기파 방사선을 흡수할 수 있고 가시스펙트럼의 파장을 가지는 광선을 방출할 수 있는 광원.
  23. 제22항에 있어서, Sr4Al14O25:Eu2+, Sr6P6 BO20:Eu2+, BaAl8O13:Eu2+, (Sr,Mg,Ca,Ba)5(PO4)3Cl:Eu2+, 및 Sr2Si3O 6·2SrCl2:Eu2+ 로 이루어진 군에서 선택되는 적어도 하나의 발광물질을 더 포함하는 것인 광원.
  24. 근UV-청색 범위의 파장을 가지는 전자기파 방사선을 방사할 수 있는 다수의 LED; 및
    일반식 (Ca1-p-qEupMnq)a(PO4)3Cl 을 가지는 발광물질을 포함하고,
    상기 식에서, 0 < p ≤0.3, 0 < q ≤0.3, 및 4.5 ≤a ≤5; 상기 발광물질은 상기 LED에 의해 방사된 전자기파 방사선을 흡수할 수 있고 가시스펙트럼의 파장을 가지는 광선을 방출할 수 있는 광원.
  25. 제24항에 있어서, Sr4Al14O25:Eu2+, Sr6P6 BO20:Eu2+, BaAl8O13:Eu2+, (Sr,Mg,Ca,Ba)5(PO4)3Cl:Eu2+, 및 Sr2Si3O 6·2SrCl2:Eu2+ 로 이루어진 군에서 선택되는 적어도 하나의 발광물질을 더 포함하는 것인 광원.
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KR20180127437A (ko) 2016-03-28 2018-11-28 가부시키가이샤 닛폰 쇼쿠바이 흡수제 및 그의 제조 방법, 그리고 흡수제를 사용한 흡수성 물품

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