KR20050024581A - Fabricating method of TEOS layer - Google Patents
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Abstract
Description
본 발명은 박막을 형성하는 방법에 관한 것으로, 특히, PECVD 장치를 이용한 박막 형성 방법에 관한 것이다. The present invention relates to a method for forming a thin film, and more particularly, to a method for forming a thin film using a PECVD apparatus.
최근의 반도체 소자를 제조하는 주요 단계 중 한 단계는 가스의 화학적 반응에 의해 반도체 기판 상에 박막을 형성하는 것이다. 이러한 증착 공정을 화학 기상 증착(CVD : Chemical vapor Deposition)이라 하며, 일반적으로 기판 위에 형성시키려고 하는 박막 재료를 구성하는 원소로 된 1종 또는 그 이상의 화합물, 단체의 가스를 기판 위에 공급하여 화학 반응을 이용하여 박막을 형성한다. One of the major steps in manufacturing a semiconductor device in recent years is the formation of a thin film on a semiconductor substrate by chemical reaction of gas. Such a deposition process is called chemical vapor deposition (CVD), and generally, a chemical reaction is performed by supplying a gas of one or more compounds or elements of an element constituting a thin film material to be formed on a substrate. To form a thin film.
이러한 CVD 방법으로는 저압에서 증착하는 LPCVD(Low pressure chemical vapor deposition), 플라즈마를 이용하여 증착하는 PECVD(Plasma enhanced chemical vapor deposition), 광을 이용하여 증착하는 PCVD(Photo chemical vapor deposition) 등으로 구분될 수 있다. Such CVD methods may be classified into low pressure chemical vapor deposition (LPCVD) deposited at low pressure, plasma enhanced chemical vapor deposition (PECVD) deposited using plasma, and photochemical vapor deposition (PCVD) deposited using light. Can be.
이중, 플라즈마를 이용한 PECVD는 무선 주파수(RF) 에너지를 기판 표면 근처의 반응 영역에 인가함으로써 반응 가스의 여기 및/또는 해리를 촉진시키고, 이에 따라 플라즈마가 발생한다. 이런 플라즈마의 높은 반응성은 발생하는 화학 반응에 필요한 에너지를 감소시켜 낮은 온도에서도 증착이 일어나도록 한다. Among them, PECVD using plasma promotes excitation and / or dissociation of the reaction gas by applying radio frequency (RF) energy to the reaction region near the substrate surface, thereby generating a plasma. The high reactivity of these plasmas reduces the energy required for the chemical reactions that occur to allow deposition to occur even at low temperatures.
PECVD 장치를 이용하여 반도체 기판 위에 TEOS 막을 증착할 때, 챔버 내의 플라즈마는 반도체 기판뿐 아니라 챔버 내의 다른 부분에도 TEOS 막을 형성한다. 따라서 일정한 양의 기판에 TEOS 막을 증착한 이후에는 챔버 내부에 존재하는 TEOS 막을 제거하는 세정 공정(RF plasma clean)을 진행한다. When depositing a TEOS film on a semiconductor substrate using a PECVD apparatus, the plasma in the chamber forms the TEOS film in the semiconductor substrate as well as in other parts of the chamber. Therefore, after the TEOS film is deposited on a predetermined amount of substrate, an RF plasma clean is performed to remove the TEOS film present in the chamber.
이때, 기판이 놓여져 있던 히터 블록(heater block)은 기판이 놓여있지 않았던 부분보다 형성되는 TEOS 막의 두께가 얇다. 따라서 세정 공정을 진행할 때 기판이 놓여 있던 히터 블록의 산화막은 두께가 얇기 때문에 기판이 놓여 있지 않았던 부분의 TEOS 막보다 빨리 제거되어 히터 블록 표면이 노출된다. At this time, the heater block on which the substrate is placed has a smaller thickness of the TEOS film formed than the portion where the substrate is not placed. Therefore, since the oxide film of the heater block on which the substrate is placed during the cleaning process is thin, the oxide film of the heater block is removed earlier than the TEOS film of the portion where the substrate is not placed to expose the heater block surface.
히터 블록은 일반적으로 알루미늄으로 형성되어 있는데 세정 공정에서 이 알루미늄이 스퍼터링(sputtering)되어 세정 기체인 C2F6 와 샤워 헤드(shower head) 상에 남아있는 O2 와 반응하여 AlOxFy 의 형태의 불순물로 샤워 헤드 표면에 증착한다. 이러한 불순물 증착으로 인해 샤워 헤드의 표면적이 증가하면, TEOS 막 증착시 샤워 헤드 표면에의 증착율이 증가하여 기판에 증착되는 TEOS 막의 두께가 얇아진다. 이후 연속해서 다른 기판 위에 TEOS 증착을 진행할 때 샤워 헤드 표면에 증착된 TEOS 막에 의해 상대적으로 샤워 헤드 표면적이 감소하여 기판에 증착되는 양이 증가하게 되고 증착되는 TEOS 막의 두께가 두꺼워진다.The heater block is generally made of aluminum, which is sputtered in the cleaning process and reacts with C 2 F 6 , a cleaning gas, and O 2 remaining on the shower head, to form AlOxFy impurities. Deposit on the shower head surface. When the surface area of the shower head is increased due to such impurity deposition, the deposition rate on the shower head surface increases when the TEOS film is deposited, so that the thickness of the TEOS film deposited on the substrate becomes thin. Subsequently, when the TEOS deposition is successively performed on another substrate, the shower head surface area is relatively reduced by the TEOS film deposited on the shower head surface, thereby increasing the amount deposited on the substrate and increasing the thickness of the deposited TEOS film.
이처럼 세정 공정 직후에 기판 위에 증착되는 TEOS 막의 두께와 세정 공정 직전에 기판 위에 증착되는 TEOS 막의 두께가 다르기 때문에 균일한 특성을 가지는 반도체 소자를 형성할 수 없다. As such, since the thickness of the TEOS film deposited on the substrate immediately after the cleaning process and the thickness of the TEOS film deposited on the substrate immediately before the cleaning process are different, a semiconductor device having uniform characteristics cannot be formed.
본 발명은 상기 문제점을 해결하기 위한 것으로서, 챔버 내부에 보호막을 형성하여 기판 위에 균일한 두께의 박막을 형성하는 방법을 제공한다. The present invention is to solve the above problems, and provides a method of forming a thin film of a uniform thickness on the substrate by forming a protective film inside the chamber.
상기한 문제점을 해결하기 위한 본 발명에 따른 TEOS 막 형성 방법은 PECVD 장치 내부에 제1 예비 코팅을 실시하여 상기 PECVD 장치의 내부에 스트레스 값이 -145 ~ -255Mpa인 보호막을 형성하는 단계, PECVD 장치에 반도체 기판을 삽입하는 단계, 반도체 기판 위에 TEOS 막을 형성하는 단계, 일정한 장수의 기판 상에 TEOS 막을 형성한 후, 상기 PECVD 장치 내부를 세정하는 단계를 포함한다. TEOS film forming method according to the present invention for solving the above problems is to form a protective film having a stress value of -145 ~ -255Mpa inside the PECVD apparatus by applying a first pre-coating inside the PECVD apparatus, PECVD apparatus Inserting a semiconductor substrate into the semiconductor substrate; forming a TEOS film on the semiconductor substrate; and forming a TEOS film on a constant longevity substrate, and then cleaning the interior of the PECVD apparatus.
여기서 보호막을 형성하는 단계 후 제2 예비 코팅을 실시하여 보조 보호막을 형성하는 단계를 더 포함하는 것이 바람직하다. Here, after the forming of the protective film, it is preferable to further include the step of performing the second pre-coating to form the auxiliary protective film.
또한, PECVD 장치는 RF 전력이 인가되며 대향되어 있는 제1 및 제2 전극을 가지고, 보호막을 형성하는 단계에서 상기 제1 전극에 인가되는 전력은 150~450W이고, 제2 전극에 인가되는 전력은 600~900W인 것이 바람직하다. In addition, the PECVD apparatus has first and second electrodes opposed to and applied with RF power, and the power applied to the first electrode in the forming of the passivation layer is 150 to 450 W, and the power applied to the second electrode is It is preferable that it is 600-900W.
이때, 보조 보호막을 형성하는 단계에서 PECVD의 RF 전력은 보호막을 형성하는 단계보다 낮은 전력이 인가되는 것이 바람직하다. At this time, the RF power of the PECVD in the step of forming the auxiliary protective film is preferably a lower power than the step of forming the protective film.
또한, 보조 보호막의 스트레스 값은 -65 ~ -175Mpa 인 것이 바람직하다. In addition, the stress value of the auxiliary protective film is preferably -65 ~ -175Mpa.
또한, 보조 보호막을 형성하는 단계는 TEOS 막을 형성하는 공정 조건과 동일한 것이 바람직하다. In addition, the step of forming the auxiliary protective film is preferably the same as the process conditions for forming the TEOS film.
이하 첨부한 도면을 참고로 하여 본 발명의 실시예에 대하여 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있도록 상세히 설명한다. 그러나 본 발명은 여러 가지 상이한 형태로 구현될 수 있으며 여기에서 설명하는 실시예에 한정되지 않는다.Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings so that those skilled in the art may easily implement the present invention. As those skilled in the art would realize, the described embodiments may be modified in various different ways, all without departing from the spirit or scope of the present invention.
도면에서 여러 층 및 영역을 명확하게 표현하기 위하여 두께를 확대하여 나타내었다. 명세서 전체를 통하여 유사한 부분에 대해서는 동일한 도면 부호를 붙였다. 층, 막, 영역, 판 등의 부분이 다른 부분 위에 있다고 할 때, 이는 다른 부분 바로 위에 있는 경우뿐 아니라 그 중간에 또 다른 부분이 있는 경우도 포함한다. 반대로 어떤 부분이 다른 부분 바로 위에 있다고 할 때에는 중간에 다른 부분이 없는 것을 뜻한다.In the drawings, the thickness of layers, films, panels, regions, etc., are exaggerated for clarity. Like parts are designated by like reference numerals throughout the specification. When a part of a layer, film, area, plate, etc. is over another part, this includes not only the part directly above the other part but also another part in the middle. In contrast, when a part is just above another part, it means that there is no other part in between.
도 1에는 본 발명의 한 실시예에 따른 PECVD 장치의 개략도가 도시되어 있다. 1 shows a schematic diagram of a PECVD apparatus according to one embodiment of the present invention.
도 1을 참조하면, 본 발명의 한 실시예에 따른 PECVD장치는 반응 가스에 의해 박막이 증착되는 반응 공간인 챔버(100)를 포함한다. 이러한 반응 공간은 외부와 챔버 내부를 격리한다. Referring to FIG. 1, a PECVD apparatus according to an embodiment of the present invention includes a chamber 100, which is a reaction space in which a thin film is deposited by a reaction gas. This reaction space isolates the outside from the inside of the chamber.
챔버(100) 상부에는 챔버(100) 내부에 주입되는 가스가 기판(wafer, 102) 위에 고르게 퍼지도록 하고, RF 전력(Radio Frequency)을 전달하기 위해서 알루미늄 등의 금속으로 이루어지는 제1 전극(104)이 형성되어 있다. 제1 전극(104)은 제1 RF 전력 발생기(106a)에 연결되어 있다. The first electrode 104 made of a metal such as aluminum is disposed on the chamber 100 so that the gas injected into the chamber 100 is evenly spread on the wafer 102 and transmits RF power (Radio Frequency). Is formed. The first electrode 104 is connected to the first RF power generator 106a.
챔버(100) 내부의 하부에는 알루미늄(A) 등의 금속으로 형성되며 플라즈마(Plasma)를 발생시키기 위해서 제1 전극(104)과 대향하는 제2 전극(108)이 설치되어 있다. 제2 전극(108)은 제2 RF 전력 발생기(106b)에 연결되어 있다. 제1 및 제2 RF 전력 발생기는 일체형으로 형성될 수 있다. A lower electrode inside the chamber 100 is formed of a metal such as aluminum (A), and a second electrode 108 facing the first electrode 104 is provided to generate a plasma. The second electrode 108 is connected to the second RF power generator 106b. The first and second RF power generators may be integrally formed.
제2 전극(108)은 이송수단(110)에 의해 상하로 이동시킬 수 있다. 제2 전극(108) 아래에는 안착되는 기판(102)을 가열하기 위한 히터(Heater)(114)가 장착될 수 있다. 히터로(114)는 고강도 램프나 저항 가열기를 사용할 수 있다. The second electrode 108 may be moved up and down by the transfer means 110. A heater 114 for heating the substrate 102 to be seated under the second electrode 108 may be mounted. The heater furnace 114 may use a high intensity lamp or a resistance heater.
그리고 챔버(100) 내에 기체를 주입하고 제거하기 위한 샤워 헤드(shower head)(116)와 배기관(118)이 연결되어 있다. 샤워 헤드(116)는 챔버 내에 가스를 분출하기 위해서 다수개의 홀(hole)을 가지며, 제1 전극(104)과 일체형으로 형성될 수 있다. 샤워 헤드(116)를 통해 챔버(100) 내에 주입된 기체들은 챔버(100)내에서 충분히 혼합된 후 확산되어 기판(102) 상부에 골고루 확산된다. 이후 증착되지 않고 남겨지거나 새로 형성되는 기체들은 배기관(118)을 통해 외부로 빠져나간다. In addition, a shower head 116 and an exhaust pipe 118 for injecting and removing gas into the chamber 100 are connected. The shower head 116 may have a plurality of holes for ejecting gas into the chamber and may be integrally formed with the first electrode 104. Gases injected into the chamber 100 through the shower head 116 are sufficiently mixed in the chamber 100 and then diffused to evenly spread over the substrate 102. Thereafter, the gas that is left without being deposited or newly formed is discharged to the outside through the exhaust pipe 118.
이상 설명한 PECVD 장치를 이용하여 본 발명에 따른 박막을 형성하는 방법을 첨부한 도면을 참조하여 상세히 설명한다. A method of forming a thin film according to the present invention using the above-described PECVD apparatus will be described in detail with reference to the accompanying drawings.
도 2는 기 설명한 PECVD 장치를 이용하여 본 발명의 TEOS(Tetra ethyl orthosilicate)막을 형성하는 방법을 설명하기 위한 순서도이다. FIG. 2 is a flowchart for explaining a method of forming a TEOS (Tetra ethyl orthosilicate) film of the present invention using the above-described PECVD apparatus.
먼저 챔버(100) 내부에 제1 예비 코팅(Pre coating)을 실시(S1)한다. 제1 예비 코팅(S)은 챔버(100)내에 기판(102)을 장착하지 않은 상태에서 진행된다. 이때, 제1 RF 전력 발생기(106a)에 의해 제1 전극(104)에는 13.56MHz 주파수 범위를 가지는 HFRF(High frequency radio frequency)가 입력되고, 제2 RF 전력 발생기(106b)에 의해 제2 전극(108)에는 450KMHz의 주파수 범위를 가지는 LFRF(Low frequency radio frequency)가 입력된다. First, a first pre-coating is performed inside the chamber 100 (S1). The first preliminary coating S is performed in a state where the substrate 102 is not mounted in the chamber 100. In this case, a high frequency radio frequency (HFRF) having a frequency range of 13.56 MHz is input to the first electrode 104 by the first RF power generator 106a, and a second electrode () by the second RF power generator 106b. 108, a low frequency radio frequency (LFRF) having a frequency range of 450 KMHz is input.
그리고 RF 전력 발생기(106)에 의해 제1 전극(104) 및 제2 전극(108)에 인가되는 HFRF 전력과 LFRF 전력은 각각 150~450W와 500~900W이 되도록 한다. 바람직하게는 HFRF를 300W, LFRF를 700W로 설정한다. 여기서 챔버(100) 내의 온도는 350~450도, 압력은 2~5Torr의 범위를 유지하고, 챔버(100) 내에 주입되는 소스 기체는 TEOS가 1.5~2.7slm, O2가 15,000~17,000sccm이 주입되도록 한다.In addition, the HFRF power and the LFRF power applied to the first electrode 104 and the second electrode 108 by the RF power generator 106 are 150 to 450 W and 500 to 900 W, respectively. Preferably, the HFRF is set to 300W and the LFRF is set to 700W. The temperature in the chamber 100 is 350 to 450 degrees, the pressure is maintained in the range of 2 to 5 Torr, the source gas injected into the chamber 100 is 1.5 ~ 2.7 slm of TEOS, 15,000 ~ 17,000 sccm is injected O 2 Be sure to
이러한 조건으로 진행되는 제1 예비 코팅(S1)은 히터(114) 및 샤워 헤드(108)에 제1 보호막(도시하지 않음)을 형성한다. 이때 형성되는 제1 보호막은 히터(114)의 표면에 -145 ~ - 255Mpa 범위의 스트레스 값을 가지는 고밀도(high compressive)의 박막이 형성되고, 샤워 헤드(116) 상에는 응력이 약한(high tensile) 박막이 형성된다. The first preliminary coating S1 proceeding under these conditions forms a first passivation layer (not shown) on the heater 114 and the shower head 108. In this case, the first passivation layer formed on the surface of the heater 114 has a high compressive thin film having a stress value in the range of -145 to -255 Mpa, and a high tensile thin film on the shower head 116. Is formed.
이후 챔버(100) 내부에 제2 예비 코팅을 실시(S2)한다. 제2 예비 코팅(S2)도 챔버(100) 내부를 보호하기 위한 것으로 챔버(100)에 기판을 삽입하지 않은 상태에서 진행하며, 제2 예비 코팅(S)으로 제2 보호막(도시하지 않음)을 형성한다. Thereafter, a second pre-coating is performed in the chamber 100 (S2). The second preliminary coating (S2) is also for protecting the inside of the chamber 100, and proceeds without inserting the substrate into the chamber 100, and the second preliminary coating (S) is provided with a second protective film (not shown). Form.
이때, 제2 예비 코팅(S2)은 실제적으로 기판(102)에 TEOS막을 형성할 때의 챔버 조건과 동일한 분위기에서 진행된다. 구체적으로는 제1 예비 코팅(S1)과 대부분의 공정 조건은 동일하나 HFRF 전력이 500W이고, LFRF 전력이 500W로 제1 예비 코팅(S1)을 진행할 때와 달리 HFRF와 LFRF의 전력의 차이가 없다. 이러한 조건에서 증착된 제2 보호막은 -65~-175Mpa의 스트레스 값을 가진다. At this time, the second preliminary coating (S2) actually proceeds in the same atmosphere as the chamber conditions when forming the TEOS film on the substrate 102. Specifically, the first pre-coating (S1) and most of the process conditions are the same, but the HFRF power is 500W, the LFRF power is 500W, unlike when performing the first pre-coating (S1) there is no difference in power between the HFRF and LFRF . The second passivation layer deposited under these conditions has a stress value of -65 to -175 Mpa.
제2 예비 코팅(S2)은 실질적으로 기판(100)에 증착되는 TEOS 막의 상태를 미리 확인할 수 있어서 실질적으로 TEOS 막을 형성하였을 때 발생할 수 있는 불량을 미리 확인한 후 공정을 진행함으로써 불량율을 감소시킬 수 있다. 이상 설명한 제2 예비 코팅(S2)은 필수적인 것은 아니며 필요에 따라서 선택적으로 진행한다. The second preliminary coating (S2) can substantially check the state of the TEOS film deposited on the substrate 100 in advance, so that the failure rate can be reduced by checking the defects that may occur when the TEOS film is formed in advance and proceeding the process. . The second preliminary coating (S2) described above is not essential and proceeds selectively as necessary.
이후 기판(102)을 챔버(100) 내에 삽입하여 제2 전극(108)에 안착 시킨 후 제2 예비 코팅(S2)과 동일한 공정 조건으로 기판(102) 위에 TEOS 막을 형성(S3)한다. TEOS 막은 상부층과의 절연을 위해 사용하는 막으로 챔버(100) 내에 삽입되는 기판(102) 상에는 트랜지스터 또는 금속층 등이 형성되어 있을 수 있다. 여기서 기판(102)은 하나 또는 다수 개가 한 번에 삽입될 수 있다. Subsequently, the substrate 102 is inserted into the chamber 100 to be seated on the second electrode 108, and then a TEOS film is formed on the substrate 102 under the same process conditions as the second preliminary coating S2 (S3). The TEOS film is a film used to insulate the upper layer, and a transistor or a metal layer may be formed on the substrate 102 inserted into the chamber 100. Here, one or more substrates 102 may be inserted at one time.
기판(102) 상에 TEOS막을 형성하는 동안 기판(102)뿐 아니라 챔버(100) 내벽, 히터(114) 및 샤워 헤드(116) 상에도 TEOS 막이 형성될 수 있으므로, 일정한 장수의 기판(102)에 TEOS 막을 형성한 뒤에는 세정 공정(S4)을 진행한다. While the TEOS film is formed on the substrate 102, the TEOS film may be formed not only on the substrate 102 but also on the inner wall of the chamber 100, the heater 114, and the shower head 116. After the TEOS film is formed, the cleaning step (S4) is performed.
세정 공정(S4)은 챔버(100) 내의 기판(102)을 모두 제거한 상태에서 진행되며, 세정 기체로 C2F6를 주입하여 챔버(100) 내벽, 히터(114) 및 샤워 헤드(116) 상에 형성되어 있는 TEOS 막을 제거한다.The cleaning process S4 is performed in a state where all the substrates 102 in the chamber 100 are removed, and C 2 F 6 is injected into the cleaning gas to form the chamber 100 on the inner wall, the heater 114, and the shower head 116. Remove the TEOS film formed on the
이때, 제1 보호막에 의해 히터(114)의 표면이 노출되지 않으므로 세정 공정(S4)시 알루미늄 스퍼터링(sputtering)이 발생하지 않는다. 따라서 샤워 헤드(116)에 AlOxFy가 부착되는 것도 방지된다. In this case, since the surface of the heater 114 is not exposed by the first passivation layer, aluminum sputtering does not occur during the cleaning process S4. Therefore, AlOxFy is also prevented from adhering to the shower head 116.
한편, 제1 예비 코팅(S1) 단계에서 샤워 헤드(116) 상에 형성되는 박막은 응력이 약하여 쉽게 제거된다. On the other hand, the thin film formed on the shower head 116 in the first pre-coating (S1) step is weak and easily removed.
종래에는 세정 공정(S4)시 샤워 헤드(108) 표면에 증착하는 AlOxFy로 인하여 세정 공정(S4) 직후에 증착되는 TEOS 막의 두께와 세정 공정(S4) 직전의 TEOS 막의 두께가 달라지는 현상이 발생하였다. Conventionally, the thickness of the TEOS film deposited immediately after the cleaning process S4 and the thickness of the TEOS film immediately before the cleaning process S4 have occurred due to AlOxFy deposited on the shower head 108 surface during the cleaning process S4.
본 발명에서는 예비 코팅을 통하여 챔버(100) 내벽 및 샤워 헤드(108)의 표면에 제1 보호막을 형성함으로써 불순물 증착의 원인 물질이 발생하는 것을 방지한다. 따라서 세정 직후 및 세정 직전에 형성되는 TEOS 막의 두께를 균일하게 유지할 수 있다. In the present invention, the first protective film is formed on the inner wall of the chamber 100 and the surface of the shower head 108 through preliminary coating to prevent generation of impurities. Therefore, the thickness of the TEOS film formed immediately after and immediately before cleaning can be kept uniform.
도 3은 종래 기술에 따른 세정 공정 직후에서부터 세정 공정 직전까지의 TEOS 막 두께의 변화를 도시한 그래프이고, 도 4는 본 발명에 따른 세정 공정 직후에서부터 세정 공정 직전까지의 TEOS 막 두께의 변화를 도시한 그래프이다. 3 is a graph showing the change of the TEOS film thickness from immediately after the cleaning process to just before the cleaning process according to the prior art, Figure 4 is a change in the TEOS film thickness from immediately after the cleaning process to just before the cleaning process according to the present invention One graph.
도 3에 도시한 바와 같이, 종래에는 세정 직후에 형성되는 박막의 두께에 비해서 세정 직전에 형성되는 박막의 두께 차이가 컸다. 그러나 본 발명에서와 같은 제1 예비 코팅을 실시하면 도 4에 도시한 바와 같이, 세정 직후에 형성되는 박막의 두께와 세정 직전에 형성되는 박막의 두께 차이가 거의 없음을 확인할 수 있다. As shown in FIG. 3, the thickness difference of the thin film formed immediately before washing | cleaning was large compared with the thickness of the thin film formed immediately after washing | cleaning conventionally. However, when the first pre-coating as in the present invention is performed, as shown in FIG. 4, it can be seen that there is almost no difference in thickness between the thin film formed immediately after the cleaning and the thin film formed immediately before the cleaning.
다음으로 챔버(100) 내부를 펌프/퍼지(Pump/Purge) 공정(S5)을 다수 회 반복하여 세정시 발생된 불순물을 제거한다. Subsequently, the pump / purge process S5 is repeated a plurality of times in the chamber 100 to remove impurities generated during cleaning.
이후 제1 예비 코팅(S1) 단계에서부터 펌프/퍼지 공정(S5)을 실시하는 단계까지는 일정 수의 기판에 TEOS 막을 형성한 이후에 주기적으로 반복된다. After the first pre-coating (S1) step to perform the pump / purge process (S5) is repeated periodically after forming the TEOS film on a predetermined number of substrates.
본 발명은 첨부된 도면에 도시된 일 실시예를 참고로 설명되었으나 이는 예시적인 것에 불과하며, 당해 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 균등한 타 실시예가 가능하다는 점을 이해할 수 있을 것이다. 따라서, 본 발명의 진정한 보호범위는 첨부된 청구범위에 의해서만 정해져야 할 것이다.Although the present invention has been described with reference to one embodiment shown in the accompanying drawings, this is merely exemplary, and it will be understood by those skilled in the art that various modifications and equivalent other embodiments are possible. Could be. Accordingly, the true scope of protection of the invention should be defined only by the appended claims.
본 발명에서와 같이 예비 코팅 공정을 진행한 후 기판에 TEOS 막을 형성하면, 처음 삽입된 기판과 일정한 장수의 기판에 TEOS 막을 형성한 후에 삽입되는 기판에 형성되는 TEOS 막을 균일하게 유지할 수 있다. When the TEOS film is formed on the substrate after the precoating process is performed as in the present invention, the TEOS film formed on the substrate to be inserted after the TEOS film is formed on the first inserted substrate and the substrate having a predetermined long life can be uniformly maintained.
따라서 균일한 두께를 가지는 박막을 유지할 수 있으므로 고품질의 반도체 소자를 제공할 수 있다. Therefore, a thin film having a uniform thickness can be maintained, thereby providing a high quality semiconductor device.
도 1은 일반적인 PECVD 장치를 도시한 개략도이고,1 is a schematic view showing a general PECVD apparatus,
도 2는 본 발명의 실시예에 따른 반도체 소자에 TEOS 막을 형성하는 방법을 순서대로 도시한 순서도2 is a flowchart illustrating a method of forming a TEOS film in a semiconductor device according to an embodiment of the present invention in order;
이고,ego,
도 3은 종래 기술에 따른 세정 공정 직후에서부터 세정 공정 직전까지의 TEOS 막 두께의 변화를 도시한 그래프이고,3 is a graph showing the change of the TEOS film thickness from immediately after the cleaning process to just before the cleaning process according to the prior art,
도 4는 본 발명에 따른 세정 공정 직후에서부터 세정 공정 직전까지의 TEOS 막 두께의 변화를 도시한 그래프이다.4 is a graph showing the change of the TEOS film thickness from immediately after the cleaning process to just before the cleaning process according to the present invention.
Claims (4)
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| KR1020030061556A KR100639859B1 (en) | 2003-09-03 | 2003-09-03 | Fabricating method of TEOS layer |
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