KR20050024396A - 반도체용 접착 필름, 이를 이용한 접착 필름 부착 금속판,접착 필름 부착 배선 회로 및 반도체장치, 및반도체장치의 제조 방법 - Google Patents

반도체용 접착 필름, 이를 이용한 접착 필름 부착 금속판,접착 필름 부착 배선 회로 및 반도체장치, 및반도체장치의 제조 방법 Download PDF

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KR20050024396A
KR20050024396A KR10-2004-7021221A KR20047021221A KR20050024396A KR 20050024396 A KR20050024396 A KR 20050024396A KR 20047021221 A KR20047021221 A KR 20047021221A KR 20050024396 A KR20050024396 A KR 20050024396A
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마츠우라히데카즈
카와이토시야스
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히다치 가세고교 가부시끼가이샤
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Abstract

본 발명의 반도체 접착 필름은, 금속판의 일면에 반도체용 접착 필름을 부착한 후, 금속판을 가공해서 배선 회로로 하고, 반도체소자를 탑재, 밀봉한 후 박리하는 방법에 사용되는 반도체용 접착 필름으로서, 지지 필름의 일면 또는 양면에 수지층A가 형성되고 있고, 반도체용 접착 필름에 접착한 금속판을 가공해서 배선 회로로 하기 전의 수지층A와 금속판과의 25℃에 있어서의 90도 필 강도가 20N/m 이상이며, 또한, 반도체용 접착 필름에 접착한 배선 회로를 밀봉재로 밀봉한 후의 수지층A와 배선 회로 및 밀봉재와의 0∼250℃의 온도범위의 적어도 한점에 있어서의 90도 필 강도가 어느 것이나 1000N/m 이하이다.

Description

반도체용 접착 필름, 이를 이용한 접착 필름 부착 금속판, 접착 필름 부착 배선 회로 및 반도체장치, 및 반도체장치의 제조 방법{ADHESIVE FILM FOR SEMICONDUCTOR, METAL SHEET WITH SUCH ADHESIVE FILM, WIRING SUBSTRATE WITH ADHESIVE FILM, SEMICONDUCTOR DEVICE, AND METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE}
본 발명은, 배선 회로 및 밀봉수지로부터 간편하게 떼어 내기 위해, 반도체 패키지를 높은 작업성으로 제조할 수 있는 반도체용 접착 필름, 이 반도체용 접착 필름을 이용한 접착 필름 부착 금속판, 접착 필름부착 배선 회로 및 반도체장치, 및 반도체장치의 제조 방법에 관한 것이다.
최근, 반도체 패키지의 소형·박형화를 꾀하기 위해서, 리드프레임의 일면(반도체소자 측)만을 밀봉하고, 이면의 노출된 리드를 외부접속용으로 이용하는 구조의 패키지가 개발되어 왔다. 이러한 구조의 패키지는 리드가 밀봉수지로부터 돌출되어 있지 않으므로, 소면적화 및 박형화를 꾀할 수 있는 이점이 있다. 예를 들어, 리드 프레임의 일면에 접착 테이프를 붙인 후, 리드 프레임의 반대면에 칩을 탑재하고, 와이어 본드, 밀봉후, 접착 테이프를 벗기는 방법이 제안되어 있다(예를 들어, 일본특허공개공보 평10-12773호(청구항4), 일본특허공개공보 2000-294580호 (청구항1)참조). 그러나, 리드 프레임을 이용할 경우, 리드 프레임의 두께, 재질에 제한이 있고, 반도체패키지의 높이가 여전히 높으며, 미세한 배선을 형성할 수 없는 등의 문제가 있다.
한편, 상기와 유사한 반도체 패키지를 제조하는 또 다른 방법으로서, 임시 지지기판에 금속층을 형성하고, 회로형성, 칩 탑재, 와이어 본드, 밀봉후, 임시 지지기판을 벗기는 방식이 고안되어 있지만, 밀봉시에 수지가 배선 회로와 지지 기판 사이에 돌아 들어가는 것을 막거나, 지지 기판을 박리한 후에 배선 회로에 풀이 남아 있지 않게 하기 위해서는 임시 지지 기판으로서 어떤 특성이 필요한 것인지가 분명하지 않다(예컨대 일본특허공개공보 평11-121646호(청구항4, 5, [0013] [0018]) 참조).
도1은, 본 발명의 1태양의 반도체용 접착 필름의 단면도이다.
도2는, 본 발명의 반도체용 접착 필름을 이용해서 반도체장치를 제조하는 공정을 나타내는 단면설명도이다.
도3은, 본 발명의 1태양의 반도체용 접착 필름을 갖춘 반도체장치를 나타내는 단면도이다.
도4는, 본 발명의 1태양의 반도체용 접착 필름의 단면도이다.
도5는, 본 발명의 1태양의 반도체용 접착 필름을 갖춘 반도체장치를 나타내는 단면도이다.
발명을 실시하기 위한 최선의 형태
다음에 본 발명의 반도체용 접착 필름, 이것을 이용한 접착 필름 부착 금속판, 접착 필름 부착 배선 회로 및 반도체장치 그리고 반도체장치의 제조 방법의 실시형태에 대해서 자세하게 설명한다.
반도체용 접착 필름
본 발명의 반도체용 접착 필름은, 예컨대, 반도체장치의 제조법에 적합하게 사용할 수 있다. 본 발명의 반도체용 접착 필름을 반도체장치의 제조법에 사용할 경우, 하기의 공정으로 이루어진 방법에 의해 반도체장치를 제조하는 것이 바람직하다.
즉, (1) 금속판에 150∼400℃에서 본 발명의 반도체용 접착 필름을 접착하는 공정, (2) 금속판을 가공해서 배선 회로로 하는 공정, (3) 배선 회로의 다이 패드에 은 페이스트나 다이본드필름 등의 접착제를 이용해서 반도체소자를 접착하고, 필요에 따라 140∼200℃에서 30분∼2시간 가열함으로써 은 페이스트 등의 접착제를 경화하는 공정, (4) 150∼270℃에서 초음파를 병용하여 배선 회로의 인너 리드와 반도체소자에 금선 등의 와이어 본드를 행하는 공정, (5) 150∼200℃에서 밀봉재로 밀봉하는 공정, (6) 150∼200℃에서 4∼6시간 가열함으로써 밀봉재수지를 경화하는 공정, (7) 0∼250℃에서 반도체용 접착 필름을 배선 회로 및 밀봉재로부터 떼어 내는 공정이다. 배선 회로가 각각 다이 패드 및 인너 리드를 갖는 복수의 패턴으로 이루어지는 것일 경우에는, 필요에 따라 각각 하나의 반도체소자를 갖는 복수의 반도체장치로 분할한다.
본 발명에 있어서는, 특히 금속판을 가공해서 배선 회로로 하기 전의 금속판과 수지층A와의 25℃에 있어서의 90도 필 강도는 20N/m 이상으로 하고, 50N/m 이상이 바람직하고, 70N/m 이상이 보다 바람직하고, 100N/m 이상이 더 바람직하고, 150N/m 이상이 특히 바람직하다. 본 발명에 있어서, 25℃에 있어서의 수지층A와 금속판과의 90도 필 강도는, JIS Z O237의 90도 박리법에 준해 금속판에 대하여 반도체용 접착 필름을 90도방향으로 떼어내어 측정한다. 구체적으로는, 25℃에 있어서, 매분 270∼330mm, 바람직하게는 매분 300mm의 속도로 반도체용 접착 필름을 떼어 낼 때의 90도 필 강도를, 90도 박리시험기(테스터 산업제)로 측정한다.
90도 필 강도가 20N/m 미만인 경우, 금속판 가공시에 에칭액의 침투에 의한 회로이지러짐 등의 회로형성 불량이 일어나기 쉽고, 또한, 배선 회로가 가는 경우에는 접착 필름 부착 배선 회로의 세정 공정이나 반송 공정에서, 반도체용 접착 필름으로부터 배선 회로가 벗겨지기 쉽다고 하는 문제가 있다. 또한, 배선 회로에 금, 은, 팔라듐 등의 도금을 할 경우에는, 도금액이 배선 회로와 수지층A와의 사이에 들어가기 쉽다고 하는 문제가 있다. 게다가, 밀봉공정시에, 배선 회로와 수지층A 사이에 밀봉용 수지가 들어가는 등의 문제가 있다. 또한, 이 90도 필 강도는, 2000N/m 이하인 것이 바람직하고, 1500N/m 이하인 것이 보다 바람직하고, 1000N/m 이하인 것이 보다 바람직하다.
또한, 이 필 강도를 측정하기 위해서 반도체용 접착 필름과 금속판을 접착하는 조건으로는 특별히 제한은 없지만, 후술하는 본 발명의 접착 필름 부착 배선 회로의 제조 방법에 있어서의 접착 조건에서 행하는 것이 바람직하다. 예컨대, 금속판으로서 팔라듐을 피복한 동판 또는 42알로이판을 이용하고, (1) 온도 250℃, 압력 8MPa, 시간 10초, (2) 온도 350℃, 압력 3MPa, 시간 3초, 또는 (3) 온도 280℃, 압력 6MPa, 시간 10초 중 어느 하나의 접착 조건에서 접착한다.
본 발명에 있어서, 밀봉공정을 하기 직전의 25℃에 있어서의 수지층A와 배선 회로와의 90도 필 강도가, 5N/m 이상, 바람직하게는 10N/m 이상, 보다 바람직하게는 50N/m 이상인 것이 바람직하다. 밀봉공정을 하기 직전의 90도 필 강도가 5N/m 미만일 경우, 밀봉공정시에 배선회로와 수지층A 사이에 밀봉용 수지가 들어가는 등의 문제가 생긴다.
또한, 상기에 있어서 밀봉공정을 하기 직전이란, 밀봉공정전이며 또한 밀봉공정전에 하는 모든 공정이 종료한 상태를 의미한다.
또한, 밀봉공정을 하기 전에, 가열함으로써 수지층A와 배선 회로와의 접착 강도를 향상시킬 수도 있다. 이 가열 온도는 특별히 한정되지 않지만, 수지층A와 배선 회로와의 접착 강도를 향상시키기 위해서는 100℃이상에서 가열하는 것이 바람직하다. 또한, 배선 회로나 반도체용 접착 필름의 내열성의 점으로부터, 300℃ 이하로 가열하는 것이 바람직하다. 같은 이유에서, 130℃ 이상 270℃ 이하로 가열하는 것이 보다 바람직하다. 또한, 가열시간은 특별히 한정되지 않지만, 수지층A와 배선 회로와의 접착 강도를 충분히 향상시키기 위해서 10초 이상이 바람직하다. 같은 이유에서 가열 시간은 1분 이상 2시간 이하가 보다 바람직하다.
상기의 가열 공정을, 생산성의 점으로부터, 밀봉공정으로 옮기기 전의 여러가지 공정(예컨대, 은 페이스트 등의 접착제의 경화 공정, 와이어 본드 공정 등)에 있어서의 가열에 의해 행하는 것이 바람직하다. 예컨대, 앞에서 기재한 바와 같이, 반도체소자의 접착 공정에서는 통상, 접착에 이용하는 접착제를 경화시키기 위해서 140∼200℃에서 30분∼2시간의 가열이 행하여진다. 또한, 와이어 본드 공정에서는 통상, 150℃∼270℃정도에서 3분∼30분 정도의 가열이 행하여진다. 따라서, 상기의 가열 공정을 이들 여러가지 공정에 있어서의 가열에 의해 행할 수 있다.
본 발명에 있어서, 밀봉재로 밀봉한 후의 0∼250℃의 온도범위의 적어도 한점에 있어서의 수지층A와 배선 회로 및 밀봉재와의 90도 필 강도는, JIS Z O237의 90도 박리법에 준해, 배선 회로와 접착필름을 실온에서 또는 O∼250℃의 오븐 중에서, 배선 회로에 대하여 접착 필름을 90도 방향으로 떼어내어 측정한다. 구체적으로는, 0∼250℃의 온도범위의 적어도 한 점에 있어서, 매분 270∼330mm, 바람직하게는 매분 300mm의 속도로 반도체용 접착 필름을 떼어 낼 때의 90도 필 강도를 텐시론 RTM-100(오리엔테크제)으로 측정한다. 이 필 강도의 측정 온도의 바람직한 범위는 100~250℃이며, 보다 바람직하게는 150∼250℃이다.
밀봉재로 밀봉한 후의 0∼250℃의 온도범위의 적어도 한 점에 있어서 수지층A와 배선 회로 및 밀봉재와의 90도 필 강도는, 어느 것이나 1000N/m 이하로 되고, 800N/m 이하가 바람직하고, 500N/m 이하가 보다 바람직하다. 이 90도 필 강도가 1000N/m을 넘을 경우, 배선 회로나 밀봉재에 응력이 가해지고, 파손되는 문제가 있다. 또한, 측정 온도가 높아짐에 따라, 통상, 상기의 90도 필 강도는 저하한다. 이 90도 필 강도는, ON/m 이상인 것이 바람직하고, 3N/m 이상인 것이 바람직하며, 5N/m 이상인 것이 보다 바람직하다.
또한, 본 발명에 있어서는, 반도체용 접착 필름을 접착한 배선 회로를 밀봉재로 밀봉한 후에 반도체용 접착 필름을 배선 회로 및 밀봉재로부터 박리할 때의 온도에 있어서의 수지층A와 배선 회로 및 밀봉재와의 90도 필 강도가 어느 것이나 1000N/m 이하인 것이 바람직하다. 밀봉재로 밀봉한 후, 반도체용 접착 필름을 떼어 내는 온도는 통상 0∼250℃ 사이가 바람직하다 ·
상기 0∼250℃의 온도범위의 적어도 한 점에 있어서의 90도 필 강도를 측정하기 위한 밀봉재에 의한 밀봉조건은, 특별히 제한은 없지만, 후술하는 본 발명의 반도체장치의 제조 방법에 있어서의 밀봉조건으로 밀봉하는 것이 바람직하다. 예컨대, 밀봉재로서 CEL-9200(상품명, 히타치화성공업(주)제 비페닐 밀봉재)을 이용하고, 온도 180℃, 압력 1OMPa, 시간 3분의 조건에서 밀봉하고, 이어서 180℃에서 5시간 가열해서 밀봉재를 경화시키는 것이 바람직하다.
본 발명에 있어서는, 반도체용 접착 필름은, 수지층A가 지지 필름의 일면 또는 양면에 형성되어 있는 것, 및 지지 필름의 일면에 수지층A가 형성되고, 반대면에 다른 수지층이 형성된 것을 들 수 있다.
본 발명에 있어서는, 지지 필름 위에 수지층A를 형성하는 방법은, 특별히 제한은 없지만, 수지층A의 형성에 이용할 수 있는 수지(a)를, N-메틸―2-피롤리돈, 디메틸아세트아미드, 디에틸렌글리콜디메틸에테르, 테트라히드로푸란, 시클로헥사논, 메틸에틸케톤, 디메틸포름아미드 등의 용제에 용해해서 제작한 접착제 니스를 지지 필름의 일면 또는 양면 위에 코팅한 후, 가열 처리해서 용제를 제거함으로써 2층 구조 또는 3층 구조의 접착 필름을 얻을 수 있다. 또는, 니스 도포 후에 가열 처리 등에 의해 내열성 수지(a)(예컨대 폴리이미드 수지)가 되는 수지(a)의 전구체(예컨대 폴리아미드산)를 용제에 용해한 전구체 니스를 지지 필름의 일면 또는 양면 위에 코팅한 후, 가열 처리함으로써 2층 구조 또는 3층 구조의 접착 필름을 얻을 수 있다. 이 경우, 코팅 후의 가열 처리에 의해, 용제를 제거하고, 전구체를 수지(a)로 한다(예컨대 이미드화). 코팅면의 표면상태 등의 점으로부터, 접착제 니스를 이용하는 것이 바람직하다.
상기에 있어서, 니스를 코팅한 지지 필름을 용제의 제거나 이미드화 등을 위해서 가열 처리할 경우의 처리 온도는, 접착제 니스인지 전구체 니스인지에 따라 다르다. 접착제 니스의 경우에는 용제를 제거할 수 있는 온도라면 좋고, 전구체 니스의 경우에는, 이미드화시키기 위해서 수지층A의 유리 전이 온도 이상의 처리 온도가 바람직하다.
상기에 있어서, 지지 필름의 일면에 도포되는 접착제 니스 또는 전구체 니스의 코팅방법에는, 특별히 제한은 없지만, 예컨대, 롤 코트, 리버스 롤코트, 그라비어 코트, 바 코트, 콤마 코트 등을 이용해서 행할 수 있다. 또한, 접착제 니스 또는 전구체 니스 중에 지지 필름을 통과시켜서 코팅해도 좋다.
본 발명에 있어서는, 수지층A의 유리 전이 온도는 100∼300℃인 것이 바람직하고, 150∼300℃인 것이 보다 바람직하고, 150∼250℃인 것이 특히 바람직하다. 유리 전이 온도가 100℃ 미만인 경우, 배선 회로 및 밀봉재로부터 떼어 낼 때, 수지층A와 지지 필름의 계면에서 박리가 생기거나 수지층A가 응집 파괴하기 쉬운 경향이 있다. 또한, 배선 회로 및 밀봉재에 수지가 잔류하기 쉽고, 또한, 와이어 본드 공정에서의 열에 의해 수지층A가 연화되고, 와이어의 접합 불량이 생기기 쉬운 경향이 있다. 게다가, 밀봉공정에서의 열에 의해 수지층A가 연화되어 배선 회로와 수지층A 사이에 밀봉재가 들어가는 등의 불량이 일어나기 쉬운 경향이 있다. 또한, 유리 전이 온도가 300℃를 넘을 경우, 접착시에 수지층A가 충분히 연화되지 않고, 25℃에 있어서의 배선 회로와의 90도 필 강도가 저하하기 쉬운 경향이 있다.
본 발명에 있어서는, 수지층A가 5중량％ 감소하는 온도가 300℃ 이상인 것이 바람직하고, 350℃ 이상인 것이 보다 바람직하고, 400℃ 이상인 것이 더 바람직하다. 수지층A가 5중량％ 감소하는 온도가 300℃ 미만의 경우, 금속판에 접착 필름을 접착시킬 때의 열이나, 와이어 본드 공정에서의 열로 아웃 가스가 생기고, 배선 회로나 와이어를 오염시키기 쉬운 경향이 있다. 한편, 수지층A가 5중량％ 감소하는 온도는, 시차열천평(세이코 전자공업제, TG/DTA220)에 의해, 승온속도 10℃／분으로 측정해서 구했다.
본 발명에 있어서는, 수지층A의 230℃에 있어서의 탄성율은 1MPa 이상인 것이 바람직하고, 3MPa 이상인 것이 보다 바람직하다. 와이어 본드 온도는, 특별히 제한은 없지만, 일반적으로 200~260℃ 정도이며, 230℃ 전후가 널리 이용된다. 따라서, 230℃에 있어서의 탄성율이 1MPa미만인 경우, 와이어본드 공정에서의 열에 의해 수지층A가 연화되고, 와이어의 접합 불량이 생기기 쉽다. 수지층A의 230℃에 있어서의 탄성율의 바람직한 상한은, 2000MPa이며, 보다 바람직하게는 1500MPa이며, 더 바람직하게는 1000MPa이다. 수지층A의 230℃에 있어서의 탄성율은 동적점탄성측정장치, DVE RHEOSPECTOLER(레올로지사제)를 이용하여, 승온속도 2℃／분, 측정주파수 10Hz의 인장 모드로 측정한다.
본 발명에 있어서는, 수지층A의 형성에 이용할 수 있는 수지(a)는, 아미드 기(-NHCO-), 에스테르기(-CO-O-), 이미드기(-CO)2-N-, 에테르기(-0-）또는 술폰기(-SO2-)를 갖는 열가소성수지인 것이 바람직하다. 특히, 아미드기, 에스테르기, 이미드기 또는 에테르기를 갖는 열가소성수지인 것이 바람직하다. 구체적으로는, 방향족 폴리아미드, 방향족 폴리에스테르, 방향족 폴리이미드, 방향족 폴리아미드이미드,방향족 폴리에테르, 방향족 폴리에테르아미드이미드, 방향족 폴리에테르아미드, 방향족 폴리에스테르이미드 및 방향족 폴리에테르이미드 등을 들 수 있다.
이것들 중에서, 방향족 폴리에테르아미드이미드, 방향족 폴리에테르이미드 및 방향족 폴리에테르아미드가, 내열성, 접착성, 및 금속판 가공시의 내약품성, 필요에 따라 배선 회로에 도금을 할 때의 내도금성의 점으로부터 바람직하다.
상기의 수지는 어느 것이나, 염기성분인 방향족 디아민 또는 비스 페놀 등과, 산성분인 디카르본산, 트리카르본산, 테트라카르본산 또는 방향족염화물 또는 이것들의 반응성 유도체를 중축합시켜서 제조할 수 있다. 즉, 아민과 산과의 반응에 이용되는 공지의 방법으로 행할 수 있고, 여러가지 조건 등에 관해서도 특별히 제한은 없다. 방향족 디카르본산, 방향족 트리카르본산 또는 이것들의 반응성 유도체와 디아민의 중축합반응에 있어서는, 공지의 방법을 이용할 수 있다.
방향족 폴리에테르이미드, 방향족 폴리에테르아미드이미드, 또는 방향족 폴리에테르아미드의 합성에 이용할 수 있는 염기성분으로서는, 예컨대, 2,2-비스-[4-(4-아미노페녹시)페닐]프로판, 비스[4-(4-아미노페녹시)페닐]술폰, 4,4'-디아미노디페닐에테르, 1,3-비스(3-아미노페녹시)벤젠, 비스[4-(4-아미노페녹시)페닐]에테르, 2,2-비스[4-(4-아미노페녹시)페닐]헥사플루오로프로판 등의 에테르기를 갖는 방향족 디아민; 4,4’-메틸렌비스(2,6-디이소프로필아민) 등의 에테르기를 갖지 않는 방향족 디아민; 1,3-비스(3-아미노프로필)-테트라메틸디실록산 등의 실록산디아민; 및 1,12-디아미노도데칸, 1,6-디아미노헥산 등의 α,ω-디아미노알칸을 바람직하게 이용할 수 있다. 염기성분 총량중, 상기의 에테르기를 갖는 방향족 디아민을 40∼100몰％, 바람직하게는 50∼97몰％, 에테르기를 갖지 않는 방향족 디아민, 실록산디아민 및 α,ω-디아미노알칸으로부터 선택된 적어도 1종을 0∼60몰%, 바람직하게는 3∼50몰％의 양으로 이용하는 것이 바람직하다. 바람직한 염기성분의 구체예로는, (1) 에테르기를 갖는 방향족 디아민 60∼89몰%, 바람직하게는 68∼82몰％, 실록산디아민 1∼10몰％, 바람직하게는 3∼7몰％, 및 α,ω-디아미노알칸 10∼30몰％, 바람직하게는 15∼25몰%로 이루어진 염기성분, (2) 에테르기를 갖는 방향족디아민 90∼99몰％, 바람직하게는 93∼97몰％, 및 실록산디아민 1∼10몰％, 바람직하게는 3∼7몰％로 이루어진 염기성분, (3) 에테르기를 갖는 방향족 디아민 40∼70몰％, 바람직하게는 45∼60몰%, 에테르기를 갖지 않는 방향족 디아민 30∼60몰％, 바람직하게는 40∼55몰로 이루어진 염기성분을 들 수 있다.
방향족 폴리에테르이미드, 방향족 폴리에테르아미드이미드 또는 방향족 폴리에테르아미드의 합성에 이용할 수 있는 산성분으로서는, 예컨대, (A) 무수 트리메리트산, 무수 트리메리트산클로라이드 등의 무수 트리메리트산의 반응성 유도체, 피로메리트산 이무수물 등의 단핵방향족 트리카르본산무수물 또는 단핵방향족 테트라 카르본산 이무수물, (B) 비스페놀A비스트리메리테이트 이무수물, 옥시디프탈산 이무수물 등의 다핵방향족 테트라카르본산 이무수물, (C) 테레프탈산, 이소프탈산, 테레프탈산클로라이드, 이소프탈산클로라이드 등의 프탈산의 반응성 유도체 등의 방향족 디카르본산 등을 들 수 있다.
그 중에서도, 상기 염기성분(1) 또는 (2) 1몰당, 상기 산성분(A) 0.95∼1 .05몰, 바람직하게는 O.98 ∼1.02몰을 반응시켜서 수득되는 방향족 폴리에테르아미드이미드 및 상기 염기성분(3) 1몰당, 상기 산성분(B) 0.95∼1.05몰, 바람직하게는 0.98∼1.02몰을 반응시켜 수득되는 방향족 폴리에테르이미드를 바람직하게 이용할 수 있다,
본 발명에 있어서는, 수지(a)에 세라믹가루, 유리가루, 은가루, 구리가루, 수지입자, 고무입자 등의 필러나, 커플링제를 첨가해도 좋다.
필러를 첨가할 경우, 그 첨가량은, 수지(a) 100중량부에 대하여 1∼30중량부가 바람직하고, 5~15중량부가 보다 바람직하다.
커플링제로서는, 비닐실란, 에폭시실란, 아미노실란, 멜캅토실란, 티타네이트, 알루미늄킬레이트, 지르코늄알루미네이트 등의 커플링제를 사용할 수 있으나, 실란 커플링제가 바람직하다. 실란 커플링제로는, 비닐트리메톡시실란, 비닐트리에톡시실란, 비닐트리스(β-메톡시에톡시)실란, β-(3,4-에폭시시클로헥실)에틸트리메톡시실란, γ-글리시드옥시프로필트리메톡시실란, γ-글리시드옥시프로필메틸디에톡시실란, N-β-(아미노에틸)-γ-아미노프로필메틸디메톡시실란, γ-아미노프로필트리에톡시실란, N-페닐-γ-아미노프로필트리메톡시실란, γ-멜캅토프로필트리메톡시실란 등의 말단에 유기반응기를 갖는 실란커플링제로, 이것들 중, 에폭시기를 갖는 에폭시실란커플링제를 바람직하게 이용할 수 있다. 또한 여기에서 유기반응성기는, 에폭시기, 비닐기, 아미노기, 멜캅토기 등의 관능기이다. 실란커플링제의 첨가는, 수지의 지지 필름에 대한 밀착성을 향상시켜, 100∼300℃의 온도에서 떼어 냈을 때에, 수지층과 지지 필름의 계면에서 박리가 생기기 어렵게 하기 위해서다. 커플링제의 첨가량은, 수지(a) 100중량부에 대하여, 1∼15중량부가 바람직하고, 2∼10중량부가 보다 바람직하다
본 발명에 있어서는, 지지 필름에 특별히 제한은 없지만, 수지의 코팅, 건조, 반도체장치조립공정 중의 열에 견딜 수 있는 수지로 이루어진 필름이 바람직하고, 수지는, 방향족 폴리이미드, 방향족 폴리아미드, 방향족 폴리아미드이미드, 방향족 폴리술폰, 방향족 폴리에테르술폰, 폴리페닐렌술피드, 방향족 폴리에테르케톤, 폴리아릴레이트, 방향족 폴리에테르에테르케톤, 및 폴리에틸렌나프탈레이트로이루어진 군으로부터 선택된 것이 바람직하다. 또한 지지 필름의 유리 전이 온도는, 내열성을 향상시키기 위해서 200℃ 이상인 것이 바람직하고, 250℃ 이상인 것이 보다 바람직하다. 상기의 내열성 수지 필름을 이용함으로써, 접착 공정, 와이어 본드 공정, 밀봉공정, 박리공정 등의 열이 가해지는 공정에 있어서, 지지 필름이 연화되지 않고, 효율적으로 작업을 행할 수 있다.
상기의 지지 필름은 수지층A에 대하여 밀착성이 충분히 높은 것이 바람직하다. 밀착성이 낮으면, 100∼300℃의 온도에서 배선 회로 및 밀봉재로부터 떼어 냈을 때, 수지층A와 지지 필름의 계면에서 박리가 생기기 쉽고, 배선 회로 및 밀봉재에 수지가 잔류하기 쉽다. 지지 필름은, 내열성을 갖고, 또한 수지층A에 대한 밀착성이 충분히 높은 것이 바람직하므로, 폴리이미드 필름이 보다 바람직하다.
상기 폴리이미드 필름의 종류는 특별히 한정되지 않지만, 반도체용 접착 필름을 금속판에 붙인 후의 금속판의 휘어짐을 저감시키기 위해서, 20∼200℃에 있어서의 선열팽창 계수가 3.0×10-5／℃ 이하인 것이 바람직하고, 2.5×10-5／℃ 이하인 것이 보다 바람직하고, 2.O×10-5／℃ 이하인 것이 더 바람직하다. 또한 반도체용 접착 필름을 금속판에 붙인 후의 금속판의 휘어짐을 저감시키기 위해서, 200℃에서 2시간 가열했을 때의 가열 수축률이 0.15％ 이하인 것이 바람직하고, 0.1％이하인 것이 더 바람직하고, 0.05％이하인 것이 특히 바람직하다.
상기의 지지 필름은, 수지층A에 대한 밀착성을 충분히 높이기 위해서, 표면을 처리하는 것이 바람직하다. 지지 필름의 표면처리 방법에는 특별히 제한은 없지만, 알칼리 처리, 실란커플링 처리 등의 화학처리, 샌드 매트 처리 등의 물리적 처리, 플라즈마 처리, 코로나 처리 등을 들 수 있다.
상기의 지지 필름의 두께는 특별히 제한은 없지만, 반도체용 접착 필름을 금속판에 붙인 후의 금속판의 휘어짐을 저감시키기 위해서, 100μm 이하인 것이 바람직하고, 50μm 이하가 보다 바람직하고, 25μm 이하가 더 바람직하다. 또한 지지 필름의 두께는, 5μm 이상인 것이 바람직하고, 10μm 이상인 것이 보다 바람직하다.
또한, 지지 필름의 재질을, 상기 수지 이외의, 구리, 알루미늄, 스텐레스스틸 및 니켈로 구성된 군으로부터 선택할 수도 있다. 지지 필름을 상기의 금속으로 함으로써 금속판과 지지 필름의 선팽창계수를 근접시켜, 반도체용 접착 필름을 금속판에 붙인 후의 접착 필름 부착 금속판의 휘어짐을 저감시킬 수 있다.
본 발명에 따른 반도체용 접착 필름의 두께는 특별히 제한은 없지만, 박리시의 박리 각도를 크게 취할 수록 박리가 용이해지므로, 200μm 이하인 것이 바람직하고, 100μm 이하가 보다 바람직하고, 50μm 이하가 더 바람직하다.
본 발명에 따른 반도체용 접착 필름은, 지지 필름의 일면 또는 양면에 수지층을 설치했을 경우, 특히 지지 필름의 일면에 수지층A를 설치했을 경우, 수지층의 두께(A)와 지지 필름의 두께(B)와의 비(A/B)가 0.5 이하인 것이 바람직하고, 0.3 이하가 보다 바람직하고, 0.2 이하가 더 바람직하다. 수지층의 두께(A)와, 지지 필름의 두께(B)의 비(A/B)가 0.5를 넘을 경우, 코팅후의 용제제거시의 수지층의 부피감소에 의해 필름이 말리기 쉽고, 금속판에 접착할 때의 작업성이나 생산성이 저하하기 쉬운 경향이 있다. 지지 필름의 양면에 수지층을 설치했을 경우에는, 양쪽 수지층의 두께의 비를 0.8:1∼1.2:1로 하는 것이 바람직하고, 0.9:1∼1.1:1로 하는 것이 보다 바람직하고, 1:1로 하는 것이 특히 바람직하다. 또한, 수지층A의 두께(A)는 1∼20μm인 것이 바람직하고, 3∼15μm인 것이 보다 바람직하고, 4∼10μm인 것이 더 바람직하다.
용제제거시의 수지층A의 부피감소에 기인하는 반도체용 접착 필름의 컬(말림)을 상쇄하기 위해서, 지지 필름의 양면에 수지층A를 설치해도 좋다. 지지 필름의 일면에 수지층A를 설치하고, 반대면에 고온에서 연화되기 어려운 수지층을 설치하는 것이 바람직하다. 즉, 상기 지지 필름의 일면에 접착성을 갖는 수지층A를 형성하고, 그 반대면에 230℃에 있어서의 탄성율이 10MPa 이상인 접착성을 갖지 않는 수지층B를 형성하는 것이 바람직하다.
본 발명에 있어서는, 접착성을 갖지 않는 수지층B의 230℃에서의 탄성율은 10MPa 이상인 것이 바람직하고, 100MPa 이상인 것이 보다 바람직하고, 1000MPa 이상이 더 바람직하다. 수지층B의 230℃에서의 탄성율이 10MPa 미만인 경우, 와이어 본드 공정 등의 열이 가해지는 공정에서 연화하기 쉽고, 금형이나 지그에 부착하기 쉬운 경향이 있다. 이 탄성율은, 2000MPa 이하인 것이 바람직하고, 1500MPa 이하인 것이 보다 바람직하다.
상기의 접착성을 갖지 않는 수지층B의 금형이나 지그에 대한 접착력은, 공정상, 금형이나 지그에 붙지 않는 정도로 낮으면 특별히 제한은 없지만, 25℃에 있어서의 수지층B와 금형이나 지그와의 90도 필 강도가 5N/m 미만인 것이 바람직하고, 1N/m이하인 것이 보다 바람직하다. 이 필 강도는, 예컨대, 놋쇠제의 금형에 온도 250℃、압력 8MPa에서 10초간 압착한 후에 측정한다
상기의 230℃에서의 탄성율이 10MPa 이상인 수지층B의 유리 전이 온도는, 접착 공정, 와이어 본드 공정, 밀봉공정, 박리공정 등에서 연화되기 어렵고, 금형이나 지그에 부착하기 어렵게 하기 위해서, 150℃ 이상인 것이 바람직하고, 200℃ 이상이 보다 바람직하고, 250℃ 이상이 더 바람직하다. 또한, 이 유리 전이 온도는, 350℃ 이하인 것이 바람직하고, 300℃ 이하인 것이 보다 바람직하다.
상기의 수지층B의 형성에 이용할 수 있는 수지(b)의 조성에는 특별히 제한은 없고, 열가소성수지 및 열경화성수지의 어느 것이나 이용할 수 있다. 열가소성수지의 조성은, 특별히 제한은 없지만, 상기한 수지와 같은, 아미드기, 에스테르기, 이미드기 또는 에테르기를 갖는 열가소성수지가 바람직하다. 특히 상기의 염기성분(3) 1몰과 상기의 산성분(A) 0.95 ∼1.O5몰, 바람직하게는 0.98∼1.02몰을 반응시켜 수득되는 방향족 폴리에테르아미드이미드가 바람직하다. 또한, 열경화성수지의 조성에는, 특별히 제한은 없지만, 예컨대, 에폭시 수지, 페놀 수지, 비스말레이미드수지(예컨대 비스(4-말레이미드페닐)메탄을 모노머로 하는 비스말레이미드수지)등이 바람직하다. 또한, 열가소성수지와 열경화성수지를 조합하여 이용할 수도 있다. 열가소성수지와 열경화성수지를 조합시킬 경우, 열가소성수지 100중량부에 대하여, 열경화성수지 5∼100 중량부로 하는 것이 바람직하고, 20∼70 중량부로 하는 것이 보다 바람직하다.
게다가, 상기의 수지(b)에 세라믹가루, 유리가루, 은가루, 구리가루, 수지입자, 고무입자 등의 필러나 커플링제를 첨가하는 것이 바람직하다. 필러를 첨가할 경우, 그 첨가량은, 수지(b) 100중량부에 대하여 1∼30중량부로 하는 것이 바람직하고, 5∼15중량부로 하는 것이 보다 바람직하다. 커플링제의 첨가량은, 수지(b) 10O중량부에 대하여 1∼20중량부로 하는 것이 바람직하고, 5 ∼15중량부로 하는 것이 보다 바람직하다.
상기의 접착성을 갖지 않는 수지층B를 지지 필름 상에 형성하는 방법으로는, 특별히 제한은 없지만, 통상, 수지(b)를 N-메틸―2-피롤리돈, 디메틸아세트아미드, 디에틸렌글리콜디메틸에테르, 테트라히드로푸란, 시클로헥산온, 메틸에틸케톤, 디메틸포름아미드 등의 용제에 용해해서 제작한 수지 니스를, 지지 필름 위에 코팅 한 후, 가열 처리해서 용제를 제거함으로써 형성할 수가 있다. 또는, 니스 도포후에 가열 처리 등에 의해 내열성 수지(b)(예컨대 폴리이미드 수지)가 되는 수지(b)의 전구체(예컨대 폴리아미드산)를 용제에 용해한 전구체 니스를 지지 필름 위에 코팅 한 후, 가열 처리함으로써 형성할 수가 있다. 이 경우, 코팅후의 가열 처리에 의해, 용제를 제거하고, 전구체를 수지(b)로 한다(예컨대 이미드화). 코팅면의 표면상태 등의 점으로부터, 수지 니스를 이용하는 것이 바람직하다..
상기의 니스를 코팅한 지지 필름을 용제의 제거나 이미드화 등을 위해 가열 처리할 경우의 처리 온도는, 수지 니스인지 전구체 니스인지에 따라 다르다. 수지 니스의 경우에는 용제를 제거할 수 있는 온도라면 좋고, 전구체 니스의 경우에는, 이미드화시키기 위해서 수지층B의 유리 전이 온도 이상의 처리 온도가 바람직하다.
상기의 수지(b)로서 열경화성수지 또는 열가소성수지와 열경화성수지의 조합을 이용할 경우는, 코팅후의 가열 처리에 의해 열경화성수지를 경화시켜, 수지층B의 탄성율을 10MPa 이상으로 할 수도 있다. 이 가열 처리는, 용제의 제거나 이미드화와 동시에 할 수도 있고, 별도로 할 수도 있는다.
상기의 수지층B에 있어서, 용제제거시의 수지층B의 부피감소 또는 이미드화나 열경화성수지의 경화시의 수축에 의해 수지층A의 부피감소에 기인하는 반도체용 접착 필름의 컬을 상쇄할 수 있다.
상기에 있어서, 수지(b)의 수지 니스 또는 전구체 니스의 코팅방법은 특별히 제한은 없지만, 예컨대, 롤 코트, 리버스 롤 코트, 그라비어 코트, 바 코트, 콤마 코트 등을 이용해서 행하여진다. 또한 수지 니스 또는 전구체 니스 중에 지지 필름을 통과시켜서 코팅해도 좋다.
접착 필름 부착 금속판, 접착 필름 부착 배선 회로
본 발명의 접착 필름 부착 금속판, 접착 필름 부착 배선 회로는, 예컨대, 본 발명의 반도체용 접착 필름을, 수지층A를 금속판의 일면에 접해서 접착함으로써 제조할 수 있다.
본 발명에 있어서, 금속판에의 반도체용 접착 필름의 접착 조건은 특별히 제한은 없지만, 금속판 가공 전의 금속판과 수지층A와의 25℃에 있어서의 90도 필 강도가 20N/m 이상이 되도록 설정하면 좋다. 90도 필 강도가 20N/m 미만인 경우, 금속판 가공시에 에칭액의 침투에 의한 회로 이지러짐 등의 회로형성 불량이 일어나기 쉽고, 또한 배선 회로가 가늘 경우에는 접착 필름 부착 배선 회로의 세정 공정이나 반송 공정에서, 반도체용 접착 필름으로부터 배선 회로가 벗겨지기 쉽고, 또한 밀봉공정시 배선 회로와 수지층A 사이에 밀봉용 수지가 들어가는 등의 문제가 있다. 또한, 이 90도 필 강도는, 2000N/m 이하인 것이 바람직하고, 1500N/m 이하인 것이 보다 바람직하고, 1000N/m이하인 것이 보다 바람직하다.
본 발명에 있어서, 접착 온도는 150∼400℃ 사이인 것이 바람직하고, 180∼350℃가 보다 바람직하고, 200∼300℃가 더 바람직하다. 온도가 150℃ 미만인 경우, 금속판과 수지층A와의 90도 필 강도가 저하하는 경향이 있다. 또한 400℃를 넘으면, 금속판이 열화하는 경향이 있다.
본 발명에 있어서, 금속판에의 반도체용 접착 필름의 접착 압력은 0.5∼30MPa 사이가 바람직하고, 1∼20MPa가 보다 바람직하고, 3∼15MPa가 더 바람직하다. 접착 압력이 0.5MPa 미만인 경우, 수지층A와 금속판과의 90도 필 강도가 저하하는 경향이 있다. 또한 30MPa를 넘으면, 금속판이 파손되기 쉬운 경향이 있다.
본 발명에 있어서, 금속판에의 반도체용 접착 필름의 접착시간은 0.1∼60초 사이가 바람직하고, 1∼30초가 보다 바람직하고, 3∼20초가 더 바람직하다. 접착시간이 0.1초 미만인 경우, 수지층A와 금속판과의 90도 필 강도가 저하하기 쉬운 경향이 있다. 또한 60초를 넘으면, 작업성과 생산성이 저하하기 쉬운 경향이 있다. 또한, 압력을 가하기 전에, 5∼60초 정도의 예비가열을 하는 것이 바람직하다.
본 발명에 있어서, 금속판의 재질에는 특별히 제한은 없지만, 예컨대, 42알로이 등의 철계 합금, 또는 구리나 구리계 합금, 알루미늄, 알루미늄과 구리를 적층한 복합다층박 등을 이용할 수 있다. 전해박, 압연박 등 제조방법에도 제한은 없다. 또한, 구리나 구리계 합금의 금속판의 표면에는, 팔라듐, 니켈, 금, 은 등을 피복할 수도 있다.
금속판의 두께에도 특별히 제한은 없지만, 얇은 쪽이 미세한 금속판 가공, 즉 배선 회로 형성에 유리하다. O.1∼500μm가 바람직하고, 1∼50μm가 특히 바람직하다. 3 ∼15μm가 더 바람직하다. 500μm 보다 두꺼우면 회로형성에 시간이 걸리고, 또 접착 필름 부착 배선 회로가 굴곡성이 모자라기 때문에 릴 대 릴 방식으로 제조할 경우, 반송 공정 등에 불량이 생긴다. 아울러 반도체 패키지의 두께를 얇게 할 수 없게 된다. 0.1μm 보다 얇으면 와이어 본드가 어렵고, 또한, 배선판에 패키지를 접속할 때에 도통불량이 생길 우려가 있다.
금속판을 가공해서 배선 회로로 하는 방법에는 특별히 제한은 없다. 예컨대 접착 필름 부착 금속판의 접착 필름과 반대면에 감광성 필름을 붙인 후, 배선 회로의 마스크를 겹쳐서 노광하고, 감광성 필름을 현상한 후, 금속판을 용해하는 약품 (예컨대 구리에 대하여는 염화제이철액, 염화제이구리액, 알칼리 에칭액 등)을 이용해서 에칭함으로써 인너 리드 및 다이 패드 등을 갖는 배선 회로를 얻을 수 있다.
금속판을 가공해서 배선 회로로 한 후, 회로상에 금, 은, 팔라듐 등의 도금을 해도 좋다.
반도체장치
본 발명의 반도체용 접착 필름을 이용해서 제조되는 반도체장치의 구조는 특별히 한정되지 않고, 페이스 업 구조이여도, 페이스 다운 구조이여도 좋다. 예컨대 패키지의 일면(반도체소자측)만을 밀봉하고, 이면의 노출된 리드를 외부접속용으로 이용하는 구조의 패키지(Non Lead Type Package)를 들 수 있다. 상기 패키지의 구체예로는, QFN(Quad Flat Non-1eaded Package), SON(Small Outline Non-1eaded Package), LGA(Land Grid Array) 등을 들 수 있다.
본 발명의 반도체장치는, 예컨대, 반도체용 접착 필름, 반도체용 접착 필름의 수지층A에 일면을 접해서 접착된 배선 회로, 배선 회로의 노출면에 전기적으로 접속된 반도체소자 및 반도체소자를 밀봉하고 있는 밀봉재로 이루어진 접착필름 부착 반도체장치로부터, 반도체용 접착 필름을 박리해서 제조된다.
바람직하게는, 본 발명의 반도체장치는, 예컨대, 반도체용 접착 필름, 반도체용 접착 필름의 수지층A에 일면을 접해서 접착된 배선 회로, 배선 회로의 다이 패드에 접착된 반도체소자, 반도체소자와 배선 회로의 인너 리드를 접속하는 와이어, 그리고 반도체소자 및 와이어를 밀봉하고 있는 밀봉재로 이루어진 구조를 갖는 접착 필름 부착 반도체장치로부터, 반도체용 접착 필름을 박리해서 제조된다.
본 발명의 반도체용 접착 필름을 이용해서 제조되는 반도체장치는, 고밀도화, 소면적화, 박형화 등의 점에서 우수하고, 예컨대 휴대전화 등의 정보기기에 조립된다.
반도체장치의 제조 방법
본 발명의 반도체장치의 제조 방법은, 금속판의 일면에 반도체용 접착 필름을 접착하는 공정, 금속판을 가공해서 배선 회로로 하는 공정, 배선 회로의 노출면 위에 반도체소자를 전기적으로 접속하는 공정, 배선 회로의 노출면 및 반도체소자를 밀봉재로 밀봉하는 공정, 그리고, 반도체용 접착 필름을 배선 회로 및 밀봉재로부터 박리하는 공정으로 이루어진다. 바람직하게는, 본 발명의 반도체장치의 제조 방법은, 금속판의 일면에 반도체용 접착 필름을 접착하는 공정, 금속판을 가공해서 다이 패드 및 인너 리드를 갖는 배선 회로로 하는 공정, 배선 회로의 노출면 상의 다이 패드에 반도체소자를 접착하는 공정, 와이어 본딩에 의해 반도체소자와 인너 리드를 와이어로 접속하는 공정, 배선 회로의 노출면, 반도체소자 및 와이어를 밀봉재로 밀봉하는 공정, 그리고, 반도체용 접착 필름을 배선 회로 및 밀봉재로부터 박리하는 공정으로 이루어진다.
본 발명에 있어서, 배선 회로가 각각 다이 패드 및 인너 리드를 갖는 복수의 패턴으로 이루어진 것일 경우, 필요에 따라, 밀봉한 배선 회로를 분할함으로써 각각 1개의 반도체소자를 갖는 복수의 반도체장치를 얻을 수 있다. 이 분할 공정은, 밀봉 공정 후 또는 반도체용 접착 필름을 박리하는 공정 후의 어디에서 행해도 좋다.
본 발명의 제조 방법에 사용할 수 있는 금속판, 및 반도체용 접착 필름을 금속판에 접착할 때의 접착 조건, 금속판을 가공해서 배선 회로로 하는 방법은, 앞서 본 발명의 접착 필름 부착 배선 회로의 제조에 대해서 기재한 것과 동일하다.
본 발명의 제조 방법에 있어서는, 본 발명의 접착 필름 부착 금속판, 또는 접착 필름 부착 배선 회로를 입수할 수 있을 경우는 그 단계로부터 시작해도 좋다.
반도체소자를 배선 회로의 다이 패드에 접착하기 위해서 이용하는 접착제로서는, 특별히 제한은 없고, 예컨대 은 페이스트 등의 페이스트상 접착제나, 접착 테이프 등을 이용할 수 있다. 반도체소자를 다이 패드에 접착한 후, 통상, 접착제를 140∼200℃에서 30분∼2시간 가열함으로써 경화시킨다.
본 발명에 있어서, 와이어 본딩에 이용하는 와이어의 재질에는 특별히 제한은 없지만, 금선 등을 들 수 있다. 와이어 본딩 공정에서는, 예컨대, 200∼270℃에서 초음파를 병용해서 와이어를 반도체소자 및 인너 리드에 접합한다.
본 발명에 있어서, 밀봉재의 재질에는 특별히 제한은 없지만, 크레졸 노볼락 에폭시 수지, 페놀 노볼락 에폭시 수지, 비페닐디에폭시, 나프톨 노볼락 에폭시 수지 등의 에폭시 수지 등을 들 수 있다.
밀봉재에는, 필러나, 브롬화합물 등의 난연성물질 등의 첨가재가 첨가되어 있어도 좋다. 밀봉재에 의한 밀봉조건은 특별히 제한은 없지만, 통상 150∼200℃, 압력 10∼15MPa에서, 2∼5분 가열함으로써 행하여진다. 밀봉은 반도체소자 하나씩 따로 따로 개별 밀봉해도 좋고, 다수의 반도체소자를 동시에 밀봉하는 일괄밀봉도 좋다.
밀봉재로 밀봉한 후, 반도체용 접착 필름을 떼어 내는 온도는, 0∼250℃ 사이가 바람직하다. 온도가 0℃미만의 경우, 배선 회로 및 밀봉재에 수지가 남기 쉽다.또 온도가 250℃를 넘으면, 배선 회로나 밀봉재가 열화하는 경향이 있다. 같은 이유에서 100∼200℃가 보다 바람직하고, 150∼250℃가 특히 바람직하다.
일반적으로, 밀봉재로 밀봉한 후 밀봉재를 150℃∼200℃ 정도에서 수시간 가열함으로써 경화시키는 공정이 있다. 상기 반도체용 접착 필름을 밀봉재 및 배선 회로로부터 떼어 내는 공정은, 상기의 밀봉재를 경화시키는 공정의 전후의 어디에서 해도 좋다.
본 발명에 있어서, 밀봉재로 밀봉한 후에 반도체용 접착 필름을 0∼250℃에서 떼어 냈을 때, 배선 회로 및 밀봉재에 수지가 남아 있지 않는 것이 바람직하다. 수지의 잔류량이 많을 경우, 외관이 뒤떨어질 뿐만아니라, 배선 회로를 외부접속용으로 이용할 때, 접촉 불량의 원인이 되기 쉽다.
따라서, 배선 회로 및 밀봉재에 잔류한 수지를 기계적 브러싱, 용제 등으로 제거하는 것이 바람직하다. 용제로는, 특별히 제한은 없지만, N-메틸―2-피롤리돈, 디메틸아세트아미드, 디에틸렌글리콜디메틸에테르, 테트라히드로푸란, 시클로헥산온, 메틸에틸케톤, 디메틸포름아미드 등이 바람직하다.
떼어 낸 접착 필름은, 수지의 결손, 밀봉재의 잔류, 배선 회로의 요철의 전사 등에 의해 표면상태가 초기와 다를 경우가 많고, 실제로 재사용할 수 없다.
본 발명에 따른 반도체용 접착 필름은, 금속판 가공전의 금속판과의 25℃에 있어서의 밀착성이 높고, 게다가 수지밀봉후, O∼250℃에서, 배선 회로 및 밀봉수지로부터 간편하게 박리할 수 있기 때문에, 금속판 가공 등의 각공정에 있어서 불량이 생기는 일이 없이, 두께 0.1∼500μm 정도의 박형의 배선 회로를 형성시킬 수도 있고, 반도체 패키지를 높은 작업성과 생산성으로 제조할 수 있도록 하는 것이다.
또한, 이 반도체용 접착 필름을 이용해서 제작되는 본 발명의 반도체장치는, 고밀도화, 소면적화, 박형화의 점에서 뛰어나고, 예컨대, 휴대전화 등의 정보기기에 사용하기에 적합한다.
본 발명은, 금속판에 대하여 충분한 접착력을 갖고, 수지밀봉후에 간단하게 박리할 수 있고, 또한 반도체용도에 필요한 여러가지 특성을 겸비한 반도체용 접착 필름, 이것을 이용한 접착 필름 부착 금속판, 접착 필름 부착 배선 회로 및 반도체장치를 제공하는 것을 목적으로 한다.
또한 본 발명은, 고밀도화, 소면적화 및 박형화한 반도체장치를 뛰어난 생산성으로 제조할 수 있는 반도체장치의 제조 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.
즉, 본 발명은, 금속판의 일면에 반도체용 접착 필름을 붙인 후, 금속판을 가공해서 배선 회로로 하고, 반도체소자를 탑재, 밀봉한 후 박리하는 방법에 사용되는 반도체용 접착 필름으로서, 지지 필름의 일면 또는 양면에 수지층A가 형성되어 있고, 반도체용 접착 필름에 접착한 금속판을 가공해서 배선 회로로 하기 전의 수지층A와 금속판과의 25℃에 있어서의 90도 필 강도가 20N/m 이상이며, 또한, 반도체용 접착 필름에 접착한 배선 회로를 밀봉재로 밀봉한 후의 수지층A와 배선 회로 및 밀봉재와의 0∼250℃의 온도범위의 적어도 한점에 있어서의 90도 필 강도가 어느 것이나 1000N/m 이하인 반도체용 접착 필름에 관한 것이다.
본 발명에 있어서는, 밀봉재로 밀봉한 후의 수지층A와 배선 회로 및 밀봉재와의 100∼250℃의 온도범위의 적어도 한점에 있어서의 90도 필 강도가 어느 것이나 1000N/m 이하인 것이 바람직하다.
본 발명에 있어서는, 밀봉재로 밀봉한 후에 반도체용 접착 필름을 배선 회로 및 밀봉재로부터 떼어 낼 때의 온도에 있어서의 수지층A와 배선 회로 및 밀봉재와의 90도 필 강도가 어느 것이나 1000N/m 이하인 것이 바람직하다.
본 발명에 있어서는, 수지층A의 유리 전이 온도가 100∼300℃인 것이 바람직하다. 또한, 수지층A가 5중량％ 감소하는 온도가 300℃이상인 것이 바람직하다.
본 발명에 있어서는, 수지층A의 230℃에서의 탄성율이 1MPa이상인 것이 바람직하다. 또한, 수지층A가 아미드기, 에스테르기, 이미드기, 에테르기 또는 술폰기를 갖는 열가소성수지를 함유하는 것이 바람직하다. 특히, 수지층A가 아미드기, 에스테르기, 이미드기 또는 에테르기를 갖는 열가소성수지를 함유하는 것이 바람직하다.
본 발명에 있어서는, 지지 필름의 재질이 방향족 폴리이미드, 방향족 폴리아미드, 방향족 폴리아미드이미드, 방향족 폴리술폰, 방향족 폴리에테르술폰, 폴리페닐렌술피드, 방향족 폴리에테르케톤, 폴리아릴레이트, 방향족 폴리에테르에테르케톤 및 폴리에틸렌나프탈레이트로 이루어진 군으로부터 선택되는 것이 바람직하다.
본 발명에 있어서는, 각각의 수지층A의 두께(A)와 지지 필름의 두께(B)의 비(A/B)가 0.5 이하인 것이 바람직하다. 또한, 본 발명의 반도체용 접착 필름의 두께는 200μm 이하인 것이 바람직하다,
본 발명에 있어서는, 지지 필름의 일면에 접착성을 갖는 수지층A가 형성되어 있고, 그 반대면에 230℃에서의 탄성율이 10MPa 이상인 접착성을 갖지 않는 수지층B가 형성되어 있는 것이 바람직하다.
또한, 본 발명은, 본 발명의 반도체용 접착 필름을 금속판에 접착한 접착 필름 부착 금속판, 및 금속판을 가공하여 배선 회로로 수득한 접착 필름 부착 배선 회로에 관한 것이다.
또한, 본 발명은, 본 발명의 반도체용 접착 필름을 이용한 접착 필름 부착 반도체장치에 관한 것이다.
본 발명의 접착 필름 부착 반도체장치는, 반도체용 접착 필름, 반도체용 접착 필름의 수지층A에 일면을 접해서 접착된 배선 회로, 배선 회로의 노출면에 전기적으로 접속된 반도체소자 및 반도체소자를 밀봉하고 있는 밀봉재로 이루어진 것이 바람직하다. 특히, 본 발명의 접착 필름 부착 반도체장치는, 반도체용 접착 필름, 반도체용 접착 필름의 수지층A에 일면을 접해서 형성된 배선회로, 배선 회로의 노출면의 다이 패드에 접착된 반도체소자, 반도체소자와 배선 회로의 인너 리드를 접속하는 와이어 및 반도체소자 및 와이어를 밀봉하고 있는 밀봉재로 이루어진 것이 바람직하다.
또한, 본 발명은, 상기의 접착 필름 부착 반도체장치로부터 반도체용 접착 필름을 박리해서 수득되는 반도체장치에 관한 것이다.
또한, 본 발명은, 금속판의 일면에 반도체용 접착 필름을 접착하는 공정, 금속판을 가공해서 배선 회로로 하는 공정, 배선 회로의 노출면 위에 반도체소자를 전기적으로 접속하는 공정, 배선 회로의 노출면 및 반도체소자를 밀봉재로 밀봉하는 공정, 및 반도체용 접착 필름을 배선 회로 및 밀봉재로부터 박리하는 공정으로이루어진 반도체장치의 제조 방법에 관한 것으로, 바람직하게는 금속판의 일면에 반도체용 접착 필름을 접착하는 공정, 금속판을 가공해서 다이 패드 및 인너 리드를 갖는 배선 회로로 하는 공정, 배선 회로의 노출면상의 다이 패드에 반도체소자를 접착하는 공정, 와이어 본딩에 의해 반도체소자와 인너 리드를 와이어로 접속하는 공정, 배선 회로의 노출면, 반도체소자 및 와이어를 밀봉재로 밀봉하는 공정, 및 반도체용 접착 필름을 배선 회로 및 밀봉재로부터 박리하는 공정으로 이루어진 반도체장치의 제조 방법에 관한 것이다.
본 발명의 반도체장치의 제조 방법에 있어서는, 배선 회로가 각각 다이 패드 및 인너 리드를 갖는 복수의 패턴으로 이루어진 것일 경우에는, 필요에 따라 각각 하나의 반도체소자를 갖는 복수의 반도체장치로 분할한다.
본 발명의 반도체장치의 제조 방법에 있어서는, 반도체용 접착 필름으로서 본 발명의 반도체용 접착 필름을 이용하고, 반도체용 접착 필름의 수지층A를 금속판에 접착하고, 금속판을 가공해서 배선 회로로 하는 것이 바람직하다.
이하 실시예에 의해 본 발명을 구체적으로 설명하지만, 이것들은 본 발명을 제한하는 것은 아니다.
제조예1(실시예1∼4, 7 및 8에 사용한 방향족 폴리에테르아미드이미드 접착제 니스의 제조)
온도계, 교반기, 질소도입관 및 분류탑을 장착한 5리터의 4구 플라스크에 질소분위기하에서 2,2-비스[4-(4-아미노페녹시)페닐]프로판 258.3g(0.63몰), 1,3-비스(3-아미노프로필)-테트라메틸디실록산 10.4g(O.042몰)을 넣고, N-메틸―2-피롤리돈 1450g에 용해했다. 이 용액을 70℃로 승온하고, 1,12-디아미노도데칸 33. 6g(0.168몰)을 용해했다. 아울러 이 용액을 0℃로 냉각하고, 무수 트리메리트산클로라이드 180.4g(0.857몰)을 첨가했다. 무수 트리메리트산 클로라이드가 용해하면,트리에틸아민 130g을 첨가했다. 실온에서 2시간 교반을 계속한 후, 180℃로 승온 해서 5시간 반응시켜 이미드화를 완결시켰다. 수득한 반응액을 메탄올 중에 투입해서 중합체를 단리시켰다. 이것을 건조한 후, N-메틸―2-피롤리돈에 용해하고 메탄올 중에 투입해서 다시 중합체를 단리했다. 그 후, 감압 건조해서 정제된 폴리에테르아미드이미드 분말을 얻었다. 수득한 폴리에테르아미드이미드 분말 120g 및 실란커플링제(신에츠화학공업주식회사제, 상품명:SH6040) 6g을 N-메틸―2-피롤리돈 360g에 용해하여, 방향족 폴리에테르아미드이미드 접착제 니스를 얻었다.
제조예2(실시예5 및 6에 사용한 방향족 폴리에테르아미드이미드 접착제 니스의 제조)
온도계, 교반기, 질소도입관 및 분류탑을 장착한 5리터 4구 플라스크에 질소분위기하에서 2,2-비스[4-(4-아미노페녹시)페닐]프로판 258.6g(0.63몰), 1,3-비스(3-아미노프로필)테트라메틸디실록산 67.Og(0.27몰)을 넣고, N-메틸―2-피롤리돈 1550g에 용해했다. 아울러 이 용액을 0℃로 냉각하고, 이 온도에서 무수 트리메리트산 클로라이드 187.3g(0.89몰)을 첨가했다. 무수 트리메리트산 클로라이드가 용해하면, 트리에틸아민 100g을 첨가했다. 실온에서 2시간 교반을 계속한 후, 180℃로 승온해서 5시간 반응시켜서 이미드화를 완결시켰다. 수득한 반응액을 메탄올 중에 투입해서 중합체를 단리시켰다. 이것을 건조한 후, N-메틸―2-피롤리돈에 용해해 메탄올 중에 투입하여 다시 중합체를 단리했다. 그 후, 감압 건조해서 정제된 폴리에테르아미드이미드 분말을 얻었다. 분리한 폴리에테르아미드이미드 분말 120g 및 실란커플링제(신에츠화학공업주식회사제, 상품명 SH6040) 3.6g을 N-메틸-2-피롤리돈 360g에 용해하여, 방향족 폴리에테르아미드이미드 접착제 니스를 얻었다.
제조예3(실시예5에서 수지층B에 이용한 방향족 폴리에테르아미드이미드 니스의 제조)
온도계, 교반기, 질소도입관 및 분류탑을 장착한 5리터의 4구 플라스크에 질소분위기하에서 2,2-비스[4-(4-아미노페녹시)페닐]프로판 172.4g(0.42몰), 4,4'-메틸렌비스(2,6-디이소프로필아닐린) 153.7g(0.42몰)을 넣고, N-메틸―2-피롤리돈 1550g에 용해했다. 아울러 이 용액을 0℃로 냉각하고, 이 온도에서 무수 트리메리트산 클로라이드 174.7g(0.83몰)을 첨가했다. 무수 트리메리트산 클로라이드가 용해하면, 트리에틸아민 130g을 첨가했다. 실온에서 2시간 교반을 계속한 후, 180℃로 승온해서 5시간 반응시켜서 이미드화를 완결시켰다. 수득한 반응액을 메탄올 중에 투입해서 중합체를 단리시켰다. 이것을 건조한 후, N-메틸―2-피롤리돈에 용해하고 메탄올 중에 투입해서 다시 중합체를 단리했다. 그 후, 감압 건조해서 정제된 폴리에테르아미드이미드 분말을 수득했다. 수득한 폴리에테르아미드이미드 분말 120g에 실란커플링제(신에츠화학공업주식회사제, 상품명:SH6040) 6g을 N-메틸―2-피롤리돈 360g에 용해하여, 방향족 폴리에테르아미드이미드 니스를 얻었다.
제조예4(실시예6에서 수지층B에 이용한 방향족 폴리에테르아미드이미드 분말의 합성)
온도계, 교반기, 질소도입관 및 분류탑을 장착한 5리터의 4구 플라스크에 질소분위기하에서 2,2-비스[4-(4-아미노페녹시)페닐]프로판 270.9g(O.66몰), 1,3-비스(3-아미노프로필)-테트라메틸디실록산 8.7g(O.035 몰)을 넣고, N-메틸―2-피롤리돈 1950g에 용해했다. 아울러 이 용액을 O℃로 냉각하고, 이 온도에서 무수 트리메리트산 클로라이드 149.5g(0.71몰)을 첨가했다. 무수 트리메리트산 클로라이드가 용해하면, 트리에틸아민 100g을 첨가했다. 실온에서 2시간 교반을 계속한 후, 180℃로 승온해서 5시간 반응시켜서 이미드화를 완결시켰다. 수득한 반응액을 메탄올 중에 투입해서 중합체를 단리시켰다. 이것을 건조한 후, N-메틸―2-피롤리돈에 용해하고 메탄올 중에 투입해서 다시 중합체를 단리했다. 그 후, 감압 건조해서 정제된 방향족 폴리에테르아미드이미드 분말을 얻었다.
제조예5(실시예9에 사용한 방향족 폴리에테르아미드이미드 접착제 니스의 제조)
제조예4에서 수득한 폴리에테르아미드이미드 분말 120g 및 실란커플링제(신에츠화학공업주식회사제, 상품명:SH6040) 3.6g을 N-메틸―2-피롤리돈 360g에 용해하여, 방향족 폴리에테르아미드이미드 접착제 니스를 얻었다.
제조예6(실시예10에 사용한 방향족 폴리에테르이미드 접착제 니스의 제조)
온도계, 교반기, 질소도입관 및 분류탑을 장착한 5리터의 4구 플라스크에 질소분위기하에서 2,2-비스[4-(4-아미노페녹시)페닐] 프로판 102.5g(O.25몰), 4,4'-메틸렌비스(2,6-디이소프로필아닐린) 91.5g(O.25몰)을 넣고, N-메틸―2-피롤리돈 1900g에 용해했다. 아울러 이 용액을 0℃로 냉각하고, 이 온도에서 비스페놀A 비스트리메리테이트 이무수물 282.2g(0.49몰)을 첨가했다. 그 후, 실온에서 20분간, 60℃에서 2시간 교반을 계속한 후, 180℃로 승온해서 5시간 반응시켜서 이미드화를 완결시켰다. 수득한 반응액을 메탄올 중에 투입해서 중합체를 단리시켰다. 이것을 건조한 후, N-메틸―2-피롤리돈에 용해하고 메탄올 중에 투입해서 다시 중합체를 단리했다. 그 후, 감압 건조해서 정제된 폴리에테르이미드 분말을 얻었다. 수득한 폴리에테르이미드 분말 120g을 N-메틸―2-피롤리돈 360g에 용해하여, 방향족 폴리에테르이미드 접착제 니스를 얻었다.
제조예7(실시예11 및 12에 사용한 방향족 폴리에테르아미드이미드 접착제 니스의 제조)
온도계, 교반기, 질소도입관 및 분류탑을 장착한 5리터의 4구 플라스크에 질소분위기하에서 비스[4-(4-아미노페녹시)페닐]술폰 250.9g(0.58몰）, 1,3-비스(3-아미노프로필)-테트라메틸디실록산 7.4g(0.03몰)을 넣고, N-메틸―2-피롤리돈 1500g에 용해했다. 아울러 이 용액을 0℃로 냉각하고, 이 온도에서 무수 트리메리트산 클로라이드 126.3g (0.6몰)을 첨가했다.
무수 트리메리트산 클로라이드가 용해하면 트리에틸아민 67g을 첨가했다. 실온에서 2시간 교반을 계속한 후, 180℃로 승온해서 5시간 반응시켜서 이미드화를 완결시켰다. 수득한 반응액을 메탄올 중에 투입해서 중합체를 단리시켰다. 이것을 건조한 후, N-메틸―2-피롤리돈에 용해하고 메탄올 중에 투입해서 다시 중합체를 단리했다. 그 후, 감압 건조해서 정제된 폴리에테르아미드이미드 분말을 얻었다. 수득한 폴리에테르아미드이미드 분말 120g 및 실란커플링제(신에츠화학공업주식회사제, 상품명:SH6040) 6.Og을 N-메틸―2-피롤리돈 360g에 용해하여 방향족 폴리에테르아미드이미드 접착제 니스를 얻었다.
제조예8(비교예1에 사용한 폴리실록산폴리아미드 블록공중합체 접착제 니스의 제조)
온도계, 교반기, 질소도입관 및 분류탑을 장착한 5리터의 4구 플라스크에 질소분위기하에서 2,2-비스[4-(4-아미노페녹시)페닐]프로판 295.2g(0.72몰), 실리콘디아민(신에츠화학공업주식회사제, 상품명:X-22-161B) 540g(0.18몰)을 넣고, 디에틸렌글리콜디메틸에테르 2400g에 용해했다. 아울러 이 용액을 -10℃로 냉각하고, 이 온도에서 이소프탈산 클로라이드 188.8g(O.93몰)을 첨가했다. 그 후, 1시간 교반한 후, 프로필렌옥사이드 214g을 첨가했다. 아울러 실온에서 30분간 교반을 계속한 후 40℃로 승온해서 5시간 반응시켰다. 수득한 반응액을 메탄올 중에 투입해서 중합체를 단리시켰다. 이것을 건조한 후, 디메틸포름아미드에 용해하고 메탄올 중에 투입해서 다시 중합체를 단리했다. 그 후, 감압 건조해서 정제된 폴리실록산폴리아미드블록공중합체 분말을 얻었다. 수득한 수지분말 120g 및 실란커플링제(신에츠화학공업주식회사제, 상품명:SH6040) 6.Og을 N-메틸―2-피롤리돈 360g에 용해하여, 폴리실록산폴리아미드 블록공중합체 접착제 니스를 얻었다.
제조예9(비교예3에 사용한 방향족 폴리에테르아미드이미드 접착제 니스의 제조)
온도계, 교반기, 질소도입관 및 분류탑을 장착한 5리터의 4구 플라스크에 질소분위기하에서 비스[4-(4-아미노페녹시)페닐〕술폰 259.6g(0.60몰)을 넣고, N-메틸-2-피롤리돈 1500g에 용해했다. 아울러 이 용액을 O℃로 냉각하고, 이 온도에서 무수 트리메리트산 클로라이드 126.3g(0.6몰)을 첨가했다. 무수 트리메리트산 클로라이드가 용해하면, 트리에틸아민 67g을 첨가했다. 실온에서 2시간 교반을 계속한 후, 180℃로 승온해서 5시간 반응시켜서 이미드화를 완결시켰다. 수득한 반응액을 메탄올 중에 투입해서 중합체를 단리시켰다. 이것을 건조한 후, N-메틸―2-피롤리돈에 용해하고, 메탄올 중에 투입해서 다시 중합체를 단리했다. 그 후, 감압 건조해서 정제된 폴리에테르아미드이미드 분말을 얻었다. 수득한 폴리에테르아미드이미드 분말 120g 및 실란커플링제(신에츠화학공업주식회사제, 상품명;SH6040) 6.0g을 N-메틸-2-피롤리돈 360g에 용해하여, 방향족 폴리에테르아미드이미드 접착제 니스를 얻었다.
실시예1
두께 125μm의 표면에 화학 처리를 실시한 폴리이미드 필름(우베흥산(주)제유피렉스 SGA)을 지지 필름으로서 이용했다. 이 폴리이미드 필름의 일면에, 제조 예1에서 제조한 방향족 폴리에테르아미드이미드 접착제 니스를 90μm의 두께로 유연하고, 10O℃에서 10분, 300℃에서 10분 건조하여, 지지 필름(1)의 일면에 두께 25μm의 수지층(A2)가 부착된 도1의 구성의 반도체용 접착 필름을 얻었다. 수지층A는, 유리 전이 온도가 195℃, 5％ 중량감소 온도가 421℃, 230℃에 있어서의 탄성율이 7MPa인 것이었다. 수지층(A2)의 두께(A)와, 지지 필름(1)의 두께(B)와의 두께의 비(A/B)는 0.2이었다.
이어서, 온도 250℃, 압력 8MPa, 시간 10초로 10μm의 압연구리박에 접착하고, 25℃에 있어서의 수지층A와 구리박과의 90도 필 강도(박리속도:매분 300mm, 이하 같음)를 측정한 바, 150N/m이고, 반송시에 벗겨지는 불량은 생기지 않았다. 또한 반도체용 접착 필름의 컬은 적고, 접착시의 작업성은 양호했다.
도2에, 이 반도체용 접착 필름을 이용해서 반도체장치를 제조하는 공정을 나타낸다. 도2(a), (b)에 도시한 바와 같이, 반도체용 접착 필름의 수지층A에 구리박(3)을 맞추어 붙이고, 도2(c), (d), (e), (f), (g)에 도시한 바와 같이, 반도체용 접착 필름과 반대면의 구리박에 감광성 필름(4)을 붙인 후, 배선 회로의 마스크(5)를 겹쳐서 UV광으로 노광하고, 이어서 감광성 필름(4)을 현상한 후, 염화제이철용액을 이용해서 에칭함으로써 인너 리드(6) 및 다이 패드(7)을 갖는 배선 회로를 얻었다. 금속판을 가공해서 배선 회로로 한다
공정에 있어서, 에칭액의 침투에 의한 회로형성 불량이나 세정공정, 반송공정에서 회로가 벗겨지는 등의 불량은 없었다.
상기에서 얻은 배선회로의 다이패드(7)에, 도2(h)에 도시한 바와 같이, 반도체소자(8)을 다이본드재(9)를 이용해서 접착하고, 반도체소자(8)과 인너 리드(6)을 와이어(10)을 이용해서 와이어본드하고, 배선 회로와 반도체소자와 와이어를 밀봉재(11)로 밀봉해서 패키지를 얻었다. 수득한 패키지는, 도2(h)의 패키지가 복수 연결된 도3에 나타내는 구조를 갖는 것이다(은 페이스트(다이 본드재(9)는 도시하지 않았다). 또한, (6), (7)은 모두 금속판(여기서는 구리박)을 가공해서 얻은 배선 회로의 일부다. 반도체소자의 접착에는 은 페이스트를 이용하고, 150℃에서 60분가열해서 은 페이스트를 경화시켰다. 와이어 본드는, 와이어로서 금선을 이용하고, 230℃에서 초음파를 병용해 행했다. 밀봉공정에서는 밀봉재로 비페닐 밀봉재(히타치화성공업주식회사제, 상품명:CEL9200)를 이용하고, 온도 180℃, 압력 10MPa, 시간 3분으로 행한 후, 180℃에서 5시간 가열하여 밀봉수지를 경화시켰다. 어느 공정에서도 문제는 생기지 않았다. 밀봉공정후, 도2(i)에 도시한 바와 같이, 235℃에서 배선 회로와 밀봉재로부터 반도체용 접착 필름(12)을 떼어 낸 바(박리속도:매분 300mm, 이하 같음), 90도 필 강도는 350N/m이고, 간단히 벗길 수 있고, 수지는 배선 회로 및 밀봉수지에 거의 잔류하지 않았다. 극미량 잔류한 수지도 N-메틸―2-피롤리돈으로 세정함으로써 제거할 수 있었다.
게다가, 이 패키지를 다이싱에 의해 분할하여 각각 하나씩의 반도체소자를 갖는 패키지를 제작했지만, 공정중 문제는 없었다.
실시예2
지지 필름으로서 두께 50μm의 표면에 화학 처리를 실시한 폴리이미드 필름(우베흥산(주)제, 유피렉스 SGA)을 이용하는 것 외에는, 실시예1에서와 같은 방법으로 반도체용 접착 필름을 제작했다. 수지층A의 두께(A)와 지지 필름의 두께(B)와의 두께의 비(A/B)는 0.5이었다. 이어서, 온도 250℃, 압력 8MPa, 시간 10초로 10μm의 압연 구리박에 접착하고, 25℃에 있어서의 수지층A와 금속판과의 90도 필 강도를 측정한 바, 170N/m이고, 반송시에 벗겨지는 불량은 생기지 않았다. 또한 반도체용 접착 필름의 컬은 적고, 접착시의 작업성은 양호했다. 아울러, 이 반도체용 접착 필름을 접착한 구리박을 이용하고, 실시예1과 같은 방법으로 금속판 가공, 배선회로에의 반도체소자의 접착, 와이어 본드 공정 및 밀봉공정을 행하여 도3의 구조의 패키지를 제작했지만, 어느 공정에서도 문제는 생기지 않았다. 밀봉공정후, 235℃에서 배선 회로와 밀봉재로부터 반도체접착 필름을 떼어낸 바, 90도 필 강도는 330N/m이고, 간단히 떼어낼 수 있었다. 수지는 배선 회로 및 밀봉재에 거의 부착 잔류하지 않았다.
실시예3
지지 필름으로서 두께 25μm의 표면에 화학 처리를 실시한 폴리이미드 필름(우베흥산(주)제, 유피렉스 SGA)을 이용하는 것 이외는, 실시예1과 같은 방법으로 반도체용 접착 필름을 제작했다. 수지층A의 두께(A)와, 지지필름의 두께(B)와의 두께의 비(A/B)는 1.O이었다. 이어서, 온도 250℃, 압력 8MPa, 시간 10초로 10μm의 압연 구리박에 접착하고, 25℃에 있어서의 수지층A와 금속판과의 90도 필 강도를 측정한 바, 170N/m이고, 반송시 박리되는 불량은 생기지 않았다. 또한 반도체용 접착 필름의 컬은 다소 컸지만, 접착시의 작업성은 양호했다. 아울러, 이 반도체용 접착필름을 접착한 구리박을 이용하여, 실시예1에서와 같은 방법으로 금속판 가공, 배선 회로에의 반도체소자의 접착, 와이어 본드 공정 및 밀봉공정 및 절단을 행하여, 도3의 구조의 패키지를 제작했지만, 어느 공정에서도 문제는 생기지 않았다. 밀봉공정후, 235℃에서 배선 회로와 밀봉재로부터 접착 필름을 떼어낸 바, 90도 필 강도는 300N/m이고, 간단히 떼어낼 수 있었다. 또한, 수지는 배선 회로 및 밀봉재에 거의 부착 잔류하지 않았다.
실시예4
지지 필름으로서 두께 25μm의 표면에 플라즈마 처리를 실시한 폴리이미드 필름(우베흥산(주)제, 유피렉스 SPA)을 이용하는 것 이외는, 실시예1과 같은 방법으로 반도체용 접착 필름을 제작했다. 수지층A의 두께(A)와, 지지 필름의 두께(B)와의 두께의 비(A/B)는 1.0이었다. 이어서, 온도 250℃, 압력 8MPa, 시간 10초로 70μm의 압연 구리박에 접착하고, 25℃에 있어서의 수지층A와 금속판과의 90도 필 강도를 측정한 바, 170N/m이고, 반송시에 벗겨지는 불량은 생기지 않았다. 또한 반도체용 접착 필름의 컬은 적고, 접착시의 작업성은 양호했다. 아울러, 이 반도체용접착 필름을 접착한 구리박을 이용하여, 실시예1에서와 같은 방법으로 금속판 가공, 배선회로에의 반도체소자의 접착, 와이어 본드 공정 및 밀봉공정을 행하여, 도3의 구조의 패키지를 제작했지만, 어느 공정에서도 문제는 생기지 않았다. 밀봉공정후, 235℃에서 배선 회로와 밀봉재로부터 접착 필름을 때어낸 바, 90도 필 강도는 300N/m이고, 간단히 떼어낼 수 있었다. 게다가 수지는 배선 회로 및 밀봉재에 거의 부착 잔류하지 않았다.
실시예5
지지 필름으로서, 두께 25μm의 표면에 플라즈마 처리를 실시한 폴리이미드 필름(우베흥산(주)제, 유피렉스 SPA)을 이용했다. 이 폴리이미드 필름의 일면에, 제조예2에서 제조한 방향족 폴리에테르아미드이미드 접착제 니스를 50μm의 두께로 유연하고, 100℃에서 10분, 300℃에서 10분 건조하여, 두께 10μm의 수지층A를 형성했다. 이 수지층A의 유리 전이 온도는 187℃, 5％ 중량감소 온도는 429℃, 230℃에 있어서의 탄성율은 5MPa이었다. 아울러, 폴리이미드 필름의 반대면에, 제조예3에서 제조한 방향족 폴리에테르아미드이미드 수지 니스를 50μm의 두께로 유연하고, 100℃에서 10분, 300℃에서 10분 건조하여, 두께 10μm의 수지층B를 형성했다. 이 수지층B의 유리 전이 온도는 260℃、5% 중량감소 온도는 421℃、230℃에 있어서의 탄성율은 1700MPa이었다. 이것에 의해 도4와 같이, 지지 필름(1)에 수지층(A2)와 수지층(B13)이 한 면씩에 도포된 반도체용 접착 필름을 얻었다.
이어서, 온도 250℃, 압력 8MPa, 시간 10초로, 10μm의 압연 구리박에 접착한 후의 25℃에 있어서의 금속판과의 90도 필 강도를 측정한 바, 130N/m이고, 반송시에 벗겨지는 불량은 생기지 않았다. 또한 반도체용 접착 필름의 컬은 거의 없고, 접착시의 작업성은 양호했다. 아울러, 이 반도체용 접착 필름을 접착한 구리박을 이용하여, 실시예1에서와 같은 방법으로, 금속판 가공, 배선 회로에의 반도체소자의 접착, 와이어 본드 공정 및 밀봉공정을 행하여, 도3의 구조의 패키지를 제작했지만, 어느 공정에서도 문제는 생기지 않았다. 밀봉공정후, 205℃에서 배선 회로와 밀봉재로부터 접착 필름을 떼어낸 바, 90도 필 강도는 280N/m이고, 간단히 떼어낼 수 있었다. 게다가 수지는 배선 회로 및 밀봉재에 거의 부착 잔류하지 않았다.
실시예6
지지 필름으로서, 두께 25μm의 표면에 화학 처리를 실시한 폴리이미드 필름(우베흥산(주)제, 유피렉스 SGA)을 이용했다. 이 폴리이미드 필름의 일면에, 제조 예2에서 제조한 방향족 폴리에테르아미드이미드 접착제 니스를 50μm의 두께로 유연하고, 100℃에서 10분, 300℃에서 10분 건조하여, 두께 10μm의 수지층A를 형성했다. 이 수지층A의 유리 전이 온도는 187℃, 5％ 중량감소 온도는 429℃, 230℃에 있어서의 탄성율은 5MPa이었다. 아울러, 폴리이미드 필름의 반대면에, 제조예4에서 제조한 유리 전이 온도 230℃의 방향족 폴리에테르아미드이미드 분말과 비스(4-말레이미드페닐)메탄을 6/4(전자/후자)의 중량비로 혼합한 수지 니스를 50μm의 두께로 유연하고, 100℃에서 10분, 300℃에서 10분 건조하여, 두께 10μm의 수지층B를 형성했다. 수지층B의 230℃에 있어서의 탄성율은 500MPa이었다. 이것에 의해 도4와 같이, 지지 필름(1)에 수지층(A2)와 수지층(B13)이 한 면씩에 도포된 반도체용 접착 필름을 얻었다.
그 후, 온도 250℃, 압력 8MPa, 시간 10초로, 10μm의 압연 구리박에 접착한 후의 25℃에 있어서의 수지층A와 금속판과의 90도 필 강도를 측정한 바, 130N/m이고, 반송시에 벗겨지는 불량은 생기지 않았다. 또한 반도체용 접착 필름의 컬은 거의 없고, 접착시의 작업성은 양호했다.
아울러, 이 반도체용 접착 필름을 접착한 구리박을 이용하여, 실시예1에서와 같은 방법으로, 금속판 가공, 배선 회로에의 반도체소자의 접착, 와이어 본드 공정 및 밀봉공정을 행하여, 도3의 구조의 패키지를 제작했지만, 어느 공정에서도 문제는 생기지 않았다. 밀봉공정후, 205℃에서 배선 회로와 밀봉재로부터 접착 필름을 떼어낸 바, 90도 필 강도는 280N/m이고, 간단히 떼어낼 수 있었다. 게다가, 수지는 배선 회로 및 밀봉재에 거의 부착 잔류하지 않았다.
실시예7
지지 필름으로서, 두께 125μm의 표면에 화학 처리를 실시한 폴리이미드 필름(우베흥산(주)제, 유피렉스 SGA)의 대신에, 두께 125μm의 폴리에틸렌나프탈레이트 필름(테이진(주)제, 상품명:TEONEX)을 이용하는 것 외에는, 실시예1에서와 같은 방법으로 반도체용 접착 필름을 제작했다. 수지층A의 두께(A)와, 지지 필름의 두께(B)와의 두께의 비(A/B)는 0.2이었다. 이어서, 온도 250℃, 압력 8MPa, 시간 10초로 10μm의 압연 구리박에 접착하고, 25℃에 있어서의 수지층A와 금속판과의 90도 필 강도를 측정한 바, 150N/m이고, 반송시에 벗겨지는 불량은 생기지 않았다. 또한 반도체용 접착 필름의 컬은 다소 컸지만, 접착시의 작업성은 양호했다. 아울러, 이 반도체용 접착 필름을 접착한 구리박을 이용하여, 실시예1에서와 같은 방법으로 금속판 가공, 배선 회로에의 반도체소자의 접착, 와이어 본드 공정 및 밀봉공정을 행하여, 도3의 구조의 패키지를 제작했지만, 어느 공정에서도 문제는 생기지 않았다. 밀봉공정후, 235℃에서 배선 회로와 밀봉재로부터 접착 필름을 떼어낸 바, 90도 필 강도는 350N/m이고, 간단히 떼어낼 수 있었다. 게다가, 수지는 배선 회로 및 밀봉재에 거의 부착 잔류하지 않았다.
실시예8
지지 필름으로서 두께25μm의 표면에 화학 처리를 실시한 폴리이미드필름(우베흥산 (주)제, 유피렉스 SGA)을 이용하는 것을 제외하고는, 실시예1에서와 같은 방법으로 반도체용 접착 필름을 제작하고, 온도 350℃, 압력 3MPa, 시간 3초로, 150μm의 42알로이판에 접착하고, 25℃에 있어서의 수지층A와 금속판과의 90도 필 강도를 측정한 바, 900N/m이고, 반송시에 박리되는 불량은 생기지 않았다. 또한 반도체용 접착 필름의 컬은 적고, 접착시의 작업성은 양호했다. 아울러, 이 반도체용 접착 필름을 접착한 금속판을 이용하여, 금속판 가공, 배선 회로에의 반도체소자의 접착, 와이어 본드 공정 및 밀봉공정을 하고, 도3의 구조의 패키지를 제작했지만, 어느 공정에서도 문제는 생기지 않았다. 밀봉공정후, 235℃에서 배선회로와 밀봉재로부터 접착 필름을 떼어낸 바, 90도 필 강도는 220N/m이고, 간단히 떼어낼 수 있었다. 게다가, 수지는 배선 회로 및 밀봉재에 거의 부착 잔류하지 않았다.
실시예9
수지층A의 형성용으로 제조예5에서 제조한 방향족 폴리에테르아미드이미드 접착제 니스를 이용하는 것을 제외하고는, 실시예1에서와 같은 방법으로 반도체용 접착 필름을 제작했다. 수지층A의 유리 전이 온도는 230℃, 5％ 중량감소 온도는 451℃, 230℃에 있어서의 탄성율은 150MPa이었다. 이어서, 온도 250℃, 압력 8MPa, 시간 10초로 35μm의 전해 구리박에 접착했다. 접착후의 25℃에 있어서 수지층A와 구리박과의 90도 필 강도를 측정한 바, 70N/m이고, 반송시에 벗겨지는 불량은 생기지 않았다. 또한 반도체용 접착 필름의 컬은 적고, 접착시의 작업성은 양호했다. 아울러, 이 반도체용 접착 필름을 접착한 구리박을 이용하여, 실시예1에서와 같은 방법으로 금속판을 가공해서 배선 회로를 얻고, 배선 회로에 금도금을 한 후, 반도체소자의 접착, 와이어 본드 공정 및 밀봉공정을 행하여, 도3의 구조의 패키지를 제작했지만, 어느 공정에서도 문제는 생기지 않았다. 밀봉공정후, 205℃에서 배선 회로와 밀봉재로부터 반도체용 접착 필름을 떼어낸 바, 90도 필 강도는 300N/m이고, 간단히 떼어낼 수 있었다. 게다가, 수지는 배선 회로 및 밀봉재에 거의 부착 잔류하지 않았다.
실시예10
수지층A의 형성용으로 제조예6에서 제조한 방향족 폴리에테르이미드 접착제 니스를 이용하는 것을 제외하고는, 실시예1에서와 같은 방법으로 반도체용 접착 필름을 제작했다. 수지층A의 유리 전이 온도는 240℃, 5% 중량감소 온도는 410℃, 230℃에 있어서의 탄성율은 300MPa이었다. 이어서, 온도 250℃, 압력 8MPa, 시간 10초로, 반도체용 접착필름을 18μm의 전해구리박에 접착했다. 접착후의 25℃에 있어서의 수지층A와 구리박과의 90도 필 강도를 측정한 바, 50N/m이고, 반송시에 벗겨지는 불량은 생기지 않았다. 또 반도체용 접착 필름의 컬은 적고, 접착시의 작업성은 양호했다. 아울러, 이 반도체 접착 필름을 접착한 구리박을 이용하여, 실시예1에서와 같은 방법으로 금속판가공, 배선회로에의 반도체소자의 접착, 와이어 본드 공정 및 밀봉공정을 하여, 도3의 구조의 패키지를 제작했지만, 어느 공정에서도 문제는 생기지 않았다. 밀봉공정후, 235℃에서 배선 회로와 밀봉재로부터 반도체용 접착 필름을 떼어낸 바, 90도 필 강도는 500N/m이고, 간단히 떼어낼 수 있었다. 게다가, 수지는 배선 회로 및 밀봉재에 거의 부착 잔류하지 않았다.
실시예11
지지 필름으로서, 두께 25μm의 표면에 샌드매트 처리를 실시한 폴리이미드 필름(도오레·듀퐁(주)제, 상품명: 캡톤EN, 20∼200℃에 있어서의 선열팽창 계수가 15×10-5／℃, 200℃에서 2시간 가열한 때의 가열 수축률이 0.02％）을 이용했다. 이 폴리이미드 필름의 한쪽면에 제조예7에서 제조한 방향족 폴리에테르아미드이미드 접착제 니스를 25μm의 두께로 유연하고, 100℃에서 10분, 300℃에서 10분 건조하여, 두께 4μm의 수지층A가 지지 필름의 일면에 부착한 도1의 구성의 반도체용 접착 필름을 얻었다. 이 수지층A의 유리 전이 온도는 260℃, 5％ 중량감소 온도는 430℃, 230℃에 있어서의 탄성율은 1500MPa이었다.
이어서, 온도 280℃, 압력 6MPa, 시간 10초로, 반도체용 접착 필름을 10μm의 압연구리박에 접착했다. 접착후의 수지층A와 구리박과의 25℃에 있어서의 90도 필 강도를 측정한 바, 30N/m이고, 반송시에 벗겨지는 불량은 생기지 않았다. 또한 반도체용 접착 필름의 컬은 거의 없고, 접착시의 작업성은 양호했다.
게다가, 이 반도체용 접착 필름을 접착한 구리박을 이용하여, 금속판을 가공하여 배선 회로를 얻은 바, 접착 필름과의 계면에 극히 소량의 에칭액의 침투가 보이고, 또한 세정 공정에 있어서 수류가 지나치게 강했을 경우, 일부 박리할 것 같은 경우도 있었지만, 조건의 최적화로 문제는 회피할 수 있었다. 이어서, 다이 패드에의 반도체소자의 접착 공정을 행했다. 이 때, 접착용 은 페이스트를 경화시키기 위해서 150℃에서 90분 가열한 후, 25℃에 있어서의 구리박과 수지층A와의 90도 필 강도를 측정한 바, 50N/m이었다.
아울러, 이 반도체소자를 접착한 접착 필름 부착 배선 회로를 이용해서 와이어 본드를 행했다. 이 때, 260℃에서 와이어 본드한 후, 25℃에 있어서의 구리박과 수지층A와의 90도 필 강도를 측정한 바, 70N/m이었다.
아울러, 이 접착 필름 부착 배선 회로를 이용하여, 실시예1에서와 같은 방법으로 밀봉공정을 하여, 도3의 구조의 패키지를 제작했지만, 밀봉공정시에 배선 회로와 수지층A 사이에 밀봉재가 들어가는 등의 문제는 생기지 않았다. 밀봉공정후, 175℃에서 배선 회로와 밀봉재로부터 반도체용 접착 필름을 떼어낸 바, 90도 필 강도는 100N/m이고, 간단히 떼어낼 수 있었다.
실시예12
실시예11과 같은 방법으로, 반도체용 접착 필름의 제작, 35μm의 압연 구리박에의 접착, 다른 배선 회로의 형성, 배선 회로에의 금도금을 행한 후, 반도체소자의 접착, 와이어 본드 공정, 밀봉공정을 행하여, 도5의 패키지가 복수 연결된 구조의 패키지를 제작했지만, 어느 공정에서도 문제는 생기지 않았다. 밀봉공정후, 175℃에서 배선 회로와 밀봉재로부터 반도체용 접착 필름을 떼어 낸 바, 90도 필 강도는 90N/m이고, 간단히 떼어낼 수 있었다. 게다가, 접착제는 배선 회로 및 밀봉재에 거의 부착 잔류하지 않았다. 아울러, 이 복수 연결된 구조 패키지를 분할해서 도5의 패키지 개편(個片)을 제작했지만, 공정 중 문제는 생기지 않았다.
비교예1
지지 필름으로서, 두께 125μm의 표면에 화학 처리를 실시한 폴리이미드 필름(우베흥산(주)제, 유피렉스 SGA)을 이용했다. 이 지지 필름의 일면에, 제조예8에서 제조한 폴리실록산폴리아미드 블록공중합체 접착제 니스를 90μm의 두께로 유연하고, 100℃에서 10분, 300℃에서 10분 건조하여, 두께 25μm의 수지층(A2)가 지지 필름(1)의 일면에 부착된 도1의 구성의 반도체용 접착 필름을 얻었다. 이 수지층A의 유리 전이 온도는 182℃, 5％ 중량감소 온도는 380℃, 230℃에 있어서의 탄성율은 1MPa 미만이었다. 수지층A의 두께(A)와, 지지 필름의 두께(B)와의 두께의 비(A/B)는 0.2이었다. 이어서, 이 반도체용 접착 필름을, 온도 250℃, 압력 8MPa, 시간 10초로 12μm의 압연 구리박에 접착하고, 25℃에 있어서의 구리박과 수지층A와의 90도 필 강도를 측정한 바, ON/m이고, 반송시에 벗겨져 버려, 후의 공정을 행할 수 없었다.
비교예2
지지 필름으로서, 두께 125μm의 표면에 화학 처리를 실시한 폴리이미드 필름(우베흥산 (주)제, 유피렉스 SGA)을 이용했다. 이 지지 필름의 일면에, 페놀 수지계 접착제 니스를 80μm의 두께로 유연하고, 100℃에서 10분, 150℃에서 10분 건조하여, 두께 25μm의 수지층(A2)가 지지 필름(1)의 일면에 부착된 도1의 구성의 반도체용 접착 필름을 얻었다. 수지층A의 유리 전이 온도는 180℃, 5% 중량감소 온도는 280℃, 230℃에 있어서의 탄성율은 10MPa이었다. 수지층A의 두께(A)와 지지 필름의 두께(B)와의 두께의 비(A/B)는 0.2이었다.
이어서, 온도 250℃, 압력 8MPa, 시간 10초로, 이 반도체접착 필름을 12μm의 압연 구리박에 접착하고, 25℃에 있어서의 구리박과 수지층A와의 90도 필 강도를 측정한 바, 400N/m이고, 반송시에 벗겨지는 불량은 생기지 않았다. 또한 반도체용 접착 필름의 컬은 적고, 접착시의 작업성은 양호했다. 아울러, 이 반도체용 접착 필름을 접착한 구리박을 이용하여, 실시예1에서와 같은 방법으로 금속판 가공, 배선 회로에의 반도체소자의 접착, 와이어본드 공정을 행한 바, 와이어본드 공정에서 아웃 가스가 생기고, 와이어를 오염시키는 불량이 생겼다.
밀봉공정을 행하여 도3의 구조의 패키지를 제작한 후, 190℃에서 배선 회로와 밀봉재로부터 반도체용 접착 필름을 떼어낸 바, 90도 필 강도는 1300N/m이고, 밀봉재의 일부가 파손되었다. 또한, 수지가 배선 회로 및 밀봉재에 대량으로 부착 잔류하고, N-메틸―2-피롤리돈으로 세정해도 제거하기 어려웠다.
비교예3
지지 필름으로서, 두께 25μm의 표면에 샌드 매트 처리를 실시한 폴리이미드 필름(도오레·듀퐁(주)제, 상품명; 캡톤EN, 20∼200℃에 있어서의 선열팽창 계수가 15×10-5／℃, 200℃에서 2시간 가열했을 때의 가열 수축률이 0.02%)을 이용했다. 이 폴리이미드 필름의 일면에, 제조예9에서 제조한 방향족 폴리에테르아미드이미드 접착제 니스를 25μm의 두께로 유연하고, 100℃에서 10분, 300℃에서 10분 건조하여, 두께 4μm의 수지층A가 지지 필름의 일면에 부착된 도1의 구성의 반도체용 접착 필름을 얻었다. 이 수지층A의 유리 전이 온도는 270℃, 5％ 중량감소 온도는 440℃, 230℃에 있어서의 탄성율은 1700MPa이었다.
이어서, 온도 280℃、압력 6MPa, 시간 10초로, 반도체용 접착 필름을 10μm의 압연 구리박에 접착했다. 접착후의 수지층A와 구리박과의 25℃에 있어서의 90도 필 강도를 측정한 바, 5N/m이었다.
이 반도체용 접착 필름을 접착한 구리박을 가공해서 배선 회로로 한 바, 접착 필름과의 계면에 에칭액의 침투가 보이고, 일부에 회로의 이지러짐이 생겼다. 또한 세정 공정에 있어서 상당한 회로의 박리가 생겼기 때문에, 다음 공정으로 진행할 수 없었다.
실시예1∼12 및 비교예1∼3의 결과로부터, 금속판을 가공해서 배선 회로로 하기 전의 금속판과의 25℃에 있어서의 90도 필 강도가 20N/m 이상이고, 또한 수지밀봉후, O℃∼250℃의 온도범위의 적어도 1점에 있어서 배선회로 및 밀봉재와의 90도 필 강도가 1000N/m 이하인, 배선 회로 및 밀봉재로부터 박리가능한 반도체용 접착 필름을 이용함으로써, 금속판 가공 등의 각공정에 있어서 불량을 일으키지 않으면서, 반도체 패키지를 높은 작업성과 생산성으로 제조할 수 있다는 것을 알 수 있다.

Claims (20)

  1. 금속판의 일면에 반도체용 접착 필름을 부착한 후, 금속판을 가공해서 배선 회로로 하고, 반도체소자를 탑재, 밀봉한 후 박리하는 방법에 사용되는 반도체용 접착 필름으로서, 지지 필름의 일면 또는 양면에 수지층A가 형성되어 있고, 반도체용 접착 필름에 접착한 금속판을 가공해서 배선 회로로 하기 전의 수지층A와 금속판과의 25℃에 있어서의 90도 필 강도가 20N/m 이상이며, 또한, 반도체용 접착 필름에 접착한 배선 회로를 밀봉재로 밀봉한 후의 수지층A와 배선 회로 및 밀봉재와의 0∼250℃의 온도범위의 적어도 한점에 있어서의 90도 필 강도가 어느 것이나 1000N/m 이하인 반도체용 접착 필름.
  2. 제1항에 있어서, 밀봉재로 밀봉한 후의 수지층A와 배선 회로 및 밀봉재와의 100∼250℃의 온도범위의 적어도 한점에 있어서의 90도 필 강도가 어느 것이나 1000N/m 이하인 반도체용 접착 필름.
  3. 제1항에 있어서, 밀봉재로 밀봉한 후에 반도체용 접착 필름을 배선 회로 및 밀봉재로부터 떼어낼 때의 온도에 있어서의 수지층A와 배선 회로 및 밀봉재와의 90도 필 강도가 어느 것이나 1000N/m 이하인 반도체용 접착 필름.
  4. 제1항에 있어서, 수지층A의 유리 전이 온도가 100∼300℃인 반도체용 접착 필름.
  5. 제1항에 있어서, 수지층A가 5중량% 감소하는 온도가 300℃ 이상인 반도체용 접착 필름.
  6. 제1항에 있어서, 수지층A의 230℃에 있어서의 탄성율이 1MPa 이상인 반도체용 접착 필름.
  7. 제1항에 있어서, 수지층A가 아미드기, 에스테르기, 이미드기, 에테르기 또는 술폰기를 갖는 열가소성수지를 함유하는 반도체용 접착 필름.
  8. 제1항에 있어서, 수지층A가 아미드기, 에스테르기, 이미드기 또는 에테르기를 갖는 열가소성수지를 함유하는 반도체용 접착 필름.
  9. 제1항에 있어서, 지지 필름의 재질이 방향족 폴리이미드, 방향족 폴리아미드, 방향족 폴리아미드이미드, 방향족 폴리술폰, 방향족 폴리에테르술폰, 폴리페닐렌술피드, 방향족 폴리에테르케톤, 폴리아릴레이트, 방향족 폴리에테르에테르케톤 및 폴리에틸렌나프탈레이트로 이루어진 군으로부터 선택되는 반도체용 접착 필름.
  10. 제1항에 있어서, 각각의 수지층A의 두께(A)와 지지 필름의 두께(B)와의 비 (A/B)가 0.5 이하인 반도체용 접착 필름.
  11. 제1항에 있어서, 지지 필름의 일면에 접착성을 갖는 수지층A가 형성되어 있고, 그 반대면에 230℃에 있어서의 탄성율이 10MPa 이상인 접착성을 갖지 않는 수지층B가 형성되어 있는 반도체용 접착 필름.
  12. 제1항에 있어서, 두께가 200μm 이하인 반도체용 접착 필름.
  13. 제1항 내지 제12항 중 어느 한 항에 기재된 반도체용 접착 필름을 접착한 접착 필름 부착 금속판.
  14. 제13항에 기재된 접착 필름 부착 금속판을 가공해서 배선 회로로 하여 얻어지는 접착 필름 부착 배선 회로.
  15. 제14항에 있어서, 반도체용 접착 필름의 수지층A에 일면을 접해서 접착된 접착 필름 부착 배선 회로.
  16. 제1항 내지 제12항 중 어느 한 항에 기재된 반도체용 접착 필름을 이용한 접착 필름 부착 반도체장치.
  17. 제16항에 있어서, 반도체용 접착 필름, 반도체용 접착 필름의 수지층A에 일면을 접해서 접착된 배선 회로, 배선 회로의 노출면에 전기적으로 접속된 반도체소자 및 반도체소자를 밀봉하고 있는 밀봉재로 이루어진 접착 필름 부착 반도체장치.
  18. 제17항에 기재된 반도체장치로부터 반도체용 접착 필름을 박리해서 얻어지는 반도체장치.
  19. 금속판의 일면에 제1항 내지 제12항 중 어느 한 항에 기재된 반도체용 접착 필름을 접착하는 공정, 금속판을 가공해서 배선 회로로 하는 공정, 배선 회로의 노출면 위로 반도체소자를 전기적으로 접속하는 공정, 배선 회로의 노출면 및 반도체소자를 밀봉재로 밀봉하는 공정, 그리고, 반도체용 접착 필름을 배선 회로 및 밀봉재로부터 박리하는 공정으로 이루어진 반도체장치의 제조 방법.
  20. 제19항에 있어서, 배선 회로가 각각 다이 패드 및 인너 리드를 갖는 복수의 패턴으로 이루어지고, 밀봉하는 공정 후 또는 반도체용 접착 필름을 박리하는 공정 후에 밀봉한 접착 필름 부착 배선 회로를 분할함으로써 각각 1개의 반도체소자를 갖는 복수의 반도체장치를 얻는 공정을 포함하는 반도체장치의 제조 방법.
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