KR20050023973A - 수용성 포토레지스트와 이를 이용한 유기박막포토리소그라피 공정 및 유기 박막 형상화 공정 - Google Patents

수용성 포토레지스트와 이를 이용한 유기박막포토리소그라피 공정 및 유기 박막 형상화 공정 Download PDF

Info

Publication number
KR20050023973A
KR20050023973A KR1020030061761A KR20030061761A KR20050023973A KR 20050023973 A KR20050023973 A KR 20050023973A KR 1020030061761 A KR1020030061761 A KR 1020030061761A KR 20030061761 A KR20030061761 A KR 20030061761A KR 20050023973 A KR20050023973 A KR 20050023973A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
water
thin film
organic
photoresist
organic thin
Prior art date
Application number
KR1020030061761A
Other languages
English (en)
Other versions
KR100546065B1 (ko
Inventor
송정근
김광현
Original Assignee
주식회사 은성
송정근
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 주식회사 은성, 송정근 filed Critical 주식회사 은성
Priority to KR1020030061761A priority Critical patent/KR100546065B1/ko
Publication of KR20050023973A publication Critical patent/KR20050023973A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR100546065B1 publication Critical patent/KR100546065B1/ko

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004—Photosensitive materials
    • G03F7/027—Non-macromolecular photopolymerisable compounds having carbon-to-carbon double bonds, e.g. ethylenic compounds
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/0002—Lithographic processes using patterning methods other than those involving the exposure to radiation, e.g. by stamping
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K10/00—Organic devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching; Organic capacitors or resistors having a potential-jump barrier or a surface barrier
    • H10K10/40—Organic transistors
    • H10K10/46—Field-effect transistors, e.g. organic thin-film transistors [OTFT]
    • H10K10/462—Insulated gate field-effect transistors [IGFETs]
    • H10K10/466—Lateral bottom-gate IGFETs comprising only a single gate
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K10/00—Organic devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching; Organic capacitors or resistors having a potential-jump barrier or a surface barrier
    • H10K10/40—Organic transistors
    • H10K10/46—Field-effect transistors, e.g. organic thin-film transistors [OTFT]
    • H10K10/462—Insulated gate field-effect transistors [IGFETs]
    • H10K10/468—Insulated gate field-effect transistors [IGFETs] characterised by the gate dielectrics
    • H10K10/471—Insulated gate field-effect transistors [IGFETs] characterised by the gate dielectrics the gate dielectric comprising only organic materials
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H10K71/20—Changing the shape of the active layer in the devices, e.g. patterning
    • H10K71/221—Changing the shape of the active layer in the devices, e.g. patterning by lift-off techniques
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H10K71/20—Changing the shape of the active layer in the devices, e.g. patterning
    • H10K71/231—Changing the shape of the active layer in the devices, e.g. patterning by etching of existing layers
    • H10K71/233—Changing the shape of the active layer in the devices, e.g. patterning by etching of existing layers by photolithographic etching

Abstract

본 발명의 목적은 유기박막(organic thin film)을 형상화(patterning)하는 공정 중에서 기존의 섀도우 마스크(shadow mask) 과정을 대체하기 위하여 수용성 포토레지스트와 이를 이용한 유기박막 포토리소그라피 공정 및 리소그라피에 이은 식각에 의한 유기박막 형상화 공정의 개발, 그리고 유기LED(Light Emitting Diode), 유기TFT(Thin Film Transistor), 유기태양전지 등의 각종 유기소자에 본 공정을 적용하여 성능을 개선하는 것이다. 본 발명은 유기물을 용매로 사용하는 기존의 포토레지스트(photoresist)를 대신하여 물을 용매로 사용하는 수용성 포토레지스트와, 이를 이용한 새로운 유기박막 포토리소그라피 공정 그리고 포토리소그라피에 이은 식각(etching)에 의한 유기박막 형상화 공정을 제시한다. 그리고, 이러한 리소그라피 공정에 이어 RIE 등의 공정으로 유기박막을 식각(etching)함으로써 대면적 유기박막의 고정세 형상화를 실현하고, 또한 이 공정을 각종 유기소자 즉 유기LED, 유기TFT, 유기태양전지 등에 적용하여 성능을 개선한다.

Description

수용성 포토레지스트와 이를 이용한 유기박막 포토리소그라피 공정 및 유기 박막 형상화 공정 {WATER-SOLUBLE PHOTORESIST, AND ORGANIC THIN FILM LITHOGRAPHY PROCESS AND PATTERNING PROCESS USING IT}
본 발명은 유기박막 형상화에 관한 것으로서, 더 자세하게는 수용성 포토레지스트 및 이를 이용한 유기박막 포토리소그래피 공정 개발, 그리고 포토리소그래피에 이은 식각에 의한 유기박막 형상화 공정 개발에 관한 것이다. 또한 다양한 유기소자 즉 유기LED, 유기TFT, 유기태양전지 등에 본 공정을 적용하여 성능을 개선하는 것에 관한 것이다.
특정한 유기물에 적절히 도핑하면 구리에 가까운 전기 전도도를 얻을 수 있다는 것이 알려진 이후, 현재 유기물은 전기 전도도 측면에서 절연체로부터 반도체, 전도체 뿐만 아니라 초전도체에 이르기까지 넓은 영역에 걸쳐 재료 연구가 진행되고 있다. 이들 중 반도체 성질을 띠는 소재의 예로서는 p-형의 펜타센(pentacene)과 n-형의 Alq(tris-(8-hydroxyquinoline) aluminium) 등이 알려져 있고, 유전체로는 강유전체인 PVDF와 이를 근간으로 한 혼성중합체(co-polymer) 등 수많은 재료가 알려져 있다.
최근 10년 동안 반도체 성질을 띠는 유기 소재의 개발과 이를 이용한 다양한 응용 연구 또한 어느 때보다 활발히 진행되어 왔다. 전자파 차폐막, 커패시터, 유기LED, 유기TFT, 유기태양전지, 다광자 흡수 현상을 이용한 메모리 소자 등 유기 반도체를 이용한 응용 연구의 영역은 계속해서 확장되고 있다. 이중 특히 유기LED 분야는 이미 상품화되어 유기물을 이용한 응용 연구를 활성화시키는 촉매제 역할을 하고 있다. 아울러 유기LED의 능동형(Active Matrix) 구동회로에서부터 차세대 스마트카드에 이르기까지 다양한 응용이 기대되는 유기TFT도 급부상을 하고 있다. 이외에도 유기태양전지는 효율 측면에서 기존의 Si 태양전지에 미치지 못하지만 대면적 소자의 제작이 간단하고, 플라스틱 기판에 제작할 수 있는 장점 때문에 Si 태양전지 보다 더 넓은 응용분야에서 사용될 것으로 기대된다.
그러나, 이러한 유기소자들은 유기물을 기본재료로 사용하고 있기 때문에 산소와 습도 그리고 유기용매에 취약한 단점을 내포하고 있다. 특히 유기용매에 대한 취약성은 유기소자의 공정 자유도를 제한하는 요소가 되고 있다. 예를 들면 유기박막을 형상화하기 위하여 기존의 유기용매를 사용하는 포토레지스트를 활용할 수 없기 때문에 부득이 섀도우 마스크를 이용하고 있는데, 섀도우 마스크는 현재의 기술로써 제작할 수 있는 최소선폭이 50㎛이므로 미세 형상화가 어렵다. 또한 섀도우 마스크는 금속을 사용하므로 대면적인 경우 그 무게에 의하여 마스크 자체가 휘어지고, 따라서 마스크 중앙과 가장자리의 무늬의 위치가 변하여 정밀도가 떨어지는 문제가 발생하고 있다. 이러한 섀도우 마스크의 문제점들이 대면적 유기LED 디스플레이 소자를 제작하는데 기술적 제약이 되고 있다. 유기TFT의 경우 유기활성박막 위에 소스와 드레인 전극을 제작하는 상부전극 구조가 하부전극 - 유기활성박막 아래에 소스와 드레인 전극을 두는 구조 - 보다 성능이 우수한 것으로 알려져 있지만 유기박막 위에 전극을 제작할 때 포토리소그래피 공정을 사용할 수 없기 때문에 부득이 섀도우 마스크를 사용하게 되고, 따라서 미세 선폭의 고성능 소자를 제작하기 어려운 실정이다. 또한 하부전극 구조의 경우에도 섀도우 마스크의 최소선폭의 한계 때문에 유기박막을 미세 형상화할 수 없으므로 유기박막과 하부의 소스 및 드레인 전극이 겹치는 영역이 넓어져서 기생 캐패시턴스가 발생하게 되고, 이는 전송속도 등 성능을 떨어뜨리는 요인이 된다. 그리고, 유기소자들을 집적화해야 하는 유기칩의 경우 유기박막의 고정세 형상화 기술이 필수적이므로 기존의 섀도우 마스크에 의한 형상화 기술은 한계를 내포하고 있다.
따라서 본 발명의 목적은 상기한 문제점을 해결하기 위해 유기 용매에 녹기 쉬운 포토레지스트를 대신하여 물에 녹는 수용성 포토레지스트 및 이를 사용하는 포토리소그라피 기술을 제공하는 것이며, 아울러 유기 활성층에 손상을 주지 않고 패턴을 형성할 수 있는 기술을 제공하는 것이다.
본 발명의 또 다른 목적은 유기TFT의 게이트 절연층으로 유기물을 사용하는 경우에도 본 발명의 공정을 사용하여 형상화가 가능하므로 유기절연게이트를 사용하는 전유기(all organic) TFT에 적용할 수 있는 제작 기술을 제공하는 것이다.
상기한 기술적 과제들을 해결하기 위한 본 발명의 구성은 폴리아닐린(polyaniline), PVA, PEDOT 및 폴리피롤(polypyrrole)의 황산화물로 구성된 군으로부터 선택된 하나 이상의 중합체; 광개시제, 단량체(monomer) 및 올리고머(oligomer)로 구성된 자외선 경화제; 및 NMP(N-methyl-2-pyrrolidone), n-부탄올, DMAc(n-Dimethylacetamide) 및 THF(Tetrahydrofuran)으로 구성된 군으로부터 선택된 하나 이상의 용매 물질; 을 포함하는 수용성 포토레지스트이다.
여기에서, 상기 중합체는 폴리아닐린이고 상기 용매 물질은 NMP와 n-부탄올이며, 상기 폴리아닐린, 자외선 경화제, NMP 및 n-부탄올의 합성비율이 5:1:4:7이 되도록 하는 것이 바람직하다.
상기한 기술적 과제들을 해결하기 위한 본 발명의 방법은 상기한 수용성 포토레지스트를 사용하는 방법으로서, 상기 수용성 포토레지스트를 스핀 코팅하여 도포하는 단계, 상기 수용성 포토레지스트 위에 포토마스크를 놓고 자외선에 노출시켜 필요로하는 부분을 선택하는 단계, 및 물 또는 이소프로필 알콜을 사용하여 현상하는 단계로 구성된 포토리소그라피 공정이다.
상기한 기술적 과제들을 해결하기 위한 본 발명의 또 다른 방법은 상기한 수용성 포토레지스트를 사용하는 방법으로서, 상기 수용성 포토레지스트를 스핀 코팅하여 도포하는 단계, 상기 수용성 포토레지스트 위에 포토마스크를 놓고 자외선에 노출시켜 필요로하는 부분을 선택하는 단계, 물 또는 이소프로필 알콜을 사용하여 현상하는 단계, 및 식각공정을 통해 유기박막, 무기박막, 또는 금속박막의 원하지 않는 부분을 제거하는 단계로 구성된 박막 형상화 공정이다.
이하에서 본 발명의 바람직한 실시예를 첨부한 도면을 참조하여 상세히 설명하도록 한다.
수용성 포토레지스트는 수용성 고분자(polyaniline, PVA, PEDOT, polypyrrole 등의 황산화물), 자외선 경화제(광개시제:Benzil dimethyl keta, 모노머:Pentaerythritol triacrylate, 올리고머:Urethane-acrylate 등으로 구성됨.) 및 용매 (NMP:N-methyl-2-pyrrolidone, n-Butyl alchol, DMAc:n-Dimerthyacetamide, THF:Tetrahydrofuran 등을 사용할 수 있음)로 구성된다. 수용성 포토레지스트는 폴리아닐린 등 수용성 고분자의 황산화물을 기본 재료로 사용한다. 수용성 황산화 폴리아닐린 고분자의 그림이 도 7에 나타나있다. 광개시제와 모노머 및 올리고머가 섞인 유성 자외선 경화제를 NMP와 부탄올 등의 용매와 섞어 수성으로 변화시키고 이를 수용성 황산화 고분자에 혼합하여 최종 수용성 포토레지스트를 제작한다. 이 포토레지스트가 자외선에 노출되면 경화제 내의 광개시제에 의하여 모노머와 올리고머의 중합반응이 발생하고, 각각의 폴리아닐린 고분자들이 모노머와 올리고머를 통하여 상호연결 됨으로써 아주 큰 폴리머 다발을 형성한다. 이 자외선에 노출되어 큰 폴리머 다발을 이룬 영역은 물을 사용하는 현상 과정에서 씻겨지지 않고, 나머지 부분, 즉 노출되지 않은 부분이 물에 의하여 제거됨으로써 포지티브(positive) 포토레지스트의 역할을 하게 된다.
상기한 수용성 포토레지스터는 황산화 폴리아닐린:NMP:n-Butyl alchol:자외선경화제 = 5:4:7:1의 구성비가 바람직한 것으로 관측되었다. 이러한 구성비는 사용하는 재료에 따라 다소 차이가 있을 수 있다.
도 2a 내지 도 2d는 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 상기한 수용성 포토레지스트를 이용한 유기박막 포토리소그라피 공정을 나타낸 수직 단면도이다. 도 2a는 기판(1) 위에 유기 박막(5)을 형성하고 그 위에 상기 수용성 포토레지스트(6)를 스핀코팅하여 도포하는 단계를 나타낸다. 도 2b는 상기 수용성 포토레지스트(6) 위에 포토마스크(11)를 놓고 원하는 부분만 선택적으로 자외선에 노출하는 단계이고, 도 2c는 물과 이소프로필 알콜을 사용하여 현상한 단계이다. 이러한 일련의 과정을 거쳐서 유기 박막(5)에 손상을 주지 않고 그 위에 포토레지스트를 형상화할 수 있다. 유기박막 형상화 공정은 도 2d에 도시된 바와 같이 상기한 유기박막 포토리소그라피 공정 후에 노출된 유기 박막(5)을 RIE(Reactive Ion Etching) 등의 식각 공정으로 제거하여 완성된다.
도 3은 수용성 포토레지스트를 사용하여 형상화한 유기박막의 다양한 무늬를 나타내고 있다. 도 3에서 보듯이 본 발명의 수용성 포토레지스트를 사용하여 유기박막을 다양한 형태로 형상화할 수 있음을 확인할 수 있는데, 이러한 방법을 이용하여 최소 선폭 1㎛까지도 선명하게 형상화할 수 있었다. 고정세 광마스크와 고성능 마스크 어라이너(mask aligner)를 사용하면 1㎛ 이하의 선폭도 충분히 형상화할 수 있을 것으로 기대된다. 따라서, 최소선폭으로 표시되는 본 공정의 정밀도의 한계는 본 발명의 수용성 포토레지스트가 아니라 사용하는 광마스크의 정밀도와 마스크 어라이너의 성능에 의하여 결정된다. 그리고, 본 발명의 수용성 포토레지스트는 유기박막 뿐 아니라 기존의 유기용매 포토레지스트를 대체하여 무기박막과 금속박막의 형상화에도 사용될 수 있다.
도 4a 내지 도 4c는 본 발명의 바람직한 실시 예에 따른 수용성 포토레지스트를 이용하여 유기LED를 제조하는 공정별 소자의 수직 단면도이다. 유기LED는 도 4c와 같이 다층 유기박막(9)과 상하부의 캐소우드 및 애노우드 전극(7, 8)으로 구성된다. 기존의 제작방식은 유기박막(9)과 전극(7, 8) 모두 섀도우 마스크를 사용하여 형상화하지만, 본 발명의 유기박막 형상화 공정을 적용하면 보다 작은 크기의 소자를 제작할 수 있다. 도 4a는 기판(1)과 하부전극(7) 위에 다층 유기박막(9)이 적층된 상태에서 수용성 포토레지스트를 도포한 후 현상을 마친 단계이다. 도 4b는 식각 과정을 통해 유기박막을 형상화하는 단계를 나타낸다. 도 4c는 수용성 포토레지스트(6)를 제거한 후 상부전극(8)을 제작하여 완성한 유기LED의 단면도이다.
도 5a 내지 도 5d는 본 발명의 바람직한 실시 예에 따른 수용성 포토레지스트를 이용하여 유기TFT를 제조하는 공정 별 소자의 수직 단면도이다. 도 5a는 기판(1) 위에 게이트 전극(3)과 절연층(2)을 성막한 상태이다. 소스와 드레인 전극은 유기박막 성막 전에 제작하는 하부전극 구조 혹은 성막 후에 제작하는 상부전극 구조로 제작할 수 있다. 도 5b는 하부전극 구조의 실시 예로서 소스와 드레인 전극(4) 위에 유기박막(5)을 성막한 상태이다. 도 5c는 기존의 섀도우 마스크 대신에 도 2에서 설명한 유기박막 형상화 공정으로 유기박막(5)을 형상화한 후 완성한 하부전극 구조의 유기TFT의 단면도이다. 도 5d는 상부전극 구조의 실시 예로서 게이트 절연막(2) 위에 유기박막(5)을 도포하고 기존의 섀도우 마스크 대신에 도 2에서 설명한 유기박막 형상화 공정으로 유기박막을 형상화한 후 그 위에 소스와 드레인 전극(4)을 제작하여 완성한 유기TFT의 단면도이다.
도 6a 내지 도 6c는 본 발명의 바람직한 실시 예에 따른 수용성 포토레지스트를 이용하여 유기태양전지를 제조하는 공정 별 소자의 수직 단면도이다. 유기태양전지는 유기LED와 유사하게 다층 유기박막과 상 하부의 캐소우드 및 애노우드 전극으로 구성된다. 도 6a는 기판(1)과 하부전극(7) 위에 다층 유기박막(9)을 적층하고 수용성 포토레지스트(6)를 도포한 후 현상한 상태를 나타낸다. 도 6b는 식각 과정을 거쳐 유기박막(9)을 형상화한 후의 상태이다. 도 6c는 수용성 포토레지스트(6)를 제거한 후 상부전극(8)을 제작하여 완성한 유기태양전지의 단면도이다.
본 발명의 수용성 포토레지스트를 이용한 포토리소그라피 기술은 상기한 유기소자들의 유기박막 뿐 아니라 전극의 형상화에도 확대하여 적용할 수 있다. 즉 유기LED의 캐소우드와 애노우드 전극, 유기TFT의 게이트와 소스 및 드레인 전극, 그리고 유기태양전지의 캐소우드와 애노우드 전극을 증착한 후 도 2와 동일한 방식으로 수용성 포토레지스트를 도포하고 리소그래피와 식각공정을 거친 후 형상화할 수 있다. 이러한 방법으로 전극 아래에 있는 유기박막에 손상을 주지 않고 미세 선폭의 전극을 제작할 수 있다.
이상에서 살펴 본 바와 같이, 본 발명에 따른 수용성 포토레지스트를 이용한 유기박막 포토리소그래피 공정과 함께 식각공정으로 유기박막을 형상화함으로써 기존의 섀도우 마스크로 실현할 수 없었던 고정세 대면적 형상화가 가능하다. 따라서, 본 공정을 유기소자에 적용하면 유기박막 형상화와 전극 제작 고정의 순서를 임의로 바꿀 수 있기 때문에 공정설계의 자유도가 증가하고, 또한 미세 구조를 제작할 수 있기 때문에 소자의 성능을 획기적으로 개선할 수 있다. 이외에도 유기소자들의 집적화가 가능하게 됨으로써 대면적 유기LED 디스플레이와 고기능 플라스틱 칩 등을 제작할 수 있다.
도 1은 기존의 섀도우 마스크에 의하여 형상화된 유기박막의 단면도이다.
도 2는 본 발명의 수용성 포토레지스트를 이용하여 유기박막을 형상화하는 포토리소그라피 공정을 나타낸 도면이다.
도 3은 본 발명의 수용성 포토레지스트를 이용하여 형상화된 유기박막의 다양한 형태를 보여주는 사진이다.
도 4는 본 발명의 수용성 포토레지스트를 이용한 유기박막 포토리소그라피 공정으로 제작된 유기LED의 단면도이다.
도 5는 본 발명의 수용성 포토레지스트를 이용한 유기박막 포토리소그라피 공정으로 제작된 유기TFT의 단면도이다.
도 6는 본 발명의 수용성 포토레지스트를 이용한 유기박막 포토리소그라피 공정으로 제작된 유기태양전지의 단면도이다.
도 7은 폴리아닐린의 구조식을 나타낸 도면이다.
* 도면 중의 주요부분에 대한 부호의 설명
1 : 기판 2 : 절연층
3 : 게이트 전극 4 : 소스 및 드레인 전극
5 : 유기 박막 6 : 수용성 포토레지스트
7 : 하부전극 8 : 상부전극
9 : 다층 유기박막 10 : 섀도우 마스크
11 : 포토 마스크

Claims (4)

  1. 폴리아닐린(polyaniline), PVA, PEDOT 및 폴리피롤(polypyrrole)의 황산화물로 구성된 군으로부터 선택된 하나 또는 그 이상의 중합체;
    광개시제, 단량체(monomer) 및 올리고머(oligomer)로 구성된 자외선 경화제; 및
    NMP(N-methyl-2-pyrrolidone), n-부탄올, DMAc(n-Dimethylacetamide) 및 THF(Tetrahydrofuran)으로 구성된 군으로부터 선택된 하나 또는 그 이상의 용매 물질;
    을 포함하는 수용성 포토레지스트.
  2. 제1항에 있어서, 상기 중합체는 황산화 폴리아닐린이고 상기 용매 물질은 NMP와 n-부탄올이며, 상기 황산화 폴리아닐린, 자외선 경화제, NMP 및 n-부탄올의 합성비율이 5:1:4:7인 것을 특징으로 하는 수용성 포토레지스트.
  3. 청구항 제1항의 수용성 포토레지스트를 사용하는 방법으로서,
    상기 수용성 포토레지스트를 스핀 코팅하여 도포하는 단계;
    상기 수용성 포토레지스트 위에 포토마스크를 놓고 자외선에 노출시켜 필요로 하는 부분을 선택하는 단계; 및
    물 또는 이소프로필 알콜을 사용하여 현상하는 단계로 구성된 포토리소그라피 공정.
  4. 청구항 제1항의 수용성 포토레지스트를 사용하는 방법으로서,
    상기 수용성 포토레지스트를 스핀 코팅하여 도포하는 단계;
    상기 수용성 포토레지스트 위에 포토마스크를 놓고 자외선에 노출시켜 필요로하는 부분을 선택하는 단계;
    물 또는 이소프로필 알콜을 사용하여 현상하는 단계; 및
    식각공정을 통해 유기박막, 무기박막, 또는 금속박막의 원하지 않는 부분을 제거하는 단계로 구성된 유기 박막 형상화 공정.
KR1020030061761A 2003-09-04 2003-09-04 수용성 포토레지스트와 이를 이용한 유기박막포토리소그라피 공정 및 유기 박막 형상화 공정 KR100546065B1 (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020030061761A KR100546065B1 (ko) 2003-09-04 2003-09-04 수용성 포토레지스트와 이를 이용한 유기박막포토리소그라피 공정 및 유기 박막 형상화 공정

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020030061761A KR100546065B1 (ko) 2003-09-04 2003-09-04 수용성 포토레지스트와 이를 이용한 유기박막포토리소그라피 공정 및 유기 박막 형상화 공정

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20050023973A true KR20050023973A (ko) 2005-03-10
KR100546065B1 KR100546065B1 (ko) 2006-01-24

Family

ID=37231413

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020030061761A KR100546065B1 (ko) 2003-09-04 2003-09-04 수용성 포토레지스트와 이를 이용한 유기박막포토리소그라피 공정 및 유기 박막 형상화 공정

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR100546065B1 (ko)

Also Published As

Publication number Publication date
KR100546065B1 (ko) 2006-01-24

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US8614441B2 (en) Methods for forming banks and organic thin film transistors comprising such banks
EP1955112B1 (en) A method of patterning a thin film
EP1490915B1 (en) Method of preparation of organic optoelectronic and electronic devices and devices thereby obtained
KR100961251B1 (ko) 조성물, 전자 디바이스 및 전자 디바이스의 제조 방법
US7820730B2 (en) Perfluoropolyether copolymer composition for forming banks
US20090050879A1 (en) Organic thin film transistor and active matrix display
US7226804B2 (en) Method for forming pattern of organic insulating film
KR100976434B1 (ko) 적층 구조체, 이를 이용한 전자 소자, 이의 제조 방법,전자 소자 어레이 및 표시 장치
US7241652B2 (en) Method for fabricating organic thin film transistor
KR101544657B1 (ko) 유기 박막 트랜지스터 어레이 기판 및 그 제조 방법, 및 디스플레이 장치
TW201330053A (zh) 於薄膜元件中壓印圖案化材料的製程
US7994071B2 (en) Compositions for forming organic insulating films, methods for forming organic insulating films using the compositions and organic thin film transistors comprising an organic insulating film formed by such a method
Jang et al. The development of fluorous photolithographic materials and their applications to achieve flexible organic electronic devices
KR100546065B1 (ko) 수용성 포토레지스트와 이를 이용한 유기박막포토리소그라피 공정 및 유기 박막 형상화 공정
JP2009026899A (ja) 積層構造体、電子素子、電子素子アレイ及び表示装置
CN111477742A (zh) 一种有机薄膜晶体管及其制备方法
TWI469224B (zh) 有機薄膜電晶體及其製造方法
US8288761B2 (en) Composition for photosensitive organic dielectric material and application thereof
US20230006165A1 (en) Trilayer photoresist system and method for patterning organic devices
CN104979212B (zh) 电子元件及其制作方法
TW557386B (en) Patterns of electrically conducting polymers and their application as electrodes or electrical contacts
KR970004022A (ko) Rom을 이용하는 소자의 캐패시터 제조 방법

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20130121

Year of fee payment: 8

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20140120

Year of fee payment: 9

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20170102

Year of fee payment: 12

LAPS Lapse due to unpaid annual fee