KR20050023016A - 평판표시소자의 전자 방출원 형성용 슬러리 조성물 및이를 이용한 전극 형성 방법 - Google Patents

평판표시소자의 전자 방출원 형성용 슬러리 조성물 및이를 이용한 전극 형성 방법 Download PDF

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Abstract

본 발명은 평판표시소자의 전자 방출원 형성용 슬러리 조성물 및 이를 이용한 전극 형성 방법에 관한 것으로서, 카본 나노 튜브(CNT), 접착물질, 분산제 및 용제를 포함하는 점도가 1000 cP 이하인 평판표시소자의 전자 방출원 형성용 슬러리 조성물을 제공한다. 본 발명의 점도가 1000 cP 이하인 평판표시소자의 전자 방출원 형성용 슬러리 조성물로 제조된 전극은 종래 페이스트로부터 제조되는 카본 나노 튜브 전극보다 카본 나노 튜브를 75%정도 적게 포함하여도, 전자 방출 특성(I-V)이 종래보다 100배 (4V/㎛기준)이상 우수하고 소성후에도 잔탄이 거의 남지 않고 수명감소 현상도 현저히 줄일 수 있다.

Description

평판표시소자의 전자 방출원 형성용 슬러리 조성물 및 이를 이용한 전극 형성 방법{A SLURRY COMPOSITION FOR FORMING AN ELECTRON EMITTER OF FLAT PANEL DISPLAY AND METHOD FOR FORMING A CATHODE}
[산업상 이용 분야]
본 발명은 평판표시소자의 전자 방출원 형성용 슬러리 조성물 및 이를 이용한 전극 형성 방법에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 잔탄으로 인한 카본 나노 튜브의 전자 방출 특성이 우수하고 수명감소 현상이 현저히 줄어든 평판표시소자의 전자 방출원 형성용 슬러리 조성물 및 이를 이용한 전극 형성 방법에 관한 것이다.
[종래 기술]
평면 표시 소자 중, 초기에 제안된 전계 방출 표시 소자(FED: Field Emission Display)는 전자 방출원으로서 몰리브덴이나 실리콘 등의 물질을 적층시켜 선단을 뾰족하게 구성한 스핀트(spindt) 타입을 사용하였으나, 상기 스핀트 타입의 전자 방출원은 초미세 구조로서 제조 방법이 복잡하고, 고정밀도의 제조 기술이 요구되어 전계 방출 표시 소자를 대면적화하여 제작하는 데 한계가 있다.
따라서, 최근에는 낮은 일함수(work function)을 갖는 탄소계 물질을 전자 방출원으로 적용하는 연구가 활발하게 진행되고 있으며, 상기 탄소계 물질 가운데 특히 높은 종횡비를 갖는 카본 나노 튜브(CNT: Carbon Nano Tube)는 끝단의 곡률 반경이 100Å 정도로 극히 미세하여 1 내지 3V/㎛의 외부 전압에 의해서도 전자 방출을 원활하게 일으켜 이상적인 전자 방출원으로 기대되고 있다.
일반적으로 상기 카본 나노 튜브와 같은 카본계 물질은 용매 및 수지 등과 함께 페이스트 형태로 구비되어, 기판 사이에 스크린 인쇄된 후 열처리 과정을 거쳐 전자 방출원으로 형성되어 전극을 제조한다. 이러한 카본 나노 튜브는 낮은 일함수 특성에 의해 저전압 구동이 가능하고, 제조가 용이하여 대면적 디스플레이 구현에 보다 유리한 장점을 갖는다.
종래 카본 나노 튜브 전극은 카본 나노 튜브를 Ag 등의 전도성 물질과 프릿(frit) 등의 접착물질 및 각종 수지 등과 함께 섞어 페이스트(paste)를 만든 후 이것을 스크린 인쇄(screen printing)하여 노광 현상 소성의 방법을 실시하여 카본 나노 튜브 전극을 형성한다. 도 1은 종래 스크린 인쇄방법으로 제조된 CNT 전극의 일례를 나타낸 것이다.
그러나, 도 1과 같이, 페이스트 상태에서 스크린 인쇄 방법에 의해 전극을 제조하면 수지 잔탄 성분(18)이 많이 남아서 대부분의 CNT(16)는 그 끝단이 수지 잔탄에 묻게 된다. 이런 현상이 일어나면 묻혀진 CNT는 전류방출에도 기여를 못하게 된다. 도 1에서 도면부호 10은 캐소드이고, 12는 절연체이고, 14는 게이트 전극이고, 16은 CNT이며, 18은 프릿, 전도물질 및 수지를 포함한다.
또한, 종래 페이스트 상태에서는 스크린 인쇄(screen printing)가 가능하기 위하여 일정 점도 이상의 수지를 사용해야 되는데, 이 수지점도 때문에 카본 나노 튜브의 함량을 자유롭게 조절할 수 없으며, 일정량의 점도를 얻고 분산을 시키기 위해 3 롤 밀(roll mill) 작업이 필요하다.
또한, 기판에 수직에 가까운 방향 즉, 전기장이 걸리는 방향에 수직 방향으로 방향성을 갖지 못하고 기판과 평행한 방향으로 배열되어 실제로 전자를 방출하는 역할을 하지 못하는 CNT의 비율이 많아져 첨가해준 CNT 대비 그 효율이 낮아지게 된다. 일반적으로 이렇게 제조된 전계 방출용 전극은 그 모양이 평면이어서 최대한 표면적을 넓히지 못하고 가장 적은 표면적을 갖게 된다.
본 발명은 상술한 문제점을 해결하기 위한 것으로서, 본 발명의 목적은 공정이 단순하면서 소성 후에 남는 잔탄이 현저하게 줄어들어 잔탄으로 인한 카본 나노 튜브의 전자 방출 특성의 저하를 방지하고 수명 감소 현상을 현저하게 줄일 수 있는 평판표시소자의 전자 방출원 형성용 슬러리 조성물을 제공하기 위한 것이다.
본 발명의 다른 목적은 상기 전자 방출원 형성용 조성물로 제조되는 전자 방출원을 제공하기 위한 것이다.
본 발명의 다른 목적은 상기 전자 방출원 형성용 조성물로 제조되는 전극 형성 방법을 제공하기 위한 것이다.
본 발명의 또 다른 목적은 상기 전자 방출원 형성용 조성물로 제조되는 전극을 포함하는 평판 표시 소자를 제공하기 위한 것이다.
상기 목적을 달성하기 위하여, 본 발명은 카본 나노 튜브(CNT), 접착물질, 분산제, 및 용매를 포함하는 점도가 1000 cP 이하인 평판표시소자의 전자 방출원 형성용 슬러리 조성물을 제공한다.
또한, 본 발명은 카본 나노 튜브(CNT), 접착물질, 저온 분해 감광성 수지, 분산제, 및 용매를 포함하는 점도가 1000 cP 이하인 평판표시소자의 전자 방출원 형성용 슬러리 조성물을 제공한다.
또한, 본 발명은 상기 카본 나노 튜브(CNT), 접착물질, 분산제 및 용매를 포함하는 점도가 1000 cP 이하인 전자 방출원 형성용 슬러리 조성물을 포토레지스트(PR)로 패턴이 형성된 기판 위에 도포하고;
상기 조성물을 건조하고 포토레지스트를 제거한 후 소성하여 전극 패턴을 형성하는
단계를 포함하는 전계 방출 소자의 전극 형성방법을 제공한다.
또한, 본 발명은 상기 카본 나노 튜브(CNT), 접착물질, 저온 분해 감광성 수지, 분산제, 및 용제를 포함하는 점도가 1000 cP 이하인 전자 방출원 형성용 슬러리 조성물을 기판 위에 도포하고;
상기 조성물을 건조하고 소성하여 전극 패턴을 형성하는
단계를 포함하는 전계 방출 소자의 전극 형성방법을 제공한다.
또한, 본 발명은 상기 카본 나노 튜브(CNT), 접착물질, 분산제 및 용매를 포함하는 점도가 1000 cP 이하인 전자 방출원 형성용 슬러리 조성물을 코팅하여 형성된 전극을 포함하는 평판표시소자를 제공한다.
또한, 본 발명은 상기 카본 나노 튜브(CNT), 접착물질, 저온 분해 감광성 수지, 분산제 및 용매를 포함하는 점도가 1000 cP 이하인 전자 방출원 형성용 슬러리 조성물을 스핀코팅하여 형성된 전극을 포함하는 평판표시소자를 제공한다.
이하 본 발명을 더욱 상세하게 설명한다.
본 발명은 종래와 같이 카본 나노 튜브를 페이스트로 만들어 스크린 인쇄하거나 CVD와 같은 증착(deposition) 방법으로 카본 나노 튜브 전극을 형성하는 것이 아니라, 카본 나노 튜브를 분산시킨 용액을 이용하여 코팅 방법에 의해 카본 나노 튜브 전극을 형성하는 전자 방출원 형성용 슬러리 조성물 및 이를 이용한 전극 형성방법에 관한 것이다.
본 발명의 전자 방출원 형성용 슬러리 조성물은 카본 나노 튜브, 카본 나노 튜브를 기판에 고정할 접착제 역할을 하는 프릿(frit)과 같은 접착 물질, 분산제 및 상기 카본 나노 튜브 및 접착물질을 분산시키기 위한 용제를 포함한다. 이러한 본 발명의 조성물은 점도가 1000 cP 이하, 바람직하게는 10 내지 1000 cP 로서, 종래와 같이 페이스트 상태의 용액을 사용하여 스크린 인쇄를 위해 일정 점도 이상을 유지하기 위한 고점도 수지를 사용하지 않아도 된다. 상기 본 발명의 슬러리 조성물의 점도가 상기 범위를 벗어나 1000 cp 이상일 경우, 코팅이 되지 않거나 너무 두꺼워 접착성이 약해지고 패턴 형성이 잘 안되는 문제가 있어 바람직하지 않다.
상기 카본 나노 튜브는 종래 페이스트 조성물에 포함되는 양보다 자유롭게 조절 가능하며, 바람직하게는 1 내지 30 중량부의 양으로 포함된다. 상기 카본 나노 튜브의 함량이 상기 범위를 벗어나 1 중량부 미만이면 전류방출 특성과 수명이 저하되고, 30 중량부보다 많으면 코팅이 되지 않는다.
본 발명의 슬러리 조성물은 카본나노튜브(CNT) 외에, 접착물질, 분산제, 용매를 포함한다.
상기 접착물질은 프릿(frit), 물유리, 실리케이트(silicate) 용액 및 500 ℃ 이하의 온도에서 접착성을 갖는 금속 파우더로 이루어진 군으로부터 선택되는 접착 물질을 사용하는 것이 바람직하다. 상기 500 ℃ 이하의 온도에서 접착성을 갖는 금속 파우더의 예를 들면 Zn, Pb, 및 Pb 합금류로 이루어진 군으로부터 선택되는 것을 사용할 수 있다. 이때, 금속의 녹는점은 대부분 매우 높으나 파우더의 크기가 매우 작은 경우에는 금속 파우더 표면의 약간의 녹는 현상으로 접착성이 생길 수 있다. 상기 접착물질의 함량은 상기 카본 나노 튜브의 사용량에 따라 조절 가능하며, 카본 나노 튜브의 양보다 0.5 내지 10 배, 바람직하게는 2 배 정도로 사용한다. 이때, 상기 접착물질의 양이 카본 나노 튜브의 양보다 0.5 배 미만일 경우 접착성이 저하되고, 10배를 초과할 경우 전도성 저하 및 아킹현상이 발생한다.
상기 분산제는 아크릴 계열 분산제를 사용할 수 있다. 상기 분산제의 함량은 0.05 내지 0.3 중량부로 사용할 수 있다.
상기 용매 역시 상기 카본 나노 튜브 및 접착 물질의 사용량에 따라 적절히 조절 가능하며, 바람직하게는 70 내지 99 중량부의 양으로 포함된다. 상기 용매의 함량이 70 중량부 미만일 경우 코팅이 안되고 잔탄이 많으며, 99 중량부를 초과할 경우 분산, 방출전류밀도, 수명이 저하된다. 본 발명에서 사용되는 용매는 끊는점이 250 ℃ 이하인 것을 사용하는 것이 바람직하며, 용매로서 일례를 들면 물, 터피네올(terpineol), 텍사놀, 에탄올, 및 아세톤으로 이루어진 군으로부터 1 종 이상 선택되는 것을 사용할 수 있다. 바람직하게는 물을 사용할 수 있으며, 그 함량은 70 내지 98 중량부로 포함될 수 있다.
또한, 본 발명의 전자 방출원 형성용 슬러리 조성물은 소포제, PGMEA, 질소 소성시 잔탄량이 7% 이하인 비감광성 아크릴레이트 계열 수지로 이루어진 군으로부터 1 종 이상 선택되는 성분을 추가로 더욱 포함할 수 있다. 상기 소포제로는 상품명으로 formex, SLS(polyoxyethylene Sorvitan Mono Laurate), PES(polyoxypropylene and polyoxyethylene Copolymer) 등을 사용할 수 있다. 상기 소포제의 함량은 0.025 내지 0.15 중량부로 사용할 수 있다. 또한, 상기 비감광성 아크릴레이트 수지는 코팅의 용이성을 제공하며, 그 함량은 0.5 내지 3의 중량부로 포함할 수 있다. 본 발명의 조성물은 상기 비감광성 아크릴레이트 계열 수지를 사용하더라도 전체 슬러리 중에 1% 이하로 포함된다.
또한, 본 발명은 카본 나노 튜브(CNT), 접착물질, 저온 분해 감광성 수지, 분산제 및 용매를 포함하는 점도가 1000 cP 이하인 평판표시소자의 전자 방출원 형성용 슬러리 조성물을 제공한다. 이러한 조성물은 저온 본해 감광성 수지를 포함하기 때문에 전극 패턴 형성시 포토레지스트를 사용하지 않아도 되는 장점이 있다.
상기 카본 나노 튜브(CNT), 접착물질, 분산제 및 용매는 상기한 물질들을 사용할 있다.
상기 저온 분해 감광성 수지는 감광에 의해 폴리머가 형성되는 것으로, 광개시제와 함께 사용되며, 400 내지 500 ℃의 온도에서 분해되는 것을 사용하는 것이 바람직하다. 상기 저온 분해 감광성 수지의 예를 들면, 아크릴레이트 수지, 및 에틸 셀룰로오스 수지로 이루어진 군으로부터 선택되는 것을 사용할 수 있다. 상기 저온 분해 감광성 수지의 함량은 0.5 내지 2 중량부로 포함되는 것이 바람직하다. 상기 저온 분해 감광성 수지의 함량이 0.5 중량부 미민일 경우 노광이 안되고, 2 중량부를 초과하면 잔탄이 많아지는 문제가 있다.
또한, 본 발명의 전자 방출원 형성용 조성물은 절연물인 프릿(frit)으로 인한 전도성 감소 현상이 발생하면 이를 막아주는 전도성 물질 등을 더욱 첨가할 수 있다. 상기 전도성 물질로는 Ag, Al, Cr, Ti, 및 Zn 으로 이루어진 군으로부터 선택되는 금속 파우더, 및 녹는점이 적어도 400 ℃ 이상인 전도성 고분자 수지로 이루어진 군으로부터 선택되는 전도성 물질을 사용할 수 있다. 상기 녹는점이 적어도 400 ℃ 이상인 전도성 고분자 수지는 폴리아세틸렌(polyacetylene), 폴리피롤(polypyrrole), 폴리티오펜(polythiopene), 폴리아닐린(polyaniline)으로 이루어진 군으로부터 선택되는 것을 사용할 수 있다. 상기 전도성 물질의 함량은 상기 카본 나노 튜브의 사용량에 따라 조절 가능하며, 바람직하게는 카본 나노 튜브의 양보다 2 배 정도로 사용한다.
본 발명은 상기 카본나노튜브, 접착물질, 분산제 및 용제를 초음파 분산 방법을 사용하여 분산시켜 전자 방출원 형성용 조성물을 제조할 수 있다.
또한, 본 발명의 전계 방출 소자의 전극 형성 방법은 상기 전자 방출원 형성용 슬러리 조성물을 전극구조에 도포한 후 노광 현상하거나 CRT의 BM(black matrix)을 형성하는 방법을 응용하여 CNT 전극을 형성하는 방법이다.
본 발명의 전극 형성 방법의 일례를 들면, 상기 저온 분해 감광성 수지가 포함되지 않을 경우, 점도가 1000 cP 이하인 전자 방출원 형성용 슬러리 조성물을 포토레지스트(PR)로 패턴이 형성된 기판 위에 도포하고, 상기 조성물을 건조하고 포토레지스트를 제거한 후 소성하여 전극 패턴을 형성할 수 있다.
또한, 본 발명은 저온 분해 감광성 수지를 포함하는 슬러리 조성물을 사용할 경우, 포토레지스트(PR)를 사용하지 않아도 되며, 따라서 기판 위에 슬러리 조성물을 도포하고, 건조 및 소성하여 전극 패턴을 형성할 수도 있다.
상기 도포는 스핀 코팅, 분사법, 또는 롤 코팅(roll coating) 방법에 의해 실시될 수 있으며, 바람직하게는 스핀 코팅을 사용한다.
상기 소성은 350 내지 500 ℃에서 실시되며, 질소에 의해 소성되는 것이 바람직하다.
이와 같이, 본 발명의 방법에 의해 전극을 형성하면 기존의 카본 나보 튜브를 페이스트 상태로 전극을 형성하는 방법 보다 공정이 단순하며, 소성 후에 남는 잔탄이 현저하게 줄어들어 잔탄으로 인한 카본 나노 튜브의 전자 방출 특성의 저하나 수명 감소 현상이 현저하게 줄어든다.
이하 본 발명의 바람직한 실시예 및 비교예를 기재한다. 하기 실시예는 본 발명을 보다 명확히 표현하기 위한 목적으로 기재될 뿐 본 발명의 내용은 하기 실시예에 한정되지 않는다.
(비교예 1)
카본 나노 튜브 12 g, 글래스 프릿 5 g, Ag 5 g, 및 감광성 수지 78 g을 혼합 교반하여 점도 40000 cP의 페이스트 조성물을 제조하였다. 이후, 이 조성물을 3 롤 밀(roll mill) 작업을 하여 스크린 프린팅 방법으로 전극을 제조하였다.
(실시예 1)
카본 나노 튜브를 1 g으로 사용하고, 여기에 CNT 양보다 2배 정도 많은 프릿(frit) 2 g 및 Ag 2 g을 넣은 후, 물, 분산제로서 X-100, 및 소포제로서 formax를 각각 각 90 g, 0.05g, 0.025g을 첨가하여 초음파로 분산시켜 점도가 15 cP인 CNT 슬러리 조성물을 제조하였다.
이후, 기판 위에 PR(Photo Resist, positive type)을 도포한 후 100℃ 가열건조, 노광 현상한 후 다시 100 ℃로 가열 건조시키고 그 위에 상기 CNT 슬러리 용액을 스핀 코팅한 후 건조하였다. 이후, PR을 기판에 도포시킨 후 건조시켜 PR 스트리퍼로 PR을 제거하여 패턴을 형성하고, 이렇게 형성된 라인 패턴(line pattern)의 전극을 400 ℃에서 소성시켰다.
상기 비교예 1 및 실시예 1에 의해 형성된 전극의 주사전자현미경 사진을 도 2 및 4에 나타내었고, 도 3은 소성하기 전의 순수 카본 나노 튜브의 주사전자현미경 사진을 나타낸 것이다.
도 2 내지 4를 비교해 보면, 도 2의 비교예 1의 경우 CNT가 수지 잔탄에 코팅되어 두꺼워진 것을 알 수 있다. 이러한 수지 잔탄은 CNT의 표면을 감싸 CNT의 전자 방출시 주울열을 발생시켜 CNT의 변형을 일으켜 수명단축의 원인이 된다. 반면, 도 3의 실시예 1의 경우 CNT 분말상태에서의 CNT 굵기가 그대로 유지된 것을 알 수 있다. 이로써, 도 4의 본 발명의 실시예 1의 경우 CNT가 잔탄에 묻히지 않고 깨끗하였다.
도 5a 및 5b는 비교예 1 및 본 발명의 실시예 1에 의해 형성된 전극의 전자방출 사진이다. 결과에서 보면, 도 5a의 비교예 1에 비해 5b의 본 발명의 전극은 잔탄이 없음을 알 수 있다.
도 6은 비교예 1 및 본 발명의 실시예 1에 의해 CNT전극을 형성하였을 때의 I-V 특성을 비교하여 나타낸 것으로, 결과에서 알 수 있듯이 본 발명의 실시예 1의 카본 나노 튜브의 함량이 비교예 1에 비해 75%정도임에도 불구하고 전류방출 특성이 매우 우수함을 알 수 있다.
도 7은 비교예 1 및 실시예 1의 카본 나노 튜브 전극의 수명을 비교한 것이다. 도 7에서 보면, 본 발명의 실시예 1의 경우 수명 감소 현상이 훨씬 더 완화된 것을 알 수 있다.
이상과 같이, 종래 페이스트 상태에서는 스크린 인쇄(screen printing)가 가능하기 위하여 일정 점도 이상의 수지를 사용해야 되는데, 이 수지점도 때문에 마음대로 늘릴 수 없던 CNT의 함량도 본 발명은 자유롭게 조절할 수 있는 장점이 있으며, 일정량의 점도를 얻고 분산을 시키기 위한 3 롤 밀(roll mill) 작업이 불필요하다. 또한, 가장 중요한 특성은 수지잔탄이 CNT를 감싸지 않아 수지잔탄에서 일어나는 주울 히팅이 없기 때문에 이로 인한 CNT의 변형으로 인한 수명감소 현상이 크게 개선된다.
이상에서 살펴본 바와 같이, 본 발명의 점도가 1000 cP 이하인 평판표시소자의 카본 나노 튜브 전극 형성용 슬러리 조성물은 종래 CNT 전극을 만드는 방법보다 CNT를 75%정도 적게 포함하며, 적어도 I-V가 100배 (4V/㎛기준)이상 우수하고 소성후에도 잔탄이 거의 남지 않아 수명감소 현상이 현저히 좋다. 또한, 본 발명에 따르면 CNT 함량조절이 자유롭고 유독성 유기수지를 거의 사용하지 않아 친환경적이며, 공정시간이 기존 방법보다 50% 이상으로 줄어들어 매우 경제적이다.
도 1은 종래 카본 나노 튜브 페이스트를 이용하여 스크린 인쇄방법에 의해 제조된 비교예 1의 전극 구조의 단면도이다.
도 2는 종래 카본 나노 튜브 페이스트를 이용하여 스크린 인쇄방법에 의해 제조된 비교예 1의 전극 구조의 주사전자현미경 사진이다.
도 3은 소성하기 전의 순수 카본 나노 튜브 분말의 주사전자현미경 사진이다.
도 4는 본 발명의 전자 방출원 형성용 슬러리 조성물을 이용하여 스핀코팅방법에 의해 제조된 실시예 1의 전극 구조의 주사전자현미경 사진이다.
도 5a 및 5b는 비교예 1 및 본 발명의 전자 방출원 형성용 슬러리 조성물을 이용하여 제조된 실시예 1의 카본 나노 튜브 전극의 전자 방출 사진이다.
도 6은 비교예 1 및 실시예 1의 카본 나노 튜브 전극의 전자 방출(I-V) 특성을 보인 그래프이다.
도 7은 비교예 1 및 실시예 1의 카본 나노 튜브 전극의 수명을 보인 그래프이다.

Claims (23)

  1. 카본 나노 튜브(CNT), 접착물질, 분산제 및 용매를 포함하는 점도가 1000 cP 이하인 평판표시소자의 전자 방출원 형성용 슬러리 조성물.
  2. 제 1항에 있어서, 상기 접착물질이 프릿(frit), 물유리, 실리케이트(silicate) 용액 및 500 ℃ 이하의 온도에서 접착성을 갖는 금속 파우더로 이루어진 군으로부터 선택되는 것인 전자 방출원 형성용 슬러리 조성물.
  3. 제 1항에 있어서, 상기 용매는 물, 터피네올(terpineol), 텍사놀, 에탄올, 및 아세톤으로 이루어진 군으로부터 1 종 이상 선택되는 것인 전자 방출원 형성용 슬러리 조성물.
  4. 제 1항에 있어서, 상기 조성물은 소포제, PGMEA, 및 비감광성 아크릴레이트 계열 수지로 이루어진 군으로부터 1 종 이상 선택되는 것을 더욱 포함하는 것인 전자 방출원 형성용 슬러리 조성물.
  5. 제 1항에 있어서, 상기 조성물은 Ag, Al, Cr, Ti, 및 Zn으로 이루어진 군으로부터 선택되는 전도성 물질, 및 녹는점이 적어도 400 ℃ 이상인 전도성 고분자 수지로 이루어진 군으로부터 선택되는 전도성 물질을 더욱 포함하는 것인 전자 방출원 형성용 슬러리 조성물.
  6. 제 5항에 있어서, 상기 녹는점이 적어도 400 ℃ 이상인 전도성 고분자 수지는 폴리아세틸렌(polyacetylene), 폴리피롤(polypyrrole), 폴리티오펜(polythiopene), 및 폴리아닐린(polyaniline)으로 이루어진 군으로부터 선택되는 것인 전자 방출원 형성용 슬러리 조성물.
  7. 제 1항에 있어서, 상기 카본 나노 튜브는 전체 조성물에 대하여 1 내지 30 중량%의 양으로 포함되는 것인 전자 방출원 형성용 슬러리 조성물.
  8. 카본 나노 튜브(CNT), 접착물질, 저온 분해 감광성 수지, 분산제, 및 용매를 포함하는 점도가 1000 cP 이하인 평판표시소자의 전자 방출원 형성용 슬러리 조성물.
  9. 제 8항에 있어서, 상기 접착물질이 프릿(frit), 물유리, 실리케이트(silicate) 용액 및 500 ℃ 이하의 온도에서 접착성을 갖는 금속 파우더로 이루어진 군으로부터 선택되는 것인 전자 방출원 형성용 슬러리 조성물.
  10. 제 8항에 있어서, 상기 저온 분해 감광성 수지가 400 내지 500 ℃의 온도에서 분해되는 아크릴레이트 수지, 에틸 셀룰로오스 수지, 및 광개시제로 이루어진 군으로부터 선택되는 것인 전자 방출원 형성용 슬러리 조성물.
  11. 제 8항에 있어서, 상기 용매는 물, 터피네올(terpineol), 텍사놀, 에탄올, 및 아세톤으로 이루어진 군으로부터 1 종 이상 선택되는 것인 전자 방출원 형성용 슬러리 조성물.
  12. 제 8항에 있어서, 상기 조성물은 소포제, PGMEA, 및 비감광성 아크릴레이트 계열 수지로 이루어진 군으로부터 1 종 이상 선택되는 것을 더욱 포함하는 것인 전자 방출원 형성용 슬러리 조성물.
  13. 제 8항에 있어서, 상기 조성물은 Ag, Al, Cr, Ti, 및 Zn으로 이루어진 군으로부터 선택되는 전도성 물질, 및 녹는점이 적어도 400 ℃ 이상인 전도성 고분자 수지로 이루어진 군으로부터 선택되는 전도성 물질을 더욱 포함하는 것인 전자 방출원 형성용 슬러리 조성물.
  14. 제 13항에 있어서, 상기 녹는점이 적어도 400 ℃ 이상인 전도성 고분자 수지는 폴리아세틸렌(polyacetylene), 폴리피롤(polypyrrole), 폴리티오펜(polythiopene), 및 폴리아닐린(polyaniline)으로 이루어진 군으로부터 선택되는 것인 전자 방출원 형성용 슬러리 조성물.
  15. 제 8항에 있어서, 상기 카본 나노 튜브는 전체 조성물에 대하여 1 내지 30 중량%의 양으로 포함되는 것인 전자 방출원 형성용 슬러리 조성물.
  16. 제 1항 내지 제 7항 중 어느 한 항에 따른 점도가 1000 cP 이하인 전자 방출원 형성용 슬러리 조성물을 포토레지스트(PR)로 패턴이 형성된 기판 위에 도포하고;
    상기 조성물을 건조하고 포토레지스트를 제거한 후 소성하여 전극 패턴을 형성하는
    단계를 포함하는 전계 방출 소자의 전극 형성 방법.
  17. 제 16항에 있어서, 상기 도포는 스핀 코팅, 분사법, 또는 롤 코팅(roll coating) 방법에 의해 실시되는 것인 전계 방출 소자의 전극 형성방법.
  18. 제 16항에 있어서, 상기 소성은 350 내지 500 ℃에서 질소에 의해 실시되는 것인 전계 방출 소자의 전극 형성방법.
  19. 제 8항 내지 제 15항 중 어느 한 항에 따른 점도가 1000 cP 이하인 전자 방출원 형성용 슬러리 조성물을 기판 위에 도포하고;
    상기 조성물을 건조하고 소성하여 전극 패턴을 형성하는
    단계를 포함하는 전계 방출 소자의 전극 형성방법.
  20. 제 19항에 있어서, 상기 도포는 스핀 코팅, 분사법, 또는 롤 코팅(roll coating) 방법에 의해 실시되는 것인 전계 방출 소자의 전극 형성방법.
  21. 제 19항에 있어서, 상기 소성은 350 내지 500 ℃에서 질소에 의해 실시되는 것인 전계 방출 소자의 전극 형성방법.
  22. 제 1항 내지 제 7항 중 어느 한 항에 따른 점도가 1000 cP 이하인 전자 방출원 형성용 슬러리 조성물을 코팅하여 형성된 전극을 포함하는 평판표시소자.
  23. 제 8항 내지 제 15항 중 어느 한 항에 따른 점도가 1000 cP 이하인 전자 방출원 형성용 슬러리 조성물을 스핀코팅하여 형성된 전극을 포함하는 평판표시소자.
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