KR20050020012A - Apparatus and method for inspecting a wafer - Google Patents
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Abstract
Description
본 발명은 웨이퍼 검사 장치 및 방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 웨이퍼의 가장자리를 따라 형성된 경사 외곽의 불량을 확인하여 그 위치를 마킹하기 위한 웨이퍼 검사 장치 및 방법에 관한 것이다.TECHNICAL FIELD The present invention relates to a wafer inspection apparatus and method, and more particularly, to a wafer inspection apparatus and method for identifying a defect of an inclined outline formed along an edge of a wafer and marking its position.
반도체 디바이스(Device)가 점차 고집적화되면서 평탄화기술의 하나인 CMP(Chemical-Mechanical Polishing) 도입 및 막질(Layer)의 다양화에 따라 웨이퍼(Wafer)의 가장자리 영역의 잔류 막질은 잘 제거되지 않고, 잔류된 막질은 후속 공정인 건식 습각과 습식 식각 공정을 거치면서 웨이퍼의 칩(Chip) 부위로 전이되어 파티클(Particle)의 소스(Source)로 작용하게 된다.As semiconductor devices become increasingly integrated, residual film quality in the edge region of the wafer is hardly removed due to the introduction of CMP (Chemical-Mechanical Polishing), which is one of the planarization techniques, and the diversification of the film. The film is transferred to the chip portion of the wafer through dry wet and wet etching, which are subsequent processes, and serve as a source of particles.
반도체 제조 공정에서 발생하는 가장자리 영역의 불량은 일차적으로 베벨 스코프(Bevel Scope)를 이용한 시각적 검사를 통하여 확인된다. 상기 확인된 불량 위치는 후속의 수직 전자 주사 현미경(V-SEM) 파괴 분석 또는 공정 라인 내 전자 주사 현미경을 이용하여 추가 분석이 진행되는데 이를 위하여 불량 위치는 작업자에 의해 웨이퍼 표면에 수동으로 마킹되거나 마킹이 불가능한 경우 대략의 위치가 별도의 자료로 기록되게 된다. 이러한 과정에서는 현재 사용되고 있는 8인치, 12인치 베벨 스코프에서 공통적으로 수동 마킹에 의한 마킹 위치의 부정확성 문제가 발생할 가능성이 존재하고, 12인치의 경우 작업자가 불량 위치를 확인한 후, 그 위치를 웨이퍼에 직접 마킹하는데 많은 시간이 소요되는 추가적인 문제점도 있다Defects in the edge region generated in the semiconductor manufacturing process are primarily confirmed through visual inspection using a Bevel scope. The identified defective location can be further analyzed using a subsequent vertical electron scanning microscope (V-SEM) disruption analysis or an electron scanning microscope in the process line. If this is not possible, the approximate location will be recorded as separate data. In this process, there is a possibility that a problem of inaccuracy of marking position due to manual marking may occur in common 8 inch and 12 inch bevel scopes currently used.In the case of 12 inch, the operator checks a defective position and then places the position directly on the wafer. There is an additional problem that takes a long time to mark.
또한 전자 주사 현미경 확인 또는 공정 진행 과정에 따른 불량 위치의 변화 확인과 같이 웨이퍼에 마킹이 불가능한 경우에는 검사 진행 후 불량 포인트의 위치에 대한 대략적인 위치 정보만이 존재함으로 추가 분석 진행시 동일 불량 위치를 정확하게 찾기 위한 추가적인 작업이 요구되는 문제점도 있다. In addition, if the marking on the wafer is not possible, such as checking the electron scanning microscope or checking the change of the defective position according to the process progress, only the approximate position information on the position of the defective point exists after the inspection is performed. Another problem is that additional work is required to find exactly.
상기와 같은 문제점을 해결하기 위한 본 발명의 제1목적은 웨이퍼의 가장자리 영역 불량을 확인하여 정확하고 신속하게 마킹할 수 있는 웨이퍼 검사 장치를 제공하는데 있다. The first object of the present invention for solving the above problems is to provide a wafer inspection apparatus that can be confirmed accurately and quickly by identifying a defect in the edge region of the wafer.
본 발명의 제2목적은 웨이퍼의 가장자리 영역 불량을 확인하여 정확하고 신속하게 마킹할 수 있는 웨이퍼 검사 방법을 제공하는데 있다. A second object of the present invention is to provide a wafer inspection method capable of accurately and quickly marking an edge region defect of a wafer.
상기 본 발명의 제1목적을 달성하기 위하여 본 발명은 웨이퍼를 지지 고정하고 상기 웨이퍼를 회전시키기 위한 회전척과, 상기 회전척의 일측에 배치되며, 상기 회전척 상에서 회전하는 웨이퍼의 가장자리를 따라 형성된 경사 외곽(bevel contour)의 불량을 검사하기 위한 검사부와, 상기 웨이퍼 검사부에서 상기 웨이퍼의 불량이 확인되는 경우 상기 웨이퍼가 상기 웨이퍼 검사부의 최초 검사 위치로부터 상기 불량이 확인된 위치까지 회전한 상기 웨이퍼의 회전각을 저장하기 위한 회전각 저장부 및 상기 회전척의 타측에 배치되며, 상기 회전각 저장부에서 저장된 상기 불량 위치의 회전각을 이용하여 상기 불량 위치를 마킹하기 위한 마킹부를 포함하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 검사 장치를 제공한다. In order to achieve the first object of the present invention, the present invention is a rotational chuck for supporting and fixing a wafer and rotating the wafer, and is disposed on one side of the rotary chuck, the inclined outer edge formed along the edge of the wafer to rotate on the rotary chuck an inspection unit for inspecting a defect of a bevel contour and a rotation angle of the wafer in which the wafer is rotated from an initial inspection position of the wafer inspection unit to a position where the defect is confirmed when the wafer inspection is confirmed by the wafer inspection unit. A rotation angle storage unit for storing the wafer and a wafer disposed on the other side of the rotation chuck, and a marking unit for marking the defective position using the rotation angle of the defective position stored in the rotation angle storage unit. Provide the device.
상기 검사부는 CCD 카메라 또는 SEM을 이용하여 상기 웨이퍼의 가장자리 이미지를 획득하고, 상기 이미지를 이용하여 상기 웨이퍼의 불량을 검사한다.The inspection unit acquires an edge image of the wafer using a CCD camera or an SEM, and inspects the defect of the wafer using the image.
상기 웨이퍼 검사 장치는 상기 회전각 저장부에 저장된 회전각 데이터를 파일로 생성하기 위한 데이터 파일 생성부 및 상기 웨이퍼 검사부의 웨이퍼 불량 위치 및 상기 불량 위치를 마킹한 결과를 디스플레이하기 위한 디스플레이부를 더 포함한다. The wafer inspection apparatus further includes a data file generation unit for generating rotation angle data stored in the rotation angle storage unit as a file, and a display unit for displaying a wafer defect position of the wafer inspector and a result of marking the defect position. .
상기 본 발명의 제2목적을 달성하기 위하여 본 발명은 웨이퍼를 회전척 상에 로딩하는 단계와, 상기 웨이퍼를 적정 위치로 얼라인하여 최초 검사 위치를 설정하는 단계와, 상기 웨이퍼를 회전시키면서, 상기 웨이퍼의 가장자리를 따라 형성된 경사 외곽(bevel contour)의 불량을 확인하는 단계와, 상기 경사 외곽의 불량이 확인되는 경우, 상기 웨이퍼의 중심축을 기준으로 상기 웨이퍼가 상기 최초 검사 위치로부터 상기 불량이 확인된 위치까지 회전한 상기 웨이퍼의 회전각을 저장하는 단계와, 저장된 상기 회전각을 이용하여 상기 웨이퍼 상에 상기 불량이 확인된 위치를 일괄적으로 마킹하는 단계 및 상기 웨이퍼를 언로딩하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 검사 방법을 제공한다. In order to achieve the second object of the present invention, the present invention includes the steps of loading a wafer on a rotary chuck, aligning the wafer to an appropriate position to set an initial inspection position, and rotating the wafer, Checking the defect of the bevel contour formed along the edge of the step; and if the defect of the inclined outline is confirmed, the position where the defect is confirmed from the initial inspection position based on the central axis of the wafer Storing the rotation angle of the wafer rotated up to and including the step of collectively marking a position where the defect is identified on the wafer using the stored rotation angle and unloading the wafer. A wafer inspection method is provided.
상기 최초 검사 위치는 웨이퍼의 가장자리에 형성된 플랫존 또는 노치이다.The initial inspection position is a flat zone or notch formed at the edge of the wafer.
상기 웨이퍼 검사 방법은 상기 웨이퍼의 불량을 확인하고 상기 불량 위치의 회전각 저장이 완료되면 상기 불량 위치와 상기 불량 위치의 회전각을 재확인하는 단계 및 상기 웨이퍼의 불량을 확인하여 저장된 상기 불량 위치의 회전각 데이터를 파일로 생성하는 단계를 더 포함한다.The wafer inspection method checks the defect of the wafer, and when the rotation angle storage of the defective position is completed, re-confirming the defective position and the rotation angle of the defective position; and checking the defect of the wafer to rotate the defective position stored The method further includes generating each data to a file.
이와 같이 구성된 본 발명은 웨이퍼의 회전각을 이용하여 웨이퍼 가장자리 불량 위치를 자동으로 마킹하므로 신속하고 정확한 마킹이 가능하다. 또한 회전각 데이터를 파일로 생성하므로 상기 데이터 파일을 이용하여 추가적인 분석시 상기 불량 위치를 신속하고 정확하게 재확인할 수 있다.The present invention configured as described above automatically marks the defect position of the wafer edge using the rotation angle of the wafer, thereby enabling fast and accurate marking. In addition, since the rotation angle data is generated as a file, the defective location can be quickly and accurately reconfirmed during further analysis using the data file.
이하, 첨부한 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 웨이퍼 검사 장치에 대해 상세히 설명한다. Hereinafter, a wafer inspection apparatus according to a preferred embodiment of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.
도 1은 본 발명의 바람직한 일실시예에 따른 웨이퍼 검사 장치를 설명하기 위한 개략적인 구성도이다.1 is a schematic diagram illustrating a wafer inspection apparatus according to an embodiment of the present invention.
도 1을 참조하면, 웨이퍼 검사 장치는 웨이퍼(200)를 지지 고정하고 상기 웨이퍼(200)를 회전시키기 위한 회전척(110)과, 웨이퍼(200)를 검사하기 위해 회전척(110) 상으로 로딩하고 검사가 끝난 상기 웨이퍼(200)를 상기 회전척(110)로부터 언로딩하기 위한 로딩/언로딩부(160)와, 상기 회전척(110)의 일측에 배치되며, 상기 회전척(110) 상에서 회전하는 웨이퍼(200)의 가장자리를 따라 형성된 경사 외곽(bevel contour)의 불량을 검사하기 위한 웨이퍼 검사부(130)와, 상기 웨이퍼 검사부(130)에서 상기 웨이퍼(200)의 불량이 확인되는 경우 상기 웨이퍼(200)가 상기 웨이퍼 검사부(130)의 최초 검사 위치로부터 상기 불량이 확인된 위치까지 회전한 상기 웨이퍼(200)의 회전각(θ)을 저장하기 위한 회전각 저장부(170)와, 상기 회전척(110)의 타측에 배치되며, 상기 회전각 저장부(170)에서 저장된 상기 불량 위치의 회전각(θ)을 이용하여 상기 불량 위치를 마킹하기 위한 마킹부(150)와, 상기 회전각 저장부(170)에 저장된 회전각 데이터를 파일로 생성하기 위한 파일 생성부(180) 및 상기 웨이퍼 검사부(130)에서 확인된 웨이퍼(200)의 불량 위치 및 상기 불량 위치를 마킹한 결과를 디스플레이하기 위한 디스플레이부(190)를 포함한다.Referring to FIG. 1, a wafer inspection apparatus supports and secures a wafer 200, and loads onto a rotation chuck 110 for rotating the wafer 200 and onto the rotation chuck 110 for inspecting the wafer 200. And the loading / unloading unit 160 for unloading the inspected wafer 200 from the rotary chuck 110, and disposed on one side of the rotary chuck 110, on the rotary chuck 110. The wafer inspecting unit 130 for inspecting a defect of a bevel contour formed along the edge of the rotating wafer 200 and the wafer when the defect of the wafer 200 is confirmed by the wafer inspecting unit 130. Rotation angle storage unit 170 for storing the rotation angle θ of the wafer 200 rotated from the initial inspection position of the wafer inspection unit 130 to the position where the defect is confirmed, and the rotation It is disposed on the other side of the chuck 110, the rotation angle storage unit 170 Marking unit 150 for marking the defective position using the stored rotation angle (θ) of the defective position, and a file generation unit for generating the rotation angle data stored in the rotation angle storage unit 170 as a file ( 180) and a display unit 190 for displaying a defective position of the wafer 200 identified by the wafer inspection unit 130 and a result of marking the defective position.
회전척(110)은 둥근 원판 형태로 상부면에 웨이퍼(200)를 지지하며 고정한다. 상기 회전척(110)의 하부면에 회전을 위한 회전축이 연결되어 있다. 상기 회전축은 상기 회전척(110)의 회전시키기 위한 구동력을 제공하는 구동부(120)가 구비된다. 상기 구동부(120)로 모터가 사용될 수 있다.The rotary chuck 110 supports and fixes the wafer 200 on the upper surface in the form of a round disc. A rotating shaft for rotation is connected to the lower surface of the rotary chuck 110. The rotary shaft is provided with a drive unit 120 for providing a driving force for rotating the rotary chuck 110. A motor may be used as the driving unit 120.
상기 회전척(110)의 지름은 웨이퍼(200)의 지름보다 다소 작게 형성되는 것이 바람직하다. 그 이유는 상기 웨이퍼(200)의 가장자리 부위가 드러나도록 배치되어야 상기 가장자리 부위를 검사하기에 용이하기 때문이다. 따라서 상기 회전척(110)에는 진공력을 이용하여 웨이퍼(200)를 고정하는 진공척이나 정전기력을 이용하여 웨이퍼(200)를 고정하는 정전척이 사용되는 것이 바람직하다.The diameter of the rotary chuck 110 is preferably formed to be somewhat smaller than the diameter of the wafer (200). This is because it is easy to inspect the edge portion only when the edge portion of the wafer 200 is exposed. Therefore, it is preferable that a vacuum chuck fixing the wafer 200 using a vacuum force or an electrostatic chuck fixing the wafer 200 using an electrostatic force is used for the rotary chuck 110.
웨이퍼 로딩/언로딩부(160)는 상기 회전척(110)의 일측에 배치되며, 주로 이송암의 구동에 의해 웨이퍼(200)를 로딩하고 또 언로딩한다. 상기 이송암은 다수의 웨이퍼(200)가 수납된 웨이퍼 캐리어(미도시)에서 상기 웨이퍼(200)를 파지하여 상기 회전척(110)의 상부면에 웨이퍼(200)를 로딩한다. 상기 웨이퍼(200)의 검사가 종료되면 상기 이송암은 상기 회전척(110)의 상부면으로부터 상기 웨이퍼(200)를 언로딩하여 다시 상기 웨이퍼 캐리어로 이동시킨다.The wafer loading / unloading unit 160 is disposed on one side of the rotary chuck 110, and mainly loads and unloads the wafer 200 by driving a transfer arm. The transfer arm grips the wafer 200 in a wafer carrier (not shown) in which a plurality of wafers 200 are accommodated, and loads the wafer 200 on an upper surface of the rotary chuck 110. When the inspection of the wafer 200 is finished, the transfer arm unloads the wafer 200 from the upper surface of the rotary chuck 110 and moves back to the wafer carrier.
검사부(130)는 상기 회전척(110) 상에서 구동부(120)의 구동에 따라 회전하는 웨이퍼(200)의 가장자리 부위를 따라 형성된 경사 외곽(bevel contour)의 불량을 검사하기 위한 것으로, 상기 회전척(110)의 일측에 배치된다.The inspection unit 130 is for inspecting a defect of a bevel contour formed along an edge portion of the wafer 200 that rotates according to the driving of the driving unit 120 on the rotary chuck 110. 110 is disposed on one side.
반도체 기판을 제조하기 위한 소정의 공정 후 상기 웨이퍼(200) 상에 남아 있는 잔류 막질 등의 불순물이 상기 불량의 원인이 된다. 잔류된 막질은 후속 공정인 건식 습각과 습식 식각 공정을 거치면서 웨이퍼(200)의 칩(Chip) 부위로 전이되어 파티클의 소스로 작용하게 된다.Impurities such as residual film quality remaining on the wafer 200 after a predetermined process for manufacturing a semiconductor substrate cause the defect. The remaining film is transferred to a chip portion of the wafer 200 through dry wet and wet etching, which are subsequent processes, and serve as a source of particles.
검사부(130)는 상기 회전척(110)의 일측에 배치되며, 회전하는 웨이퍼(200)의 가장자리 부위의 불량을 검사하게 된다. 상기 검사부(130)는 웨이퍼(200)의 불량을 확인하기 위해 현미경 또는 CCD 카메라를 이용한다. 상기 현미경 또는 CCD 카메라를 이용하여 상기 웨이퍼(200)의 가장자리 이미지를 획득하고, 상기 이미지를 이용하여 상기 웨이퍼의 불량을 검사한다.The inspection unit 130 is disposed on one side of the rotary chuck 110 and inspects the defect of the edge portion of the rotating wafer 200. The inspection unit 130 uses a microscope or a CCD camera to confirm the defect of the wafer 200. An edge image of the wafer 200 is obtained by using the microscope or a CCD camera, and defects of the wafer are inspected by using the image.
도 2a 및 도 2b는 각각 최초 검사 위치와 불량 위치를 설명하기 위한 개략적인 평면도이다.2A and 2B are schematic plan views for explaining an initial inspection position and a defective position, respectively.
도 2a 및 도 2b를 참조하면, 회전각 저장부(170)는 상기 검사부(130)가 상기 웨이퍼(200)의 가장자리를 검사하기 시작한 위치, 즉 최초 검사 위치로부터 상기 검사부(130)가 불량을 확인하는 위치까지의 웨이퍼(200)의 회전각을 저장한다. 상기 웨이퍼(200)의 가장자리 부위에 불량 위치가 많으면 상기 회전각 저장부(170)에 저장되는 회전각의 수도 많아지게 된다. 2A and 2B, the rotation angle storage unit 170 confirms that the inspection unit 130 is defective from the position where the inspection unit 130 begins to inspect the edge of the wafer 200, that is, the initial inspection position. The rotation angle of the wafer 200 to the position to be stored is stored. If there are many defective positions on the edge portion of the wafer 200, the number of rotation angles stored in the rotation angle storage unit 170 also increases.
상기 최초 검사 위치는 도 2a에 도시된 것처럼 웨이퍼(200)의 노치(210)가 되는 것이 바람직하다. 상기 노치(210)는 상기 웨이퍼 캐리어에서 미리 정렬되어 상기 회전척(110)의 상부면에 로딩될 때 상기 검사부(130)의 최초 검사 위치에 로딩된다. 상기 노치(210)가 상기 웨이퍼 캐리어에서 미리 정렬되지 않은 경우에는 상기 회전척(110)의 상부면에 로딩된 후 상기 구동부(120)의 구동에 의해 상기 검사부(130)의 최초 검사 위치로 이동된다.The initial inspection position is preferably the notch 210 of the wafer 200 as shown in FIG. 2A. The notch 210 is loaded at the initial inspection position of the inspection unit 130 when it is pre-aligned in the wafer carrier and loaded on the top surface of the rotary chuck 110. If the notch 210 is not aligned in advance in the wafer carrier, the notch 210 is loaded on the upper surface of the rotary chuck 110 and then moved to the initial inspection position of the inspection unit 130 by driving of the driving unit 120. .
상기 웨이퍼(200)에 노치(210)가 아닌 플랫 존이 형성되어 있는 경우에는 상기 플랫 존이 최초 검사 위치가 될 수도 있다. 상기 플랫 존이 형성된 웨이퍼의 경우에도 상기 노치가 형성된 웨이퍼(200)와 마찬가지 방법으로 상기 플랫 존이 상기 검사부(130)의 최초 검사 위치가 되도록 한다.When a flat zone other than the notch 210 is formed on the wafer 200, the flat zone may be the initial inspection position. In the case of the wafer on which the flat zone is formed, the flat zone is the initial inspection position of the inspection unit 130 in the same manner as the wafer 200 on which the notch is formed.
상기 구동부(120)의 구동에 의해 상기 회전척(110)에 고정된 웨이퍼(200)는 도 2b에서와 같이 상부에서 볼 때 시계 방향으로 회전한다. 상기 검사부(130)는 고정된 상태에서 회전하는 웨이퍼(200)의 가장자리 부위의 불량을 확인한다. 상기 검사부(130)에서 상기 웨이퍼(200)의 가장자리 부위의 불량을 확인하면 상기 회전각 저장부(170)는 그 때까지 상기 최초 검사 위치인 노치(210)가 원래 위치로부터 회전한 회전각을 저장하게 된다.The wafer 200 fixed to the rotary chuck 110 by the driving unit 120 rotates clockwise when viewed from the top as shown in FIG. 2B. The inspection unit 130 checks the defect of the edge portion of the wafer 200 that is rotated in a fixed state. When the inspection unit 130 confirms that the edge of the wafer 200 is defective, the rotation angle storage unit 170 stores the rotation angle rotated from the original position by the notch 210, which is the initial inspection position. Done.
마킹부(150)는 상기 회전척(110)의 일측에 배치되며, 상기 웨이퍼(200)의 가장자리 부위에 상기 검사부(130)에서 확인한 불량 위치를 표시하기 위한 장치이다. 상기 검사부(130)가 상기 웨이퍼(200)의 가장자리 부위의 불량을 모두 확인하고, 상기 불량의 위치에 따른 웨이퍼(200)의 회전각이 상기 회전각 저장부(170)에 저장된 후 상기 불량 지점의 위치가 일괄적으로 마킹부(150)에 의해 마킹된다. The marking unit 150 is disposed on one side of the rotary chuck 110, and is a device for displaying a defective position checked by the inspection unit 130 at an edge portion of the wafer 200. The inspection unit 130 checks all the defects of the edge portion of the wafer 200, and the rotation angle of the wafer 200 according to the location of the defect is stored in the rotation angle storage unit 170. Positions are collectively marked by the marking unit 150.
상기 마킹부(150)의 마킹이 상기 검사부(130)의 검사 진행 중에 이루어지는 것이 아니라 상기 검사부(130)의 웨이퍼(200)의 가장자리 부위 불량 검사 후 일괄적으로 이루어지는 이유는 상기 검사부(130)를 이용하는 검사 모드와 상기 마킹부(150)를 이용하는 마킹 모드를 서로 전환하는데 소요되는 시간을 단축하고, 상기 검사부(130)의 검사 결과 확인된 불량 지점의 위치를 재확인 작업을 실시한 후 마킹을 실시하기 위해서이다.The marking of the marking unit 150 is not performed during the inspection process of the inspection unit 130, but is performed collectively after the defect inspection of the edge of the wafer 200 of the inspection unit 130 using the inspection unit 130. This is to shorten the time required to switch between the inspection mode and the marking mode using the marking unit 150, and to perform marking after reconfirming the position of the defective point confirmed as a result of the inspection by the inspection unit 130. .
상기 마킹부(150)의 끝에는 상기 불량 지점의 위치를 표시할 수 있는 물질이 부착되어 있다. 상기 물질은 상기 웨이퍼(200)의 파티클 소스로 작용하지 않는 물질이어야 한다. 상기 마킹부(150)는 상기 웨이퍼(200)의 가장자리 부위 불량 검사시 상기 검사부(130)의 위치에 고정된 상태에서 상기 회전각 저장부(170)에 저장된 회전각만큼 상기 웨이퍼(200)를 회전시키면서 불량 위치에 상기 물질이 부착된 끝을 상기 웨이퍼(200)에 접촉시켜 불량 위치를 표시한다.At the end of the marking unit 150 is attached a material capable of indicating the location of the defect point. The material should be a material that does not act as a particle source of the wafer 200. The marking unit 150 rotates the wafer 200 by the rotation angle stored in the rotation angle storage unit 170 in a state where the marking unit 150 is fixed at the position of the inspection unit 130 during the defect inspection of the edge of the wafer 200. While the end of the material is attached to the defective position in contact with the wafer 200 to indicate the defective position.
파일 생성부(180)는 상기 회전각 저장부(170)에 저장된 불량 위치의 웨이퍼 회전각 데이터를 파일로 생성한다. 상기 검사부(130)에서 확인된 웨이퍼(200) 가장자리 부위의 불량 위치는 수직 전자 주사 현미경(V-SEM)이나 전자 주사 현미경(SEM) 등을 이용하여 추가적으로 보다 정밀한 분석이 이루어지게 된다. 이 때 상기 파일 생성부(180)에서 생성된 회전각 데이터 파일을 이용하여 상기 웨이퍼(200) 가장자리 부위에 불량 위치를 정확하고 신속하게 찾아 분석할 수 있다. 따라서 추가 분석 시간을 줄일 수 있다.The file generation unit 180 generates wafer rotation angle data of a defective position stored in the rotation angle storage unit 170 as a file. The defective position of the edge portion of the wafer 200 identified by the inspection unit 130 may be further analyzed by using a vertical electron scanning microscope (V-SEM) or an electron scanning microscope (SEM). At this time, by using the rotation angle data file generated by the file generation unit 180, it is possible to find and analyze the defective position on the edge of the wafer 200 accurately and quickly. Therefore, additional analysis time can be reduced.
디스플레이부(190)는 상기 웨이퍼(200) 가장자리 부위의 이미지, 상기 검사부(130)에서 검사한 웨이퍼(200) 가장자리 부위 불량 위치 및 상기 불량 위치를 마킹한 결과를 디스플레이한다.The display 190 displays an image of the edge portion of the wafer 200, a defective position of the edge portion of the wafer 200 inspected by the inspection unit 130, and a result of marking the defective position.
도 3은 본 발명이 바람직한 일실시예에 따른 웨이퍼 검사 방법을 설명하기 위한 흐름도이다.3 is a flowchart illustrating a wafer inspection method according to an embodiment of the present invention.
도 3을 참조하여 웨이퍼 검사 방법을 설명한다.A wafer inspection method will be described with reference to FIG. 3.
우선 웨이퍼 로딩/언로딩부(160)에서 웨이퍼 캐리어에 수납된 웨이퍼(200)를 회전척(110)의 상부면으로 로딩한다. 상기 회전척(110)은 진공력이나 정전기력으로 상기 웨이퍼(200)를 고정한다.(S10) First, the wafer 200 accommodated in the wafer carrier is loaded onto the upper surface of the rotary chuck 110 by the wafer loading / unloading unit 160. The rotary chuck 110 fixes the wafer 200 by vacuum force or electrostatic force. (S10)
상기 회전척(100)에 연결된 구동부(120)의 구동에 의해 상기 회전척(100)을 회전시켜 상기 웨이퍼(200)의 노치(210)가 검사부(130)의 최초 검사 위치에 오도록 상기 웨이퍼(200)를 얼라인한다. 상기 웨이퍼(200)가 상기 웨이퍼 캐리어에서 미리 얼라인되어 상기 노치(210)가 상기 검사부(130)의 최초 검사 위치에 오도록 로딩되는 경우 상기 얼라인 단계를 생략한다.(S20)The wafer 200 is rotated by the driving unit 120 connected to the rotary chuck 100 so that the notch 210 of the wafer 200 is at the initial inspection position of the inspection unit 130. ). If the wafer 200 is pre-aligned in the wafer carrier and the notch 210 is loaded to be at the initial inspection position of the inspection unit 130, the alignment step is omitted.
이후 상기 웨이퍼(200)를 회전시키면서, 상기 검사부(130)는 상기 웨이퍼(200)의 가장자리를 따라 형성된 경사 외곽(bevel contour)의 불량의 위치를 확인한다.(S30) Then, while rotating the wafer 200, the inspection unit 130 checks the position of the defect of the bevel contour formed along the edge of the wafer 200. (S30)
상기 검사부(130)에서 상기 경사 외곽의 불량을 확인하는 경우, 상기 웨이퍼의 중심축을 기준으로 상기 웨이퍼(200)의 노치(210)가 상기 최초 검사 위치로부터 상기 불량이 확인될 때까지 회전한 상기 웨이퍼(200)의 회전각을 회전각 저장부(170)에서 저장한다. 상기 회전각 저장부(170)에 저장되는 회전각의 개수는 상기 웨이퍼(200)의 가장자리를 따라 형성된 경사 외곽의 불량 위치 개수와 동일하다.(S40)In the case where the inspection unit 130 checks the defect of the inclined outline, the notch 210 of the wafer 200 is rotated from the initial inspection position until the defect is confirmed based on the center axis of the wafer. The rotation angle of the 200 is stored in the rotation angle storage unit 170. The number of rotation angles stored in the rotation angle storage unit 170 is equal to the number of defective positions of the inclined outer edge formed along the edge of the wafer 200.
상기 검사부(130)에서 상기 웨이퍼(200)의 불량을 확인하고 상기 회전각 저장부(170)에서 상기 불량 위치의 회전각 저장이 완료하면, 상기 불량 위치와 상기 불량 위치의 회전각을 이용하여 상기 회전각에 따라 상기 불량 위치가 정확하게 매치 되는지 확인하여 상기 불량 위치를 재확인한다.(S50)When the inspection unit 130 checks the defect of the wafer 200, and when the rotation angle storage of the defective position is completed in the rotation angle storage unit 170, the defective position and the rotation angle of the defective position are used. According to the rotation angle, it is checked whether the defective position is exactly matched and reconfirmed the defective position. (S50)
상기 회전각 저장부(170)에 저장된 상기 회전각을 이용하여 상기 마킹부(150)는 상기 검사부(130)의 위치와 동일한 위치에서 상기 웨이퍼(200) 상에 상기 불량이 확인된 위치를 일괄적으로 마킹한다.(S60)By using the rotation angle stored in the rotation angle storage unit 170, the marking unit 150 collectively arranges the position where the defect is confirmed on the wafer 200 at the same position as that of the inspection unit 130. (S60)
상기 웨이퍼(200)의 불량을 확인하여 이후 상기 불량 위치에 대한 추가적인 정밀 검사시 보다 신속하고 정확하게 상기 불량 위치를 검색하기 위해 저장된 상기 불량 위치의 회전각 데이터를 파일로 생성한다.(S70)After checking the defect of the wafer 200, the rotation angle data of the stored defective position is generated as a file in order to search for the defective position more quickly and accurately in the subsequent detailed inspection of the defective position (S70).
상기 회전척(110)이 진공력이나 정전기력을 해제시키고 난 후 상기 웨이퍼 로딩/언로딩부(160)는 상기 웨이퍼(200)를 상기 회전척(110)으로부터 언로딩하여 상기 웨이퍼 캐리어로 이송한다.(S80)After the rotary chuck 110 releases the vacuum force or the electrostatic force, the wafer loading / unloading unit 160 unloads the wafer 200 from the rotary chuck 110 to transfer the wafer to the wafer carrier. (S80)
상술한 바와 같이, 본 발명의 바람직한 실시예에 따르면 웨이퍼를 회전시키면서 상기 웨이퍼의 가장자리 부위의 불량을 확인하고, 상기 불량의 위치를 상기 웨이퍼의 회전각을 이용하여 파악한다. 상기 웨이퍼의 회전각을 이용하여 웨이퍼 가장자리 불량 위치를 자동으로 마킹하므로 신속하고 정확한 마킹이 가능하다. 또한 회전각 데이터를 파일로 생성하므로 상기 데이터 파일을 이용하여 추가적인 분석시 상기 불량 위치를 신속하고 정확하게 재확인할 수 있다. 따라서 반도체 제조 공정의 신뢰도를 높일 수 있고, 또한 반도체 제조 공정 중 웨이퍼 검사 시간을 줄일 수 있다.As described above, according to the preferred embodiment of the present invention, the defect of the edge portion of the wafer is checked while the wafer is rotated, and the position of the defect is identified using the rotation angle of the wafer. The wafer edge defect position is automatically marked using the rotation angle of the wafer to enable fast and accurate marking. In addition, since the rotation angle data is generated as a file, the defective location can be quickly and accurately reconfirmed during further analysis using the data file. Therefore, the reliability of the semiconductor manufacturing process can be improved, and wafer inspection time can be reduced during the semiconductor manufacturing process.
상기에서는 본 발명의 바람직한 실시예를 참조하여 설명하였지만, 해당 기술 분야의 숙련된 당업자는 하기의 특허 청구 범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.While the foregoing has been described with reference to preferred embodiments of the present invention, those skilled in the art will be able to variously modify and change the present invention without departing from the spirit and scope of the invention as set forth in the claims below. It will be appreciated.
도 1은 본 발명의 바람직한 일실시예에 따른 웨이퍼 검사 장치를 설명하기 위한 개략적인 구성도이다.1 is a schematic diagram illustrating a wafer inspection apparatus according to an embodiment of the present invention.
도 2a 및 도 2b는 각각 최초 검사 위치와 불량 위치를 설명하기 위한 개략적인 평면도이다.2A and 2B are schematic plan views for explaining an initial inspection position and a defective position, respectively.
도 3은 본 발명이 바람직한 일실시예에 따른 웨이퍼 검사 방법을 설명하기 위한 흐름도이다.3 is a flowchart illustrating a wafer inspection method according to an embodiment of the present invention.
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명 *Explanation of symbols on the main parts of the drawings
110 : 회전척 120 : 구동부110: rotation chuck 120: drive unit
130 : 검사부 140 : 제어부130: inspection unit 140: control unit
150 : 마킹부 160 : 로딩/언로딩부150: marking unit 160: loading / unloading unit
170 : 회전각 저장부 180 : 파일 생성부170: rotation angle storage unit 180: file generation unit
190 : 디스플레이부 200 : 웨이퍼190: display unit 200: wafer
210 : 노치 220 : 불량 위치210: notch 220: bad position
Claims (8)
Priority Applications (1)
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|---|---|---|---|
| KR1020030057645A KR20050020012A (en) | 2003-08-20 | 2003-08-20 | Apparatus and method for inspecting a wafer |
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Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100827440B1 (en) * | 2006-09-29 | 2008-05-06 | 삼성전자주식회사 | Method of analyzing failure of semiconductor integrated circuit device and system thereof |
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2003
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|---|---|---|---|---|
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| US7733719B2 (en) | 2006-09-29 | 2010-06-08 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Method and system of analyzing failure in semiconductor integrated circuit device |
| WO2019198869A1 (en) * | 2018-04-13 | 2019-10-17 | (주)넥서스원 | Apparatus and method for inspecting edge area of wafer |
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