KR20050017998A - Liquid crystal display - Google Patents
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Abstract
Description
본 발명은 액정 표시 장치에 관한 것으로서, 특히 액정의 기울어지는 방향을 분산하여 광시야각을 확보하는 다중 도메인 액정 표시 장치에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a liquid crystal display device, and more particularly, to a multi-domain liquid crystal display device which secures a wide viewing angle by dispersing a tilting direction of liquid crystal.
액정 표시 장치는 일반적으로 공통 전극과 색 필터(color filter) 등이 형성되어 있는 상부 기판과 박막 트랜지스터와 화소 전극 등이 형성되어 있는 하부 기판 사이에 액정 물질을 주입해 놓고 화소 전극과 공통 전극에 서로 다른 전위를 인가함으로써 전계를 형성하여 액정 분자들의 배열을 변경시키고, 이를 통해 빛의 투과율을 조절함으로써 화상을 표현하는 장치이다.In general, a liquid crystal display device injects a liquid crystal material between an upper substrate on which a common electrode, a color filter, and the like are formed, and a lower substrate on which a thin film transistor and a pixel electrode are formed. By applying a different potential to form an electric field to change the arrangement of the liquid crystal molecules, and through this to control the light transmittance is a device that represents the image.
그런데 액정 표시 장치는 시야각이 좁은 것이 중요한 단점이다. 이러한 단점을 극복하고자 시야각을 넓히기 위한 다양한 방안이 개발되고 있는데, 그 중에서도 전계가 인가되지 않은 상태에서 액정 분자의 장축을 상하 기판에 대하여 수직으로 배향하고 화소 전극과 그 대향 전극인 공통 전극에 일정한 개구 패턴을 형성하거나 돌기를 형성하는 방법이 유력시되고 있다. However, it is an important disadvantage that the liquid crystal display device has a narrow viewing angle. To overcome these shortcomings, various methods for widening the viewing angle have been developed. Among them, the long axis of the liquid crystal molecules is oriented vertically with respect to the upper and lower substrates in the absence of an electric field, and a constant opening is formed in the pixel electrode and the common electrode opposite thereto. A method of forming a pattern or forming a projection is influential.
개구 패턴을 형성하는 방법으로는 화소 전극과 공통 전극에 각각 개구 패턴을 형성하여 이들 개구 패턴으로 인하여 형성되는 프린지 필드(fringe field)를 이용하여 액정 분자들이 눕는 방향을 조절함으로써 시야각을 넓히는 방법이 있다. As a method of forming the opening pattern, an opening pattern is formed in each of the pixel electrode and the common electrode, and the viewing angle is widened by adjusting the direction in which the liquid crystal molecules lie down using a fringe field formed by the opening patterns. .
돌기를 형성하는 방법은 상하 기판 위에 형성되어 있는 화소 전극과 공통 전극 위에 각각 돌기를 형성하여 둠으로써 돌기에 의하여 왜곡되는 전기장을 이용하여 액정 분자의 눕는 방향을 조절하는 방식이다.The method of forming the protrusions is a method of controlling the lying direction of the liquid crystal molecules by using the electric field distorted by the protrusions by forming the protrusions on the pixel electrode and the common electrode formed on the upper and lower substrates, respectively.
또 다른 방법으로는, 하부 기판 위에 형성되어 있는 화소 전극에는 개구 패턴을 형성하고 상부 기판에 형성되어 있는 공통 전극 위에는 돌기를 형성하여 개구 패턴과 돌기에 의하여 형성되는 프린지 필드를 이용하여 액정의 눕는 방향을 조절함으로써 소도메인을 형성하는 방식 등이 있다.In another method, an opening pattern is formed on the pixel electrode formed on the lower substrate, and a protrusion is formed on the common electrode formed on the upper substrate, so that the liquid crystal lies down using the fringe field formed by the opening pattern and the protrusion. By adjusting the somatic domain.
이러한 도메인 분할형 액정 표시 장치에서는 응답속도 및 유지 전극에 의하여 생성되는 텍스쳐를 제어하기 위하여 화소 전극의 도메인 분할 수단인 개구 패턴 또는 돌기 패턴과 중첩하는 위치에 유지 전극 연결부가 존재하며, 화소 전극의 가장자리에 유지 전극이 존재한다.In such a domain division type liquid crystal display, in order to control the response speed and the texture generated by the sustain electrode, the sustain electrode connection part exists at a position overlapping with an opening pattern or a projection pattern, which is a domain division means of the pixel electrode, and an edge of the pixel electrode. The sustain electrode exists in the.
그러나, 이러한 구조의 액정 표시 장치에서는 도메인의 단변 부근에서 유지 전극 연결부와 화소 전극 사이에서 발생하는 고 전압 차이로 인하여 액정 분자의 배열이 흐트러지고 이로 인하여 텍스쳐가 발생한다. 텍스쳐는 휘도를 감소시키고 화질을 저하시킨다. However, in the liquid crystal display having such a structure, the arrangement of the liquid crystal molecules is disturbed due to the high voltage difference generated between the sustain electrode connection portion and the pixel electrode near the short side of the domain, thereby causing texture. Textures reduce brightness and degrade picture quality.
또한 유지 전극이 차지하는 면적으로 인하여 개구율이 저하된다. 개구율의 저하는 휘도의 감소로 이어진다.In addition, the opening ratio decreases due to the area occupied by the sustain electrode. The decrease in the aperture ratio leads to a decrease in luminance.
본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제는 빛샘을 방지하면서 개구율을 향상시킬 수 있는 액정 표시 장치를 제공하는 것이다.An object of the present invention is to provide a liquid crystal display device which can improve the aperture ratio while preventing light leakage.
이러한 과제를 이루기 위하여 본 발명에서는 다음과 같은 액정 표시 장치를 마련한다.보다 상세하게는 내면과 외면을 가지는 제1 절연 기판, 제1 절연 기판 위에 형성되어 있으며 제1 도메인 분할 수단을 가지는 공통 전극, 내면과 외면을 가지며 제1 절연 기판의 내면과 내면이 마주보도록 배치되어 있는 제2 절연 기판, 제2 절연 기판의 내면 위에 형성되어 있으며 게이트선, 제2 절연 기판의 내면 위에 형성되어 있으며 유지 전극을 포함하는 유지 전극선, 게이트선 및 유지 전극선 위에 형성되어 있는 게이트 절연막, 게이트 절연막 위에 형성되어 있는 데이터선, 데이터선 위에 형성되어 있는 보호막, 보호막 위에 형성되어 있으며 제2 도메인 분할 수단을 가지는 화소 전극, 제1 절연 기판과 제2 절연 기판 사이에 충진되어 있는 액정층을 포함하고, 유지 전극은 제1 도메인 분할 수단과 일부분 중첩하게 형성되어 있으며, 중첩하는 부분에서 제1 도메인 분할 수단과 인접하는 변이 제1 도메인 분할 수단을 따라 나란하게 형성되어 있는 액정 표시 장치를 마련한다.In order to achieve the above object, the present invention provides the following liquid crystal display device. More specifically, a first insulating substrate having an inner surface and an outer surface, a common electrode formed on the first insulating substrate and having a first domain dividing means, It is formed on the inner surface of the second insulating substrate, the second insulating substrate having an inner surface and the outer surface and disposed so as to face the inner surface and the inner surface of the first insulating substrate, and formed on the inner surface of the gate line and the second insulating substrate. A gate electrode formed over the sustain electrode line, the gate line and the sustain electrode line, a data line formed over the gate insulating film, a passivation film formed over the data line, a pixel electrode formed over the passivation film, and having a second domain division means; A liquid crystal layer filled between the first insulating substrate and the second insulating substrate, and before holding The pole is formed so as to partially overlap with the first domain dividing means, and in the overlapping portion, a side adjacent to the first domain dividing means is provided along the first domain dividing means to provide a liquid crystal display device.
여기서 제1 도메인 분할 수단과 제2 도메인 분할 수단은 각각 절개 패턴 또는 돌기 패턴 중 어느 하나를 선택하여 형성하는 것이 바람직하다.In this case, the first domain dividing means and the second domain dividing means are preferably formed by selecting any one of a cutting pattern or a projection pattern.
첨부한 도면을 참고로 하여 본 발명의 실시예에 대하여 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있도록 상세히 설명한다. 그러나 본 발명은 여러 가지 상이한 형태로 구현될 수 있으며 여기에서 설명하는 실시예에 한정되지 않는다.DETAILED DESCRIPTION Embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings so that those skilled in the art may easily implement the present invention. As those skilled in the art would realize, the described embodiments may be modified in various different ways, all without departing from the spirit or scope of the present invention.
도면에서 여러 층 및 영역을 명확하게 표현하기 위하여 두께를 확대하여 나타내었다. 명세서 전체를 통하여 유사한 부분에 대해서는 동일한 도면 부호를 붙였다. 층, 막, 영역, 판 등의 부분이 다른 부분 "위에" 있다고 할 때, 이는 다른 부분 "바로 위에" 있는 경우뿐 아니라 그 중간에 또 다른 부분이 있는 경우도 포함한다. 반대로 어떤 부분이 다른 부분 "바로 위에" 있다고 할 때에는 중간에 다른 부분이 없는 것을 뜻한다.In the drawings, the thickness of layers, films, panels, regions, etc., are exaggerated for clarity. Like parts are designated by like reference numerals throughout the specification. When a part of a layer, film, region, plate, etc. is said to be "on" another part, this includes not only the other part being "right over" but also another part in the middle. On the contrary, when a part is "just above" another part, there is no other part in the middle.
그러면 도면을 참고로 하여 본 발명의 실시예에 따른 액정 표시 장치의 구조에 대하여 설명한다.Next, a structure of a liquid crystal display according to an exemplary embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings.
도 1은 본 발명의 제1 실시예에 따른 액정 표시 장치의 배치도이고, 도 2a 및 도 2b는 본 발명의 제1 실시예에 따른 액정 표시 장치의 도 1의 IIa-IIa' 선 및 IIb-IIb' 선을 따라 잘라 도시한 단면도이다.1 is a layout view of a liquid crystal display according to a first exemplary embodiment of the present invention, and FIGS. 2A and 2B are lines IIa-IIa 'and IIb-IIb of FIG. 1 of a liquid crystal display according to the first exemplary embodiment of the present invention. Is a cross-sectional view taken along a line.
도 1 내지 도 2b에 도시한 바와 같이, 액정 표시 장치는 하부 기판(110)과 이와 마주보고 있는 상부 기판(210) 및 하부 기판(110)과 상부 기판(210) 사이에 주입되어 기판(110, 210)에 대하여 수직으로 배향되어 있는 액정 분자를 포함하는 액정층(3)으로 이루어진다.1 to 2B, the liquid crystal display device is injected between the lower substrate 110 and the upper substrate 210 and the lower substrate 110 and the upper substrate 210 that face the lower substrate 110. And a liquid crystal layer 3 containing liquid crystal molecules oriented perpendicular to the 210.
하부 표시판(100)에 대하여 상세하게 설명한다.The lower panel 100 will be described in detail.
절연 기판(110) 위에는 복수의 게이트선(gate line)(121) 및 복수의 유지 전극선(storage electrode lines)(131)이 형성되어 있다. 게이트선(121)과 유지 전극선(131)은 주로 가로 방향으로 뻗어 있고 서로 분리되어 있다.A plurality of gate lines 121 and a plurality of storage electrode lines 131 are formed on the insulating substrate 110. The gate line 121 and the storage electrode line 131 mainly extend in the horizontal direction and are separated from each other.
게이트선(121)은 게이트 신호를 전달하며, 각 게이트선(121)의 일부는 위·아래로 돌출하여 복수의 게이트 전극(gate electrode)(124)을 이룬다.The gate line 121 transmits a gate signal, and a part of each gate line 121 protrudes up and down to form a plurality of gate electrodes 124.
유지 전극선(131)은 공통 전압(common voltage) 따위의 미리 정해진 전압을 인가 받으며, 일측으로 돌출되어 돌출된 일측변이 유지 전극선(131)에 대하여 45°의 경사각을 가지는 돌출부(137) 및 복수의 유지 전극(133a~133d)을 포함한다. 그리고 유지 전극(133a~133d)은 유지 전극선(131)으로부터 수직한 방향으로 아래·위로 뻗어 있으며 서로 다른 길이를 가지는 제1 및 제2 수직부(133a, 133b) 및 제1 수직부(133a)의 양 끝부분과 제2 수직부(133b)의 양 끝부분이 각각 연결되어 있으며, 유지 전극선(131)에 대하여 45°의 경사각을 이루는 제1 및 제2 사선부(133c, 133d)를 가진다. 또한 제2 수직부(133b)는 중앙 부분에서 유지 전극선(131)의 돌출부(137)와 연결되어 있다.The storage electrode line 131 receives a predetermined voltage such as a common voltage, and the protrusion 137 and the plurality of holding portions having an inclination angle of 45 ° with respect to the storage electrode line 131 protruding to one side and protruding to one side. Electrodes 133a to 133d. The storage electrodes 133a to 133d extend downward and upward in a vertical direction from the storage electrode line 131, and have a length different from those of the first and second vertical portions 133a and 133b and the first vertical portion 133a. Both ends and both ends of the second vertical portion 133b are connected to each other, and have first and second diagonal portions 133c and 133d having an inclination angle of 45 ° with respect to the storage electrode line 131. In addition, the second vertical portion 133b is connected to the protrusion 137 of the storage electrode line 131 at the center portion.
여기서 게이트선(121), 유지 전극선(131) 및 유지 전극(133a~133d)은 비저항(resistivity)이 낮은 은(Ag)이나 은 합금 등 은 계열 금속, 알루미늄(Al)이나 알루미늄 합금 등 알루미늄 계열 금속 따위로 이루어진 도전막을 포함하며, 이러한 도전막에 더하여 다른 물질, 특히 ITO 또는 IZO와의 물리적, 화학적, 전기적 접촉 특성이 좋은 크롬(Cr), 티타늄(Ti), 탄탈륨(Ta), 몰리브덴(Mo) 및 이들의 합금[보기: 몰리브덴-텅스텐(MoW) 합금] 따위로 이루어진 다른 도전막을 포함하는 다층막 구조를 가질 수도 있다. 하부막과 상부막의 조합의 예로는 크롬/알루미늄-네오디뮴(Nd) 합금을 들 수 있다.The gate line 121, the storage electrode line 131, and the storage electrodes 133a to 133d may be formed of a silver-based metal such as silver (Ag) or a silver alloy having a low resistivity, and an aluminum-based metal such as aluminum (Al) or an aluminum alloy. In addition to these conductive films, in addition to these conductive films, chromium (Cr), titanium (Ti), tantalum (Ta), molybdenum (Mo) and other materials, which have good physical, chemical and electrical contact properties with ITO or IZO, It may have a multilayer film structure including another conductive film made of an alloy thereof (eg, molybdenum-tungsten (MoW) alloy). An example of the combination of the lower layer and the upper layer is chromium / aluminum-neodymium (Nd) alloy.
게이트선(121)과 유지 전극선(131) 및 유지 전극(133a~133d)의 측면은 경사져 있으며, 경사각은 기판(110)의 표면에 대하여 약 30-80° 범위이다.Side surfaces of the gate line 121, the storage electrode line 131, and the storage electrodes 133a to 133d are inclined, and the inclination angle is in a range of about 30-80 ° with respect to the surface of the substrate 110.
게이트선(121), 유지 전극선(131) 및 유지 전극(133a~133d)의 위에는 질화규소(SiNx) 따위로 이루어진 게이트 절연막(140)이 형성되어 있다. A gate insulating layer 140 formed of silicon nitride (SiNx) is formed on the gate line 121, the storage electrode line 131, and the storage electrodes 133a to 133d.
게이트 절연막(140) 위에는 수소화 비정질 규소(hydrogenated amorphous silicon)(비정질 규소는 약칭 a-Si로 씀) 등으로 이루어진 복수의 선형 반도체(151)가 형성되어 있다. 선형 반도체(151)는 주로 세로 방향으로 뻗어 있으며 이로부터 복수의 돌출부(extension)(154)가 게이트 전극(124)을 향하여 뻗어 나와 있다.A plurality of linear semiconductors 151 made of hydrogenated amorphous silicon (amorphous silicon is abbreviated a-Si) and the like are formed on the gate insulating layer 140. The linear semiconductor 151 extends mainly in the longitudinal direction, from which a plurality of extensions 154 extend toward the gate electrode 124.
반도체(151)의 상부에는 실리사이드(silicide) 또는 n형 불순물이 고농도로 도핑되어 있는 n+ 수소화 비정질 규소 따위의 물질로 만들어진 복수의 선형 및 섬형 저항성 접촉 부재(ohmic contact)(161, 165)가 형성되어 있다. 선형 접촉 부재(161)는 복수의 돌출부(163)를 가지고 있으며, 이 돌출부(163)와 섬형 접촉 부재(165)는 쌍을 이루어 반도체(151)의 돌출부(154) 위에 위치한다.A plurality of linear and island ohmic contacts 161 and 165 made of a material such as n + hydrogenated amorphous silicon doped with silicide or n-type impurities at a high concentration are formed on the semiconductor 151. have. The linear contact member 161 has a plurality of protrusions 163, and the protrusions 163 and the island contact members 165 are paired and positioned on the protrusions 154 of the semiconductor 151.
반도체(151)와 저항성 접촉 부재(161, 165)의 측면 역시 경사져 있으며 경사각은 30-80°이다.Side surfaces of the semiconductor 151 and the ohmic contacts 161 and 165 are also inclined, and the inclination angle is 30 to 80 degrees.
저항 접촉 부재(161, 165) 및 게이트 절연막(140) 위에는 각각 복수의 데이터선(data line)(171)과 복수의 드레인 전극(drain electrode)(175)이 형성되어 있다.A plurality of data lines 171 and a plurality of drain electrodes 175 are formed on the ohmic contacts 161 and 165 and the gate insulating layer 140, respectively.
데이터선(171)은 주로 세로 방향으로 뻗어 게이트선(121)과 교차하며 데이터 전압(data voltage)을 전달한다. 각 데이터선(171)에서 드레인 전극(175)을 향하여 뻗은 복수의 가지가 소스 전극(source electrode)(173)을 이룬다. 한 쌍의 소스 전극(173)과 드레인 전극(175)은 서로 분리되어 있으며 게이트 전극(124)에 대하여 서로 반대쪽에 위치한다. 게이트 전극(124), 소스 전극(173) 및 드레인 전극(175)은 반도체(151)의 돌출부(154)와 함께 박막 트랜지스터(thin film transistor, TFT)를 이루며, 박막 트랜지스터의 채널(channel)은 소스 전극(173)과 드레인 전극(175) 사이의 돌출부(154)에 형성된다.The data line 171 mainly extends in the vertical direction to cross the gate line 121 and transmit a data voltage. A plurality of branches extending from the data line 171 toward the drain electrode 175 forms a source electrode 173. The pair of source electrode 173 and the drain electrode 175 are separated from each other and positioned opposite to the gate electrode 124. The gate electrode 124, the source electrode 173, and the drain electrode 175 form a thin film transistor (TFT) together with the protrusion 154 of the semiconductor 151, and the channel of the thin film transistor is a source. A protrusion 154 is formed between the electrode 173 and the drain electrode 175.
데이터선(171) 및 드레인 전극(175) 또한 은 계열 금속 또는 알루미늄 계열 금속 따위로 이루어진 도전막을 포함하며, 이러한 도전막에 더하여 크롬(Cr), 티타늄(Ti), 탄탈륨(Ta), 몰리브덴(Mo) 및 이들의 합금 따위로 이루어진 다른 도전막을 포함하는 다층막 구조를 가질 수 있다. 데이터선(171)과 드레인 전극(175)의 측면 역시 경사져 있으며, 경사각은 수평면에 대하여 약 30-80° 범위이다.The data line 171 and the drain electrode 175 may also include a conductive film made of a silver metal or an aluminum metal. In addition to the conductive film, chromium (Cr), titanium (Ti), tantalum (Ta), and molybdenum (Mo) may be used. ) And other conductive films made of alloys thereof. Sides of the data line 171 and the drain electrode 175 are also inclined, and the inclination angle is in the range of about 30-80 ° with respect to the horizontal plane.
저항성 접촉 부재(161, 165)는 그 하부의 반도체(151)와 그 상부의 데이터선(171) 및 드레인 전극(175) 사이에만 존재하며 접촉 저항을 낮추어 주는 역할을 한다. 선형 반도체(151)는 소스 전극(173)과 드레인 전극(175) 사이를 비롯하여 데이터선(171) 및 드레인 전극(175)에 가리지 않고 노출된 부분을 가지고 있으며, 대부분의 곳에서는 선형 반도체(151)의 폭이 데이터선(171)의 폭보다 작다. 반도체(151)는 게이트선(121)과 데이터선(171) 사이의 절연을 강화하기 위하여 게이트선(121)과 만나는 부분에서 폭이 커질 수 있다.The ohmic contacts 161 and 165 exist only between the semiconductor 151 below and the data line 171 and the drain electrode 175 above and serve to lower the contact resistance. The linear semiconductor 151 has an exposed portion between the source electrode 173 and the drain electrode 175 and is not covered by the data line 171 and the drain electrode 175, and in most places, the linear semiconductor 151 is provided. Is smaller than the width of the data line 171. The semiconductor 151 may increase in width at a portion where the semiconductor 151 meets the gate line 121 to enhance insulation between the gate line 121 and the data line 171.
데이터선(171) 및 드레인 전극(175)과 노출된 반도체(151) 부분의 위에는 평탄화 특성이 우수하며 감광성(photosensitivity)을 가지는 유기 물질, 플라스마 화학 기상 증착(plasma enhanced chemical vapor deposition, PECVD)으로 형성되는 a-Si:C:O, a-Si:O:F 등의 저유전율 절연 물질, 또는 무기 물질인 질화 규소 따위로 이루어진 보호막(passivation layer)(180)이 형성되어 있다.On the data line 171, the drain electrode 175, and the exposed portion of the semiconductor 151, an organic material having excellent planarization characteristics and photosensitivity, and plasma enhanced chemical vapor deposition (PECVD), is formed. A passivation layer 180 made of a low dielectric constant insulating material such as a-Si: C: O, a-Si: O: F, or silicon nitride, which is an inorganic material, is formed.
보호막(180)에는 데이터선(171)의 끝 부분(179) 및 드레인 전극(175)을 각각 드러내는 복수의 접촉 구멍(contact hole)(182, 185)이 형성되어 있다.The passivation layer 180 is provided with a plurality of contact holes 182 and 185 exposing the end portion 179 and the drain electrode 175 of the data line 171, respectively.
보호막(180) 위에는 도메인 분할 수단을 가지며 접촉 구멍(185)을 통하여 드레인 전극(175)과 연결되는 복수의 화소 전극(pixel electrode)(190) 및 복수의 접촉 부재(contact assistant)(82)가 형성되어 있다.A plurality of pixel electrodes 190 and a plurality of contact assistants 82 are formed on the passivation layer 180 and have domain division means and are connected to the drain electrode 175 through the contact hole 185. It is.
화소 전극(190)은 ITO(indium tin oxide)나 IZO(indium zinc oxide) 등과 같은 투명 도전체나 알루미늄(Al)과 같은 광 반사 특성이 우수한 불투명 도전체를 사용하여 형성한다. 화소 전극(190)에 형성되어 있는 도메인 분할 수단은 화소 전극(190)을 상하로 반분하는 위치에 가로 방향으로 형성되어 있는 가로 절개 패턴(192)과 반분된 화소 전극(190)의 상하 부분에 각각 사선 방향으로 형성되어 있는 사선 절개 패턴(191, 193)을 포함한다. 이 때, 상의 사선 절개 패턴(191)은 하의 사선 절개 패턴(193)과 서로 수직을 이루고 있다. 이는 프린지 필드의 방향을 4 방향으로 고르게 분산시키기 위함이다.The pixel electrode 190 is formed using a transparent conductor such as indium tin oxide (ITO) or indium zinc oxide (IZO), or an opaque conductor having excellent light reflection characteristics such as aluminum (Al). The domain dividing means formed on the pixel electrode 190 is disposed on the horizontal cutout pattern 192 and the upper and lower portions of the half-divided pixel electrode 190 formed in the horizontal direction at the positions half-dividing the pixel electrode 190. The diagonal cutting patterns 191 and 193 are formed in the diagonal direction. At this time, the upper oblique cut pattern 191 is perpendicular to the lower oblique cut pattern 193. This is to evenly distribute the direction of the fringe field in four directions.
접촉 보조 부재(82)는 접촉 구멍(182)을 통하여 데이터선의 끝 부분(179)과 각각 연결된다. 접촉 보조 부재(82)는 데이터선(171)의 끝 부분(129)과 외부 장치와의 접착성을 보완하고 이들을 보호하는 역할을 하는 것으로 필수적인 것은 아니며, 이들의 적용 여부는 선택적이다.The contact auxiliary members 82 are connected to the end portions 179 of the data lines through the contact holes 182, respectively. The contact assisting member 82 is not essential to serve to protect adhesiveness between the end portion 129 of the data line 171 and an external device and to protect them, and application thereof is optional.
상부 표시판(200)에 대하여 상세히 설명한다.The upper panel 200 will be described in detail.
절연 기판(210) 위에는 빛이 새는 것을 방지하기 위한 블랙 매트릭스(도시하지 않음)가 형성되어 있다. 블랙 매트릭스의 위에는 적(R), 녹(G), 청(B)의 색 필터(230)가 형성되어 있다. 색 필터(230)의 위에는 도메인 분할 수단을 가지는 공통 전극(270)이 형성되어 있다. 공통 전극(270)은 ITO 또는 IZO(indium zinc oxide) 등의 투명한 도전체로 형성한다.A black matrix (not shown) is formed on the insulating substrate 210 to prevent light leakage. On the black matrix, red (R), green (G), and blue (B) color filters 230 are formed. The common electrode 270 having domain dividing means is formed on the color filter 230. The common electrode 270 is formed of a transparent conductor such as ITO or indium zinc oxide (IZO).
공통 전극(270)의 도메인 분할 수단인 절개 패턴(271, 272, 273)은 화소 전극(190)의 사선 절개 패턴(191, 193)을 가운데에 끼고 있으며 이와 나란한 사선부와 화소 전극(190)의 변과 중첩되어 있는 굴절부를 포함하고 있다. 이 때, 굴절부는 세로 방향 굴절부와 가로 방향 굴절부로 분류된다. The cutting patterns 271, 272, and 273, which are the domain dividing means of the common electrode 270, sandwich the diagonal cutting patterns 191 and 193 of the pixel electrode 190 in the center thereof, and the parallel patterns of the diagonal electrode and the pixel electrode 190 are parallel to each other. It includes a refraction portion that overlaps the sides. At this time, the refraction portion is classified into a longitudinal refraction portion and a horizontal refraction portion.
이상과 같은 구조의 하부 표시판(100)인 박막 트랜지스터 기판과 상부 표시판(200)인 색 필터 기판을 정렬하여 결합하고 그 사이에 액정 분자를 포함하는 액정층(3)을 형성하여 액정 분자를 수직 배향하면 본 발명에 따른 액정 표시 장치의 기본 구조가 마련된다. 박막 트랜지스터 기판과 색 필터 기판을 정렬했을 때 화소 전극(190)의 절개 패턴(191, 192, 193)과 공통 전극(270)의 절개 패턴(271, 272, 273)은 화소 영역을 다수의 소도메인으로 분할한다. 이들 소도메인은 그 내부에 위치하는 액정 분자의 평균 장축 방향에 따라 4개의 종류로 분류된다. Aligning and combining the thin film transistor substrate of the lower display panel 100 and the color filter substrate of the upper display panel 200 having the above structure, and forming a liquid crystal layer 3 including liquid crystal molecules therebetween to vertically align the liquid crystal molecules. The basic structure of the liquid crystal display according to the present invention is provided. When the thin film transistor substrate and the color filter substrate are aligned, the cutting patterns 191, 192, and 193 of the pixel electrode 190 and the cutting patterns 271, 272, and 273 of the common electrode 270 may include a plurality of small domains. Divide into These small domains are classified into four types according to the average major axis direction of the liquid crystal molecules located therein.
이 때, 공통 전극(270)과 화소 전극(190) 사이에 구동 전압이 인가되면 화소 전극(190)의 절개 패턴(191, 192, 193)과 공통 전극(270)의 절개 패턴(271, 272, 273)에 의하여 프린지 필드가 형성되어 액정 분자는 소도메인 별로 특정한 방향으로 기울어진다. 이때, 화소 전극(190)의 절개 패턴(191, 192, 193)과 인접하는 유지 전극선(131)의 돌출부(137) 및 유지 전극(133c, 133d)의 인접변이 화소 전극(190)의 절개 패턴(191, 192, 193)의 인접변을 따라 나란하게 형성되어 있기 때문에 프린지 필드의 세기를 증가시켜 액정 분자의 기울어지는 속도 즉, 응답속도 및 텍스쳐를 개선하게 된다.In this case, when a driving voltage is applied between the common electrode 270 and the pixel electrode 190, the cutting patterns 191, 192, and 193 of the pixel electrode 190 and the cutting patterns 271, 272 of the common electrode 270 are applied. A fringe field is formed by 273 so that the liquid crystal molecules are inclined in a specific direction for each small domain. In this case, the cutout pattern of the protrusion 137 of the storage electrode line 131 adjacent to the cutting patterns 191, 192, and 193 of the pixel electrode 190 and the adjacent transitions of the storage electrodes 133c and 133d of the pixel electrode 190 ( 191, 192 and 193 are formed side by side along the adjacent side to increase the strength of the fringe field to improve the inclination speed of the liquid crystal molecules, that is, the response speed and texture.
[제2 실시예] Second Embodiment
도 3은 본 발명의 제2 실시예에 따른 액정 표시 장치의 배치도이고, 도 4a 및 도 4b는 본 발명의 제2 실시예에 따른 액정 표시 장치의 도 3의 IVa-IVa' 선 및 IVb-IVb' 선을 따라 잘라 도시한 단면도이다.3 is a layout view of a liquid crystal display according to a second exemplary embodiment of the present invention, and FIGS. 4A and 4B are lines IVa-IVa 'and IVb-IVb of FIG. 3 of a liquid crystal display according to the second exemplary embodiment of the present invention. Is a cross-sectional view taken along a line.
도 3 내지 도 4b에 도시한 바와 같이, 제2 실시예에 따른 액정 표시 장치는 제1 실시예에 따른 액정 표시 장치와 동일하며 액정 표시 장치의 도메인 분할 수단에 있어서 상부와 하부 기판의 도메인 분할 수단이 각각 돌기 패턴으로 형성되는 것을 특징으로 하고 있다.3 to 4B, the liquid crystal display according to the second embodiment is the same as the liquid crystal display according to the first embodiment, and in the domain division means of the liquid crystal display, domain division means of the upper and lower substrates. Each of these is formed in a projection pattern.
또한 유지 전극선(131)은 아래위로 확장되어 있으며 확장된 일측변이 유지 전극선(131)에 대하여 45°의 경사각을 가지는 확장부(expansion)(137)를 포함한다. In addition, the storage electrode line 131 extends up and down and includes an extension 137 having an inclined angle of 45 ° with respect to the extended one side of the storage electrode line 131.
보다 상세하게는 박막 트랜지스터 기판과 색 필터 기판을 정렬했을 때 화소 전극(190) 위에 형성되어 있는 돌기 패턴(191, 192, 193)과 공통 전극(270) 위에 혀성되어 있는 돌기 패턴(271, 272, 273)은 화소 영역을 다수의 소도메인으로 분할한다. 이들 소도메인은 그 내부에 위치하는 액정 분자의 평균 장축 방향에 따라 4개의 종류로 분류된다. More specifically, when the thin film transistor substrate and the color filter substrate are aligned, the projection patterns 191, 192, and 193 formed on the pixel electrode 190 and the projection patterns 271, 272 formed on the common electrode 270 are formed. 273 divides the pixel area into a plurality of small domains. These small domains are classified into four types according to the average major axis direction of the liquid crystal molecules located therein.
이 때, 공통 전극(270)과 화소 전극(190) 사이에 구동 전압이 인가되면 화소 전극(190)의 돌기 패턴(191, 192, 193)과 공통 전극(270)의 돌기 패턴(271, 272, 273)에 의하여 프린지 필드가 형성되어 액정 분자는 소도메인 별로 특정한 방향으로 기울어진다. 이때, 화소 전극(190)의 돌기 패턴(191, 192, 193)과 인접하는 유지 전극선(131) 확장부(137)의 인접변이 화소 전극(190)의 돌기 패턴(191, 192, 193)의 인접변을 따라 나란하게 형성되어 있기 때문에 프린지 필드의 세기를 증가시켜 액정 분자의 기울어지는 속도 즉, 응답속도 및 텍스쳐를 개선하게 된다.In this case, when a driving voltage is applied between the common electrode 270 and the pixel electrode 190, the protrusion patterns 191, 192, and 193 of the pixel electrode 190 and the protrusion patterns 271, 272 of the common electrode 270 are applied. A fringe field is formed by 273 so that the liquid crystal molecules are inclined in a specific direction for each small domain. In this case, adjacent transitions of the extension electrodes 137 of the storage electrode lines 131 adjacent to the projection patterns 191, 192 and 193 of the pixel electrode 190 are adjacent to the projection patterns 191, 192 and 193 of the pixel electrode 190. Since the sidewalls are formed side by side, the strength of the fringe field is increased to improve the inclination speed of the liquid crystal molecules, that is, the response speed and the texture.
[제3 실시예] Third Embodiment
도 5는 본 발명의 제3 실시예에 따른 액정 표시 장치의 배치도이고, 도 6a 및 도 6b는 본 발명의 제3 실시에에 따른 액정 표시 장치의 도 5의 VIa-VIa' 선 및 VIb-VIb' 선을 따라 잘라 도시한 단면도이다.5 is a layout view of a liquid crystal display according to a third exemplary embodiment of the present invention, and FIGS. 6A and 6B are lines VIa-VIa 'and VIb-VIb of FIG. 5 of a liquid crystal display according to a third exemplary embodiment of the present invention. Is a cross-sectional view taken along a line.
도 5 내지 도 6b에 도시한 바와 같이, 제3 실시예에 따른 액정 표시 장치는 제1 실시예에 따른 액정 표시 장치와 동일하며 액정 표시 장치의 상부와 하부 기판의 도메인 분할 수단이 상부 기판의 도메인 분할 수단은 돌기 패턴으로 형성되며 하부 기판의 도메인 분할 수단은 절개 패턴으로 형성되는 것을 특징으로 하고 있다.5 to 6B, the liquid crystal display according to the third embodiment is the same as that of the liquid crystal display according to the first embodiment, and the domain division means of the upper and lower substrates of the liquid crystal display are formed in the domain of the upper substrate. The dividing means is formed in a protrusion pattern and the domain dividing means of the lower substrate is formed in an incision pattern.
또한 유지 전극선(131)은 아래위로 확장되어 있으며 확장된 일측변이 유지 전극선(131)에 대하여 45°의 경사각을 가지는 확장부(expansion)(137) 및 복수의 유지 전극(133a~133d)을 포함한다. 그리고 유지 전극(133a~133d)은 유지 전극선(131)으로부터 수직한 방향으로 아래·위로 뻗어 있으며 서로 다른 길이를 가지는 제1 및 제2 수직부(133a, 133b) 및 제1 수직부(133a)의 양 끝부분과 제2 수직부(133b)의 양 끝부분이 각각 연결되어 있으며, 유지 전극선(131)에 대하여 45°의 경사각을 이루는 제1 및 제2 사선부(133c, 133d)를 가진다. 또한 제2 수직부(133b)는 중앙 부분에서 유지 전극선(131)의 확장부(137)와 연결되어 있다.In addition, the storage electrode line 131 extends up and down and includes an extension 137 and a plurality of storage electrodes 133a to 133d having an inclination angle of 45 ° with respect to the extended one side of the storage electrode line 131. . The storage electrodes 133a to 133d extend downward and upward in a vertical direction from the storage electrode line 131, and have a length different from those of the first and second vertical portions 133a and 133b and the first vertical portion 133a. Both ends and both ends of the second vertical portion 133b are connected to each other, and have first and second diagonal portions 133c and 133d having an inclination angle of 45 ° with respect to the storage electrode line 131. In addition, the second vertical portion 133b is connected to the expansion portion 137 of the storage electrode line 131 at the center portion.
보다 상세하게는 박막 트랜지스터 기판과 색 필터 기판을 정렬했을 때 화소 전극(190)에 형성되어 있는 절개 패턴(91, 92, 93, 94, 95, 96)과 공통 전극(270) 위에 형성되어 있는 돌기 패턴(271, 272, 273, 274, 275, 276)은 화소 영역을 다수의 소도메인으로 분할한다. 이들 소도메인은 그 내부에 위치하는 액정 분자의 평균 장축 방향에 따라 4개의 종류로 분류된다. More specifically, when the thin film transistor substrate and the color filter substrate are aligned, the protrusions formed on the cutting patterns 91, 92, 93, 94, 95, and 96 formed on the pixel electrode 190 and the common electrode 270 are provided. Patterns 271, 272, 273, 274, 275, and 276 divide the pixel region into a plurality of small domains. These small domains are classified into four types according to the average major axis direction of the liquid crystal molecules located therein.
이 때, 공통 전극(270)과 화소 전극(190) 사이에 구동 전압이 인가되면 화소 전극(190)의 절개 패턴(191, 192, 193)과 공통 전극(270)의 돌기 패턴(271, 272, 273)에 의하여 프린지 필드가 형성되어 액정 분자는 소도메인 별로 특정한 방향으로 기울어진다. 이때,화소 전극(190)의 절개 패턴(191, 192, 193)과 인접하는 유지 전극선(131)의 확장부(137) 및 유지 전극(133c, 133d)의 인접변이 화소 전극(190)의 절개 패턴(191, 192, 193)의 인접변을 따라 나란하게 형성되어 있기 때문에 프린지 필드의 세기를 증가시켜 액정 분자의 기울어지는 속도 즉, 응답속도 및 텍스쳐를 개선하게 된다.In this case, when a driving voltage is applied between the common electrode 270 and the pixel electrode 190, the cutting patterns 191, 192, and 193 of the pixel electrode 190 and the protrusion patterns 271, 272, of the common electrode 270 are applied. A fringe field is formed by 273 so that the liquid crystal molecules are inclined in a specific direction for each small domain. In this case, an incision pattern of the extended portion 137 of the storage electrode line 131 adjacent to the incision patterns 191, 192, and 193 of the pixel electrode 190 and the adjacent transition pixel electrode 190 of the storage electrodes 133c and 133d are shown. Since they are formed side by side along the adjacent sides of (191, 192, 193), the strength of the fringe field is increased to improve the inclination speed of the liquid crystal molecules, that is, the response speed and the texture.
이상에서 본 발명의 바람직한 실시예에 대하여 상세하게 설명하였지만 본 발명의 권리범위는 이에 한정되는 것은 아니고 다음의 청구범위에서 정의하고 있는 본 발명의 기본 개념을 이용한 당업자의 여러 변형 및 개량 형태 또한 본 발명의 권리범위에 속하는 것이다. 특히, 화소 전극과 공통 전극에 형성하는 절개 패턴의 배치는 여러 다양한 변형이 있을 수 있다.Although the preferred embodiments of the present invention have been described in detail above, the scope of the present invention is not limited thereto, and various modifications and improvements of those skilled in the art using the basic concepts of the present invention defined in the following claims are also provided. It belongs to the scope of rights. In particular, the arrangement of the cutout patterns formed on the pixel electrode and the common electrode may have various variations.
이상과 같은 구성을 통하여 수직 배향 모드 액정 표시 장치의 빛샘 발생을 방지하면서 개구율을 향상시킬 수 있다.Through the above configuration, the aperture ratio can be improved while preventing light leakage from the vertical alignment mode liquid crystal display.
도 1은 본 발명의 제1 실시예에 따른 액정 표시 장치의 배치도이고,1 is a layout view of a liquid crystal display according to a first exemplary embodiment of the present invention.
도 2a 및 도 2b는 본 발명의 제1 실시예에 따른 액정 표시 장치의 도 1의 IIa-IIa' 선 및 IIb-IIb' 선을 따라 잘라 도시한 단면도이고,2A and 2B are cross-sectional views taken along lines IIa-IIa 'and IIb-IIb' of FIG. 1 of the liquid crystal display according to the first exemplary embodiment of the present invention.
도 3은 본 발명의 제2 실시예에 따른 액정 표시 장치의 배치도이고,3 is a layout view of a liquid crystal display according to a second exemplary embodiment of the present invention.
도 4a 및 도 4b는 본 발명의 제2 실시예에 따른 액정 표시 장치의 도 3의 IVa-IVa' 선 및 IVb-IVb' 선을 따라 잘라 도시한 단면도이고,4A and 4B are cross-sectional views taken along lines IVa-IVa 'and IVb-IVb' of FIG. 3 of the liquid crystal display according to the second exemplary embodiment of the present invention.
도 5는 본 발명의 제3 실시예에 따른 액정 표시 장치의 배치도이고,5 is a layout view of a liquid crystal display according to a third exemplary embodiment of the present invention.
도 6a 및 도 6b는 본 발명의 제3 실시에에 따른 액정 표시 장치의 도 5의 VIa-VIa' 선 및 VIb-VIb' 선을 따라 잘라 도시한 단면도이다.6A and 6B are cross-sectional views taken along lines VIa-VIa 'and VIb-VIb' of FIG. 5 of the liquid crystal display according to the third exemplary embodiment of the present invention.
Claims (3)
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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Applications Claiming Priority (1)
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KR1020030055678A KR20050017998A (en) | 2003-08-12 | 2003-08-12 | Liquid crystal display |
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KR1020030055678A KR20050017998A (en) | 2003-08-12 | 2003-08-12 | Liquid crystal display |
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2003
- 2003-08-12 KR KR1020030055678A patent/KR20050017998A/en not_active Application Discontinuation
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