KR20050010332A - 전계발광소자 - Google Patents
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Abstract
Description
Claims (19)
- 투명기판;상기 투명기판의 일측에 형성된 양극과 음극;상기 양극과 음극 사이에 개재되고, 상기 양극과 음극의 전기적 구동에 의해 발광하는 발광층을 갖는 중간층;을 구비한 전계발광소자에 있어서,상기 양극과 음극은 상기 발광층으로부터 발산된 빛을 부분적으로 반사하는 반투명전도층으로서 형성된 것을 특징으로 하는 전계발광소자.
- 제 1 항에 있어서,상기 양극과 음극은 각각 단일의 층으로 형성된 것을 특징으로 하는 전계발광소자.
- 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,상기 양극과 음극 사이에 개재된 층들은 상기 양극과 음극에 의하여 반사된 빛이 공진 효과에 의하여 보강간섭되게 구성된 것을 특징으로 하는 전계발광소자.
- 제 2 항에 있어서,상기 양극은:ITO, IZO 및 ZnO 로 구성되는 군으로부터 선택된 일 투명재료; 및Ag, Mg, Al, Pt, Pd, Au, Ni, Ir, 및 Cr 으로 구성되는 군으로부터 선택된 일 부분반사재료;를 포함하는 것을 특징으로 하는 전계발광소자.
- 제 2 항에 있어서,상기 음극은:ITO, IZO, 및 ZnO 로 구성되는 군으로부터 선택된 일 투명재료; 및Mg:Ag, Mg, Ca, Al, Ag, 및 Ba 으로 구성되는 군으로부터 선택된 일 부분반사재료;를 포함하는 것을 특징으로 하는 전계발광소자.
- 제 1 항에 있어서,상기 양극은 빛을 투과시키는 제1투명전도층과 빛을 부분적으로 반사하는 제1부분반사층을 구비하며, 상기 음극은 빛을 투과시키는 제2투명전도층과 빛을 부분적으로 반사하는 제2부분반사층을 구비한 것을 특징으로 하는 전계발광소자.
- 제 6 항에 있어서,상기 제1부분반사층은 상기 제1투명전도층의 내측면 상에 형성된 것을 특징으로 하는 전계발광소자.
- 제 6 항에 있어서,상기 제2부분반사층은 상기 제2투명전도층의 내측면 상에 형성된 것을 특징으로 하는 전계발광소자.
- 제 6 항에 있어서,상기 제1부분반사층은 상기 제1투명전도층의 외측면 상에 형성된 것을 특징으로 하는 전계발광소자.
- 제 6 항에 있어서,상기 제2부분반사층은 상기 제2투명전도층의 외측면 상에 형성된 것을 특징으로 하는 전계발광소자.
- 제 6 항에 있어서,상기 제1부분반사층은 상기 제1투명전도층의 중간에 형성된 것을 특징으로하는 전계발광소자.
- 제 6 항에 있어서,상기 제2부분반사층은 상기 제2투명전도층의 중간에 형성된 것을 특징으로 하는 전계발광소자.
- 제 6 항 내지 제 12 항 중의 어느 한 항에 있어서,상기 제1부분반사층과 제2부분반사층 사이에 개재된 층들은 상기 제1부분반사층 및 제2부분반사층에 의하여 반사된 빛이 공진효과에 의하여 보강간섭되게 구성된 것을 특징으로 하는 전계발광소자.
- 제 6 항 내지 제 12 항 중의 어느 한 항에 있어서,상기 제1투명전도층은 ITO, IZO 및 ZnO 로 구성되는 군으로부터 선택된 일 투명재료로 형성된 것을 특징으로 하는 전계발광소자.
- 제 6 항 내지 제 12 항 중의 어느 한 항에 있어서,상기 제2투명전도층은 ITO, IZO 및 ZnO 로 구성되는 군으로부터 선택된 일 투명재료로 형성된 것을 특징으로 하는 전계발광소자.
- 제 6 항 내지 제 12 항 중의 어느 한 항에 있어서,상기 제1부분반사층은 Ag, Mg, Al, Pt, Pd, Au, Ni, Ir, 및 Cr 으로 구성되는 군으로부터 선택된 일 부분반사재료로 형성된 것을 특징으로 하는 전계발광소자.
- 제 6 항 내지 제 12 항 중의 어느 한 항에 있어서,상기 제2부분반사층은 Mg:Ag, Mg, Ca, Al, Ag, 및 Ba 으로 구성되는 군으로부터 선택된 일 부분반사재료로 형성된 것을 특징으로 하는 전계발광소자.
- 제 6 항 내지 제 12 항 중의 어느 한 항에 있어서,상기 제1투명전도층 및 제2투명전도층은 50nm 내지 300nm 의 두께를 갖는 것을 특징으로 하는 전계발광소자.
- 제 6 항 내지 제 12 항 중의 어느 한 항에 있어서,상기 제1부분반사층 및 제2부분반사층은 5nm 내지 30nm 의 두께를 갖는 것을 특징으로 하는 전계발광소자.
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2003
- 2003-07-19 KR KR1020030049543A patent/KR100544120B1/ko active IP Right Grant
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---|---|---|---|---|
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US8395145B2 (en) | 2009-12-02 | 2013-03-12 | Samsung Display Co., Ltd. | Top-emitting organic light-emitting device |
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