KR200498026Y1 - 교류 송전 회로 및 소켓 - Google Patents

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Abstract

본 고안은 전기의 기술분야에 속하며 구체적으로 교류 송전 회로 및 소켓에 관한 것이다. 교류 송전 회로는 급전회로와 급전회로에 접속된 스위치 회로를 포함한다. 스위치 회로는 주제어 회로, 서지 검출회로 및 급전회로에 직렬 접속된 제1 스위치 장치를 포함하고, 주제어 회로와 제1 스위치 장치는 신호의 수송신이 가능하게 접속되며, 주제어 회로는 제1 스위치 장치에 의해 급전회로의 개폐를 제어한다. 서지 검출회로의 입력단은 급전회로에 접속되며, 서지 검출회로의 출력단은 주제어 회로에 접속된다. 본 고안의 교류 송전 회로 및 소켓을 통하여 종래 기술의 교류 송전 회로의 안전성이 좋지 않은 기술적 문제를 해결하고 교류 송전 회로의 안전성을 향상시킬 수 있다.

Description

교류 송전 회로 및 소켓 {ALTERNATING CURRENT TRANSMISSION CIRCUIT AND SOCKET}
본 고안은 전기의 기술분야에 속하며, 구체적으로 교류 송전 회로 및 소켓에 관한 것이다.
교류 송전 회로는 일상생활에서 폭 넓게 사용되는 것이다. 제어 편리성의 향상을 위하여 스위치가 장착된 교류 송전 회로가 제안되었다.
하지만 종래의 스위치 장치는 영교 셧다운(Zero crossing shutdown)이라는 문제를 가지고 있으므로 교류 송전 회로의 출력단의 전류가 갑자기 변화되는 것에 의하여, 교류 송전 회로의 출력단에 접속되어 있는 전기장치에 스파이크 전압(spike voltage)이 형성될 우려가 있다. 이로 인해 스위치 장치가 파손될 우려와 안전상의 위험이 있다.
종래의 교류 송전 회로의 스위치 장치에서 영교 셧다운을 할 때 전류가 갑자기 변화되는 문제를 해결하기 위하여, 본 고안은 하기 교류 송전 회로 및 소켓을 제공한다.
종래의 문제를 해결하기 위하여, 본 고안은 교류 송전 회로를 제공한다. 그 교류 송전 회로는 급전회로와 교류 송전 회로에 접속된 스위치 회로를 포함한다. 상기 스위치 회로는 주제어 회로, 서지 검출회로 및 상기 급전회로에 직렬 접속된 제1 스위치 장치를 포함하며, 상기 주제어 회로와 상기 제1 스위치 장치는 신호의 수송신이 가능하게 접속되고, 상기 주제어 회로는 상기 급전회로의 개폐를 제어한다. 상기 서지 검출회로의 입력단은 상기 급전회로에 접속되고, 상기 서지 검출회로의 출력단은 상기 주제어 회로에 접속된다.
바람직한 것은, 상기 서지 검출회로는 배리스터를 포함하고, 상기 배리스터는 상기 급전회로와 상기 주제어 회로에 접속된다.
바람직한 것은, 상기 스위치 회로는 AC 전압 검출회로를 더 포함하고, 상기 AC 전압 검출회로는 상기 급전회로에 접속된 것에 의해 상기 급전회로의 전압을 검출하고, 상기 AC 전압 검출회로의 출력단은 상기 주제어 회로에 접속된다.
바람직한 것은, 상기 급전회로의 입력 전압이 사전 설정 역치의 범위 내에 들어 있을 때, 상기 주제어 회로는 상기 제1 스위치 장치를 온 상태로 제어한다. 상기 제1 스위치 장치는 트라이엑을 포함하고, 상기 스위치 회로는 스위치 아이솔레이션 제어회로를 더 포함하며, 상기 트라이엑은 상기 스위치 아이솔레이션 제어회로에 의해 상기 주제어 회로에 접속된다.
바람직한 것은, 상기 스위치 아이솔레이션 제어회로는 광선 커플러를 포함한다.
바람직한 것은, 상기 제1 스위치 장치는 트라이엑이며, 상기 주제어 회로와 상기 제1 스위치 장치는 신호의 수송신이 가능하게 접속되고, 상기 주제어 회로는 상기 제1 스위치 장치를 통하여 상기 급전회로의 개폐를 제어한다. 상기 스위치 회로는 온도 검출회로를 더 포함하고, 상기 온도 검출회로를 통하여 상기 교류 송전 회로의 온도를 검출하고, 상기 온도 검출회로는 상기 주제어 회로에 접속된다.
바람직한 것은, 상기 온도 검출회로는 상기 트라이엑의 온도를 검출하는 동시에 검출된 상기 트라이엑의 온도를 상기 주제어 회로에 피드백하고 상기 주제어 회로는 피드백된 상기 트라이엑의 온도에 의해 상기 트라이엑의 개폐를 제어한다.
바람직한 것은, 상기 주제어 회로에는 사전 설정 과잉 온도 역치가 기억되고 있고, 검출된 상기 트라이엑의 온도가 사전 설정 과잉 온도 역치를 초과할 때, 상기 주제어 회로는 상기 트라이엑을 셧다운한다.
바람직한 것은, 상기 스위치 회로는 스위치 제어회로를 더 포함하고, 상기 스위치 제어회로는 상기 주제어 회로를 통하여 상기 트라이엑 개폐를 제어한다. 상기 스위치 제어회로는 터치 제어 스위치, 음성 제어 스위치, 원격 조작 스위치 및 누름형 스위치 중의 한가지 또는 복수개의 조합일 수 있다.
바람직한 것은, 상기 스위치 회로는 표시회로를 더 포함하고, 상기 표시회로는 상기 주제어 회로에 접속된다.
종래의 문제를 해결하기 위하여, 본 고안은 다른 교류 송전 회로를 더 제공한다. 이 교류 송전 회로는 급전회로와 상기 교류 송전 회로에 접속되는 스위치 회로를 포함한다. 상기 스위치 회로는 주제어 회로, 상기 급전회로에 직렬 접속된 제1 스위치 장치 및 상기 제1 스위치 장치에 병렬 접속된 버퍼 회로를 포함한다. 상기 주제어 회로는 상기 제1 스위치 장치의 개폐를 제어하는 것에 의해 상기 급전회로의 개폐를 제어하고, 상기 제1 스위치 장치가 영교 셧다운을 할 때, 상기 버퍼 회로는 상기 급전회로에 전류를 보충한다.
바람직한 것은, 상기 제1 스위치 장치는 트라이엑, 계전기 및 MOS 트랜지스터 중의 한가지이거나 복수개의 조합일 수 있다.
바람직한 것은, 상기 버퍼 회로는 제2 스위치 장치를 포함하고, 상기 제2 스위치 장치의 일단은 상기 주제어 회로에 접속되며, 상기 제2 스위치 장치의 타단은 상기 급전회로에 접속된다.
바람직한 것은, 상기 제2 스위치 장치는 계전기와 MOS 트랜지스터를 포함하고, 상기 주제어 회로는 상기 MOS 트랜지스터에 의해 상기 계전기에 접속되며, 상기 주제어 회로는 상기 MOS 트랜지스터를 제어하는 것에 의해 상기 계전기의 개폐를 제어한다.
바람직한 것은, 상기 교류 송전 회로는 전압 검출회로를 더 포함하고, 상기 전압 검출회로는 상기 급전회로의 입력단의 교류전압 및 위상을 검출하고, 상기 전압 검출회로의 입력단은 상기 급전회로에 접속되며, 상기 전압 검출회로의 출력단은 상기 주제어 회로에 접속된다.
바람직한 것은, 상기 전압 검출회로는 변압기와 풀브릿지 MOS 회로를 포함하고, 상기 변압기의 1차 코일은 상기 급전회로에 접속되며, 상기 변압기의 2차 코일은 상기 풀브릿지 MOS 회로에 의해 상기 주제어 회로에 접속된다.
바람직한 것은, 상기 스위치 회로는 레귤레이션 회로를 더 포함하고, 상기 레귤레이션 회로의 입력단은 상기 급전회로에 접속되며, 상기 레귤레이션 회로의 출력단은 상기 주제어 회로와 상기 버퍼 회로에 동시에 접속된다.
종래의 문제를 해결하기 위하여, 본 고안은 소켓을 더 제공한다. 상기 소켓은 소켓 본체와 상기 소켓 본체의 내부에 설치된 회로구조를 포함하며, 상기 회로구조는 상기 교류 송전 회로이다.
종래의 기술과 비교하여 보면, 본 고안의 교류 송전 회로를 통하여 아래와 같은 고안의 효과를 획득할 수 있다.
1, 본 고안에 실시예에 대하여 교류 송전 회로를 제공한다. 상기 교류 송전 회로에 있어서, 스위치 회로는 주제어 회로, 서지 검출회로 및 급전회로에 직렬 접속된 제1 스위치 장치를 포함하고, 주제어 회로는 제1 스위치 장치와 신호의 수송신이 가능하게 접속되는 동시에 제1 스위치 장치를 통하여 급전회로의 개폐를 제어한다. 급전회로에 제1 스위치 장치가 접속된 것에 의해 교류 송전 회로 중의 스위치에 전기 아크가 쉽게 형성되는 것을 효과적으로 방지하고, 교류 송전 회로의 안전성과 안정성을 향상시킬 수 있다. 제1 스위치 장치로 교류 송전 회로의 개폐를 제어하는 설계에 의해, 교류 송전 회로 중의 스위치 회로의 수명을 늘릴 수 있다. 즉 교류 송전 회로의 스위치 회로의 사용 수명을 연장시킬 수 있다. 또한, 스위치 회로가 서지 검출회로를 더 포함하는 설계에 의해, 급전회로가 고전압 서지를 입력하거나 급전회로가 벼락을 맞는 이상을 검출할 수 있다. 이것에 의해, 외부 전압에 이상이 있을 때 내부 부원이 파손되는 것을 방지하고, 교류 송전 회로의 정상 작동을 확보할 수 있다. 또한 변압기로 급전회로와 스위치 회로 사이에 갈바닉 이소레이션을 형성하고, 교류 송전 회로의 안전성을 향상시킬 수 있다.
2, 본 고안 실시예에 관한 교류 송전 회로에 있어서, 서지 검출회로는 배리스터를 포함하고, 급전회로가 고전압을 입력할 때 배리스터는 온 상태로 되므로, 주제어 회로는 배리스터가 온 상태로 되었는 가를 검출하는 것에 의해 급전회로가 고전압 전기을 입력했는가를 검출할 수 있다. 제어회로는 급전회로의 전압의 입력 상황을 정확하게 검출할 수 있다. 즉, 주제어 회로는 교류 송전 회로의 전압의 입력 상황을 검출하는 것에 의해, 제1 스위치 장치의 개폐를 신속하게 제어하고, 따라서 급전회로의 개폐를 제어하고, 교류 송전 회로의 서지를 제거할 수 있다.
3, 본 고안의 실시예에 관한 교류 송전 회로에 있어서, AC 전압 검출회로는 급전회로가 입력한 전압치를 검출할 수 있다. AC 전압 검출회로가 급전회로의 입력 전압치가 전압 역치의 범위 내에 들어 있는 것을 검출하면, 주제어 회로는 제1 스위치 장치가 온 상태로 되도록 제어하는 것에 의해 급전회로가 정상적으로 급전을 하도록 한다. AC 전압 검출회로가 급전회로의 입력 전압치가 전압 역치의 범위 내에 들어 있지 않는 것을 검출할 때, 즉 급전회로가 입력한 전압치에 이상이 있을 때, 주제어 회로는 제1 스위치 장치가 오프 상태로 되도록 제어하는 것에 의해, 급전회로의 급전을 정지시킨다. 주제어 회로와 AC 전압 검출회로가 설치된 설계에 의해, 교류 송전 회로의 안전성과 안정성을 더 향상시킬 수 있다.
4, 본 고안의 실시예에 관한 교류 송전 회로에 있어서, 제1 스위치 장치는 트라이엑을 포함하고, 스위치 회로는 스위치 아이솔레이션 제어회로를 더 포함하고, 트라이엑은 스위치 아이솔레이션 제어회로에 의해 주제어 회로에 접속된다. 스위치 아이솔레이션 제어회로에 의해 급전회로와 스위치 회로 사이에 갈바닉 이소레이션을 형성하고, 급전회로의 전압 서지 등에 의해 주제어 회로가 파손되는 것을 방지하고, 교류 송전 회로의 수명을 연장시킬 수 있다. 또한, 급전회로와 스위치 회로 사이에 갈바닉 이소레이션이 형성된 것에 의해 고전압의 교류전기가 주제어 회로에 직접 인가되는 것을 방지하고, 사용자가 인위적으로 교류 송전 회로의 개폐를 제어하는 안전성을 향상시킬 수 있다. 또한 스위치 아이솔레이션 제어회로가 광선 커플러를 포함하는 설계에 의해, 주제어 회로에서 트라이엑의 갤버닉 아이솔레이션을 효율적으로 제어하는 것을 확보하고, 주제어 회로의 안전성과 안정성을 더 향상시킬 수 있다.
5, 본 고안의 실시예에 관한 교류 송전 회로에 있어서, 제1 스위치 장치는 트라이엑이며, 주제어 회로와 제1 스위치 장치는 신호의 수송신이 가능하게 접속되고, 주제어 회로는 제1 스위치 장치로 급전회로의 개폐를 제어한다. 급전회로에 트라이엑이 접속되는 설계에 의해, 교류 송전 회로 중의 스위치에 전기 아크가 쉽게 형성되는 것을 방지하고, 교류 송전 회로의 안전성과 안정성을 향상시킬 수 있다. 트라이엑에서 교류 송전 회로의 개폐를 제어하는 설계에 의해, 교류 송전 회로 중의 스위치 회로의 수명을 늘릴 수 있다. 즉 교류 송전 회로의 스위치 회로의 사용 수명을 연장시킬 수 있다. 교류 송전 회로가 온도 검출 회로를 더 포함한 설계에서, 온도 검출 회로는 교류 송전 회로의 온도를 검출하고, 검출된 교류 송전 회로의 온도를 주제어 회로에 피드백하는 것에 의해 교류 송전 회로의 개폐를 제어한다. 온도 검출 회로로 트라이엑의 온도를 검출할 때, 과잉 온도의 역치를 미리 설정할 수 있다. 온도 검출회로가 검출한 트라이엑의 온도가 사전설정 과잉온도역치를 촤과할 때, 제어회로가 이 상황을 검출하면 교류 송전 회로에 이상이 발생한 것을 의미한다. 이럴 경우, 주제어 회로는 트라이엑을 셧다운하고 급전회로의 급전을 정지시킨다. 주제어 회로와 온도 검출회로가 설치된 것에 의해, 교류 송전 회로의 안전성과 안정성을 더 향상시킬 수 있다.
6, 본 고안의 실시예에 관한 교류 송전 회로에 있어서, 스위치 회로가 스위치 제어회로를 더 포함하는 것에 의해, 사용자는 스위치 제어회로로 교류 송전 회로의 개폐를 용이하게 제어할 수 있다. 스위치 제어회로는 터치 제어 스위치, 음성 제어 스위치, 원격 조작 스위치 또는 누름형 스위치일 수 있다. 스위치 제어회로가 터치제어 스위치, 음성제어 스위치 또는 원격조작 스위치일 경우, 인텔리전트 제어방식 (intelligent control method)으로 급전회로의 개폐를 제어하는 것에 의해, 교류 송전 회로의 사용상의 편리성을 향상시킬 수 있다. 스위치 제어회로가 누름형 스위치일 경우, 스위치를 구입하는 비용을 저감할 수 있다.
7, 본 고안의 실시예에 관한 교류 송전 회로에 있어서, 상기 교류 송전 회로는 표시회로를 더 포함한다. 이 경우, 표시회로를 통하여 교류 송전 회로의 작동상황을 직관적으로 표시하고, 교류 송전 회로를 사용하는 편리성을 향상시킬 수 있다.
8, 본 고안에 실시예에 있어서 다른 교류 송전 회로를 더 제공한다. 상기 교류 송전 회로는 급전회로와 교류 송전 회로에 접속된 스위치 회로를 포함한다. 스위치 회로는 주제어 회로와 급전회로에 직렬 접속된 제1 스위치 장치를 포함한다. 주제어 회로와 제1 스위치 장치는 신호의 수송신이 가능하게 접속되며, 주제어 회로는 제1 스위치 장치를 통하여 급전회로의 개폐를 제어한다. 제1 스위치 장치로 급전회로의 개폐를 제어하는 설계에 있어서 수요에 따라 급전회로의 개폐를 제어할 수 있다. 스위치 회로는 제1 스위치 장치에 병렬 접속된 버퍼 회로를 더 포함하고, 제1 스위치 장치가 영교 셧다운을 할 때, 버퍼 회로는 급전회로에 전류를 보충한다. 제1 스위치 장치가 영교 셧다운을 할 때, 주제어 회로는 버퍼 회로를 온 상태로 하는 동시에 전류가 버퍼 회로를 통과하도록 한다. 따라서 제1 스위치 장치가 영교 셧다운을 할 때, 급전회로 출력단의 전류가 갑자기 변화되는 것을 방지하는 동시에, 급전회로의 전류가 갑자기 변화하는 것에 의해 급전회로에 전기접속된 전기장치에 스파이크전압이 형성되는 것을 방지할 수 있다. 제1 스위치 장치에 병렬 접속된 버퍼 회로를 더 포함하는 설계에서 제1 스위치 장치가 영교 셧다운을 할 때, 버퍼 회로에 의해 급전회로에 전류를 보충할 수 있다. 따라서 급전회로의 전류가 갑자기 변화하는 것에 의해 스파이크전압이 형성되는 것을 방지하고, 교류 송전 회로가 적당한 파형을 가진 전류를 출력하도록 할 수 있다.
9, 본 고안의 실시예에 관한 교류 송전 회로에 있어서, 제1 스위치 장치는 트라이엑, 계전기 및 MOS 트랜지스터 중의 한가지이거나 복수개의 조합일 수 있다. 제1 스위치 장치가 물리적 개폐를 하지 않는 반도체 스위치이므로 교류 송전 회로 중의 스위치에 전기 아크가 쉽게 형성되는 것을 효과적으로 방지하고, 교류 송전 회로의 안전성과 안정성을 향상시킬 수 있다. 이것을 통하여, 교류 송전 회로 중의 스위치 회로의 수명을 연장시키고, 교류 송전 회로의 급전 회로 안전성을 향상시킬 수 있다.
10, 본 고안의 실시예에 관한 교류 송전 회로에 있어서, 버퍼 회로는 제2 스위치 장치를 포함하고, 제2 스위치 장치의 일단은 주제어 회로에 접속되며, 제2 스위치 장치의 타단은 급전회로에 접속된다. 제2 스위치 장치에 의해 버퍼 회로의 온 상태를 제어하는 것에 의하여, 급전회로에 전류를 보충할 수 있다.
11, 본 고안 실시예에 관한 교류 송전 회로에 있어서, 상기 제2 스위치 장치는 계전기와 MOS 트랜지스터를 포함하고, 주제어 회로는 MOS 트랜지스터에 의해 계전기에 접속되며, 주제어 회로는 MOS 트랜지스터를 제어하는 것에 의해 계전기의 개폐를 제어한다. 주제어 회로가 MOS 트랜지스터에 의해 계전기의 개폐를 제어하는 설계에 의해, 제2 스위치 장치의 응답속도를 향상시킬 수 있다. 제1 스위치 장치가 영교 셧다운을 할 때, MOS 트랜지스터와 계전기에 의해 버퍼 회로의 온을 제어하고, 이 버퍼 회로에 의해 급전회로에 전류를 신속히 보충할 수 있다. 버퍼 회로에 계전기를 설치할 경우, 버퍼 회로에 의해 급전회로와 주제어 회로 사이에 갈버닉 아이솔레이션을 형성할 수 있다. 이것에 의해, 주제어 회로가 급전회로 중의 고전압에 의해 파손되는 것을 효과적으로 방지하고, 교류 송전 회로의 안전성과 안정성을 더 향상시킬 수 있다.
12, 본 고안 실시예에 관한 교류 송전 회로에 있어서, 교류 송전 회로는 전압 검출회로를 더 포함하고, 전압 검출회로는 급전회로 입력단의 교류 전압 및 위상을 검출하며, 전압 검출회로의 입력단은 급전회로에 접속되며, 전압 검출회로의 출력단은 주제어 회로에 접속된다. 전압 검출회로는 급전회로에 입력되는 교류전기의 전압 및 위상을 검출하는 것에 의해 급전회로가 입력한 교류전기의 전압을 보다 정확하게 검출하고 동시에 급전회로 전압의 정파 고점과 부파고점을 신속하고 정확하게 검출할 수 있다. 따라서 전압 검출회로가 검출한 전압치과 실제 전압치 사이의 오차를 감소시키고, 교류 송전 회로가 입력한 교류전기의 전압을 보다 정확하게 검출할 수 있다. 이것에 의해, 주제어 회로는 급전회로의 입력 전압 전압치에 의해 스위치 회로를 신속히 제어할 수 있다. 또한, 교류 송전 회로가 입력한 교류전기의 전압 및 위상을 보다 정확하게 검출하는 것에 의해, 버퍼 회로의 개폐를 신속하게 제어할 수 있다. 이럴 경우, 버퍼 회로에 의해 급전회로에 전류를 신속하게 보충하는 것을 확보할 수 있다. 따라서 전압 검출회로는 급전회로의 전류가 갑자기 변화되는 것을 방지하고, 교류 송전 회로의 안정성과 안전성을 더 향상시킬 수 있다.
13, 본 고안 실시예에 관한 교류 송전 회로에 있어서, 전압 검출회로는 변압기와 풀브릿지 MOS 회로를 포함하고, 변압기의 1차 코일은 급전회로에 접속되며, 변압기의 2차 코일은 풀브릿지 MOS 회로에 의해 주제어 회로에 접속된다. 급전회로가 고전압을 입력할 때, 변압기의 1차 코일의 전압은 증가되고, 변압기의 2차 코일의 전압은 감소된다. 변압기가 설치된 것에 의해 급전회로와 스위치 회로 사이에 갈바닉 이소레이션을 형성할 수 있다. 변압기의 2차 코일은 풀브릿지 MOS 회로에 의해 주제어 회로에 접속된다. 풀브릿지 MOS 회로에 의해 급전회로가 입력한 교류전기의 검출과 전환을 실시하고, 입력된 교류전기의 정파고점과 부파 고점을 구분하고 동시에 전압신호를 제공하는 것에 의해 전압 및 위상의 검출을 할 수 있다. 풀브릿지 MOS 회로의 검출에 의해 교류 송전 회로의 입력단의 전압의 볼티지드롭을 더욱 저감하고, 전압의 검출 정확도를 더 향상시킬 수 있다. 풀브릿지 MOS 회로에서 전압을 검출하는 것에 의해 전압 검출회로 검출의 정확도를 향상시키고, 교류 송전 회로의 안전성과 안정성을 더 향상시킬 수 있다.
14, 본 고안의 실시예에 관한 교류 송전 회로에 있어서, 스위치 회로는 레귤레이션 회로의 입력단은 급전회로에 접속되고 레귤레이션 회로의 출력단은 주제어 회로와 버퍼 회로에 동시에 접속된다. 스위치 회로가 레귤레이션 회로를 더 포함하는 설계에서, 스위치 회로는 주제어 회로와 버퍼 회로에 전력을 공급할 수 있다.
15, 본 고안의 실시예에 관한 소켓에 있어서, 상기 소켓을 통하여 상기 교류 송전 회로와 동일한 고안의 효과를 얻을 수 있다. 상기 소켓에 의한 고안의 효과는 상기 교류 송전 회로의 고안 효과를 참조할 수 있으므로, 여기에서 다시 설명하지 않는다.
도 1은 본 고안의 제1 실시예에 관한 교류 송전 회로의 회로구조를 나타내는 제1 블록 다이어그램이다.
도 2는 본 고안의 제1 실시예에 관한 교류 송전 회로의 회로구조를 나타내는 제2 블록 다이어그램이다.
도 3은 본 고안의 제1 실시예에 관한 교류 송전 회로의 원리를 나타내는 도면이다.
도 4는 본 고안의 제1 실시예에 관한 교류 송전 회로의 제어회로의 원리를 나타내는 도면이다.
도 5는 본 고안의 제1 실시예에 관한 교류 송전 회로의 레귤레이션 회로의 원리를 나타내는 도면이다.
도 6은 종래 기술의 교류 송전 회로가 출력하는 전류의 파형을 나타내는 도면이다.
도 7은 본 고안의 제1 실시예에 관한 교류 송전 회로가 출력하는 전류의 파형을 나타내는 도면이다.
도 8은 본 고안의 제1 실시예에 관한 교류 송전 회로의 회로구조를 나타내는 제3 블록 다이어그램이다.
도 9는 본 고안의 제1 실시예에 관한 교류 송전 회로의 회로구조를 나타내는 제4 블록 다이어그램이다.
도 10은 본 고안의 제1 실시예에 관한 교류 송전 회로의 회로구조를 나타내는 제5 블록 다이어그램이다.
도 11은 본 고안의 제1 실시예에 관한 교류 송전 회로의 회로구조를 나타내는 제6 블록 다이어그램이다.
도 12는 본 고안의 제1 실시예에 관한 교류 송전 회로의 회로구조를 나타내는 제7 블록 다이어그램이다.
도 13은 본 고안의 제1 실시예에 관한 교류 송전 회로의 전압 검출회로의 원리를 나타내는 도면이다.
도 14는 본 고안의 제1 실시예에 관한 교류 송전 회로의 회로구조를 나타내는 제8 블록 다이어그램이다.
도 15는 본 고안의 제1 실시예에 관한 교류 송전 회로의 스위치 아이솔레이션 제어회로의 원리를 나타내는 도면이다.
도 16은 본 고안의 제2 실시예에 관한 교류 송전 회로의 회로구조를 나타내는 제1 블록 다이어그램이다.
도 17은 본 고안의 제2 실시예에 관한 교류 송전 회로의 회로구조를 나타내는 제2 블록 다이어그램이다.
도 18은 본 고안의 제2 실시예에 관한 교류 송전 회로의 급전회로의 원리를 나타내는 도면이다.
도 19는 본 고안의 제2 실시예에 관한 교류 송전 회로의 제어회로의 원리를 나타내는 도면이다.
도 20은 본 고안의 제2 실시예에 관한 교류 송전 회로의 AC 전압 검출회로의 원리를 나타내는 도면이다.
도 21은 본 고안의 제2 실시예에 관한 교류 송전 회로의 서지 검출회로의 원리를 나타내는 도면이다.
도 22는 본 고안의 제2 실시예에 관한 교류 송전 회로의 스위치 아이솔레이션 제어회로의 원리를 나타내는 도면이다.
도 23은 본 고안의 제3 실시예에 관한 교류 송전 회로의 회로구조를 나타내는 제1 블록 다이어그램이다.
도 24는 본 고안의 제3 실시예에 관한 교류 송전 회로의 회로구조를 나타내는 제2 블록 다이어그램이다.
도 25는 본 고안의 제3 실시예에 관한 교류 송전 회로의 스위치 회로의 원리를 나타내는 도면이다.
도 26은 본 고안의 제3 실시예에 관한 교류 송전 회로의 제어회로의 원리를 나타내는 도면이다.
도 27은 본 고안의 제3 실시예에 관한 교류 송전 회로의 급전회로의 원리를 나타내는 도면이다.
도 28은 본 고안의 제3 실시예에 관한 교류 송전 회로의 스위치 아이솔레이션 제어회로의 원리를 나타내는 도면이다.
도 29는 본 고안의 제3 실시예에 관한 교류 송전 회로의 스위치 제어회로의 원리를 나타내는 도면이다.
도 30은 본 고안의 제3 실시예에 관한 교류 송전 회로의 표시회로의 원리를 나타내는 도면이다.
도 31은 본 고안의 제4 실시예 실시예에 관한 소켓의 구조를 나타내는 도면이다.
본 고안의 목적, 기술적 사항 및 고안의 효과를 보다 상세하게 설명하기 위하여 이하, 도면과 실시예에 의하여 본 고안을 보다 상세하게 설명한다. 주의받고 싶은 것은, 하기 구체적인 실시예는 본 고안을 설명하는 것이지만 본 고안을 한정하는 것은 아니다.
도 1과 도 2를 참조하면, 본 고안의 제1 실시예에서 교류 송전회로(1)을 제공한다. 교류 송전 회로(1)은 급전회로(11)과 교류 송전 회로(1)에 접속된 스위치 회로(12)를 포함하며, 스위치 회로(12)는 주제어 회로(Main control circuit, 122), 급전회로(11)에 직렬 접속된 제1 스위치 장치 121 및 제1 스위치 장치(121)에 병렬 접속된 버퍼 회로(Buffer circuit, 124)를 포함한다. 주제어 회로(122)는 제1 스위치 장치(121)의 개폐를 제어하는 것에 의해 급전회로(11)의 개폐를 제어하고, 제1 스위치 장치(121)가 영교 셧다운(Zero crossing shutdown)을 할 때 버퍼 회로(124)는 급전회로(11)에 전류를 보충할 수 있다.
도 2 및 도 5를 참조하면 본 고안의 제1 실시예에 관한 스위치 회로(12)는 레귤레이션 회로(regulation circuit, 123)를 더 포함하고, 레귤레이션 회로(123)의 입력단은 급전회로(11)에 접속되며, 레귤레이션 회로(123)의 출력단은 주제어 회로(122)와 버퍼 회로(124)에 동시에 접속된다.
본 고안의 제1 실시예에 관한 급전회로(11)의 교류전력 중의 일부분은 레귤레이션 회로(123)에 전송되고, 다른 일부분은 급전회로(11)의 출력단에 의해 급전회로(11)의 출력단에 접속된 전기장치에 전송된다. 레귤레이션 회로(123)는 주제어 회로(122)와 버퍼 회로(124)에 전력을 공급한다.
본 고안의 레귤레이션 회로(123)는 프라이머리(primary) 입력단에 접속되는 입력회로이며, 입력회로는 순서대로 접속된 교류전력 입력 부분, 프라이머리 정류부분, 프라이머리 필터 부분을 포함한다. 변압기에 프라이머리 입력전원을 제공하고 충전 부하를 세컨더리(Secondary) 출력단에 접속시킬 때, 세컨더리 출력단은 충전 부하에 전력을 공급한다.
도 2와 도 3을 참조하면 본 고안의 제1 실시예에 관한 급전회로(11)는 AC 입력단과 출력단을 포함한다. AC 입력단에는 교류전력이 입력되며 출력단은 교류전기 또는 직류전기를 출력하고, AC 입력단은 소켓에 전력을 공급한다.
구체적으로 본 고안의 제1 실시예에 관한 급전회로(11)는 교류전원 중의 전압 서지(voltage surge)를 제거하는 배리스터(varistor) MOV1, 노이즈를 제거하는 커패시터(capacitor) C2 및 저항 R1을 포함한다. 배리스터 MOV1는 교류전원의 L선과 N선 사이에 접속되며, 커패시터 C2와 저항 R1은 직렬 접속된 후 교류전원의 L선과 N선 사이에 접속된다.
주제어 회로(122)와 제1 스위치 장치(121)는 신호의 수송신이 가능하도록 접속되며, 주제어 회로(122)는 제1 스위치 장치(121)에 따라 급전회로(11)의 개폐를 제어하도록 설치된다. 본 고안에서는 수요에 따라 급전회로(11)의 개폐를 제어할 수 있다. 즉 교류전력을 입력할 때 주제어 회로(122)는 제1 스위치 장치(121)의 개폐를 제어하는 것에 의해 급전회로(11)의 개폐를 제어할 수 있다.
제1 스위치 장치(121)는 트라이엑(TRIAC), 계전기(relay) 및 MOS 트랜지스터(metal oxide semiconductor transistor) 중의 임의의 한가지이거나 복수개의 조합일 수 있다. 본 고안의 제1 실시예에 관한 제1 스위치 장치(121)은 트라이엑이다.
제1 스위치 장치(121)가 물리적 개폐를 하지 않는 반도체 스위치(Semiconductor switch)이므로 교류 송전 회로 중의 스위치에 전기 아크가 쉽게 형성되는 것을 효과적으로 방지하고, 교류 송전 회로(1)의 안전성과 안정성을 향상시킬 수 있다. 이것을 통하여, 교류 송전 회로(1) 중의 스위치 회로(12)의 수명을 연장시키고, 교류 송전 회로(1)의 급전회로(11)의 안전성을 향상시킬 수 있다.
본 고안의 주제어 회로(122)는 원칩 컴퓨터(one-chip computer), 마이크로 컨트롤러(micro controller), 필드 프로그래머블 게이트 얼레이(Field programmable gate array, FPGA), 범용 어레이 로직(generic array logic, GAL)이거나 또는 이들의 임의의 조합일 수 있다.
도 2와 도 4를 참조하면 본 고안의 주제어 회로(122)는 마이크로 컨트롤러이다. 주제어 회로(122)의 품번은 QFN20이며 주제어 회로(122)는 21개의 핀을 포함한다.
도 6을 참조하면, 제1 스위치 장치(121)는 영교 셧다운을 한다. 제1 스위치 장치(121)가 영교 셧다운을 할 때, 급전회로(11)의 출력전류가 갑자기 변화되므로 급전회로(11)의 출력단 및/또는 급전회로(11)의 출력단에 전기접속된 전기장치에 스파이크 전압 (spike voltage)이 형성될 우려가 있다. 따라서 제1 스위치 장치(121)가 영교 셧다운을 할 때, 급전회로(11) 및/또는 급전회로(11)에 전기접속된 전기장치가 파손될 우려가 있고, 또한 적당한 파형을 가진 전류를 출력할 수 없다.
도 7을 참조하면, 제1 스위치 장치(121)가 영교 셧다운을 할 때, 급전회로(11)에 전류를 보충하는 것에 의해, 교류 송전 회로(1)가 적당한 파형을 가진 전류를 출력하도록 한다.
버퍼 회로(124)는 급전 회로(11)에 전류를 보충한다. 즉, 제1 스위치 장치(121)가 영교 셧다운을 할 때, 주제어 회로(122)는 버퍼 회로(124)의 온을 제어한다.
버퍼 회로(124)와 제1 스위치 장치(121)을 병렬접속시키는 설계에 있어, 제1 스위치 장치(121)가 영교 셧다운을 할 때 주제어 회로(122)는 버퍼 회로(124)의 온을 제어하는 것에 의해 급전회로(11)의 입력단의 전류가 버퍼 회로(124)에 의해 출력단에 흐르도록 한다. 이것에 의해, 급전회로(11)의 출력단의 전류가 갑자기 변화되는 것을 방지하고, 또한 급전회로(11)의 전류가 갑자기 변화하는 것에 의해 급전회로(11)에 전기접속된 회로 및/또는 전기장치에 스파이크 전압이 형성되는 것을 방지할 수 있다. 상술한 바와 같이, 제1 스위치 장치(121)가 영교 셧다운을 할 때 급전회로(11)에 전류를 보충하는 것에 의해 급전회로(11)의 전류가 갑자기 변화하는 것에 의해 스파이크 전압이 형성되는 것을 방지할 수 있다.
도 8을 참조하면 버퍼 회로(124)는 제2 스위치 장치(1241)을 포함하고, 제2 스위치 장치(1241)의 일단은 주제어 회로(122)에 접속되며, 제2 스위치 장치(1241)의 타단은 급전회로(11)에 접속된다.
주제어 회로(122)는 제2 스위치 장치(1241)의 온을 제어하고, 주제어 회로(122)는 버퍼 회로(124)를 제어하는 것에 의해 급전회로(11)에 전류를 보충할 수 있다.
제2 스위치 장치(1241)는 계전기 및/또는 MOS 트랜지스터를 포함한다.
도 9를 참조하면 본 고안의 실시예에서 본 고안의 제1 실시예에 관한 제2 스위치 장치(1241)는 계전기를 포함한다. 제2 스위치 장치(1241)가 MOS 트랜지스터를 더 포함할 경우, 주제어 회로(122)는 MOS 트랜지스터에 의해 계전기에 접속되고, 주제어 회로(122)는 MOS 트랜지스터를 제어하는 것에 의해 계전기의 개폐를 제어할 수 있다.
구체적으로 도 3과 도 9를 참조하면, 본 고안의 제1 실시예에 관한 버퍼 회로(124)는 계전기 K1, MOS 트랜지스터 Q2, 저항 R5 및 저항 R7을 포함한다. MOS 트랜지스터 Q2의 게이트는 저항 R5에 의해 주제어 회로(122)의 제18 핀, 즉 PA7에 접속된다. MOS 트랜지스터 Q2의 드레인 (drain)은 계전기 K1의 일단에 접속되며, 계전기 K1의 타단은 급전회로 11에 접속된다. MOS 트랜지스터 Q2의 소스(Source)는 접지되고, 저항 R7의 일단은 MOS 트랜지스터 Q2의 게이트(gate)에 접속되며 저항 R7의 타단은 GND에 접속된다.
주제어 회로(122)가 MOS 트랜지스터 Q2에 의해 계전기 K1의 개폐를 제어하는 설계를 통하여, 제2 스위치 장치 1241의 응답속도를 향상시킬 수 있다. 제1 스위치 장치(121)가 영교 셧다운을 할 때, MOS 트랜지스터 Q2와 계전기 K1에 의하여 버퍼 회로(124)의 온을 제어하고, 이 버퍼 회로(124)에 의하여 급전회로(11)에 전류를 신속하게 보충할 수 있다. 버퍼 회로(124)에 계전기 K1을 설치할 경우, 버퍼 회로(124)에 의해 급전회로(11)와 주제어 회로(122) 사이에 갈바닉 이소레이션 (Galvanic isolation)을 형성할 수 있다. 따라서 주제어 회로(122)가 급전회로(11) 중의 고전압에 의해 파손되는 것을 효과적으로 방지하고, 교류 송전 회로(1)의 안전성과 안정성을 더 향상시킬 수 있다.
제1 스위치 장치(121)가 영교 셧다운을 할 때, 주제어 회로(122)는 MOS 트랜지스터 Q2의 온을 제어하는 것에 의해 계전기 K1의 온을 제어하고, 급전회로(11)에 전류를 보충할 수 있다. 제1 스위치 장치(121)가 온 상태로 될 때, 주제어 회로(122)는 MOS 트랜지스터 Q2의 셧다운을 제어하는 것에 의해 계전기 K1의 셧다운을 제어하고, 급전회로(11)에 대한 전류 보충을 정지시킬 수 있다.
도 10을 참조하면 본 고안의 다른 실시예에서 본 고안의 제1 실시예에 관한 제2 스위치 장치(1241)는 MOS 트랜지스터뿐만 아니라 아이솔레이션 제어부품을 더 포함한다. MOS 트랜지스터는 급전회로(11)에 접속되며, MOS 트랜지스터는 아이솔레이션 제어부품에 의해 주제어 회로(122)에 신호의 수송신이 가능하게 접속된다.
제2 스위치 장치(1241)가 MOS 트랜지스터를 포함하는 설계에 의해, 제2 스위치 장치(1241)의 응답 속도를 향상시킬 수 있다. MOS 트랜지스터는 아이솔레이션 기능을 가지고 있지 않으므로, MOS 트랜지스터는 아이솔레이션 제어부품에 의하여 MOS 트랜지스터와 주제어 회로(122)가 신호의 수송신이 가능하게 접속되는 것을 제어한다. MOS 트랜지스터가 아이솔레이션 제어부품으로 주제어 회로(122)에 접속되는 설계를 통하여 급전회로(11)와 주제어 회로(122) 사이에 갈버닉 아이솔레이션을 형성할 수 있다. 급전회로(11)와 주제어 회로(122)가 직접 접속된 것에 의해 주제어 회로(122)가 파손되는 것을 효과적으로 방지하고, 교류 송전 회로(1)의 수명을 연장시킬 수 있다.
도 11과 도 12를 참조하면, 본 고안의 제1 실시예에 관한 교류 송전 회로(1)는 전압 검출회로(13)를 더 포함하고, 전압 검출회로(13)는 급전회로(11)의 입력단의 교류전압 및 위상을 검출한다. 전압 검출회로(13)의 입력단은 급전회로(11)에 접속되며 전압 검출회로(13)의 출력단은 주제어 회로(122)에 접속된다.
전압 검출회로(13)는 급전회로(11)에 입력되는 교류전기의 전압 및 위상을 검출할 수 있다. 이럴 경우, 주제어 회로(122)는 급전회로(11)의 입력 전압 전압치에 의해 스위치 회로(12)를 신속하게 제어할 수 있다. 본 고안 예시에서 전압 검출회로(13)이 급전회로(11)에 입력되는 전압이 너무 큰 것을 검출하면 주제어 회로(12)는 스위치 회로(12)를 오프 상태로 신속하게 제어하는 것에 의해, 너무 큰 전압에 의해 교류 송전 회로(1) 및/또는 급전회로(11)에 전기접속된 전기장치가 파손되는 것을 방지할 수 있다. 전압 검출회로(13)이 급전회로(11)에 입력되는 전압이 정상인 것을 검출하면 주제어 회로(12)는 스위치 회로(12)를 온 상태로 신속하게 제어하는 것에 의해 급전회로(11)의 정상적인 급전을 회복시킬 수 있다. 전압 검출회로(13)는 급전회로(11)의 입력 전압의 전압치 및 위상을 검출하고, 주제어 회로(122)는 급전회로(11)의 입력 전압의 전압치 및 위상에 따라 버퍼 회로(124)의 접속을 제어하는 것에 의해, 버퍼 회로(124)가 전류를 신속히 보충하도록 한다. 이것에 의해 전압 검출회로 (13)는 급전회로(11)의 전류가 갑자기 변화되는 것을 방지하고, 교류 송전 회로(1)의 안정성과 안전성을 더 향상시킬 수 있다.
다이오드에 의해 교류 송전 회로(1)의 입력단의 전압을 검출할 때 검출된 전압의 압력비례(pressure ratio)가 크기 때문에 검출된 전압은 실제 전압치보다 작아지고, 검출된 파형도 실제 파형보다 작아질 우려가 있다. 본 고안은 풀브릿지 MOS 회로에 의해 교류 송전 회로 입력단의 전압 및 위상을 검출하므로, 전압 검출회로(13)이 검출한 전압치는 실제 전압치에 접근되면 전압검출의 정확도를 대폭 향상시킬 수 있다.
풀브릿지 MOS 회로에 의해 급전회로(11)가 입력한 교류전기의 전압을 보다 정확하게 검출하고, 급전회로(11)의 전압의 정파 고점과 부파 고점을 신속하고 정확하게 검출할 수 있다. 따라서 전압 검출회로(13)이 검출한 전압치과 실제 전압치 사이의 오차를 감소시키고, 교류 송전 회로(1)이 입력한 교류전기의 전압을 보다 정확하게 검출할 수 있다. 또한 교류 송전 회로(1)가 입력한 교류 전기의 전압 및 위상을 보다 정확하게 검출하는 것에 의해 교류 송전 회로(1)의 안정성과 안전성을 더 향상시킬 수 있다.
도 12 및 도 13을 참조하면 전압 검출회로(13)는 변압기와 풀브릿지 MOS 회로를 포함하고, 변압기의 1차 코일(primary coil)은 급전회로(11)에 접속되며, 변압기의 2차 코일(secondary coil)은 풀브릿지 MOS 회로에 의해 주제어 회로(122)에 접속된다.
구체적으로 도 13을 참조하면 본 고안의 실시예에 관한 전압 검출회로(13)는 적어도 변압기 T1, MOS 트랜지스터 Q4, MOS 트랜지스터 Q5, MOS 트랜지스터 Q6 및 MOS 트랜지스터 Q7을 포함한다. 변압기 T1의 1차 코일의 제1단과 변압기 T1의 1차 코일의 제2단은 교류전원의 L선과 N선 사이에 접속된다. 변압기 T1의 2차 코일 제3단은 MOS 트랜지스터 Q5의 드레인, MOS 트랜지스터 Q4의 드레인, MOS 트랜지스터 Q6의 게이트 및 MOS 트랜지스터 Q7의 게이트에 접속되며, 변압기 T1의 2차 코일의 제4단은 MOS 트랜지스터 Q6의 드레인, MOS 트랜지스터 Q7의 드레인, MOS 트랜지스터 Q4의 게이트 및 MOS 트랜지스터 Q5의 게이트로 접속된다. MOS 트랜지스터 Q5의 소스와 MOS 트랜지스터 Q6의 소스는 접속된 후 GND에 접속되며, MOS 트랜지스터의 Q4 소스는 주제어 회로 122의 제2핀, 즉 PA3핀에 접속된다. MOS 트랜지스터 Q4의 소스는 저항 R15와 저항 R17에 의해 GND에 접속되고, MOS 트랜지스터 Q7의 소스는 주제어 회로 122의 제3핀, 즉 PA2 핀에 접속되며, MOS 트랜지스터 Q7의 소스는 저항 R14와 저항 R16에 의해 GND에 접속된다.
구체적으로 변압기 T1의 2차 코일의 제3단에는 순방향 전압(forward voltage)이 형성되고, 변압기 T1의 2차 코일의 제4단에는 역방향 전압(backward voltage)이 형성된다. 전압은 MOS 트랜지스터 Q4에 의해 주제어 회로(122)와 GND에 전송된다. 이때 MOS 트랜지스터 Q4는 하이 레벨(High level)을 입력하고, MOS 트랜지스터 Q4는 온 상태로 되며, MOS 트랜지스터 Q6와 MOS 트랜지스터 Q7은 오프 상패로 되고, 또한 MOS 트랜지스터 Q6와 MOS 트랜지스터 Q7은 오프 상패로 된다. 변압기 T1의 2차 코일 제3단이 하이 레벨을 입력할 때 MOS 트랜지스터 Q4는 온 상태를 계속 유지한다. MOS 트랜지스터 Q4에는 기생 다이오드(parasitic diode)가 설치되고 온 상태로 된 MOS 트랜지스터 Q4의 저항은 매우 작기 때문에 검출된 전압의 볼티지 드롭(voltage drop)도 작아질 수 있다. MOS 트랜지스터 Q4의 소스에서 검출한 전압 신호는 주제어 회로(122)에 출력되며, MOS 트랜지스터 Q4의 소스는 저항 R15와 저항 R17에 의해 GND에 접속된다.
변압기 T1의 2차 코일 제3단에는 역방향 전압이 형성되고 변압기 T1의 2차 코일의 제4단에는 순방향 전압이 형성된다. 전압은 MOS 트랜지스터 Q7에 의해 주제어 회로(122)와 GND에 전송된다. 이때 MOS 트랜지스터 Q7은 온 상태로 되고, MOS 트랜지스터 Q5와 MOS 트랜지스터 Q4는 오프 상패로 되며, MOS 트랜지스터 Q5와 MOS 트랜지스터 Q4는 오프 상패로 된다. 변압기 T1의 2차 코일의 제4단이 하이 레벨을 입력할 때 MOS 트랜지스터 Q7의 드레인에는 정전압이 형성되고, MOS 트랜지스터 Q7의 게이트에는 음전압이 형성되며, MOS 트랜지스터 Q7의 양 끝에는 전압차가 형성되며, MOS 트랜지스터 Q7은 오프 상태로 된다. MOS 트랜지스터 Q7에는 기생 다이오드가 설치되고, 온 상태로 된 MOS 트랜지스터 Q7의 저항은 매우 작기 때문에 검출된 전압의 볼티지 드롭도 작아질 수 있다. MOS 트랜지스터 Q7의 소스에서 검출한 전압 신호는 주제어 회로(122)에 출력되며, MOS 트랜지스터 Q7의 소스는 저항 R15와 저항 R17에 의해 GND에 접속된다.
급전회로(11)가 고전압을 입력할 때 변압기의 1차 코일의 전압은 증가되고, 변압기의 2차 코일의 전압은 감소된다. 변압기가 설치된 것에 의해 급전회로(11)와 스위치 회로(12) 사이에 갈바닉 이소레이션을 형성할 수 있다. 변압기의 2차 코일은 풀브릿지 MOS 회로에 의해 주제어 회로(122)에 접속된다. 풀브릿지 MOS 회로에 의해 급전회로(11)가 입력한 교류전기의 검출과 전환을 실시하고, 입력된 교류전기의 정파 고점과 부파 고점을 구분하고 동시에 전압신호를 제공하는 것에 의해 전압 및 위상의 검출을 할 수 있다. 풀브릿지 MOS 회로의 검출에 의해 교류 송전 회로(1)의 입력단의 전압의 볼티지 드롭을 더욱 저감하고, 전압의 검출 정확도를 더 향상시킬 수 있다. 풀브릿지 MOS 회로에서 전압을 검출하는 것에 의해 전압 검출회로(13)의 검출 정확도를 향상시키고, 교류 송전 회로 1의 안전성과 안정성을 더 향상시킬 수 있다.
도 14를 참조하면 제1 스위치 장치(121)는 트라이엑(1211)을 포함하고, 스위치 회로(12)는 스위치 아이솔레이션 제어회로(125)를 더 포함하고, 트라이엑(1211)은 스위치 아이솔레이션 제어회로(125)에 의해 주제어 회로(122)에 접속된다. 본 실시예의 스위치 아이솔레이션 제어회로(125)는 광선 커플러(optical coupler)를 포함한다.
스위치 아이솔레이션 제어회로(125)에 의해 급전회로(11)와 스위치 회로(12) 사이에 갈바닉 이소레이션을 형성하고, 급전회로(11)의 전압 서지 등에 의해 주제어 회로(122)가 파손되는 것을 방지하고, 교류 송전 회로(1)의 수명을 연장시킬 수 있다. 또한, 급전회로(11)와 스위치 회로(12) 사이에 갈바닉 이소레이션이 형성된 것에 의해, 고전압의 교류전기가 주제어 회로(122)에 직접 인가되는 것을 방지하고, 사용자가 인위적으로 교류 송전 회로(1)의 개폐를 제어하는 안전성을 향상시킬 수 있다. 또한, 스위치 아이솔레이션 제어회로(125)가 광선 커플러를 포함하는 설계에 의해, 주제어 회로(122)에 의해 트라이엑(1211)의 갤버닉 아이솔레이션을 효율적으로 제어하는 것을 확보하고, 주제어 회로(122)의 안전성과 안정성을 더 향상시킬 수 있다.
트라이엑(1211)이 고전압에 접속될 때, 급전회로(11)와 주제어 회로(122) 사이에 갈버닉 아이솔레이션을 형성할 필요가 있다. 본 실시예의 광선 커플러는 양호한 아이솔레이션 성능을 가지고 있으므로 광선 커플러를 설치하는 것에 의해, 광선 커플러로 급전회로(11) 및 주제어 회로(122)와 약전기 및 강전기 사이에 갈버닉 아이솔레이션을 형성할 수 있다. 트라이엑(1211)이 고전압에 접속될 때 광선 커플러로 트라이엑(1211)의 접속시간을 제어하는 것에 의해 트라이엑(1211)에 입력된 고전압을 아이솔레이션하고, 주제어 회로(122)의 안전성과 안정성을 더 향상시킬 수 있다.
도 15를 참조하면 스위치 아이솔레이션 제어회로(125)는 적어도 광선 커플러 U1를 포함하고, 이 광선 커플러 U1의 품번은 MOC3041이며 광선 커플러 U1의 내부에는 영교 검출회로(Zero crossing detection circuit)가 설치되어 있다. 광선 커플러 U1는 그 내부의 영교 검출 회로의 검출 결과에 의해 쌍방향 사이리스터(Bidirectional thyristor)의 온 상태와 오프 상태를 제어한다. 이것에 의해 트라이엑(1211)의 온 상태와 오프 상태를 제어하고, 트라이엑(1211)의 영교 셧다운을 실현할 수 있다.
급전회로(11)가 교류전기를 입력할 때, 일부분의 교류전기가 레귤레이션 회로(123)에 전송되는 것에 의해 레귤레이션 회로(123)는 주제어 회로(122)와 버퍼 회로(124)에 전력을 공급할 수 있다. 다른 일부분의 교류전기는 급전회로(11)의 출력단에 의해 급전회로의 출력단에 접속된 전기장치에 전송된다. 주제어 회로(122)는 제1 스위치 장치(121)을 제어하는 것에 의해 급전회로(11)의 개폐를 제어한다. 버퍼 회로(124)와 제1 스위치 장치(121)는 병렬접속되며, 제1 스위치 장치(121)가 영교 셧다운을 할 때, 주제어 회로(122)는 버퍼 회로(124)가 급전회로(11)에 전류를 보충하는 것을 제어한다. 전압 검출회로(13)는 급전회로(11)의 입력단의 전압 및 위상을 검출하고, 전압 검출회로(13)는 변압기와 풀브릿지 MOS 회로를 포함한다. 변압기에 의해 급전회로(11)와 스위치 회로(12) 사이에 갈버닉 아이솔레이션을 형성하고, 풀브릿지 MOS 회로의 검출에 의해 교류 송전 회로(1)의 입력단 전압의 볼티지 드롭을 더욱 저감할 수 있다. 스위치 아이솔레이션 제어회로에 의해 급전회로(11)과 스위치 회로(12) 사이에 갈바닉 이소레이션을 형성할 수 있다. 이것에 의해, 교류 송전 회로(1)이 고전압을 입력할 때 고전압의 교류전기가 주제어 회로(122)에 직접 입력되는 것을 방지할 수 있다. 스위치 아이솔레이션 제어회로(125)는 광선 커플러를 더 포함하므로 트라이엑(1211)을 향해 유효한 갈바닉 이소레이션을 형성할 수 있다.
도 16과 도 17을 참조하면, 본 고안의 제2 실시예에서 교류 송전 회로(2)를 제공한다. 교류 송전 회로(2)는 급전회로(20)와 급전회로(20)에 접속된 스위치 회로(21)를 포함하고, 스위치 회로(211)는 주제어 회로(211), 서지 검출회로(213) 및 급전회로(20)에 직렬 접속된 제1 스위치 장치(212)를 포함한다. 주제어 회로(211)와 제1 스위치 장치(212)는 신호의 수송신이 가능하게 접속되며, 제1 스위치 장치(212)는 급전회로(20)의 개폐를 제어한다. 서지 검출회로(213)의 입력단은 급전회로(20)에 접속되고, 서지 검출회로(213)의 출력단은 주제어 회로(211)에 접속된다.
본 고안의 제2 실시예에 관한 스위치 회로(211)는 주제어 회로(211)와 급전회로(20)에 직렬 접속된 제1 스위치 장치(212)를 포함하고, 주제어 회로(211)와 제1 스위치 장치(212)는 신호의 수송신이 가능하게 접속되며, 주제어 회로(211)는 제1 스위치 장치(212)에 의해 급전회로(11)의 개폐를 제어한다. 급전회로(20)에 제1 스위치 장치(212)가 접속된 것에 의해 교류 송전 회로(2) 중의 스위치에 전기 아크가 쉽게 형성되는 것을 효과적으로 방지하고, 교류 송전 회로(2)의 안전성과 안정성을 향상시킬 수 있다.
제1 스위치 장치(212)에 의해 교류 송전 회로(2)의 개폐를 제어하는 설계에 의해, 교류 송전 회로(2) 중의 스위치 회로(21)의 수명을 늘릴 수 있다. 즉 교류 송전 회로(2)의 스위치 회로(21)의 사용 수명을 연장시킬 수 있다.
본 고안의 제2 실시예에 관한 스위치 회로(21)는 레귤레이션 회로(218)를 더 포함한다. 레귤레이션 회로(218)가 주제어 회로(211)에 접속된 것에 의해 레귤레이션 회로(218)는 주제어 회로(211)에 전력을 공급한다.
본 고안의 제2 실시예에 관한 레귤레이션 회로(218)는 프라이머리 입력단에 접속되는 입력회로일 수 있다. 입력회로는 상용하는 PSR(Primary Side Regulation) 시스템의 입력회로이며, 입력회로는 순서대로 접속된 교류전력 입력 부분, 프라이머리 정류 부분, 프라이머리 필터 부분을 포함한다. 변압기에 프라이머리 입력전원을 제공하고, 충전 부하를 세컨더리 출력단에 접속시킬 때 세컨더리 출력단은 충전 부하에 전력을 공급한다.
주의받고 싶은 것은, 본 고안의 제2 실시예에 관한 급전회로 중의 일부분의 전력은 레귤레이션 회로(218)로 전송되고, 다른 일부분의 전력은 소켓으로 전송된다. 레귤레이션 회로(218)는 주제어 회로(211), 서지 검출회로(213), AC 전압 검출회로(214), 알람회로(215), 온도 검출회로(216) 및 스위치 아이솔레이션 제어회로(217)에 전력을 공급한다.
도 17과 도 18을 참조하면 본 고안의 제2 실시예에 관한 급전회로(20)는 AC 입력단과 AC 출력단을 포함한다. AC 입력단에는 교류전력이 입력되며, AC 출력단은 교류전기를 출력하는 것에 의해 소켓에 전력을 공급한다.
본 고안의 제2 실시예에 관한 스위치 회로(21)는 서지 검출회로(213), 저항 R1, 커패시터 C2, 제1 스위치 장치(212) 및 주제어 회로(211)을 포함한다. 저항 R1, 커패시터 C2가 직렬 접속된 것에 의해 RC 흡수회로(Resistance capacitance absorption circuit)가 구성되며, RC 흡수회로는 제1 스위치 장치(212)가 브레이크 다운(breakdown)되지 않도록 보호할 수 있다. 서지 검출회로(213)는 급전회로(20)에 접속되고, 제1 스위치 장치(212)는 급전회로(20)에 접속되며, 제1 스위치 장치(212)와 서지 검출회로(213)는 모두 주제어 회로(211)에 접속된다.
AC 전기를 입력할 때 주제어 회로(211)는 제1 스위치 장치(212)의 개폐를 제어하는 것에 의해 급전회로(20)의 개폐를 제어한다.
본 실시예의 제1 스위치 장치(212)는 트라이엑, 계전기 및/또는 MOS 트랜지스터일 수 있다. 제1 스위치 장치(212)가 물리적 개폐를 하지 않는 반도체 스위치이므로, 교류 송전 회로 중의 스위치에 전기 아크가 쉽게 형성되는 것을 방지하고, 교류 송전 회로의 안전성을 향상시킬 수 있다. 제1 스위치 장치(212)가 트라이엑인 것에 의해, 교류 송전 회로(2) 중의 스위치에 전기 아크가 쉽게 형성되는 것을 방지하고, 교류 송전 회로(2)의 안전성과 안정성을 향상시킬 수 있다. 트라이엑에서 교류 송전 회로(2)의 개폐를 제어하는 설계에 의해, 교류 송전회로(2) 중의 스위치 회로(21)의 수명을 늘릴 수 있다. 즉 교류 송전 회로(2)의 스위치 회로(21)의 사용 수명을 연장시킬 수 있다.
스위치 회로(21)가 서지 검출회로(213)을 더 포함하는 설계에 의해, 급전회로(20)가 고전압 서지를 입력하거나 급전회로(20)가 벼락을 맞는 이상을 검출할 수 있다. 외부의 전압에 이상이 있어 내부의 부원이 파손되는 것을 방지하고, 교류 송전 회로(2)의 정상 작동을 확보할 수 있다.
본 고안의 주제어 회로(211)는 원칩 컴퓨터, 마이크로 컨트롤러, 필드 프로그래머블 게이트 어레이, 범용 어레이 로직이거나 또는 이들의 임의의 조합일 수 있다.
구체적으로 도 19를 참조하면 본 고안의 제2 실시예에서 본 실시예에 관한 주제어 회로(211)로서 품번이 QFN 20인 칩을 사용한다. 이 칩은 8 비트 마이크로 컨트롤러 (8-bit micro controller, MCU)를 사용하는 저소비전력 플랫폼(Low power platform)이므로 다양한 배터리를 사용할 수 있다. 상기 제어회로(211)는 8kB의 플래시 메모리 (flash memory), 0.5kB의 RAM, 16 디지털 I/O핀, 4*16 위의 타이머, 3개의 PCA 채널 및 외부 통신장치를 포함한다.
주제어 칩(Main control chip) U4는 제1 스위치 장치(212)의 개폐를 제어하고, 또한 주제어 칩 U4은 서지 검출회로(213)와 AC 전압 검출회로(214)가 검출한 정보를 수신한다. 주제어 칩 U4은 온도 검출회로(216)가 검출한 정보도 수신한다.
도 18과 도 21을 참조하면 본 고안의 제2 실시예에 관한 서지 검출회로(213)는 적어도 배리스터 MOV1와 변압기 T1를 포함하고, 배리스터 MOV1는 급전회로(20)에 접속되며, 변압기 T1의 1차 코일은 배리스터 MOV1에 의해 급전회로(20)에 접속되고, 변압기 T1의 2차 코일은 주제어 회로(211)에 접속된다. 즉 배리스터 MOV1는 변압기 T1에 의해 주제어 회로(211)에 접속된다. 이 설계에서 변압기 T1에 의해 급전회로(20)와 스위치 회로(21) 사이에 갈바닉 이소레이션을 형성하고, 따라서 교류 송전 회로(2)의 안전성을 향상시킬 수 있다. 급전회로(20)가 고전압을 입력할 때 배리스터 MOV1은 온 상태로 되므로 주제어 회로(211)는 배리스터 MOV1이 온 상태로 되어 있는 가를 검출하는 것에 의해 급전회로(20)가 고전압 입력을 입력했는 가를 검출할 수 있다. 이것에 의해, 주제어 회로(211)는 급전회로(20)의 전압의 입력 상황을 정확히 검출할 수 있다. 즉, 주제어 회로(211)는 교류 송전 회로(2)의 전압의 입력 상황을 검출하는 것에 의해 제1 스위치 장치(212)의 개폐를 신속하게 제어하고, 따라서 급전회로(20)의 개폐를 제어하는 것에 의해 교류 송전 회로(2)의 서지를 제거할 수 있다.
구체적으로 본 실시예의 서지 검출회로(213)는 배리스터 MOV1, 변압기 T1, AC-AC변압기 D4, 저항 R16, 저항 R17, 저항 R18, 저항 R19 및 삼극관 Q3을 포함한다. 배리스터 MOV1의 일단은 급전회로(20)에 접속되고, 바리스터 MOV1의 타단은 변압기 T1의 1차 코일에 접속되고, 변압기 T1의 2차 코일은 AC 변압기 D4의 제1단에 연결되며, AC-AC 변압기 D4의 타단은 저항 R18의 일단에 연결되고 저항 R18의 일단은 저항 R17의 일단에 연결되며 저항 R18의 타단은 접지되고, 저항 R17의 타단은 저항 R19의 일단에 접속되고, 저항 R19의 타단은 접지되고, 삼극관 Q3의 에미터 전극(emitter electrode)은 접지되고, 삼극관 Q3의 베이스 전극(base electrode)은 저항 R17과 저항 R19에 접속되며, 삼극관 Q3의 컬렉터 전극(collect)은 주제어 회로 211의 PA4핀에 접속된다.
급전회로(20)가 입력한 전압이 저전압일 때, 배리스터 MOV1는 오프 상태로 되고, 제1 스위치 장치(212)는 온 상태로 된다. 급전회로(20)가 입력한 전압이 고전압일 때 배리스터 MOV1는 온 상태로 되고, 입력된 전압과 전류는 증가한다. 제1 스위치 장치(212)가 브레이크 다운되지 않기 전에, 변압기 T1의 작용에 의해 변압기 T1의 2차 코일의 전류는 변화된다. 따라서 3극관 Q3의 베이스 전극의 전위(electric potential)가 로우 레벨(Low level)에서 하이 레벨로 변화되고, 3극관 Q3은 오프 상태에서 온 상태로 변화된다. 주제어 회로(211)는 삼극관 Q3는 온오프 상태를 검출하고 또한 삼극관 Q3의 온오프 상태에 따라 제1 스위치 장치(212)의 개폐를 제어한다. 따라서 입력 전압이 고전압이고, 이 고전압이 급전 회로(20)에 의해 출력될 때, 급전회로(20)에 접속된 전기장치가 파손되거나, 고전압에 의해 교류 송전 회로(2) 중의 부품이 파손되는 것을 방지할 수 있다. 이 설계에 의해, 교류 송전 회로(2)의 안전성을 향상시킬 수 있다. 저전압은 고전압보다 낮은 전압이며, 본 실시예의 저전압은 배리스터 MOV1의 턴온 전압 (turn-on voltage) 역치보다 작은 전압을 말하며, 고전압은 배리스터 MOV1의 턴온 전압 역치보다 크거나 동일한 전압을 말한다. 본 고안의 실시예에서 배리스터 MOV1의 턴온전압 역치는 1000V일 수 있다. 이럴 경우, 1000V 이상의 전압이 입력되면 배리스터 MOV1는 온 상태로 된다.
도 18과 도 20을 참조하면, 본 고안의 제2 실시예에 관한 스위치 회로(21)는 AC 전압 검출회로(214)를 더 포함한다. AC 전압 검출회로(214)는 급전회로(20)에 접속된 것에 의해 급전회로(20)의 전압치를 검출한다. AC 전압 검출회로(214)의 출력단은 주제어 회로(211)에 접속된다.
AC 전압 검출회로(214)는 저항 R27, 저항 R28, 변압기 T2, 다이오드 ZD3 및 커패시터 C10을 포함한다. 변압기 T2의 1차 코일은 급전회로(20)의 입력단에 접속되며 저항 R27과 저항 R28은 직접 연결된 후변압기 T2의 1차 코일에 접속된다. 변압기 T2의 2차 코일은 다이오드 ZD3에 접속되며 다이오드 ZD3의 정극은 커패시터 C10에 접속된다.
AC 전압 검출회로(214)는 급전회로(20)가 입력한 전압치를 검출한다. AC 전압 검출회로(214)가 급전회로(20)의 전압치가 정상인 것을 검출할 때, 주제어 회로(211)는 제1 스위치 장치(212)를 온 상태로 제어하는 것에 의해, 급전회로(20)가 정상적으로 급전을 하도록 한다. AC 전압 검출회로(214)가 급전회로(20)가 입력한 전압치에 이상이 있는 것을 검출할 때, 주제어 회로(211)는 제1 스위치 장치(212)를 오프 상태로 제어하는 것에 의해 급전회로(20)의 급전을 정지시킨다. 이 설계에 의해, 교류 송전 회로(2)의 안전성과 안정성을 더 향상시킬 수 있다.
주제어 회로(211)에는 사전 설정 역치가 기억되어 있다. 급전회로(20)의 입력 전압이 사전 설정 역치 범위 내에 들어 있을 때 주제어 회로(211)는 제1 스위치 장치(212)를 온 상태로 제어한다. 본 실시예의 사전 설정 역치는 90V ~ 250V일 수 있다.
주의받고 싶은 것은, 전원 어댑터를 미국에서 사용할 때 전압 역치를 100V ~ 120V로 설정할 수 있다. 전원 어댑터를 영국, 중국 또는 유럽에서 사용할 때 전압 역치를 200V ~ 240V로 설정할 수 있다.
AC 입력의 전압치가 전압 역치의 범위 내에 들어가 있을 때, 제1 스위치 장치(212)는 온 상태로 된다. AC 입력의 전압치가 전압 역치의 범위 내에 들어 있지 않을 때, 주제어 회로(211)는 제1 스위치 장치 212가 오프 상태로 되도록 제어한다. 제1 스위치 장치(212)가 오프 상태로 된 것에 의해 급전회로(20)의 급전은 정지된다. AC 전압 검출회로(214)는 AC 입력의 전압치가 정상 범위 내에 들어 있는 가를 판단하고, 주제어 회로(211)는 그 결과에 따라 제1 스위치 장치(212)의 개폐를 제어한다. 이 설계에 의해, 사용자가 인위적으로 교류 송전 회로(2)의 개폐를 제어하는 것을 방지하고, 교류 송전 회로(2)의 안전성을 더 향상시킬 수 있다.
도 17과 도 22를 참조하면, 본 고안의 제2 실시예에 관한 스위치 회로(21)는 스위치 아이솔레이션 제어회로(217)을 더 포함하고, 제1 스위치 장치(212)는 스위치 아이솔레이션 제어회로(217)에 의해 주제어 회로(211)에 접속된다. 본 실시예의 스위치 아이솔레이션 제어회로(217)는 광선 커플러를 포함한다.
스위치 아이솔레이션 제어회로(217)가 설치되어 있고 주제어 회로(211)는 스위치 아이솔레이션 제어회로(217)에 의해 제1 스위치 장치(212)를 제어하는 것에 의해 급전회로(20)와 주제어 회로(211) 사이에 갈버닉 아이솔레이션을 형성하고, 급전회로(20)의 전압 서지 등에 의해 주제어 회로(211)이 파손되는 것을 방지하고, 교류 송전 회로(2)의 수명을 연장시킬 수 있다. 또한, 급전회로(20)와 주제어 회로(211) 사이에 갈바닉 이소레이션이 형성된 것에 의해, 고전압의 교류전기가 주제어 회로(211)에 직접 인가되는 것을 방지하고, 사용자가 인위적으로 교류 송전 회로(2)의 개폐를 제어하는 안전성을 향상시킬 수 있다.
제1 스위치 장치(212)가 고전압에 접속될 때 급전회로(20)와 주제어 회로(211) 사이에 갈바닉 이소레이션을 형성할 필요가 있다. 본 실시예의 광선 커플러는 양호한 아이솔레이션 성능을 가지므로 광선 커플러를 설치할 경우, 광선 커플러에 의해 급전회로(20) 및 주제어 회로(211)와 약전기 및 강전기 사이에 갈버닉 아이솔레이션을 형성할 수 있다. 제1 스위치 장치(212)가 고전압에 접속될 때, 광선 커플러로 제1 스위치 장치(212)의 접속시간을 제어하는 것에 의해 제1 스위치 장치(212)에 입력되는 고전압을 아이솔레이션하고, 주제어 회로(211)의 안전성을 더 향상시킬 수 있다.
구체적으로 스위치 아이솔레이션 제어회로(217)는 광선 커플러 U1, 저항 R1, 저항 R2, 저항 R3, 저항 R4, 저항 R5, 저항 R6, 저항 R7 및 삼극관(triode) Q2을 포함한다.
구체적으로 광선 커플러 U1는 6개의 핀을 포함하고 광선 커플러 U1 발광부의 양극 (즉 광선 커플러 U1의 1핀)은 저항 R4에 의해 5V의 전압에 접속되며, 삼극관 Q2의 컬렉터 전극은 광선 커플러 U1의 발광부 음극 (즉 광선 커플러 U1의 2핀)에 접속되고, 삼극관 Q2의 에미터 전극은 접지되며, 삼극관 Q2의 베이스 전극은 저항 R7에 의해 주제어 칩 U4의 PA7핀에 접속되며, 저항 R7에는 저항 R6이 직렬 접속되고, 저항 R6의 타단은 접지된다.
광선 커플러 U1의 입광부 일단 (즉 광선 커플러 U1의 6핀)은 저항 R3와 저항 R4에 의해 교류전기에 접속되고, 광선 커플러 U1의 입광부 타단(즉 광선 커플러 U1의 4핀)은 트라이엑 Q1과 저항 R5에 접속되고, 저항 R5과 트라이엑 Q1은 직렬 접속되며 광선 커플러 U1의 5핀과 3핀은 어디에도 접속되지 않는다.
스위치 아이솔레이션 제어회로(217)의 작동 과정은 다음과 같다. 광선 커플러 U1로서 품번이 MOC3041인 광선 커플러를 사용하였으며, 이 광선 커플러 내부에는 영교 검출회로가 설치되어 있다. 광선 커플러 U1의 입력 핀이 소정된 전류를 입력할 때, 광선 커플러 U1의 6핀과 4핀 사이의 전압치는 제로보다 조금 커진다. 이때 광선 커플러 U1 내부의 쌍방향 사이리스타는 온 상태로 된다. 주제어 칩 U4은 교류전압이 제로 이상으로 된 것을 검출하면 주제어 칩 U4이 정지작업을 한번 하도록 주제어 칩 U4을 촉발시키고, 제1 스위치 장치(212)의 구동을 촉발시킴으로써 제1 스위치 장치(212)가 온 상태로 되도록 제어한다. 광선 커플러 U1의 입력핀이 0mA의 전류를 입력할 때 광선 커플러 U1 내부의 쌍방향 사이리스터는 오프 상태로 되고, 주제어 칩 U4이 소정된 신호를 수신하면 주제어 칩 U4은 제1 스위치 장치(212)에 오프 신호를 송신한다. 이것에 의해, 제1 스위치 장치(212)가 오프 상태로 되도록 제어하고, 급전회로(20)는 급전을 정지시킨다.
본 고안의 제2 실시예에서 스위치 회로(21)는 온도 검출회로(216)을 더 포함하고, 이 온도 검출회로(216)에 의해 교류 송전 회로(2)의 온도를 검출할 수 있다. 온도 검출회로(216)는 주제어 회로(211)에 접속된다.
온도 검출 회로(216)는 적어도 서미스터(thermistor)를 포함한다.
본 고안의 제2 실시예에 관한 온도 검출회로(216)는 교류 송전 회로(2)의 온도를 검출하는, 검출된 온도를 주제어 회로(211)에 피드백한다. 주제어 회로(211)는 피드백 결과에 따라 급전회로(20)의 개폐를 제어한다.
온도 검출회로(216)는 제1 스위치 장치(212)의 온도를 검출하고, 검출된 온도를 주제어 회로(211)에 피드백한다. 주제어 회로(211)는 피드백된 온도에 의해 제1 스위치 장치(212)의 개폐를 제어한다.
본 고안의 제2 실시예에서 온도 검출회로(216)는 제1 스위치 장치(212)의 온도를 검출하고, 검출된 제1 스위치 장치(212)의 온도를 주제어 회로(211)에 송신한다.
온도 검출 회로(216)에 의해 제1 스위치 장치(212)의 온도를 검출할 때, 검출된 과잉 온도의 역치를 미리 설정할 수 있다. 온도 검출회로(216)가 검출한 제1 스위치 장치(212)의 온도가 사전설정 과잉온도 역치를 초과할 때 주제어 회로(211)가 이 상황을 검출하면 제1 스위치 장치(212)의 온도가 지나치게 높고, 교류 송전 회로(2)에 이상이 발생한 것을 의미한다. 이럴 경우, 주제어 회로(211)는 제1 스위치 장치(212)에 오프 신호를 송신하는 것에 의해 제1 스위치 장치(212)를 셧다운하고 급전회로(20)의 급전을 정지시킨다.
본 고안의 제2 실시예에서, 사전설정 과잉온도 역치는 70℃ ~ 110℃ 이다. 바람직한 사전설정 과잉온도 역치는 80℃ ~ 100℃이다.
구체적으로 사전설정 과잉온도 역치는 70℃, 75℃, 80℃, 85℃, 95℃, 100℃, 105℃, 110℃일 수 있지만, 본 고안은 이러한 수치에만 한정되는 것은 아니다.
본 고안의 제2 실시예에 관한 스위치 회로(215)는 알람회로(215)를 더 포함하고, 주제어 회로(211)와 알람회로(215)가 신호의 수송신이 가능하게 접속된 것에 의해 주제어 회로(211)는 알람회로(215)가 경보를 울리는 것을 제어할 수 있다.
서지 검출회로(213)는 급전회로(20)가 고전압 서지를 입력하거나 급전회로(20)가 벼락을 맞는 이상을 검출할 수 있다. AC 전압 검출회로(214)가 AC 입력의 전압치가 전압 역치 이상으로 되는 것을 검출하거나 또는 온도 검출회로(216)가 교류 송전 회로(2)의 온도가 이상인 것을 검출할 때 알람회로(215)는 경보를 울린다.
주의받고 싶은 것은 본 고안의 실시예에 관한 알람 회로(215)는 부저(buzzer), 음성 제시 장치 및/또는 램프 제시 장치를 포함한다. 알람 회로(215)가 부저이고, 주제어 회로가 하이 레벨을 출력할 때 부저는 저음을 울린다.
급전회로(218)가 교류전기를 입력할 때, 일부분의 교류전기를 레귤레이션 회로(218)에 전송하는 것에 의해 레귤레이션 회로(218)는 주제어 회로에 전력을 공급할 수 있다. 다른 일부분의 교류전기를 소켓에 전송하는 것에 의해 소켓이 급전을 하도록 한다. 주제어 회로(211)는 제1 스위치 장치(212)를 제어하는 것에 의해 급전회로(20)의 개폐를 제어한다. 서지 검출회로(213)는 급전회로(20)가 고전압 서지를 입력하거나 급전회로(20)가 벼락을 맞는 이상을 검출하고, 외부전압에 이상이 있는 것에 인해 내부 부품이 파손되는 것을 방지할 수 있다. AC 전압 검출회로(214)는 급전회로(20)가 입력하는 전압치를 검출한다. AC 전압 검출회로(214)가 급전회로(20)의 전압치가 정상인 것을 검출하면, 주제어 회로(211)는 제1 스위치 장치(212)를 온 상태로 제어하는 것에 의해 급전회로(20)가 정상적으로 급전을 하도록 한다. AC 전압 검출회로(214)가 급전회로(20)가 입력한 전압치에 이상이 있는 것을 검출하면, 주제어 회로(211)는 제1 스위치 장치(212)를 오프 상태로 제어하는 것에 의해 급전회로(20)의 급전을 정지시킨다. 온도 검출 회로(216)에 의해 제1 스위치 장치(212)의 온도를 검출한다. 온도 검출회로(216)가 검출한 제1 스위치 장치(212)의 온도가 소정된 온도 이상으로 되었을 때, 제어회로(211)가 이 상황을 검출하면 교류 송전 회로(2)에 이상이 발생한 것을 의미한다. 이럴 경우, 주제어 회로(211)는 제1 스위치 장치(212)를 셧다운하고 급전회로(20)의 급전을 정지시킨다. 스위치 아이솔레이션 제어회로(217)는 급전회로(20)와 주제어 회로(211) 사이에 갈바닉 이소레이션을 형성할 수 있다. 교류 송전 회로(1)가 고전압을 입력할 때 스위치 아이솔레이션 제어회로(217)는 고전압의 교류전기가 주제어 회로(211)에 직접 입력되는 것을 방지할 수 있다. 스위치 아이솔레이션 제어회로(217)는 광선 커플러를 더 포함하므로 제1 스위치 장치(212)를 향하여 유효한 갈바닉 이소레이션을 형성할 수 있다. 교류 송전 회로(2)의 작동에 이상이 있을 때 알람회로(215)는 경보를 울린다.
도 23과 도 24를 참조하면, 본 고안의 제3 실시예에서 교류 송전 회로(3)를 제공한다. 교류 송전 회로(3)는 급전회로(31)와 급전회로(31)에 접속된 스위치 회로(32)를 포함하고, 스위치 회로(32)는 주제어 회로(322)와 급전회로(31)에 직렬 접속된 트라이엑(323)을 포함한다. 주제어 회로(322)와 트라이엑(323)은 신호의 수송신이 가능하게 접속되고, 트라이엑(323)은 급전회로(31)의 개폐를 제어한다.
본 고안의 제3 실시예에 관한 트라이엑(323)은 2개의 실리콘 제어 정소자(Silicon Controlled Rectifier)가 반대방향으로 접속된 구조에 대응하며 트라이엑(323)은 양방향 도통(Bidirectional conduction) 기능을 가지고 있다. 트라이엑(323)은 제어회로가 간단하고 역전압(Reverse Voltage)의 문제가 없으므로 트라이엑을 비접촉 스위치로 사용할 수 있다. 급전회로(31)에 트라이엑(323)이 직렬 접속되고 트라이엑(323)은 주제어 회로(322)에 신호 수송신이 가능하게 접속되므로 교류 송전 회로(3)가 고전압의 교류전기를 입력할 때 주제어 회로(322)에 의하여 트라이엑(323)의 개폐를 제어할 수 있다. 이것에 의해 급전회로(31)의 개폐를 제어할 수 있다. 트라이엑(323)은 물리적 개폐를 하지 않는 교류전기 반도체 스위치이므로 교류 송전 회로 중의 스위치에 전기 아크가 쉽게 형성되는 것을 방지하고, 안전성을 향상시킬 수 있다. 트라이엑(323) 대신에 같은 특성을 가지고 있는 교류전기 반도체 스위치, 예를 들어 MOS 트랜지스터, 계전기 등을 사용할 수 있다.
도 24와 도 25를 참조하면 본 고안의 제3 실시예에 관한 스위치 회로(32)는 트라이엑 Q1, 커패시터 C1, 배리스터 MOV1 및 RC 흡수회로를 포함한다. 커패시터 C1는 배리스터 MOV1에 병렬접속되고, 배리스터 MOV1는 RC 흡수회로에 병렬접속된다. 주의 받고 싶은 것은, RC 흡수 회로는 직렬 접속된 저항 R1과 커패시터 C2로 구성된 RC 흡수 회로는 트라이엑 Q1이 브레이크 다운되지 않도록 보호한다. 트라이엑 Q1은 급전회로에 접속된다.
본 실시예의 스위치 회로(32)의 작동 과정은 다음과 같다. 교류전기를 입력할 때 교류전기는 트라이엑(323)에 전송되고 주제어 회로(322)는 트라이엑(323)의 개폐를 제어하는 것에 의해 급전회로(31)의 개폐를 제어한다.
도 24와 도 26을 참조하면 본 고안의 제3 실시예에 관한 주제어 회로(322)는 주제어 칩 U4를 포함하고, 주제어 칩 U4은 품번이 QFN 20인 칩이다. 이 칩은 8비트 마이크로 컨트롤러를 사용하는 저소비 전력 플랫폼이므로, 여러가지 배터리를 사용할 수 있다. 상기 주제어 회로(322)는 8kB의 플래시 메모리, 0.5kB의 RAM, 16 디지털 I/O핀, 4*16위의 타이머, 3개의 PCA 채널 및 외부 통신 장치를 포함한다.
주제어 칩 U4은 스위치 제어회로 321 중의 터치 유도 구역 정보를 채집하여 트라이엑 Q1에 대하여 소정된 제어를 한다. 주제어 칩 U4은 트라이엑 Q1의 개폐를 제어하는데도 사용된다. 주제어 칩 U4은 검출한 교류 송전 회로(3) 중의 전압, 전류 및 파워 등에 관한 정보를 표시회로에 송신한다. 주제어 칩 U4은 온도 검출회로가 검출한 온도정보도 수신한다.
도 24와 도 27을 참조하면 본 고안의 제3 실시예에 관한 정류회로(326)는 브릿지 정류기(Rectifier bridge) BD1, 변압기 T2, 프라이머리 팁(Primary chip) U3, 커패시터 C3, 필터 콘덴서(filter capacitor) EC1, 필터 콘덴서 EC2, 필터 콘덴서 EC3, 다이오드 D1, 다이오드 D2, 다이오드 D3, 저항 R8, 저항 R9, 저항 R10 및 저항 R11을 포함한다.
본 실시예의 변압기 T2는 프라이머리 입력단 Ti, 프라이머리 입력단 To1, 세컨더리 출력단 To2를 포함한다.
구체적으로 변압기 T2의 1차 코일에는 브릿지 정류기 BD1가 접속되고, 브릿지 정류기 BD1는 필터 콘덴서 EC2에 접속되며 필터 콘덴서 EC2의 정극에는 커패시터 C3이 접속되고, 커패시터 C3과 저항 R8은 병렬 접속되며, 커패시터 C3에는 저항 R10과 다이오드 D2가 병렬 접속되며, 저항 R10과 다이오드 D2 사이의 노드에는 저항 R8이 접속되어 있다.
교류전기가 브릿지 정류기 BD1을 통과할 때 프라이머리 정류 실시된다. 그후 필터 콘덴서 EC2에 의해 교류 전기에 대하여 프라이머리 필터를 실시한다. 최후, 이 교류전기를 프라이머리 입력전원에 전송한다.
구체적으로 본 실시예의 프라이머리 입력단 Ti은 입력회로에 접속된다. 입력회로는 상용하는 PSR 시스템의 입력회로이며 입력회로는 순서대로 접속된 교류전력 입력 부분, 프라이머리 정류부분, 프라이머리 필터 부분을 포함한다. 변압기 T2에 프라이머리 입력전원을 제공하고, 충전 부하를 세컨더리 출력단 To2에 접속시킬 때 세컨더리 출력단 To2은 충전 부하에 전력을 공급한다.
프라이머리칩 U3의 HV 핀은 변압기 T2의 프라이머리 입력단 Ti에 접속되며 프라이머리칩 U3의 FB 핀은 변압기 T2의 프라이머리 입력단 To1에 전압 분할을 하도록 접속된다. 프라이머리칩 U3의 FB 핀에는 저항 11, 다이오드 D3 및 필터 콘덴서 EC3가 순서대로 접속되어 있다. 다이오드 D3와 필터 콘덴서 EC3 사이의 노드에는 프라이머리 칩 U3의 VCC 핀이 더 접속되어 있다.
프라이머리칩 U3의 HV 핀이 변압기 T2의 프라이머리 입력단 Ti에 접속되는 설계에 의해, 변압기 T2의 1차 코일의 입력 전압을 검출하고, 프라이머리칩 U3은 입력 전압의 상황을 판단할 수 있다. 그후 내설 스위치의 온 상태 시간을 조절하고 내설 스위치의 개폐 빈도를 조절하는 동시에 변압기 T2의 자기 소거 시간(Demagnetization time)을 조절하여 변압기 T2가 안정 전류를 출력하도록 할 수 있다.
프라이머리칩 U3의 FB 핀이 변압기 T2의 프라이머리 입력단 To1에 전압 분할을 하도록 접속된 설계에서, 프라이머리칩 U3의 FB 핀은 상호 유도 방법에 의해 변압기 T2의 출력전압을 검출할 수 있다.
본 실시예의 변압기 T2의 2차 코일에 정류필터 유닛이 접속된 것에 의해 변압기 T2의 2차 코일이 출력한 전류에 대해 정류와 필터를 실시할 수 있다.
정류 필터 유닛은 변압기의 2차 코일에 접속되고 또한 정류를 담당하는 다이오드 D1을 포함하고, 다이오드 D1의 정극은 필터 콘덴서 EC1에 접속되며 전류를 출력한다.
변압기 T2의 2차 코일에는 정류다이오드 D1이 접속되어 있으므로 이 정류다이오드 D1를 통하여 변압기 T2의 2차 코일이 출력한 전류의 정류를 진행할 수 있다. 정류 다이오드 D1 뒤에는 필터 콘덴서 EC1가 접속된다. 정류된 출력 전류에 대하여 필터를 다시 진행해야 한다. 필터 콘덴서 EC1에 의해 필터가 실시된 전류를 전자장치에 전송할 수 있다.
본 실시예의 정류회로(326)의 작동 과정은 다음과 같다. 충전 부하에 사용되는 충전 전원을 획득한 후, 충전 부하의 충전 규제에 따라 변압기 T2를 적당히 설정하는 것에 의해 변압기 T2의 세컨더리 출력단 To2이 전류가 안정되고 조절가능한 충전전류 및/또는 전압치가 안정되고 조절가능한 충전전압을 출력하도록 한다.
본 실시예의 정류회로(326)는 주제어 회로(322), 스위치 아이솔레이션 제어회로(324), 스위치 제어회로(321), 온도 검출회로(327), 표시회로(325) 및 알람회로(328)에 전력을 공급한다.
도 24와 도 28을 참조하면 본 고안의 제3 실시예에 관한 스위치 회로(324)는 스위치 아이솔레이션 제어회로(324)를 더 포함하고, 트라이엑(323)은 스위치 아이솔레이션 제어회로(324)에 의해 주제어 회로(322)에 접속된다. 본 실시예의 스위치 아이솔레이션 제어회로(324)는 광선 커플러를 포함한다.
본 실시예의 주제어 회로(322)는 교류 송전 회로의 작동을 제어한다. 스위치 아이솔레이션 제어회로(324)가 설치된 것에 의해 주제어 회로(322)는 스위치 아이솔레이션 제어회로(324)에 의해 트라이엑(323)을 제어하고, 급전회로(324)와 주제어 회로(322) 사이에 갈버닉 아이솔레이션을 형성할 수 있다. 이것에 의해, 급전회로(31)의 전압 서지 등에 의해 주제어 회로(322)가 파손되는 것을 방지하고, 교류 송전 회로(3)의 수명을 연장시킬 수 있다. 또한, 급전회로(31)와 주제어 회로(322) 사이에 갈바닉 이소레이션이 형성되는 것에 의해 고전압의 교류전기가 주제어 회로(322)에 직접 인가되는 것을 방지하고, 사용자가 인위적으로 교류 송전 회로(3)의 개폐를 제어하는 안전성을 향상시킬 수 있다.
트라이엑(323)이 고전압에 접속될 때, 급전회로(31)와 주제어 회로(322) 사이에 갈버닉 아이솔레이션을 형성할 필요가 있다. 본 실시예의 광선 커플러는 양호한 아이솔레이션 성능을 가지고 있으므로 광선 커플러를 설치할 경우, 광선 커플러에 의해 급전회로(322)와 약전기 및 강전기 사이에 갈버닉 아이솔레이션을 형성할 수 있다. 트라이엑(323)이 고전압에 접속될 때 광선 커플러로 트라이엑(323)의 온 상태 시간을 제어하는 것에 의해 트라이엑(323)에 입력되는 고전압을 아이솔레이션하여 주제어 회로(322)의 안전성과 안정성을 더 향상시킬 수 있다.
구체적으로 스위치 아이솔레이션 제어회로(324)는 광선 커플러 U1, 저항 R1, 저항 R2, 저항 R3, 저항 R4, 저항 R5, 저항 R6, 저항 R7 및 삼극관 Q2를 포함한다.
광선 커플러 U1는 6개의 핀을 포함하고, 광선 커플러 U1의 발광부의 양극 (즉 광선 커플러 U1의 1핀)은 저항 R4에 의해 5V의 전압에 접속되고, 3극관 Q2의 컬렉터 전극은 광선 커플러 U1의 발광부 음극 (즉 광선 커플러 U1의 2핀)에 접속되고, 3극관 Q2의 이미터 전극은 접지되고, 3극관 Q2의 베이스 전극은 저항 R7에 의해 주제어 칩 U4의 PA7핀에 접속되며, 저항 R7에는 저항 R6이 직렬 접속되고, 저항 R6의 타단은 접지된다.
광선 커플러 U1의 입광부 일단 (즉 광선 커플러 U1의 6핀)은 저항 R3와 저항 R4에 의해 교류전기에 접속되고, 광선 커플러 U1의 입광부 타단(즉 광선 커플러 U1의 4핀)은 트라이엑 Q1과 저항 R5에 접속되고, 저항 R5과 트라이엑 Q1은 직렬 접속되며, 광선 커플러 U1의 5핀과 3핀은 어디에도 접속되지 않는다.
스위치 아이솔레이션 제어회로(324)의 작동 과정은 다음과 같다. 광선 커플러 U1로서 품번이 MOC3041인 광선 커플러를 사용하고, 이 광선 커플러 내부에는 영교 검출회로가 설치되어 있다. 광선 커플러 U1의 입력 핀이 소정된 전류를 입력할 때, 광선 커플러 U1의 6핀과 4핀 사이의 전압치는 제로보다 조금 크게 된다. 이때 광선 커플러 U1 내부의 쌍방향 사이리스타는 온 상태로 된다. 주제어 칩 U4은 교류전압이 제로 이상으로 된 것을 검출하면 주제어 칩 U4이 한번 정지 작업을 하도록 주제어 칩 U4를 촉발시킨다. 프로그램에 의해 트라이엑 Q1의 구동을 지연적으로 촉발시킴으로써 트라이엑 Q1이 온 상태로 되도록 제어한다. 광선 커플러 U1의 입력핀이 0mA의 전류를 입력할 때 광선 커플러 U1 내부의 쌍방향 사이리스터는 오프 상태로 되고 주제어 칩 U4이 소정된 신호를 수신하면 주제어 칩 U4은 트라이엑 Q1에 오프신호를 송신하는 것에 의해 트라이엑 Q1이 오프 상태로 되도록 제어한다.
도 24와 도 29를 참조하면 본 고안의 제3 실시예에 관한 스위치 회로(322)는 주제어 회로(322)에 접속되는 스위치 제어회로(321)을 더 포함한다. 주제어 회로(322)는 스위치 제어회로(321)에 의해 트라이엑(323)의 개폐를 제어한다.
스위치 회로(32)에 스위치 제어회로(321)가 설치된 설계에서, 주제어 회로(322)는 스위치 제어회로(321)에 의해 트라이엑(323)의 개폐를 제어할 수 있다.
스위치 제어회로(321)는 터치제어 스위치, 음성제어 스위치, 원격 조작 스위치 및 누름형 스위치 중 어느 한 종류 또는 복수의 조합일 수 있지만 본 고안은 이것들에만 한정되는 것은 아니다. 본 고안의 실시예에 관한 스위치 제어회로(321)는 터치 제어 스위치이다.
본 고안의 실시예에 관한 스위치 제어회로(321)는 터치 제어 스위치이며, 터치제어 스윗치를 통하여 트라이엑(323)의 개폐를 제어한다. 터치제어 스위치를 통하여 교류 송전 회로(3)의 개폐를 용이하게 제어할 수 있고, 또한 종래의 스위치에 비해 터치제어 스위치는 안전성이 좋으며 수명이 긴 이점을 가지고 있다.
구체적으로 스위치 제어회로(321)는 터치 스위치 칩 U2을 포함하며, 터치 스위치 칩 U2의 품번은 SD8223LB이다. 품번이 SD8223LB인 터치 스위치 칩은 원 버튼 터치제어 접근 유도형 스위치이며, 종래의 기계적 스위치 대신에 터치 스위치 칩을 사용할 수 있다. 터치 스위치 칩은 6개의 핀을 구비한다. 본 실시예의 스위치 제어회로(321)는 터치 스위치 칩 U2에 설치된 외부회로를 더 포함하고, 터치 스위치 칩 U2의 핀은 주제어 칩 U4의 PA12핀에 접속된다.
외부회로는 저항 R12, 저항 R13, 저항 R14, 저항 R15, 커패시터 C4 및 커패시터 C5를 포함하고, 터치 스위치 칩 U2의 6핀은 저항 R13에 의해 5V의 전압에 접속되며, 터치 스위치 칩 U2의 4핀에는 저항 R15가 접속되며, 저항 R15는 커패시터 C4의 일단에 접속되고, 커패시터 C4의 타단은 접지된다. 터치 스위치 칩 U2의 1핀은 저항 R12에 의해 3.3V 전압에 접속되며, 터치 스위치 칩 U2의 3핀에는 저항 R14와 커패시터 C5가 접속되고, 커패시터 C5는 접지되고, 터치 스위치 칩 U2의 2핀은 접지된다.
본 실시예의 스위치 제어회로(321)의 작동 과정은 다음과 같다. 스위치를 터치하거나 유도하면 스위치 제어회로(321)는 주제어 칩 U4에 신호를 송신하는 것에 의해 트라이엑 Q1의 온 상태를 제어한다.
도 24와 도 30을 참조하면 스위치 회로(32)는 교류 송전 회로(3)의 작동 모델과 작동 상태를 표시하는 표시회로(325)를 더 포함한다.
표시회로(325)는 주제어 회로(322)에 접속되며 주제어 회로(322)는 표시회로(325)가 교류 송전 회로(3)의 작동모델을 표시하도록 제어한다.
표시회로(325)는 저항 R20, 저항 R21, 저항 R22, 발광 다이오드 LED1, 발광 다이오드 LED2 및 발광 다이오드 LED3를 포함한다. 발광 다이오드 LED1의 일단은 5V 전원에 접속되고, 타단은 저항 R20에 의해 주제어 칩 U40의 PB0핀에 접속된다. 발광 다이오드 LED2의 일단은 5V 전원에 접속되고, 타단은 저항 R21에 의해 주제어 칩 U40의 PB1 핀에 접속된다. 발광 다이오드 LED3의 일단은 5V 전원에 접속되고, 타단은 저항 R22에 의해 주제어 칩 U40의 PB2핀에 접속된다.
전원을 접속시킬 때, 5V의 전원, 저항 및 발광 다이오드에 의해 급전 회로가 형성되고, 이로 인해 LED 램프를 발광시킬 수 있다.
주의받고 싶은 것은, 다양한 카레 램프를 통하여 교류 송전 회로(3)의 다양한 작동 모델을 나타낼 수 있다. 예를 들어 적색 램프에 의해 교류 송전 회로(3)의 작동 상태에 이상이 있는 것을 나타낼 수 있다. 예를 들어 트라이엑(323)의 작동 상태에 이상이 있는 것을 나타낼 수 있다. 녹색 램프를 통하여 교류 송전 회로(3)가 정상적으로 작동하는 것을 나타낼 수 있다. 이것은 교류 송전 회로(3)의 각 회로가 정상적으로 작동하는 것을 나타낸다. 청색 램프를 통하여 교류 송전 회로(3)가 작동하지 않는 것을 나타낼 수 있다. 이 때, 교류 송전 회로(3)는 오프 상태로 되어 있다.
표시회로(325)는 표시패널을 포함하며 표시패널은 LED 표시패널, CRT 표시패널 또는 OLED 표시패널 중의 한가지 또는 복수개의 조합일 수 있다. 표시회로(325)는 주제어 칩 U4에 접속되며 표시회로(325)는 주제어 칩 U4이 검출한 교류 송전 회로(3)의 여러 작동상태를 표시패널에 수시로 표시할 수 있다. 주의받고 싶은 것은, 교류 송전 회로의 작동 상태는 교류 송전 회로의 전압, 전류 및 파워 중의 한가지 또는 복수개의 조합일 수 있다. 이 설계에 의하여, 교류 송전 회로의 전압, 전류 및 파워를 표시패널에 수시로 표시할 수 있으므로 사용자는 교류 송전 회로의 작동상태를 쉽게 파악할 수 있다.
표시 패널로 교류 송전 회로의 현재 전력 사용량을 표시할 수 있다. 본 실시예의 표시패널에 교류 송전 회로의 파워가 표시되어 있으므로 사용자는 교류 송전 회로의 파워를 파악하고, 이 교류 송전 회로에 적용하는 전기를 사용할 수 있다. 전력 소비량을 와트시 (watt-hour)로 표기할 경우, 사용자가 전기 장치를 사용할 때 소비되는 전기용량을 표시할 수 있다. 또한 사전 설정 전기 단가를 추가로 표시할 경우, 전기 단가와 전기 용량에 의해 전기 비용을 산출하여 표시할 수 있으므로, 사용자는 전기 비용을 수시로 파악하고 전기의 낭비를 감소시킬 수 있다.
교류전기를 입력할 때, 일부분의 교류전기를 급전회로 31에 전송하는 것에 의해 급전회로 322는 주제어 회로 전력을 공급할 수 있다. 다른 일부분의 교류전기를 소켓에 전송하는 것에 의해 소켓이 급전을 하도록 한다. 주제어 회로(322)는 트라이엑(323)을 제어하는 것에 의해 급전회로(31)의 개폐를 제어한다. 스위치 아이솔레이션 제어회로(324)에 의해 급전회로(31)와 주제어 회로(322) 사이에 갈바닉 이소레이션을 형성할 수 있다. 이것에 의해, 교류 송전 회로가 고전압을 입력할 때 고전압의 교류전기가 주제어 회로(322)에 직접 입력되는 것을 방지할 수 있다. 스위치 아이솔레이션 제어회로(324)는 광선 커플러를 더 포함하므로 트라이엑(323)을 향하여 유효한 갈바닉 이소레이션을 형성할 수 있다. 급전회로(31)은 주제어 회로(322)에 전력을 공급한다. 표시회로(325)는 주제어 회로(322)가 검출한 정보를 수시로 표시할 수 있다. 즉 표시회로(325)는 교류 송전 회로(3)의 작동모델 또는 작동상태에 관한 정보를 표시한다.
도 31을 참조하면, 본 고안의 제4 실시예 실시예에서 소켓(4)를 제공한다. 상기 소켓(4)는 소켓 본체(41)과 소켓 본체(41)의 내부에 설치되는 회로구조(42)를 포함한다. 회로구조는 본 고안의 제1 실시예 중의 교류 송전 회로(1), 본고안의 제2 실시예 중의 교류 송전 회로(2) 및/또는 본 고안의 제3 실시예 중의 교류 송전 회로 3일 수 있다.
본 고안의 제4 실시예에서 소켓(4)를 제공한다. 상기 소켓 (4)의 구조 및 이에 따른 고안의 효과는 본 고안의 제1 실시예 중의 교류 송전 회로(1), 본 고안의 제2 실시예 중의 교류 송전 회로(2) 및/또는 본 고안의 제3 실시예 중의 교류 송전 회로(3)의 구조와 이들에 의한 고안의 효과에 대응하므로, 여기에서 다시 설명하지 않는다.
이상, 본 고안의 적합한 실시예를 설명해 왔지만, 상기 실시예는 본 고안의 예시에 지나지 않는 것으로, 본 고안은 상기 실시예의 구성에만 한정되는 것은 아니다. 본 고안의 요지를 벗어나지 않는 범위 내에서 설계의 변경, 대체 및 개량 등을 할 수 있으며 이러한 것들이 있어도 본 고안에 포함되는 것은 물론이다.
1: 교류 송전 회로, 2: 교류 송전 회로, 3: 교류 송전 회로, 4: 소켓, 11: 급전 회로, 12: 스위치 회로, 13: 전압 검출회로, 20: 급전 회로, 21: 스위치 회로, 31: 급전 회로, 32: 스위치 회로, 41: 소켓 본체, 42: 회로구조, 121: 제1 스위치 장치, 122: 주제어 회로, 123: 레귤레이션 회로, 124: 버퍼 회로, 125: 스위치 아이솔레이션 제어 회로, 211: 주제어 회로, 212: 제1 스위치 장치, 213: 서지 검출 회로, 214: AC 전압 검출 회로, 215: 알람 회로, 216: 온도 검출 회로, 217: 스위치 아이솔레이션 제어 회로, 218: 조절 회로, 321: 스위치 제어장치, 322: 주제어 회로, 323: 트라이엑, 324: 스위치 아이솔레이션 제어 회로, 325: 표시회로, 326: 정류회로, 327: 온도 검출 회로, 328: 알람회로, 1241: 제1 스위치 장치, 1211: 트라이엑

Claims (19)

  1. 급전회로와 교류 송전 회로에 접속된 스위치 회로를 포함하며,
    상기 스위치 회로는 주제어 회로, 상기 급전회로에 직렬 접속된 제1 스위치 장치 및 상기 제1 스위치 장치에 병렬 접속된 버퍼 회로를 포함하고,
    상기 주제어 회로는 상기 제1 스위치 장치의 개폐를 제어하는 것에 의해 상기 급전회로의 개폐를 제어하고, 상기 제1 스위치 장치가 영교 셧다운을 할 때, 전기 버퍼 회로는 상기 급전회로에 전류를 보충하고, 상기 버퍼 회로는 제2 스위치 장치를 포함하며, 상기 제2 스위치 장치의 일단은 상기 주제어 회로에 접속되고, 상기 제2 스위치 장치의 타단은 전기 급전회로에 접속된 것을 특징으로 하는 교류 송전 회로.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 제1 스위치 장치는 트라이엑, 계전기 및 MOS 트랜지스터 중의 한가지 또는 복수개의 조합인 것을 특징으로 하는 교류 송전 회로.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 제2 스위치 장치는 계전기와 MOS 트랜지스터를 포함하고, 상기 주제어 회로는 상기 MOS 트랜지스터에 의해 상기 계전기에 접속되고, 또한 상기 주제어 회로는 상기 MOS 트랜지스터를 제어하는 것에 의해 상기 계전기의 개폐를 제어하는 것을 특징으로 하는 교류 송전 회로.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 교류 송전 회로는 전압 검출회로를 더 포함하고, 상기 전압 검출회로는 상기 급전회로의 입력단의 교류전압 및 위상을 검출하고, 상기 전압 검출회로의 입력단은 상기 급전회로에 접속되며, 상기 전압 검출회로의 출력단은 상기 주제어 회로에 접속되는 것을 특징으로 하는 교류 송전 회로.
  5. 제4항에 있어서,
    상기 전압 검출회로는 변압기와 풀브릿지 MOS 회로를 포함하고, 상기 변압기의 1차 코일은 상기 급전회로에 접속되며, 상기 변압기의 2차 코일은 상기 풀브릿지 MOS 회로에 의해 상기 주제어 회로에 접속되는 것을 특징으로 하는 교류 송전 회로.
  6. 제1항에 있어서,
    상기 스위치 회로는 레귤레이션 회로를 더 포함하고, 상기 레귤레이션 회로의 입력단은 상기 급전회로에 접속되며, 상기 레귤레이션 회로의 출력단은 상기 주제어 회로와 상기 버퍼 회로에 동시에 접속되는 것을 특징으로 하는 교류 송전 회로.
  7. 제1항에 있어서,
    상기 교류 송전 회로는 서지 검출회로를 더 포함하고,
    상기 서지 검출회로의 입력단은 상기 급전회로에 접속되고, 상기 서지 검출회로의 출력단은 상기 주제어 회로에 접속되는 것을 특징으로 하는 교류 송전 회로.
  8. 제7항에 있어서,
    상기 서지 검출회로는 배리스터를 포함하고, 전기 배리스터는 상기 급전회로와 상기 주제어 회로에 접속되는 것을 특징으로 하는 교류 송전 회로.
  9. 제7항에 있어서,
    상기 스위치 회로는 AC 전압 검출회로를 더 포함하고, 상기 AC 전압 검출회로는 상기 급전회로에 접속된 것에 의해 상기 급전회로의 전압치를 검출하고, 상기 AC 전압 검출회로의 출력단은 상기 주제어 회로에 접속되는 것을 특징으로 하는 교류 송전 회로.
  10. 제9항에 있어서,
    상기 급전회로의 입력 전압이 사전설정 역치의 범위 내에 들어 있을 때, 상기 주제어 회로는 상기 제1 스위치 장치를 온 상태로 제어하는 것을 특징으로 하는 교류 송전 회로.
  11. 제7항에 있어서,
    상기 제1 스위치 장치는 트라이엑을 포함하고, 상기 스위치 회로는 스위치 아이솔레이션 제어회로를 더 포함하며, 상기 트라이엑은 상기 스위치 아이솔레이션 제어회로에 의해 상기 주제어 회로에 접속되는 것을 특징으로 하는 교류 송전 회로.
  12. 제11항에 있어서,
    상기 스위치 아이솔레이션 제어 회로는 광선 커플러를 포함하는 것을 특징으로 하는 교류 송전 회로.
  13. 제7항에 있어서,
    상기 제1 스위치 장치는 트라이엑이며, 상기 주제어 회로와 상기 제1 스위치 장치는 신호의 수송신이 가능하게 접속되고, 상기 주제어 회로는 상기 제1 스위치 장치에 의해 상기 급전회로의 개폐를 제어하고,
    상기 스위치 회로는 온도 검출회로를 더 포함하고, 상기 온도 검출회로에 의해 상기 교류 송전 회로의 온도를 검출하고, 상기 온도 검출회로는 상기 주제어 회로에 접속되는 것을 특징으로 하는 교류 송전 회로.
  14. 제13항에 있어서,
    상기 온도 검출회로는 상기 트라이엑의 온도를 검출하고 검출된 상기 트라이엑의 온도를 상기 주제어 회로에 피드백하고, 상기 주제어 회로는 피드백된 상기 트라이엑의 온도에 의해 상기 트라이엑의 개폐를 제어하는 것을 특징으로 하는 교류 송전 회로.
  15. 제14항에 있어서,
    상기 주제어 회로에는 사전설정 과잉온도 역치가 기억되고 있고, 검출된 상기 트라이엑의 온도가 사전설정 과잉온도 역치를 상회할 때, 상기 주제어 회로는 상기 트라이엑을 셧다운하는 것이 특징으로 하는 교류 송전 회로.
  16. 제13항에 있어서,
    상기 스위치 회로는 스위치 제어회로를 더 포함하고, 상기 스위치 제어회로는 상기 주제어 회로에 의해 상기 트라이엑 개폐를 제어하며, 상기 스위치 제어회로는 터치 제어 스위치, 음성 제어 스위치, 원격 조작 스위치 및 누름형 스위치 중의 한가지 또는 복수개의 조합인 것을 특징으로 하는 교류 송전 회로.
  17. 제13항에 있어서,
    상기 스위치 회로는 표시회로를 더 포함하고, 상기 표시회로는 상기 주제어 회로에 접속되는 것을 특징으로 하는 교류 송전 회로.
  18. 소켓 본체와 상기 소켓 본체 내부에 설치된 회로구조를 포함하며, 상기 회로구조는 청구항 제1항에 기재된 교류 송전 회로인 것을 특징으로 하는 소켓.
  19. 삭제
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Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20130181524A1 (en) * 2012-01-12 2013-07-18 Shih-jen Lin Advance power-saving power socket for power saving system
US20140175997A1 (en) * 2012-12-25 2014-06-26 Unity Opto Technology Co., Ltd. Adaptive light emitting diode dimming driving circuit

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5583423A (en) * 1993-11-22 1996-12-10 Bangerter; Fred F. Energy saving power control method
DE10112537B4 (de) * 2001-03-15 2004-12-23 Infineon Technologies Ag Verfahren zur Ansteuerung eines Schalters in einem Schaltnetzteil und Schaltnetzteil
JP5264484B2 (ja) * 2005-07-29 2013-08-14 タイコ・エレクトロニクス・コーポレイション 熱的に結合したｍｏｖ過電圧要素とｐｐｔｃ過電流要素を有する回路保護デバイス
US20140254057A1 (en) * 2013-03-11 2014-09-11 Chicony Power Technology Co., Ltd. Surge suppression apparatus
US10485082B2 (en) * 2016-05-31 2019-11-19 Current Lighting Solutions, Llc Method of protecting and detecting a surge event in a node

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20130181524A1 (en) * 2012-01-12 2013-07-18 Shih-jen Lin Advance power-saving power socket for power saving system
US20140175997A1 (en) * 2012-12-25 2014-06-26 Unity Opto Technology Co., Ltd. Adaptive light emitting diode dimming driving circuit

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