KR200482510Y1

KR200482510Y1 - 발광다이오드 램프

Info

Publication number: KR200482510Y1
Application number: KR2020140002296U
Authority: KR
Inventors: 웨이채 셰
Original assignee: 추앙, 밍-채
Priority date: 2014-03-24
Filing date: 2014-03-24
Publication date: 2017-02-03
Also published as: KR20150003591U

Abstract

본 고안에 따른 램프는, 교류(AC)를 직류(DC)로 변환하는 완파 정류기; 전압 스파이크로부터 램프를 보호하기 위하여 완파 정류기에 전기적으로 연결되는 써지 보호 장치(SPD); SPD에 전기적으로 연결된 다수의 직렬 연결된 발광다이오드(LED); SPD에 전기적으로 연결된 마이크로 프로세서; 마이크로 프로세서에 전기적으로 연결된 다수의 직렬 연결된 MOSFET(금속-산화물-반도체 전계 효과 트랜지스터) 시동 회로 - 이 MOSFET 시동 회로는 전자신호를 스위칭하도록 구성됨; 각각, LED 및 MOSFET 시동 회로를 전기적으로 상호 연결하는 다수의 저항기를 포함한다. 여기서, 마이크로 프로세서는 SPD로부터 공급되는 정상적인 DC에 반응하여, MOSFET 시동 회로를 활성화하기 위하여 펄스폭변조(PWM) 신호를 생성하고 상기 각각의 저항기를 통해 LED의 동작을 개시시키고, SPD 로부터 공급되는, 전압 스파이크가 포함된 비정상적인 DC에 반응하여, MOSFET 시동 회로를 비활성화하고, 각 저항기를 통해 LED에 DC를 공급하지 않고 DC가 저항기로 흐르도록 한다.

Description

발광다이오드 램프 {LED LAMP}

본 고안은 램프에 관한 것으로서, 보다 구체적으로는, 시동 특성이 개선된 발광다이오드(LED) 램프에 관한 것이다.

LED는 긴 수명 및 내충격성으로 유명하다. 또한, LED는 형광등보다 훨씬 적은 전력을 소모한다. 따라서, LED 조명 장치는 전 세계적으로 인기를 얻고 있다. 최근에, LED는 광원으로서 옥외 조명 장치에 사용되고 있다.

형광등의 시동(starting) 방식은 예열(preheating), 즉시 시동(instant start), 급속 시동(rapid start), 신속 시동(quick-start), 반공진 시동(semi-resonant start), 그리고 프로그램설정 시작(programmed start) 중 하나일 수 있다.

그러나, 형광등의 예열의 특징을 갖는 LED 조명은 지금까지는 본 고안자가 알고 있는 한 공개되어 있지 않다. 따라서, 상기 특징을 갖는 LED 조명의 개발에 있어서의 계속된 개선이 지속적으로 모색되고 있다.

따라서 본 고안의 목적은 상기 문제를 해결하기 위한 LED 램프를 제공하는 것이다. 이 램프의 구체적인 구성과 작용은 이하에서 설명한다.

상기 목적을 달성하기 위하여 본 고안에 따른 램프는, 교류(AC)를 직류(DC)로 변환하는 완파 정류기; 전압 스파이크로부터 램프를 보호하기 위하여 완파 정류기에 전기적으로 연결되는 써지 보호 장치(SPD); SPD에 전기적으로 연결된 다수의 직렬 연결된 발광다이오드(LED); SPD에 전기적으로 연결된 마이크로 프로세서; 마이크로 프로세서에 전기적으로 연결된 다수의 직렬 연결된 MOSFET(금속-산화물-반도체 전계 효과 트랜지스터) 시동 회로 - 이 MOSFET 시동 회로는 전자신호를 스위칭하도록 구성됨; LED 및 MOSFET 시동 회로를 전기적으로 상호 연결하는 다수의 저항기를 포함한다. 여기서, 마이크로 프로세서는 SPD로부터 공급되는 정상적인 DC에 반응하여, MOSFET 시동 회로를 활성화하기 위하여 펄스폭변조(PWM) 신호를 생성하고 상기 각각의 저항기를 통해 LED의 동작을 개시시키고, SPD 로부터 공급되는, 전압 스파이크가 포함된 비정상적인 DC에 반응하여, MOSFET 시동 회로를 비활성화하고, 각 저항기를 통해 LED에 DC를 공급하지 않고 DC가 저항기로 흐르도록 한다.

본 고안의 상기 및 다른 목적, 특징, 및 장점들은 첨부 도면과 함께 이하에서 개시한 상세한 설명으로부터 명확해질 것이다.

본 고안에 따른 램프에서는, 형광등의 예열의 특징을 갖는 LED 조명에 있어서, 전압 스파이크가 포함된 비정상적인 DC가 공급되면 MOSFET 시동 회로를 비활성화하고, 각 저항기를 통해 LED에 DC를 공급하지 않고 DC가 저항기로 흐르도록 하여서 LED 램프를 비교적 단순하고 경제적인 회로로서 신속하고 효과적으로 보호함으로써, LED의 시동 특성을 개선할 수 있다.

도 1은 본 고안에 따른 LED 램프의 블록도이다.
도 2는 LED 램프의 회로도이다.
도 3은 LED 램프의 사시도이다.
도 4는 LED를 제거한 상태의 도 3에 도시한 LED 램프의 분해도이다.

도 1~4를 참조하면, 본 고안에 따른 LED 램프(100)가 도시되어 있다. LED 램프(100)는 형광등과 같은 형상을 갖는다. 즉, 본 고안은 형광등의 형상 및 외부 구성요소(예를 들면, 핀)를 변경시킴이 없이 일반적인 형광등(예를 들면, T5, T8, T9, 또는 PL 램프) 내에 구현된다. 이 LED 램프(100)는 아래에 자세히 설명하는 바와 같이 다음과 같은 구성요소를 포함한다.

완파 정류기(2)는 양단에 구비된 두 개의 반파 정류기(2)로 구성되고, 교류(AC)를 직류(DC)로 변환한다. 써지보호장치(SPD)(1)는, 전압 스파이크로부터 LED 램프(100)을 보호하기 위하여 하나의 반파 정류기(2)에 전기적으로 연결된다. 직렬 연결된 다수(2개만 도시함)의 LED(6)가 SPD(1) 및 다른 반파 정류기(2)에 전기적으로 연결된다. 마이크로프로세서(3)가 SPD(1)에 연결되어 있다. 직렬로 연결된 두 개의 MOSFET(금속-산화물-반도체 전계 효과 트랜지스터) 시동 회로(4)가 마이크로프로세서(3)와 전기적으로 연결된다. 2개의 고 저항기(5)가 구비되는데, 각 고 저항기(5)는 LED(6) 및 MOSFET 시동 회로(4)에 전기적으로 연결된다. 또한, SPD(1)와 하나의 LED(6) 사이의 전기 회로는 접지되고, 다른 LED(6)와 다른 반파 정류기(2) 사이의 전기 회로도 또한 접지된다.

본 고안의 동작을 상세히 설명한다. SPD(1)에서 공급된 정상적인 DC 전압에 응답하여 마이크로프로세서(3)는 형광등의 예열의 경우와 같이, PWM(펄스폭변조) 신호를 생성하여 MOSFET 시동 회로(4)를 활성화한다. 전자신호를 스위칭하는 기능을 갖는 MOSFET 시동 회로(4)는 각 고 저항기(5)를 통해 각 LED(10)의 동작을 개시시킨다.

반대로, SPD(1)로부터 비정상적인 DC 전압(예를 들어, 전압 스파이크)이 공급되면 이에 응답하여 마이크로프로세서(3)는 MOSFET 시동 회로(4)를 비활성화시켜서, 전류를 고 저항기(5)를 통해 LED(6)로 공급하지 않고 고 저항기(5)를 통해 흐르도록 한다. 결과적으로, LED(6)가 보호된다.

이상에서 본 고안을 바람직한 실시예의 측면에서 설명하였지만, 당업자는 첨부된 청구범위의 사상 및 범위 내에서 본 고안을 변형하여 실시할 수 있음을 인식할 것이다.

1 써지보호장치, 2 정류기, 3 마이크로프로세서, 4 MOSFET 시동회로, 5 저항기, 6 LED, 100 LED 램프

Claims

T5, T8, T9, 또는 PL 램프 형태의 형광등의 형상과 양단 핀을 변경함이 없이 형광등 형태의 외관 내에 내장되는 발광다이오드 램프로서,
상기 양단 핀 중 하나로부터 입력되는 교류(AC)를 직류(DC)로 변환하여 출력하는 반파 정류기와, 상기 양단 핀 중 다른 하나로부터 입력되는 교류(AC)를 직류(DC)로 변환하여 출력하는 다른 반파 정류기를 포함하는 완파 정류기;
전압 스파이크로부터 램프를 보호하기 위하여 상기 완파 정류기 중 하나의 반파 정류기(2)의 출력단에 연결되는 다이오드를 포함하는 써지 보호 장치(SPD);
상기 하나의 반파 정류기 및 상기 SPD(1)의 연결단에 애노드 단자가 연결되는 제1 LED와, 상기 다른 반파 정류기의 출력단에 애노드 단자가 연결되는 제2 LED를 포함하는 발광 다이오드;
상기 발광 다이오드의 제1 LED의 캐소드에 연결되는 제1 고저항기;
상기 발광 다이오드의 제2 LED의 캐소드에 연결되는 제2 고저항기;
상기 제1 LED의 캐소드와 제1 고저항기의 연결단에 드레인단자가 연결되는 제1 금속-산화물-반도체 전계 효과 트랜지스터(MOSFET) 시동 회로;
상기 제2 LED의 캐소드와 제2 고저항기의 연결단에 드레인단자가 연결되는 제2 금속-산화물-반도체 전계 효과 트랜지스터(MOSFET) 시동 회로 - 여기서, 상기 제1 MOSFET 시동 회로의 게이트단자는 상기 제2 MOSFET 시동 회로의 게이트단자와 연결됨;
상기 SPD의 출력단에 전기적으로 연결되어 SPD를 통과한 신호가 입력되고, 이에 반응하여 펄스폭변조(PWM) 신호를 생성하는 마이크로 프로세서를 포함하되,
상기 마이크로 프로세서는
상기 SPD로부터 공급되는 정상적인 DC에 반응하여 상기 제1 및 제2 MOSFET 시동 회로를 활성화하기 위한 펄스폭변조(PWM) 신호를 생성하여 상기 제1 및 제2 MOSFET 시동 회로의 각 게이트단자로 출력함으로써, 상기 제1 및 제2 MOSFET 시동 회로가 활성화되어 상기 제1 및 제2 LED를 흐르는 전류가 제1 및 제2 MOSFET 시동 회로를 통해 흘러서 제1 및 제2 LED가 점등되도록 하고,
상기 SPD로부터 공급되는 전압 스파이크가 포함된 비정상적인 DC에 반응하여, 상기 제1 및 제2 MOSFET 시동 회로를 비활성화하기 위한 펄스폭변조(PWM) 신호를 생성하여 상기 제1 및 제2 MOSFET 시동 회로의 각 게이트단자로 출력함으로써, 상기 제1 및 제2 MOSFET 시동 회로가 비활성화되어서 상기 제1 및 제2 LED를 흐르는 전류가 제1 및 제2 고저항기를 통해 흘러서 제1 및 제2 LED가 소등되도록 하여서 LED의 시동 특성을 개선하는 것을 특징으로 하는 발광다이오드 램프.